JP2004349338A - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体モジュールとヒートシンクの熱伝導性を向上し、かつ、半導体モジュールのヒートシンクへの取り付けを容易にする構造を提供する。
【解決手段】電力用半導体装置1は電力用半導体素子を実装した半導体モジュール2と半導体モジュールで生じた熱を放熱するヒートシンク5とから構成される。ヒートシンク5には、半導体モジュール2の側面形状の少なくとも一部と同形状に形成された側面を有する実装凹部が設けられ、半導体モジュール2の底面12はヒートシンク5の実装凹部の底面に当接し、半導体モジュール2の2つの側面10と11はヒートシンク5の実装凹部の側面に当接して固定されていることを特徴とする。
【選択図】 図2
【解決手段】電力用半導体装置1は電力用半導体素子を実装した半導体モジュール2と半導体モジュールで生じた熱を放熱するヒートシンク5とから構成される。ヒートシンク5には、半導体モジュール2の側面形状の少なくとも一部と同形状に形成された側面を有する実装凹部が設けられ、半導体モジュール2の底面12はヒートシンク5の実装凹部の底面に当接し、半導体モジュール2の2つの側面10と11はヒートシンク5の実装凹部の側面に当接して固定されていることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は電力用半導体装置、特に半導体モジュールで生じた熱を放熱するヒートシンクを備えた電力用半導体装置に関する。
【0002】
【従来技術】
電力用半導体素子は大電流を制御するため発熱が大きい。そのため、電力用半導体素子を実装した半導体モジュールは熱を放熱するヒートシンクに取り付けられて使用される。半導体モジュールとヒートシンクの取り付け方法として、ヒートシンクの実装凹部であって、底面が半導体モジュールの取付面と同じ形状で、側面が前記底面に向かって狭くなるようにテーパが設けられた実装凹部に、半導体モジュールが取り付けられる方法があった(例えば特許文献1および2参照)。この方法によれば、半導体モジュールとヒートシンクの相対位置を自動的に位置決めすることができ、半導体モジュールのヒートシンクへの容易な取り付けが可能である。
【0003】
【特許文献1】
実開平3−73461号公報
【特許文献2】
特開2000−83915号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
半導体モジュールは底面の一面のみに熱を放出するのではなく、側面からも熱を放出している。半導体モジュールを効率よく冷却するため、底面以外の面にもヒートシンクと面接触すると共に、半導体モジュールをヒートシンクに実装する際に自動的に位置が決まる構造が求められていた。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電力用半導体装置は、電力用半導体素子を実装した半導体モジュールと前記半導体モジュールで生じた熱を放熱するヒートシンクとを備えた電力用半導体装置であって、前記ヒートシンクには、前記半導体モジュールの側面形状の少なくとも一部と同形状に形成された側面を有する実装凹部が設けられ、前記半導体モジュールは前記実装凹部の底面と前記側面とに当接して固定されていることを特徴とする。
【0006】
上記の構造によれば、半導体モジュールの側面からもヒートシンクに熱伝導ができるので、放熱性に優れる。また、側面でヒートシンク上の半導体モジュールの位置が決まるため、実装が容易になる。
【0007】
ここで、前記ヒートシンクは前記半導体モジュールを囲むハウジングと一体であることが好ましい。
【0008】
この構成によれば、半導体モジュールを含む回路部品を囲み保護する、箱型形状を容易に構成することができる。
【0009】
また、前記半導体モジュールと前記ヒートシンクの間に熱伝導性樹脂が挟まれていることが好ましい。
【0010】
この構成によれば、半導体モジュールとヒートシンクの密着性が増し、熱伝導をよくすることができる。
【0011】
また、本発明に係る電力用半導体装置は、電力用半導体素子を実装し、放熱部を露出する半導体モジュールと、前記半導体モジュールで生じた熱を放熱するヒートシンクとを備えた電力用半導体装置であって、前記ヒートシンクには、前記半導体モジュールの側面形状の少なくとも一部と同形状に形成された側面を有する実装凹部が設けられ、前記半導体モジュールは前記放熱部が前記実装凹部の底面と前記側面とに当接して固定されていることを特徴とする。
【0012】
ここで、前記ヒートシンクは前記半導体モジュールを囲むハウジングと一体であることが好ましい。
【0013】
また、前記放熱部と前記ヒートシンクの間に熱伝導性樹脂が挟まれていることも好ましい。
【0014】
また、前記ヒートシンクの実装凹部の二つの側面はそれぞれ分断されたリブ状であることも好ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】
実施形態1.
図1は実施形態1の電力用半導体装置の上面視図であり、図2は図1におけるA−A断面図である。
【0016】
実施形態1の電力用半導体装置は、電力用の大電流を制御する電力用半導体素子を実装した半導体モジュール2と、半導体モジュール2からの発熱を外部環境に放出するヒートシンク5と、から構成される。
【0017】
半導体モジュール2は樹脂ケース部3とベース部4とを含む。電力用半導体素子、例えばIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)とその駆動回路や保護回路等の周辺回路はベース部4上に集積され、樹脂ケース部3で囲まれている。半導体モジュール2は小型で取り扱いが容易、信頼性が高いなどの特徴がある。電力用半導体素子で生じた熱は、銅、銅合金等の熱伝導性の良い金属で形成された、ベース部4に伝導される。
【0018】
ヒートシンク5は熱伝導性が良くかつ加工の容易なアルミニウムで形成され、実装面の裏面には放熱のためのフィンが設けられている。本発明において特徴的なことは、ヒートシンク5の実装面に、前記半導体モジュールの側面形状の少なくとも一部と同形状に形成された側面を有する実装凹部が設けられていることである。
【0019】
半導体モジュール2のベース部4の底面12はヒートシンク5の実装凹部の底面と当接し、さらに、本発明において特徴的なことは、ベース部の側面10と側面11は実装凹部の側面とに当接して固定されていることである。固定にはねじ6が用いられる。ねじ6は、樹脂製ワッシャ7を介して、半導体モジュール2の樹脂ケース部3とベース部4に備えられた貫通穴を通り、ヒートシンク5に設けられたねじ穴に咬合する。
【0020】
上記の構成の実施形態1の電力用半導体によれば、電力用半導体素子で発生し、半導体モジュール2のベース部4に伝導した熱は、ベース部4から、底面12に加えて、側面10および側面11の3面からヒートシンク5に伝導され、ヒートシンク5に伝導された熱はフィンを通して外部環境に放出される。ベース部4とヒートシンク5は底面12のみで当接していた従来の電力用半導体装置に比べると、半導体モジュール2とヒートシンク5との接触面積が増えるため、熱伝導が良くなり、効率的な放熱が可能となる。
【0021】
実装凹部の側面の形状は、半導体モジュールの側面形状に応じて、半導体モジュール2の側面と接触面積を増すように適宜変更する。
【0022】
また、上記の構成の実施形態1の電力用半導体によれば、ヒートシンク5に半導体モジュール2を実装する際、本発明の特徴であるヒートシンク5に設けられた、実装凹部のほぼ直交する2つの側面により、位置が決まるため、容易にねじ止めすることができる。
【0023】
半導体モジュールのベース部4とヒートシンク5の当接面には放熱効果を上げるため、シリコングリス等の熱伝導性樹脂を挟むことが好ましい。実施形態1の構成によれば、ヒートシンク5に半導体モジュール2を実装する際、上記のように容易に位置が決まるため、ねじ穴を探す作業が要らない。したがって、ねじ穴を探す作業により、半導体モジュール2とヒートシンク5の間に挟んだ熱伝導性樹脂がねじ穴に入り込んでしまうことが無く、ねじとねじ穴の間に熱伝導樹脂が入ってしまったことによる締結不良を防ぐことができる。
【0024】
実施形態1の半導体モジュール2は、樹脂ケース部3より、ベース部4が大きい構造としたが、樹脂ケース部3とベース部4の側面は面一であってもよいし、ベース部4の方が小さくてもよい。
【0025】
また、実施形態1ではヒートシンク5上に、半導体モジュール2が1台配置されるものとしたが、複数の半導体モジュール2が配置される構成とすることもできる。
【0026】
実施形態2.
実施形態2の電力用半導体装置は、実施形態1におけるヒートシンク5が、半導体モジュール2を囲むハウジングと一体となったものである。図3は実施形態2の電力用半導体装置の上面視図であり、図4は図3におけるA−A断面図である。
【0027】
ヒートシンク5は半導体モジュール搭載面に四方に壁を備え、上面に開口を有する箱型を形成している。
【0028】
この構成によれば、半導体モジュール、端子板、その他のインバータ等の電力制御回路を構成する電気部品をハウジング内部に囲み、水等から回路を守る箱型構造を容易に構成することできる。
【0029】
実施形態3.
実施形態3の電力用半導体装置は、実施形態2の電力用半導体装置のヒートシンクにおける実装凹部の底面と前記側面とが連続した面では無く、切り欠きを入れリブ状に分断された構造である。図5は実施形態3の電力用半導体装置の上面視図であり、図5におけるA−A断面は実施形態2と同様であり、図4となる。
【0030】
リブ形状の側面で、半導体モジュール2のベース部4の側面10および側面11に当接している。
【0031】
この構造によれば、半導体モジュールの2とベース部4の接触面積は実施形態2の構造より小さいため、実施形態2の構造より放熱特性は落ちるが、底面12だけで接する従来構造よりは、高い放熱特性が得られる。
【0032】
このリブ形状は、半導体モジュールの側面形状に応じて、半導体モジュール2の側面と接触面積を増すように適宜変更する。
【0033】
また、この構造によってもヒートシンク5と半導体モジュール2の位置が決まるため、容易にねじ止めすることができる。
【0034】
実施形態3の構造によれば、リブの切り欠きの部分は空間であるので、ヒートシンク重量を実施形態2の構造より軽量化することができる。リブの形状は、電力用半導体装置に要求される放熱特性と重量とに合わせて最適に決めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1に係る電力用半導体装置の上面視図である。
【図2】本発明の実施形態1に係る電力用半導体装置の図1におけるA−A断面図である。
【図3】本発明の実施形態2に係る電力用半導体装置の上面視図である。
【図4】本発明の実施形態2に係る電力用半導体装置の図3におけるA−A断面図である。
【図5】本発明の実施形態3に係る電力用半導体装置の上面視図である。
【符号の説明】
1 電力用半導体装置、2 半導体モジュール、3 半導体モジュールの樹脂ケース部、4 半導体モジュールのベース部、5 ヒートシンク、6 ねじ、7樹脂製ワッシャ、10 半導体モジュールのベース部の第一の側面、11 半導体モジュールのベース部の第二の側面、12 半導体モジュールのベース部の底面。
【発明の属する技術分野】
本発明は電力用半導体装置、特に半導体モジュールで生じた熱を放熱するヒートシンクを備えた電力用半導体装置に関する。
【0002】
【従来技術】
電力用半導体素子は大電流を制御するため発熱が大きい。そのため、電力用半導体素子を実装した半導体モジュールは熱を放熱するヒートシンクに取り付けられて使用される。半導体モジュールとヒートシンクの取り付け方法として、ヒートシンクの実装凹部であって、底面が半導体モジュールの取付面と同じ形状で、側面が前記底面に向かって狭くなるようにテーパが設けられた実装凹部に、半導体モジュールが取り付けられる方法があった(例えば特許文献1および2参照)。この方法によれば、半導体モジュールとヒートシンクの相対位置を自動的に位置決めすることができ、半導体モジュールのヒートシンクへの容易な取り付けが可能である。
【0003】
【特許文献1】
実開平3−73461号公報
【特許文献2】
特開2000−83915号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
半導体モジュールは底面の一面のみに熱を放出するのではなく、側面からも熱を放出している。半導体モジュールを効率よく冷却するため、底面以外の面にもヒートシンクと面接触すると共に、半導体モジュールをヒートシンクに実装する際に自動的に位置が決まる構造が求められていた。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る電力用半導体装置は、電力用半導体素子を実装した半導体モジュールと前記半導体モジュールで生じた熱を放熱するヒートシンクとを備えた電力用半導体装置であって、前記ヒートシンクには、前記半導体モジュールの側面形状の少なくとも一部と同形状に形成された側面を有する実装凹部が設けられ、前記半導体モジュールは前記実装凹部の底面と前記側面とに当接して固定されていることを特徴とする。
【0006】
上記の構造によれば、半導体モジュールの側面からもヒートシンクに熱伝導ができるので、放熱性に優れる。また、側面でヒートシンク上の半導体モジュールの位置が決まるため、実装が容易になる。
【0007】
ここで、前記ヒートシンクは前記半導体モジュールを囲むハウジングと一体であることが好ましい。
【0008】
この構成によれば、半導体モジュールを含む回路部品を囲み保護する、箱型形状を容易に構成することができる。
【0009】
また、前記半導体モジュールと前記ヒートシンクの間に熱伝導性樹脂が挟まれていることが好ましい。
【0010】
この構成によれば、半導体モジュールとヒートシンクの密着性が増し、熱伝導をよくすることができる。
【0011】
また、本発明に係る電力用半導体装置は、電力用半導体素子を実装し、放熱部を露出する半導体モジュールと、前記半導体モジュールで生じた熱を放熱するヒートシンクとを備えた電力用半導体装置であって、前記ヒートシンクには、前記半導体モジュールの側面形状の少なくとも一部と同形状に形成された側面を有する実装凹部が設けられ、前記半導体モジュールは前記放熱部が前記実装凹部の底面と前記側面とに当接して固定されていることを特徴とする。
【0012】
ここで、前記ヒートシンクは前記半導体モジュールを囲むハウジングと一体であることが好ましい。
【0013】
また、前記放熱部と前記ヒートシンクの間に熱伝導性樹脂が挟まれていることも好ましい。
【0014】
また、前記ヒートシンクの実装凹部の二つの側面はそれぞれ分断されたリブ状であることも好ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】
実施形態1.
図1は実施形態1の電力用半導体装置の上面視図であり、図2は図1におけるA−A断面図である。
【0016】
実施形態1の電力用半導体装置は、電力用の大電流を制御する電力用半導体素子を実装した半導体モジュール2と、半導体モジュール2からの発熱を外部環境に放出するヒートシンク5と、から構成される。
【0017】
半導体モジュール2は樹脂ケース部3とベース部4とを含む。電力用半導体素子、例えばIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)とその駆動回路や保護回路等の周辺回路はベース部4上に集積され、樹脂ケース部3で囲まれている。半導体モジュール2は小型で取り扱いが容易、信頼性が高いなどの特徴がある。電力用半導体素子で生じた熱は、銅、銅合金等の熱伝導性の良い金属で形成された、ベース部4に伝導される。
【0018】
ヒートシンク5は熱伝導性が良くかつ加工の容易なアルミニウムで形成され、実装面の裏面には放熱のためのフィンが設けられている。本発明において特徴的なことは、ヒートシンク5の実装面に、前記半導体モジュールの側面形状の少なくとも一部と同形状に形成された側面を有する実装凹部が設けられていることである。
【0019】
半導体モジュール2のベース部4の底面12はヒートシンク5の実装凹部の底面と当接し、さらに、本発明において特徴的なことは、ベース部の側面10と側面11は実装凹部の側面とに当接して固定されていることである。固定にはねじ6が用いられる。ねじ6は、樹脂製ワッシャ7を介して、半導体モジュール2の樹脂ケース部3とベース部4に備えられた貫通穴を通り、ヒートシンク5に設けられたねじ穴に咬合する。
【0020】
上記の構成の実施形態1の電力用半導体によれば、電力用半導体素子で発生し、半導体モジュール2のベース部4に伝導した熱は、ベース部4から、底面12に加えて、側面10および側面11の3面からヒートシンク5に伝導され、ヒートシンク5に伝導された熱はフィンを通して外部環境に放出される。ベース部4とヒートシンク5は底面12のみで当接していた従来の電力用半導体装置に比べると、半導体モジュール2とヒートシンク5との接触面積が増えるため、熱伝導が良くなり、効率的な放熱が可能となる。
【0021】
実装凹部の側面の形状は、半導体モジュールの側面形状に応じて、半導体モジュール2の側面と接触面積を増すように適宜変更する。
【0022】
また、上記の構成の実施形態1の電力用半導体によれば、ヒートシンク5に半導体モジュール2を実装する際、本発明の特徴であるヒートシンク5に設けられた、実装凹部のほぼ直交する2つの側面により、位置が決まるため、容易にねじ止めすることができる。
【0023】
半導体モジュールのベース部4とヒートシンク5の当接面には放熱効果を上げるため、シリコングリス等の熱伝導性樹脂を挟むことが好ましい。実施形態1の構成によれば、ヒートシンク5に半導体モジュール2を実装する際、上記のように容易に位置が決まるため、ねじ穴を探す作業が要らない。したがって、ねじ穴を探す作業により、半導体モジュール2とヒートシンク5の間に挟んだ熱伝導性樹脂がねじ穴に入り込んでしまうことが無く、ねじとねじ穴の間に熱伝導樹脂が入ってしまったことによる締結不良を防ぐことができる。
【0024】
実施形態1の半導体モジュール2は、樹脂ケース部3より、ベース部4が大きい構造としたが、樹脂ケース部3とベース部4の側面は面一であってもよいし、ベース部4の方が小さくてもよい。
【0025】
また、実施形態1ではヒートシンク5上に、半導体モジュール2が1台配置されるものとしたが、複数の半導体モジュール2が配置される構成とすることもできる。
【0026】
実施形態2.
実施形態2の電力用半導体装置は、実施形態1におけるヒートシンク5が、半導体モジュール2を囲むハウジングと一体となったものである。図3は実施形態2の電力用半導体装置の上面視図であり、図4は図3におけるA−A断面図である。
【0027】
ヒートシンク5は半導体モジュール搭載面に四方に壁を備え、上面に開口を有する箱型を形成している。
【0028】
この構成によれば、半導体モジュール、端子板、その他のインバータ等の電力制御回路を構成する電気部品をハウジング内部に囲み、水等から回路を守る箱型構造を容易に構成することできる。
【0029】
実施形態3.
実施形態3の電力用半導体装置は、実施形態2の電力用半導体装置のヒートシンクにおける実装凹部の底面と前記側面とが連続した面では無く、切り欠きを入れリブ状に分断された構造である。図5は実施形態3の電力用半導体装置の上面視図であり、図5におけるA−A断面は実施形態2と同様であり、図4となる。
【0030】
リブ形状の側面で、半導体モジュール2のベース部4の側面10および側面11に当接している。
【0031】
この構造によれば、半導体モジュールの2とベース部4の接触面積は実施形態2の構造より小さいため、実施形態2の構造より放熱特性は落ちるが、底面12だけで接する従来構造よりは、高い放熱特性が得られる。
【0032】
このリブ形状は、半導体モジュールの側面形状に応じて、半導体モジュール2の側面と接触面積を増すように適宜変更する。
【0033】
また、この構造によってもヒートシンク5と半導体モジュール2の位置が決まるため、容易にねじ止めすることができる。
【0034】
実施形態3の構造によれば、リブの切り欠きの部分は空間であるので、ヒートシンク重量を実施形態2の構造より軽量化することができる。リブの形状は、電力用半導体装置に要求される放熱特性と重量とに合わせて最適に決めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1に係る電力用半導体装置の上面視図である。
【図2】本発明の実施形態1に係る電力用半導体装置の図1におけるA−A断面図である。
【図3】本発明の実施形態2に係る電力用半導体装置の上面視図である。
【図4】本発明の実施形態2に係る電力用半導体装置の図3におけるA−A断面図である。
【図5】本発明の実施形態3に係る電力用半導体装置の上面視図である。
【符号の説明】
1 電力用半導体装置、2 半導体モジュール、3 半導体モジュールの樹脂ケース部、4 半導体モジュールのベース部、5 ヒートシンク、6 ねじ、7樹脂製ワッシャ、10 半導体モジュールのベース部の第一の側面、11 半導体モジュールのベース部の第二の側面、12 半導体モジュールのベース部の底面。
Claims (7)
- 電力用半導体素子を実装した半導体モジュールと前記半導体モジュールで生じた熱を放熱するヒートシンクとを備えた電力用半導体装置であって、
前記ヒートシンクには、前記半導体モジュールの側面形状の少なくとも一部と同形状に形成された側面を有する実装凹部が設けられ、
前記半導体モジュールは前記実装凹部の底面と前記側面とに当接して固定されていることを特徴とする電力用半導体装置。 - 請求項1の電力用半導体装置であって、
前記ヒートシンクは前記半導体モジュールを囲むハウジングと一体であることを特徴とする電力用半導体装置。 - 請求項1または2に記載の電力用半導体装置であって、
前記半導体モジュールと前記ヒートシンクの間に熱伝導性樹脂が挟まれていることを特徴とする電力用半導体装置。 - 電力用半導体素子を実装し、放熱部を露出する半導体モジュールと、前記半導体モジュールで生じた熱を放熱するヒートシンクとを備えた電力用半導体装置であって、
前記ヒートシンクには、前記半導体モジュールの側面形状の少なくとも一部と同形状に形成された側面を有する実装凹部が設けられ、
前記半導体モジュールは前記放熱部が前記実装凹部の底面と前記側面とに当接して固定されていることを特徴とする電力用半導体装置。 - 請求項4の電力用半導体装置であって、
前記ヒートシンクは前記半導体モジュールを囲むハウジングと一体であることを特徴とする電力用半導体装置。 - 請求項4または5に記載の電力用半導体装置であって、
前記放熱部と前記ヒートシンクの間に熱伝導性樹脂が挟まれていることを特徴とする電力用半導体装置。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の電力用半導体装置において、
前記ヒートシンクの実装凹部の二つの側面はそれぞれ分断されたリブ状であることを特徴とする電力用半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003142262A JP2004349338A (ja) | 2003-05-20 | 2003-05-20 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003142262A JP2004349338A (ja) | 2003-05-20 | 2003-05-20 | 電力用半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004349338A true JP2004349338A (ja) | 2004-12-09 |
Family
ID=33530405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003142262A Pending JP2004349338A (ja) | 2003-05-20 | 2003-05-20 | 電力用半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004349338A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108695276A (zh) * | 2017-04-03 | 2018-10-23 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
-
2003
- 2003-05-20 JP JP2003142262A patent/JP2004349338A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108695276A (zh) * | 2017-04-03 | 2018-10-23 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
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