JP2004340766A - Apparatus for detecting chemical substance - Google Patents

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thin film
chemical substance
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Kazumi Fujii
和美 藤井
Isao Ueno
勲 上野
Kenichi Minami
顕一 南
Tadahiko Hashimoto
忠彦 橋本
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To automatically identify kinds of detecting elements in an apparatus for detecting chemical substances, which carries out measurements by using a plurality of piezo-electric elements. <P>SOLUTION: Different kinds of metallic thin films with respect to the plurality of piezo-electric elements are formed on surfaces of the piezo-electric elements, and initial frequencies of the piezo-electric elements are set at different frequencies by kinds of detecting sensors, and a reference frequency is measured by making the set frequencies correspond to the kinds of the thin films as the reference frequency, thereby identifying the kind of the thin film. The kind of the detecting sensor can be automatically identified by measuring the frequency of the piezo-electric element. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学物質の検出装置に係り、特に測定環境中における化学物質の種類と濃度を同時に検出する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
化学物質の検出方法として、従来からガスクロマトグラフ−質量分析法,液体クロマトグラフ−質量分析法,誘導結合プラズマ質量分析法,半導体検出装置,電気化学分析法などの分析手法が用いられている。一方、圧電素子を検出素子として用いた検出方法も知られている(特許文献1,2参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−048797号公報(要約,特許請求の範囲)
【特許文献2】
特開2001−99777号公報(要約,特許請求の範囲)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
圧電素子を検出素子として用いた検出装置において、複数の圧電素子を使用して測定する場合は、検出素子の種類を特定しなければならない。しかし、外観などから判断できずに誤って用いた場合、測定結果に重大な誤りが生じるという問題点がある。
【0005】
本発明の目的は、複数個の圧電素子を用いた化学物質検出装置において、検出素子の種類を特定する機能を有する化学物質検出装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成する本発明の要旨は、次の通りである。
【0007】
(1)複数個の圧電素子表面に、該圧電素子毎に異なる種類の薄膜が形成され、前記薄膜を形成した各圧電素子を発振回路によりそれぞれ発振させて、前記各圧電素子から出力される周波数の変化を測定し、薄膜上での化学反応量を検出できるように構成した検出装置において、前記圧電素子の基準周波数を前記薄膜の種類毎に異なる基準周波数とし、前記圧電素子の基準周波数を測定することにより、薄膜の種類を特定できるようにした化学物質検出装置。
【0008】
(2)前記圧電素子上に金属薄膜が形成され、前記金属薄膜を形成した各圧電素子を測定環境中に暴露して周波数の変化を測定し、測定環境中の腐食性物質または腐食性ガスの種類と濃度および/または前記金属薄膜の腐食量を計測できるように構成した(1)に記載の腐食環境監視装置。
【0009】
(3)前記圧電素子の基板表面上に導電性薄膜が形成され、該導電性薄膜面に圧電素子毎に異なる種類の金属薄膜が堆積され、前記金属薄膜を形成した各圧電素子を大気中に暴露して周波数の変化を測定し、大気中の腐食性物質または腐食性ガスについてその種類と濃度および/または金属薄膜の腐食量を計測できるように構成した(1)に記載の大気腐食環境監視装置。
【0010】
(4)前記圧電素子の基板表面上に測定対象となる化学物質に特定的に結合する抗体を付着させ、抗体が付着した圧電素子を測定環境中に暴露して前記抗体と反応した化学物質の反応量を周波数変化として計測するようにした(1)記載の化学物質検出装置。
【0011】
(5)前記圧電素子の基板表面上に測定対象となる化学物質または前記化学物質の誘導体であるハプテンを付着させ、前記化学物質またはハプテンと反応した抗体の反応量を周波数変化として計測するようにした(1)記載の化学物質検出装置。
【0012】
(6)前記圧電素子が水晶振動子または弾性表面波デバイスで構成されている(1)から(5)のいずれかに記載の化学物質検出装置。
【0013】
(7)前記薄膜の種類毎に圧電素子基板の厚さを変えることにより、前記圧電素子の基準周波数を前記薄膜毎に異なる基準周波数とした(1)から(5)のいずれかに記載の化学物質検出装置。
【0014】
(8)前記薄膜の種類毎に薄膜の付着物量を変えることにより、前記圧電素子の基準周波数を前記薄膜毎に異なる基準周波数とした(1)から(5)のいずれかに記載の化学物質検出装置。
【0015】
(9)圧電素子として弾性表面波デバイスを用いる(1)から(5)に記載の化学物質検出装置において、弾性表面波を励起させるくし歯状電極の電極周期を変化させることにより、前記圧電素子の基準周波数を前記薄膜毎に異なる基準周波数とした(1)から(5)のいずれかに記載の化学物質検出装置。
【0016】
(10)前記圧電素子の周波数の変化に基づき計測された計測結果に基づき薄膜上での化学反応量を検出し、その化学種と濃度および/または化学物質の反応量を予め入力されたデータに基づき推定する演算処理装置と、該演算処理装置による各演算結果を表示する表示装置を備えた化学物質検出装置において、測定開始時に計測した初期周波数に基づき、圧電素子基板に付着させた薄膜の種類を特定し、自動的に演算処理のデータとして入力する動作および/または薄膜の種類を表示装置に表示する動作を実行することを特徴とする(1)から(5)のいずれかに記載の化学物質検出装置。
【0017】
本発明は、前記のように複数の圧電素子を用いる検出装置において、圧電素子上に付着させる薄膜の種類毎に異なる基準周波数とし、前記圧電素子の基準周波数を測定することにより達成される。なお、上記および下記の記載において、
「および/または」は、いずれか一方又は両方を含むものを意味する。
【0018】
本発明の原理を圧電素子として水晶振動子を用いて説明する。薄膜を堆積させた水晶振動子基板を発振回路により発振させると、堆積させた薄膜の質量に比例して、一定の周波数で発振する。
【0019】
この薄膜上で化学反応が進行し、反応生成物が薄膜上に堆積される。あるいは、薄膜の一部が薄膜上から脱離した場合には質量変化が生じる。この質量変化は式〔1〕に従って、水晶振動子の振動数変化と関係付けられる。
【0020】
Δf=−kf (Δw/A) …〔1〕
ここで、f は水晶振動子の初期周波数、Δfは周波数変化量、Δwは質量変化量、Aは薄膜を堆積させた面積、kは定数である。
【0021】
例えば、初期周波数10MHzの水晶振動子を用いると、化学反応により薄膜上での質量変化が生じた場合、2ng/cm 質量変化を1Hzの感度で測定できる。
【0022】
さらに、水晶基板に異なる種類の薄膜を堆積させた複数個の水晶振動子を用いることにより、その薄膜の種類毎の化学反応量を計測することができる。
【0023】
〔1〕式に示すように、水晶振動子を用いた測定では、先ず水晶振動子の初期周波数を計測し、この測定値を用いて質量変化に換算する。本発明では、初期周波数を薄膜の種類毎に異なる周波数に設定し、この周波数を基準周波数として薄膜の種類と対応させることにより、基準周波数を測定することで薄膜の種類を特定する。
【0024】
本発明における薄膜の種類に応じて周波数を設定する方法としては、〔1〕式に基づき、予め付着させる薄膜の質量を制御することにより基準周波数を設定できる。または、水晶振動子の周波数と水晶振動子基板の厚さとの間に〔2〕式が成り立つので、水晶基板の厚さを制御することにより基準周波数を設定できる。
【0025】
=k/d …〔2〕
ここで、f は水晶振動子の設定周波数、d は水晶振動子基板の厚さ、kは定数である。
【0026】
圧電素子基板として弾性表面波デバイスを用いた場合の周波数制御方式としては、圧電素子基板表面に弾性表面波を励起させるために設置したくし歯状電極の電極周期と周波数の間に〔3〕式が成り立つのでくし歯状電極の周期を制御することにより基準周波数を設定できる。
【0027】
=V/L …〔3〕
ここで、f は弾性表面波デバイスの設定周波数、Vは弾性表面波の伝搬速度、Lはくし歯状電極の周期である。
【0028】
さらに本発明では、測定開始時に計測した初期周波数を基準周波数に対応させて圧電素子基板に付着させた薄膜の種類を特定することにより、検出装置に具備している演算処理装置の入力データとして用いる動作や表示装置に薄膜の種類を表示させる動作を自動的に実行することが可能となる。
【0029】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の一実施例である化学物質検出装置センサホルダー部の模式構成図である。検出装置センサホルダー部は、圧電素子を用いた6種類の検出センサ1と、圧電素子を固定して計測装置と腐食量センサを接続するためのコネクタ台2,検出センサの破損を防止するためのカバー3を備えている。
【0030】
図2は、図1で用いた検出センサの模式構成図である。直径8mm、基準振動数10MHzの水晶基板4の両面に直径4.5mmの金属薄膜5を蒸着し、この薄膜にニッケルが分散した導電性接着剤でリード線6を取り付けた水晶振動子をセンサとして用いた。薄膜は両面とも平面形状は同じものであり、側面端部にお互い反対側より両面に金属薄膜に接続した発振用および検出用のリード線6が設けられる。
【0031】
ここで水晶振動子上に形成する薄膜として、アルミニウム,銀,コバルト,銅,鉄,ニッケルの6種類をスパッタリング法により水晶振動子上に直接蒸着したセンサを用いることにより、蒸着した金属の腐食量と計測対象となる環境の腐食性物質を検出できる腐食環境監視装置として利用できる。水晶振動子上に直接、金属を蒸着することに変えて、インジウムとスズの導電性複合酸化物を予め水晶振動子に蒸着後に計測対象となる金属を蒸着することでも、同様に計測ができる。
【0032】
さらに、高感度な測定が必要な場合は、圧電素子としてタンタル酸リチウムなどの弾性表面波デバイスを用いる、腐食を監視する金属に応じてその他の金属を蒸着したセンサを用いる、塵埃等が付着する量を測定する場合には環境中で腐食しない金を蒸着したセンサを用いるなど測定対象となる材料や環境に応じて、圧電素子の種類やその数、圧電素子上に蒸着する金属の種類を任意に選択することで、高精度の計測が可能になる。
【0033】
ここで、検出に用いる水晶振動子上に形成する薄膜の付着量が所定の値となるように金属薄膜を蒸着する時間を制御して薄膜を形成し、薄膜形成後の各金属の基準周波数を測定した結果、表1に示すように、各々の金属で異なる基準周波数を設定することができた。このようにして作成したセンサを用いることにより、センサの基準周波数を計測することでセンサに付着させた金属の種類を特定できる。
【0034】
【表1】

Figure 2004340766
【0035】
図3には腐食環境監視装置の外観図を、図4には内部機能構成の模式図を示す。腐食環境監視装置は、複数の圧電素子センサから構成されるセンサホルダー部7(但し、図3ではカバーを省略。)を挿入した計測装置8と計測装置の制御とデータの収集と解析を実行するためのノート型パーソナルコンピュータ9から構成される。ここで、計測装置とパーソナルコンピュータの間は、RS−232Cの規格に基づいた転送方式に基づき、データ転送を行った。また、計測装置の制御とデータの収集・解析を実行するためのCPUや記憶素子,液晶モニタの様な表示デバイス,計測装置との接続が可能なインターフェースを具備していれば、ノート型パーソナルコンピュータに限ることなく使用することができる。
【0036】
計測装置は、圧電素子を安定に発振させるために圧電素子センサ各々に接続するための発振回路,発振周波数を計測するための周波数カウンタ,複数のセンサの発振周波数を任意に選択するためのシグナルスキャナ,発振周波数をデジタル信号に変換してパーソナルコンピュータ(PC)に転送するための信号装置を備えている。
【0037】
次に本実施例におけるデータの解析方法を示す。図5は、図3に示した腐食環境監視装置におけるデータ解析方法を示すフロー図である。
ステップ1:基準周波数fa〜fxに対応するセンサ金属材料Ma〜Mxのデータベースを入力し、以降の演算処理に用いる。
ステップ2:水晶振動子を用いた腐食量センサの発振周波数を計測し、これを測定開始時の初期値として以降の演算処理に用いる。
ステップ3:ステップ2で計測した周波数がステップ1で入力した基準周波数の何れに相当するかを照合する。
ステップ4:照合結果に基づき、ステップ2で計測したセンサに付着している金属薄膜がステップ1で入力した金属の何れに当たるかを特定する。
ステップ5:照合結果をPCに計測データの一部として記憶する。
ステップ6:照合結果をPC画面上に表示する。
ステップ7:監視対象となる場所における腐食環境を計測する。
ステップ8:一定時間(t)が経過した後に、時間t経過後の腐食量センサの発振周波数を計測する。
ステップ9:時間tにおける測定値と初期値を比較して、センサの発振周波数の変化量を求め、この変化量の関数として腐食量センサ上の金属の腐食量や、予め求めておいた各種金属の腐食速度から設置環境中の腐食性ガス種類とその平均濃度を換算する演算処理を実行する。
ステップ10:演算結果を表示し、監視を継続する。
【0038】
上記測定結果に基づき、腐食量や大気中に存在する腐食性物質量等が、所定の値以上になった時に警報を発生させるためには、予め、腐食量や腐食性物質等の限界値を入力し、演算処理の結果と比較する演算処理をステップ10からステップ7へのループの間に挿入し、所定の値を超えた場合に、併設した警報発生手段により、腐食量や腐食性物質等が限界値を超えたことを告知するようにすれば、当該監視としての機能が向上する。
【0039】
上記実施例に示すように、腐食量センサの材料を自動的に特定する機能を有した腐食環境監視装置を得ることができる。
【0040】
図6は腐食環境監視装置に内蔵されるデータ収集ソフトの画面の一実施例である。メニューバー10のファイルメニューにより、新規の測定か、あるいは測定中ファイルの選択を行う。新規の場合はファイル名とサンプル名称を入力することで、サンプル名称表示欄11にサンプル名称が表示できる。
【0041】
センサ情報の表示領域12には、必要に応じて計測するチャンネルを選択することが可能なチェックボックスも有している。本実施例では6チャンネルまでの構成例を示しているが、チャンネル数は6チャンネルに限るものではない。
【0042】
測定間隔の入力領域13では測定する時間間隔、または、測定回数を測定者が任意に入力することができる。
【0043】
アラームリミットの入力領域14では警報を発するための上限及び下限値をチャンネルごとに個別に設定し、警報を発することができる。
【0044】
上記の設定を行った後、測定開始ボタン15を押すと、初期の周波数値を取得して初期周波数表示領域16に周波数値を、センサ情報の表示領域12に図5のステップ4で特定した金属薄膜の材料名を自動的に表示し、そのデータを登録したファイル名で保存する。また、温湿度表示領域17には、測定時の温度および湿度を表示することもできる。
【0045】
動作状況の表示領域18には、測定中、待機中等の動作状況を表示することにより、測定者は容易に計測状況を把握することができる。腐食量センサの周波数データを取得するとグラフ表示領域19にグラフとして表示する。このグラフは上には、計測した周波数変化Δfに変えて、演算処理により腐食量変化に換算した質量変化Δwを切り替えて表示することもできる。また、測定データの表示領域20には周波数変化Δfと質量変化Δwを数値で表示する。さらに、図中には示していないが、演算処理の結果得られた腐食性ガス種類および/またはその平均濃度を換算した値を画面に表示することもできる。
【0046】
上記実施例に示すように、金属材料の種類を自動的に表示し、その金属材料の腐食量や大気中の腐食性ガス等の大気腐食に関する情報を簡便に監視できる監視装置を得ることができる。
【0047】
次に、本発明に係る化学物質検出装置の実施形態を説明する。検出センサとして直径0.5インチの10HMz用の水晶振動子基板を用い、基板上の直径0.4インチの領域に予め金を蒸着し、その上に抗体を形成したものを検出センサとして用いた。抗体の種類を特定するために厚さが異なる水晶振動子基板を準備し、この水晶振動子上に付着量が同一になるように金を蒸着、この金薄膜上にダイオキシン類の中で毒性の強い、2,3,7,8−TCDD、1,2,3,7,8−PeCDD、1,2,3,4,7,8−HxCDDと、ダイオキシン類と同様に毒性があるCo−PCB類のうち、3,3′−4,4′,5−PeCB、3,
3′,4,4′,5,5′−HxCBのそれぞれにのみ反応するモノクローナル抗体を付着質量が同じとなるように形成した。この化学物質検出センサが検出するダイオキシン類の種類とその基準周波数,水晶振動子基板の厚さとの関係を纏めた結果を表2に示す。この対応データを予め入力しておき、計測初期に各センサの周波数を計測することにより、各センサが検出するダイオキシン類を自動的に特定できる化学物質検出装置が提供できる。さらに、ここで用いる抗体をビスフェノールA抗体やDDT抗体を用いた場合は、これら有害化学物質の検出装置として使用することができる。
【0048】
【表2】
Figure 2004340766
【0049】
次に、本発明に係る弾性表面波デバイスを用いた化学物質検出装置の実施形態を説明する。図7はニオブ酸リチウムを弾性表面波デバイスとして用いた検出部の構成図である。圧電基板21の両側にはくし歯上の入力用電極22と出力用電極23が形成されている。入力用電極22と出力用電極23との間の領域には測定対象となる化学物質に特定的に結合する固相化抗原24が付着されている。さらに入力用電極22は増幅器25の出力側に接続され、出力用電極23は増幅器25の入力側に接続されている。表面弾性波デバイスの入力用電極22と出力用電極23に発振器から電気信号を印加すると、圧電効果により入力用電極22と出力用電極23間に互いに逆位相のひずみが生じ表面波が励起され、その周波数は図8に示すくし歯電極の電極幅(λ/4)により制御できる。
【0050】
図9に示すように、本実施形態における有害化学物質監視装置は、測定対象となる化学物質の濃度を間接的に測定する装置として、サンプリングポンプ26,サンプラ27,抗体リザーバ28,洗浄液サーバ29,導入ポンプ30,31,32、バルブ33,34,35,36,37、反応セル38を備えており、反応セルには流体導入口39と流体排出口40とが接続されているとともに、圧電素子として弾性表面波デバイス41が収納されている。
【0051】
サンプリングポンプ26には、測定対象となる化学物質とガスを含む検体が導入され、この検体がサンプリングポンプ26の駆動によってサンプラ27に導入され、サンプラ27によってサンプリングされた検体が導入ポンプ30,バルブ33,36を介して流体導入口39から反応セル38内に導入されるようになっている。また検体と反応させるための抗体は抗体リザーバ28に収納されており、抗体リザーバ28に収納された抗体は導入ポンプ31,バルブ34,36を介して流体導入口39から反応セル38内に導入されることになっている。ここで、抗体リザーバ中には複数種類の抗体を混合した抗体混合溶液が収納されているが、複数の抗体リザーバの各々に単独の抗体溶液を収納しておき、各々を導入ポンプで個別に反応セル中に導入してもよい。さらに、洗浄液サーバ29内には反応セル38内を洗浄するための洗浄液が収納されており、洗浄液サーバ29内の洗浄液は導入ポンプ32,バルブ35,36を介して流体導入口39から反応セル38内に導入されるようになっている。そして検体と抗体が反応セル38内に導入されるときにはバルブ37が閉じた状態にあり、洗浄液が反応セル38内に導入されるときにはバルブ37が開かれ、反応セル内を洗浄した洗浄液がバルブ37から反応セル38外に排出されるようになっている。すなわち、サンプリングポンプ26,サンプラ27,抗体リザーバ28,導入ポンプ30,31、バルブ33,34,36は検体およびこの検体中の化学物質に特定的に結合する抗体を導入する導入手段として構成されており、洗浄液サーバ29,導入ポンプ32,バルブ35,36,37は反応セル28中に残留した検体および抗体を反応セル38の流体排出口40から排出する排出手段として構成されている。
【0052】
一方、弾性表面波デバイス41の圧電基板には固相化抗原(測定対象となる化学物質または化学物質の誘電体であるハプテン)42が形成されており、この固相化抗原42は反応セル38による流体流路中に複数種類収納されている。そして弾性表面波デバイス41の出力は発振器に接続されている。
【0053】
上記構成による有害化学物質監視装置を用いて測定対象となる化学物質を監視するに際しては、まず、バルブ33〜37はすべて閉じた状態で、サンプリングポンプ26を駆動して検体をサンプラ27に一定時間導入する。このとき反応前の発振周波数として弾性表面波デバイス41の発振周波数Fbを測定する。この後、バルブ33,34,36を開き、導入ポンプ30,31の駆動によって反応セル38内に検体および抗体を導入して固相化抗原42上で反応させる。反応セル38内に導入された検体および抗体が固相化抗原42と反応した後、一定時間経過したときには、バルブ33,34を閉じ、代わりにバルブ37を開き、反応セル38内の溶液を流体排出口40,バルブ37から排出する。この後、バルブ35を開くとともに導入ポンプ32を駆動し、洗浄液サーバ29からの洗浄液を反応セル38内に導入して反応セル38内を洗浄し、反応セル38内から洗浄液を排出し、反応後の弾性表面波デバイス41の発振周波数Faを測定し、周波数の時間的な変化として、Fa−Fbを測定する。この測定結果から反応セル38中でハプテンと反応した抗体の質量の変化を求め、この質量の変化を基に反応セル96中における検体中の化学物質の濃度を、予め求めておいた検量線と比較して算出する。この一連のシーケンスを一定時間間隔で繰り返すことにより検体中の化学物質の濃度を連続して測定することができる。
【0054】
ここで、複数個の弾性表面波デバイス41を用い、各弾性表面波デバイス41に相異なる固相化抗原42を形成することで、複数種の化学物質を検出することが可能になる。このとき、検出センサとしてニオブ酸リチウム基板を用い、基板上に表面波励起用にAuのくし歯上電極と固相化抗原を形成したものを検出センサとして用いた。固相化抗原の種類を特定するために、くし歯上電極の電極幅を4〜10μmに変化させた弾性表面波基板を準備し、この基板上に付着量が同一になるように金を蒸着、この金薄膜上にダイオキシン類の中で毒性の強い、2,3,7,8−TCDD、1,2,3,7,8−PeCDD、ビスフェノールA,DDTの固相化抗原(ハプテン)を付着質量が同じとなるように形成した。この化学物質検出センサが検出する化学物質の種類とその基準周波数、くし歯上電極の電極幅との関係を纏めた結果を表3に示す。この対応データを予め入力しておき、計測初期に各センサの周波数を計測することにより、各センサが検出する化学物質を自動的に特定できる化学物質検出装置が提供できる。
【0055】
【表3】
Figure 2004340766
【0056】
本実施例により、複数の弾性表面波デバイス41を用いて、各センサが検出する化学物質の種類を自動的に特定し、かつ、反応セル38中に存在する複数種の有害化学物質の種類と濃度を同時に監視することができる。なお、複数の弾性表面波デバイス41を用いる場合、各弾性表面波デバイス41を複数の反応セル38にそれぞれ収納するか構成を採用することもできる。また弾性表面波デバイス41の代わりに水晶振動子を用いることも可能である。
【0057】
【発明の効果】
本発明によれば、複数の圧電素子を用いて測定環境中の化学物質の種類とその濃度を同時に検出する化学物質検出装置において、検出素子の種類を自動的に特定する機能を有する化学物質検出装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である腐食環境監視装置センサホルダー部の模式構成図である。
【図2】図1で使用した検出センサの模式構成図である。
【図3】本発明の一実施例である腐食環境監視装置の外観図である。
【図4】図3の内部機能構成を示す模式図である。
【図5】腐食環境監視装置におけるデータ解析方法を示すフロー図である。
【図6】腐食環境監視装置に内蔵されるデータ収集ソフトの画面の一実施例である。
【図7】圧電素子として弾性表面波デバイスを用いたときのセンサの構成図である。
【図8】図7の弾性表面波デバイスに形成した入出力用くし歯上電極のパターンを示した図である。
【図9】間接測定法を採用した化学物質検出装置のブロック構成図である。
【符号の説明】
1…検出センサ、2…コネクタ台、3…カバー、4…水晶基板、5…金属薄膜、6…リード線、7…センサホルダー部、8…計測装置、9…ノート型パーソナルコンピュータ、10…メニューバー、11…サンプル名称表示欄、12…センサ情報の表示領域、13…測定間隔の入力領域、14…アラームリミットの入力領域、15…測定開始ボタン、16…初期周波数表示領域、17…温湿度表示領域、18…動作状況の表示領域、19…グラフ表示領域、20…測定データの表示領域、21…圧電基板、22…入力用電極、23…出力用電極、24,42…固相化抗原、25…増幅器、26…サンプリングポンプ、27…サンプラ、28…抗体リザーバ、29…洗浄液サーバ、30,31,32…導入ポンプ、33,34,35,36,37…バルブ、38…反応セル、39…流体導入口、40…流体排出口、41…弾性表面波デバイス。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an apparatus for detecting a chemical substance, and more particularly to an apparatus for simultaneously detecting the type and concentration of a chemical substance in a measurement environment.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, analytical methods such as gas chromatography-mass spectrometry, liquid chromatography-mass spectrometry, inductively coupled plasma mass spectrometry, semiconductor detection devices, and electrochemical analysis have been used as methods for detecting chemical substances. On the other hand, a detection method using a piezoelectric element as a detection element is also known (see Patent Documents 1 and 2).
[0003]
[Patent Document 1]
JP 2002-048797 A (Abstract, Claims)
[Patent Document 2]
JP 2001-99777 A (abstract, claims)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
When a measurement is performed using a plurality of piezoelectric elements in a detection device using a piezoelectric element as a detection element, the type of the detection element must be specified. However, there is a problem that a serious error occurs in a measurement result when the measurement result is incorrectly used because it cannot be determined from the appearance or the like.
[0005]
An object of the present invention is to provide a chemical substance detecting device using a plurality of piezoelectric elements, which has a function of specifying the type of the detecting element.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The gist of the present invention that achieves the above object is as follows.
[0007]
(1) Different types of thin films are formed on the surfaces of a plurality of piezoelectric elements, and each of the piezoelectric elements on which the thin films are formed is oscillated by an oscillation circuit, and the frequency output from each of the piezoelectric elements. In a detection device configured to measure the change in the amount of chemical reaction on the thin film, the reference frequency of the piezoelectric element is set to a different reference frequency for each type of the thin film, and the reference frequency of the piezoelectric element is measured. A chemical substance detection device capable of specifying the type of a thin film.
[0008]
(2) A metal thin film is formed on the piezoelectric element, and each of the piezoelectric elements on which the metal thin film is formed is exposed to a measurement environment to measure a change in frequency, and a corrosive substance or corrosive gas in the measurement environment is measured. The corrosion environment monitoring device according to (1), wherein the type and concentration and / or the amount of corrosion of the metal thin film can be measured.
[0009]
(3) A conductive thin film is formed on the surface of the substrate of the piezoelectric element, and different types of metal thin films are deposited on the surface of the conductive thin film for each piezoelectric element. Atmospheric corrosive environment monitoring according to (1), configured to measure a change in frequency upon exposure and to measure the type and concentration of corrosive substances or corrosive gases in the atmosphere and / or the amount of corrosion of metal thin films. apparatus.
[0010]
(4) An antibody that specifically binds to the chemical substance to be measured is attached to the substrate surface of the piezoelectric element, and the piezoelectric element to which the antibody has been attached is exposed to a measurement environment to react with the chemical substance. The chemical substance detection device according to (1), wherein the reaction amount is measured as a frequency change.
[0011]
(5) A chemical substance to be measured or a hapten which is a derivative of the chemical substance is adhered to the substrate surface of the piezoelectric element, and the reaction amount of an antibody reacted with the chemical substance or the hapten is measured as a frequency change. The chemical substance detection device according to (1).
[0012]
(6) The chemical substance detection device according to any one of (1) to (5), wherein the piezoelectric element is formed of a quartz oscillator or a surface acoustic wave device.
[0013]
(7) The chemistry according to any one of (1) to (5), wherein the thickness of the piezoelectric element substrate is changed for each type of the thin film so that the reference frequency of the piezoelectric element is set to a different reference frequency for each thin film. Substance detector.
[0014]
(8) The chemical substance detection according to any one of (1) to (5), wherein the reference frequency of the piezoelectric element is set to a different reference frequency for each of the thin films by changing the amount of deposits on the thin film for each type of the thin film. apparatus.
[0015]
(9) In the chemical substance detection device according to any one of (1) to (5), wherein the surface acoustic wave device is used as the piezoelectric element, the piezoelectric element is changed by changing the electrode period of the interdigital electrode for exciting the surface acoustic wave. The chemical substance detection device according to any one of (1) to (5), wherein the reference frequency is different for each of the thin films.
[0016]
(10) A chemical reaction amount on the thin film is detected based on a measurement result measured based on a change in the frequency of the piezoelectric element, and the chemical species and the concentration and / or the reaction amount of the chemical substance are converted into data input in advance. In a chemical substance detection device provided with an arithmetic processing device for estimating based on the above, and a display device for displaying each calculation result by the arithmetic processing device, the type of the thin film adhered to the piezoelectric element substrate based on the initial frequency measured at the start of the measurement. (1) performing the operation of automatically inputting as the data of the arithmetic processing and / or the operation of displaying the type of the thin film on the display device. Substance detector.
[0017]
The present invention is attained by using a plurality of piezoelectric elements as described above and setting a different reference frequency for each type of thin film to be deposited on the piezoelectric element, and measuring the reference frequency of the piezoelectric element. In the description above and below,
"And / or" means including either or both.
[0018]
The principle of the present invention will be described using a quartz oscillator as a piezoelectric element. When the crystal oscillator substrate on which the thin film is deposited is oscillated by an oscillation circuit, the crystal oscillator oscillates at a constant frequency in proportion to the mass of the deposited thin film.
[0019]
A chemical reaction proceeds on the thin film, and a reaction product is deposited on the thin film. Alternatively, when a part of the thin film is detached from the thin film, a mass change occurs. This change in mass is related to the change in the frequency of the crystal resonator according to equation [1].
[0020]
Δf = -kf 0 2 (Δw / A) ... [1]
Here, f 0 is the initial frequency of the crystal oscillator, Δf is the amount of change in frequency, Δw is the amount of change in mass, A is the area where the thin film is deposited, and k is a constant.
[0021]
For example, when a quartz oscillator having an initial frequency of 10 MHz is used, when a mass change occurs on a thin film due to a chemical reaction, a 2 ng / cm 2 mass change can be measured with a sensitivity of 1 Hz.
[0022]
Furthermore, by using a plurality of quartz oscillators in which different types of thin films are deposited on a quartz substrate, it is possible to measure the amount of chemical reaction for each type of the thin film.
[0023]
As shown in the equation (1), in the measurement using the quartz oscillator, first, the initial frequency of the quartz oscillator is measured, and the measured value is converted into a change in mass. In the present invention, the type of the thin film is specified by measuring the reference frequency by setting the initial frequency to a different frequency for each type of the thin film and associating this frequency with the type of the thin film as a reference frequency.
[0024]
As a method of setting the frequency according to the type of the thin film in the present invention, the reference frequency can be set by controlling the mass of the thin film to be deposited in advance based on the formula [1]. Alternatively, since the formula [2] is established between the frequency of the crystal resonator and the thickness of the crystal resonator substrate, the reference frequency can be set by controlling the thickness of the crystal substrate.
[0025]
f 0 = k / d 0 ... [2]
Here, f 0 is the set frequency of the crystal resonator, d 0 is the thickness of the crystal resonator substrate, and k is a constant.
[0026]
When a surface acoustic wave device is used as the piezoelectric element substrate, the frequency control method is as follows: Equation [3] is set between the electrode period and the frequency of the interdigital electrode provided to excite the surface acoustic wave on the surface of the piezoelectric element substrate. Holds, the reference frequency can be set by controlling the period of the interdigital electrode.
[0027]
f 0 = V / L ... [3]
Here, f 0 is the set frequency of the surface acoustic wave device, V is the propagation speed of the surface acoustic wave, and L is the period of the interdigital electrode.
[0028]
Further, according to the present invention, the initial frequency measured at the start of the measurement is specified as the input data of the arithmetic processing unit provided in the detection device by specifying the type of the thin film attached to the piezoelectric element substrate in correspondence with the reference frequency. It is possible to automatically execute the operation and the operation of displaying the type of the thin film on the display device.
[0029]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a sensor holder of a chemical substance detection device according to one embodiment of the present invention. The detection device sensor holder section includes six types of detection sensors 1 using piezoelectric elements, a connector base 2 for fixing the piezoelectric elements and connecting the measuring device and the corrosion amount sensor 2, and preventing damage to the detection sensors. A cover 3 is provided.
[0030]
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the detection sensor used in FIG. A crystal oscillator in which a metal thin film 5 having a diameter of 4.5 mm is vapor-deposited on both surfaces of a quartz substrate 4 having a diameter of 8 mm and a reference frequency of 10 MHz, and a lead wire 6 is attached to the thin film with a conductive adhesive in which nickel is dispersed is used as a sensor. Using. The thin film has the same planar shape on both sides, and oscillating and detecting lead wires 6 connected to the metal thin film on both sides from opposite sides are provided at the side end portions.
[0031]
Here, as a thin film to be formed on the quartz oscillator, the amount of corrosion of the deposited metal is measured by using a sensor in which aluminum, silver, cobalt, copper, iron, and nickel are directly evaporated on the quartz oscillator by a sputtering method. It can be used as a corrosive environment monitoring device that can detect corrosive substances in the environment to be measured. Instead of depositing a metal directly on the quartz oscillator, the same measurement can be performed by depositing a metal to be measured after depositing a conductive complex oxide of indium and tin on the quartz oscillator in advance.
[0032]
Furthermore, when high-sensitivity measurement is required, use a surface acoustic wave device such as lithium tantalate as a piezoelectric element, use a sensor in which other metals are vapor-deposited according to the metal whose corrosion is to be monitored, and adhere dust and the like. When measuring the amount, the type and number of piezoelectric elements and the type of metal deposited on the piezoelectric element can be determined according to the material and environment to be measured, such as using a sensor with gold deposited that does not corrode in the environment. , High-precision measurement becomes possible.
[0033]
Here, the time for vapor deposition of the metal thin film is controlled so that the amount of the thin film formed on the crystal unit used for detection becomes a predetermined value, the thin film is formed, and the reference frequency of each metal after the thin film is formed is set. As a result of the measurement, as shown in Table 1, different reference frequencies could be set for each metal. By using the sensor thus created, the type of metal attached to the sensor can be specified by measuring the reference frequency of the sensor.
[0034]
[Table 1]
Figure 2004340766
[0035]
FIG. 3 is an external view of the corrosion environment monitoring device, and FIG. 4 is a schematic diagram of the internal functional configuration. The corrosive environment monitoring device executes the control of the measuring device 8 with the sensor holder 7 (a cover is omitted in FIG. 3) composed of a plurality of piezoelectric element sensors, the control of the measuring device, and the collection and analysis of data. And a notebook personal computer 9. Here, data transfer was performed between the measuring device and the personal computer based on a transfer method based on the RS-232C standard. In addition, a notebook type personal computer is provided if it has a CPU and a storage element for controlling the measuring device and executing data collection / analysis, a display device such as a liquid crystal monitor, and an interface which can be connected to the measuring device. Can be used without limitation.
[0036]
The measuring device includes an oscillation circuit for connecting each piezoelectric element sensor to stably oscillate the piezoelectric element, a frequency counter for measuring the oscillation frequency, and a signal scanner for arbitrarily selecting the oscillation frequency of a plurality of sensors. And a signal device for converting the oscillation frequency into a digital signal and transferring the signal to a personal computer (PC).
[0037]
Next, a data analysis method according to the present embodiment will be described. FIG. 5 is a flowchart showing a data analysis method in the corrosive environment monitoring device shown in FIG.
Step 1: The database of the sensor metal materials Ma to Mx corresponding to the reference frequencies fa to fx is input and used for the subsequent arithmetic processing.
Step 2: The oscillation frequency of the corrosion amount sensor using the quartz oscillator is measured, and this is used as an initial value at the start of the measurement for the subsequent arithmetic processing.
Step 3: Check whether the frequency measured in step 2 corresponds to the reference frequency input in step 1.
Step 4: Based on the collation result, it is specified which of the metals input in step 1 the metal thin film adhering to the sensor measured in step 2 hits.
Step 5: The collation result is stored in the PC as a part of the measurement data.
Step 6: Display the collation result on the PC screen.
Step 7: Measure the corrosive environment in the place to be monitored.
Step 8: After a lapse of a predetermined time (t), the oscillation frequency of the corrosion amount sensor after the lapse of the time t is measured.
Step 9: The measured value at time t is compared with the initial value to determine the amount of change in the oscillation frequency of the sensor, and as a function of the amount of change, the amount of corrosion of the metal on the corrosion amount sensor and various metals determined in advance. An arithmetic process for converting the corrosive gas type in the installation environment and the average concentration thereof from the corrosion rate of the installation environment is executed.
Step 10: Display the calculation result and continue monitoring.
[0038]
Based on the above measurement results, in order to generate an alarm when the amount of corrosion or the amount of corrosive substance present in the atmosphere, etc., exceeds a predetermined value, the limit value of the amount of corrosion or corrosive substance, etc. must be set in advance. An operation to be input and compared with the result of the operation is inserted between the loops from step 10 to step 7, and when the value exceeds a predetermined value, the amount of corrosion, corrosive substance, etc. Is notified that the value exceeds the limit value, the function of the monitoring is improved.
[0039]
As shown in the above embodiment, it is possible to obtain a corrosion environment monitoring device having a function of automatically specifying the material of the corrosion amount sensor.
[0040]
FIG. 6 shows an example of a screen of data collection software built in the corrosive environment monitoring device. A new measurement or a file under measurement is selected by the file menu on the menu bar 10. If it is new, the sample name can be displayed in the sample name display column 11 by inputting the file name and the sample name.
[0041]
The display area 12 for sensor information also has a check box for selecting a channel to be measured as needed. In the present embodiment, a configuration example of up to six channels is shown, but the number of channels is not limited to six channels.
[0042]
In the measurement interval input area 13, the measurer can arbitrarily input the time interval to be measured or the number of measurements.
[0043]
In the alarm limit input area 14, an upper limit and a lower limit for issuing an alarm can be individually set for each channel, and an alarm can be issued.
[0044]
After the above settings, when the measurement start button 15 is pressed, the initial frequency value is acquired, the frequency value is obtained in the initial frequency display area 16, and the metal value specified in step 4 in FIG. Automatically displays the material name of the thin film and saves the data under the registered file name. Further, the temperature and humidity at the time of measurement can be displayed in the temperature and humidity display area 17.
[0045]
By displaying the operation status such as during measurement or waiting in the operation status display area 18, the measurer can easily grasp the measurement status. When the frequency data of the corrosion amount sensor is acquired, it is displayed as a graph in the graph display area 19. In the upper part of this graph, instead of the measured frequency change Δf, a mass change Δw converted into a corrosion amount change by arithmetic processing can be switched and displayed. In the display area 20 of the measurement data, the frequency change Δf and the mass change Δw are numerically displayed. Further, although not shown in the figure, a value obtained by converting the type of corrosive gas and / or its average concentration obtained as a result of the arithmetic processing can be displayed on the screen.
[0046]
As shown in the above embodiment, it is possible to obtain a monitoring device that can automatically display the type of metal material and easily monitor the amount of corrosion of the metal material and information on atmospheric corrosion such as corrosive gas in the atmosphere. .
[0047]
Next, an embodiment of the chemical substance detection device according to the present invention will be described. A 0.5-inch-diameter quartz oscillator substrate for 10 HMz was used as a detection sensor, and gold was previously vapor-deposited on a 0.4-inch-diameter region on the substrate, and an antibody was formed thereon, and used as the detection sensor. . Prepare quartz oscillator substrates with different thicknesses to identify the type of antibody, deposit gold on this quartz oscillator so that the amount of deposition is the same, and dioxin toxic on the gold thin film Strong 2,3,7,8-TCDD, 1,2,3,7,8-PeCDD, 1,2,3,4,7,8-HxCDD and Co-PCB which is toxic as well as dioxins Of the classes, 3,3'-4,4 ', 5-PeCB, 3,
Monoclonal antibodies reacting only with each of 3 ', 4,4', 5,5'-HxCB were formed to have the same attached mass. Table 2 shows the results obtained by summarizing the relationship between the types of dioxins detected by the chemical substance detection sensor, their reference frequencies, and the thickness of the quartz oscillator substrate. By inputting this correspondence data in advance and measuring the frequency of each sensor at the beginning of measurement, a chemical substance detection device capable of automatically specifying dioxins detected by each sensor can be provided. Further, when a bisphenol A antibody or a DDT antibody is used as the antibody used here, it can be used as a detection device for these harmful chemical substances.
[0048]
[Table 2]
Figure 2004340766
[0049]
Next, an embodiment of a chemical substance detection device using a surface acoustic wave device according to the present invention will be described. FIG. 7 is a configuration diagram of a detection unit using lithium niobate as a surface acoustic wave device. On both sides of the piezoelectric substrate 21, an input electrode 22 and an output electrode 23 on a comb are formed. An immobilized antigen 24 that specifically binds to a chemical substance to be measured is attached to a region between the input electrode 22 and the output electrode 23. Further, the input electrode 22 is connected to the output side of the amplifier 25, and the output electrode 23 is connected to the input side of the amplifier 25. When an electric signal is applied from an oscillator to the input electrode 22 and the output electrode 23 of the surface acoustic wave device, distortions of opposite phases occur between the input electrode 22 and the output electrode 23 due to a piezoelectric effect, and surface waves are excited. The frequency can be controlled by the electrode width (λ / 4) of the comb electrode shown in FIG.
[0050]
As shown in FIG. 9, the harmful chemical substance monitoring device according to the present embodiment includes a sampling pump 26, a sampler 27, an antibody reservoir 28, a cleaning liquid server 29, as a device for indirectly measuring the concentration of a chemical substance to be measured. The apparatus includes inlet pumps 30, 31, 32, valves 33, 34, 35, 36, 37, and a reaction cell 38. The reaction cell is connected to a fluid inlet 39 and a fluid outlet 40, and a piezoelectric element. The surface acoustic wave device 41 is housed.
[0051]
A sample containing a chemical substance and a gas to be measured is introduced into the sampling pump 26, and the sample is introduced into the sampler 27 by driving the sampling pump 26, and the sample sampled by the sampler 27 is introduced into the introduction pump 30 and the valve 33. , 36 through a fluid inlet 39 into the reaction cell 38. An antibody to be reacted with the sample is contained in an antibody reservoir 28, and the antibody contained in the antibody reservoir 28 is introduced into a reaction cell 38 from a fluid introduction port 39 via an introduction pump 31, valves 34 and 36. Is supposed to be. Here, an antibody mixed solution in which a plurality of types of antibodies are mixed is stored in the antibody reservoir.A single antibody solution is stored in each of the plurality of antibody reservoirs, and each is individually reacted by an introduction pump. It may be introduced into the cell. Further, a cleaning liquid for cleaning the inside of the reaction cell 38 is stored in the cleaning liquid server 29, and the cleaning liquid in the cleaning liquid server 29 is supplied from the fluid introduction port 39 through the introduction pump 32 and the valves 35 and 36 to the reaction cell 38. It is being introduced into. When the sample and the antibody are introduced into the reaction cell 38, the valve 37 is in a closed state. When the cleaning liquid is introduced into the reaction cell 38, the valve 37 is opened, and the cleaning liquid that has washed the inside of the reaction cell is supplied with the valve 37. From the reaction cell 38. That is, the sampling pump 26, the sampler 27, the antibody reservoir 28, the introduction pumps 30, 31, and the valves 33, 34, 36 are configured as introduction means for introducing a specimen and an antibody that specifically binds to a chemical substance in the specimen. The washing liquid server 29, the introduction pump 32, and the valves 35, 36, and 37 are configured as discharge means for discharging the sample and the antibody remaining in the reaction cell 28 from the fluid discharge port 40 of the reaction cell 38.
[0052]
On the other hand, on the piezoelectric substrate of the surface acoustic wave device 41, an immobilized antigen (a chemical substance to be measured or a hapten which is a dielectric substance of the chemical substance) 42 is formed. Are accommodated in the fluid flow path of the above. The output of the surface acoustic wave device 41 is connected to an oscillator.
[0053]
When monitoring a chemical substance to be measured using the harmful chemical substance monitoring apparatus having the above configuration, first, the sampling pump 26 is driven and the sample is sent to the sampler 27 for a certain period of time while all the valves 33 to 37 are closed. Introduce. At this time, the oscillation frequency Fb of the surface acoustic wave device 41 is measured as the oscillation frequency before the reaction. Thereafter, the valves 33, 34, 36 are opened, and the analytes and the antibodies are introduced into the reaction cell 38 by driving the introduction pumps 30, 31 to react on the solid-phased antigen 42. When a certain period of time has elapsed after the specimen and the antibody introduced into the reaction cell 38 have reacted with the immobilized antigen 42, the valves 33 and 34 are closed, and the valve 37 is opened instead. The gas is discharged from the discharge port 40 and the valve 37. Thereafter, the valve 35 is opened and the introduction pump 32 is driven to introduce the washing liquid from the washing liquid server 29 into the reaction cell 38 to wash the inside of the reaction cell 38 and discharge the washing liquid from the inside of the reaction cell 38. , The oscillation frequency Fa of the surface acoustic wave device 41 is measured, and Fa-Fb is measured as a temporal change of the frequency. From the measurement result, the change in the mass of the antibody that reacted with the hapten in the reaction cell 38 was determined, and based on the change in the mass, the concentration of the chemical substance in the sample in the reaction cell 96 was determined with a calibration curve determined in advance. Calculate by comparison. By repeating this sequence at regular time intervals, the concentration of the chemical substance in the sample can be measured continuously.
[0054]
Here, by using a plurality of surface acoustic wave devices 41 and forming different solid-phased antigens 42 on each surface acoustic wave device 41, it becomes possible to detect a plurality of types of chemical substances. At this time, a lithium niobate substrate was used as a detection sensor, and a substrate on which a Au electrode on a comb and an immobilized antigen were formed for surface wave excitation was used as a detection sensor. In order to identify the type of immobilized antigen, a surface acoustic wave substrate was prepared in which the electrode width of the interdigital electrode was changed to 4 to 10 μm, and gold was vapor-deposited on this substrate so that the amount of adhesion was the same. An immobilized antigen (hapten) of 2,3,7,8-TCDD, 1,2,3,7,8-PeCDD, bisphenol A, DDT, which is the most toxic among dioxins, is placed on this gold thin film. It was formed so that the attached mass was the same. Table 3 shows the results obtained by summarizing the relationship between the type of chemical substance detected by this chemical substance detection sensor, its reference frequency, and the electrode width of the comb-tooth electrode. By inputting this correspondence data in advance and measuring the frequency of each sensor at the beginning of measurement, a chemical substance detection device that can automatically identify the chemical substance detected by each sensor can be provided.
[0055]
[Table 3]
Figure 2004340766
[0056]
According to the present embodiment, by using a plurality of surface acoustic wave devices 41, the type of chemical substance detected by each sensor is automatically specified, and the types of harmful chemical substances present in the reaction cell 38 are determined. The concentration can be monitored simultaneously. When a plurality of surface acoustic wave devices 41 are used, a configuration in which each surface acoustic wave device 41 is stored in each of the plurality of reaction cells 38 may be employed. Further, a quartz oscillator can be used instead of the surface acoustic wave device 41.
[0057]
【The invention's effect】
According to the present invention, in a chemical substance detection device for simultaneously detecting the type and concentration of a chemical substance in a measurement environment using a plurality of piezoelectric elements, a chemical substance detection function having a function of automatically specifying the type of the detection element A device can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a sensor holder section of a corrosion environment monitoring device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a detection sensor used in FIG.
FIG. 3 is an external view of a corrosion environment monitoring device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic diagram showing an internal functional configuration of FIG. 3;
FIG. 5 is a flowchart showing a data analysis method in the corrosion environment monitoring device.
FIG. 6 is an example of a screen of data collection software built in the corrosion environment monitoring device.
FIG. 7 is a configuration diagram of a sensor when a surface acoustic wave device is used as a piezoelectric element.
FIG. 8 is a diagram showing a pattern of input / output interdigital electrodes formed on the surface acoustic wave device of FIG. 7;
FIG. 9 is a block diagram of a chemical substance detection apparatus employing an indirect measurement method.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Detection sensor, 2 ... Connector base, 3 ... Cover, 4 ... Quartz board, 5 ... Metal thin film, 6 ... Lead wire, 7 ... Sensor holder part, 8 ... Measuring device, 9 ... Notebook personal computer, 10 ... Menu Bar, 11: Sample name display field, 12: Sensor information display area, 13: Measurement interval input area, 14: Alarm limit input area, 15: Measurement start button, 16: Initial frequency display area, 17: Temperature and humidity Display area, 18: Operation area display area, 19: Graph display area, 20: Measurement data display area, 21: Piezoelectric substrate, 22: Input electrode, 23: Output electrode, 24, 42: Immobilized antigen , 25 amplifier, 26 sampling pump, 27 sampler, 28 antibody reservoir, 29 washing solution server, 30, 31, 32 introduction pump, 33, 34, 35, 36, 3 ... valve, 38 ... reaction cell, 39 ... fluid inlet, 40 ... fluid outlet, 41 ... surface acoustic wave device.

Claims (10)

複数個の圧電素子表面に、該圧電素子毎に異なる種類の薄膜が形成され、前記薄膜を形成した各圧電素子を発振回路によりそれぞれ発振させて、前記各圧電素子から出力される周波数の変化を測定し、薄膜上での化学反応量を検出できるようにした検出装置において、前記圧電素子の基準周波数を前記薄膜の種類毎に異なる基準周波数とし、前記圧電素子の基準周波数を測定することにより、薄膜の種類を特定できるようにしたことを特徴とする化学物質検出装置。On the surfaces of the plurality of piezoelectric elements, different types of thin films are formed for each of the piezoelectric elements, and each of the piezoelectric elements on which the thin films are formed is oscillated by an oscillation circuit, and a change in the frequency output from each of the piezoelectric elements is obtained. Measure, in a detection device that is capable of detecting the amount of chemical reaction on the thin film, by setting the reference frequency of the piezoelectric element to a different reference frequency for each type of the thin film, by measuring the reference frequency of the piezoelectric element, A chemical substance detection device characterized in that a type of a thin film can be specified. 前記圧電素子上に金属薄膜が形成され、前記金属薄膜を形成した各圧電素子を測定環境中に暴露して周波数の変化を測定し、測定環境中の腐食性物質または腐食性ガスの種類と濃度および/または前記金属薄膜の腐食量を計測できるようにした請求項1に記載の検出装置。A metal thin film is formed on the piezoelectric element, and each piezoelectric element on which the metal thin film is formed is exposed to a measurement environment to measure a change in frequency, and the type and concentration of a corrosive substance or corrosive gas in the measurement environment The detection device according to claim 1, wherein the amount of corrosion of the metal thin film can be measured. 前記圧電素子の基板表面上に導電性薄膜が形成され、該導電性薄膜面に圧電素子毎に異なる種類の金属薄膜が堆積され、前記金属薄膜を形成した各圧電素子を大気中に暴露して周波数の変化を測定し、大気中の腐食性物質または腐食性ガスについてその種類と濃度および/または金属薄膜の腐食量を計測できるようにした請求項1に記載の検出装置。A conductive thin film is formed on the substrate surface of the piezoelectric element, a different type of metal thin film is deposited for each piezoelectric element on the conductive thin film surface, and each of the piezoelectric elements on which the metal thin film is formed is exposed to the atmosphere. 2. The detection device according to claim 1, wherein a change in frequency is measured, and the type and concentration of the corrosive substance or corrosive gas in the atmosphere and / or the amount of corrosion of the metal thin film can be measured. 前記圧電素子の基板表面上に測定対象となる化学物質に特定的に結合する抗体を付着させ、抗体が付着した圧電素子を測定環境中に暴露して前記抗体と反応した化学物質の反応量を周波数変化として計測する請求項1記載の化学物質検出装置。An antibody that specifically binds to the chemical substance to be measured is attached to the substrate surface of the piezoelectric element, and the reaction amount of the chemical substance that has reacted with the antibody by exposing the piezoelectric element to which the antibody has been attached to the measurement environment is exposed. The chemical substance detection device according to claim 1, wherein the measurement is performed as a frequency change. 前記圧電素子の基板表面上に測定対象となる化学物質または前記化学物質の誘導体であるハプテンを付着させ、前記化学物質またはハプテンと反応した抗体の反応量を周波数変化として計測する請求項1記載の化学物質検出装置。The chemical substance to be measured or a hapten which is a derivative of the chemical substance is attached to the substrate surface of the piezoelectric element, and a reaction amount of an antibody reacted with the chemical substance or the hapten is measured as a frequency change. Chemical substance detection device. 前記圧電素子が水晶振動子または弾性表面波デバイスで構成されている請求項1から5のいずれかに記載の化学物質検出装置。The chemical substance detecting device according to claim 1, wherein the piezoelectric element is formed of a quartz oscillator or a surface acoustic wave device. 前記薄膜の種類毎に圧電素子基板の厚さを変えることにより、前記圧電素子の基準周波数を前記薄膜毎に異なる基準周波数とした請求項1から5のいずれかに記載の化学物質検出装置。The chemical substance detection device according to claim 1, wherein a reference frequency of the piezoelectric element is set to a different reference frequency for each of the thin films by changing a thickness of the piezoelectric element substrate for each type of the thin film. 前記薄膜の種類毎に薄膜の付着物量を変えることにより、前記圧電素子の基準周波数を前記薄膜毎に異なる基準周波数とした請求項1から5のいずれかに記載の化学物質検出装置。The chemical substance detection device according to claim 1, wherein a reference frequency of the piezoelectric element is set to a different reference frequency for each of the thin films by changing a deposit amount of the thin film for each type of the thin film. 圧電素子として弾性表面波デバイスを用いる請求項1から5のいずれかに記載の化学物質検出装置において、弾性表面波を励起させるくし歯状電極の電極周期を変化させることにより、前記圧電素子の基準周波数を前記薄膜毎に異なる基準周波数とした請求項1から5のいずれかに記載の化学物質検出装置。6. The chemical substance detection device according to claim 1, wherein a surface acoustic wave device is used as the piezoelectric element, and the reference period of the piezoelectric element is changed by changing an electrode period of the interdigital electrode for exciting the surface acoustic wave. The chemical substance detection device according to claim 1, wherein a frequency is set to a reference frequency different for each of the thin films. 前記圧電素子の周波数の変化に基づき計測された計測結果に基づき薄膜上での化学反応量を検出し、その化学種と濃度および/または化学物質の反応量を予め入力されたデータに基づき推定する演算処理装置と、該演算処理装置による各演算結果を表示する表示装置を備えた化学物質検出装置において、測定開始時に計測した初期周波数に基づき、圧電素子基板に付着させた薄膜の種類を特定し、自動的に演算処理のデータとして入力する動作および/または薄膜の種類を表示装置に表示する動作を実行することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の化学物質検出装置。A chemical reaction amount on the thin film is detected based on a measurement result measured based on a change in frequency of the piezoelectric element, and a chemical species and a concentration and / or a reaction amount of the chemical substance are estimated based on data input in advance. In a chemical substance detection device including an arithmetic processing device and a display device for displaying each operation result by the arithmetic processing device, the type of the thin film attached to the piezoelectric element substrate is specified based on the initial frequency measured at the start of the measurement. 6. The chemical substance detecting device according to claim 1, wherein the operation of automatically inputting the data as arithmetic processing data and / or the operation of displaying the type of the thin film on a display device are executed.
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