JP2004327971A

JP2004327971A - 配線板、配線板の製造方法および電子機器

Info

Publication number: JP2004327971A
Application number: JP2004100094A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Tomita; 佳宏冨田; Sadashi Nakamura; 禎志中村; Yukihiro Ishimaru; 幸宏石丸; Yasuhiro Sugaya; 康博菅谷; Kazuyoshi Honda; 和義本田; Yoshiyuki Okazaki; 禎之岡崎
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-04-03
Filing date: 2004-03-30
Publication date: 2004-11-18

Abstract

【課題】限られた面積で複数の回路基板と高密度に接続することができる配線板、配線板の製造方法および電子機器を提供する。
【解決手段】配線板１００は、信号を伝送する１個以上の配線をそれぞれ含む複数の導体層１Ａ〜１Ｇと、導体層１Ａ〜１Ｇを絶縁する複数の絶縁層２とを備え、導体層１Ａ〜１Ｇと絶縁層２とが交互に積層され、複数の導体層１Ａ〜１Ｇの両端の少なくとも一方に端子１ＡＴ〜１ＧＴがそれぞれ形成され、端子１Ａ〜１Ｇは、導体層１Ａ〜１Ｇと絶縁層２との積層構造の断面形状において絶縁層２を介して階段状に形成される。
【選択図】図６Ａ

Description

本発明は、回路基板を相互に電気接続する配線板、その製造方法およびこれを用いた電子機器に関する。

携帯電話、ノートパソコン、ＰＤＡおよびデジタルビデオカメラ等のモバイル電子機器は、小型・薄型・軽量化が急速に進んでいる。さらに高性能化、多機能化に対する要求も著しい。このため、半導体デバイス、回路部品の超小型化、およびこれらの実装技術の高密度化が飛躍的に進展している。

半導体デバイス分野では複数の半導体チップのワンパッケージ化およびモジュール化が進んでいる。このような高集積化によりピン数も増加傾向にある。また回路部品分野ではチップサイズが０．６×０．３ｍｍ（０６０３）から０．４×０．２ｍｍ（０４０２）へと極小化している。

これらの半導体チップおよび回路部品を高密度に実装する高密度回路基板が多く供給されてきている。この高密度回路基板は、搭載ＩＣの高速化、小型化および入出力端子数を増やす高密度化への対応が要求されている。このような高密度回路基板上に形成された入出力端子を如何に高い信頼性を備えて他の回路基板に接続するかが重要な課題となってきている。

例えば２つの構成体を含み、折り畳み可能に構成されるノートパソコンや携帯電話等では、その２つの構成体のそれぞれの回路基板に微細な配線ピッチで形成された入出力端子を、高い接続信頼性を備えて相互に電気的に接続するとともに屈曲に耐え得る材料および構造を備えた接続用の配線板が必要となる。

この様な必要性に対して従来は例えば、ポリイミドフィルムによって形成されたフレキシブル基板の片面または両面に複数の配線をパターンニングし、その両端に接続端子を形成した配線板によって対応してきた。

特許文献１（特開２００２−１３４８４５号公報）には、従来の配線板が開示されている。図３２は従来のフレキシブル配線板９０の構成を示す平面図であり、図３３はその部分斜視図である。フレキシブル配線板９０は、例えば折り畳み式携帯電話の２つの構成体に設けられた２枚の回路基板を接続する。フレキシブル配線板９０には、絶縁基板９１が設けられている。絶縁基板９１は、携帯電話の折り畳み動作時における屈曲応力の集中を避けるための形状をしている。絶縁基板９１の上には、複数の配線９３が所定のピッチを開けて互いに平行に形成されている。各配線９３の両端には、端子９２が設けられている。このようなフレキシブル配線板９０は、例えばサブトラクティブ法（エッチング法）によって形成する。

回路基板の入出力端子の多端子化に応じて配線９３の数を増加させようとすると、絶縁基板９１の両面に配線９３を形成するか、または配線９３のピッチを微細化する必要がある。
特開２００２−１３４８４５号公報（第６頁、図１）

前述したように、機器やシステムの進展に伴って、配線板には、より多くの配線を高密度に収める要求が高まっている。このため、前述した従来の配線板の構成のように、いかに微細な配線を形成して多数の配線を１層の中に収めるかが配線板を開発、製造する当業者の課題になっている。当業者は、このような配線の微細化のための工法の開発競争の只中にある。

しかしながら本発明者は、配線板を開発、製造する当業者が常識としている配線の微細化という方向に立ちはだかる次に掲げる課題に新たに着目した。

（１）配線９３の数を増加させると、配線９３の両端に形成する端子９２の数が増加するので配線板の大面積化を招く。このため、複数の回路基板と限られた面積で高密度に接続することができない。

（２）配線９３のピッチを微細化し、絶縁基板９１の両面へ配線９３を形成しても、限られた面積内で配線を高密度化するには限界がある。

（３）高周波信号を伝送する場合、配線９３を構成する導体の表皮効果により、例えば５００ＭＨｚの信号を伝送するために必要な導体の表皮の深さは３μｍ、１ＧＨｚの信号を伝送する場合の表皮の深さは２μｍとなる。従来の配線板に形成された配線９３の導体厚は約４０μｍであるので、約４０μｍのうち２〜３μｍしか高周波信号の伝送のために利用されていない。従って、高周波信号を伝送する導体の断面積当たりの伝送利用効率が悪い。

（４）携帯電話の折り畳み動作時における屈曲応力の集中を避けるために配線板の形状が複雑となり、配線距離が長くなる。

（５）配線板が、配線数、端子構造および配線板の形状に応じた専用品とならざるを得ないので、製造コストの上昇原因となる。

本発明の目的は、これらの配線の微細化の課題に着目し、配線の微細化とは異なる観点から、限られた面積で複数の回路基板と高密度に接続することができる配線板、配線板の製造方法および電子機器を提供することにある。

本発明に係る配線板は、信号を伝送する１個以上の配線をそれぞれ含む複数の導体層と、前記導体層を絶縁する複数の絶縁層とを備え、前記導体層と前記絶縁層とが交互に積層され、前記複数の導体層それぞれの両端の少なくとも一方に端子を備える配線板において、前記端子は、前記導体層と前記絶縁層との積層構造の断面形状において前記絶縁層を介して階段状に形成されることを特徴とする。

本発明に係る配線板の製造方法は、信号を伝送する１個以上の配線をそれぞれ含む複数の導体層と、前記導体層を絶縁する複数の絶縁層とを備え、前記導体層と前記絶縁層とが交互に積層され、前記複数の導体層のそれぞれの両端の少なくとも一方に端子を備える配線板の製造方法において、前記導体層と前記絶縁層との積層構造の断面形状において前記絶縁層を介して階段状に前記端子を形成することを特徴とする。

本発明に係る配線板の他の製造方法は、信号を伝送する１個以上の配線をそれぞれ含む複数の導体層と、前記導体層を絶縁する複数の絶縁層とを備え、前記導体層と前記絶縁層とが交互に積層される配線板の製造方法において、大気圧よりも減圧された雰囲気で前記導体層と前記絶縁層とを形成することを特徴とする。

本発明に係る電子機器は、複数の回路基板と、前記回路基板を接続する配線板とを備えた電子機器において、前記配線板が、本発明に係る配線板であることを特徴とする。

本発明によれば、限られた面積で複数の回路基板と高密度に接続することができる配線板、配線板の製造方法および電子機器を提供することができる。

本発明者らは、配線を微細化することによって多数の配線を高密度に配線板に収めるという当業者の常識を疑問視し、これに対して、多数の導電層を積層することによって多数の配線を高密度に配線板に収めることを積層コンデンサから新たに着想した。

特開平１１−１４７２７９号公報には、多数の誘電体層と電極層とを交互に積層した積層コンデンサが開示されている。誘電体層と電極層とは、コンデンサの容量を大きくするために極力薄く形成されており、誘電体層と電極層との積層数は１０００層に及ぶ。この積層コンデンサは、コンデンサとして機能すればよいため、電極層は、極性を交互に変えて積層しているだけであり、切り出した端面に露出した電極層に共通の外部電極を形成することによって電極層を引き出している。このため、各層の電極を個別に引き出すことはできないため、配線板に利用することは困難であった。具体的には、端面に露出した各電極層の積層ピッチは１μｍ未満なので、このように微細な電極ピッチの断面から各電極層ごとに個別の配線を引き出すことは極めて困難である。

そこで本発明者らは、幅広の信号配線を構成する薄膜導体層と、各導体層を絶縁する絶縁層とを交互に積層して多数の信号配線を高密度に収めることを可能とし、さらに各導体層の信号配線ごとに個別に端子を取り出す構成に新たに着目し、本実施の形態の配線板と他の回路基板、半導体および電子部品等との端子接続を容易にした。

信号配線を幅広にすることで、導体層を薄くしても配線抵抗が上昇せず、多数の導体層を積層しても薄い配線板を形成できる。各導体層の一端の表面を順番に階段状に露出させて、その露出面に端子を備えることで、各導電層ごとに容易に端子を形成できる。

従来の配線板のように微細な配線を用いると、配線を露出させても、その配線ピッチが細かいために端子部に大きなランドを設けないと、接続すべき他の回路基板との位置合せおよび接続自体が困難になる。また大きなランドを設けると、高密度配線化を阻害するという相反する課題が生じる。

これに対して本実施の形態では、幅の広い信号配線を用いているので、信号配線の表面をそのまま露出させれば、大きな端子を設けることができるので、他の回路基板との接続も容易になる。

また、多数の導体層を積層して信号配線を高密度化しているので、高密度配線化と相反せずに、露出した端子部の面積を広くとることができる。このため、従来の配線板のように微細なバイアホールを形成する必要がないので、大きな開口径で厚さの薄い、いわゆるアスペクト比の低いバイアホール接続およびバンプ接続が実現できる。このようなバイアホール接続等において、その厚さが開口径を超えるアスペクト比の高い接続では、安定な接続が確保できず、熱サイクル等による劣化が生じるため、信頼性の確保が難しくなる。これに対して本実施の形態では、アスペクト比の低いバイアホール接続およびバンプ接続が実現できるので、安定性および信頼性の高い接続が実現できる。また、導体層および絶縁層が薄いため、多数の配線を積層しても従来の配線板に比べて総厚さを格段に薄くできることも、このような低アスペクト比の接続を可能としている大きな要因である。

本実施の形態に係る配線板において、端子は、導体層と絶縁層との積層構造の断面形状において絶縁層を介して階段状に形成される。このため、階段状の端子によって複数の回路基板と高い接続信頼性を備えて高密度に接続することができる。また、端子間の短絡を効果的に防止することができる。

この実施の形態では、前記導体層と前記絶縁層とは、大気圧よりも減圧された雰囲気で形成されることが好ましい。アスペクト比が極めて小さい導体層を形成できるため、高周波信号を伝送するときの導体の表皮効果によって導体として機能しなくなる導体層深部の比率が極めて少なく、配線が幅広なため、高周波信号にとって有効に働く表面の面積が広いことから、導体損失を回避することができるからである。

前記複数の導体層は、３個以上の薄膜導体層であることが好ましく、積層する導体層の数が多いほど従来の配線板よりも高密度に配線するためである。さらに薄膜導体層を３０層以上積層すると、フレキシブルでありながら従来の配線板よりも高密度な配線を実現できるという格別な効果が得られる。

前記複数の導体層の１つ以上は、複数の配線を含むことが好ましい。導体層一層当たりの配線数が増加するため、配線密度を一層向上させることができるからである。

前記複数の導体層の１つに含まれる配線の数と前記複数の導体層の他の１つに含まれる配線の数とが互いに異なることが好ましい。伝送する高周波信号の周波数に応じて最適のインピーダンスを得るために、配線の幅を互いに異ならせることができるためである。

前記複数の導体層の少なくとも２つは、前記２つの導体層に挟まれる他の導体層の配線をシールドするシールド層を含むことが好ましい。高密度に配線された導体層間に発生するクロストーク等の電磁妨害をシールド層によって抑制することにより、ノイズの発生を低減することができる。

前記複数の導体層の１つ以上は、複数の前記配線を含み、前記複数の配線のそれぞれが前記端子を備えることが好ましい。複数の回路基板をより一層高密度に接続するためである。

前記端子は、中央に積層された導体層から両側の導体層に向かって階段状に配置されることが好ましい。配線板の両面から同時に２枚の回路基板と接続することができるので、電子機器の小型化に有効だからである。

前記端子は、前記導体層と前記絶縁層との積層方向から見て、縦一列、横一列およびマトリックス状のいずれかの態様に配置されることが好ましい。接続する回路基板の電極配置に応じて端子を構成するためである。

前記端子は、前記導体層と前記絶縁層との積層方向から見て、前記配線の長手方向に斜交する方向に沿って配置されることが好ましい。接続する回路基板の電極配置に応じて端子を構成するためである。

前記端子は、前記導体層と前記絶縁層との積層方向から見て、Ｖ字形状に配置されることが好ましい。接続する回路基板の電極配置に応じて端子を構成することができるとともに、導体層一層当たり複数個の端子を備えることができる。また積層された異なる導体層の配線は互いに交差できるので、配線板の両端に非対称に設けた端子を、配線を迂回させることなく最短距離で接続することが可能となる。

前記端子は、前記絶縁層に覆われる前記導体層よりも厚いことが好ましい。端子の接続強度と接続信頼性とを向上させるためである。

前記端子の上に、バンプが形成されることが好ましい。回路基板の電極との接続において極めて優れた接続信頼性を得るためである。

各バンプは、その先端に電気的接続面を有し、各電気的接続面は、同一面内に形成されることが好ましい。接続される回路基板の端子面の高さに段差を生じていても、回路基板の端子と接続するときにバンプ高さの変形可能範囲内で端子間の段差をなくすことができるので、接続信頼性に優れた高密度接続が可能となる。

前記端子を覆う保護層と、各端子にそれぞれ接続するために前記保護層に形成されたビアホール導体と、前記保護層の表面に形成され、各ビアホール導体とそれぞれ接続する複数の電極とをさらに備えることが好ましい。回路基板と接続するための電極を同一平面上に形成することができるため、回路基板との接続条件を緩和することができる。

各端子は、突出して形成され、その先端に電気的接続面を有し、各電気的接続面は、同一面内に形成されることが好ましい。配線数が多く導体層および絶縁層の層数が多くなる場合においても、下層から引き出される端子と、上層から引き出される端子との間の段差をなくすことができ、接続信頼性に優れた高密度接続が可能となるからである。

前記導体層と前記絶縁層とは、真空蒸着法、スパッタ法およびＣＶＤ法の少なくとも１つによって形成されることが好ましい。高周波信号における表皮効果が生じても、導体層深部の無効となる断面積を減らし、導体層のすべてを高周波信号にとって有効に導体として機能させられる薄さに導体層を形成することができるからである。

本実施の形態に係る配線板の製造方法では、導体層と絶縁層との積層構造の断面形状において絶縁層を介して階段状に端子を形成する。このため、階段状の端子によって複数の回路基板と高い接続信頼性を備えて高密度に接続する配線板を製造することができる。

この実施の形態では、前記導体層の一端に給電しながらメッキして前記端子を形成することが好ましい。下層の導体層から引き出される端子と上層の導体層から引き出される端子との間で段差をなくすためである。

各端子は、バンプによって構成されており、開口を有するマスクで前記導体層の一端をマスキングし、マスキングされた前記導体層の一端に給電しながら前記マスクの開口内にメッキして前記バンプを形成することが好ましい。各バンプの大きさ、特に高さ方向の大きさを調整することによりバンプ間の段差をなくすことができ、接続信頼性に優れた高密度接続が可能となる。

各端子は、バンプによって構成されており、前記導体層の一端に導電体を堆積させて前記バンプを形成することが好ましい。下層の導体層から引き出される端子と上層の導体層から引き出される端子との間で段差をなくすためである。

各バンプの高さを同一面にそろえるために各バンプの先端を平板で加圧することが好ましい。各バンプの高さ方向の大きさを調整するためである。

本実施の形態に係る配線板の他の製造方法では、大気圧よりも減圧された雰囲気で前記導体層と前記絶縁層とを形成する。このため、アスペクト比が極めて小さい導体層を形成できる。その結果、高周波信号を伝送するときの導体の表皮効果に基づく導体損失を回避することができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。本発明は下記の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は下記の実施の形態を組み合わせて用いても良い。

（実施の形態１）
図１Ａは実施の形態１に係る配線板１００の構成を示す斜視図であり、図１Ｂはその断面図である。配線板１００は、複数の導体層１と、導体層１を絶縁する複数の絶縁層２とを備えている。導体層１と絶縁層２とは交互に積層されている。導体層１と絶縁層２とは、大気圧よりも減圧された環境下において例えば真空蒸着法、スパッタ法またはＣＶＤ法等によって形成されている。

導体層１と絶縁層２との断面形状は、厚さ方向よりも幅方向が長い。厚さ方向の長さに対する幅方向の長さの比を示すアスペクト比は、少なくとも１０００を超えている。特に導体層１の厚さは、高周波信号の伝送時に表皮効果が生じても、導体層深部の無効となる断面積を減らし、導体層のすべてを高周波信号にとって有効に導体として機能させる程度にまで薄く形成されている。

このように構成された配線板１００は、以下のようにして製造される。まず、大気圧よりも減圧した雰囲気中に設置され冷却しながら回転するローラを用意する。そして、その回転するローラに支持基材を巻き付ける。次に、プラズマ放電等により荷電粒子を金属インゴットに当てて蒸気化させた金属を支持基材の表面に付着させる蒸着工程と、ヒータ等の加熱手段で蒸気化させた樹脂を支持基材の表面に付着させる蒸着工程とを繰り返す。

上記製造方法では、２×１０^-4Ｔｏｒｒ程度の真空度に調節し蒸着を行った。この程度の真空度にしないと蒸気となりにくく、また製膜できたとしても不純物を含むため、電気伝導度や絶縁性等の特性に課題が生じるおそれがあるからである。また回転するローラの温度は約０℃に、回転速度は１００ｍ／ｍｉｎ程度の周速度となるように設定した。

付着させる金属は、金、銀、白金等の貴金属、銅、アルミ、錫、亜鉛等種々の材料によって構成されている。付着させる樹脂の材料は、アクリレート樹脂およびビニル樹脂を主成分とする材料が望ましく、具体的には（メタ）アクリレートモノマー、多官能ビニルエーテルモノマーが好ましく、中でも、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルモノマー、シクロペンタジエンジメアノールジアクリレート等もしくはこれらの炭化水素基を置換したモノマーが、電気特性、耐熱性および安定性の点で特に好ましい。

上記製造方法で用いた支持基材は、厚みは問わないが、引っ張り強度の大きなポリイミド、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートなどの材料によって構成すれば、薄い支持基材とすることができる。支持基材を剥離せずに多層配線基板としても用いてもよい。

付着させた絶縁層２および導体層１の厚みに特に制限はないが、配線板の総厚みを抑制するためにはできるだけ薄くした方が望ましい。ただし薄くすると抵抗値が上昇するので、その場合は幅を広くして抵抗値の上昇を抑制することが必要である。

１ＧＨｚ以上の高周波信号を表皮電流効果に基づいて伝送するためには、導体層１は少なくとも２μｍ程度の厚みがあれば十分である。伝送する信号の周波数が高周波になればなるほど、表皮電流効果に基づいて導体層１の厚みを薄くすることができる。そのため実施の形態１に係る配線板１００は、伝送する信号の周波数が高周波になればなるほど、全体の厚みを薄く構成することができるといった格別の効果を有している。

絶縁層２の厚みは、特に高周波信号を伝送するときは、インピーダンスとの整合を考えて所定の厚みにコントロールする必要がある。もちろんその際には導体層１の幅も重要な寸法となる。伝送する信号の電流および電圧が大きいときは、絶縁層２の厚みを大きくすると信頼性が向上することは言うまでもない。

実施の形態１に係る配線板１００においては、導体層１の一層当たりの厚みを約０．７μｍ、絶縁層２の厚みを約０．５μｍ、導体層１および絶縁層２の幅を５ｍｍにて作製することができた。後述する実施の形態２以降においても、交互に積層された導体層と絶縁層とは、前述した製造方法と同様の方法で作製した。

従来のフレキシブル配線板は、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムの上に厚さ２０μｍの接着層を用いて厚さ３５μｍの銅箔の導体を接着し、銅箔をパターニングした後、さらに厚さ２０μｍの接着層を用いて厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを接着して、銅箔パターンの両面をポリイミドフィルムで挟み込む構成を有している。この従来のフレキシブル配線板の総厚さは、１００μｍを超えるので、フレキシブル配線板を２層積層した多層配線でも総厚さが２００μｍを超えてしまう。板状の材料の曲げ剛性は、板厚の３乗に比例して高くなることが理論的に知られている。フレキシブル配線板の総厚さが２００μｍを超えると、急激に曲げ剛性が高くなりフレキシブル性が失われる。総厚さが２００μｍを超えるフレキシブル配線板を無理やり曲げると、表面の歪が大きくなるので、配線が破断または劣化する。

これに対して実施の形態１に係る配線板は、例えば厚さ１．５μｍの３０層の導体層と、厚さ５μｍの３１層の絶縁層とを交互に積層しても、総厚さは２００μｍよりも薄い１９６．５μｍである。このため、３０層の導体層を積層してもフレキシブル性を発揮することができる。さらに厚さ０．５μｍの導体層と、厚さ０．２μｍの絶縁層とを交互に積層して、２００層の配線板を作製しても総厚さは１５０μｍよりも薄いので、フレキシブル性に優れた配線板を得ることができる。

一般的に、配線板においては、互いに交差する配線を一層の導体層に収めることはできないので、このような配線は互いに交差させないために、他のランドおよび配線を迂回して配線する必要がある。このため、１層の配線板では配線自由度が極めて制限される。前述した従来の配線板でも積層数が高々２層であるために、配線数が多数になると、配線自由度の制約が依然として大きい。

これに対して本実施の形態に係る配線板では、前述したように３０層以上積層できるために、配線数が多数になっても配線の自由度を高くすることができる。

以上のように実施の形態１によれば、信号を伝送する１個以上の配線をそれぞれ含む複数の導体層１と、導体層１を絶縁する複数の絶縁層２とが交互に積層されている。このため、限られた面積で、信号を伝送する配線の数を増やすことができる。その結果、配線密度の高い配線板を提供することができる。

図２は、実施の形態１に係る他の配線板１００Ａの構成を示す断面図である。図１Ａおよび図１Ｂを参照して前述した配線板１００の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。

図２に示すように、導体層１の全面が絶縁層２または他の絶縁材料によって被覆された構造であっても良い。配線板１００Ａは、絶縁層２の幅を導体層１の幅よりも広くして順次堆積させる工程によって製造すればよい。図１Ｂに示す配線板１００を形成した後、その全面に絶縁材料を被覆させる工程を付加することによって配線板１００Ａを製造してもよい。

（実施の形態２）
図３は、実施の形態２に係る配線板１００Ｂの構成を示す断面図である。前述した実施の形態１に係る配線板１００は、積層された導体層１のそれぞれが１個の配線を形成する１層１配線の構成を有していた。実施の形態２では、１層の導体層に複数の配線が形成される。

図３に示すように、導体層１、１ＰＡ、１ＰＢ、１ＰＣ、１ＰＤおよび１ＰＥは互いに同数または異なる数の１個以上の配線を含む。導体層１は１層１配線であるが、例えば導体層１ＰＡは４個の配線３ＡＡ、３ＡＢ、３ＡＣおよび３ＡＤを含み、導体層１ＰＢは５個の配線３ＢＡ、３ＢＢ、３ＢＣ、３ＢＤおよび３ＢＥを含む。各導体層に形成された複数の配線の配線幅は、伝送する高周波信号の周波数に応じて互いに異なる幅にしてもよい。

（実施の形態３）
図４Ａは実施の形態３に係る配線板１００Ｃの構成を示す斜視図であり、図４Ｂはその断面図である。図１Ａおよび図１Ｂを参照して前述した配線板１００の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。複数の導体層１の一端は、複数の絶縁層２の一端とともに階段状に形成されている。

図５は、実施の形態３に係る他の配線板１００Ｄの導体層１の長手方向に垂直な断面に沿った断面図である。図４Ａおよび図４Ｂの配線板１００Ｃと同様に、複数の導体層１の一端は、複数の絶縁層２の一端とともに階段状に形成されている。図５に示すように、絶縁層２が導体層１を覆う構造であっても良い。配線板１００Ｄは、絶縁層２の幅を導体層１の幅よりも広くして順次堆積させる工程によって製造すればよい。図４Ａに示す配線板１００Ｃを形成した後、その全面に絶縁材料を被覆させる工程を付加することによって配線板１００Ｄを製造してもよい。

図６Ａは実施の形態３に係るさらに他の配線板１００Ｅの構成を示す断面図であり、図６Ｂはその平面図である。配線板１００Ｅは、複数の導体層１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆおよび１Ｇと、各導体層を絶縁するための複数の絶縁層２とを備えている。導体層１Ａ〜１Ｇと絶縁層２とは交互に積層されている。導体層１Ａ〜１Ｇの一端は、絶縁層２の一端の露出部２Ａによって絶縁されて露出しており、露出部２Ａとともに階段状に形成されている。導体層１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆおよび１Ｇの一端の露出部の全面には、端子１ＡＴ、１ＢＴ、１ＣＴ、１ＤＴ、１ＥＴ、１ＦＴおよび１ＧＴがそれぞれ設けられている。導体層１Ａ〜１Ｇと絶縁層２とは、減圧された雰囲気中において、例えば真空蒸着法、スパッタ法またはＣＶＤ法によって形成される。ここでは、導体層１Ａ〜１Ｇが１層１配線構造を有する例を説明している。

階段状に形成された端子１ＡＴ〜１ＧＴおよび露出部２Ａは、絶縁層２と導体層１Ａ〜１Ｇとを繰り返し真空中で蒸着する多層化の過程で、導体層の付着が不要な絶縁層の端部をレジストで覆ってパターニングして導体層を蒸着し、そして、絶縁層の付着が不要な導体層の端部をレジストで覆って絶縁層を蒸着することを繰り返すことによって得ることができる。最終的にこのレジストを剥離することにより配線板１００Ｅを得ることができる。

レジストは、エステル系、グリコール系およびフッ素系等のオイルによって構成され、レジストで覆うことが必要な部分にのみ液体のオイルをノズルから噴射するインクジェット方式により付着される。このレジストが付着した絶縁層の端部には導体膜は形成されず、そしてレジストが付着した導体層の端部には絶縁層は形成されない。このため、導体層と絶縁層との積層構造の断面形状において絶縁層を介して階段状に端子１ＡＴ〜１ＧＴを形成することができる。なお、多層配線板の構成に応じて各層ごとに異なるパターンを書き込む必要があるためインクジェット方式でオイルを付着させるのが望ましい。

実施の形態３ではインクジェット方式によってパターンを形成したが、本発明はこれに限定されない。スクリーン印刷等の他の印刷方法を用いても同様のパターンを形成できることは言うまでもない。

後述する実施の形態に記載されている多層配線板に形成された階段状の端子も、パターンの形状を変えることにより同様の方法にて作成した。実施の形態３の階段状の構造は、前述した実施の形態２のような１層の導体層に複数の配線を形成した配線板に対しても適用することができる。

図６Ｃは、実施の形態３に係るさらに他の配線板１００Ｅ１の構成を示す断面図である。配線板１００Ｅ１は、グランド層１２、信号配線層１１、グランド層１２、信号配線層１１、電源層１３、信号配線層１１およびグランド層１２がこの順番に積層されており、各層の間には、絶縁層２がそれぞれ形成されている。グランド層１２、信号配線層１１、グランド層１２、信号配線層１１、電源層１３、信号配線層１１およびグランド層１２の一端は、絶縁層２の一端の露出部２Ａによってそれぞれ絶縁されて露出しており、露出部２Ａとともに階段状に形成されている。

このようにグランド層１２および電源層１３のようなシールド層によって信号配線層１１を挟み込むと、信号配線層１１からのノイズの放射をシールド層によって抑制できる。このため、信号配線層１１からのノイズが他の回路の動作を妨害することを防止できる。信号配線層１１はシールド線によってガードされているので、外部からのノイズが信号配線層１１へ悪影響を及ぼすことを防止することができる。そして、シールド層が信号配線層１１の間に形成されているので、信号配線層１１間のクロストークも防止することができる。

伝送する信号の周波数が非常に高くなると、外部のノイズからうける影響が無視できなくなる。そのため図６Ｃに示すように信号配線層１１をグランド層１２および電源層１３のようなシールド層によって挟み込む構成を取ると、ノイズに対して極めて強い配線板を得ることができる。従来の配線板であると上述のような構造をとると厚みが増大し、電子機器の小型・薄型化の障壁となっていた。しかしながら、実施の形態３の構造によって配線板が極めて薄く形成できるので、ノイズに対して強く、薄い配線板を得ることができる。

図６Ｄは実施の形態３に係るさらに他の配線板１００Ｅ２の構成を示す断面図であり、図６Ｅは実施の形態３に係るさらに他の配線板１００Ｅ３の構成を示す断面図であり、図６Ｆは実施の形態３に係るさらに他の配線板１００Ｅ４の構成を示す断面図である。

図６Ｄに示すように、導体層および絶縁層の一端と他端とで階段形状を対称に形成すると、導体層および絶縁層を中心合わせによって積層できるので、配線板を容易に作製できる。特に、シート状の絶縁層の積層が容易になる。

図６Ｅに示すように、導体層および絶縁層の長さを揃えて、一定間隔でずらしながら積層すると、配線板の作成が容易になる。一定の長さに切断したシート状の導体層と、一定の長さに切断したシート状の絶縁層とを一定間隔でずらしながら交互に重ねればよい。

図６Ｆに示すように、真空下で蒸着して積層する場合は、各層のパターンを形成する一定の開口を有するマスクを繰り返し使用して配線板１００Ｅ４を作製することができる。図６Ｆに示す例では、マスクの開口を一定間隔でずらしながら積層するので、２層目以上の層の右端は、重力の作用により、最下層を支えるベース面まで傾斜して延伸する形状に形成される。従って、各層の左側の端部は階段状に形成されるが、右側の端部は最下層の外表面と同一の面に形成される。

また、図６Ｄと上下を逆にして、長さがより短い絶縁層および導体層から真空下で蒸着して積層する場合は、図６Ｆに示す右側の端部のように、両方の端部が最下層を支えるベース面まで傾斜して延伸する形状に形成され、最下層の外表面と同一の面に形成される。

（実施の形態４）
図７Ａは実施の形態４に係る配線板１００Ｆおよびその接続状態を説明するための正面図であり、図７Ｂはその平面図である。実施の形態４では絶縁層２と導体層１Ａ〜１Ｄとが、中央部から図７Ａにおいて上下両側に向かって階段状に形成されている。このように、配線板１００Ｆの一端は矢じり形状をしている。そして、端子１ＡＴ、１ＢＴ、１ＣＴおよび１ＤＴは上下両側に向かって設けられている。このため、回路基板側に設けられた端子ソケット２０５に配線板１００Ｆを機械的に挿入固定する際に接続信頼性が向上する。

回路基板２０６の接続部２０７において配線ワイヤー２０５Ａが固定されている。図７Ａおよび図７Ｂにおいて右側から左側へ向かって配線板１００Ｆが挿入されると、配線板１００Ｆの端子１ＡＴ、１ＢＴ、１ＣＴおよび１ＤＴは配線ワイヤー２０５Ａに設けられたコンタクトピン２０５Ｂと電気的に接続する。この際、コンタクトピン２０５Ｂは上下方向から配線板１００Ｆを挟み込んで圧力をかける構造になっている。このため、接続信頼性が向上する。

なお図７Ａおよび図７Ｂでは、端子１ＡＴ〜１ＤＴが断面において上下対称に形成されている例を示しているが、本発明はこれに限定されない。上下非対称に端子を形成してもよい。

（実施の形態５）
図８Ａは実施の形態５に係る配線板１００Ｇの構成を示す平面図であり、図８Ｂは図８Ａに示す段面８Ｂに沿った断面図である。配線板１００Ｇは、複数の導体層１ＧＡ、１ＧＢ、１ＧＣ、１ＧＤ、１ＧＥおよび１ＧＦと、各導体層を絶縁するための複数の絶縁層２とを備えている。導体層１ＧＡ〜１ＧＦと絶縁層２とは交互に積層されている。

積層された複数の導体層１ＧＡ、１ＧＢ、１ＧＣ、１ＧＤ、１ＧＥおよび１ＧＦの一端には、端子１ＧＡＴ、１ＧＢＴ、１ＧＣＴ、１ＧＤＴ、１ＧＥＴおよび１ＧＦＴがそれぞれ設けられている。導体層１ＧＡ〜１ＧＦの端子１ＧＡＴ〜１ＧＦＴは、図８Ａに示すように配線板１００Ｇの幅方向に沿って配置されている。端子１ＧＡＴ〜１ＧＦＴは、図８Ｂに示すように断面８Ｂに沿って見ると階段状に配置されている。このような配線板１００Ｇの構成は、導体層および絶縁層の積層数が比較的少ない場合に適した構成である。

図９Ａは実施の形態５に係る他の配線板１００Ｈの構成を示す平面図であり、図９Ｂは図９Ａに示す断面９Ｂに沿った断面図である。配線板１００Ｈは、複数の導体層１ＨＡ、１ＨＢ、１ＨＣ、１ＨＤおよび１ＨＥと、各導体層を絶縁するための複数の絶縁層２とを備えている。導体層１ＨＡ〜１ＨＥと絶縁層２とは交互に積層されている。

積層された複数の導体層１ＨＡ、１ＨＢ、１ＨＣ、１ＨＤおよび１ＨＥの一端には、端子１ＨＡＴ、１ＨＢＴ、１ＨＣＴ、１ＨＤＴおよび１ＨＥＴがそれぞれ設けられている。導体層１ＨＡ〜１ＨＥの端子１ＨＡＴ〜１ＨＥＴは、図９Ａに示すように配線板１００Ｈの長手方向に沿って配置されている。端子１ＨＡＴ〜１ＨＥＴは、図９Ｂに示すように断面９Ｂに沿って見ると階段状に配置されている。

図６Ａおよび図６Ｂを参照して前述した配線板１００Ｅでは、端子１ＡＴ〜１ＧＴは配線板１００Ｅの幅全体に渡って形成されているが、図９Ａおよび図９Ｂに示す配線板１００Ｈでは、端子１ＨＡＴ〜１ＨＥＴは配線板１００Ｈの幅方向に沿った中央の一部に形成されている。

（実施の形態６）
図１０Ａは実施の形態６に係る配線板１００Ｉの構成を示す平面図であり、図１０Ｂは図１０Ａに示す断面１０Ｂに沿った断面図である。実施の形態６では複数の導体層の端子は、図１０Ａに示すように配線板１００Ｉの上方から見るとマトリックス状に配置されている。

配線板１００Ｉは、積層単位１０１〜１０７を備えている。各積層単位１０１〜１０７は、図８Ａおよび図８Ｂを参照して前述した配線板１００Ｇと同一の構造を有している。

例えば積層単位１０１は、複数の導体層１ＩＡ、１ＩＢ、１ＩＣ、１ＩＤおよび１ＩＥと、各導体層を絶縁するための複数の絶縁層２とを備えている。導体層１ＩＡ〜１ＩＥと絶縁層２とは交互に積層されている。積層された複数の導体層１ＩＡ、１ＩＢ、１ＩＣ、１ＩＤおよび１ＩＥの一端には、端子１ＩＡＴ、１ＩＢＴ、１ＩＣＴ、１ＩＤＴおよび１ＩＥＴがそれぞれ設けられている。導体層１ＩＡ〜１ＩＥの端子１ＩＡＴ〜１ＩＥＴは、図１０Ａに示すように配線板１００Ｉの幅方向に沿って配置されている。端子１ＩＡＴ〜１ＩＦＴは、図１０Ｂに示すように断面１０Ｂに沿って見ると階段状に配置されている。

積層単位１０２〜１０７を構成する各導体層にも、積層単位１０１と同様に、端子が形成されている。これらの端子群は図１０Ａに示すようにマトリックス状に配置されている。

図１１は、実施の形態６に係る他の配線板１００Ｊの構成を示す平面図である。マトリックス状に形成された端子群は、図１１に示すように各積層単位１０１Ｊ〜１０７Ｊ毎にずらして配置してもよい。配線板１００Ｊは、積層単位１０１Ｊ〜１０７Ｊを備えている。各積層単位１０１Ｊ〜１０７Ｊは、図８Ａおよび図８Ｂを参照して前述した配線板１００Ｇと同一の構造を有している。

例えば積層単位１０１Ｊでは、積層された複数の導体層の一端に、端子１ＪＡＴ、１ＪＢＴ、１ＪＣＴ、１ＪＤＴおよび１ＪＥＴがそれぞれ設けられている。積層単位１０２Ｊでは、複数の導体層の一端に、端子１ＪＡＴＳ、１ＪＢＴＳ、１ＪＣＴＳ、１ＪＤＴＳおよび１ＪＥＴＳがそれぞれ設けられている。積層単位１０１Ｊの端子１ＪＡＴ〜１ＪＥＴと積層単位１０２Ｊの端子１ＪＡＴＳ〜１ＪＥＴＳとは、配線板１００Ｊの幅方向に沿って互いにずれた位置に配置されている。

実施の形態６では、各積層単位１０１Ｊ〜１０７Ｊが５層の導体層を含む例を示したが、本発明はこれに限定されない。また、各積層単位１０１Ｊ〜１０７Ｊに含まれる導体層の数は、互いに異なってもよい。

（実施の形態７）
図１２Ａは実施の形態７に係る配線板１００Ｋの構成を示す平面図であり、図１２Ｂは図１２Ａに示す断面１２Ｂに沿った断面図である。実施の形態７は、前述した実施の形態５および６と同じく端子の配置に関する。図１２Ａおよび図１２Ｂに示すように導体層１ＫＡ〜１ＫＦは絶縁層２を介して積層され、その端部に端子１ＫＡＴ〜１ＫＦＴが階段状にずらして形成されている。端子１ＫＡＴ〜１ＫＦＴは、図１２Ａに示すように導体層と絶縁層との積層方向から見ると配線板１００Ｋの長手方向に斜交する方向に沿って配置されており、図１２Ｂに示すように断面１２Ｂに沿って見ると階段状に配置されている。

図１３Ａは実施の形態７に係る他の配線板１００Ｌの構成を示す平面図であり、図１３Ｂは実施の形態７に係るさらに他の配線板１００Ｍの構成を示す平面図である。配線板１００Ｌおよび配線板１００Ｍは、図１２Ａに示す配列と異なる形状の階段状に端子群を配置した実施の形態を示す。図１３Ａに示す配線板１００Ｌでは、端子１ＬＡＴ、１ＬＢＴ、１ＬＣＴ、１ＬＤＴ、１ＬＥＴ、１ＬＦＴ、１ＬＧＴおよび１ＬＨＴが、導体層および絶縁層の積層方向から見てＶ字形状に形成されている。

図１３Ｂに示す配線板１００Ｍでは、最下層の導体層には１個の端子１ＭＡＴが形成され、その上の導体層には２個の端子１ＭＢＴが形成されている。さらにその上の導体層には２個の端子１ＭＣＴが形成され、その上の導体層には３個の端子１ＭＤＴが形成され、その上の導体層には２個の端子１ＭＥＴが形成されている。さらにその上の３個の導体層には、２個の端子１ＭＦＴ、２個の端子１ＭＧＴおよび２個の端子１ＭＨＴがそれぞれ形成されている。このように、複数の導体層のうちの一部において１層当たりの配線数および端子数が複数となっている。

この様に構成することにより、端子の配置位置を自由にずらして形成し、また１層の導体層に任意の複数個の端子を形成することができるため接続信頼性の向上に有効である。なお、各導体層に設けられた複数の端子の面積、形状は同一であってもよく、異なっていてもよい。

（実施の形態８）
図１４は、実施の形態８に係る配線板１００Ｎの構成を示す断面図である。配線板１００Ｎは、複数の導体層１ＮＡ、１ＮＢ、１ＮＣ、１ＮＤ、１ＮＥ、１ＮＦおよび１ＮＧと、各導体層を絶縁するための複数の絶縁層２とを備えている。導体層１ＮＡ〜１ＮＧと絶縁層２とは交互に積層されている。導体層１ＮＡ〜１ＮＧの一端には、端子１ＮＡＴ、１ＮＢＴ、１ＮＣＴ、１ＮＤＴ、１ＮＥＴ、１ＮＦＴおよび１ＮＧＴがそれぞれ形成されている。端子１ＮＡＴ〜１ＮＧＴの厚みは、絶縁層２によって覆われる導体層１ＮＡ〜１ＮＧの厚みよりも厚い。このように構成すると、他の回路基板との接続信頼性を向上させることができる。

導体層１ＮＡ〜１ＮＧよりも厚く形成された端子１ＮＡＴ〜１ＮＧＴは、導体層１ＮＡ〜１ＮＧの材料をそのまま用いて構成することができる。端子１ＮＡＴ〜１ＮＧＴは、金、銀、錫、はんだ等の金属を蒸着、めっきなどの手法により堆積させて形成してもよい。

（実施の形態９）
図１５は、実施の形態９に係る配線板１００Ｐの構成を示す断面図である。配線板１００Ｐは、複数の導体層１ＰＡ、１ＰＢ、１ＰＣ、１ＰＤ、１ＰＥ、１ＰＦおよび１ＰＧと、各導体層を絶縁するための複数の絶縁層２とを備えている。導体層１ＰＡ〜１ＰＧと絶縁層２とは交互に積層されている。

導体層１ＰＡ〜１ＰＧの一端は、絶縁層２の一端の露出部によって絶縁されて露出しており、露出部とともに階段状に形成されている。導体層１ＰＡ〜１ＰＧの一端には、バンプ５がそれぞれ形成されている。バンプを形成する導体材料は、実施の形態８で前述した材料と同じ材料を用いることができる。

（実施の形態１０）
図１６は、実施の形態１０に係る配線板１００Ｑの構成を示す断面図である。配線板１００Ｑは、複数の導体層１ＱＡ、１ＱＢ、１ＱＣ、１ＱＤ、１ＱＥ、１ＱＦおよび１ＱＧと、各導体層を絶縁するための複数の絶縁層２とを備えている。導体層１ＱＡ〜１ＱＧと絶縁層２とは交互に積層されている。導体層１ＱＡ〜１ＱＧの一端は、絶縁層２の一端によって絶縁され、絶縁層２の一端とともに階段状に形成されている。導体層１ＱＡ〜１ＱＧの一端の露出部には、端子がそれぞれ形成されている。

配線板１００Ｑは、各端子を覆う保護層８と、各端子にそれぞれ接続するために保護層８に形成されたビアホール導体９Ａ、９Ｂ、９Ｃ、９Ｄ、９Ｅ、９Ｆおよび９Ｇと、保護層８の表面にそれぞれ形成され、各ビアホール導体９Ａ〜９Ｇとそれぞれ接続する複数の電極１０とをさらに備えている。

各ビアホール導体９Ａ〜９Ｇは、保護層８を形成した後に、レーザ穴加工等によって保護層８に穴をあけ、そして、その穴に導電性ペーストを充填硬化し、あるいは導電体をめっきすることにより得ることができる。なおこの各ビアホール導体９Ａ〜９Ｇは、上述の方法以外の方法でも形成できることは言うまでもない。

このように配線板１００Ｑを構成すると、配線板の多くの端子を同一平面上の電極として形成することができる。このため、他の回路基板と容易に接続することができ、また接続信頼性を向上することができる。なお、各電極１０の上に実施の形態９と同様のバンプを形成してもよい。

実施の形態１０では、最外層が絶縁層２である例を示したが、本発明はこれに限定されない。最外層を導体層にし、その導体層をシールド層によって構成して本体とのシールド接続をし易くする等の工夫をしてもよい。

（実施の形態１１）
図１７Ａは実施の形態１１に係る配線板１００ＥＸの構成を示す断面図であり、図１７Ｂはその平面図である。図６Ａおよび図６Ｂを参照して前述した配線板１００Ｅと同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。

配線板１００ＥＸは、複数の導体層１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆおよび１Ｇと、各導体層を絶縁するための複数の絶縁層２とを備えている。導体層１Ａ〜１Ｇと絶縁層２とは交互に積層されている。導体層１Ａ〜１Ｇの一端は、絶縁層２の一端の露出部２Ａによって絶縁されて露出しており、露出部２Ａとともに階段状に形成されている。このような階段状の導体層の一端および露出部２Ａは、図６Ａを参照して前述したレジストで覆ってパターニングする方法で形成することができる。

導体層１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆおよび１Ｇの一端の露出部の全面には、端子１ＡＴＸ、１ＢＴＸ、１ＣＴＸ、１ＤＴＸ、１ＥＴＸ、１ＦＴＸおよび１ＧＴＸがそれぞれ突出して形成されている。端子１ＡＴＸ〜１ＧＴＸには、回路基板の端子と接続するための電気的接続面がそれぞれ形成されており、各電気的接続面は、導体層１Ａの外側の絶縁層２の表面と同一の面内に形成されている。

端子１ＡＴＸ〜１ＧＴＸは、導体層１Ａ〜１Ｇに所望の電流密度を有する電流をそれぞれ給電しながら、導体層１Ａ〜１Ｇの一端の露出部にめっきして形成する。端子１ＡＴＸ〜１ＧＴＸは、導体層１Ａ〜１Ｇの材料と同一の材料を用いて形成することが一般的であるが、金、銀、錫、はんだ等の金属を堆積させて形成してもよい。

実施の形態１１では図１７Ｂに示すように、１層の導電体が１つの配線を含む１層１配線の例を示しているが、１層多配線の構成にしてもよい。

図１８は、実施の形態１１に係る他の配線板１００ＦＸの構成を示す断面図である。図７Ａおよび図７Ｂを参照して前述した配線板１００Ｆと同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。

図１８に示す配線板１００ＦＸでは絶縁層２と導体層１Ａ〜１Ｄとが、中央部から上下両側に向かって階段状に形成されている。そして、端子１ＡＴＸ、１ＢＴＸ、１ＣＴＸおよび１ＤＴＸは上下両側に向かってそれぞれ突出して設けられている。端子１ＡＴＸ〜１ＧＴＸには、回路基板の端子と接続するための電気的接続面がそれぞれ形成されており、各電気的接続面は、導体層１Ａの両外側の絶縁層２の表面と同一の面内にそれぞれ形成されている。

このように端子１ＡＴＸ〜１ＧＴＸは上下両側に配置されているため、図示しない回路基板側に設けられた端子ソケットに配線板１００ＦＸを機械的に挿入固定する際に接続信頼性が向上する。図１８では端子１ＡＴＸ〜１ＤＴＸが上下対称に形成されている例を示しているが、上下非対称に端子１ＡＴＸ〜１ＤＴＸを配置してもよい。

図１９Ａは実施の形態１１に係るさらに他の配線板１００ＧＸの構成を示す平面図であり、図１９Ｂは図１９Ａに示す断面１９Ｂに沿った断面図である。図８Ａおよび図８Ｂを参照して前述した配線板１００Ｇの構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。

配線板１００ＧＸは、複数の導体層１ＧＡ、１ＧＢ、１ＧＣ、１ＧＤ、１ＧＥおよび１ＧＦと、各導体層を絶縁するための複数の絶縁層２とを備えている。導体層１ＧＡ〜１ＧＦと絶縁層２とは交互に積層されている。

積層された複数の導体層１ＧＡ、１ＧＢ、１ＧＣ、１ＧＤ、１ＧＥおよび１ＧＦの一端には、端子１ＧＡＴＸ、１ＧＢＴＸ、１ＧＣＴＸ、１ＧＤＴＸ、１ＧＥＴＸおよび１ＧＦＴＸがそれぞれ突出して設けられている。

端子１ＧＡＴＸ〜１ＧＦＴＸの先端には、回路基板の端子と接続するための電気的接続面がそれぞれ形成されており、図１９Ｂに示すように、各電気的接続面は導体層１ＧＡの外側の絶縁層２の表面と同一の面内にそれぞれ形成されている。端子１ＧＡＴＸ〜１ＧＦＴＸは、図１９Ａに示すように導体層と絶縁層との積層方向から見て配線板１００ＧＸの幅方向に沿って配置されている。このような配線板１００ＧＸの構成は、導体層および絶縁層の積層数が比較的少ない場合に適した構成である。

図２０Ａは実施の形態１１に係るさらに他の配線板１００ＨＸの構成を示す平面図であり、図２０Ｂは図２０Ａに示す断面２０Ｂに沿った断面図である。図９Ａおよび図９Ｂを参照して前述した配線板１００Ｈの構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。

配線板１００ＨＸは、複数の導体層１ＨＡ、１ＨＢ、１ＨＣ、１ＨＤおよび１ＨＥと、各導体層を絶縁するための複数の絶縁層２とを備えている。導体層１ＨＡ〜１ＨＥと絶縁層２とは交互に積層されている。積層された複数の導体層１ＨＡ、１ＨＢ、１ＨＣ、１ＨＤおよび１ＨＥの一端には、端子１ＨＡＴＸ、１ＨＢＴＸ、１ＨＣＴＸ、１ＨＤＴＸおよび１ＨＥＴＸがそれぞれ突出して設けられている。

端子１ＨＡＴＸ〜１ＨＥＴＸの先端には、回路基板の端子と接続するための電気的接続面がそれぞれ形成されており、図２０Ｂに示すように、各電気的接続面は導体層１ＨＡの外側の絶縁層２の表面と同一の面内にそれぞれ形成されている。端子１ＨＡＴＸ〜１ＨＥＴＸは、図２０Ａに示すように配線板１００ＨＸの長手方向に沿って配置されている。配線板１００ＨＸでは、端子１ＨＡＴＸ〜１ＨＥＴＸは配線板１００ＨＸの幅方向に沿った中央の一部に形成されている。

図２１Ａは実施の形態１１に係るさらに他の配線板１００ＩＸの構成を示す平面図であり、図２１Ｂは図２１Ａに示す断面２１Ｂに沿った断面図であり、図２１Ｃは図２１Ａに示す断面２１Ｃに沿った断面図である。図１０Ａおよび図１０Ｂを参照して前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。配線板１００ＩＸは、図１９Ａおよび図１９Ｂに示した配線板１００ＧＸの積層単位を複数個、各積層単位毎にずらして構成されている。

配線板１００ＩＸは、積層単位１０１〜１０７を備えている。各積層単位１０１〜１０７は、図１９Ａおよび図１９Ｂを参照して前述した配線板１００ＧＸと同一の構造を有している。

例えば、積層単位１０１の５層の導体層の一端には、５個の端子３２ａＴ、３２ｂＴ、３２ｃＴ、３２ｄＴおよび３２ｅＴが突出して形成されており、積層単位１０５の複数の導体層の一端には、５個の端子３６ａＴ、３６ｂＴ、３６ｃＴ、３６ｄＴおよび３６ｅＴが突出して形成されている。他の積層単位１０２、１０３、１０４、１０６および１０７の５層の導体層の一端にも同様に、５個の端子が突出してそれぞれ設けられている。図２１Ｃに示すように、断面ＢＢに沿って端子３２ｃＴ、３３ｃＴ、３４ｃＴ、３５ｃＴ、３６ｃＴ、３７ｃＴおよび３８ｃＴが配置されている。

各端子は図２１Ａに示すようにマトリックス状に配置されており、回路基板の端子と接続するための電気的接続面がそれぞれ形成されている。図２１Ｂおよび図２１Ｃに示すように、各端子の電気的接続面は配線板１００ＩＸの外側の絶縁層２の表面と同一の面内にそれぞれ形成されている。

図２２は、実施の形態１１に係るさらに他の配線板１００ＪＸの構成を示す平面図である。図２１Ａに示す配線板１００ＩＸでは、端子群がマトリックス状に配置されていたが、図２２に示すように各積層単位１０１〜１０７毎に幅方向に沿ってずらして端子群を配置してもよい。実施の形態１１では各積層単位が５層の導体層を含む例を示したが、各積層単位ごとに異なる数の導体層を含んでもよい。

図２３Ａは実施の形態１１に係るさらに他の配線板１００ＫＸの構成を示す平面図であり、図２３Ｂは図２３Ａに示す断面２３Ｂに沿った断面図である。図１２Ａおよび図１２Ｂを参照して前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。

導体層１ＫＡ〜１ＫＥは絶縁層２を介して積層され、その端部に端子１ＫＡＴＸ〜１ＫＦＴＸが階段状にずらして突出して形成されている。端子１ＫＡＴＸ〜１ＫＦＴＸには、回路基板の端子と接続するための電気的接続面がそれぞれ形成されており、図２３Ｂに示すように、各電気的接続面は導体層１ＫＡの外側の絶縁層２の表面と同一の面内にそれぞれ形成されている。端子１ＫＡＴＸ〜１ＫＦＴＸは、図２３Ａに示すように導体層と絶縁層との積層方向から見ると配線板１００ＫＸの長手方向に斜交する方向に沿って配置されている。

図２４Ａは実施の形態１１に係るさらに他の配線板１００ＬＸの構成を示す平面図であり、図２４Ｂは実施の形態１１に係るさらに他の配線板１００ＭＸの構成を示す平面図である。

図２４Ａに示す配線板１００ＬＸでは、端子１ＬＡＴＸ、１ＬＢＴＸ、１ＬＣＴＸ、１ＬＤＴＸ、１ＬＥＴＸ、１ＬＦＴＸ、１ＬＧＴＸおよび１ＬＨＴＸが、導体層と絶縁層との積層方向から見てＶ字形状にそれぞれ階段状に突出して形成されている。端子１ＬＡＴＸ〜１ＬＨＴＸには、回路基板の端子と接続するための電気的接続面がそれぞれ形成されており、各電気的接続面は最も外側の絶縁層２の表面と同一の面内にそれぞれ形成されている。

図２４Ｂに示す配線板１００ＭＸには、最下層の導体層の１個の端子１ＭＡＴＸ、その上の導体層の２個の端子１ＭＢＴＸ、さらにその上の導体層の２個の端子１ＭＣＴＸ、その上の導体層の３個の端子１ＭＤＴＸ、その上の導体層の２個の端子１ＭＥＴＸがそれぞれ突出して形成されている。さらにその上の３個の導体層には、２個の端子１ＭＦＴＸ、２個の端子１ＭＧＴＸおよび２個の端子１ＭＨＴＸがそれぞれ突出して形成されている。このように、複数の導体層のうちの一部において１層当たりの配線数および端子数が複数となっている。

各端子１ＭＡＴＸ〜１ＭＨＴＸには、回路基板の端子と接続するための電気的接続面がそれぞれ形成されており、各電気的接続面は最も外側の絶縁層２の表面と同一の面内にそれぞれ形成されている。

（実施の形態１２）
図２５は、実施の形態１２に係る配線板１００ＥＸ２の構成を示す断面図である。図１７Ａを参照して前述した配線板１００ＥＸの構成要素と同一の構成要素には、同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。

端子１ＡＴＸ〜１ＧＴＸの上には、バンプ５がそれぞれ形成されている。バンプ５を形成する導体材料としては端子１ＡＴＸ〜１ＧＴＸと同じ材料を用いることができる。実施の形態１１で示した様々な構造の配線板の端子の上にバンプを形成してもよい。

（実施の形態１３）
図２６は、実施の形態１３に係る配線板１００ＥＸ３の構成を示す断面図である。図１７Ａを参照して前述した配線板１００ＥＸの構成要素と同一の構成要素には、同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。

導体層１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆおよび１Ｇの一端の露出部には、バンプ５Ａ〜５Ｇがそれぞれ突出して形成されている。バンプ５Ａ〜５Ｇの先端には、回路基板の端子と接続するための電気的接続点がそれぞれ形成されており、各電気的接続点は、導体層１Ａの外側の絶縁層２の表面と同一の面内に形成されている。

各バンプ５Ａ〜５Ｇの大きさ、特に高さ方向の大きさを調整すると、バンプ５Ａ〜５Ｇ間の段差をなくすことができる。バンプ５Ａ〜５Ｇを形成する導体材料としては導体層１Ａ〜１Ｇと同一材料を用いることが一般的であるが、金、銀、錫、はんだ等の金属を用いてもよい。

各バンプ５Ａ〜５Ｇを製造するためには、導体層１Ａ〜１Ｇの一端の露出部を、開口を有するマスクでマスキングし、導体層１Ａ〜１Ｇにそれぞれ所望の電流密度を有する電流を給電しながら、マスクの開口にめっきすればよい。

導体層１Ａ〜１Ｇの一端に導電体を堆積させて各バンプ５Ａ〜５Ｇを製造してもよい。実施の形態１３では、スクリーン印刷法を用い、導電性ペーストを印刷することにより導電性の堆積物を堆積してバンプを形成した。導電性ペースト材料としては銀や銅の粉体を熱硬化性のエポキシ樹脂で混練した材料を一般的に使用しているが、金、錫、はんだ等の金属を使用してもよい。

導電性の堆積物を堆積するためには、例えば転写法、溶射法、局所的な真空成膜およびワイヤーバンプ等、スクリーン印刷法以外の製造方法も適用可能であることは言うまでもない。

図２７Ａ〜図２７Ｃは、図２６に示す配線板１００ＥＸ３の製造方法を示す断面図である。配線板１００ＥＸ３の導体層１Ａ〜１Ｇの一端に設けられるバンプ５Ａ〜５Ｇは、めっき、ワイヤーボンディング、印刷および真空成膜法等により、比較的均一な形状に形成される。まず図２７Ａに示すように、面精度が非常に良好な定盤の板５１Ａおよび５１Ｂを配線板１００ＥＸ３を挟む位置に２枚平行に対向させる。そして図２７Ｂに示すように、配線板１００ＥＸ３に加圧力を加えるために図示しないプレス装置によって板５１Ａおよび５１Ｂを互いに近づけてバンプ５Ａ〜５Ｇを変形させて、バンプ５Ａ〜５Ｇの高さを同一面に揃える。その後板５１Ａおよび５１Ｂを離すと、図２７Ｃに示すようにバンプ５Ａ〜５Ｇの段差が僅少化された配線板１００ＥＸ３を得ることができる。

（実施の形態１４）
図２８Ａ〜図２８Ｄは、実施の形態１４に係る配線板１００Ｒの製造方法を説明するための断面図である。前述した実施の形態１〜１３では、大気圧よりも減圧された雰囲気で蒸着工程によって導体層および絶縁層を積層したが、本発明はこれに限定されない。下記に示す方法によって導体層および絶縁層を積層してもよい。

まず図２８Ａに示すように、１２μｍ厚の絶縁層２Ｒの片面に０．６μｍ厚の銅薄膜をメッキで形成し、その銅薄膜をウェットエッチングによって配線幅４ｍｍのストライプ形状をした導体層１Ｒに形成してフィルム３１を作製する。絶縁層２Ｒは、熱可塑性樹脂フィルムによって構成され、この熱可塑性樹脂フィルムは液晶ポリマーを含む。

そして図２８Ｂに示すように、多数層のフィルム３１および絶縁層２Ｒを重ね合わせる。次に図示しない加熱ローラによってプレスして絶縁層２Ｒの熱可塑性樹脂フィルムを軟化させ、各フィルム３１を接着することによって図２８Ｃに示す薄膜多層配線板を形成することができた。加熱ローラのプレスによって導体層１Ｒの間の絶縁層２Ｒが圧延されるため、各絶縁層２Ｒの厚さは１．２μｍとすることができた。各導体層１Ｒは、絶縁層２Ｒによって覆われている。隣り合う導体層１Ｒの間の絶縁層２Ｒを切断すると、図２８Ｄに示す配線板１００Ｒを形成できる。

このように絶縁層２Ｒの樹脂シートを重ね合わせて配線板を製造する場合も、階段状の端子を容易に形成することができる。例えば、各フィルム３１の導体層１Ｒは、そのパターン形成の時に階段状の端子となるように予め所定の長さに形成しておき、多数層のフィルム３１および絶縁層２Ｒを重ね合わせる。このようにして作成された積層体の導体層１Ｒの端子は、階段状に形成される。絶縁層２Ｒは、パターン形成されず導体層１Ｒの全面を覆い、そのまま残った状態になる。

そして、残った絶縁層２Ｒを実施の形態１０の図１６に示した保護層８に見立てて、実施の形態１０のレーザ加工等によって導体層２Ｒに達する穴を絶縁層２Ｒに開ける。次に、その穴に導電性ペーストを充填硬化し又はメッキすることによりバイアホール導体を形成すると、バイアホール導体を介して階段状の端子を引き出すことができる。

次に、絶縁層の樹脂シートを用いて階段状の端子を形成する他の方法を説明する。同じ長さに切断した銅箔からなる導体層と、同じ長さに切断した樹脂薄膜シートからなる絶縁層とを長さ方向に位置をずらせながら重ね合わせて圧着すると、実施の形態３の図６Ｅに示すように端子を階段状に露出形成することができる。もちろん、導体層および絶縁層は同じ長さでなくてもよく、図６Ｄに示すように層ごとに順番に長さを変化させても階段状に端子を形成することができる。

このような方法によって製造された配線板も、本発明の各実施の形態に示す効果を奏する。

（実施の形態１５）
図２９Ａは実施の形態１５に係る配線板１００ＥＸの接続構成を説明するための断面図であり、図２９Ｂはその平面図である。配線板１００ＥＸには、エリアアレイのバンプ５によって構成される電極パッドを有する半導体集積回路２１が実装されている。配線板１００ＥＸは、半田ボール１６によって構成されるボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）によってマザー基板１５に実装されている。

配線板１００ＥＸは、複数の導体層１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅおよび１Ｆと、各導体層を絶縁するための複数の絶縁層とを備えている。導体層１Ａ〜１Ｆと絶縁層とは交互に積層されている。図２９Ｂでは、上層の導体層１Ａの配線と内層の導体層１Ｂ、１Ｃ、１Ｄおよび１Ｅの配線との関係が分るように、導体層１Ａ、１Ｂ、１Ｃおよび１Ｄの一部を切断して示している。

各導体層の一端から対応するバンプ５へ到達するバイアホール導体９Ａが形成され、配線板１００ＥＸと半導体集積回路２１とがバイアホール導体９Ａによって電気的に接続されている。半導体集積回路２１に設けられたエリアアレイのバンプ５を引き出すために、各導体層の他端からは、対応する半田ボール１６へ到達するバイアホール導体９Ｂが形成され、配線板１００ＥＸとマザー基板１５がバイアホール導体９Ｂによって電気的に接続されている。

半導体集積回路２１に設けられたエリアアレイのバンプ５を引き出すために、最外周のランド２２は、配線板１００ＥＸの最上層の導体層１Ａで配線し、内周のランドになるに従って順次下層の導体層で配線している。図２９Ｂを参照すると、最上層の導体層１Ａに形成された配線は、エリアアレイの最外周のランド２２を引き出しており、次の導体層である導体層１Ｂに形成された配線は、エリアアレイの最外周から２列目のランド２２を引き出している。さらに、エリアアレイの内周のランドになるに従って下層の導体層１Ｃ、１Ｄおよび１Ｅに形成された配線が順次引出しを行っている。図２９Ａおよび図２９Ｂに示す例は、１４×１４のエリアアレイである。

図３０Ａは半導体集積回路２１をマザー基板１５に搭載するための従来の樹脂基板の構成を説明するための断面図であり、図３０Ｂはその平面図である。従来の樹脂基板は、少ない層数および微細な配線によって半導体集積回路２１の多ピンから配線を引き出している。ビルドアップ基板に代表される半導体パッケージ用の従来の樹脂基板は、半導体集積回路２１の多ピンから配線を引き出すために、極めて微細な配線と微細なバイアホール接続とを必要とする。樹脂基板には、バンプ５によって構成される電極パッドを有する半導体集積回路２１が実装されている。樹脂基板は、半田ボール１６によってマザー基板１５に実装されている。樹脂基板には、３層の絶縁層８２と２層の導体層８１とバイアホール導体８３が形成されている。

半導体集積回路２１のバンプ５を受けるためのマトリックス状のエリアアレイのランド部分では、内周側のランド２２からエリアアレイ外へ配線８４を引き出すためには、より外側のランド２２間に配線８４を通す必要がある。このため、極めて微細な配線８４が必要である。図３０Ｂは、最外周のランド２２、最外周から２列目のランド２２および３列目のランド２２から配線８４を引き出す例を示す。

ランドピッチの最小寸法は、下記の（式１）で表される。

最小寸法＝（配線幅×ｎ）＋（配線間スペース×（ｎ＋１））
＋ランド直径 …（式１）、
ここで、
ｎ：ランド間の配線数、
である。

（式１）より、ランド直径１００μｍ、配線幅３０μｍ、配線間スペース３０μｍ、ｎ＝２のとき、最小寸法＝２５０μｍであることがわかる。このようにランドピッチ２５０μｍのエリアアレイにおいてランド２２間を通って引き出せる配線数はたかだか２本である。従って、２本よりも多い配線をランド間を通って引き出すためには、配線幅、配線間スペースをさらに狭くするか、ランド径を小さくする必要がある。

しかしながら、配線幅、配線間スペースをさらに狭くすることは困難である。ランド径は、半導体集積回路２１のバンプ５との位置合せのため、および高い信頼性で安定してバンプ５と接続するために大きくしておく必要がある。

またランド径は、バイアホール導体８３との関係から見ても大きくしておく必要がある。ランド径を縮小しようとすると、配線層間を接続するバイアホール導体８３の径も縮小する必要がある。バイアホール導体８３の径を５０μｍ以下に縮小すると、従来の樹脂基板の絶縁層の厚みは５０〜１００μｍであるので、そのアスペクト比が１よりも高くなる。このため、微細な孔加工が困難になるばかりでなく、微細かつ高アスペクトでのバイアホール接続において、安定な接続の確保や、熱サイクル等によるストレスに起因する劣化が生じ、信頼性の確保が難しくなるという問題がある。

これに対して図２９Ａおよび図２９Ｂに示す実施の形態１５の配線板１００ＥＸでは、導体層と絶縁層との１層当たりの厚みが薄いため、バイアホール導体が貫く絶縁層の層数が複数であってもバイアホール導体の厚み方向の長さを短くすることができる。

また配線板１００ＥＸでは、エリアアレイのランド２２を外周側から１層の導体層ごとに順番に引き出すことができる。このため、ランド２２間に微細な配線を引き出す必要がない。従って、ランド径を縮小する必要がないのでバイアホール径を大きくできる。このように配線板１００ＥＸでは、バイアホール導体の厚み方向の長さを短くすることができるとともに、バイアホール径を大きくできるので、その結果、バイアホール導体のアスペクト比を小さくすることができる。

図２９Ａに示す例では、バイアホール径が１００μｍであり、配線板１００ＥＸの総厚みが２０μｍである。従って配線板１００ＥＸの総厚みは、バイアホール径よりも遥かに薄い。このため、バイアホール導体のアスペクト比が小さくなるので、バイアホール導体およびバイアホール接続の信頼性の確保が容易である。

例えば、バイアホール径が１００μｍであり、厚み５μｍの絶縁層を１０層、厚み４μｍの導体層を１１層積層した場合には、厚み方向に最も長いバイアホール導体でもその長さは約９０μｍなので、アスペクト比は１よりも小さくなる。このため、作製が容易で信頼性が高いバイアホール接続を実現することができる。

また、さらに薄い絶縁層および導体層を使用してさらに多層化を図ると、よりピン数の多い半導体集積回路と容易に接続することができる。この場合でも、バイアホール導体のアスペクト比を１よりも小さくすることができるので、安定で信頼性が高いバイアホール接続を実現することができる。

また実施の形態１５の配線板１００ＥＸでは、配線幅も微細にする必要がない。例えば、エリアアレイのランド２２のピッチを２５０μｍ、ランド２２の径を１５０μｍ、バイアホール径１００μｍとすると、配線は、前述した従来の樹脂基板のようにランド２２の間を通す必要がなく、ランド２２から直接外側へ引き出すことができるので、ランド径と同一の配線幅１５０μｍでも引き出すことができる。このため、従来よりも容易に配線を作製することができる。その結果、作製が容易で生産性が高く、微細配線および微細なバイアホール接続による信号劣化がない配線板を実現できる。

実施の形態１５では、厚さ２μｍのアラミドフィルムを絶縁層として用いる。そして、その上にスパッタによって銅薄膜を含む下地層を形成し、その上に電気めっきによって銅薄膜を成長させて厚さ１μｍの導体層を形成する。次に、各層の間に熱硬化性の接着剤を挿入し、各層を重ね合わせて熱プレスすることによって接着剤を硬化させて積層体を形成する。

従って、絶縁層１層あたりの厚みは高々３μｍであるので、７層の導電層を含む配線板でも、総厚み３０μｍ程度で実現することができる。なお、半田ボール１６と接続する配線板１００ＥＸの下面のランドは、マザー基板１５へ配線板１００ＥＸを実装した時の強度が必要であるため、１８μｍ厚の銅箔によって補強されている。

バイアホール導体９Ａおよび９Ｂは、以下のようにして形成される。まず、前述した積層体の上面および下面のバイアホール導体を形成しようとする所定の位置にレーザ孔加工によってバイアホールを開ける。バイアホール形成部分において、表面から所定の導体層に至るまでの他の導体層の部分は、各層における他の導体層のパターン形成時に予め除去してあるので、表面から所定の導体層までは絶縁層のみが残っている。従って、表面から所定の導体層に至るまでの絶縁層をレーザで除去することで、容易にバイアホールが形成される。そして、導電性ペーストを印刷によってバイアホールに充填し、熱硬化させてバイアホール導体９Ａおよび９Ｂを形成する。

このように実施の形態１５では、多数の絶縁層にまたがったバイアホール接続においても、例えば７層の導電層で３０μｍ厚、バイアホール径１００μｍという浅くて広く、従ってアスペクト比の低いバイアホール導体によって半導体集積回路２１とマザー基板１５とが接続される。このため、作製が容易で接続信頼性が高いバイアホール接続を得ることができる。

図２９Ｂに示すように、導体層１Ａにおける最外周ランド２２からの引き出し配線と、導体層１Ｂにおける最外周から２列目のランド２２からの引き出し配線とは、多数の配線が互いに交差しているが、異なる導体層１Ａおよび１Ｂに形成されているため、互いに自由に交差して配線することができる。

導電層１Ｃおよび導電層１Ｅにベタ形状のグランド層または電源層を形成し、その間の導電層１Ｄに形成された配線をガードすると、妨害放射を低減し、ＥＭＣを確保することができる。

実施の形態１５では、半導体集積回路２１がワンチップの例を示しているが、ＭＰＵ、メモリ、インターフェース回路を含む複数チップの半導体集積回路でもよい。特に複数チップの半導体集積回路を接続するためには、多数の配線が必要であるため、互いに交差する配線も多数発生する。このため本実施の形態に係る配線自由度が高い配線板は、複数チップの半導体集積回路を接続するために適用することが特に好ましい。

（実施の形態１６）
図３１Ａはマザー基板１５Ａおよび１５Ｂを接続する実施の形態１６に係る配線板１００Ｅを説明するための模式図であり、図３１Ｂはマザー基板１５Ａおよび１５Ｂを接続する従来の配線板９０Ａを説明するための模式図である。配線板１００Ｅは実施の形態３で前述した配線板１００Ｅと同一であるが、配線板１００Ｅの替わりに前述した実施の形態１〜１５のいずれかに係る配線板を使用してもよい。

図３１Ｂに示すように従来の配線板９０Ａはフレキシブル配線板によって構成され、多数の配線を１つの層内に並列に形成しているため、幅広の形態となり、配線の長手方向に沿っては自由に屈曲できるが、配線に交差する方向には変形自由度がない。このため図３１Ｂに示すように、マザー基板１５Ａおよび１５Ｂの接続部の位置に応じた複雑なカスタム形状に作製する必要がある。一旦作製された配線板の形状を変形させることは困難であるので、マザー基板１５Ａおよび１５Ｂの配置は制限される。

これに対して実施の形態１６に係る配線板１００Ｅは、積層された薄い複数の導体層に多数の配線を収めることができるので、図３１Ａに示すように、直線状の配線板であっても、細い紐のようにねじり方向に変形させることができる。このため、マザー基板１５Ａおよび１５Ｂの相対的な配置関係が変化しても、その変化に応じて自由に変形することができる。

従来のフレキシブル配線板は配線の長手方向に沿ってしか自由に変形できなかったが、実施の形態１６に係る配線板１００Ｅは、マザー基板１５Ａおよび１５Ｂの相対的な配置関係が、上下方向、左右方向、前後方向およびねじり方向に変化しても、その変化に自由に追従する柔軟性を有する。

従来のフレキシブル配線板はマザー基板１５Ａおよび１５Ｂの設置条件に応じて予め所定の形状に作製する必要があるので、機器の構成が変更されるたびにカスタムの形状を作製する必要がある。本実施の形態に係る配線板は紐状の形状を有し、マザー基板の様々な配置に追従することができるので、長さおよび配線層数等の標準的な仕様の直線形状の配線板を予め作製しておくだけで、様々な構成の電子機器に対応することができる。

このように実施の形態１６に係る配線板１００Ｅは機器設計ごとのカスタム形状に作製する必要がなく、標準的な仕様の配線板を繰り返し生産することでマザー基板の様々な配置に対応できる。このため、生産性が高く大量生産が容易であるという効果も有する。

上記各実施の形態１〜１６より明らかなように、導体層の厚さをその導体層の断面積におけるアスペクト比において極めて小さく形成できるため、高周波信号を伝送するときに問題となる導体の表皮効果に基づくインピーダンスの増大による導体損失を回避することが可能となる。

また従来と比較して配線板の面積を小さく、かつ配線数を多く形成することができるため、小型・軽量化が要求されるモバイル電子機器において、多機能化によって多数の入出力端子が高密度配置された回路基板等の接続に用いる場合、極めて有用である。

上記説明した本発明の各実施の形態１〜１６における薄膜多層配線板を、ノート型パソコンや携帯電話等の小型・軽量化されたモバイル電子機器に見られるように電子機器が２つの構成体を含み、頻繁に折り畳み動作が行われるような電子機器に使用した場合、２つの構成体に別れて収納された回路基板同士を自由な方向性を備えて屈曲自在に、かつ高い接続信頼性を備えて電気的に接続することができる。

上記各実施の形態１〜１６で参照した各図面では、導電層と絶縁層との積層構造の断面形状を理解しやすくするために、厚さ方向をかなり拡大して示している。従って、実施の形態における実際の断面厚さは極めて薄い。信号配線を構成する導体層のアスペクト比は、従来の配線板のアスペクト比よりも極めて小さく、絶縁層のアスペクト比も極めて小さいため、極めて多数の層を積層した積層体の総厚みも２００μｍよりも小さい。また、バイアホール導体およびバンプのアスペクト比も実際には１よりもかなり小さい。

本発明は、回路基板を相互に電気接続する配線板、その製造方法およびこれを用いた電子機器に適用することができる。

実施の形態１に係る配線板の構成を示す斜視図実施の形態１に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態１に係る他の配線板の構成を示す断面図実施の形態２に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態３に係る配線板の構成を示す斜視図実施の形態３に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態３に係る他の配線板の構成を示す断面図実施の形態３に係るさらに他の配線板の構成を示す断面図実施の形態３に係るさらに他の配線板の構成を示す平面図実施の形態３に係るさらに他の配線板の構成を示す断面図実施の形態３に係るさらに他の配線板の構成を示す断面図実施の形態３に係るさらに他の配線板の構成を示す断面図実施の形態３に係るさらに他の配線板の構成を示す断面図実施の形態４に係る配線板およびその接続状態を説明するための正面図実施の形態４に係る配線板およびその接続状態を説明するための平面図実施の形態５に係る配線板の構成を示す平面図実施の形態５に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態５に係る他の配線板の構成を示す平面図実施の形態５に係る他の配線板の構成を示す断面図実施の形態６に係る配線板の構成を示す平面図実施の形態６に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態６に係る他の配線板の構成を示す平面図実施の形態７に係る配線板の構成を示す平面図実施の形態７に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態７に係る他の配線板の構成を示す平面図実施の形態７に係るさらに他の配線板の構成を示す平面図実施の形態８に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態９に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態１０に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態１１に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態１１に係る配線板の構成を示す平面図実施の形態１１に係る他の配線板の構成を示す断面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す平面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す断面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す平面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す断面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す平面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す断面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す他の断面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す平面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す平面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す断面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す平面図実施の形態１１に係るさらに他の配線板の構成を示す平面図実施の形態１２に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態１３に係る配線板の構成を示す断面図実施の形態１３に係る配線板の製造方法を示す断面図実施の形態１３に係る配線板の製造方法を示す断面図実施の形態１３に係る配線板の製造方法を示す断面図実施の形態１４に係る配線板１００の製造方法を説明するための断面図実施の形態１４に係る配線板１００の製造方法を説明するための断面図実施の形態１４に係る配線板１００の製造方法を説明するための断面図実施の形態１４に係る配線板１００の製造方法を説明するための断面図実施の形態１５に係る配線板の構成を説明するための断面図実施の形態１５に係る配線板の構成を説明するための平面図半導体集積回路をマザー基板に搭載するための従来の樹脂基板の構成を説明するための断面図半導体集積回路をマザー基板に搭載するための従来の樹脂基板の構成を説明するための平面図マザー基板を接続する実施の形態１６に係る配線板を説明するための模式図マザー基板を接続する従来の配線板を説明するための模式図従来のフレキシブル配線板の構成を示す平面図従来のフレキシブル配線板の部分斜視図

符号の説明

１導体層
１ＡＴ、１ＢＴ、１ＣＴ、１ＤＴ、１ＥＴ、１ＦＴ、１ＧＴ端子
２絶縁層
３ＡＡ、３ＡＢ、３ＡＣ、３ＡＤ配線
３ＢＡ、３ＢＢ、３ＢＣ、３ＢＤ、３ＢＥ配線
５バンプ
８保護層
９Ａ、９Ｂ、９Ｃ、９Ｄ、９Ｅ、９Ｆ、９Ｇビアホール導体
１０電極

Claims

信号を伝送する１個以上の配線をそれぞれ含む複数の導体層と、
前記導体層を絶縁する複数の絶縁層とを備え、
前記導体層と前記絶縁層とが交互に積層され、
前記複数の導体層のそれぞれの両端の少なくとも一方に端子を備える配線板において、
前記端子は、前記導体層と前記絶縁層との積層構造の断面形状において前記絶縁層を介して階段状に形成されることを特徴とする配線板。
前記導体層と前記絶縁層とは、大気圧よりも減圧された雰囲気で形成される請求項１に記載の配線板。
前記複数の導体層は、３個以上の薄膜導体層である請求項１に記載の配線板。
前記複数の導体層の１つ以上は、複数の配線を含む請求項１に記載の配線板。
前記複数の導体層の１つに含まれる配線の数と前記複数の導体層の他の１つに含まれる配線の数とが互いに異なる請求項１に記載の配線板。
前記複数の導体層の少なくとも２つは、前記２つの導体層に挟まれる他の導体層の配線をシールドするシールド層を含む請求項１に記載の配線板。
前記複数の導体層の１つ以上は、複数の配線を含み、
前記複数の配線のそれぞれが前記端子を備える請求項１に記載の配線板。
前記端子は、中央に積層された導体層から両側の導体層に向かって階段状に配置される請求項１に記載の配線板。
前記端子は、前記導体層と前記絶縁層との積層方向から見て、縦一列、横一列およびマトリックス状のいずれかの態様に配置される請求項１に記載の配線板。
前記端子は、前記導体層と前記絶縁層との積層方向から見て、前記配線の長手方向に斜交する方向に沿って配置される請求項１に記載の配線板。
前記端子は、前記導体層と前記絶縁層との積層方向から見て、Ｖ字形状に配置される請求項１に記載の配線板。
前記端子は、前記絶縁層に覆われた前記導体層よりも厚い請求項１に記載の配線板。
各端子の上に、バンプが形成される請求項１に記載の配線板。
各バンプは、その先端に電気的接続面を有し、
各電気的接続面は、同一面内に形成される請求項１３に記載の配線板。
前記端子を覆う保護層と、
前記保護層に形成され、各端子にそれぞれ接続するビアホール導体と、
前記保護層の表面に形成され、各ビアホール導体とそれぞれ接続する複数の電極とをさらに備える請求項１に記載の配線板。
各端子は、突出して形成され、その先端に電気的接続面を有し、
各電気的接続面は、同一面内に形成される請求項１に記載の配線板。
前記導体層と前記絶縁層とは、真空蒸着法、スパッタ法およびＣＶＤ法の少なくとも１つによって形成される請求項１に記載の配線板。
信号を伝送する１個以上の配線をそれぞれ含む複数の導体層と、前記導体層を絶縁する複数の絶縁層とを備え、前記導体層と前記絶縁層とが交互に積層され、前記複数の導体層のそれぞれの両端の少なくとも一方に端子を備える配線板の製造方法において、
前記導体層と前記絶縁層との積層構造の断面形状において前記絶縁層を介して階段状に前記端子を形成することを特徴とする配線板の製造方法。
前記導体層の一端に給電しながらメッキして前記端子を形成する請求項１８に記載の配線板の製造方法。
各端子は、バンプによって構成されており、
開口を有するマスクで前記導体層の一端をマスキングし、
マスキングされた前記導体層の一端に給電しながら前記マスクの開口内にメッキして前記バンプを形成する請求項１８に記載の配線板の製造方法。
各端子は、バンプによって構成されており、
前記導体層の一端に導電体を堆積させて前記バンプを形成する請求項１８に記載の配線板の製造方法。
各バンプの高さを同一面にそろえるために各バンプの先端を平板で加圧する請求項２０と２１とのいずれかに記載の配線板の製造方法。
信号を伝送する１個以上の配線をそれぞれ含む複数の導体層と、前記導体層を絶縁する複数の絶縁層とを備え、前記導体層と前記絶縁層とが交互に積層される配線板の製造方法において、
大気圧よりも減圧された雰囲気で前記導体層と前記絶縁層とを形成することを特徴とする配線板の製造方法。
複数の回路基板と、
前記回路基板を接続する配線板とを備えた電子機器において、
前記配線板が、請求項１に記載の配線板であることを特徴とする電子機器。