JP2003136499A - Micromachine and its manufacturing method - Google Patents

Micromachine and its manufacturing method

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JP2003136499A JP2001339734A JP2001339734A JP2003136499A JP 2003136499 A JP2003136499 A JP 2003136499A JP 2001339734 A JP2001339734 A JP 2001339734A JP 2001339734 A JP2001339734 A JP 2001339734A JP 2003136499 A JP2003136499 A JP 2003136499A
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sacrificial layer
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adhesion
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Tetsuro Yamazaki
哲朗 山▲崎▼
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Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a micromachine with excellent yield and precision by improving adhesiveness of a sacrificial layer. SOLUTION: When manufacturing the micromachine provided with fine structure by using a sacrificial layer 91, prior to formation of the sacrificial layer 91, a thin film of a structure body 51 to be overlapped by the sacrificial layer 91 or a thin adhesive layer 61 with high adhesiveness to a substrate having a material different from or same as that of the sacrificial layer 91 is thinly formed by spattering, thereby improving the adhesiveness of the sacrificial layer 91. Thus, handling is easy during manufacturing process. There is no need to roughen a surface of the structure body for improving the adhesiveness to the sacrificial layer 91, so that the micromachine with high precision can be mass-produced with an excellent yield.

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、犠牲層を用いて成形するミクロンあるいはサブミクロンのマイクロマシンの製造方法に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing method of micron or submicron micromachine molded using a sacrificial layer. 【0002】 【従来の技術】プロジェクタなどの画像表示装置のライトバルブとして、液晶デバイスに代わり、光をオンオフ制御でき、高速動作可能なスイッチングデバイスあるいは画像表示デバイスが求められている。 [0002] as a light valve of the image display device 2. Description of the Related Art Projectors, alternatively a liquid crystal device, light can on-off control of the high-speed operable switching device or an image display device is demanded. その1つがミクロンオーダあるいはさらに小さなサブミクロンオーダの微細構造(マイクロストラクチャ)を備えたマイクロマシンによるスイッチングデバイスである。 One of them is a switching device according to micromachine having a micron-order or smaller submicron order of fine structure (micro structure). 【0003】 【発明が解決しようとする課題】マイクロマシンを製造する1つの有効な方法は、フォトリソグラフィ技術を用いての構成を複数の構造層に分けて積層する方法である。 [0003] One effective method of manufacturing a micromachine [0005] is a method of laminating separately the structure of using a photolithography technique to a plurality of structural layers. この製造方法では、複数の構造層で犠牲層を挟んで成形することにより、たとえば、アクチュエータが駆動する空間を作成する。 In this manufacturing method, by forming across the sacrificial layer by a plurality of structural layers, for example, to create a space in which the actuator is driven. 【0004】したがって、犠牲層の厚みは数100nm [0004] Therefore, the number is the thickness of the sacrificial layer 100nm
から数μmあるいはそれ以上の厚みとなるように成膜する必要があり、最終的には構造層に影響を与えずにエッチングにより除去する必要がある。 It must be deposited to a few μm or more in thickness from, ultimately must be removed by etching without affecting the structural layer. 犠牲層は、下地層(支持層)の上に、直接的にCVD(化学蒸着法)、スパッタまたはスピンコートなどを用いて成膜されており、例えばCVDではRFパワーや基板温度を管理し、 Sacrificial layer on the underlying layer (supporting layer) directly CVD (chemical vapor deposition), are deposited by using a sputtering or spin-coating, to manage, for example, RF power and the substrate temperature in CVD,
成膜条件を最適化することにより、犠牲層としての機能、すなわち、成形に必要な膜厚(体積)や均一性を確保している。 By optimizing the film forming conditions, functions as a sacrificial layer, i.e. so as to ensure a thickness (volume) and uniformity required for molding. 【0005】犠牲層を成膜する際の1つの重要な問題は、犠牲層の下層であり、犠牲層を積み重ねる基板あるいは下の構造体を含む支持層との密着性の有無である。 [0005] One important issue in forming the sacrificial layer is a lower layer of the sacrificial layer, presence or absence of adhesion to the support layer including the structure of the lower or the substrate stacking sacrificial layer.
例えば、シリコン製の犠牲層は、エッチャントとしてフッ化キセノン(XeF 2 )を採用することにより、プラズマレスで高いエッチングレートでのドライエッチングが可能である。 For example, silicon sacrificial layer, by employing a xenon fluoride (XeF 2) as an etchant, it is possible to dry etching at a high etching rate in a plasma-less. さらに、アモルファスシリコン(a−S Further, an amorphous silicon (a-S
i)はCVDにより低温で成膜できるという利点がある。 i) has the advantage that it can be deposited at low temperature by CVD. したがって、シリコン製の犠牲層は、微細構造体の製造に適していると考えられている。 Therefore, silicon sacrificial layer is believed to be suitable for the manufacture of the microstructure. しかしながら、シリコン製の犠牲層はフッ化キセノンではエッチングされないアルミニウムなどにより支持層を形成したときに、 However, silicon sacrificial layer when forming the supporting layer by aluminum which is not etched by xenon fluoride,
その支持層との密着性が低い。 Low adhesion between the support layer. 【0006】犠牲層の密着性が低いと、犠牲層を介して構造層を積層した後に、他のプロセスや犠牲層を除去するプロセスに移行する途中のハンドリングで、振動などが加わると構造体がダメージを受ける要因となる。 [0006] The low adhesion of the sacrificial layer, after laminating the structure layer through the sacrificial layer, in the course of handling the transition to the process of removing the other processes and the sacrificial layer, is the structure vibration and the like applied It becomes a factor of damage. さらに、エッチングする前に犠牲層が下層の支持層と剥がれてしまうと、犠牲層としての機能を十分に果たさないことになり、結果的に、マイクロマシンの歩留りの低下や、品質の低下に繋がる。 Further, when the sacrificial layer is peeled off the underlying support layer before etching, it can not sufficiently perform its function as a sacrificial layer, resulting in a decrease in yield of micromachines, it leads to a decrease in quality. 【0007】犠牲層の密着性を向上するために、下地となる支持層の表面を荒らして接触面積を増大し、それによるアンカー効果を用いる方法がある。 In order to improve the adhesion of the sacrificial layer, the contact area increases in roughened surface of the support layer to be a base, a method using the anchor effect of it. しかしながら、 However,
この方法では、密着性は向上できても、荒れた下地の形状が犠牲層にも引き継がれてしまい、その犠牲層の上に成膜される構造層にも凹凸ができてしまう。 In this way, adhesion be able to improve, rough shape of the underlying cause inherited in the sacrificial layer, it can irregularities on the structure layer to be formed over the sacrificial layer. このため、 For this reason,
結果として製造される構造体の精度は劣化してしまい好ましくない。 Structure accuracy produced as a result is unfavorably deteriorated. 【0008】一方、アルミニウムとの密着性の良い素材も知られている。 On the other hand, good adhesion to the aluminum material are also known. たとえば、窒化チタンがその一例であるが、窒化チタンはフッ化キセノンではエッチングできないし、シリコン製の犠牲層ほど成膜が容易なものでなく、所望の厚みを確保することが難しい。 For example, although titanium nitride is an example, titanium nitride to not be etched by xenon fluoride, not made easy film formation as silicon sacrificial layer, it is difficult to ensure the desired thickness. 【0009】このように、犠牲層としては支持層と密着性が高く、膜厚を容易に確保できるものが望ましいが、 [0009] Thus, as the sacrificial layer high adhesion to the support layer, it is preferable as it can easily secure a film thickness,
密着性の高い材質はエッチングが困難であったり、成膜が困難であり、成膜が容易なものは密着性が低いことが多い。 High adhesion material or it is difficult to etch, deposition is difficult, as the film formation is easy is often low adhesion. したがって、構造体の材料に対して犠牲層として十分に活用できる材料は限られてしまう。 Thus, resulting in the material is limited can be sufficiently used as a sacrificial layer to the material of the structure. したがって、 Therefore,
上記のようにアルミニウムを構造層としたときにシリコン製の犠牲層は、エッチング工程や成膜工程を考えるとベストな組み合わせであるが、密着性が低いために実際には使用できないといった問題が生じる。 Silicon sacrificial layer when the aluminum structure layer as described above is a best combination considering the etching step and the deposition step, in fact occurs a problem can not be used for due to low adhesion . 【0010】そこで、本発明においては、材質的に支持層との密着性の低い犠牲層であっても、支持層の表面を加工しなくても支持層との密着性を向上し、その密着性の高い面でも犠牲層としての機能を十分に果たせる製造方法を提供することを目的としている。 [0010] Therefore, in the present invention, even at a low sacrificial layer adhesion between the material to the support layer, without processing the surface of the support layer to improve the adhesion between the support layer, the adhesion and its object is to provide a sufficiently fulfill manufacturing method functions as a sacrificial layer in a high sexual plane. そして、アルミニウムを構造層としたときのシリコン製の犠牲層のように、エッチング工程や成膜工程を考えると、ベストな組み合わせが密着性の点で使用できないような事態を解消し、密着性の点から採用が差し控えられている犠牲層を用いた方法により、他種多様な微細構造体を製造可能にすることを目的としている。 As the silicon sacrificial layer when the aluminum structure layer, considering the etching step and the deposition step, to eliminate such a situation that the best combination is not available in terms of adhesion, adhesion by a method using a sacrificial layer adopted from the point it is withheld, and intended to enable production of other species variety microstructure. そして、品質の良いマイクロマシンをさらに容易に歩留りも高く低コストで量産できる製造方法を提供することを目的としている。 Then, it is an object to provide a manufacturing method capable of more easily mass-produced at a yield is also high cost of good micromachine quality. 【0011】 【課題を解決するための手段】従来の製造方法では、犠牲層がエッチングにより除去される層であり、構造層と異なり、上記のような密着性は考慮されておらず、構造層より除去し易いものが選択されている。 [0011] In conventional manufacturing methods Means for Solving the Problems] is a layer sacrificial layer is removed by etching, unlike the structure layer, the adhesion as described above is not taken into consideration, the structure layer It is selected as easier to remove. このため、本発明のように犠牲層の密着性に着目したものはない。 Therefore, none have focused on adhesion of the sacrificial layer as in the present invention. したがって、従来の犠牲層は所望の厚みを確保することだけを考えた単層であるのに対し、本発明においては、最終的に除去される犠牲層ではあるが、支持層と犠牲層の間に密着性の高い薄膜状の密着層を設けることで、犠牲層の密着性が向上すると共に、膜厚を確保し易く、エッチング特性も優れた犠牲層によりマイクロマシンを製造できるようにしている。 Thus, whereas the conventional sacrificial layer is a single layer of considering only to ensure the desired thickness, in the present invention, albeit at the sacrifice layer is finally removed, between the support layer and the sacrificial layer by providing a high adhesion thin film adhesion layer, thereby improving the adhesion of the sacrificial layer, easy to secure the film thickness, so that can be produced micromachine by excellent sacrificial layer etching characteristics. 【0012】すなわち、本発明は、基板または構造体となる支持層に犠牲層を挟んで構造層を形成し、その後、 Namely, the present invention forms a structural layer sandwiching the sacrificial layer to the support layer as a substrate or structure, then,
犠牲層を除去して構造層を有するマイクロマシンを製造する方法であって、犠牲層に先立って、支持層の表面に、この支持層および犠牲層との密着性が高く、薄膜状の密着層を形成する第1の工程と、密着層の上に犠牲層を形成する第2の工程と、エッチャントにより犠牲層をエッチングする工程とを有することを特徴としている。 A method of manufacturing a micromachine having the structure layer by removing the sacrifice layer, prior to the sacrificial layer, the surface of the support layer has high adhesion between the support layer and the sacrificial layer, the thin-film adhesion layer a first step of forming, a second step of forming a sacrificial layer on the adhesion layer, is characterized by a step of etching the sacrificial layer by the etchant. 【0013】支持層と犠牲層との間に薄膜状の密着層を設けることで、互いの密着性は良くなり密着性が低いことに起因するトラブルは解消できる。 [0013] By providing the thin film adhesion layer between the support layer and the sacrificial layer, problems resulting from the low adhesion become better adhesion to each other can be solved. また、支持層の表面を粗面にする必要もないので、それに伴い精度が劣化することも防止できる。 Moreover, there is no need to make the surface of the support layer is roughened, can be prevented from being deteriorated precision accordingly. その一方で、薄膜の密着層、例えば、数μmの支持層に対して、数100Å程度の薄膜の密着層とすることにより、成膜が難しい密着層であっても、容易に成膜することができ、製造工程上の負荷は少ない。 On the other hand, the adhesion layer of the thin film, for example, with respect to the support layer of a few [mu] m, by an adhesion layer of a thin film of about several 100 Å, even film formation difficult adhesion layer, can be easily formed It can be the load of the manufacturing process is small. さらに、エッチングによる除去が難しい密着層であっても薄膜であれば構造体の表面に残っていても、 Furthermore, even if even adhesion layer removal is difficult by etching remains on the surface of the structure if films,
構造体の性能にはほとんど影響を与えない。 There is almost no effect on the performance of the structure. したがって、マイクロマシンの製造工数にほとんど影響を与えずに、また、マイクロマシンの性能にほとんど影響を与えずに、さらに、犠牲層の材料を変えずに犠牲層の密着性を向上できる。 Thus, with little impact on manufacturing steps of micromachining, also with little effect on the performance of micromachine it can be further improved adhesion of the sacrificial layer without changing the material of the sacrificial layer. このため、エッチングで除去する点や、 Therefore, and that is removed by etching,
膜厚を確保する点などの密着性以外の点では、ベストな選択肢である犠牲層を密着性の点でも満足できる条件で利用することが可能となる。 In terms of non-adherence, such as a point to secure film thickness, it is possible to use the condition that can be satisfied in terms of adhesion of the sacrificial layer is the best choice. したがって、構造体の材質や用途に応じて犠牲層として選択できる素材の範囲が広がり、品質の良いマイクロマシンをいっそう容易に、歩留り良く製造することができる。 Thus, expanding the range of materials that can be selected as a sacrificial layer in accordance with the material and application of the structure, more easily good micromachine quality can be high yield. 【0014】このため、上述した構造体がアルミニウムであるときに、支持層をアルミニウムとし、密着層に窒化チタンを採用することで、犠牲層としてシリコンを採用することができ、エッチャントとしてフッ化キセノンを採用することができる。 [0014] Therefore, when the structure described above is an aluminum, a supporting layer of aluminum, adhesion layer by adopting a titanium nitride, can be employed silicon as the sacrificial layer, xenon fluoride as an etchant it can be adopted. この組み合わせは、シリコンを犠牲層としてCVD(化学蒸着法)で成膜できるので膜厚を確保するのも容易であり、後にシリコン製の犠牲層をフッ化キセノンで容易にエッチング除去できるので、量産性が高い。 This combination is also easy to secure the film thickness because silicon film can be formed by CVD (chemical vapor deposition) as a sacrificial layer, because the silicon sacrificial layer can be easily removed by etching with xenon fluoride after mass production high sex. また、窒化チタンを密着層として設けてあるので、犠牲層の密着性が問題になることはない。 Further, since is provided a titanium nitride as the adhesion layer, the adhesion of the sacrificial layer is not a problem. 【0015】フッ化キセノンによるエッチングでは、薄膜の窒化チタンがアルミニウム製の構造体の表面に残ることになるが、薄膜であるので電気的あるいは機械的な影響が生じることはない。 [0015] In accordance etching xenon fluoride, although titanium nitride thin film will remain on the surface of the aluminum structure, never electrical or mechanical impact occurs because it is thin. すなわち、この製造方法では、基板または構造体となる支持層と対峙して形成された構造層を有するマイクロマシンであって、支持層の表面の構造層と対峙する面に、当該支持層との密着性の高い素材からなる薄膜状の密着層が形成されているマイクロマシンが提供されるが、密着層はマイクロマシンの性能などを劣化させる要因とはならない。 In other words, this manufacturing method, a micromachine having a structure layer which is formed to face the support layer as a substrate or structure, on the surface facing the structure layer on the surface of the support layer, the adhesion between the support layer While micromachine is provided a thin film-like adhesive layer composed of high sexual material is formed, the adhesion layer does not become a factor that degrades the like performance of micromachine. 逆に、密着層を絶縁層のような目的で積極的な機能を果たすように設計することも可能である。 Conversely, it is also possible to design the adhesive layer to play an active functional purposes, such as the insulating layer. 【0016】一方、本発明の製造方法であれば、膜厚は犠牲層で確保できるので、密着層としては、密着性は高いが膜厚を得ることが難しい方法で成膜される層を利用することができる。 [0016] On the other hand, if the production method of the present invention, since the film thickness can be ensured at the sacrifice layer, the adhesion layer, high adhesion but utilizing a layer to be formed in a way that is difficult to obtain a film thickness can do. この場合は、密着層は犠牲層と同じ材料で成膜することが可能なので犠牲層をエッチングする工程で、犠牲層と共に密着層もエッチングで除去することが可能であり、さらに密着層の影響はなくなる。 In this case, since it can contact layer forming a film of the same material as the sacrificial layer in the step of etching the sacrificial layer, the adhesion layer together with the sacrificial layer also can be removed by etching, the effect of further adhesive layer no. 例えば、第1の工程では、犠牲層と同じ素材をスパッタリングして密着層を形成し、第2の工程では膜厚確保の容易なCVDにより犠牲層を形成するようにしても良い。 For example, in a first step, by sputtering the same material as the sacrificial layer to form an adhesion layer, the easy CVD film thickness ensuring may be forming a sacrificial layer in the second step.
たとえば、支持層がアルミニウムのときは密着層をシリコンをスパッタリングすることにより成膜し、犠牲層はシリコンをCVDにより成膜することが可能であり、スパッタリングされたシリコン膜の密着性を利用することが可能である。 For example, when the support layer is an aluminum deposited by sputtering a silicon adhesion layer, the sacrificial layer is can be formed by CVD of silicon, utilizing the adhesion of the sputtered silicon film it is possible. そして、これらシリコン製の密着層および犠牲層はフッ化キセノンで除去できる。 Then, these silicon adhesion layer and the sacrificial layer can be removed by xenon fluoride. 【0017】さらに、支持層はニッケル系の素材のときは密着層として銅をスパッタリングした膜を用い、犠牲層として銅をCVDによる成膜して用いることができる。 Furthermore, the supporting layer of copper using a sputtered film as an adhesion layer when the nickel-based materials, copper can be used in film formation by CVD as a sacrificial layer. この場合もアルカリ溶液で密着層および犠牲層を除去できる。 In this case it is also removed adhesion layer and the sacrificial layer with an alkaline solution. 支持層がポリ−シリコン・ゲルマニウムのときは、密着層としてポリ−ゲルマニウムをスパッタリングして成膜し、犠牲層としてはポリ−ゲルマニウムのC Supporting layer is poly - when the silicon-germanium, poly as an adhesion layer - germanium by sputtering was deposited, as a sacrificial layer of poly - C of germanium
VDにより膜を用いることができる。 Film can be used by VD. エッチャントは過酸化水素となる。 Etchant is hydrogen peroxide. さらに、支持層がポリイミドの場合は、密着層としてチタンをスパッタリングして成膜し、 Furthermore, if the support layer of polyimide was deposited by sputtering a titanium as an adhesion layer,
犠牲層としてはチタンのCVDにより成膜でき、エッチャントはフッ化水素となる。 The sacrificial layer can deposited by CVD of titanium, the etchant is hydrogen fluoride. 【0018】このようにして、本発明のマイクロマシンの製造方法は、犠牲層として、支持層や構造層と密着性の低い素材を利用することが可能となるので、静電型などのアクチュエータを備えたスイッチングデバイスなどを製造するのに好適な製造方法である。 [0018] Thus, micromachine manufacturing method of the present invention, as a sacrificial layer, because the low material adhesion with the support layer and the structure layer it is possible to use, an actuator such as an electrostatic type and is the preferred manufacturing method to manufacture a switching device. 【0019】 【発明の実施の形態】以下では、図面を参照して本願の発明をさらに説明する。 [0019] [OF THE PREFERRED EMBODIMENTS OF THE INVENTION In the following, further illustrate the present invention with reference to the drawings. 図1に示したマイクロマシン(微細構造体)の光スイッチングデバイス1は、干渉型のスイッチングデバイスの1つである。 Optical switching device 1 of the micromachine (microstructure) shown in FIG. 1 is one of the interference type switching device. この光スイッチングデバイス1は、ガラス基板21の裏面に半透過膜2 The optical switching device 1 is semitransparent to the back surface of the glass substrate 21 film 2
2が設けられたハーフミラーであり、半透過膜22に対面するように設けられた反射体40がアクチュエータ構造33により駆動され入射光71をスイッチングする。 2 is a half mirror provided, the reflector 40 provided so as to face the semi-transparent film 22 is driven by an actuator structure 33 for switching the incident light 71. 【0020】この干渉型の光スイッチングデバイス1 [0020] The interferometric optical switching device 1
は、アクチュエータ構造33の駆動回路が形成された半導体基板31を支持基板として構成されており、半導体基板31の上方の面(表面)31aに、静電型のアクチュエータ構造33と、このアクチュエータ構造33に駆動される反射体(被駆動体)40とが基板31の側(下側)からこの順番で積層され、反射体40の上面が反射面42となっている。 Is a semiconductor substrate 31 which the driver circuit is formed of the actuator structure 33 is configured as a supporting substrate, the upper surface (surface) 31a of the semiconductor substrate 31, an actuator structure 33 of the electrostatic, actuator structure 33 reflector driven and (driven member) 40 are laminated in this order from the side of the substrate 31 (lower side), the upper surface of the reflector 40 is in the reflective surface 42. これらのアクチュエータ構造33 These actuator structure 33
および反射体40が1つの画素をオンオフするスイッチング素子となり、それらが2次元に配列され、各々のアクチュエータ構造33により反射体40が上下に駆動される。 And the reflector 40 is a switching element for turning on and off one pixel, they are arranged in a two-dimensional, reflector 40 is driven up and down by respective actuator structure 33. 【0021】このデバイス1においては、図1の右側に示すように、アクチュエータ構造33により反射体40 [0021] In this device 1, as shown on the right side in FIG. 1, the reflector 40 by an actuator structure 33
の反射面42がハーフミラー21に密着していると、反射面42により反射された入射光71はそのまま出射光72として出力され、オン状態となる。 The reflecting surface 42 when in close contact with the half mirror 21, the incident light 71 that is reflected by the reflecting surface 42 is output as outgoing light 72, is turned on for. 一方、図1の左側に示すように、アクチュエータ構造33により、反射体40が下方向に駆動され、反射体40の反射面42 On the other hand, as shown on the left side of FIG. 1, the actuator structure 33, the reflector 40 is driven downward, the reflecting surface of the reflector 40 42
と、ハーフミラー21の半透過面22とが離れ、ハーフミラー21により反射された光71と、反射面42により反射された光とが干渉して弱め合う距離になるとデバイス1からは光71が出射されなくなるのでオフ状態となる。 When, apart and the semi-transmissive surface 22 of the half mirror 21, the light 71 reflected by the half mirror 21, the light 71 from the device 1 when the light reflected is the distance destructive interfering by the reflecting surface 42 It turned off because no longer emitted. 【0022】以下に、本発明の製造方法により光スイッチングデバイス1を製造する過程について図2〜図7を参照しながら説明する。 [0022] Hereinafter, the production method of the present invention will be described with reference to FIGS. 2-7 for the process of manufacturing the optical switching device 1. 先ず、図2に示すように、シリコン基板31に熱酸化膜31aを形成する。 First, as shown in FIG. 2, to form a thermal oxide film 31a on the silicon substrate 31. 次に、図3 Next, as shown in FIG. 3
に示すように、その酸化膜31aの上方に第1の構造層51となるアルミニウムをスパッタリング成膜する。 As shown in, for sputtering an aluminum serving as a first structural layer 51 above the oxide film 31a. この支持層51は図1に示したアクチュエータ構造33の下電極34として機能するものである。 The support layer 51 functions as a lower electrode 34 of the actuator structure 33 shown in FIG. 【0023】そして、この第1の構造層51の表面51 [0023] Then, the surface 51 of the first structural layer 51
aに、窒化チタン(TiN)をスパッタリングして10 In a, by sputtering a titanium nitride (TiN) 10
0Å程度の薄膜に成膜する。 Depositing a thin film of about 0Å. これら第1の構造層51および窒化チタンの層61は、共に所定の形状にパターニングされる。 The first structural layer 51 and the layer 61 of titanium nitride are both patterned into a predetermined shape. その後に、図4に示すように、a−SiをCVD(化学蒸着法)により犠牲層91として、数μm Then, as shown in FIG. 4, the a-Si as a sacrificial layer 91 by CVD (chemical vapor deposition), several μm
程度の膜厚に成膜する。 It is formed into a film having a thickness of degree. 【0024】したがって、本例の製造方法では、第1の構造層51が支持層となり、第1の工程として、その表面に窒化チタンからなる密着層61を形成する。 [0024] Thus, in the manufacturing method of this embodiment, the first structural layer 51 serves as a support layer, as a first step, forming the adhesion layer 61 on the surface of titanium nitride. そして、第2の工程として、a−SiをCVD(化学蒸着法)により犠牲層91として、密着層61に対して数1 Then, as a second step, the a-Si as a sacrificial layer 91 by CVD (chemical vapor deposition), the number against the adhesion layer 61 1
0倍の厚みの層を形成(成膜)する。 A layer of 0 times the thickness formed (film formation). 窒化チタン層61 Titanium nitride layer 61
は、アルミニウムからなる支持層51およびシリコン製の犠牲層91とも密着性が高い層であり、以降の工程において犠牲層91が剥離するのを防止できる。 Is a support layer 51 and the silicon sacrificial layer 91 both adhesion made of aluminum higher layers, it is possible to prevent the sacrificial layer 91 is peeled off in the subsequent steps. 【0025】犠牲層91を成膜した後、図5に示すように、犠牲層91をパターニングして、上電極35となる第2の構造層52を、アルミニウムをスパッタリングすることにより形成する。 [0025] After forming the sacrificial layer 91, as shown in FIG. 5, by patterning the sacrificial layer 91, the second structural layer 52 serving as the upper electrode 35 is formed by sputtering aluminum. さらに、このようにして犠牲層91を挟んで支持されたアクチュエータ構造33の上に、反射体40を形成する。 Further, on the actuator structure 33 supported across the sacrificial layer 91 in this manner, to form the reflector 40. 反射体40は、樹脂や酸化シリコンなどを積層してパターニングする方法により製造することができる。 Reflector 40 can be produced by a method of patterning such the laminated resin or silicon oxide. 【0026】アクチュエータ構造33の上部構造が完成すると、さらに、図6に示すように、アクチュエータ構造33の上部構造の上に反射体40が形成されたワーク50をチャンバーなどに入れて、エッチャント81にフッ化キセノン(XeF 2 )を用いて、犠牲層91をドライエッチングする。 [0026] superstructure of the actuator structure 33 is completed, further, as shown in FIG. 6, the workpiece 50 to the reflector 40 is formed on the upper structure of the actuator structure 33 placed like a chamber, the etchant 81 using xenon fluoride (XeF 2), a sacrificial layer 91 is dry-etched. これにより、図7に示すように、第1の構造層51と第2の構造層52の間に所定のスペースができ、アクチュエータ構造33を有し反射体40を駆動できるスイッチングデバイスとして機能するマイクロマシン(微細構造体)50が製造される。 Micromachine Thus, as shown in FIG. 7, the first structural layer 51 can predetermined space between the second structural layer 52, functions as a switching device that can drive the reflector 40 has an actuator structure 33 (microstructure) 50 is produced. また、本例では、窒化チタンの層(密着層)61は除去されず、そのままアクチュエータ構造33の下部電極34に積層されている。 Further, in this embodiment, a layer of titanium nitride (adhesion layer) 61 is not removed, it is stacked directly on the lower electrode 34 of the actuator structure 33. そして、マイクロマシン50をガラス基板2 Then, the glass substrate 2 micromachine 50
1の裏面に半透過膜22が設けられたハーフミラーに対面するようにセットすると、図1に示したように、光スイッチングデバイス1が得られる。 When semi-transparent film 22 is set so as to face the half mirror provided on the back surface of 1, as shown in FIG. 1, the optical switching device 1 is obtained. 【0027】本例の製造方法では、図3に示したように、アルミニウム製の第1の構造層51のアルミニウムと、シリコン製の犠牲層91の間に窒化チタン製の密着層61を設けることで、第1の構造層51と犠牲層91 [0027] In the manufacturing method of this embodiment, as shown in FIG. 3, the provision and aluminum aluminum first structural layer 51, the adhesion layer 61 of titanium nitride between the silicon sacrificial layer 91 in the first structural layer 51 and the sacrificial layer 91
との密着性を向上している。 It has improved the adhesion between. したがって、犠牲層91が製造プロセスの途中で剥がれることを防止できる。 Therefore, it is possible to prevent the sacrificial layer 91 from peeling off during the manufacturing process. その一方で、第1の構造層51がシリコンとの密着性の高い窒化チタンの層61で覆われているので、シリコン製の犠牲層91をCVDにより効率良く成膜することが可能であり、短時間で所望の膜厚(体積)の犠牲層91を形成できる。 Meanwhile, since the first structural layer 51 is covered with a layer 61 of a high titanium nitride adhesion with silicon, it is possible to efficiently deposited silicon sacrificial layer 91 by CVD, a short time to form a sacrificial layer 91 of desired thickness (volume). また、シリコン製の犠牲層91を、エッチャント81のフッ化キセノンにより効率良くエッチングし除去することが可能である。 Further, the silicon sacrificial layer 91, it is possible to efficiently etched is removed by xenon fluoride etchant 81. 【0028】また、密着層61として採用されている窒化チタンの層61は、密着性が確保できれば良いだけなので、第1の構造層51の表面を覆う程度の非常に薄い膜で良く、スパッタリングで短時間で成膜することができる。 Further, a layer 61 of titanium nitride is employed as the adhesive layer 61, since only the adhesion may be secured may a very thin film of a degree that covers the surface of the first structural layer 51, by sputtering it can be formed in a short period of time. また、非常に薄い膜とすることにより、窒化チタン層61が犠牲層91をエッチングした後に残ってもアクチュエータ構造33の性能に影響を与えることはなく、窒化チタン層61をエッチングなどにより除去する必要もない。 In addition, by a very thin film, not affect the performance of the actuator structure 33 remaining after the titanium nitride layer 61 is etched sacrificial layer 91, necessary to remove the titanium nitride layer 61 by etching or the like Nor. 【0029】したがって、本例の製造方法であれば、製造プロセスを大幅に変更することなく、また、製造上の工数を大幅に増やすことなく、密着性の高い状態で製造上有利なシリコン製の犠牲層91を用いることができる。 [0029] Therefore, if the manufacturing method of this embodiment, without greatly changing the manufacturing process, and without significantly increasing the number of steps in manufacturing, steel manufacturing advantageous silicon with high adhesion state it can be used sacrificial layer 91. このため、製造効率を向上することが可能となり、 Therefore, it is possible to improve the manufacturing efficiency,
製造上の犠牲層の剥離に関連するトラブルを未然に防止でき、歩留りを向上させることができる。 Prevents troubles associated with peeling of the sacrificial layer in the manufacturing in advance, it is possible to improve the yield. 【0030】また、本発明の製造方法では、上述したように、支持層51と犠牲層91との間に密着層61を入れることで、密着性の不足を解消しているため、犠牲層91の表面を粗面化してアンカー効果を得る必要もなく、それによって製品精度が劣化するといった2次的な問題も解消できる。 [0030] In the manufacturing method of the present invention, as described above, by placing an adhesive layer 61 between the support layer 51 and the sacrificial layer 91, because it eliminates the lack of adhesion, the sacrificial layer 91 there is no need to obtain the anchor effect by the surface roughening, thereby also eliminating secondary problem product precision is deteriorated. 【0031】さらに、このように支持層と犠牲層との間に密着層を設けることによる効果は大きい。 Furthermore, the effect due to the provision of an adhesive layer between such support layer and the sacrificial layer is large. このような本発明の製造方法は、上記の例に限定されず、図8に例示したような組み合わせであっても良い。 Fabrication method of the present invention is not limited to the above example, it may be a combination, such as illustrated in FIG. もちろん、図8に例示したパターンも例示にすぎず、本発明を限定するものではない。 Of course, merely exemplary illustrated pattern in Figure 8, do not limit the present invention. 上記に示した製造方法は、図8のパターン1に相当するものである。 Manufacturing method shown above is equivalent to the pattern 1 of FIG. 【0032】これに対し、図8に示したパターン2の組み合わせは、第1の構造層51としてアルミニウムを用い、犠牲層91としてもシリコンを用い、エッチャント81としてもフッ化キセノンを用いており、これらの点ではパターン1と共通するが、密着層61を窒化チタンの層ではなく、スパッタリングされたシリコン膜により層61を形成している。 [0032] In contrast, the combination of pattern 2 shown in FIG. 8, the aluminum used as the first structural layer 51, also silicon is used as the sacrificial layer 91, it is used xenon fluoride as the etchant 81, in these respects it is common with pattern 1, but the adhesive layer 61 instead of the layer of titanium nitride to form a layer 61 by sputtering silicon film. 【0033】スパッタリングによる成膜方法は、下層の上にスパッタリングによる上層を強固に密着させることができるが、膜厚を確保するには非常に時間がかかる。 The film forming method by sputtering, which can be firmly adhered to the upper layer by sputtering on the lower, to ensure the film thickness is very time consuming.
これに対して、本例では図9に示すように、支持層51 In contrast, in the present embodiment, as shown in FIG. 9, the supporting layer 51
の表面に、スパッタリングによるシリコン製の薄い密着層62を形成し、その上にシリコンをCVDにより積層し犠牲層91を形成している。 On the surface of, forming a thin adhesion layer 62 of made of silicon by sputtering, to form the sacrificial layer 91 was deposited by CVD of silicon thereon. スパッタリングされたシリコンの密着層62は、下層のアルミニウム製の構造層51に対して、十分な密着力を備えている。 Adhesion layer 62 of sputtered silicon to the underlying aluminum structural layer 51, and a sufficient adhesion strength. 同時に、密着層62の上層の犠牲層91とも、同じシリコンであるので十分な密着力を備えている。 At the same time, the upper sacrificial layer 91 both of the adhesion layer 62, since the same silicon has sufficient adhesion. したがって、この製造方法によっても、アルミニウム製の構造層51に対して密着性の高いシリコン犠牲層91として成膜できる。 Therefore, this is also the manufacturing method, a film can be formed as a high silicon sacrificial layer 91 having adhesion to aluminum structure layer 51. このため、この製造方法によっても、上記と同様に歩留まり良く効率的にマイクロマシンを製造できる。 Therefore, by this manufacturing method, it can be produced with high yield efficiently micromachine as above. 【0034】また、スパッタリングにより成膜された密着層62は、犠牲層91と同じ素材であるので、図10 [0034] The adhesion layer 62 which is formed by sputtering, since it is the same material as the sacrificial layer 91, FIG. 10
に示すように、エッチャント81にフッ化キセノンを用いたエッチング工程において、犠牲層91と共に密着層62も除去される。 As shown in, in the etching process using a xenon fluoride to the etchant 81, the adhesion layer 62 with the sacrificial layer 91 is also removed. したがって、図11に示すように、 Accordingly, as shown in FIG. 11,
密着層62がアクチュエータ構造33の下電極34の表面に残らない。 Adhesion layer 62 is not left on the surface of the lower electrode 34 of the actuator structure 33. このため、犠牲層91と異種材料による密着層が絶縁膜などとしてアクチュエータ構造に有用であれば、窒化チタン層61のようにエッチング工程で残すことが可能であり、有用でない場合は、スパッタリングされたシリコン製の密着層62のようにエッチング工程で除去することが可能である。 Therefore, if the adhesion layer by the sacrificial layer 91 and the different materials useful in the actuator structure as an insulating film, it is possible to leave the etching process as a titanium nitride layer 61, if not useful, it sputtered It can be removed in the etching process as in the silicon adhesion layer 62. 【0035】図8に示すパターン3は、支持層51および第2の構造層52はニッケル(Ni)であり、密着層62は銅をスパッタリングして成膜し、犠牲層91は銅をCVDにより成膜するものである。 The pattern 3 shown in FIG. 8, the support layer 51 and the second structural layer 52 is nickel (Ni), the adhesion layer 62 was formed by sputtering copper, sacrificial layer 91 by CVD copper it is intended to be formed. そして、エッチャント81は、塩化アンモン第2銅とアンモニアの混合液(アルカリ溶液)を用いている。 Then, the etchant 81 is used mixed solution of ammonium chloride cupric and ammonia (alkaline solution). このパターン3も、パターン2と同様に、犠牲層91の成膜方法を変えて成膜することで、犠牲層91と構造層51との間に密着層6 This pattern 3, like the pattern 2, by depositing by changing the method of forming the sacrificial layer 91, the adhesion layer between the sacrificial layer 91 and structural layer 51 6
2を形成し、十分な付着力を得ると共に最終的に密着層62も除去するようにしている。 2 is formed, finally adhesion layer 62 is also to be removed together with obtaining sufficient adhesion. 【0036】図8のパターン4〜5も同様であり、パターン4では、支持層51および第2の構造層52はポリ−シリコン・ゲルマニウムであり、密着層62はポリ− The same applies pattern 4-5 in FIG. 8, in the pattern 4, the support layer 51 and the second structural layer 52 is poly - a silicon-germanium, the adhesion layer 62 is poly -
ゲルマニウムをスパッタリングで形成し、犠牲層91はポリ−ゲルマニウムをCVDにより成膜して形成している。 Germanium was formed by sputtering, the sacrificial layer 91 is poly - are formed by depositing by CVD germanium. また、エッチャント81は過酸化水素(H 22 )を使用できる。 Further, the etchant 81 can be used hydrogen peroxide (H 2 O 2). 【0037】パターン5は、支持層51はポリイミドであり、密着層62はチタン(Ti)層をスパッタリングで形成し、犠牲層91はチタン(Ti)層をCVDで形成する。 The pattern 5, the support layer 51 is polyimide, adhesion layer 62 is formed by sputtering a titanium (Ti) layer, the sacrificial layer 91 is formed by CVD titanium (Ti) layer. エッチャント81は10%程度のフッ化水素(HF)を使用できる。 Etchant 81 can be used for about 10% hydrogen fluoride (HF). 【0038】これらに示したように、犠牲層91は最終的には除去されるものではあるが、犠牲層91と構造層51との間に薄膜状の密着層61または62を設けることにより、犠牲層91と構造層51の密着性を改善することが可能であり、さらに、密着層61または62は犠牲層91と共に除去されるか、あるいは除去されない場合でも、構造層51の本来の機能、すなわち、アクチュエータとしての機能には影響を与えないようにすることができる。 [0038] As shown in these, but the sacrifice layer 91 is eventually intended to be removed, by providing a thin film adhesion layer 61 or 62 between the sacrificial layer 91 and the structural layer 51, it is possible to improve the adhesion of the sacrificial layer 91 and the structural layer 51, further, even when the adhesion layer 61 or 62 to either be removed along with the sacrificial layer 91, or not removed, the original function of the structural layer 51, that is, the function of the actuator may be so as not to affect. そして、密着層61または62の上に犠牲層91をCVDやスピンコートにより成膜することができる。 Then, it is possible to form a sacrificial layer 91 by CVD or spin-coated on the adhesion layer 61 or 62. したがって、構造層51との密着性をそれほど考慮せずに、膜厚の確保が容易でエッチングも容易であるという本来の犠牲層の特性を重要視して選択することが可能であり、犠牲層の選択の幅が広がる。 Therefore, without much consideration of the adhesion between the structural layer 51, it is possible to select the characteristics of the original sacrificial layer of securing film thickness is easy etching easy to importance, the sacrificial layer spread the width of the selection. このため、製造プロセスにおいて、より効率的で歩留まりの良い犠牲層を選択することができる。 Therefore, it is possible in the manufacturing process, to select a better sacrificial layer efficient and yield. 【0039】なお、上記では静電駆動型のアクチュエータ構造33に基づき説明しているが、ピエゾアクチュエータなどの他のアクチュエータを備えた微小電子機械についても本発明を適用することができる。 [0039] In the above has been described on the basis of the actuator structure 33 of the electrostatic drive type, it can also be applied to the present invention for micro-electronic machine with other actuators such as a piezoelectric actuator. また、光スイッチングデバイスに限らず、基板上に微細構造(マイクロマシン)を有するものであれば、他の用途のデバイスなどに対しても本発明を適用できる。 Further, not only the optical switching device, as long as it has a fine structure on a substrate (micro) can also apply the present invention to such other applications device. 例えば、光以外のスイッチングデバイスであっても良く、アクチュエータの代わりに、同等の構成で圧力センサや加速度センサなどのセンサとして機能するデバイスを製造するプロセスに対しても本発明は有用である。 For example, it may be a switching device other than light, instead of the actuator, the present invention is also useful for a process of manufacturing a device that acts as a sensor such as a pressure sensor or an acceleration sensor in the same structure. 【0040】 【発明の効果】以上に説明したように、本発明においては、微細構造を備えたマイクロマシンを犠牲層を用いて製造する際に、犠牲層を成膜する前に、薄膜状で、犠牲層が積み重ねられる構造体あるいは基板との密着性の高い密着層を、犠牲層とは異なる素材あるいは犠牲層と同種の素材をスパッタリングにより薄く成膜することで、 [0040] As described above, according to the present invention, in the present invention, when manufacturing using sacrificial layer micromachine having a fine structure, before forming the sacrificial layer, a thin film shape, high adhesion layer adhesion between the structure or substrate in which the sacrificial layer are stacked, the sacrificial layer by thin film deposition by sputtering material different materials or sacrificial layer and the same kind,
犠牲層の密着性を改善している。 It has improved the adhesion of the sacrificial layer. したがって、製造プロセスの途中でのハンドリングが容易となり、犠牲層との密着性を向上するために構造体の面を粗面化する必要もないので、精度の高いマイクロマシンを歩留まり良く量産することができる。 Thus, the way the handling of the manufacturing process is facilitated, and there is no need to surface roughening of the structure in order to improve the adhesion between the sacrificial layer can be high yield mass production of high precision micromachining .

【図面の簡単な説明】 【図1】干渉型の光スイッチングデバイスの概要を示す図である。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing an outline of the interference type optical switching device. 【図2】図1に示した本発明に係る光スイッチングデバイスのアクチュエータ(マイクロマシン)を形成する製造プロセスを示し、基板に酸化膜が成膜された状態を示す図である。 Figure 2 shows a manufacturing process of forming the actuator of the optical switching device according to the present invention shown in FIG. 1 (micro) is a diagram showing a state where the oxide film is deposited on the substrate. 【図3】図2に続く光スイッチングデバイスの製造プロセスを示し、支持層(第1の構造層)および密着層がパターニング形成された状態を示す図である。 Figure 3 shows the manufacturing process of the optical switching device subsequent to FIG. 2 is a diagram showing a state where the supporting layer (first structural layer) and the adhesion layer is patterned. 【図4】図3に続く光スイッチングデバイスの製造プロセスを示し、犠牲層がCVDにより成膜された様子を示す図である。 Figure 4 shows a manufacturing process of the optical switching device subsequent to FIG. 3 is a diagram showing a state in which the sacrificial layer is deposited by CVD. 【図5】図4に続く光スイッチングデバイスの製造プロセスを示し、犠牲層がパターニングされ、その表面に第2の構造層が形成された様子を示す図である。 Figure 5 shows a manufacturing process of the optical switching device subsequent to FIG. 4, the patterned sacrificial layer is a diagram showing a state in which the second structural layer formed on the surface thereof. 【図6】図5に続く光スイッチングデバイスの製造プロセスを示し、犠牲層がエッチングされる様子を示す図である。 6 shows the manufacturing process of the optical switching device subsequent to FIG. 5 is a diagram showing a state in which the sacrificial layer is etched. 【図7】図6に続く光スイッチングデバイスの製造プロセスを示し、犠牲層が除去されアクチュエータが形成され、光スイッチングデバイスが製造された様子を示す図である。 7 shows a manufacturing process of the optical switching device subsequent to FIG. 6, a sacrificial layer is formed an actuator is removed, the optical switching device is a diagram showing a state produced. 【図8】本発明に係る光スイッチングデバイスの製造プロセスに係る、異なる例の各層の材料および成膜方法、 [8] according to the manufacturing process of the optical switching device according to the present invention, different examples the layers of the material and film forming method,
さらにエッチャントの組み合わせを示す表である。 Further is a table showing a combination of etchant. 【図9】図8のパターン2〜5に示すマイクロマシンの製造プロセスを示し、スパッタリングにより密着層が成膜され、CVDにより犠牲層が成膜された様子を示す図である。 9 shows a micro-machining process illustrated in the pattern 2-5 of Figure 8, the adhesion layer by sputtering is deposited is a diagram showing a state in which the sacrificial layer is deposited by CVD. 【図10】図9に続く光スイッチングデバイスの製造プロセスを示し、密着層および犠牲層がエッチングされる様子を示す図である。 [Figure 10] shows the manufacturing process of the optical switching device subsequent to FIG. 9, the adhesion layer and the sacrificial layer is a diagram showing a state to be etched. 【図11】図10に続く光スイッチングデバイスの製造プロセスを示し、犠牲層および密着層が除去されたアクチュエータが形成され、光スイッチングデバイスが製造された様子を示す図である。 11 shows a manufacturing process of the optical switching device subsequent to FIG. 10, the sacrificial layer and adhesion layer are formed actuator removed, the optical switching device is a diagram showing a state produced. 【符号の説明】 1 光スイッチングデバイス(マイクロマシン) 20 ガラス基板、21 ハーフミラー31 半導体基板、31a 酸化膜33 アクチュエータ構造、34 下電極、35 [Reference Numerals] 1 optical switching device (micro) 20 glass substrate, 21 a half mirror 31 semiconductor substrate, 31a oxide film 33 actuator structure 34 lower electrode, 35
上電極40 反射体、42 反射面50 ワーク51 第1の構造層(支持層) 52 第2の構造層61、62 密着層81 エッチャント91 犠牲層 Upper electrode 40 reflector 42 reflecting surface 50 workpiece 51 first structural layer (support layer) 52 second structural layers 61 and 62 contact layer 81 etchant 91 sacrificial layer

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板または構造体となる支持層に犠牲層を挟んで構造層を形成し、その後、犠牲層を除去して前記構造層を有するマイクロマシンを製造する方法であって、 前記犠牲層に先立って、前記支持層の表面に、当該支持層および前記犠牲層との密着性が高く、薄膜状の密着層を形成する第1の工程と、 前記密着層の上に犠牲層を形成する第2の工程と、 エッチャントにより前記犠牲層をエッチングする工程とを有するマイクロマシンの製造方法。 In Patent Claims 1 to form a structural layer sandwiching the sacrificial layer to the support layer as a substrate or structure, then, a method of removing the sacrificial layer to produce a micromachine having the structure layer there are, prior to the sacrificial layer, on the surface of the support layer, high adhesion between the support layer and the sacrificial layer, a first step of forming a thin film adhesion layer, on top of the adhesion layer the method of manufacturing a micromachine comprising a second step of forming a sacrificial layer, and etching the sacrificial layer by the etchant. 【請求項2】 請求項1において、前記密着層は、前記犠牲層をエッチングする工程で除去されるマイクロマシンの製造方法。 2. A method according to claim 1, wherein the adhesion layer, the manufacturing method of the micromachine to be removed by etching the sacrificial layer. 【請求項3】 請求項2において、前記第1の工程では、前記犠牲層と同じ素材をスパッタリングして前記密着層を形成し、 前記第2の工程ではCVDにより前記犠牲層を形成するマイクロマシンの製造方法。 3. The method of claim 2, wherein in the first step, by sputtering the same material as the sacrificial layer to form the adhesive layer, wherein in the second step of the micromachine of forming the sacrificial layer by CVD Production method. 【請求項4】 請求項1において、前記支持層および前記構造層によりアクチュエータが形成されるマイクロマシンの製造方法。 4. The method of claim 1, method for producing a micromachine actuators are formed by the supporting layer and the structure layer. 【請求項5】 請求項4において、前記アクチュエータは静電型のアクチュエータであるマイクロマシンの製造方法。 5. The method of claim 4, wherein the actuator manufacturing method of the micromachine which is an actuator of the electrostatic. 【請求項6】 請求項1において、前記支持層は、アルミニウムであり、 前記密着層は窒化チタンであり、 前記犠牲層はシリコンであり、 前記エッチャントは、フッ化キセノンであるマイクロマシンの製造方法。 6. The method of claim 1, wherein the support layer is aluminum, the adhesion layer is titanium nitride, the sacrificial layer is silicon, the etchant micromachine process for producing a xenon fluoride. 【請求項7】 請求項3において、前記支持層はアルミニウムであり、 前記密着層および犠牲層はシリコンであり、 前記エッチャントは、フッ化キセノンであるマイクロマシンの製造方法。 7. The method of claim 3, wherein the support layer is aluminum, the a contact layer and the sacrificial layer is silicon, the etchant micromachine process for producing a xenon fluoride. 【請求項8】 請求項3において、前記支持層はニッケル系の素材であり、 前記密着層および前記犠牲層は銅であり、 前記エッチャントはアルカリ溶液であるマイクロマシンの製造方法。 8. The method of claim 3, wherein the support layer is a material of a nickel-based, the adhesive layer and the sacrificial layer is copper, the manufacturing method of the micromachine the etchant is an alkaline solution. 【請求項9】 請求項3において、前記支持層はポリ− 9. The method of claim 3, wherein the support layer is poly -
    シリコン・ゲルマニウムであり、 前記密着層および前記犠牲層はポリ−ゲルマニウムであり、 前記エッチャントは過酸化水素であるマイクロマシンの製造方法。 A silicon-germanium, the adhesive layer and the sacrificial layer is poly - germanium, micromachine manufacturing method said etchant is hydrogen peroxide. 【請求項10】 請求項3において、支持層はポリイミドであり、 前記密着層および前記犠牲層はチタンであり、 前記エッチャントはフッ化水素であるマイクロマシンの製造方法。 10. The method of claim 3, the supporting layer is polyimide, the adhesive layer and the sacrificial layer is titanium, a manufacturing method of the micromachine said etchant is hydrogen fluoride. 【請求項11】 基板または構造体となる支持層と対峙して形成された構造層を有するマイクロマシンであって、 前記支持層の表面の前記構造層と対峙する面に、当該支持層との密着性の高い素材からなる薄膜状の密着層が形成されているマイクロマシン。 11. A micromachine having a substrate or structure to become the support layer and the structure layer formed to face, on a surface facing said structure layer on the surface of the support layer, the adhesion between the support layer micromachine thin film adhesion layer made of a high sexual material is formed. 【請求項12】 請求項11において、前記支持層および構造層により少なくとも1つのアクチュエータが形成されるマイクロマシン。 12. The method of claim 11, the at least one actuator by the support layer and the structure layer is formed micromachine. 【請求項13】 請求項12において、前記アクチュエータは静電型のアクチュエータであるマイクロマシン。 13. The method of claim 12, wherein the actuator is an actuator of the electrostatic type micromachine.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005060091A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Ube Industries, Ltd. Method for manufacturing piezoelectric thin-film device and piezoelectric thin-film device
JP2006091852A (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Idc Llc Method of selective etching using etch stop layer
JP2008514438A (en) * 2004-09-27 2008-05-08 アイディーシー、エルエルシー Control of the electromechanical behavior of a structure within the micro-electromechanical system device
JP2008536697A (en) * 2005-02-03 2008-09-11 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh Structure of micromechanical elements and the corresponding fabrication method
JP2009503566A (en) * 2005-07-22 2009-01-29 クアルコム,インコーポレイテッド mems device having a support structure, and a manufacturing method thereof
CN102050417A (en) * 2009-11-03 2011-05-11 Nxp股份有限公司 Device with microstructure and method of forming such a device
JP2012086315A (en) * 2010-10-20 2012-05-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacturing method for minute movable structure, and minute movable structure
CN101268012B (en) 2005-10-07 2012-12-26 株式会社尼康 Fine structure body and method for manufacturing same
CN104627955A (en) * 2015-02-06 2015-05-20 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 Method for preparing MEMS closed chamber

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005060091A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-30 Ube Industries, Ltd. Method for manufacturing piezoelectric thin-film device and piezoelectric thin-film device
US7212082B2 (en) 2003-12-19 2007-05-01 Ube Industries, Ltd. Method of manufacturing piezoelectric thin film device and piezoelectric thin film device
JP2006091852A (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Idc Llc Method of selective etching using etch stop layer
JP2008514438A (en) * 2004-09-27 2008-05-08 アイディーシー、エルエルシー Control of the electromechanical behavior of a structure within the micro-electromechanical system device
JP2008536697A (en) * 2005-02-03 2008-09-11 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh Structure of micromechanical elements and the corresponding fabrication method
JP4801098B2 (en) * 2005-02-03 2011-10-26 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh Structure of micromechanical elements and the corresponding fabrication method
JP2009503566A (en) * 2005-07-22 2009-01-29 クアルコム,インコーポレイテッド mems device having a support structure, and a manufacturing method thereof
CN101268012B (en) 2005-10-07 2012-12-26 株式会社尼康 Fine structure body and method for manufacturing same
CN102050417A (en) * 2009-11-03 2011-05-11 Nxp股份有限公司 Device with microstructure and method of forming such a device
CN102050417B (en) 2009-11-03 2012-07-25 Nxp股份有限公司 Device with microstructure and method of forming such a device
US8426928B2 (en) 2009-11-03 2013-04-23 Nxp B.V. Device with microstructure and method of forming such a device
JP2012086315A (en) * 2010-10-20 2012-05-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacturing method for minute movable structure, and minute movable structure
CN104627955A (en) * 2015-02-06 2015-05-20 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 Method for preparing MEMS closed chamber

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