JP2004327024A - データ記憶装置および電子ビーム整列方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電子ビームの操縦して記憶場所に整列させる記憶装置を提供する。
【解決手段】データ記憶装置(100)は、データ記憶場所(108)を有する記憶媒体(106)と、前記データ記憶場所(108)と概ね整列した電子ビーム(104)を放出する少なくとも1つの放出器(156)と、前記データ記憶場所(108)に対する前記電子ビーム(104)の位置合わせを選択的に調整するように構成される複数の操縦電極(160、162、164、166)を含むビーム偏向器(158)とを備える。
【選択図】図4
【解決手段】データ記憶装置(100)は、データ記憶場所(108)を有する記憶媒体(106)と、前記データ記憶場所(108)と概ね整列した電子ビーム(104)を放出する少なくとも1つの放出器(156)と、前記データ記憶場所(108)に対する前記電子ビーム(104)の位置合わせを選択的に調整するように構成される複数の操縦電極(160、162、164、166)を含むビーム偏向器(158)とを備える。
【選択図】図4
Description
本発明は概して電子データ記憶装置に関し、特に電子ビームの操縦を行う技術とその応用とに関する。
光記憶装置、磁気記憶装置、電子データ記憶装置などを含む様々なタイプのデータ記憶装置が知られている。詳細には、電子データ記憶装置は、電子放出器あるいは放出源と、電子ビームを生成し集束するように構成された電子光学装置とを含む。電子ビームを用いて、記憶媒体の表面上にスポットが生成される。電子ビームによって生成されるスポットを用いて、記憶装置の記憶媒体に対してデータの読出しおよび書込みの両方を行うことができる。
電子ビームに付随する波長が極めて短い結果として、たとえば、光あるいは磁気記憶装置を用いて記録されるスポットに比べて、相対的に小さな記録スポットを画定することができる。記録スポットを小さくすることにより、電子顕微鏡が可視光を利用する光学顕微鏡よりも高い空間分解能を提供し、記録される情報の密度を高めるのが容易になる。
記憶密度が高いと、記憶媒体上の記憶場所に対する電子ビームの整列および焦点合わせを細かく制御することを余儀なくされる。わずかに焦点が外れるだけでも、記憶媒体上に記録されるスポットの形成および読出しに悪影響を及ぼす場合がある。たとえば、焦点が大きく外れると、読出しおよび/または書込み過程の誤り率が高くなる。さらに、焦点が外れると、記録されるスポットのサイズが拡大し、読出しおよび/または書込み過程において、より強力な電子放出源を使用するのを余儀なくされる可能性がある。
本発明の目的は、電子ビームを操縦して記憶場所と整列させ上記の問題を軽減することことにある。
データ記憶装置であって、データ記憶場所を有する記憶媒体、およびデータ記憶場所と概ね整列した電子ビームを放出するように構成された少なくとも1つの放出器を含むデータ記憶装置が提供される。データ記憶装置は、データ記憶場所に対する電子ビームの位置整列を選択的に調整するように構成された複数の操縦電極を含むビーム偏向器とを含む。
最初に図1を参照すると、本発明の一実施形態による電子データ記憶装置が全体として100で示される。記憶装置100は、電子ビーム104を生成するように構成される複数の電子放出器102を備える。電子ビームは記憶媒体106に衝突するようになされる。以下に記載されるように、電子ビームは集束され、記憶媒体106上の記憶場所すなわち記憶領域108と概ね整列させられる。
1つのそのような記憶装置が、たとえば、Gibson他に付与された米国特許第5,557,596号明細書に記載され、開示されており、その開示は参照して本明細書に援用される。それは、本発明のビーム偏向器が記載される図1の典型的な記憶装置の説明に含まれる。当然、電子ビームを用いて記憶媒体に対してデータの読出しあるいは書込みを行う他のタイプおよび/または構成の電子データ記憶装置も実現可能である。
手短に述べると、図示される実施形態では、筐体110は通常記憶媒体106を部分真空に保持する。具体的には、筐体110は、内部空間114を画定する複数の壁部112を備えることができる。壁部112は、内部空間114内で少なくとも部分真空が保持されることができるように互いに結合される。筐体110のための異なる構成も考えられることは理解されたい。
上記のように、内部空間114内にある各電子放出器102は、記憶媒体106上に設けられる1つあるいは複数のデータ記憶場所108に対応することができる。各電子放出器が多数の記憶場所に対応する場合、記憶装置100は通常、放出器102と記憶媒体106との間で相対的に動くように走査するか、あるいは他の方法で相対的な動きを達成するように構成される。典型的な記憶装置100は、電子放出器に対して記憶媒体106を走査あるいは動かすことができる超小型可動子116を備えることができる。たとえば、超小型可動子116は記憶媒体106を種々の場所に動かすように構成されており、電子放出器102が種々の記憶場所と位置合わせできるようにする。別法では、超小型可動子は、電子ビームが記憶媒体上を走査するように、記憶場所に対して電子放出器を動かすように構成することもできる。任意の適当な超小型可動子を用いて、電子放出器102と記憶媒体106との間の相対的な動きを達成することができる。
電子放出器102は、ここでは電子ビームとも呼ばれる電子ビーム流を生成し放出するように構成され、電子ビームが記憶媒体106上の記憶場所108に選択的に衝突できるようにする。記憶装置100とともに用いるのに適した電子放出器は、記憶媒体106上で所望のデータビットすなわちスポットの密度を達成できるだけの十分に細い電子ビームを生成する。
電子放出器によって生成された電子ビームを用いて、データを読み出すか、あるいは書き込むことができる。書込みは、電子ビーム流の電力密度を一時的に増加させ、記憶場所の表面状態を変更することにより達成することができる。たとえば、第1の状態のデータ記憶場所はビット「1」を表すことができ、第2の状態のデータ記憶場所はビット「0」を表すことができる。さらに、データ記憶場所を異なる度合いに変更して、3ビット以上を表すようにすることもできる。読出しは、記憶場所が電子ビームに及ぼす影響を、あるいは電子ビームが記憶場所に及ぼす影響を検出することにより達成することができる。記憶場所に対する変更は、永久的な変更にすることも、可逆的な(一時的な)変更にすることもできることは理解されたい。永久的に変更される記憶媒体は、WORM(write-once-read-many memory)に適している。
いくつかの実施形態では、記憶媒体106は、電子ビームによって結晶状態から非晶質状態に選択的に変更されることができる表面状態を有する材料から構成されることができる。非晶質状態から結晶状態に変更するために、ビーム電力密度を増加させ、その後、徐々に減少させることができる。この増加/減少によって、非晶質領域が加熱され、その後、徐々に冷却されて、その領域がアニールされて結晶状態になるだけの時間が経過するようになる。結晶状態から非晶質状態に変更するために、ビーム電力密度をある高いレベルまで増加させ、その後、急速に減少させることができる。
一例として、図2は記憶媒体に対してデータの読出しおよび書込みを行うために用いることができる一実施形態を示す。具体的には、図2は記憶場所120、122の表面状態を判定するために用いることができるダイオード構造118を組み込む記憶装置106を示す。ダイオード構造118にはpn接合、ショットキー障壁あるいは任意の他のタイプの適当な電子バルブを用いることができる。また、本明細書には具体的に記載されないが、限定はしないが、後方散乱あるいは二次電子を収集し、測定することを含む他の方法を用いて、記憶媒体に対してデータの読出しおよび書込みを行うことができることは理解されよう。
図示される実施形態では、記憶媒体は2つの層を有するダイオードとして構成される。一例として、層のうちの一方はp型であり、他方はn型である。その記憶媒体は、記憶媒体に逆方向バイアスをかける外部回路に接続されることができる。この構成を用いる場合、データビットは、ダイオードの表面状態を局部的に変更して、変更された領域あるいは書込み済みの領域120付近で生成される少数キャリアのための収集効率が、変更されていない領域あるいは未書込みの領域122の収集効率と異なるようにすることにより格納されることができる。電荷キャリア(正孔あるいは電子)が記憶媒体内に存在することに留意されたい。より豊富に存在する電荷キャリアは多数キャリアと呼ばれ、少ない方の電荷キャリアは少数キャリアと呼ばれる。n型半導体材料では、電子が多数キャリアであり、正孔は少数キャリアである。p型半導体材料では、電子は少数キャリアであり、正孔は多数キャリアである。
少数キャリアのための収集効率は、典型的な外部回路126によってバイアスをかけられるときに、ダイオード接合124を越えて移動する電子によって生成される少数キャリアの割合と定義することができる。したがって、少数キャリアによって、外部回路内に信号電流128が流れるようになる。少数キャリアから生じる電流の大きさは通常、記憶場所の状態に依存する。
動作時に、電子放出器102は記憶媒体106の表面上に電子の細いビーム104を放出する。入射する電子は、ダイオードの表面付近にある電子‐正孔対(図2においてe‐h+によって表される)を励起する。本明細書において用いられるような正孔は、電子の電荷と大きさは同じであるが、極性が逆である正の電荷を有する電荷キャリアである。媒体は外部回路によって逆方向バイアスをかけられるので、入射する電子によって生成される少数キャリアはダイオード接合124に向かって移動することができる。ダイオード接合124に達した電子は概ね接合を越えて移動する。言い換えると、接合に達する前に多数キャリアと再結合しない少数キャリアが概ね接合を越えて移動し、それにより外部バイアス回路126内に電流が流れるようになる。
記憶媒体106への書込みは、電子ビーム104の電力密度を、入射する電子ビーム付近にある1つまたは複数のダイオードの特性を局部的に変更するほど十分に増加させることにより達成することができる。同じ領域が、電力密度の低い「読出し」電子ビームを照射されるとき、その変更は接合124を越えて移動する少数キャリアの数に影響を及ぼす。たとえば、書込み済みの領域120内の再結合速度(率)を未書込みの領域122に対して増加させ、書込み済みの領域において生成される少数キャリアが、接合ダイオード124に達し、それを越えて移動する機会を得る前に、多数キャリアと再結合する確率が高くなるようにすることができる。それゆえ、読出し電子ビームが書込み済みの領域上に入射するときには、そのビームが未書込みの領域上に入射するときよりも小さな電流が外部回路126内に流れるようになる。逆に、最初に異なるダイオード構造が高い再結合率を有し、再結合率を局部的に減少させることによりビットを書き込むこともできる。結果として生成される電流が、格納されるデータビットを指示することができる出力信号128を構成する。
電子放出器102には、限定はしないが、平坦(フラット)放出器を含む任意の電子源を用いることができる。図3は、全体として132で示される電子放出構造を有する典型的な平坦放出器130を示す。この平坦放出器構成が以下に詳細に記載されるが、平坦放出器130および電子放出構造132のための他の構成も実現可能であることは理解されたい。
平坦放出器130は、シリコンのような材料から形成されるn++半導体基板134と、半導体層136とを含むことができる。基板134は、火山状、漏斗状あるいはノズル状の活性領域138を含むように作製されることができる。活性領域138は、活性領域が電子を放出することができる領域を限定する分離領域140によって包囲されることができる。活性領域の形状を制限することに加えて、いくつかの実施形態では、分離領域は活性領域を隣接する活性領域から分離することができる。しかしながら、他の実施形態では、隣接する電子放出器の活性領域が互いに接続される場合もあることは理解されよう。
平坦放出器130は基板134の半導体層136上に形成される放出電極142を備える。放出電極142を用いて、半導体層136に電圧を供給することができる。放出電極のほかに、平坦放出器130は、放出電極142と半導体層136の外側表面の一部とを覆う導電層144を備える。それゆえ、導電層144は放出表面146を画定することができる。導電層は放出表面上に電気的コンタクトを設け、放出表面に電界がかけられるようにする。
いくつかの実施形態では、放出器130は、基板の半導体層が形成される側と反対側に形成される背面コンタクト148も備える。背面コンタクトが設けられるとき、その背面コンタクトは半導体基板内の内部電界のための等電位表面を確立する。
動作中に、放出電極142および背面コンタクト148によって基板134に種々の電位をかけることができる(たとえば、チップ上あるいはチップ外のドライバを用いる)。結果として生成される放出電極電圧によって、基板134の活性領域138から半導体層136の領域150に電子が注入されるようになる。その後、導電層144の電子は放出表面146から放出されることができる。この放出の結果として電子ビーム104が生成され、それが記憶媒体106上にある選択された目標位置に衝突する。
電子光学素子あるいは他の集束構造152を電子放出器内に組み込むことができる。集束構造152は、絶縁層153と、レンズ電極(本明細書では集束電極とも呼ばれる)154と、導電層155とを含む。絶縁層153は集束電極154から放出電極142を分離する。導電層144と同様に、導電層155は、対応する電極に電界をかけることができるように、その対応する電極上にコンタクトを設ける。
集束構造を用いて、電子ビームが記憶媒体106上に集束される。たとえば、集束電極あるいは複数の集束電極(および導電層)は、電子ビームが通過することができる開口部(たとえばリングなど)を画定するように形成されることができる。使用時に、これらの集束電極のうちの1つあるいは複数の電極に電位あるいは電圧が印加される。1つあるいは複数の集束電極に電圧を印加する結果として生じる電界が、記憶媒体への電子ビームの集束に影響を及ぼす。したがって、これらの電極にかけられる電位を変化させることにより、その集束を調整することができる。記憶媒体106に電圧を印加して、電界放出された電子を加速および/または減速することもできる。
上記のように、電子放出器には他のタイプの適当な電子源を用いることもできる。たとえば、電子放出器にはポイント放出器を用いることもできる。ポイント放出器は、チップ放出器とも呼ばれ、通常は円錐形であり、放出器先端部あるいはポイントを有し、そこから、細く、集束された電子ビームを放出することができる。
動作中に、ポイント放出器と、対応する抽出器電極あるいはゲートとの間に、予め選択された電位差をかけることができる。抽出器電極には、ポイント放出器を包囲する円形のゲートを用いることができる。少なくとも部分的に放出器の先端部が先鋭であることに起因して、電子ビーム流が放出器から抽出され、高い精度でデータ記憶場所に向かって誘導される。ポイント放出器から放出された後に、以下にさらに詳細に記載されるようなビーム偏向器が、その電子ビームを偏向する。偏向の量およびタイプを管理することにより、電子ビームの位置を制御することができる。
図4は本発明の一実施形態による平坦放出器156を示す。平坦放出器156は、図3に関連して記載された電子放出構造132に類似の電子放出構造157を備えることができる。しかしながら、電子放出構造157のために他の構成も考えられる。
この実施形態では、平坦放出器156のような放出器は全体として158で示されるビーム偏向器を含む。本明細書において電気力学的アクチュエータとも呼ばれるビーム偏向器は、上記の集束構造152内に組み込まれるか、あるいはそのような集束構造に追加されるか、またはその代わりに用いることができる。
ビーム偏向器158は、複数の偏向領域あるいは操縦部を備えるように区分あるいは分割してもよい。各偏向領域は、電子ビームを偏向し、電子ビームを選択された方向で操縦するための役割を果たす電界を生成するように構成してもよい。偏向領域は、電子ビーム内の電子に影響を及ぼすことができるように、電子ビームに隣接して配置される。いくつかの実施形態では、偏向領域は、電子ビームを挟む対をなして配置される。たとえば、偏向領域を電子ビームの周囲に同心円状に配置してもよい。したがって、偏向領域は電子ビームの周囲にリングを形成することができる。
たとえば、図示される実施形態では、ビーム偏向器158は複数の偏向領域160、162、164および166を備える。各偏向領域は、本明細書においてレンズ電極とも呼ばれる操縦電極を備え、その電極は電界を生成し、電子ビームを操縦するように構成される。図示される実施形態では、偏向領域160、162、164および166は2つ1組で互いに向かい合って配置される。各組は交差する軸に沿って配置されることができる。たとえば、操縦電極は、x方向およびy方向の両方において、放出される電子ビームの移動方向に影響を及ぼすように、x−yデカルト座標面上に配置される。したがって、偏向領域162および166は+x象限および−x象限にそれぞれ配置され、主にx方向において電子ビームの動きに影響を及ぼすことができる。同様に、偏向領域160および164は+y象限および−y象限にそれぞれ配置され、主にy方向において電子ビームの動きに影響を及ぼすことができる。通常、操縦電極は全て1平面内に存在する。しかしながら、操縦電極は異なる平面内に配置することもできる。
動作時に、偏向領域に電位をかけることにより、偏向領域が電界を生成するようになる。電子ビーム内の電子は負に帯電されるので、電子ビームに電界をかける結果として静電力が生じる。ビームはかけられる電位に反応し、かけられる電界に応じて移動する。たとえば、かけられる電界は電子放出構造から放出される電子に影響を及ぼすことができ、電子の軌道を曲げ、電子ビームがx方向および/またはy方向にわずかにシフトできるようにする。そのようにシフトさせることにより、電子ビームの制御された操縦を可能になる。
ビーム偏向器内の偏向領域は、個別に制御してもよいし、あるいは1対ずつ制御してもよい。たとえば、相対する偏向領域162および166に、あるいは相対する偏向領域160および164に異なる電位をかける結果として、ビームが偏向領域のうちの一方に向かって、あるいは一方から離れるように操縦されるようになる。こうして、相対する偏向領域を単位として制御することができる。別法では、各偏向領域が個別に制御され、その電位を他の偏向領域の基準電位に対して上げ下げすることができる。
4つの偏向領域のみが示されるが、ビーム偏向器の中に任意の数の偏向領域を用いることができること、およびそのような偏向領域を任意の適当な幾何学的配置できることは理解されたい。たとえば、2つあるいは3つの偏向領域のみとして、x方向あるいはy方向の一方の移動方向だけに影響を及ぼすようにもできる。別法では、5つ、6つあるいはそれ以上の偏向領域が存在し、放出される電子の移動に影響を及ぼし、放出される電子ビームに対するさらに細かい制御と操縦とを可能にすることができる。
図5は、電子放出構造157およびビーム偏向器158を備える平坦放出器156をさらに示す。ビーム偏向器158は、偏向領域162および166のような複数の偏向領域あるいは操縦電極を含む。偏向領域162および166に異なる電位をかける結果として、電子ビーム104内の電子を偏向する電界が生じ、それにより電子ビーム104が選択的に操縦されるようになる。電子ビームを操縦することにより、結果として生成される照射あるいは結像スポット168を記憶媒体上に選択的に配置することができる。たとえば、電子ビーム104は矢印170あるいは矢印172の方向で移動される。このようなスポット168の位置を細かく調整できるので、電子ビームを記憶場所により正確に整列できるようになる。
電子ビームを正確に整列することにより、記憶装置の読出しおよび書込み能力が改善される。電子ビームを細かく位置決めすることにより、所望の記憶場所上にデータを正確に書き込むことができる。電子ビームを予め記録されたデータスポットに整列させると、読出しが改善される。そのようにビームを整列させることにより、データを消去する際の精度も高めることができる。たとえば、ビームを予め記録されたスポットと正確に整列させることにより、スポットを完全に消去し、かつ/または再書込みできるようになる。
ビーム偏向器は、放出器から生成された電子ビームが記憶媒体上の単一のスポットに集束しない場合に生じる、非点収差のような収差を制限することができる。たとえば、電子ビームは記憶場所と整列しなかったり、記憶場所で焦点を結ばない場合もある。理想的な集束状態からのそのように逸脱によって、スポットの位置ずれ、ビーム軌道の不整列、理想より大きいスポット、不鮮明なスポット、あるいは不完全なスポットが生ずる。ビーム偏向器は、電子ビームと記憶場所との間の小さな整列不良を補正することができる。また偏向領域を一緒に用いて、焦点外れを減らすこともできる。したがって、一対の偏向領域間の電位を変更し、それゆえ電子ビームを正確な記憶場所に選択的に偏向(および電子ビームを操縦)することによって整列不良および焦点外れを補正することができ、それにより集束スポットの整列不良を減らすことができる。
ビーム偏向器はさらに、走査される電子スポットの横方向への加速を高めることができる。さらに、ビーム偏向器は、書込み過程において記録されるスポットを鮮明にする際に用いることができるように、開始/停止動作を概ね瞬時に行えるようにしてもよい。
図6は上記のビーム偏向器158のための概略的な制御回路174を示す。具体的には、各偏向領域160、162、164および166はそれぞれドライバ176、178、180および182を有する。ドライバは偏向領域を駆動し、偏向領域が電界を生成できるようにする。方向性コントローラ、すなわちYコントローラ184およびXコントローラ186が、対応するドライバ対を用いて、相対する偏向領域を制御する。たとえば、Yコントローラ184はドライバ176および180を駆動し、それにより相対する偏向領域160および164を制御する。これに対して、Xコントローラ186はドライバ178および182を駆動し、それにより相対する偏向領域162および166を制御する。ドライバをコントローラ内に組み込むことができることは理解されたい。中央プロセッサ188がそれらコントローラおよびドライバを管理する。
プロセッサ188は機械的アクチュエータ、すなわち可動子190をさらに管理することができる。そのような機械的アクチュエータは、記憶媒体に対して電子ビームを走査するように構成してもよい。したがって、プロセッサ188は機械的アクチュエータおよびビーム偏向器を同時に駆動することができる。いくつかの実施形態では、このハイブリッドシステムは、電子ビームの複雑な動きを可能にする。たとえば、機械的スキャナをビーム偏向器で補足することができる。
ビーム偏向器および機械的アクチュエータの両方を備えるハイブリッドシステムは、粗い位置決め能力および細かい位置決め能力の両方を提供する。粗調アクチュエータおよび微調アクチュエータの両方を用いることにより、電子ビームが迅速かつ正確に記憶媒体と整列され、整列不良に起因する誤り率を低減することができる。通常、機械的アクチュエータは相対的に大きなスケールで動くように構成され、たとえば、電子ビームと適当なデータ記憶場所とを概ねの整列させ、すなわち粗く位置決めする。また機械的アクチュエータを用いて、記憶媒体上のデータ記憶場所を走査し、概ねその位置を特定することもできる。対照的に、ビーム偏向器は、電子ビームの配置すなわち整列に関して細かい補正を提供するように構成される電気力学的な微調アクチュエータとして動作する。例示にすぎないが、ビーム偏向器はナノメートルの増分でビームを動かし、ビームと正確な記憶場所とを整列することができるのに対して、機械的アクチュエータは電子ビーム(あるいは記憶装置)をマイクロメートルの増分で移動することができる。
ハイブリッドシステムは電子ビームを整列できるようにし、結果として、記録されるマークをより鮮明にするとともに、以前に記録されたマークをより完全に消去し、それにより記憶装置の性能を改善する。さらに、ビーム偏向器は、機械的アクチュエータを用いることなく、隣接するトラックあるいは記憶場所を走査することができる。ハイブリッドシステムは、機械的走査システムと比較して、電子ビームの加速および減速を実効的に速くすることができる。
ここで図7を参照すると、電子ビームを記憶媒体上のデータ記憶場所に整列させる方法が全体として200で示される。その方法は、電子ビームを生成すること(210)、その電子ビームを記憶媒体の選択されたデータ記憶場所と概ね整列させること(220)、複数の操縦電極の少なくとも1つに電圧を印加することにより、電子ビームを記憶媒体の選択されたデータ記憶場所に選択的に操縦すること(230)とを含む。またその方法は、たとえばデータ記憶場所に書込みを行うことによりデータ記憶場所の状態を決定すること、あるいはデータ記憶場所の状態を読み出すことを含むこともできる。
100 データ記憶装置
104 電子ビーム
106 記憶媒体
108 データ記憶場所
156 放出器
158 ビーム偏向器
160、162、164、166 操縦電極、偏向領域
104 電子ビーム
106 記憶媒体
108 データ記憶場所
156 放出器
158 ビーム偏向器
160、162、164、166 操縦電極、偏向領域
Claims (10)
- データ記憶場所を有する記憶媒体と、
前記データ記憶場所と概ね整列した電子ビームを放出する少なくとも1つの放出器と、
前記データ記憶場所に対する前記電子ビームの位置整列を選択的に調整する複数の操縦電極を含むビーム偏向器と
を含むデータ記憶装置。 - 前記複数の操縦電極は前記電子ビームの位置に影響を及ぼす電界を選択的に生成するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のデータ記憶装置。
- 前記複数の操縦電極は前記電子ビームを挟んで正対する対をなして配置されることを特徴とする請求項1に記載のデータ記憶装置。
- 前記複数の操縦電極は前記電子ビームの周囲に配置されることを特徴とする請求項1に記載のデータ記憶装置。
- 前記複数の操縦電極はx方向操縦電極とy方向操縦電極とを含むことを特徴とする請求項1に記載のデータ記憶装置。
- 記憶場所を有する記憶媒体と、
前記記憶媒体に向けて電子ビームを誘導するように構成された電子放出器と、
前記電子ビームを偏向し、前記電子ビームを第1の方向で操縦する第1の電界を生成するように構成された第1の偏向領域と、
前記電子ビームを偏向し、前記電子ビームを第2の方向で操縦する第2の電界を生成するように構成された第2の偏向領域と
を備え、
前記第1の偏向領域および前記第2の偏向領域は、前記電子ビームを前記記憶場所に整列させるように選択的に個別に制御されるデータ記憶装置。 - 複数のデータ記憶場所を含む記憶媒体と、
電子ビームを生成するように構成された放出器と、
前記記憶媒体の選択されたデータ記憶場所に対して前記電子ビームを粗く位置決めするように構成された機械的アクチュエータと、
前記記憶媒体の前記選択されたデータ記憶場所に対して前記電子ビームを細かく位置決めするように構成された電気力学的アクチュエータと
を備えるデータ記憶装置。 - 電子ビームを記憶媒体上のデータ記憶場所に整列する方法であって、
電子ビームを生成するステップと、
前記電子ビームを前記記憶媒体の選択されたデータ記憶場所に概ね整列させるステップと、
複数の操縦電極の少なくとも1つに電圧を印加することにより、前記電子ビームを前記記憶媒体の前記選択されたデータ記憶場所上に選択的に操縦するステップと
を含む電子ビーム整列方法。 - データ記憶場所を有する格納するための手段と、
電子ビームが概ね前記データ記憶場所と整列するように該電子ビームを生成するための手段と、
前記電子ビームが前記データ記憶場所上に選択的に位置決めされるように前記電子ビームを細かく操縦するための手段とを含むことを特徴とするデータ記憶装置。 - データ記憶場所を有する記憶媒体と、
前記データ記憶場所と概ね整列した電子ビームを放出するように構成された少なくとも1つの放出器と、
前記データ記憶場所に対する前記電子ビームの位置整列を選択的に調整するように構成された複数の操縦部を含むビーム偏向器と
を含むデータ記憶装置。
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