JP2004319604A - Method of manufacturing chip component - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing chip component by which a chip component that can cope with both-face mounting, a chip component in which the projection of a functional material between electrodes is small, etc., can be manufactured inexpensively. <P>SOLUTION: In the method of manufacturing the chip component, a ceramic green sheet 101 is prepared, and an insulating substrate 100 having projecting sections 104 and recessed sections 103a corresponding to chip divisions is manufactured by screen-printing a projecting pattern 102 having openings 103 corresponding to the chip divisions on the green sheet 101 and baking the green sheet 101. Then the device patterns corresponding to the chip divisions are formed on the recessed sections 103a and projecting sections 104 in the circumferences of the sections 103a of the insulating substrate 100. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ部品の製造方法に係り、特に両面実装型のチップ抵抗器やサーミスタ素子等のチップ部品の製造に好適なチップ部品の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の一般的なチップ抵抗器は、アルミナ等の絶縁性基板の表面両端部に厚膜電極を備え、この電極間に厚膜抵抗体が配置されている。抵抗体はガラス絶縁膜および樹脂絶縁膜からなる保護膜により被覆されて保護されている。そして、絶縁性基板の両端部である表面の電極と裏面の電極および長手方向端面の端面電極にはめっき電極が形成されている。この場合、一般に基板中央部の保護膜の部分の高さがめっき電極の高さよりも高くなる。例えば、絶縁性基板の表面側のめっき電極と保護膜のそれぞれの表面の段差が30〜50μm程度発生している場合が多い。
【0003】
ところで、従来のチップ抵抗器は、工場出荷の際にテープに1個ずつ、抵抗体が存在する面を表面として固定するいわゆるテーピングによる荷姿で出荷される場合が多い。そして、回路基板に実装する際には、そのままの状態で、即ち、抵抗体が存在する面(保護膜側)を表面として実装機(マウンタ)により回路基板に固定されていた。この場合には、回路基板のランド部に絶縁性基板の裏面側電極が密着し、はんだリフロー等による固定が行われる。
【0004】
その一方で、実装方法にはバルクカセットに多数のチップ部品をランダムな状態で収容し、このチップ部品を一個ずつバルクカセットから取り出して回路基板に実装する、いわゆるバルク実装が存在する。係る実装方法によれば、チップ部品を回路基板に装着するに際して、チップ部品の表裏を選択することなく、チップ部品の面実装が行われる。
【0005】
しかしながら、従来のチップ抵抗器をバルク実装機にてバルク実装した場合には、チップ抵抗器の表面側(保護膜側)が回路基板に面するように裏向きに実装される場合が50%程度の確率で発生する。この時、チップ抵抗器が傾いて実装される可能性が強く、最悪の場合、片側のはんだ付けができない、或いはチップ立ちが生じる等の問題がある。従って、従来の一般的な構造のチップ抵抗器は、いわゆるバルク実装には対応できないという問題がある。
【0006】
この問題を解決するため、本願出願人は、絶縁性基板の表面の各チップ区画の両端部に対して中央部になだらかに形成された凹部と、基板の表面両端部から凹部の一部にかけて配置された一対の電極と、該電極に凹部内で接続されて一対の電極間に配置された抵抗体と、該抵抗体を被覆するように凹部内に配置された保護膜と、基板の裏面両端部に配置された一対の電極と、電極に導通する端面電極と、これら電極上に配置されためっき電極とを備え、該めっき電極の表面の高さを保護膜の表面の高さよりも高くする、チップ抵抗器を提案している(特許文献1参照)。
【0007】
そして、このような凹部を有する絶縁性基板を作製準備するには、平板形状のセラミック基板の一面側に複数本の直線状凹溝を平行に形成することが考えられる。これをチップ形状に切断することにより複数個取りすることができる。このような凹溝は、ダイヤモンド砥石などの回転研削刃を回転駆動させることによりセラミック基板の一面側を研削させつつ、この研削刃と磁器基板とを相対移動させることを繰り返して作製する必要がある。なお、チップ抵抗器としては、この凹溝の形成後に、抵抗体や電極などを配置してチップ形状に切断することになる(例えば、特許文献2参照)。
【0008】
【特許文献1】
特開2002−343601号公報
【特許文献2】
特開平10−135014号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来のチップ部品にあっては、凹部(凹溝)を回転研削刃により研削して形成するのでは、溝部分の強度が低下して、工程の途中でその溝を基点とする基板割れが発生する虞がある。特に、チップ形状に分割するためのブレイク溝を形成する場合には、そのブレイク溝で割れずに、凹溝部分で割れてしまう可能性があり、ローラの押圧による基板分割には適さない、という問題がある。この問題があるため、上記の文献2に記載の従来技術では、切断刃をXY方向に直線運動させることによりチップ形状に分割している。
【0010】
本発明は、上述した事情に鑑みて為されたもので、各チップ区画に対応した凹状部を有する絶縁性基板を容易かつ簡易な工程により作製して、部品の表裏を選択しない、いわゆるバルク実装に対応可能なチップ部品や、電極間の機能材料の突出が少ないチップ部品などを安価に作製することができるチップ部品の製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明のチップ部品の製造方法は、セラミックグリーンシートを準備して、各チップ区画に対応した開口部を有する凸状パターンを前記グリーンシート上にスクリーン印刷し、該グリーンシートを焼成して各チップ区画に対応した凸状部と凹状部を有する絶縁性基板を作製し、該絶縁性基板の前記凹状部とその周辺の凸状部に各チップ区画に対応したデバイスのパターンを形成することを特徴としている。
【0012】
この発明によれば、セラミックグリーンシート上に凸状パターンがスクリーン印刷されて焼成されることにより、凸状パターン間の中央部がなだらかな凹形状(凹部)に形成された絶縁性基板が作製される。このことから、凸形状がグリーンシートと一体に焼成されて、各チップ区画に対応した開口部が凹形状に形成される。したがって、絶縁性基板の強度が低下してしまうことがなく、基板割れの発生を回避することができ、チップ形状に分割するための作業をブレーク溝や切断刃のいずれでも行うことができる。
【0013】
この発明においては、前記セラミックグリーンシートおよび凸状パターンのそれぞれの材料は、共に同質のセラミック粉末を主成分としたものであることが好ましく、また、前記グリーンシート上に格子状の凸状パターンをスクリーン印刷で形成することが好ましく、前記グリーンシートの周縁部を残すように凸状パターンをスクリーン印刷するのが好ましい。
【0014】
そして、絶縁性基板の前記凹状部とその周辺の凸状部に各チップ区画に対応したデバイスのパターンを形成することで、両面実装が可能なチップ抵抗器やサーミスタ膜厚の厚いサーミスタチップを簡易且つ安価に作製できる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について添付図面を参照して説明する。なお、各図中、同一の機能を有する部材または要素には同一の符号を付して、その重複した説明を省略する。
【0016】
本発明のチップ抵抗器の製造方法について、図1および図2を用いて説明する。まず、図1(a)に示すように、平板形状のセラミックグリーンシート101を準備する。このグリーンシートは、粉末状のアルミナ(Al)、MgO、CaO、SiO、粘土鉱物、タルクを用いて、アルミナ重量比96%、その他の成分重量比4%の無機組成になるように調合して原料粉末を作製する。これにバインダー、溶剤、可塑剤、分散剤を適量添加して混合することにより、スラリー(泥漿)を得る。このスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形して、平板形状のグリーンシート101を作製準備する(グリーンシートの作製工程)。
【0017】
次いで、図1(b)に示すように、準備したグリーンシート101の周縁部101aを、後工程での冶具の把持部として残すように、格子状の凸状パターン102をそのグリーンシート101上にスクリーン印刷する。この凸状パターン102は、各チップ区画に対応した開口部103を各格子毎に備えている。この後に、グリーンシート101と凸状パターン102を一緒に焼成することにより、絶縁性基板100を作製する。このとき、各チップ区画に対応した開口部103が凹状部となり、その周辺に格子状の凸状部104が形成される。なお、グリーンシート101および凸状パターン102のそれぞれの材料として、同一のあるいは馴染みのよい同質のセラミック粉末を主成分に調製するのが、絶縁性基板と凸状パターンの一体性を確保するうえで好ましい。
【0018】
具体的には、粉末状のアルミナ、MgO、CaO、SiO、粘土鉱物、タルクを用いて、アルミナ重量比96%、その他の成分重量比4%の無機組成になるように調合して原料粉末を作製する。これにバインダー、溶剤を添加混合することにより、ペーストを得る。バインダーとしては、熱分解し易く溶剤に溶けて高粘度を有するポリマーが好ましく、エチルセルロース、アクリル、ポリビニルブチラール等を用いる。溶剤としては、高沸点のものが好ましく、テルピネオール、ブチルカルビトール、エチルカルビトール等を用いる。ここでは、ポリビニルブチラールとテルピネオールとを混合して、加熱攪拌して溶解させる。この後、前述の原料粉末が71、バインダーが4、溶剤が25の重量比となるように秤量し、3本ローラにて複数回混練し、さらにテルピネオールを適量添加して粘度100Pa・S程度のアルミナペーストを得る(アルミナペーストの作製工程)。
【0019】
そして、このアルミナペーストを、準備したグリーンシート101上にスクリーン印刷法により格子状の凸状パターン102を形成する。この凸状パターン102を乾燥した後に、図1(c)に示すように、凸状部104の中央に格子状の基板分割用のスリット(ブレーク溝)105を型押しにより形成する。このスリット105は、凸状パターン102の凸状部104の厚さよりも深くして、グリーンシート101に達するように形成した。この後に、グリーンシート101と凸状パターン102とを1300℃〜1600℃で焼成し、絶縁性基板(凹凸形成セラミック基板)100を作製する(絶縁性基板の作製工程)。
【0020】
これにより、各チップ区画に対応したなだらかな側面を有する凹状部103と凸状部104とかなる凸状パターン102を有する絶縁性(分割前)基板100が作製される。例えば、凹状部103の深さ(凸状部104の高さ)が60μm程度であるとき、グリーンシート101と凸状パターン102とは同一原料を使用しているため、熱収縮率も略同一値で、密着状態も良好な一体の焼結体となっていた。すなわち、従来技術のように回転研削刃で平板形状から研削加工する場合のように、基板強度を低下させてしまうことがない。言い換えると、絶縁性基板100は、基板の強度不足を補うために基板自体を厚くして冶具を変更する必要がなく、後の分割工程においてローラを押し付けることにより、凸状パターン102に形成したスリット105で各チップ区画に分割して多数個取りすることができる。
【0021】
なお、絶縁性基板100の凹状部103の深さは、50μm〜70μm程度とするのが好ましい。また、スリット105を形成することなく、切断(ダイシング)して各チップ区画に分離してもよいことはいうまでもない。ここで、図1(b)における106は、絶縁性基板100の向きを示すマークであり、後工程において周縁部101aを把持する際の指標とすることができる。
【0022】
次いで、図2(a)に示すように、絶縁性基板100の凹状部103の底面103aに厚さ10μm〜15μm程度となる抵抗体15を抵抗体ペーストのスクリーン印刷および焼成により形成する。抵抗体15としては酸化ルテニウム系ペーストを用いることが好ましく、例えば850℃程度の温度で焼成する(抵抗体の形成工程)。
【0023】
次いで、図2(b)に示すように、凸状部104を覆って凹状部103内の抵抗体15に導通接続するように厚さ10μm〜15μm程度の電極パターン13を形成する。この電極パターン13はAg又はAg−Pdペーストをスクリーン印刷することにより形成し、例えば850℃程度の温度で焼成することで形成する(第1の電極の形成工程)。また、裏面電極パターン19も同様にAg又はAg−Pdペーストをスクリーン印刷により配置し、焼成することで形成する(第2の電極の形成工程)。なお、表面側の電極パターン13と裏面側の電極パターン19とは、どちらを先にスクリーン印刷によりパターン形成してもよいが、焼成は同時に行うことが好ましい。
【0024】
このとき、絶縁性基板100は、回転研削刃ではなく、スクリーン印刷により凸状パターン102を形成していることから、図3(a)に示すように、凸状部104が丸みを帯びている。これにより、欠けてしまって形状が崩れてしまうことがなく、さらに、凹状部103の底面103aから凸状部104の斜面104aは大きな曲率の曲面で滑らかに連続するとともに、この凸状部104の斜面104aから上面104bでも大きな曲率の曲面で滑らかに連続している。これにより、図3(b)に示す従来技術で作製した場合の急峻なエッジ形状を覆うように電極を形成する際のように、焼成時の収縮でその電極が電極材料13a、13bに断線して導通不良となってしまったり、大きな空隙Sが形成されてしまうことがない。従って、その凸状部104には均一な厚さの電極13を形成して抵抗体15との導通を確保することができる。
【0025】
次いで、図2(c)に示すように、スクリーン印刷にて凹状部103内の抵抗体15のパターン上へ第1保護膜17aのパターンと第2保護膜17bのパターンとを順次に形成する。まず、第1保護膜17aは厚さ15μm〜20μm程度のガラス絶縁膜であり、600℃程度の温度で焼成することが好ましい。これに続けて、必要があればレーザトリミング等により抵抗体15の抵抗値調整を行う。次に、そのガラス絶縁膜17a上へ厚さ20μm程度の樹脂ペーストの第2保護膜17bを形成して加温硬化させる。この第2保護膜17bはエポキシ系樹脂であり、200℃程度の温度で加温硬化することが好ましい(絶縁膜の形成工程)。なお、保護膜17は、ガラス絶縁膜17aと樹脂絶縁膜17bを積層する例について説明したが、必要に応じて、一層を省略することも可能である。
【0026】
次いで、図2(d)に示すように、絶縁性基板100にローラを押し当てて短冊状(紙面に対して垂直方向に延在する状態)に分割する(第1の基板の分割工程)。この後に、図2(e)に示すように、露出した基板側端面に端面電極21を形成する。端面電極21は例えばスパッタリングにより被着したNi・Crの薄膜層である(第3の電極の形成工程)。
【0027】
次いで、短冊状に分割した各チップ区画群にローラを押し当てて各チップ区画に分割する(第2の基板の分割工程)。そして、図2(f)に示すように、電解めっきを行って、電極13、19、21上にめっき電極23を形成する。電極くわれ防止およびはんだ付け性向上のために、電解めっきによって厚さ3μm〜10μm程度のNiめっき層と、厚さ5〜15μm程度のはんだめっき層(Snめっき層でもよい)とからなるめっき電極23を形成している(めっき工程)。
【0028】
以上の工程で、図2(a)以降は、通常のチップ抵抗器の製造工程と変わるものではない。このように簡易な工程により、絶縁性基板11の両端部11aの凸状部14に囲まれてなだらかに傾斜して連続する凹部12を備えるとともに、その内には凸状部14を覆うように形成された電極13により導通する抵抗体15と保護膜17が埋置されているチップ抵抗器10を作製することができる。
【0029】
そして、このチップ抵抗器10は、凸状部14の高さ(凹部12の深さ)が60μm程度で、電極13が厚さ10μm〜15μm、めっき電極23が厚さ8μm〜25μmであることから、底面12aからめっき電極23上面までの高さは78μm〜100μmに設定される。これに対して、抵抗体15が厚さ10μm〜15μm、保護膜17は厚さ35μm〜40μmでトータルの厚さが45μm〜65μmである。
【0030】
したがって、このチップ抵抗10は、めっき電極23の表面の高さが保護膜17の表面の高さよりも高くなって、裏向きに実装された場合でも回路基板に確実に実装させて、ランド部に問題なくはんだ付け固定することができ、バルク対応の両面実装を行うことができる。なお、表向きの場合には、電極19が厚さ10μm〜15μmで、めっき電極23が厚さ8μm〜25μmであることから、バルク対応の面実装を行うことができることはいうまでもない。
【0031】
ここで、上述した製造工程においては、基板11に凹部12を形成した絶縁性基板を準備する以外は、通常のチップ部品の製造方法をそのまま採用することができるので、製造コストの上昇を抑制しつつ、実装面の表裏の選択性のないバルク実装に対応したチップ部品を製造することができる。
【0032】
ここで、本実施形態の他の態様としては、本実施形態では抵抗体15を凹状部103内に形成した後に電極13を形成する場合を説明したが、逆に、電極13を凹状部103(凹部12)内に形成した後に抵抗体15を形成してもよいことはいうまでもない。
【0033】
また、本実施形態においては、絶縁性基板の表面および裏面に電極を設け、チップ部品が表向きにも裏向きにも実装可能な例について説明したが、本発明の趣旨は、基板表面のみに電極を設け、裏向きにのみ実装するいわゆるフィレットレス実装にも適用が可能である。
【0034】
次に、図4を参照して、本発明に係るチップサーミスタの製造方法について説明する。
【0035】
まず、上述のチップ抵抗器10と同様に、平板形状のグリーンシート101を準備して、その上に格子状の凸状パターン102をスクリーン印刷し焼成することにより、各チップ区画に対応した凹状部103を形成した絶縁性(分割前)基板100を作製準備する工程は図1に示すとおりである。
【0036】
次いで、図4(a)に示すように、凹状部103の底面103aの2/3の面積を覆うと共に、凸状部104の片側斜面104aから上面104bを覆う厚さ10μm程度の表面電極43を形成する。この表面電極43はAg又はAg−Pdペーストパターンをスクリーン印刷により形成し、例えば850℃程度の温度で焼成することで形成する。
この表面電極43は、後述する分割工程において凸状部104の上面104bの形成領域で2分割されることにより、底面103a側が電極33を構成する。また、その残りが他方の電極34の一部を構成する。
【0037】
裏面電極19も同様にAg又はAg−Pdペーストパターンをスクリーン印刷により配置し、焼成することで形成する。なお、表面側の表面電極43と裏面側の電極19とは、どちらを先にスクリーン印刷によりパターン形成してもよいが、焼成は同時に行うことが好ましい(第1、第2の電極の形成工程)。
【0038】
このとき、上述の電極13と同様に、凸状パターン102の凸状部104が丸みを帯びて、凹状部103の底面103aと凸状部104の斜面104aの間と、この斜面104aと上面104bとの間は、大きな曲率の曲面で滑らかに連続している。このことから表面電極43が導通不良になってしまうことを回避することができる。
【0039】
次いで、図4(b)に示すように、絶縁性基板100の凹状部103内に、表面電極43上に積層するように厚さ40μm程度の抵抗体35を形成する。この抵抗体35は、サーミスタ特性を発現する機能材料の金属酸化物粉末(CO+NiO+Mn)、ガラスフリット、有機ビヒクルからなるペースト材料を作製準備して、スクリーン印刷法により凹状部103内の表面電極43上に4回塗り重ねて積層して、850℃で焼成することにより作製する(抵抗体の形成工程)。このとき、抵抗体35は、凹状部103内にペースト材料をスクリーン印刷により塗り重ねるので、パターン形状が凹状部103の形状に固定されて、安定して高品質に形成することができる。
【0040】
次いで、図4(c)に示すように、表面電極43を形成した凸状部104の片側斜面104aから離隔する領域から抵抗体35の2/3の面積を覆うと共に、隣接する凸状部104上面104bを覆う表面電極43に導通接続する厚さ10μm程度の上部電極44を形成する。この上部電極44はAg又はAg−Pdペーストパターンを抵抗体35および表面電極43の一部に重なるようにスクリーン印刷により形成し、例えば850℃程度の温度で焼成することで形成する。この上部電極44は、後述する工程において凸状部104の上面104bの形成領域で2分割された上記の反対側の表面電極43(斜面104aにまで延在していない表面電極43)と接続されることにより電極34を構成する。また、この上部電極44を必要に応じてレーザにより一部除去するなどのレーザートミリングを行い、抵抗値を調整する(第3の電極の形成工程)。
【0041】
次いで、図4(d)に示すように、スクリーン印刷にて凹状部103内の抵抗体35のパターン上へ厚さ30μm程度の樹脂ペーストの保護膜37を形成して加温硬化させる。この保護膜37はエポキシ系樹脂であり、130℃程度の温度で加温硬化することが好ましい(絶縁膜の形成工程)。
【0042】
次いで、図4(e)に示すように、絶縁性(分割前)基板100にローラを押し当てて短冊状に分割する(第1の分割工程)。このとき、凸状部104の上面104bの形成領域で表面電極43が2分割されて、底面103aまで延在する表面電極43が電極33を構成する一方、その反対側の表面電極43と上部電極44とにより電極34が構成される。
【0043】
次いで、図4(f)に示すように、露出した基板側端面(短冊状に分割したチップ群の基板側端面)にスパッタリングなどによりNi・Crの薄膜層の端面電極21を形成する(第4の電極の形成工程)。この後に、短冊状に分割したチップ群にローラを押し当てて各チップ区画に分割する(第2の分割工程)。そして、図4(g)に示すように、電解めっきを行って電極43(33、34)、19、21上にめっき電極23を形成する(めっき工程)。
【0044】
このように簡易な工程により、絶縁性基板11の両端部11aの凸状部14に囲まれてなだらかに開口する凹部12を備えるとともに、その凸状部14を覆うように形成された電極33、34の間に配置されて導通する抵抗体35がその凹部12の内に埋置され、保護膜で被覆されているチップサーミスタ30を作製することができる。
【0045】
そして、このチップサーミスタ30は、凸状部14の高さ(凹部12の深さ)が60μmで、電極33、34が厚さ10μm、めっき電極23が厚さ8μm〜25μmであることから、底面12aからめっき電極上面までの高さは78μm〜95μmに設定される。これに対して、電極33、34がトータル厚さ20μm、抵抗体35が厚さ40μm、保護膜37は厚さ30μmでトータルの厚さが90μmである。
【0046】
したがって、このチップサーミスタ30は、めっき電極23の表面の高さよりも多少高くなる程度に保護膜37の表面の高さを抑えることができ、平面上に電極33、34、抵抗体35および保護膜37を積層した場合よりもかなり突出量を抑えることができる。
【0047】
ここで、上述した製造工程においては、基板11に凹部12を形成し絶縁性基板を準備する以外は、通常のチップサーミスタの製造工程をそのまま採用することができる。従って、製造コストの上昇を抑制しつつ、突出高さを抑えたチップサーミスタを製造することができる。
【0048】
ここで、上述の実施形態では、分割用スリット105は、凸状部104の厚さよりも深くして、グリーンシート101に達するように形成するが、これに限るものではないことはいうまでもない。例えば、図5(a)に示すように、凸状部104の上面104bとグリーンシート101の下面に入れるようにしてもよい。この場合にも、上記実施形態と同様な作用効果を得ることができる。また、このスリット105は、図5(b)に示すように、グリーンシート101の上下面に入れて、この後に、上面のスリット105上に凸状パターン102の凸状部104を形成するようにしてもよい。この場合には、上記実施形態と同様な作用効果に加えて、スリット105を入れるための型押し時に、その凸状部104が変形することを回避することができる。
【0049】
また、上述実施形態では、格子状の凸状パターン102をグリーンシート101上に形成する場合を説明したが、凸状部を並列させた畝状の凸状パターンをグリーンシート上に形成して分割するようにしてもよいことはいうまでもない。また、チップ部品として、チップ抵抗器とチップサーミスタの例について説明したが、その他の形式のチップ部品についても同様に本発明の趣旨を適用可能なことは勿論である。
【0050】
そして、これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【0051】
【発明の効果】
本発明によれば、平板形状のグリーンシート上に凸状パターンをスクリーン印刷して焼成するだけで、なだらかな凹状部が凸状部間に形成された絶縁性基板を作製することができる。このため、抵抗体等を埋め込みこれに接続する電極を通常の工程を用いて作製することができる。
【0052】
総じて本発明によれば、両面実装に対応可能なチップ部品や、電極間の凹状部に機能材料を埋め込むことができるチップ部品を、簡易に且つ安価に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るチップ部品の製造方法を示す図であり、(a)、(b)は斜視図、(c)は一部拡大縦断面図である。
【図2】チップ抵抗器の製造工程を示す図であり、(a)〜(f)は縦断面図である。
【図3】(a)は本発明による段差部を示す一部拡大縦断面図であり、(b)は従来技術における段差部を示す一部拡大縦断面図である。
【図4】チップサーミスタの製造工程を示す図であり、(a)〜(g)は縦断面図である。
【図5】分割用スリットの他の態様を示す一部拡大縦断面図である。
【符号の説明】
10 チップ抵抗
11 絶縁性基板
11a 凸状部
12 凹部
12a 底面
13、19、21、33、34、43、44 電極
14 凸状部
15、35 抵抗体
17、37 保護膜
23 めっき電極
30 チップサーミスタ
100 絶縁性(分割前)基板
101 グリーンシート
101a 周縁部
102 凸状パターン
103 凹状部(開口部)
104 凸状部
105 スリット
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a chip component, and more particularly to a method for manufacturing a chip component suitable for manufacturing a chip component such as a double-sided mounted chip resistor or a thermistor element.
[0002]
[Prior art]
A conventional general chip resistor has thick film electrodes at both ends of the surface of an insulating substrate made of alumina or the like, and a thick film resistor is arranged between the electrodes. The resistor is covered and protected by a protective film made of a glass insulating film and a resin insulating film. Plating electrodes are formed on the front and rear electrodes, which are both ends of the insulating substrate, and the end electrodes on the longitudinal end surfaces. In this case, the height of the protective film at the center of the substrate is generally higher than the height of the plating electrode. For example, in many cases, a level difference of about 30 to 50 μm occurs between the surface of the plating electrode and the surface of the protective film on the surface of the insulating substrate.
[0003]
By the way, conventional chip resistors are often shipped one by one on a tape at the time of shipment from a factory in a form of so-called taping in which the surface on which the resistor exists is fixed as a surface. When mounted on a circuit board, it is fixed to the circuit board by a mounting machine (mounter) as it is, that is, with the surface on which the resistor exists (the protective film side) as the surface. In this case, the back side electrode of the insulating substrate is in close contact with the land portion of the circuit board, and fixing is performed by solder reflow or the like.
[0004]
On the other hand, as a mounting method, there is a so-called bulk mounting in which a large number of chip components are randomly stored in a bulk cassette, and the chip components are taken out of the bulk cassette one by one and mounted on a circuit board. According to such a mounting method, when mounting the chip component on the circuit board, the surface mounting of the chip component is performed without selecting the front and back of the chip component.
[0005]
However, when a conventional chip resistor is bulk-mounted by a bulk mounting machine, about 50% of the cases are mounted face-down such that the front side (protective film side) of the chip resistor faces the circuit board. Occurs with a probability of At this time, there is a strong possibility that the chip resistor is mounted at an angle, and in the worst case, there is a problem that one side cannot be soldered or a chip stands up. Therefore, there is a problem that the conventional chip resistor having a general structure cannot cope with so-called bulk mounting.
[0006]
In order to solve this problem, the applicant of the present application has arranged a concave portion formed gently in the center with respect to both ends of each chip section on the surface of the insulating substrate, and arranged from both ends of the substrate surface to a part of the concave portion. A pair of electrodes, a resistor connected to the electrode in the recess and disposed between the pair of electrodes, a protective film disposed in the recess to cover the resistor, and both ends of the back surface of the substrate A pair of electrodes arranged in the portion, an end face electrode conducting to the electrodes, and a plating electrode arranged on these electrodes, wherein the height of the surface of the plating electrode is higher than the height of the surface of the protective film Has proposed a chip resistor (see Patent Document 1).
[0007]
To prepare an insulating substrate having such a concave portion, it is conceivable to form a plurality of linear concave grooves in parallel on one surface side of a flat ceramic substrate. By cutting this into a chip shape, a plurality of pieces can be obtained. Such a groove needs to be produced by repeating the relative movement between the grinding blade and the porcelain substrate while grinding one surface side of the ceramic substrate by rotating and driving a rotary grinding blade such as a diamond grindstone. . In addition, as for the chip resistor, after forming the concave groove, a resistor, an electrode, and the like are arranged and cut into a chip shape (for example, see Patent Document 2).
[0008]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-343601
[Patent Document 2]
JP-A-10-135014
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, in such a conventional chip component, if the concave portion (concave groove) is formed by grinding with a rotary grinding blade, the strength of the groove portion decreases, and the groove is used as a starting point during the process. There is a possibility that the substrate cracking may occur. In particular, when forming a break groove for dividing into chip shapes, without breaking at the break groove, there is a possibility of breaking at the concave groove portion, it is not suitable for substrate division by pressing the roller. There's a problem. Because of this problem, in the related art described in the above-mentioned Document 2, the cutting blade is divided into a chip shape by linearly moving the cutting blade in the X and Y directions.
[0010]
The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and a so-called bulk mounting method in which an insulating substrate having a concave portion corresponding to each chip section is manufactured by an easy and simple process and the front and back of the component is not selected. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a chip component capable of inexpensively manufacturing a chip component capable of coping with the problem and a chip component having a small projection of a functional material between electrodes.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a method for manufacturing a chip component according to the present invention includes preparing a ceramic green sheet, screen-printing a convex pattern having an opening corresponding to each chip section on the green sheet, and printing the green sheet. Baking to produce an insulating substrate having a convex portion and a concave portion corresponding to each chip section, and forming the device pattern corresponding to each chip section on the concave section and the peripheral convex section of the insulating substrate. It is characterized by forming.
[0012]
According to the present invention, a convex pattern is screen-printed on a ceramic green sheet and fired, thereby producing an insulating substrate in which a central portion between the convex patterns is formed in a gentle concave shape (concave portion). You. For this reason, the convex shape is fired integrally with the green sheet, and the opening corresponding to each chip section is formed in a concave shape. Accordingly, the strength of the insulating substrate is not reduced, the occurrence of substrate cracking can be avoided, and the work for dividing into chip shapes can be performed with either the break groove or the cutting blade.
[0013]
In the present invention, it is preferable that each material of the ceramic green sheet and the convex pattern is mainly composed of the same ceramic powder as a main component, and a grid-like convex pattern is formed on the green sheet. The green sheet is preferably formed by screen printing, and a convex pattern is preferably screen-printed so as to leave the peripheral portion of the green sheet.
[0014]
By forming a device pattern corresponding to each chip section on the concave portion of the insulating substrate and the convex portion around the concave portion, a chip resistor that can be mounted on both sides and a thermistor chip having a large thermistor film thickness can be simplified. And it can be manufactured at low cost.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In each of the drawings, members or elements having the same function are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
[0016]
A method for manufacturing a chip resistor according to the present invention will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 1A, a flat ceramic green sheet 101 is prepared. This green sheet is made of powdered alumina (Al 2 O 3 ), MgO, CaO, SiO 2 A raw material powder is prepared by using a clay mineral and talc so as to have an inorganic composition of 96% by weight of alumina and 4% by weight of other components. An appropriate amount of a binder, a solvent, a plasticizer, and a dispersant are added thereto and mixed to obtain a slurry (slurry). The slurry is formed into a sheet by a doctor blade method or the like, and a flat green sheet 101 is prepared and prepared (green sheet preparing step).
[0017]
Next, as shown in FIG. 1B, a lattice-shaped convex pattern 102 is formed on the green sheet 101 so that the peripheral portion 101a of the prepared green sheet 101 is left as a grip portion of a jig in a later step. Screen print. The convex pattern 102 has an opening 103 corresponding to each chip section for each lattice. Thereafter, the insulating substrate 100 is manufactured by firing the green sheet 101 and the convex pattern 102 together. At this time, the opening 103 corresponding to each chip section becomes a concave part, and a lattice-like convex part 104 is formed around the concave part. It should be noted that preparing the same or familiar ceramic powder of the same quality as a main component as the material of each of the green sheet 101 and the convex pattern 102 is necessary to secure the integration between the insulating substrate and the convex pattern. preferable.
[0018]
Specifically, powdered alumina, MgO, CaO, SiO 2 A raw material powder is prepared by using a clay mineral and talc so as to have an inorganic composition of 96% by weight of alumina and 4% by weight of other components. A paste is obtained by adding and mixing a binder and a solvent thereto. As the binder, a polymer which is easily thermally decomposed and has a high viscosity when dissolved in a solvent is preferable, and ethyl cellulose, acryl, polyvinyl butyral and the like are used. As the solvent, those having a high boiling point are preferable, and terpineol, butyl carbitol, ethyl carbitol and the like are used. Here, polyvinyl butyral and terpineol are mixed, heated and stirred to dissolve. Thereafter, the raw material powder was weighed so that the weight ratio of the raw material was 71, the binder was 4, and the solvent was 25, and the mixture was kneaded a plurality of times with three rollers. An alumina paste is obtained (a process for producing an alumina paste).
[0019]
Then, a lattice-like convex pattern 102 is formed on the prepared green sheet 101 by screen printing using the alumina paste. After drying the convex pattern 102, as shown in FIG. 1C, a lattice-shaped substrate dividing slit (break groove) 105 is formed at the center of the convex portion 104 by embossing. The slit 105 was formed so as to be deeper than the thickness of the convex portion 104 of the convex pattern 102 so as to reach the green sheet 101. After that, the green sheet 101 and the convex pattern 102 are fired at 1300 ° C. to 1600 ° C. to manufacture an insulating substrate (a ceramic substrate having unevenness) 100 (an insulating substrate manufacturing process).
[0020]
Thus, an insulating (before division) substrate 100 having a convex pattern 102 composed of a concave portion 103 having a gentle side surface and a convex portion 104 corresponding to each chip section is manufactured. For example, when the depth of the concave portion 103 (the height of the convex portion 104) is about 60 μm, since the green sheet 101 and the convex pattern 102 use the same raw material, the heat shrinkage is also substantially the same. As a result, an integrated sintered body having good adhesion was obtained. That is, unlike the prior art, the substrate strength is not reduced unlike the case of grinding from a flat plate shape with a rotary grinding blade. In other words, the insulating substrate 100 does not need to change the jig by thickening the substrate itself to compensate for the insufficient strength of the substrate, and presses the roller in a later dividing step to form the slit formed in the convex pattern 102. At 105, a large number of pieces can be obtained by dividing into chip sections.
[0021]
In addition, it is preferable that the depth of the concave portion 103 of the insulating substrate 100 be approximately 50 μm to 70 μm. Needless to say, the chip may be cut (diced) and separated into chip sections without forming the slit 105. Here, reference numeral 106 in FIG. 1B is a mark indicating the direction of the insulating substrate 100, and can be used as an index when the peripheral portion 101a is gripped in a later step.
[0022]
Next, as shown in FIG. 2A, a resistor 15 having a thickness of about 10 μm to 15 μm is formed on the bottom surface 103 a of the concave portion 103 of the insulating substrate 100 by screen printing and baking a resistor paste. As the resistor 15, it is preferable to use a ruthenium oxide-based paste, for example, firing at a temperature of about 850 ° C. (a resistor forming step).
[0023]
Next, as shown in FIG. 2B, an electrode pattern 13 having a thickness of about 10 μm to 15 μm is formed so as to cover the convex portion 104 and electrically connect to the resistor 15 in the concave portion 103. The electrode pattern 13 is formed by screen-printing an Ag or Ag-Pd paste, and is formed, for example, by firing at a temperature of about 850 ° C. (first electrode forming step). Similarly, the back electrode pattern 19 is formed by arranging Ag or Ag-Pd paste by screen printing and baking (second electrode forming step). Either of the front electrode pattern 13 and the rear electrode pattern 19 may be formed by screen printing first, but it is preferable that firing be performed simultaneously.
[0024]
At this time, since the insulating substrate 100 forms the convex pattern 102 by screen printing instead of the rotary grinding blade, the convex portion 104 is rounded as shown in FIG. . This prevents the shape from being broken due to chipping, and furthermore, the slope 104a of the convex portion 104 from the bottom surface 103a of the concave portion 103 smoothly continues with a curved surface having a large curvature. The surface from the slope 104a to the upper surface 104b is smoothly continuous with a curved surface having a large curvature. As a result, as in the case where the electrode is formed so as to cover the steep edge shape in the case of the conventional technology shown in FIG. 3B, the electrode is disconnected from the electrode materials 13a and 13b due to shrinkage during firing. Therefore, there is no possibility that conduction failure occurs and a large gap S is formed. Therefore, the electrode 13 having a uniform thickness can be formed on the protruding portion 104 to ensure conduction with the resistor 15.
[0025]
Next, as shown in FIG. 2C, a pattern of the first protective film 17a and a pattern of the second protective film 17b are sequentially formed on the pattern of the resistor 15 in the concave portion 103 by screen printing. First, the first protective film 17a is a glass insulating film having a thickness of about 15 μm to 20 μm, and is preferably fired at a temperature of about 600 ° C. Subsequently, if necessary, the resistance of the resistor 15 is adjusted by laser trimming or the like. Next, a second protective film 17b of a resin paste having a thickness of about 20 μm is formed on the glass insulating film 17a and is heated and cured. The second protective film 17b is made of an epoxy resin, and is preferably heated and cured at a temperature of about 200 ° C. (step of forming an insulating film). Note that the protective film 17 has been described as an example in which the glass insulating film 17a and the resin insulating film 17b are stacked, but one layer may be omitted as necessary.
[0026]
Next, as shown in FIG. 2D, a roller is pressed against the insulating substrate 100 to divide it into strips (a state extending in a direction perpendicular to the paper surface) (first substrate dividing step). Thereafter, as shown in FIG. 2E, an end face electrode 21 is formed on the exposed end face on the substrate side. The end face electrode 21 is, for example, a thin film layer of Ni / Cr applied by sputtering (third electrode forming step).
[0027]
Next, a roller is pressed against each of the chip division groups divided into strips to divide them into chip divisions (second substrate dividing step). Then, as shown in FIG. 2 (f), electrolytic plating is performed to form a plated electrode 23 on the electrodes 13, 19 and 21. A plating electrode comprising a Ni plating layer having a thickness of about 3 μm to 10 μm by electrolytic plating and a solder plating layer having a thickness of about 5 to 15 μm (or Sn plating layer) for preventing electrode cracking and improving solderability. 23 (plating step).
[0028]
In the above steps, the steps after FIG. 2A are not different from the steps of manufacturing a normal chip resistor. With such a simple process, the concave portion 12 which is surrounded by the convex portions 14 of the both end portions 11a of the insulating substrate 11 and which is gently inclined and continuous is provided. It is possible to manufacture the chip resistor 10 in which the resistor 15 and the protective film 17 which are conducted by the formed electrode 13 are embedded.
[0029]
In the chip resistor 10, the height of the convex portion 14 (depth of the concave portion 12) is about 60 μm, the electrode 13 has a thickness of 10 μm to 15 μm, and the plating electrode 23 has a thickness of 8 μm to 25 μm. And the height from the bottom surface 12a to the upper surface of the plating electrode 23 is set to 78 μm to 100 μm. On the other hand, the resistor 15 has a thickness of 10 μm to 15 μm, the protective film 17 has a thickness of 35 μm to 40 μm, and a total thickness of 45 μm to 65 μm.
[0030]
Therefore, this chip resistor 10 can be securely mounted on the circuit board even when the surface of the plated electrode 23 is higher than the surface of the protective film 17 and mounted on It can be fixed by soldering without any problem, and can be mounted on both sides for bulk. In the case of the face-up, since the electrode 19 has a thickness of 10 μm to 15 μm and the plating electrode 23 has a thickness of 8 μm to 25 μm, it goes without saying that bulk mounting can be performed.
[0031]
Here, in the above-described manufacturing process, except for preparing an insulating substrate in which the concave portion 12 is formed in the substrate 11, a normal manufacturing method of a chip component can be employed as it is, so that an increase in manufacturing cost is suppressed. At the same time, it is possible to manufacture a chip component corresponding to bulk mounting without selectivity between the front and back of the mounting surface.
[0032]
Here, as another aspect of the present embodiment, the case where the electrode 13 is formed after the resistor 15 is formed in the concave portion 103 in the present embodiment has been described. Conversely, the electrode 13 is formed in the concave portion 103 ( It goes without saying that the resistor 15 may be formed after the formation in the recess 12).
[0033]
Further, in the present embodiment, an example has been described in which electrodes are provided on the front surface and the back surface of the insulating substrate, and the chip component can be mounted face-up or face-down, but the gist of the present invention is that the electrode is provided only on the substrate surface. And so-called filletless mounting, which is mounted only face down, can be applied.
[0034]
Next, a method for manufacturing a chip thermistor according to the present invention will be described with reference to FIG.
[0035]
First, similarly to the above-described chip resistor 10, a flat green sheet 101 is prepared, and a grid-like convex pattern 102 is screen-printed thereon and fired, thereby forming concave portions corresponding to each chip section. The process for preparing the insulating (pre-split) substrate 100 with the 103 formed thereon is as shown in FIG.
[0036]
Next, as shown in FIG. 4A, a surface electrode 43 having a thickness of about 10 μm that covers an area 2 of the bottom surface 103 a of the concave portion 103 and covers the upper surface 104 b from the one side inclined surface 104 a of the convex portion 104. Form. The surface electrode 43 is formed by forming an Ag or Ag-Pd paste pattern by screen printing and baking it at a temperature of about 850 ° C., for example.
The surface electrode 43 is divided into two in the formation region of the upper surface 104b of the convex portion 104 in a dividing step described later, so that the bottom surface 103a forms the electrode 33. The rest forms a part of the other electrode 34.
[0037]
Similarly, the back electrode 19 is formed by arranging an Ag or Ag-Pd paste pattern by screen printing and baking. Either the surface electrode 43 on the front side or the electrode 19 on the back side may be patterned by screen printing first, but it is preferable that firing be performed simultaneously (steps for forming the first and second electrodes). ).
[0038]
At this time, similarly to the above-described electrode 13, the convex portion 104 of the convex pattern 102 is rounded, and between the bottom surface 103a of the concave portion 103 and the inclined surface 104a of the convex portion 104, and between the inclined surface 104a and the upper surface 104b. Is smoothly continuous with a curved surface having a large curvature. From this, it is possible to prevent the surface electrode 43 from becoming defective in conduction.
[0039]
Next, as shown in FIG. 4B, a resistor 35 having a thickness of about 40 μm is formed in the concave portion 103 of the insulating substrate 100 so as to be stacked on the surface electrode 43. This resistor 35 is made of a metal oxide powder (CO) of a functional material exhibiting thermistor characteristics. 2 O 3 + NiO + Mn 2 O 3 ), A paste material made of a glass frit and an organic vehicle is prepared and prepared by coating and laminating four times on the surface electrode 43 in the concave portion 103 by a screen printing method, and firing at 850 ° C. ( Step of forming resistor). At this time, since the paste material is applied over the concave portion 103 by screen printing at this time, the pattern shape is fixed to the shape of the concave portion 103, and the resistor 35 can be stably formed with high quality.
[0040]
Next, as shown in FIG. 4C, the area of the convex portion 104 on which the surface electrode 43 is formed is separated from the one-side slope 104 a by 2 of the area of the resistor 35, and the adjacent convex portion 104 is formed. An upper electrode 44 having a thickness of about 10 μm, which is conductively connected to the surface electrode 43 covering the upper surface 104b, is formed. The upper electrode 44 is formed by screen printing an Ag or Ag-Pd paste pattern so as to overlap a part of the resistor 35 and the surface electrode 43, and is formed by firing at a temperature of, for example, about 850 ° C. The upper electrode 44 is connected to the surface electrode 43 on the opposite side (the surface electrode 43 that does not extend to the slope 104 a), which is divided into two in the formation region of the upper surface 104 b of the convex portion 104 in a step described later. Thus, the electrode 34 is formed. In addition, the upper electrode 44 is subjected to laser tomilling, for example, by partially removing the upper electrode 44 with a laser as necessary, and the resistance value is adjusted (third electrode forming step).
[0041]
Next, as shown in FIG. 4D, a protective film 37 of a resin paste having a thickness of about 30 μm is formed on the pattern of the resistor 35 in the concave portion 103 by screen printing, and is heated and cured. The protective film 37 is an epoxy resin, and is preferably cured by heating at a temperature of about 130 ° C. (a process of forming an insulating film).
[0042]
Then, as shown in FIG. 4E, a roller is pressed against the insulating (before division) substrate 100 to divide it into strips (first division step). At this time, the surface electrode 43 is divided into two in the formation region of the upper surface 104b of the convex portion 104, and the surface electrode 43 extending to the bottom surface 103a forms the electrode 33, while the opposite surface electrode 43 and the upper electrode 44 constitutes an electrode 34.
[0043]
Next, as shown in FIG. 4F, an end electrode 21 of a thin film layer of Ni / Cr is formed on the exposed end face on the substrate side (end face on the substrate side of the chip group divided into strips) by sputtering or the like (fourth). Electrode forming step). Thereafter, a roller is pressed against the chip group divided into strips to divide the chip into respective chip sections (second dividing step). Then, as shown in FIG. 4 (g), electrolytic plating is performed to form a plating electrode 23 on the electrodes 43 (33, 34), 19, 21 (plating step).
[0044]
In this simple process, the electrode 33 formed so as to include the concave portion 12 that is gently opened and surrounded by the convex portions 14 of the both end portions 11a of the insulating substrate 11 and to cover the convex portions 14 is provided. The chip thermistor 30 in which the conductive resistor 35 disposed between the conductors 34 is buried in the recess 12 and covered with the protective film can be manufactured.
[0045]
The tip thermistor 30 has a height of 60 μm (the depth of the concave portion 12), a thickness of 10 μm for the electrodes 33 and 34, and a thickness of 8 to 25 μm for the plating electrode 23. The height from 12a to the upper surface of the plating electrode is set to 78 μm to 95 μm. On the other hand, the electrodes 33 and 34 have a total thickness of 20 μm, the resistor 35 has a thickness of 40 μm, the protective film 37 has a thickness of 30 μm, and the total thickness is 90 μm.
[0046]
Therefore, the chip thermistor 30 can suppress the height of the surface of the protective film 37 to a degree slightly higher than the surface of the plating electrode 23, and the electrodes 33 and 34, the resistor 35, and the protective film The amount of protrusion can be considerably reduced as compared with the case where 37 are stacked.
[0047]
Here, in the above-described manufacturing process, a normal chip thermistor manufacturing process can be employed as it is, except that the concave portion 12 is formed in the substrate 11 and an insulating substrate is prepared. Therefore, it is possible to manufacture a chip thermistor with a reduced protruding height while suppressing an increase in manufacturing cost.
[0048]
Here, in the above-described embodiment, the dividing slit 105 is formed so as to be deeper than the thickness of the convex portion 104 so as to reach the green sheet 101, but it is needless to say that the present invention is not limited to this. . For example, as shown in FIG. 5A, it may be inserted into the upper surface 104 b of the convex portion 104 and the lower surface of the green sheet 101. In this case, the same operation and effect as the above embodiment can be obtained. Further, as shown in FIG. 5B, the slits 105 are inserted into the upper and lower surfaces of the green sheet 101, and thereafter, the convex portions 104 of the convex pattern 102 are formed on the slits 105 on the upper surface. You may. In this case, in addition to the same functions and effects as those of the above-described embodiment, it is possible to prevent the convex portion 104 from being deformed at the time of embossing for inserting the slit 105.
[0049]
In the above-described embodiment, the case where the lattice-shaped convex pattern 102 is formed on the green sheet 101 has been described. However, a ridge-shaped convex pattern in which convex parts are arranged in parallel is formed on the green sheet and divided. It goes without saying that it may be possible to do so. Further, although examples of the chip resistor and the chip thermistor have been described as the chip components, it is needless to say that the gist of the present invention can be similarly applied to other types of chip components.
[0050]
Although one embodiment of the present invention has been described, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that the present invention may be embodied in various forms within the scope of the technical idea.
[0051]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to manufacture an insulating substrate in which gentle concave portions are formed between the convex portions only by screen-printing and firing a convex pattern on a flat green sheet. For this reason, a resistor or the like can be embedded and an electrode connected to the resistor can be manufactured by using a normal process.
[0052]
In general, according to the present invention, it is possible to easily and inexpensively produce a chip component capable of supporting double-sided mounting and a chip component capable of embedding a functional material in a concave portion between electrodes.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A and 1B are views showing a method for manufacturing a chip component according to the present invention, wherein FIGS. 1A and 1B are perspective views, and FIG. 1C is a partially enlarged longitudinal sectional view.
FIGS. 2A to 2F are views showing a manufacturing process of the chip resistor, and FIGS.
FIG. 3A is a partially enlarged longitudinal sectional view showing a step portion according to the present invention, and FIG. 3B is a partially enlarged longitudinal sectional view showing a step portion in a conventional technique.
FIG. 4 is a view showing a manufacturing process of the chip thermistor, and (a) to (g) are longitudinal sectional views.
FIG. 5 is a partially enlarged longitudinal sectional view showing another embodiment of the dividing slit.
[Explanation of symbols]
10 Chip resistance
11 Insulating substrate
11a convex part
12 recess
12a bottom
13, 19, 21, 33, 34, 43, 44 electrodes
14 convex part
15, 35 resistor
17, 37 protective film
23 Plating electrode
30 Chip thermistor
100 Insulating (before split) substrate
101 Green Sheet
101a Peripheral part
102 convex pattern
103 concave part (opening)
104 convex part
105 slit

Claims (7)

セラミックグリーンシートを準備して、各チップ区画に対応した開口部を有する凸状パターンを前記グリーンシート上にスクリーン印刷し、該グリーンシートを焼成して各チップ区画に対応した凸状部と凹状部を有する絶縁性基板を作製し、該絶縁性基板の前記凹状部とその周辺の凸状部に各チップ区画に対応したデバイスのパターンを形成することを特徴とするチップ部品の製造方法。A ceramic green sheet is prepared, a convex pattern having an opening corresponding to each chip section is screen-printed on the green sheet, the green sheet is fired, and a convex section and a concave section corresponding to each chip section. A method for producing a chip component, comprising: producing an insulating substrate having: (i) forming a device pattern corresponding to each chip section on the concave portion and the peripheral convex portion of the insulating substrate; 前記セラミックグリーンシートおよび凸状パターンのそれぞれの材料は、共に同質のセラミック粉末を主成分としたものであることを特徴とする請求項1に記載のチップ部品の製造方法。2. The method of manufacturing a chip component according to claim 1, wherein each material of the ceramic green sheet and the convex pattern is mainly composed of the same ceramic powder. 前記グリーンシートの周縁部を残すように、前記凸状パターンを形成することを特徴とする請求項1に記載のチップ部品の製造方法。The method according to claim 1, wherein the convex pattern is formed so as to leave a peripheral portion of the green sheet. 前記凸状パターンを前記グリーンシート上に格子状に配置したことを特徴とする請求項1に記載のチップ部品の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the convex patterns are arranged in a grid on the green sheet. 前記絶縁性基板を各チップ区画毎に分割する分割溝を、前記グリーンシートの段階で、型押しにより設けることを特徴とする請求項1に記載のチップ部品の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein a dividing groove for dividing the insulating substrate for each chip section is provided by embossing at a stage of the green sheet. 前記凹状部に抵抗体パターンを形成し、前記凸状部に電極パターンを形成し、両面実装が可能なチップ抵抗器を形成することを特徴とする請求項1に記載のチップ部品の製造方法。The method according to claim 1, wherein a resistor pattern is formed in the concave portion, an electrode pattern is formed in the convex portion, and a chip resistor that can be mounted on both sides is formed. 前記凹状部にサーミスタパターンを形成し、前記凸状部にまたがる電極パターンを形成し、チップサーミスタ素子を形成することを特徴とする請求項1に記載のチップ部品の製造方法。The method according to claim 1, wherein a thermistor pattern is formed in the concave portion, an electrode pattern extending over the convex portion is formed, and a chip thermistor element is formed.
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