JP2004334565A - 自動フロアプラン決定方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】フロアプランのやり直しを減らすことによってフロアプランの処理時間を短縮することが可能な自動フロアプラン決定方法を得ること。
【解決手段】半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法であって、レジスタFと論理演算セルW〜Zを抽出する抽出ステップと、論理演算セルW〜Zの集合をクラスタセルとして生成するクラスタセル生成ステップと、クラスタセル内の論理演算セルW〜Zが近接配置するようクラスタセルおよびレジスタFの配置位置を決定する第1のセル配置ステップと、フロアプランを行う論理階層ブロックを選択する選択ステップと、論理階層ブロックを配置する領域を決定する階層ブロック配置配線領域決定ステップとからなる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は自動フロアプラン決定方法に関するものであり、特に、半導体集積回路装置における回路配置を効率よく行うためのフロアプラン決定方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路装置の製造工程における微細化技術の進化に伴い、1チップに搭載できるセル数が増加する傾向にある。そして、セル数の増加に伴い、半導体集積回路装置のフロアプランといわれるレイアウト設計がますます複雑となり、重要となってきている。このため、半導体集積回路装置のフロアプランを容易かつ短時間で行い、半導体集積回路装置の設計期間を短縮することが望まれている。
【0003】
半導体集積回路装置の設計においては、論理設計が終了した後セルの配置等を行うフロアプラニングがなされる。従来のフロアプラン決定方法では、まず論理階層ブロック毎にチップ上の領域を決定し、それぞれの論理階層ブロックをその領域内で設計するといった階層設計手法が用いられる。
【0004】
このような階層設計手法では、例えばセルの集合で構成されている階層ブロックの情報を示す論理階層ブロック情報やセル端子間の接続情報を定義した回路接続情報、半導体集積回路装置を作りこむシリコン基板等の情報を示すチップ基板情報やセル内の物理的な構造(大きさ、形状)を示すセル構造情報等からなるライブラリデータをフロアプランを行うためのコンピュータに読み込む。この後、設計者はフロアプランを行う論理階層ブロックを選択し、この論理階層ブロックの配置配線領域(レイアウト領域)を決定する。
【0005】
論理階層ブロックの配置配線領域内ではセルの配置やセル端子間の配線がなされる。そして、最終的に得られた配置配線結果に基づいてシミュレーション(回路動作の検証)を行い、遅延等の問題が生じた場合は配置配線領域を修正するため再度フロアプランを行うという作業を繰り返している。
【0006】
しかしながら、このようなフロアプラン決定方法による階層ブロックの配置配線領域の決定は設計者によってなされるものであるため、シミュレーションの結果によってはフロアプランのやり直しが多くなり設計時間が長くなるという問題があった。そこで、設計時間短縮のためにこのフロアプランを容易にし、階層ブロックの配置配線領域のやり直しを減らすことが望まれる。
【0007】
特許文献1に記載のフロアプラン決定方法では、まず同一機能を実現するセル毎にグループ分けを行っている。つぎに、グループ間の配線を仮想的に決定し、このグループ間の配線に基づいて機能シミュレーションを行っている。そして、駆動セルの駆動能力が不十分な駆動セルに対しては駆動セルの変更を行っている。これによってフロアプランのやり直し(配置配線処理の回数)を減らしている。
【0008】
【特許文献1】
特開平6−204437号公報(第3項)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の技術によれば駆動セルの駆動能力が不十分な場合、論理シミュレーションの前において駆動セルの変更を行うため多数の駆動セルを変更させる必要が生じる。また、駆動セルの変更だけでは、フロアプランのやり直しの回数を減らすことが不十分であるという問題があった。
【0010】
この発明は上記に鑑みてなされたものであって、フロアプランのやり直しを減らすことによって最適なフロアプランを短時間で生成することが可能な自動フロアプラン決定方法を得ることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる自動フロアプラン決定方法にあっては、半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法であって、設計対象の半導体集積回路装置内のレジスタと論理演算セルを抽出する抽出ステップと、前記論理演算セルに直接または他の論理演算セルを介して信号を入力する可能性のある第1のレジスタの集合および前記論理演算セルから直接または他の論理演算セルを介して信号が入力される可能性のある第2のレジスタの集合を抽出し、該抽出結果に基づいて前記論理演算セルの集合をクラスタセルとして生成するクラスタセル生成ステップと、クラスタセル内の論理演算セルが近接配置するよう前記クラスタセルおよび前記レジスタの配置位置を決定する第1のセル配置ステップと、半導体集積回路装置内の前記論理演算セルおよび前記レジスタの集合で構成される任意の論理階層ブロックの中からフロアプランを行う論理階層ブロックをフロアプラニング対象ブロックとして選択する選択ステップと、前記第1のセル配置ステップの結果に基づいて、前記選択された各論理階層ブロックの配置配線領域がその論理階層ブロックに属するセルをできるだけ多く含むように配置配線領域を決定する階層ブロック配置配線領域決定ステップと、を備えることを特徴とする。
【0012】
この発明によれば、各論理演算セルに対して信号出力レジスタ(第1のレジスタ)と信号入力レジスタ(第2のレジスタ)に基づいてクラスタセルを生成抽出し、このクラスタセルを1つの単位としてセル配置を行うため、信号出力レジスタと信号入力レジスタの両方が共通する論理演算セル同士は近接配置される。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる自動フロアプラン決定方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【0014】
実施の形態1.
図1〜4に従ってこの発明の実施の形態1について説明する。図1はこの発明の実施の形態1にかかる自動フロアプラン決定方法の手順を示すフローチャートである。
【0015】
まず、フロアプランを行うための例えばパーソナルコンピュータにセルの集合で構成されている階層ブロックの情報を示す論理階層ブロック情報やセル端子間の接続情報を定義した回路接続情報、半導体集積回路装置を作りこむシリコン基板等の情報を示すチップ基板情報やセル内の物理的な構造(大きさ、形状)を示すセル構造情報等のライブラリデータを読み込む(ステップS100)。
【0016】
回路接続情報から、一時的にデータを保持するレジスタ、論理回路を構成する論理演算セルを抽出する。なお、半導体集積回路装置の外部と内部回路との信号の入出力を行うための入出力セルもレジスタの1つとみなしてレジスタとともに抽出しておく(ステップS200)。
【0017】
ここで、ステップS100においては、図2に示すようなレジスタや論理演算セルが抽出されたものとする。図2は、この発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路装置を搭載する回路基板10のレイアウト構成の一例を示す図である。図2において、回路基板10は回路基板10と半導体集積回路装置の内部回路との信号の入出力を行う入出力セルP1〜P6、フリップフロップ等のレジスタF1〜F6、論理回路を構成する論理演算セルW1〜W3,X1〜X3,Y1〜Y3,Z1〜Z3で構成されている。そして、論理演算セルW1〜W3,X1〜X3とレジスタF1,F4が1つの論理階層ブロック20を構成し、論理演算セルY1〜Y3,Z1〜Z3とレジスタF2,F3,F5,F6が1つの論理階層ブロック20を構成している。
【0018】
入出力セルは、基板上に配置されレジスタや論理演算セルと電気的に接続されている。この実施の形態1においては、入出力セルP2からの信号をレジスタF2に入力し、入出力セルP3からの信号をレジスタF3に入力する構成となっている。また、レジスタF4は入出力セルP4に信号を出力し、レジスタF5は入出力セルP5に信号を出力し、レジスタF6は入出力セルP6に信号を出力する構成となっている。また、入出力セルP1からの信号を論理演算セルW3に入力する構成となっている。
【0019】
また、レジスタF1〜F6は、入出力セルP1〜P6や論理演算セルW1〜W3,X1〜X3,Y1〜Y3,Z1〜Z3と電気的に接続されている。
【0020】
論理演算セルは、レジスタとレジスタの間に複数配置されており、1つのレジスタからの入力信号を他のレジスタへ出力する。ここでは、レジスタF1とレジスタF4の間に論理演算セルX1、論理演算セルX2、論理演算セルX3を配置するとともに、レジスタF4とレジスタF1の間に論理演算セルW1、論理演算セルW2、論理演算セルW3を配置している。また、レジスタF2とレジスタF5の間に論理演算セルY1、論理演算セルY2、論理演算セルY3を配置し、レジスタF3とレジスタF6の間に論理演算セルZ1、論理演算セルZ2、論理演算セルZ3を配置している。さらに、論理演算セルZ1からの信号は論理演算セルY2に入力され、論理演算セルY2からの入力は論理演算セルX3にも入力されている。
【0021】
つぎに、1つの論理演算セルに対して直接または他の論理演算セルを介して信号を供給する可能性のあるレジスタ(請求項に記載の第1のレジスタに対応)の集合(以下、信号出力レジスタという)を論理演算セル毎に抽出するとともに、論理演算セルから直接または他の論理演算セルを介して信号が供給される可能性のあるレジスタ(請求項に記載の第2のレジスタに対応)の集合(以下、信号入力レジスタという)を論理演算セル毎に抽出する。なお、入出力セルを信号出力レジスタや信号入力レジスタの対象としてもよいし、対象から除外してもよい。本実施の形態1においては、入出力セルも信号出力レジスタや信号入力レジスタの対象とした場合について説明する。したがって、入出力セルP1〜P6も信号出力レジスタや信号入力レジスタの対象となる。
【0022】
例えば、論理演算セルX1はレジスタF1から信号が供給される可能性があるためレジスタF1を論理演算セルX1の信号出力レジスタとして抽出し、論理演算セルX1はレジスタF4へ信号を供給する可能性があるためレジスタF4を論理演算セルX1の信号入力レジスタとして抽出する。また、論理演算セルX3においてはレジスタF1、レジスタF2、レジスタF3から信号が供給される可能性があるためレジスタF1、レジスタF2、レジスタF3を論理演算セルX3の信号出力レジスタとして抽出し、論理演算セルX3はレジスタF4へ信号を供給する可能性があるためレジスタF4を論理演算セルX3の信号入力レジスタとして抽出する。そして、このような抽出を全論理演算セルに対して行う。
【0023】
そして、1つの論理演算セルと他の論理演算セルの間で、信号出力レジスタと信号入力レジスタの両方が共通する場合、これらの論理演算セルを1つのクラスタセルとして生成抽出する(ステップS300)。例えば、論理演算セルZ2と論理演算セルZ3は共にレジスタF3が信号出力レジスタであり、共にレジスタF6が信号入力レジスタである。したがって、論理演算セルZ2と論理演算セルZ3は1つのクラスタセルとして生成抽出されることとなる。ここでは同様に、論理演算セルX1と論理演算セルX2、論理演算セルW1と論理演算セルW2がそれぞれ1つのクラスタセルとして生成抽出されることとなる。
【0024】
なお、他の論理演算セルに対して、信号出力レジスタと信号入力レジスタの両方が共通する論理演算セルがない場合は、この論理演算セルは単独で1つのクラスタセルとする。例えば、論理演算セルX3に対して信号出力レジスタと信号入力レジスタの両方が共通する論理演算セルがないため論理演算セルX3は単独で1つのクラスタセルを構成する。
【0025】
つぎに、生成抽出されたクラスタセルとレジスタの配置を行う(ステップS400)。ここで、ステップS300で生成抽出されたクラスタセルは複数の論理演算セルから生成されたものであっても1つのセルとして取り扱う。したがって、クラスタセルを生成する論理演算セルW1と論理演算セルW2、論理演算セルX1と論理演算セルX2、論理演算セルZ2と論理演算セルZ3はそれぞれ近接配置されることとなる。
【0026】
図3は、クラスタセルを生成抽出した後にクラスタセルとレジスタの配置を行った半導体集積回路装置を搭載する回路基板10のレイアウト構成を示した図である。図3において、論理演算セルW1と論理演算セルW2、論理演算セルX1と論理演算セルX2、論理演算セルZ1と論理演算セルZ2はそれぞれ1つのクラスタセルを構成している。その他の論理演算セルW3,X3,Y1〜Y3,Z1はそれぞれが単独でクラスタセルとなっている。そして、1つのクラスタセルを構成している論理演算セルW1と論理演算セルW2、論理演算セルX1と論理演算セルX2、論理演算セルZ1と論理演算セルZ2はそれぞれ近接配置されている。
【0027】
このような配置結果から、フロアプランの対象とする任意の階層ブロックを選択する(ステップS500)。ここでは、論理演算セルW1〜W3,X1〜X3とレジスタF1,F4からなる論理階層ブロック20と、論理演算セルY1〜Y3,Z1〜Z3とレジスタF2,F3,F5,F6からなる論理階層ブロック20の両方を選択している。通常、階層ブロックの配置配線領域は他の配置配線領域と重なりがなく、さらに矩形状をしている必要がある。したがって、それぞれの階層ブロック内のセルをできるだけ多く含むように配置配線領域を決定する(ステップS600)。
【0028】
図4は、図3で示したクラスタセルとレジスタの配置結果から決定された配置配線領域を示す図である。図4においては、論理演算セルW1〜W3,X1〜X3、レジスタF1,F2からなる論理階層ブロック20と論理演算セルY1〜Y3,Z1〜Z3とレジスタF2,F3,F5,F6からなる論理階層ブロック20はそれぞれの階層ブロックが矩形状となるよう配置配線領域が決定されている。
【0029】
つぎに、この配置配線領域においてセルの配置配線や回路構成等を最適化する(ステップS700)。このようにして得られた配置配線や回路構成の結果をシミュレーションによって検証し(ステップS800)、問題が無ければフロアプランを終了する。なお、シミュレーションによって配置配線や回路構成が最適化されていないと判断された場合はステップS400〜700のいずれかに戻ってステップS400〜ステップS700の処理を繰り返す。
【0030】
フロアプラン作成用のコンピュータに回路接続情報中の論理階層ブロック20と生成されたクラスタセルの関係を記憶させておき、グラフィックウィンドウ上において表示することもできる。例えば、このグラフィックウィンドウ上で論理階層ブロック20を選択すればクラスタセルを強調表示し、クラスタセルを選択すれば論理階層ブロック20を強調表示するようにしてフロアプランを行ってもよい。さらに、この実施の形態1にかかるフロアプランにおいて設計者が手作業で修正を加えながら所望のフロアプランを行えるようにしてもよい。
【0031】
このように実施の形態1によれば、各論理演算セルに対して信号出力レジスタと信号入力レジスタに基づいてクラスタセルを生成抽出し、このクラスタセルを1つの単位としてセル配置を行うため、信号出力レジスタと信号入力レジスタの両方が共通する論理演算セル同士は近接配置される。したがって、フロアプランの配置配線処理において高速動作可能なチップ設計を容易かつ短時間で行うことができる。さらに、セル配置の対象となるセル数が少なくなるためフロアプランの配置配線処理において高速動作可能なチップ設計を容易かつ短時間で行うことができる。
【0032】
実施の形態2.
図2および図5に従ってこの発明の実施の形態2について説明する。図5はこの発明の実施の形態2にかかる自動フロアプラン決定方法の手順を示すフローチャートである。
【0033】
まず、フロアプランを行うための例えばパーソナルコンピュータに回路接続情報、ライブラリデータを読み込み(ステップS100)、回路接続情報からレジスタ(入出力セル)、論理演算セルを抽出する。
【0034】
つぎに、論理演算セル毎に信号出力レジスタと信号入力レジスタを抽出する(ステップS200)。本実施の形態2においても図2に示す実施の形態1の半導体集積回路装置と同じレジスタや論理演算セルが抽出されたものとする。
【0035】
本実施の形態2においては、1つの論理演算セルに対する信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合を論理演算セル毎にとり、この和集合が共通する論理演算セルを1つのクラスタセルとして生成抽出する(ステップS310)。
【0036】
例えば、論理演算セルW1と論理演算セルW2の信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合はともに{レジスタF1,レジスタF4}で一致している。同様に、論理演算セルX1と論理演算セルX2の信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合はともに{レジスタF1,レジスタF4}で一致している。したがって、論理演算セルW1,W2は1つのクラスタセルを構成し,論理演算セルX1,X2は1つのクラスタセルを構成することとなる。
【0037】
さらに、論理演算セルZ2と論理演算セルZ3の信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合はともに{レジスタF3,レジスタF6}で一致している。したがって、論理演算セルZ2と論理演算セルZ3は1つのクラスタセルを構成することになる。この後、図1の実施の形態1にかかる自動フロアプラン決定方法と同じ手順でフロアプランを行い、フロアプランを終了する(ステップS400〜800)。
【0038】
このように実施の形態2によれば、各論理演算セルに対して信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合をとり、この和集合が共通する論理演算セルを1つのクラスタセルとして生成抽出し、このクラスタセルを1つの単位としてセル配置を行うため、信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合が共通する論理演算セル同士は近接配置される。したがって、フロアプランの配置配線処理において高速動作可能なチップ設計を容易かつ短時間で行うことができる。さらに、セル配置の対象となるセル数が少なくなるためフロアプランの配置配線処理において高速動作可能なチップ設計を容易かつ短時間で行うことができる。
【0039】
実施の形態3.
図2および図6〜図8に従ってこの発明の実施の形態3について説明する。図6はこの発明の実施の形態3にかかる自動フロアプラン決定方法の手順を示すフローチャートである。
【0040】
まず、フロアプランを行うための例えばパーソナルコンピュータに回路接続情報、ライブラリデータを読み込み(ステップS100)、回路接続情報からレジスタ、論理演算セル、入出力セルを抽出する。なお、本実施の形態3においては、実施の形態1とは異なり入出力セルを信号出力レジスタや信号入力レジスタの対象とはしない場合について説明する。つぎに、論理演算セル毎に信号出力レジスタと信号入力レジスタを抽出する(ステップS200)。本実施の形態3においても図2に示す実施の形態1の半導体集積回路装置と同じレジスタや論理演算セルが抽出されたものとする。
【0041】
本実施の形態3においては、まず1つの論理演算セルに対する信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合を論理演算セル毎にとり、この和集合が共通する論理演算セルを1つのクラスタセルとして生成抽出する(ステップS310)。そして、この和集合をクラスタセルのレジスタ集合とした場合に、あるクラスタセルのレジスタ集合が他のクラスタセルのレジスタ集合の真部分集合になればこれら2つのクラスタセルをマージ(併合)して1つのクラスタセルとする(ステップS320)。
【0042】
例えば、論理演算セルW1と論理演算セルW2は、信号出力レジスタがレジスタF1で共通し、信号入力レジスタがレジスタF4で共通しており、信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合は{レジスタF1,レジスタF4}となる。したがって、論理演算セルW1と論理演算セルW2で構成されるクラスタセルのレジスタ集合は{レジスタF1,レジスタF4}となる。
【0043】
また、論理演算セルX1と論理演算セルX2は、信号出力レジスタがレジスタF4で共通し、信号入力レジスタがレジスタF1で共通しており、信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合は{レジスタF1,レジスタF4}となる。したがって論理演算セルX1と論理演算セルX2で構成されるクラスタセルのレジスタ集合は{レジスタF1,レジスタF4}となる。
【0044】
一方、論理演算セルX3は信号出力レジスタがレジスタF1、レジスタF2、レジスタF3であり信号入力レジスタがレジスタF4である。そして、信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合は{レジスタF1,レジスタF2,レジスタF3,レジスタF4}となり、クラスタセルのレジスタ集合も{レジスタF1,レジスタF2,レジスタF3,レジスタF4}となる。
【0045】
このように論理演算セルW1と論理演算セルW2からなるクラスタセルと論理演算セルX1と論理演算セルX2からなるクラスタセルのレジスタ集合は論理演算セルX3からなるクラスタセルのレジスタ集合の真部分集合となる。したがって、論理演算セルW1,W2からなるクラスタセルと論理演算セルX1,X2からなるクラスタセルは、論理演算セルX3からなるクラスタセルとマージされて論理演算セルW1,W2,X1〜X3からなる1つのクラスタセルが構成される。同様の手順によって論理演算セルY1と論理演算セルY2は1つのクラスタセルとなり、論理演算セルZ1、論理演算セルZ2、論理演算セルZ3も1つのクラスタセルを構成する。
【0046】
なお、ここでは例えば、論理演算セルW1〜W3,X1,X2を1つのクラスタセルとし、論理演算セルX3を1つのクラスタセルとしてもよい。さらに、論理演算セルY2と論理演算セルY3を1つのクラスタセルとしてもよい。この後、図1の実施の形態1にかかる自動フロアプラン決定方法と同じ手順を行い、フロアプランを終了する(ステップS400〜800)。
【0047】
図7は、この実施の形態3にかかるクラスタセルの生成抽出方法によって得られたクラスタセルとレジスタの配置を行った半導体集積回路装置を搭載する回路基板10のレイアウト構成を示した図である。
【0048】
図7において、論理演算セルW1,W2,X1〜X3は1つのクラスタセルを構成している。さらに、論理演算セルY1,Y2は1つのクラスタセルを構成し、論理演算セルZ1〜Z3も1つのクラスタセルを構成している。そして、論理演算セルW3、論理演算セルY3はそれぞれが単独でクラスタセルとなっている。したがって、1つのクラスタセルを構成する論理演算セルW1,W2,X1〜X3はそれぞれ近接配置されることとなる。同様に1つのクラスタセルを構成する論理演算セルY1,Y2と1つのクラスタセルを構成する論理演算セルZ1〜Z3もそれぞれ近接配置されることとなる。なお、ステップS320の処理を繰り返すことによってさらにマージを行ってもよい(ステップS330)。
【0049】
図7において、論理演算セルW1,W2,X1〜X3で構成されるクラスタセルのレジスタ集合は{レジスタF1,レジスタF2,レジスタF3,レジスタF4}であり、論理演算セルW3からなるクラスタセルのレジスタ集合は{レジスタF1,レジスタF4}である。したがって、論理演算セルW3からなるクラスタセルのレジスタ集合は、論理演算セルW1,W2,X1〜X3からなるクラスタセルのレジスタ集合の部分集合となり、論理演算セルW1〜W3,X1〜X3は1つのクラスタセルを構成することとなる。同様に、論理演算セルY1〜Y3は1つのクラスタセルを構成し、論理演算セルZ1〜Z3は1つのクラスタセルを構成する。
【0050】
図8は、この実施の形態3にかかるクラスタセルの生成抽出方法によって得られたクラスタセルとレジスタの配置を行った半導体集積回路装置を搭載する回路基板10のレイアウト構成を示した図である。
【0051】
図8において、論理演算セルW1〜W3,X1〜X3は1つのクラスタセルを構成している。したがって、1つのクラスタセルを構成する論理演算セルW1〜W3,X1〜X3はそれぞれ互いに近接配置されることとなる。さらに、1つのクラスタセルを構成する論理演算セルY1〜Y3は互いに近接配置され、1つのクラスタセルを構成する論理演算セルZ1〜Z3も互いに近接配置されることとなる。この後、図1の実施の形態1にかかる自動フロアプラン決定方法と同じ手順でフロアプランを行い、フロアプランを終了する(ステップS400〜800)。
【0052】
このように実施の形態3によれば、1つの論理演算セルに対する信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合をとり、この和集合が共通する論理演算セルを1つのクラスタセルとして生成抽出し、さらにこの和集合をクラスタセルのレジスタ集合とした場合に、あるクラスタセルのレジスタ集合が他のクラスタセルのレジスタ集合の真部分集合になればこれら2つのクラスタセルをマージ(併合)して1つのクラスタセルとしている。したがって、1つのクラスタセルを構成する論理演算セルは近接配置されるため、フロアプランの配置配線処理において高速動作可能なチップ設計を容易かつ短時間で行うことができる。さらに、セル配置の対象となるセル数が少なくなるためフロアプランの配置配線処理において高速動作可能なチップ設計を容易かつ短時間で行うことができる。
【0053】
実施の形態4.
図2、図9および図10に従ってこの発明の実施の形態4について説明する。図9はこの発明の実施の形態4にかかる自動フロアプラン決定方法の手順を示すフローチャートである。
【0054】
まず、フロアプランを行うための例えばパーソナルコンピュータに回路接続情報、ライブラリデータを読み込み(ステップS100)、回路接続情報からレジスタ、論理演算セル、入出力セルを抽出する。なお、本実施の形態3においては、実施の形態1と同様に入出力セルを信号出力レジスタや信号入力レジスタの対象とする場合について説明する。つぎに、論理演算セル毎に信号出力レジスタと信号入力レジスタを抽出する(ステップS200)。
【0055】
本実施の形態4においても図2に示す実施の形態1の半導体集積回路装置と同じレジスタや論理演算セルが抽出されたものとする。本実施の形態4においては、接続回路において伝播信号速度を考慮する必要のないフォールスパスを除外して和集合を求める。
【0056】
例えば、レジスタF3からレジスタF6への信号がフォールスパスであるとする。この場合、フォールスパス上の信号接続は接続されていないものとみなして除外しておく(ステップS305)。ここでは、レジスタF3からレジスタF6への信号がフォールスパスであるため論理演算セルZ1から論理演算セルZ2への信号、論理演算セルZ2から論理演算セルZ3への信号、論理演算セルZ3からレジスタF6への信号は無いものとして扱う。
【0057】
ここでは、論理演算セルZ1を流れる可能性のある信号はレジスタF3から論理演算セルZ1、論理演算セルY2、論理演算セルY3を介してレジスタF5へ流れる信号と、レジスタF3から論理演算セルZ1、論理演算セルY2、論理演算セルX3を介してレジスタF4へ流れる信号だけとなる。したがって、論理演算セルZ1に対する信号出力レジスタはレジスタF3となり、論理演算セルZ1に対する信号入力レジスタはレジスタF4とレジスタF5になる。さらに、論理演算セルX3の信号入力レジスタと信号出力レジスタの和集合は{レジスタF3,レジスタF4,レジスタF5}となる。
【0058】
この場合において、実施の形態3と同じ手順でクラスタセルを生成する。まず各論理演算セルに対して信号出力レジスタと信号入力レジスタの和集合をとり、この和集合が共通する論理演算セルを1つのクラスタセルとして生成抽出する(ステップS310)。そして、この和集合をクラスタセルのレジスタ集合とした場合に、あるクラスタセルのレジスタ集合が他のクラスタセルのレジスタ集合の真部分集合になればこれら2つのクラスタセルをマージ(併合)して1つのクラスタセルとする(ステップS320)。さらに、ステップS320の処理を繰り返すことによってさらにマージを行う(ステップS330)。
【0059】
図10は、この実施の形態4にかかるクラスタセルの生成抽出方法によって得られたクラスタセルとレジスタの配置を行った半導体集積回路装置を搭載する基板のレイアウト構成を示した図である。
【0060】
図10において、論理演算セルY1〜Y3,Z1は1つのクラスタセルを構成している。したがって、1つのクラスタセルを構成する論理演算セルY1〜Y3,Z1はそれぞれ互いに近接配置されることとなる。また、論理演算セルZ2と論理演算セルZ3それぞれ単独で1つのクラスタセルを構成することとなる。さらに、論理演算セルW1,W2,X1〜X3は1つのクラスタセルを構成し、1つのクラスタセルを構成する論理演算セルW1,W2,X1〜X3はそれぞれ互いに近接配置されることとなる。この後、図1の実施の形態1にかかる自動フロアプラン決定方法と同じ手順でフロアプランを行い、フロアプランを終了する(ステップS400〜800)。
【0061】
このように実施の形態4によれば、フォールスパス上の信号接続は接続されていないものとみなしてクラスタセルの生成を行うため、タイミングを考慮すべき信号線で接続された論理演算セル同士が1つのクラスタセルを構成する。したがって、タイミングを考慮する必要のある論理演算セルは近接配置されることとなる。したがって、フロアプランの配置配線処理において高速動作可能なチップ設計を容易かつ短時間で行うことができる。さらに、セル配置の対象となるセル数が少なくなるためフロアプランの配置配線処理において高速動作可能なチップ設計を容易かつ短時間で行うことができる。
【0062】
実施の形態5.
図11に従ってこの発明の実施の形態5について説明する。図11はこの発明の実施の形態5にかかる自動フロアプラン決定方法の手順を示すフローチャートである。
【0063】
まず、フロアプランを行うための例えばパーソナルコンピュータに回路接続情報、ライブラリデータを読み込み(ステップS100)、回路接続情報からレジスタ、論理演算セルを抽出する。つぎに、論理演算セル毎に信号出力レジスタと信号入力レジスタを抽出する(ステップS200)。本実施の形態6においても図2に示す実施の形態1の半導体集積回路装置と同じレジスタや論理演算セルが抽出されたものとする。
【0064】
本実施の形態5においては、例えば、実施の形態1で説明したように他の論理演算セルに対して、信号出力レジスタと信号入力レジスタの両方が共通する論理演算セルを1つのクラスタセルとして生成抽出する(ステップS300)。
【0065】
つぎに、生成抽出されたクラスタセルとレジスタの配置を行う(ステップS400)。このとき、クラスタセルを構成する論理演算セルの合計サイズに上限値を設けておき(ステップS410)、この上限値を超えるようなクラスタセル内の論理演算セルを分割する(ステップS420)。ここでの分割は、クラスタセル内の論理演算セルがどのレジスタの近くに配置されるべきかによって分割の仕方を決定する。
【0066】
例えば、図8に示す論理演算セルW1〜W3,X1〜X3からなるクラスタセルの合計サイズが所定の上限値より大きく、このクラスタセルを分割する場合について説明する。例えば、レジスタF1の近くに配置されるべき論理演算セルとして論理演算セルW3,X1,X2を選択し、レジスタF4の近くに配置されるべき論理演算セルとして論理演算セルW1,W2,X3を選択すれば論理演算セルW3,X1,X2からなるクラスタセルと論理演算セルW1,W2,X3からなるクラスタセルの2つのクラスタセルに分割することができる。そして、生成抽出されたクラスタセルとレジスタの配置を改めて行う(ステップS400)。
【0067】
なお、本実施の形態5におけるクラスタセルの抽出方法は実施の形態1で説明したクラスタセルの生成抽出方法に限定されるものではなく、実施の形態2〜4で説明したクラスタセルの生成抽出方法によって生成抽出してもよい。この後、図1の実施の形態1にかかる自動フロアプラン決定方法と同じ手順を行い、フロアプランを終了する(ステップS500〜S800)。
【0068】
なお、ステップS400において所定サイズ以上のクラスタセルを生成させないように制限を設けてもよい。これによってクラスタセルの分割や分割後のクラスタセルの再配置の処理は行わなくてもよいこととなる。
【0069】
このように実施の形態5によれば、生成抽出されるクラスタセルを構成する論理演算セルの合計サイズに上限を設けるとともに所定サイズ以上のクラスタセルをレジスタとの位置関係に基づいて分解しているため、生成抽出されるクラスタセルのサイズが均等化され、クラスタセルとレジスタの配置処理を容易に行える。したがって、フロアプランを得るための時間を短縮することができ、半導体集積回路装置の設計時間を短縮することができる。さらに、セル配置の対象となるセル数が少なくなるためフロアプランの配置配線処理において高速動作可能でかつ良質なチップ設計を容易かつ短時間で行うことができる。
【0070】
【発明の効果】
以上説明したとおり、この発明によれば、信号出力レジスタと信号入力レジスタの両方が共通する論理演算セル同士は1つのクラスタセルを構成するため近接配置される。したがって、フロアプランの配置配線処理において高速動作可能なチップ設計を容易かつ短時間で行うことができ、半導体集積回路装置の設計時間の短縮を図ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1にかかる自動フロアプラン決定方法の手順を示すフローチャートである。
【図2】この発明の実施の形態1にかかるレイアウト構成の一例を示す図である。
【図3】クラスタセルを生成抽出した後にクラスタセルとレジスタの配置を行った回路基板のレイアウト構成を示した図である。
【図4】図3で示したクラスタセルとレジスタの配置結果から決定された配置配線領域を示す図である。
【図5】この発明の実施の形態2にかかる自動フロアプラン決定方法の手順を示すフローチャートである。
【図6】この発明の実施の形態3にかかる自動フロアプラン決定方法の手順を示すフローチャートである。
【図7】この発明の実施の形態3にかかるクラスタセルを生成抽出した後の回路基板のレイアウト構成を示した図である。
【図8】この発明の実施の形態3にかかるクラスタセルを生成抽出した後の回路基板のレイアウト構成を示した図である。
【図9】この発明の実施の形態4にかかる自動フロアプラン決定方法の手順を示すフローチャートである。
【図10】この発明の実施の形態4にかかるクラスタセルを生成抽出した後の回路基板のレイアウト構成を示した図である。
【図11】この発明の実施の形態5にかかる自動フロアプラン決定方法の手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
10 回路基板、20 論理階層ブロック、30 クラスタセル、40 配置配線領域、F1〜F6 レジスタ、P1〜P6 入出力セル、W1〜W3,X1〜X3,Y1〜Y3,Z1〜Z3 論理演算セル。

Claims (11)

  1. 半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法であって、設計対象の半導体集積回路装置内のレジスタと論理演算セルを抽出する抽出ステップと、
    前記論理演算セルに直接または他の論理演算セルを介して信号を入力する可能性のある第1のレジスタの集合および前記論理演算セルから直接または他の論理演算セルを介して信号が入力される可能性のある第2のレジスタの集合を抽出し、該抽出結果に基づいて前記論理演算セルの集合をクラスタセルとして生成するクラスタセル生成ステップと、
    クラスタセル内の論理演算セルが近接配置するよう前記クラスタセルおよび前記レジスタの配置位置を決定する第1のセル配置ステップと、
    半導体集積回路装置内の前記論理演算セルおよび前記レジスタの集合で構成される任意の論理階層ブロックの中からフロアプランを行う論理階層ブロックをフロアプラニング対象ブロックとして選択する選択ステップと、
    前記第1のセル配置ステップの結果に基づいて、前記選択された各論理階層ブロックの配置配線領域がその論理階層ブロックに属するセルをできるだけ多く含むように配置配線領域を決定する階層ブロック配置配線領域決定ステップと、
    を備えることを特徴とする半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法。
  2. 前記第1のレジスタの集合および前記第2のレジスタの集合には外部と半導体集積回路装置内の信号の入出力を行う入出力セルを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法。
  3. 前記クラスタセル生成ステップは、
    回路接続中の信号伝播速度を考慮する必要のない信号を除外して、前記第1のレジスタの集合および前記第2のレジスタの集合を抽出することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法。
  4. 前記クラスタセル生成ステップは、
    前記論理演算セルに対する前記第1のレジスタの集合および前記第2のレジスタの集合の両方が互いに共通する論理演算セルをまとめて1つのクラスタセルとすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法。
  5. 前記クラスタセル生成ステップは、
    前記論理演算セルに対する前記第1のレジスタの集合と前記第2のレジスタの集合の和集合が互いに共通する論理演算セルをまとめて1つのクラスタセルとすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法。
  6. 前記クラスタセル生成ステップは、
    前記論理演算セルに対する前記第1のレジスタの集合と前記第2のレジスタの集合の和集合が他の論理演算セルに対する該和集合の真部分集合である場合に、これらの論理演算セルをまとめて1つのクラスタセルとすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法。
  7. 前記クラスタセル生成ステップは、
    1つのクラスタセルの前記和集合と、他のクラスタセルの前記和集合または前記論理演算セルの前記和集合とが真部分集合の関係にある場合に、
    前記1つのクラスタセルと前記他のクラスタセルまたは前記論理演算セルとをさらにまとめて1つのクラスタセルとする処理を繰り返すことを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法。
  8. 前記クラスタセル生成ステップは、
    前記クラスタセルに含まれる論理演算セルの合計サイズが所定のサイズ以下になるよう制限することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法。
  9. 前記セル配置ステップの後であって前記選択ステップ前に、
    前記クラスタセルに含まれる論理演算セルの合計サイズが所定のサイズ以上であった場合、該クラスタセルを分割して改めてクラスタセル内の論理演算セルが近接配置するよう前記クラスタセルおよび前記レジスタの配置位置を決定する第2のセル配置ステップをさらに備えることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法。
  10. 前記第2のセル配置ステップは、前記第1のセル配置ステップによって配置されたレジスタとクラスタセルの位置関係に基づいて前記クラスタセルを分割することを特徴とする請求項9に記載の半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法。
  11. 前記クラスタセル生成ステップ、前記第1のセル配置ステップまたは前記第2のセル配置ステップは、
    前記論理階層ブロックおよび前記クラスタセルの関係を記憶して画面に表示し、
    前記表示画面上の前記論理階層ブロックまたは前記クラスタセルの一方を選択することによって他方を該画面上で強調して表示しながら処理することを特徴とする請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体集積回路装置の自動フロアプラン決定方法。
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