JP2004327950A - 欠陥修正装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、種々の大きさの欠陥部にたいしても高精度に修正を行える欠陥修正装置を提供することであり、また、本発明の他の目的は、上記欠陥修正装置に用いられるレーザの出力判定システムを提供することである。
【解決手段】本発明の欠陥修正装置1は、基板上の欠陥部を修復する欠陥修正装置であって、照射するレーザの断面積を可変なレーザ出力機構10を有している。このレーザ出力機構10は、前記断面積に応じて加工条件を変化させる。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の欠陥修正装置1は、基板上の欠陥部を修復する欠陥修正装置であって、照射するレーザの断面積を可変なレーザ出力機構10を有している。このレーザ出力機構10は、前記断面積に応じて加工条件を変化させる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、製造中の基板の欠陥部をレーザを用いて修復する欠陥修正装置、並びに前記レーザの出力を判定する出力判定システムに関している。
【従来の技術】
半導体等の基板を製造する際に、基板の欠陥部分をレーザ光により修正する欠陥修正装置が、一般的に用いられている。例えば、上記従来の欠陥修正装置には、特許文献1中に示される装置等がある。この特許文献1中の従来の欠陥修正装置は、特許文献1の段落番号[0008]中に記載されているように、紫外レーザ発振器を有しており、紫外レーザ発振器により出射されるレーザ光は、可変矩形開口により、断面形状を任意に変更可能である。
また、上記従来の欠陥修正装置は、特許文献1中の段落番号[0018]中に記載されているように、欠陥部の厚さにより、前記レーザ光の照射時間、照射回数、又は、エネルギー密度を変化させ、欠陥部の処理時間を短縮する。
【特許文献1】
特開平9−5732号公報(第3−5頁、 図1)
【発明が解決しようとする課題】
複数の欠陥部が有る場合、各欠陥部は、厚さが同一であっても、面積が異なる場合がある。この場合、上記特許文献1中の欠陥修正装置は、厚さが同一であるため、各欠陥部に対して、レーザ光の断面積を変化させるが、実質的に同一なエネルギー密度でレーザを出射する。なお、エネルギー密度が同一であっても、一回のレーザ出射におけるエネルギー総量は、前記断面積に応じて大きくなる。即ち、レーザ光は、断面積が最大の設定の場合、断面積が最小の設定に比べて、エネルギー総量が大きい。
このため、比較的小さい欠陥部に合わせてレーザのエネルギー密度を決定した場合、比較的大きい欠陥部は、エネルギー総量が大きくなりすぎ、基板をこがしてしまう恐れがある。逆に、大きい欠陥部に合わせてレーザのエネルギー密度を決定した場合、小さい欠陥部は、エネルギー総量不足により、処理されず、残ってしまう恐れがある。
上記課題を鑑みて、本発明の目的は、種々の大きさの欠陥部にたいしても高精度に修正を行える欠陥修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
上記課題を鑑みて、本発明の一態様の欠陥修正装置は、基板上の欠陥部を修復する欠陥修正装置であって、照射するレーザの断面積を可変なレーザ出力機構を有している。前記レーザ出力機構は、前記断面積に応じて加工条件を変化させる。
また、本発明の一態様の出力判定システムは、前記基板の欠陥部に対してレーザを照射することにより修正する際に、修正前並びに後の画像取得する画像取得部と、前記基板の修正時のレーザの断面積並びにエネルギー密度を取得する加工条件取得部と、修正前並びに後の画像を比較することにより、前記断面積においてレーザを出力した際に、出力エネルギーの強弱を判定する判定部と、を具備している。この出力判定システムは、前記判定結果を上記一態様の欠陥修正装置に出力する。
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
(第1の実施の形態)
(構成)
まず、第一の実施の形態について図1並びに図2を用いて説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態に従った欠陥修正装置1を概略的に示すブロック図である。図2は、修復対象の基板を示す概略図である。
欠陥修正装置1は、製造中の基板の欠陥部を修正するための修正手段である。この欠陥修正装置1は、レーザ出力機構10と、情報生成部20と、XYテーブル30と、制御部40とを具備している。なお、本実施の形態において、修正対象の基板は、図2中に示されるように、マトリックス状の配線101、例えば、信号線及び走査線、が配列されており、配線から電極102が出ている。言い換えると、これらの配線並びに電極は、図3中に示されるようなパターンを複数構成し、図2中のような基板を構成している。なお、図2中の基板には、欠陥部103が存在している。
まず、レーザ出力機構10について説明する。
レーザ出力機構10は、欠陥部を修正するためのレーザ光を出力するためのレーザ出力手段である。このレーザ出力機構10は、レーザ発振器11と、エネルギー制御機構12と、断面積変更機構13と、を有している。
レーザ発振器11は、公知のレーザ発振装置である。レーザ発振器11の発生するレーザの種類は、欠陥部を修復し得れば、種類並びに波長を任意に選定し得る。なお、陥部を短時間に精度よく処理するために、波長は、約266mmより大きく約533mmより小さい範囲から選定されることが好ましい。例えば、波長が、1024mmや532mmの場合、熱透過性が良いため、製造中の基板においてレジストより下層の部分にまでダメージを与えてしまう恐れがある。また、波長が266mmの場合、薄いレジストを徐々にはがしていくように処理が行われるので、修復処理に時間がかかってしまう。本実施の形態において、レーザ発振器11は、上記の点において好適な、波長が約355mmのYAGレーザを発生させる。
エネルギー制御機構12は、レーザ発振器11のエネルギー密度を調整する手段である。エネルギー制御機構12は、ND(neutral density)フィルター等の光学部材により構成されることも可能であるし、レーザ発振器11に印加する電圧を制御する電圧制御手段であることも可能である。なお、エネルギー制御機構12は、レーザ発振器11と一体的に提供されている場合、特別に新たな機構として追加しなくてもよい。なお、エネルギー制御機構は、出力するエネルギーを段階的に変更可能に設定されている。本実施の形態において、エネルギー制御機構12は、出力off、並びに最小出力から最大出力までの200分割したパワー設定を行い得るように構成されている。即ち、エネルギー制御機構12は、パワー設定値を0〜200まで設定可能に構成されている。さらに言い換えると、エネルギー制御機構12は、最大出力の5%刻みに照射するレーザのエネルギー密度を調整可能である。この構成において、エネルギー制御機構12は、初期設定において、パワー設定値100の際に、10ジュール/平方マイクロメートル(J/μmm2)に設定されている。
断面積変更機構13は、レーザ発振器11に取り付けられており、照射されるレーザの断面積を調整する手段である。本実施の形態において、断面積変更機構13は、互いに直交する軸に沿って移動可能なシャッターにより構成されている。従って、本実施の形態の断面積変更機構13は、大小の矩形形状にレーザの断面形状を変化させることにより、レーザの断面積を変更させ得る。なお、断面積変更機構13は、開口の面積が可変なスリットや他の機構などに代替え可能である。
次に、情報生成部20について説明する。
情報生成部20は、欠陥部修正を行う際に必要な種々の情報を取得並びに生成する手段である。この情報生成部20は、撮像装置21と、基本情報設定部22とを有している。撮像装置21は、例えばCCDなどの、基板を撮像するための撮像手段である。撮像装置21は、修復対象の基板の修復処理前後の画像を撮像する。より詳細には、撮像装置21は、処理前と後との夫々において、複数のパターンを有するように撮像し俯瞰処理前並びに後画像を形成するとともに、各パターンを拡大して撮像する拡大パターン処理前並びに後画像を形成する。なお、撮像装置21は、撮像した俯瞰処理前並びに後画像、及び、拡大パターン処理前並びに後画像を、基板上の位置情報と対応させて、制御部40に送る。
基本情報設定部22は、制御部40に送る種々の情報の入力する入力手段である。より具体的には、基本情報設定部22は、修復対象の基板と同一であるとともに欠陥部を有していないパターンで構成された基板の画像を有している。より詳細には、基本情報設定部22は、上記理想的な基板において、複数のパターンにより構成された俯瞰参照画像と、1つのパターンの拡大された画像である拡大パターン参照画像と、を有している。なお、俯瞰参照画像並びに拡大パターン参照画像とは、基板上の位置情報と対応して、基本情報設定部22に保持されている。
次に、XYテーブル30について説明する。
XYテーブル30は、撮像装置21並びにレーザ出力機構10を、基板に対して相対的に互いに直交するX並びにY方向に走査させるための走査手段である。このXYテーブル30は、撮像装置21並びにレーザ出力機構10を支持しており、これらを走査するための駆動部を有している。XYテーブル30は、撮像装置21並びにレーザ出力機構10を一緒に走査させる構成にすることも可能であるし、別々に走査させる構成にすることも可能である。
続いて、制御部40について説明する。
制御部40は、レーザ出力機構10、情報生成部20、並びにXYテーブル30と接続されており、これらの駆動を制御するための制御手段である。この制御部40は、情報記憶部41、検出部42、駆動制御部44、判定部45、及び、駆動制御テーブル記憶部46を有している。
情報記憶部41は、情報生成部20からの情報を記憶する記憶手段である。この情報記憶部41は、欠陥部の修復処理を行う前の情報を記憶する処理前情報記憶部41aと、修復処理後の情報を記憶する処理後情報記憶部41bと、を有している。具体的には、処理前情報記憶部41aは、処理前情報として、俯瞰並びに拡大パターン参照画像と、撮像手段により撮像された俯瞰処理前画像と拡大パターン処理前画像とを、情報生成部20から取得し、記憶する。また、処理後情報記憶部41bは、撮像手段により撮像された俯瞰処理後画像と、拡大パターン処理後画像とを記憶する。
検出部42は、処理対象の基板において、欠陥部を検出するための検出手段である。より具体的には、この検出部42は、処理前情報記憶部41aから俯瞰参照画像と俯瞰処理前画像とを取得し、これらの画像を比較し、基板上の欠陥部の位置を検出する。これとともに、検出部42は、拡大パターン参照画像と、拡大パターン処理前画像とを比較し、検出した欠陥部の大きさを検出する。また、検出部42は、検出した欠陥部の位置ならびに大きさ情報を、駆動制御部44に送る。
駆動制御部44は、レーザ出力機構10,情報生成部20,並びにXYテーブル30の駆動を制御する。より詳しくは、駆動制御部44は、撮像装置21並びにレーザ出力機構10が基板に対して移動するように、XYテーブルの駆動を制御する。また、駆動制御部44は、後で詳しく動作を説明するが、駆動制御テーブル記憶部46中の情報に基づいて、エネルギー制御機構12並びに断面積変更機構13の駆動を制御する。
判定部45は、処理前情報に対して処理後情報を比較し、欠陥部毎に修正処理が良好に行われたかの良否判定を行う。より具体的には、判定部45は、修正処理を行った各欠陥部の位置に対応した拡大パターン処理後画像に対して、拡大パターン処理前画像と拡大パターン参照画像とを比較して、良否判定を行う。また、判定部45は、前記良否判定結果を、レーザのパワー設定値並びに断面積と対応させて、駆動制御テーブル記憶部46に記憶させる。
駆動制御テーブル記憶部46は、上述のように、レーザのパワー設定値並びに断面積と、これらに対応する前記良否判定結果と、による駆動制御テーブルを作成し、記憶する。
(動作)
以下に、上記欠陥修正装置1の動作について説明する。
まず、欠陥修正装置1の駆動制御テーブルを作成する際の動作について説明する。駆動制御テーブルを作成するために、以下に示される工程が行われる。
(初期設定工程S11)
まず、最初に初期設定工程が行われる。この初期設定工程では、欠陥修正装置1上に、欠陥部を有するテスト基板が配置される。このテスト基板は、図2中に示される基板と同様なパターンをフォト工程により形成した後の基板であり、欠陥部103を有している。
(第1処理前情報入力工程S12)
初期設定工程の前、途中、後において、以下に示される第1処理前情報入力工程が行われる。この第1処理前情報入力工程では、理想的な基板の前記俯瞰参照画像と、拡大パターン参照画像とが、情報生成部20の基本情報設定部22を介して、処理前情報として処理前情報記憶部に格納される。なお、上記構成で説明したように、上記理想的な基板は、上記テスト基板と同一のパターンで構成されているとともに欠陥を有していない基板のことである。なお、この理想的な基板は、上記テスト基板中の欠陥を有していないパターンを画像処理により組み合わせて作成することが可能である。なお、俯瞰参照画像は、基板全体に渡って形成された場合、この参照画像から各欠陥部の位置を算出できるため、基板上の位置と対応させる必要はない。また、俯瞰参照画像並びに拡大パターン参照画像とは、256階調の画像データとして取得される。
また、この第1処理前情報入力工程において、撮像装置21が、欠陥部の修正処理前の前記テスト基板を撮像し、撮像により形成された前記俯瞰処理前画像を処理前情報として処理前情報記憶部に格納する。なお、俯瞰処理前画像も俯瞰参照画像と同様に、基板全体に渡って形成された場合、基板上の位置と対応させる必要はない。俯瞰処理前画像もまた、256階調の画像データとして取得される。
また、この工程において、エネルギー制御機構12のパワー設定値を、処理前情報として処理前情報記憶部41aに記憶させることが可能である。本実施の形態において、パワー設定値の初期値は、100に設定される。
(欠陥部検出工程S13)
第1処理前情報入力工程が終了した後、欠陥部検出工程が行われる。この欠陥部検出工程ではまず、検出部42が、俯瞰参照画像と、俯瞰処理前画像とを処理前情報記憶部41aから取得する。続いて、検出部42は、これらの画像を比較し、欠陥部を検出する。この検出動作について、以下でより具体的に説明する。
まず、検出部42は、俯瞰参照画像の配線並びに電極、及び欠陥部のないレジストが塗布されている部分の輝度値を取得する。続いて、検出部42は、俯瞰処理前画像において、上記部分の輝度値と近似する部分以外を、検出する。この検出により、基板上の3つの部分以外の領域の座標、即ち欠陥部の座標が検出される。なお、輝度値の近似を調べる際に、上下マージンを処理前情報部中に設定することが可能である。例えば、輝度値が上下20までマージンを認めるとともに、取得したレジスト部分の輝度値が100だった場合、検出部42は、輝度値80から120までの範囲を、レジスト部分として処理する。なお、検出部42は、互いに隣接する欠陥部を1つの欠陥部として処理する。
上述のようにして、各欠陥部の座標を検出した後、検出部42は、駆動制御部44に、XYテーブル30に駆動命令を出す。この駆動命令により、XYテーブル30は、検出された欠陥部の座標に基づいて、撮像装置21を、対応する欠陥部を有するパターン上に移動する。そして、撮像装置21は、俯瞰参照画像を撮像したときより高倍率に倍率を切り替え、前記パターンを撮像し、拡大パターン処理前画像を取得する。検出部42は、このようにして、撮像装置21に、全ての欠陥部を有するパターンを撮像させ、拡大パターン処理前画像を取得する。
続いて、検出部は、各拡大パターン処理前画像より、各欠陥部の大きさを検出し、位置座標に対応させて駆動制御部44に送る。
(駆動制御テーブル作成工程S14)
欠陥部検出工程が終了した後、駆動制御テーブル作成工程が行われる。この駆動制御テーブル作成工程では、駆動制御部44が、XYテーブル30並びにレーザ出力機構10に駆動命令を出し、レーザ出力機構10を上述のようにして検出した欠陥部上に移動させるとともに、図4中に示すように、断面積変更機構13により、レーザ発振器11の照射するレーザを対応する欠陥部の大きさに対応した断面積(レーザの照射領域104)を設定する。これとともに、駆動制御部44は、処理前情報記憶部41aから、パワー設定値の初期値を取得し、エネルギー制御機構12に駆動命令を出す。この駆動命令により、レーザ発振器11のパワー設定値が、100に設定される。
このようにレーザの断面積並びに出力するレーザのエネルギー密度が設定された後に、駆動制御部44は、レーザ出力機構10に、欠陥部に対してレーザを照射させ、欠陥部の修正処理を行う。この修正を行う前、途中、後において、駆動制御部44は、処理後情報記憶部に、レーザの断面積に対応して、パワー設定値を、駆動制御テーブル記憶部46に記憶させる。なお、本実施の形態において、駆動制御部44は、大きさが、最大、最小、及び中間の欠陥部に対して上記欠陥部の修正処理を行う。なお、この修正処理は、全部の欠陥部に対して行うことも可能であり、処理数は、任意である。
続いて、修正処理が行われた欠陥部を有する各パターンの画像を取得する。具体的には、駆動制御部44は、XYテーブル30並びに撮像装置21に駆動命令を出し、拡大パターン処理前画像を取得したときと、実質的に同様に、修正処理後の各パターンを撮像し、拡大パターン処理後画像を取得する。本実施の形態においては、3つの拡大パターン処理後画像が取得され、処理後情報として処理後情報記憶部41bに格納される。
なお、レーザのエネルギー密度が適切だった場合、レーザ照射領域104中の欠陥部は、欠陥部を完全に修正され、図5中に示されるように、取得した拡大パターン処理後画像から消滅する。また、レーザのエネルギー密度が不足していた場合、レーザ照射領域104中の欠陥部は、図6中の拡大パターン処理後画像にも示されるように、残ってしまう。さらに、レーザのエネルギー密度が過大だった場合、レーザ照射領域104中の欠陥部は、消滅するが、図7中の拡大パターン処理後画像にも示されるように、レーザ照射領域104がこげてしまう。
続いて、判定部45は、上記3つの処置後の欠陥部に対応した、拡大パターン処理前画像と、拡大パターン処理後画像とを比較し、図9中に示されるようなグラフを作成する。具体的には、拡大パターン処理後画像のレーザ照射領域104の輝度値が、拡大パターン処理前画像中のレーザ照射領域104と同位置の領域に対して変化しているかを比較する。この比較において、変化量が少ない場合、依然として欠陥部が残っていることであるため、判定部45は、エネルギー密度不足と判断し、グラフに三角印をプロットする。図9中において、最小の大きさの欠陥部において、三角印がプロットされている。
上記比較において、エネルギー不足と判断されなかった欠陥部は、続いて、対応する拡大パターン処理後画像と、拡大パターン処理後画像とが比較される。こげている場合、黒に近づき、輝度値が大きくなるため、この比較において、拡大パターン処理後画像のレーザ照射領域104の輝度値が、拡大パターン参照画像の輝度値の平均値に対して大きいか判断する。この比較において、輝度値が平均値より大きいと判断された場合、判定部45は、エネルギー密度過大と判断し、グラフにバツ印をプロットする。図9中において、最大の大きさの欠陥部において、バツ印がプロットされている。
上記二つの比較において、エネルギー不足及び過大と判断されなかった場合、エネルギー量が適正とされ、丸印がプロットされる。図9中において、中間の大きさの欠陥部において、丸印がプロットされている。この適正とされたエネルギー量は、基板にダメージを与えない最大のエネルギー量となる。
続いて、判定部45は、図9中の破線で示されるように、エネルギー過大と判断したレーザの断面積に対応したパワー設定値を1つ下げて、エネルギー量の補正を行う。なお、このとき、近似したレーザの断面積のエネルギー量に対しても補正を行えるように、グラフ中において、断面積方向において、隣接するプロットとの中間(中間位置)から、断面積の大きい領域全体のパワー設定を下げる。
同様にして、判定部45は、エネルギー不足と判断したレーザの断面積に対応したパワー設定値を1つ上げ、エネルギー量の補正を行う。この場合においても、近似したレーザの断面積のエネルギー量に対しても補正を行い得るように、グラフ中において、断面積方向において、隣接するプロットとの中間(中間位置)から、断面積の小さい領域全体のパワー設定を上げる。
このように、補正が行われた後、駆動制御部42は、上記3つの欠陥部並びに上記2つの中間位置のレーザの断面積と実質的に同一な欠陥部に対して、上記グラフで示されるパワー設定値で、再びにレーザを照射し、修正処理を行う。即ち、今度は、5つの欠陥部に対して修正処理を行う。
この修正処理後には、判定部45は、上記と同様に、パワー設定値の補正を繰り返しパワー設定の修正を行い(図10並びに図11参照)、全てのプロットが丸印に成った際に、パワー設定の修正が完了する。パワー設定の修正が完了した際に、判定部45は、丸印に対応したレーザ断面積並びにパワー設定値により、駆動制御テーブルを修正し、駆動制御テーブル記憶部46に格納する。
欠陥修正装置1は、上述のようにして駆動制御テーブルを完成させる。この駆動制御テーブルの完成後は、欠陥修正装置1は、駆動制御テーブルを参照して、欠陥部の大きさ(面積)に対応したレーザの断面積並びにパワー設定値により、欠陥部の修正処理を行う。従って、本実施の形態の欠陥修正装置1は、常に適正なエネルギー密度で欠陥部の修正処理を行い得るため、迅速でかつ精度の高い修正を行い得る。
なお、制御部40は、前記取得した欠陥部の検出結果から、修復が必要な欠陥順に、各検出部を種類分け並びにランクづけすると共にソートすることも可能である。より具体的には、拡大パターン参照画像から、配線並びに電極、及びレジスト部分の座標を抽出し、この座標上の欠陥を処理しないように、処理順位を最低ランクにしたり、前記配線をまたがる欠陥を重要欠陥することも可能である。また、制御部40は、前記種類及び/又はランクにより、前記欠陥部を選別し、修復が必要であると選別した欠陥部の位置のみを、修復対象の欠陥位置情報として、駆動制御部44に送ることも可能である。即ち、制御部40は、選別した欠陥部のみを修正対象にするように、レーザ出力機構10並びにXYテーブル30を制御し得る。
また、検出部42は、欠陥修正処理後に、再び上述と同様にして俯瞰参照画像と、俯瞰処理後画像とを比較して、欠陥部を抽出し、処理が未完成の欠陥部に対して再び修正処理を行うように、レーザ出力機構10並びにXYテーブル30を駆動させることも可能である。この場合においても、上述のように、選別した欠陥部のみを修正対象にすることも可能である。
また、制御部40は、駆動制御部44以外の部分を、欠陥修正装置1に接続されたコンピュータにより、レーザの出力判定システムとして、代替え的に行わせることも可能である。この場合、実際に欠陥修正を行う装置中に、出力判定システムを設ける必要がないので、前記装置を低コストで実現可能であるし、複数の装置を1つのシステムで制御することも可能である。
(第2の実施の形態)
本実施の形態の欠陥修正装置1は、図13中に示されるように、第1の実施の形態と同様な構成に加えて、レーザの出力を検出する、例えばレーザエネルギメータなどの検出手段110をさらに具備している。制御部40は、この検出手段110の検出結果により、パワー設定値の補正を行うこと画可能である。レーザは照射回数が増えるに従って、照射1回あたりのエネルギー量が落ちていく。このため、図2中に示されるように、パワー設定値を100に設定しているにもかかわらず、10J/μmm2より、実際の出力が下がってしまう場合がある。そのためにあらかじめ設定された期間、例えば週毎、レーザー照射回数であるショット10000回毎にエネルギー値を測定して、エネルギー制御機構12により、出力設定を大きく取るように補正し得る。具体的には、測定の設定期間が来たときに、レーザエネルギメータの受光部がレーザヘッドの直下にセットされ、レーザをある設定値で照射しそのエネルギーを測定する。続いて、測定したエネルギー値がテーブルを作成した際のパワー設定値に対応したエネルギー値と離れた場合は、そのエネルギー値となるように、照射の設定値を変更する。なお、上記補正は、レーザ交換時に行うことも可能である。この構成により、本実施の形態の欠陥修正装置1は、より正確に、レーザを出力し得る。
これまで、いくつかの実施の形態について図面を参照しながら具体的に説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で行なわれるすべての実施を含む。
【発明の効果】
本発明は、種々の大きさの欠陥部にたいしても高精度に修正を行える欠陥修正装置を提供し得る。また、本発明は、上記欠陥修正装置に用いられるレーザの出力判定システムを提供し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、第1の実施の形態に従った欠陥修正装置を概略的に示すブロック図である。
【図2】図2は、基板を示す概略図である。
【図3】図3は、図2中の基板中の欠陥部の無いパターンを示す概略図である。
【図4】図4は、基板に照射されるレーザの照射領域を示す概略図である。
【図5】図5は、欠陥修正後のパターンを示す概略図である。
【図6】図6は、欠陥修正後のパターンを示す概略図である。
【図7】図7は、欠陥修正後のパターンを示す概略図である。
【図8】図8は、駆動制御テーブル作成の工程を示すフロー図である。
【図9】図9は、駆動制御テーブル作成中のグラフを示す図である。
【図10】図10は、駆動制御テーブル作成中のグラフを示す図である。
【図11】図11は、駆動制御テーブル作成中のグラフを示す図である。
【図12】図12は、第2の実施の形態の制御を示す図である。
【図13】図13は、第2の実施の形態の欠陥修正装置を示す図である。
【符号の説明】
1…欠陥修正装置、10…レーザ出力機構、11…レーザ発振器、12…エネルギー制御機構、13…断面積変更機構、20…情報生成部、21…撮像装置、22…基本情報設定部、30…XYテーブル、40…制御部、41…情報記憶部、41a…処理前情報記憶部、41b…処理後情報記憶部、41a…処理前情報取得部、42…検出部、42…駆動制御部、44…駆動制御部、45…判定部、46…駆動制御テーブル記憶部、80…輝度値、100…パワー設定値、101…配線、102…電極、103…欠陥部、104…レーザ照射領域、110…検出手段
本発明は、製造中の基板の欠陥部をレーザを用いて修復する欠陥修正装置、並びに前記レーザの出力を判定する出力判定システムに関している。
【従来の技術】
半導体等の基板を製造する際に、基板の欠陥部分をレーザ光により修正する欠陥修正装置が、一般的に用いられている。例えば、上記従来の欠陥修正装置には、特許文献1中に示される装置等がある。この特許文献1中の従来の欠陥修正装置は、特許文献1の段落番号[0008]中に記載されているように、紫外レーザ発振器を有しており、紫外レーザ発振器により出射されるレーザ光は、可変矩形開口により、断面形状を任意に変更可能である。
また、上記従来の欠陥修正装置は、特許文献1中の段落番号[0018]中に記載されているように、欠陥部の厚さにより、前記レーザ光の照射時間、照射回数、又は、エネルギー密度を変化させ、欠陥部の処理時間を短縮する。
【特許文献1】
特開平9−5732号公報(第3−5頁、 図1)
【発明が解決しようとする課題】
複数の欠陥部が有る場合、各欠陥部は、厚さが同一であっても、面積が異なる場合がある。この場合、上記特許文献1中の欠陥修正装置は、厚さが同一であるため、各欠陥部に対して、レーザ光の断面積を変化させるが、実質的に同一なエネルギー密度でレーザを出射する。なお、エネルギー密度が同一であっても、一回のレーザ出射におけるエネルギー総量は、前記断面積に応じて大きくなる。即ち、レーザ光は、断面積が最大の設定の場合、断面積が最小の設定に比べて、エネルギー総量が大きい。
このため、比較的小さい欠陥部に合わせてレーザのエネルギー密度を決定した場合、比較的大きい欠陥部は、エネルギー総量が大きくなりすぎ、基板をこがしてしまう恐れがある。逆に、大きい欠陥部に合わせてレーザのエネルギー密度を決定した場合、小さい欠陥部は、エネルギー総量不足により、処理されず、残ってしまう恐れがある。
上記課題を鑑みて、本発明の目的は、種々の大きさの欠陥部にたいしても高精度に修正を行える欠陥修正装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
上記課題を鑑みて、本発明の一態様の欠陥修正装置は、基板上の欠陥部を修復する欠陥修正装置であって、照射するレーザの断面積を可変なレーザ出力機構を有している。前記レーザ出力機構は、前記断面積に応じて加工条件を変化させる。
また、本発明の一態様の出力判定システムは、前記基板の欠陥部に対してレーザを照射することにより修正する際に、修正前並びに後の画像取得する画像取得部と、前記基板の修正時のレーザの断面積並びにエネルギー密度を取得する加工条件取得部と、修正前並びに後の画像を比較することにより、前記断面積においてレーザを出力した際に、出力エネルギーの強弱を判定する判定部と、を具備している。この出力判定システムは、前記判定結果を上記一態様の欠陥修正装置に出力する。
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
(第1の実施の形態)
(構成)
まず、第一の実施の形態について図1並びに図2を用いて説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態に従った欠陥修正装置1を概略的に示すブロック図である。図2は、修復対象の基板を示す概略図である。
欠陥修正装置1は、製造中の基板の欠陥部を修正するための修正手段である。この欠陥修正装置1は、レーザ出力機構10と、情報生成部20と、XYテーブル30と、制御部40とを具備している。なお、本実施の形態において、修正対象の基板は、図2中に示されるように、マトリックス状の配線101、例えば、信号線及び走査線、が配列されており、配線から電極102が出ている。言い換えると、これらの配線並びに電極は、図3中に示されるようなパターンを複数構成し、図2中のような基板を構成している。なお、図2中の基板には、欠陥部103が存在している。
まず、レーザ出力機構10について説明する。
レーザ出力機構10は、欠陥部を修正するためのレーザ光を出力するためのレーザ出力手段である。このレーザ出力機構10は、レーザ発振器11と、エネルギー制御機構12と、断面積変更機構13と、を有している。
レーザ発振器11は、公知のレーザ発振装置である。レーザ発振器11の発生するレーザの種類は、欠陥部を修復し得れば、種類並びに波長を任意に選定し得る。なお、陥部を短時間に精度よく処理するために、波長は、約266mmより大きく約533mmより小さい範囲から選定されることが好ましい。例えば、波長が、1024mmや532mmの場合、熱透過性が良いため、製造中の基板においてレジストより下層の部分にまでダメージを与えてしまう恐れがある。また、波長が266mmの場合、薄いレジストを徐々にはがしていくように処理が行われるので、修復処理に時間がかかってしまう。本実施の形態において、レーザ発振器11は、上記の点において好適な、波長が約355mmのYAGレーザを発生させる。
エネルギー制御機構12は、レーザ発振器11のエネルギー密度を調整する手段である。エネルギー制御機構12は、ND(neutral density)フィルター等の光学部材により構成されることも可能であるし、レーザ発振器11に印加する電圧を制御する電圧制御手段であることも可能である。なお、エネルギー制御機構12は、レーザ発振器11と一体的に提供されている場合、特別に新たな機構として追加しなくてもよい。なお、エネルギー制御機構は、出力するエネルギーを段階的に変更可能に設定されている。本実施の形態において、エネルギー制御機構12は、出力off、並びに最小出力から最大出力までの200分割したパワー設定を行い得るように構成されている。即ち、エネルギー制御機構12は、パワー設定値を0〜200まで設定可能に構成されている。さらに言い換えると、エネルギー制御機構12は、最大出力の5%刻みに照射するレーザのエネルギー密度を調整可能である。この構成において、エネルギー制御機構12は、初期設定において、パワー設定値100の際に、10ジュール/平方マイクロメートル(J/μmm2)に設定されている。
断面積変更機構13は、レーザ発振器11に取り付けられており、照射されるレーザの断面積を調整する手段である。本実施の形態において、断面積変更機構13は、互いに直交する軸に沿って移動可能なシャッターにより構成されている。従って、本実施の形態の断面積変更機構13は、大小の矩形形状にレーザの断面形状を変化させることにより、レーザの断面積を変更させ得る。なお、断面積変更機構13は、開口の面積が可変なスリットや他の機構などに代替え可能である。
次に、情報生成部20について説明する。
情報生成部20は、欠陥部修正を行う際に必要な種々の情報を取得並びに生成する手段である。この情報生成部20は、撮像装置21と、基本情報設定部22とを有している。撮像装置21は、例えばCCDなどの、基板を撮像するための撮像手段である。撮像装置21は、修復対象の基板の修復処理前後の画像を撮像する。より詳細には、撮像装置21は、処理前と後との夫々において、複数のパターンを有するように撮像し俯瞰処理前並びに後画像を形成するとともに、各パターンを拡大して撮像する拡大パターン処理前並びに後画像を形成する。なお、撮像装置21は、撮像した俯瞰処理前並びに後画像、及び、拡大パターン処理前並びに後画像を、基板上の位置情報と対応させて、制御部40に送る。
基本情報設定部22は、制御部40に送る種々の情報の入力する入力手段である。より具体的には、基本情報設定部22は、修復対象の基板と同一であるとともに欠陥部を有していないパターンで構成された基板の画像を有している。より詳細には、基本情報設定部22は、上記理想的な基板において、複数のパターンにより構成された俯瞰参照画像と、1つのパターンの拡大された画像である拡大パターン参照画像と、を有している。なお、俯瞰参照画像並びに拡大パターン参照画像とは、基板上の位置情報と対応して、基本情報設定部22に保持されている。
次に、XYテーブル30について説明する。
XYテーブル30は、撮像装置21並びにレーザ出力機構10を、基板に対して相対的に互いに直交するX並びにY方向に走査させるための走査手段である。このXYテーブル30は、撮像装置21並びにレーザ出力機構10を支持しており、これらを走査するための駆動部を有している。XYテーブル30は、撮像装置21並びにレーザ出力機構10を一緒に走査させる構成にすることも可能であるし、別々に走査させる構成にすることも可能である。
続いて、制御部40について説明する。
制御部40は、レーザ出力機構10、情報生成部20、並びにXYテーブル30と接続されており、これらの駆動を制御するための制御手段である。この制御部40は、情報記憶部41、検出部42、駆動制御部44、判定部45、及び、駆動制御テーブル記憶部46を有している。
情報記憶部41は、情報生成部20からの情報を記憶する記憶手段である。この情報記憶部41は、欠陥部の修復処理を行う前の情報を記憶する処理前情報記憶部41aと、修復処理後の情報を記憶する処理後情報記憶部41bと、を有している。具体的には、処理前情報記憶部41aは、処理前情報として、俯瞰並びに拡大パターン参照画像と、撮像手段により撮像された俯瞰処理前画像と拡大パターン処理前画像とを、情報生成部20から取得し、記憶する。また、処理後情報記憶部41bは、撮像手段により撮像された俯瞰処理後画像と、拡大パターン処理後画像とを記憶する。
検出部42は、処理対象の基板において、欠陥部を検出するための検出手段である。より具体的には、この検出部42は、処理前情報記憶部41aから俯瞰参照画像と俯瞰処理前画像とを取得し、これらの画像を比較し、基板上の欠陥部の位置を検出する。これとともに、検出部42は、拡大パターン参照画像と、拡大パターン処理前画像とを比較し、検出した欠陥部の大きさを検出する。また、検出部42は、検出した欠陥部の位置ならびに大きさ情報を、駆動制御部44に送る。
駆動制御部44は、レーザ出力機構10,情報生成部20,並びにXYテーブル30の駆動を制御する。より詳しくは、駆動制御部44は、撮像装置21並びにレーザ出力機構10が基板に対して移動するように、XYテーブルの駆動を制御する。また、駆動制御部44は、後で詳しく動作を説明するが、駆動制御テーブル記憶部46中の情報に基づいて、エネルギー制御機構12並びに断面積変更機構13の駆動を制御する。
判定部45は、処理前情報に対して処理後情報を比較し、欠陥部毎に修正処理が良好に行われたかの良否判定を行う。より具体的には、判定部45は、修正処理を行った各欠陥部の位置に対応した拡大パターン処理後画像に対して、拡大パターン処理前画像と拡大パターン参照画像とを比較して、良否判定を行う。また、判定部45は、前記良否判定結果を、レーザのパワー設定値並びに断面積と対応させて、駆動制御テーブル記憶部46に記憶させる。
駆動制御テーブル記憶部46は、上述のように、レーザのパワー設定値並びに断面積と、これらに対応する前記良否判定結果と、による駆動制御テーブルを作成し、記憶する。
(動作)
以下に、上記欠陥修正装置1の動作について説明する。
まず、欠陥修正装置1の駆動制御テーブルを作成する際の動作について説明する。駆動制御テーブルを作成するために、以下に示される工程が行われる。
(初期設定工程S11)
まず、最初に初期設定工程が行われる。この初期設定工程では、欠陥修正装置1上に、欠陥部を有するテスト基板が配置される。このテスト基板は、図2中に示される基板と同様なパターンをフォト工程により形成した後の基板であり、欠陥部103を有している。
(第1処理前情報入力工程S12)
初期設定工程の前、途中、後において、以下に示される第1処理前情報入力工程が行われる。この第1処理前情報入力工程では、理想的な基板の前記俯瞰参照画像と、拡大パターン参照画像とが、情報生成部20の基本情報設定部22を介して、処理前情報として処理前情報記憶部に格納される。なお、上記構成で説明したように、上記理想的な基板は、上記テスト基板と同一のパターンで構成されているとともに欠陥を有していない基板のことである。なお、この理想的な基板は、上記テスト基板中の欠陥を有していないパターンを画像処理により組み合わせて作成することが可能である。なお、俯瞰参照画像は、基板全体に渡って形成された場合、この参照画像から各欠陥部の位置を算出できるため、基板上の位置と対応させる必要はない。また、俯瞰参照画像並びに拡大パターン参照画像とは、256階調の画像データとして取得される。
また、この第1処理前情報入力工程において、撮像装置21が、欠陥部の修正処理前の前記テスト基板を撮像し、撮像により形成された前記俯瞰処理前画像を処理前情報として処理前情報記憶部に格納する。なお、俯瞰処理前画像も俯瞰参照画像と同様に、基板全体に渡って形成された場合、基板上の位置と対応させる必要はない。俯瞰処理前画像もまた、256階調の画像データとして取得される。
また、この工程において、エネルギー制御機構12のパワー設定値を、処理前情報として処理前情報記憶部41aに記憶させることが可能である。本実施の形態において、パワー設定値の初期値は、100に設定される。
(欠陥部検出工程S13)
第1処理前情報入力工程が終了した後、欠陥部検出工程が行われる。この欠陥部検出工程ではまず、検出部42が、俯瞰参照画像と、俯瞰処理前画像とを処理前情報記憶部41aから取得する。続いて、検出部42は、これらの画像を比較し、欠陥部を検出する。この検出動作について、以下でより具体的に説明する。
まず、検出部42は、俯瞰参照画像の配線並びに電極、及び欠陥部のないレジストが塗布されている部分の輝度値を取得する。続いて、検出部42は、俯瞰処理前画像において、上記部分の輝度値と近似する部分以外を、検出する。この検出により、基板上の3つの部分以外の領域の座標、即ち欠陥部の座標が検出される。なお、輝度値の近似を調べる際に、上下マージンを処理前情報部中に設定することが可能である。例えば、輝度値が上下20までマージンを認めるとともに、取得したレジスト部分の輝度値が100だった場合、検出部42は、輝度値80から120までの範囲を、レジスト部分として処理する。なお、検出部42は、互いに隣接する欠陥部を1つの欠陥部として処理する。
上述のようにして、各欠陥部の座標を検出した後、検出部42は、駆動制御部44に、XYテーブル30に駆動命令を出す。この駆動命令により、XYテーブル30は、検出された欠陥部の座標に基づいて、撮像装置21を、対応する欠陥部を有するパターン上に移動する。そして、撮像装置21は、俯瞰参照画像を撮像したときより高倍率に倍率を切り替え、前記パターンを撮像し、拡大パターン処理前画像を取得する。検出部42は、このようにして、撮像装置21に、全ての欠陥部を有するパターンを撮像させ、拡大パターン処理前画像を取得する。
続いて、検出部は、各拡大パターン処理前画像より、各欠陥部の大きさを検出し、位置座標に対応させて駆動制御部44に送る。
(駆動制御テーブル作成工程S14)
欠陥部検出工程が終了した後、駆動制御テーブル作成工程が行われる。この駆動制御テーブル作成工程では、駆動制御部44が、XYテーブル30並びにレーザ出力機構10に駆動命令を出し、レーザ出力機構10を上述のようにして検出した欠陥部上に移動させるとともに、図4中に示すように、断面積変更機構13により、レーザ発振器11の照射するレーザを対応する欠陥部の大きさに対応した断面積(レーザの照射領域104)を設定する。これとともに、駆動制御部44は、処理前情報記憶部41aから、パワー設定値の初期値を取得し、エネルギー制御機構12に駆動命令を出す。この駆動命令により、レーザ発振器11のパワー設定値が、100に設定される。
このようにレーザの断面積並びに出力するレーザのエネルギー密度が設定された後に、駆動制御部44は、レーザ出力機構10に、欠陥部に対してレーザを照射させ、欠陥部の修正処理を行う。この修正を行う前、途中、後において、駆動制御部44は、処理後情報記憶部に、レーザの断面積に対応して、パワー設定値を、駆動制御テーブル記憶部46に記憶させる。なお、本実施の形態において、駆動制御部44は、大きさが、最大、最小、及び中間の欠陥部に対して上記欠陥部の修正処理を行う。なお、この修正処理は、全部の欠陥部に対して行うことも可能であり、処理数は、任意である。
続いて、修正処理が行われた欠陥部を有する各パターンの画像を取得する。具体的には、駆動制御部44は、XYテーブル30並びに撮像装置21に駆動命令を出し、拡大パターン処理前画像を取得したときと、実質的に同様に、修正処理後の各パターンを撮像し、拡大パターン処理後画像を取得する。本実施の形態においては、3つの拡大パターン処理後画像が取得され、処理後情報として処理後情報記憶部41bに格納される。
なお、レーザのエネルギー密度が適切だった場合、レーザ照射領域104中の欠陥部は、欠陥部を完全に修正され、図5中に示されるように、取得した拡大パターン処理後画像から消滅する。また、レーザのエネルギー密度が不足していた場合、レーザ照射領域104中の欠陥部は、図6中の拡大パターン処理後画像にも示されるように、残ってしまう。さらに、レーザのエネルギー密度が過大だった場合、レーザ照射領域104中の欠陥部は、消滅するが、図7中の拡大パターン処理後画像にも示されるように、レーザ照射領域104がこげてしまう。
続いて、判定部45は、上記3つの処置後の欠陥部に対応した、拡大パターン処理前画像と、拡大パターン処理後画像とを比較し、図9中に示されるようなグラフを作成する。具体的には、拡大パターン処理後画像のレーザ照射領域104の輝度値が、拡大パターン処理前画像中のレーザ照射領域104と同位置の領域に対して変化しているかを比較する。この比較において、変化量が少ない場合、依然として欠陥部が残っていることであるため、判定部45は、エネルギー密度不足と判断し、グラフに三角印をプロットする。図9中において、最小の大きさの欠陥部において、三角印がプロットされている。
上記比較において、エネルギー不足と判断されなかった欠陥部は、続いて、対応する拡大パターン処理後画像と、拡大パターン処理後画像とが比較される。こげている場合、黒に近づき、輝度値が大きくなるため、この比較において、拡大パターン処理後画像のレーザ照射領域104の輝度値が、拡大パターン参照画像の輝度値の平均値に対して大きいか判断する。この比較において、輝度値が平均値より大きいと判断された場合、判定部45は、エネルギー密度過大と判断し、グラフにバツ印をプロットする。図9中において、最大の大きさの欠陥部において、バツ印がプロットされている。
上記二つの比較において、エネルギー不足及び過大と判断されなかった場合、エネルギー量が適正とされ、丸印がプロットされる。図9中において、中間の大きさの欠陥部において、丸印がプロットされている。この適正とされたエネルギー量は、基板にダメージを与えない最大のエネルギー量となる。
続いて、判定部45は、図9中の破線で示されるように、エネルギー過大と判断したレーザの断面積に対応したパワー設定値を1つ下げて、エネルギー量の補正を行う。なお、このとき、近似したレーザの断面積のエネルギー量に対しても補正を行えるように、グラフ中において、断面積方向において、隣接するプロットとの中間(中間位置)から、断面積の大きい領域全体のパワー設定を下げる。
同様にして、判定部45は、エネルギー不足と判断したレーザの断面積に対応したパワー設定値を1つ上げ、エネルギー量の補正を行う。この場合においても、近似したレーザの断面積のエネルギー量に対しても補正を行い得るように、グラフ中において、断面積方向において、隣接するプロットとの中間(中間位置)から、断面積の小さい領域全体のパワー設定を上げる。
このように、補正が行われた後、駆動制御部42は、上記3つの欠陥部並びに上記2つの中間位置のレーザの断面積と実質的に同一な欠陥部に対して、上記グラフで示されるパワー設定値で、再びにレーザを照射し、修正処理を行う。即ち、今度は、5つの欠陥部に対して修正処理を行う。
この修正処理後には、判定部45は、上記と同様に、パワー設定値の補正を繰り返しパワー設定の修正を行い(図10並びに図11参照)、全てのプロットが丸印に成った際に、パワー設定の修正が完了する。パワー設定の修正が完了した際に、判定部45は、丸印に対応したレーザ断面積並びにパワー設定値により、駆動制御テーブルを修正し、駆動制御テーブル記憶部46に格納する。
欠陥修正装置1は、上述のようにして駆動制御テーブルを完成させる。この駆動制御テーブルの完成後は、欠陥修正装置1は、駆動制御テーブルを参照して、欠陥部の大きさ(面積)に対応したレーザの断面積並びにパワー設定値により、欠陥部の修正処理を行う。従って、本実施の形態の欠陥修正装置1は、常に適正なエネルギー密度で欠陥部の修正処理を行い得るため、迅速でかつ精度の高い修正を行い得る。
なお、制御部40は、前記取得した欠陥部の検出結果から、修復が必要な欠陥順に、各検出部を種類分け並びにランクづけすると共にソートすることも可能である。より具体的には、拡大パターン参照画像から、配線並びに電極、及びレジスト部分の座標を抽出し、この座標上の欠陥を処理しないように、処理順位を最低ランクにしたり、前記配線をまたがる欠陥を重要欠陥することも可能である。また、制御部40は、前記種類及び/又はランクにより、前記欠陥部を選別し、修復が必要であると選別した欠陥部の位置のみを、修復対象の欠陥位置情報として、駆動制御部44に送ることも可能である。即ち、制御部40は、選別した欠陥部のみを修正対象にするように、レーザ出力機構10並びにXYテーブル30を制御し得る。
また、検出部42は、欠陥修正処理後に、再び上述と同様にして俯瞰参照画像と、俯瞰処理後画像とを比較して、欠陥部を抽出し、処理が未完成の欠陥部に対して再び修正処理を行うように、レーザ出力機構10並びにXYテーブル30を駆動させることも可能である。この場合においても、上述のように、選別した欠陥部のみを修正対象にすることも可能である。
また、制御部40は、駆動制御部44以外の部分を、欠陥修正装置1に接続されたコンピュータにより、レーザの出力判定システムとして、代替え的に行わせることも可能である。この場合、実際に欠陥修正を行う装置中に、出力判定システムを設ける必要がないので、前記装置を低コストで実現可能であるし、複数の装置を1つのシステムで制御することも可能である。
(第2の実施の形態)
本実施の形態の欠陥修正装置1は、図13中に示されるように、第1の実施の形態と同様な構成に加えて、レーザの出力を検出する、例えばレーザエネルギメータなどの検出手段110をさらに具備している。制御部40は、この検出手段110の検出結果により、パワー設定値の補正を行うこと画可能である。レーザは照射回数が増えるに従って、照射1回あたりのエネルギー量が落ちていく。このため、図2中に示されるように、パワー設定値を100に設定しているにもかかわらず、10J/μmm2より、実際の出力が下がってしまう場合がある。そのためにあらかじめ設定された期間、例えば週毎、レーザー照射回数であるショット10000回毎にエネルギー値を測定して、エネルギー制御機構12により、出力設定を大きく取るように補正し得る。具体的には、測定の設定期間が来たときに、レーザエネルギメータの受光部がレーザヘッドの直下にセットされ、レーザをある設定値で照射しそのエネルギーを測定する。続いて、測定したエネルギー値がテーブルを作成した際のパワー設定値に対応したエネルギー値と離れた場合は、そのエネルギー値となるように、照射の設定値を変更する。なお、上記補正は、レーザ交換時に行うことも可能である。この構成により、本実施の形態の欠陥修正装置1は、より正確に、レーザを出力し得る。
これまで、いくつかの実施の形態について図面を参照しながら具体的に説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で行なわれるすべての実施を含む。
【発明の効果】
本発明は、種々の大きさの欠陥部にたいしても高精度に修正を行える欠陥修正装置を提供し得る。また、本発明は、上記欠陥修正装置に用いられるレーザの出力判定システムを提供し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、第1の実施の形態に従った欠陥修正装置を概略的に示すブロック図である。
【図2】図2は、基板を示す概略図である。
【図3】図3は、図2中の基板中の欠陥部の無いパターンを示す概略図である。
【図4】図4は、基板に照射されるレーザの照射領域を示す概略図である。
【図5】図5は、欠陥修正後のパターンを示す概略図である。
【図6】図6は、欠陥修正後のパターンを示す概略図である。
【図7】図7は、欠陥修正後のパターンを示す概略図である。
【図8】図8は、駆動制御テーブル作成の工程を示すフロー図である。
【図9】図9は、駆動制御テーブル作成中のグラフを示す図である。
【図10】図10は、駆動制御テーブル作成中のグラフを示す図である。
【図11】図11は、駆動制御テーブル作成中のグラフを示す図である。
【図12】図12は、第2の実施の形態の制御を示す図である。
【図13】図13は、第2の実施の形態の欠陥修正装置を示す図である。
【符号の説明】
1…欠陥修正装置、10…レーザ出力機構、11…レーザ発振器、12…エネルギー制御機構、13…断面積変更機構、20…情報生成部、21…撮像装置、22…基本情報設定部、30…XYテーブル、40…制御部、41…情報記憶部、41a…処理前情報記憶部、41b…処理後情報記憶部、41a…処理前情報取得部、42…検出部、42…駆動制御部、44…駆動制御部、45…判定部、46…駆動制御テーブル記憶部、80…輝度値、100…パワー設定値、101…配線、102…電極、103…欠陥部、104…レーザ照射領域、110…検出手段
Claims (12)
- 基板上の欠陥部を修復する欠陥修正装置において、
照射するレーザの断面積を可変なレーザ出力機構を有し、
前記レーザ出力機構は、前記断面積に応じて加工条件を変化させる欠陥修正装置。 - 前記レーザ出力機構の加工条件を制御する制御部をさらに有しており、
前記制御部は、前記断面積に対応した加工条件を記憶したテーブルを有しており、欠陥部を修復時において、前記テーブルを参照して、レーザ出力機構の加工条件を設定する請求項1に記載の欠陥修正装置。 - 前記テーブルは、前記断面積毎に、所定の加工条件により加工した際の加工結果の良否判定を行い、上記良否判定の結果に基づいて作成される請求項2に記載の欠陥修正装置。
- 前記制御部は、
前記基板の修復を行う前の状態に関する処理前情報を記憶する処理前状態記憶部と、
前記基板の修復を行った後の状態に関する処理後情報を記憶する処理後情報記憶部と、
前記処理前情報並びに処理後情報とを比較し、前記良否判定を行う判定部と、を有している請求項3に記載の欠陥修正装置。 - 前記基板を撮像する撮像装置をさらに有しており、
前記処理前情報は、修復前に撮像された基板の画像データを含んでおり、
前記処理後情報は、修復後に撮像された基板の画像データを含んでおり、
前記判定部は、これらの画像データを比較することにより、前記良否判定を行う請求項4に記載の欠陥修正装置。 - 前記判定部は、処理前の基板の画像データに対して、処理後の画像データの輝度値の変化により、前記修復の良否判定を行う請求項5に記載の欠陥修正装置。
- 前記制御部は、処理後情報から、欠陥部を検出する欠陥検出部を有しており、
前記検出部により検出した欠陥部に対して修正を行うように、前記レーザ出力機構を制御する請求項4に記載の欠陥修正装置。 - 前記基板を撮像する撮像装置をさらに有しており、
前記撮像装置は、修復後に、基板を撮像し、撮像した処理後画像データを前記検出部に送り、
前記検出部は、前記基板が欠陥部を有していない場合の参照画像データを有しているとともに、前記参照画像データと、前記処理後画像データとを比較することにより、前記欠陥部を検出する請求項7に記載の欠陥修正装置。 - 前記検出部は、前記参照画像データに対する前記処理後画像データの輝度値の差により、前記欠陥部を検出する請求項8に記載の欠陥修正装置。
- 前記レーザ出力機構は、前記断面積に応じて出力するエネルギー量が調整される請求項1に記載の欠陥修正装置。
- 前記レーザ出力機構の照射するレーザのエネルギー量を検出するエネルギー検出装置と、レーザ出力機構を制御する制御部とをさらに有し、
前記制御部は、前記エネルギー検出装置による、エネルギーの検出結果により、レーザ出力機構の出力エネルギー設定を調節する請求項10に記載の欠陥修正装置。 - 前記基板の欠陥部に対してレーザを照射することにより修正する際に、修正前並びに後の画像取得する画像取得部と、
前記基板の修正時のレーザの断面積並びにエネルギー密度を取得する加工条件取得部と、
修正前並びに後の画像を比較することにより、前記断面積においてレーザを出力した際に、出力エネルギーの強弱を判定する判定部と、
を具備し、
前記判定結果を請求項1に記載の欠陥修正装置に出力する出力判定システム。
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2003
- 2003-04-28 JP JP2003158671A patent/JP2004327950A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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