JP2004317947A - 電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】データ信号に応じてトランジスタに流れる電流の電流レベルのレンジを制御することができる電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】１フレーム毎に画像データＤＡＴＡの平均階調に応じて有機ＥＬ素子の第２の電極の電位を設定する電極電位制御信号ＶＦ及び１フレーム毎の画像データＤＡＴＡを指定するタイミング信号ＶＴを作成する電極電位制御回路１６を設けた。また、前記電極電位制御信号ＶＦ及びタイミング信号ＶＴに基づいて、１フレーム期間毎に、その１フレーム毎の画像データＤＡＴＡから算出された平均階調に応じた電極電位を出力する電極電位駆動回路１７を設けた。そして、前記平均階調が予め設定された所定の階調より低いとき、前記有機ＥＬ素子の第２の電極の電位を低く設定するようにした。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一つに、該有機ＥＬ素子を制御する駆動トランジスタが画素回路毎に形成されたアクティブマトリクス型表示装置がある。
【０００３】
アクティブマトリクス型表示装置は、所望の画像に対応したデータ信号を対応する画素回路に供給する。そして、その供給されたデータ信号に応じて前記駆動トランジスタの導電率を制御することで、対応する各有機ＥＬ素子に流れる駆動電流の電流レベルを制御する。各有機ＥＬ素子は、この駆動電流の電流レベルに応じた輝度で発光し、その表示パネル部に所望の画像が表示されるようになっている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】
国際公開第ＷＯ９８／３６４０７号パンフレット
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記各画素回路には、前記駆動トランジスタを駆動させるための駆動電圧が供給されている。前記駆動電流の電流レベルのレンジは、前記駆動電圧の電圧レベルによって決定される。しかしながら、高い輝度で表示させる場合には、その高い輝度に応じたレベルの駆動電流を供給することができない場合がある。この結果、画像を高いコントラスト比で表示することが困難である。
【０００６】
本発明は上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、データ信号に応じてトランジスタに流れる電流の電流レベルのレンジを制御することができる電子装置の駆動方法、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、複数の電気光学素子と、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記複数のデータ線と前記複数の走査線とが交差する交差部に配置されそれぞれ対応する前記電気光学素子を駆動する複数の画素回路とを備えた電気光学装置の駆動方法において、前記画素回路の全てまたは一部に前記データ線から供給されるデータ信号に基づいて、前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給するバイアス電圧値またはバイアス電流値を変更して供給するようにした。
【０００８】
これによれば、各電気光学素子の発光輝度を画素回路の全てまたは一部に供給されるデータ信号に応じて制御することができる電気光学装置を駆動させることができる。ここで、「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子として、液晶素子、電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子などが挙げられる。
【０００９】
この電気光学装置の駆動方法において、前記画素回路の全てに供給されるデータ信号に基づいて、予め用意されたバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、バイアス電圧値またはバイアス電流値を前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給するようにしてもよい。
【００１０】
これによれば、各電気光学素子の発光輝度を予め用意されたバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータに応じて制御することができる。従って、例えば、電気光学素子に供給されるデータ信号の信号レベルが低いとき、前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給されるバイアス電圧値またはバイアス電流値を低く設定し、また、データ信号の信号レベルが高いとき、前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給されるバイアス電圧値またはバイアス電流値を高く設定するデータを予め用意する。このようにすることで、電気光学装置のコントラストを向上させることができる。
【００１１】
この電気光学装置の駆動方法において、前記走査線毎にその走査線に接続される各画素回路に対してそれぞれ供給されるデータ信号に基づいて、予め用意されたバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、バイアス電圧値またはバイアス電流値を、その走査線に対応する前記電気光学素子または前記画素回路に供給するようにしてもよい。
これによれば、データ信号の信号レベルに応じて走査線に接続された電気光学素子毎にその発光輝度を制御することができる。
【００１２】
この電気光学装置の駆動方法において、前記複数の画素回路の全てに供給されるデータ信号に基づいた第１の値と、前記走査線毎にその走査線に接続される各画素回路に供給されるデータ信号に基づいた第２の値を求め、前記第１の値と前記第２の値に基づいて、予め用意されたバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を、その走査線に対応する前記電気光学素子または前記画素回路に供給するようにしてもよい。
【００１３】
これによれば、各組の画素回路に接続された電気光学素子の発光輝度を、その組の画素回路に供給されるデータ信号の信号レベルと全ての画素回路に供給されるデータ信号の信号レベルとに応じて決定することができる。
【００１４】
この電気光学装置の駆動方法において、前記複数の電気光学素子は、第１の電極と第２の電極とを備え、その第１の電極と第２の電極のいずれか一方に前記バイアス電圧値を供給するようにしてもよい。
これによれば、データ信号に応じた電圧を直接前記第１の電極または前記第２の電極に供給することで、電気光学素子の発光輝度を制御することができる。
【００１５】
この電気光学装置の駆動方法において、前記複数の画素回路の各々は、第１の端子と第２の端子とを備え、その端子間に前記データ信号を蓄積する容量素子を接続し、前記第１の端子と前記第２の端子のいずれか一方に前記バイアス電圧値を供給するようにしてもよい。
【００１６】
これによれば、容量素子の第１の端子または第２の端子にデータ信号に応じた電圧を供給することで、容量素子に保持されるデータ信号の電圧を制御することができる。この結果、前記電気光学素子の発光輝度を制御することができる。
【００１７】
この電気光学装置の駆動方法において、前記電気光学素子は電流駆動素子であってもよい。
これによれば、電流駆動素子の発光輝度をデータ信号に応じて制御することができる。この結果、電流駆動素子を備えた電気光学装置のコントラストを向上させることができる。
【００１８】
この電気光学装置の駆動方法において、前記電流駆動素子はＥＬ素子であってもよい。
これによれば、ＥＬ素子の発光輝度をデータ信号に応じて制御することができる。この結果、ＥＬ素子を備えた電気光学装置のコントラストを向上させることができる。
【００１９】
この電気光学装置の駆動方法において、前記ＥＬ素子は、その発光層が有機材料で構成された有機ＥＬ素子であってもよい。
これによれば、有機ＥＬ素子の発光輝度をデータ信号に応じて制御することができる。この結果、有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置のコントラストを向上させることができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置は、複数の電気光学素子と、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記複数のデータ線と前記複数の走査線とが交差する交差部に配置されそれぞれ対応する前記電気光学素子を駆動する複数の画素回路とを備えた電気光学装置において、前記画素回路の全てまたは一部に前記データ線から供給されるデータ信号に基づいた値を求める演算回路部と、前記演算回路部が演算した値に基づいて前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給するバイアス電圧値またはバイアス電流値を算出するバイアス値演算回路部と、前記バイアス値演算回路部が演算した前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給する供給回路部とを備えた。
【００２１】
これによれば、画素回路の全てまたは一部に供給されるデータ信号の信号レベルに応じて各電気光学素子の発光輝度を制御することができる。従って、例えば、電気光学素子に供給されるデータ信号の信号レベルが低いとき、前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給されるバイアス電圧値またはバイアス電流値を低く設定することができる。また、電気光学素子に供給される画素回路の全てまたは一部に供給されるデータ信号の信号レベルが高いとき、前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給されるバイアス電圧値またはバイアス電流値を高く設定することができる。このようにすることで、この結果、高コントラスト比を備えた電気光学装置を提供することができる。
【００２２】
この電気光学装置において、前記演算回路部は、前記画素回路の全てに供給されるデータ信号に基づいた値を演算し、前記バイアス値演算回路部は、予め用意されたバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、その求めた値に対するバイアス電圧値またはバイアス電流値を演算し、前記供給回路部は、前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給するようにしてもよい。
【００２３】
これによれば、各組の画素回路に接続された電気光学素子の発光輝度を、その組の画素回路に供給されるデータ信号の信号レベルと全ての画素回路に供給されるデータ信号の信号レベルとに応じて決定することができる。
【００２４】
この電気光学装置において、前記演算回路部は、前記走査線毎にその走査線に接続される各画素回路に対してそれぞれ供給されるデータ信号に基づいた値を演算し、前記バイアス値演算回路部は、予め用意された演算値に対するバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、その求めた演算値に対するバイアス電圧値またはバイアス電流値を演算し、前記供給回路部は、前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を前記走査線に対応する前記電気光学素子または前記画素回路に供給するようにしてもよい。
これによれば、データ信号の信号レベルに応じて走査線に接続された電気光学素子毎にその発光輝度を制御することができる。
【００２５】
この電気光学装置において、前記演算回路部は、前記複数の画素回路の全てに供給されるデータ信号に基づいた第１の値と、前記走査線毎にその走査線に接続される各画素回路に供給されるデータ信号に基づいた第２の値を演算し、前記バイアス値演算回路部は、前記第１の値と前記第２の値に基づいて、予め用意された演算値に対するバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、求めた演算値に基づく前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を演算し、前記供給回路部は、前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を前記走査線に対応する前記電気光学素子または前記画素回路に供給するようにしてもよい。
【００２６】
これによれば、各組の画素回路に接続された電気光学素子の発光輝度を、その組の画素回路に供給されるデータ信号の信号レベルと全ての画素回路に供給されるデータ信号の信号レベルとに応じて決定することができる。
【００２７】
この電気光学装置において、前記複数の電気光学素子は、第１の電極と第２の電極とを備え、その第１の電極と第２の電極のいずれか一方に前記バイアス電圧値が供給されるようにしてもよい。
これによれば、データ信号に応じた電圧を直接前記第１の電極または前記第２の電極に供給することで、電気光学素子の発光輝度を制御することができる。
【００２８】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を実装した。ここで「電子機器」とは、複数の素子または回路の組み合わせにより一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定が無いが、例えば、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。
【００２９】
これによれば、データ信号の信号レベルに応じて電気光学素子の発光輝度を制御することで高コントラスト比を備えた電気光学装置を提供することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図５に従って説明する。図１は、有機ＥＬディスプレイの電気的構成を示すブロック図である。図２は、表示パネル部及びデータ線駆動回路の電気的構成を示すブロック回路図である。
【００３１】
図１においては、有機ＥＬディスプレイ１０は、制御回路１１、表示パネル部１２、走査線駆動回路１３、データ線駆動回路１４及びデジタル・アナログ変換回路１５を備えている。また、有機ＥＬディスプレイ１０は、電極電位制御回路１６及び電極電位駆動回路１７を備えている。
【００３２】
有機ＥＬディスプレイ１０の制御回路１１、走査線駆動回路１３、データ線駆動回路１４、デジタル・アナログ変換回路１５、電極電位制御回路１６及び電極電位駆動回路１７は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、制御回路１１、走査線駆動回路１３、データ線駆動回路１４、デジタル・アナログ変換回路１５、電極電位制御回路１６及び電極電位駆動回路１７が、各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。また、制御回路１１、走査線駆動回路１３、データ線駆動回路１４、デジタル・アナログ変換回路１５、電極電位制御回路１６及び電極電位駆動回路１７の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００３３】
制御回路１１は、図示しない外部装置から供給される水平同期信号ＨＳＹＮＣ及び垂直同期信号ＶＳＹＮＣを入力する。制御回路１１は、前記水平同期信号ＨＳＹＮＣに基づいて走査線駆動回路１３に接続された後記する走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…（図２参照）を線順次選択するタイミングを制御する走査線制御信号ＳＫを生成するとともに、その走査線制御信号ＳＫを走査線駆動回路１３に出力する。また、制御回路１１は、前記垂直同期信号ＶＳＹＮＣに基づいてデータ線駆動回路１４に接続された後記するデータ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…（図２参照）を線順次選択するタイミングを制御するデータ線制御信号ＤＫを生成するとともに、そのデータ線制御信号ＤＫをデータ線駆動回路１４に出力する。
【００３４】
表示パネル部１２は、図２に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素回路２０を備えている。また、表示パネル部１２は、そのマトリクス状に配置された各画素回路２０の列方向に沿って延設される複数のデータ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…と、行方向に沿って延設される複数の走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…とを備えている。そして、画素回路２０の各々は、データ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…と走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…の各々が交差する交差部に配置されている。また、各画素回路２０は、その対応するデータ線及び走査線に接続されている。
【００３５】
また、表示パネル部１２は、複数の電源線ＲＬを備えている。各電源線ＲＬは、本実施形態においては、前記走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…に平行して延設されている。そして、各電源線ＲＬは対応する走査線に沿って配置された各画素回路２０に接続されるとともに、前記表示パネル部１２の左端側に配置された画素回路２０の列方向に沿って延設された電源供給線Ｌｏに接続されている。前記電源供給線Ｌｏには定電圧である電源電圧Ｖｃが供給されている。従って、各画素回路２０には共通して電源電圧Ｖｃが供給される。
【００３６】
さらに、表示パネル部１２は、複数の駆動電圧線ＲＱを備えている。各駆動電圧線ＲＱは、本実施形態においては、前記走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…に平行して延設されている。そして、各駆動電圧線ＲＱは対応する走査線に沿って配置された画素回路２０に接続されるとともに、前記表示パネル部１２の右端側に配置された画素回路２０の列方向に沿って延設された駆動電圧供給線Ｌｖに接続されている。前記駆動電圧供給線Ｌｖには駆動電圧Ｖｏｅｌが供給されている。従って、各画素回路２０には共通して前記駆動電圧Ｖｏｅｌが供給される。尚、前記駆動電圧Ｖｏｅｌは一定の電圧レベルを有する定電圧である。
【００３７】
画素回路２０の各々は、図２に示すように、スイッチングトランジスタＱｓｗ、駆動トランジスタＱｄ、保持キャパシタＣｏ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。尚、各画素回路２０の回路構成は全て同じであるので、説明の便宜上、走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…のうちの第１の走査線Ｙ１と、データ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…のうちの第１のデータ線Ｘ１とが交差する交差部に配置された画素回路２０についてのみ説明し、他の画素回路２０についてはその説明を省略する。
【００３８】
スイッチングトランジスタＱｓｗは、そのゲートが第１の走査線Ｙ１に接続されている。スイッチングトランジスタＱｓｗのドレインは、第１のデータ線Ｘ１に接続されている。スイッチングトランジスタＱｓｗのソースには保持キャパシタＣｏの第１の端子Ｅ１が接続されている。保持キャパシタＣｏの第２の端子Ｅ２は前記電源線ＲＬに接続されている。従って、保持キャパシタＣｏの第２の端子Ｅ２には前記電源電圧Ｖｃが供給される。
【００３９】
また、スイッチングトランジスタＱｓｗのソースには、駆動トランジスタＱｄのゲートが接続されている。駆動トランジスタＱｄのドレインは前記駆動電圧線ＲＱに接続されている。従って、駆動トランジスタＱｄのドレインには前記駆動電圧Ｖｏｅｌが供給される。
【００４０】
駆動トランジスタＱｄのソースはその発光層が有機材料で構成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１に接続されている。本実施形態においては、電気光学素子として前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとしたが、これに限定されるものではなく、例えば、液晶素子、電気泳動素子または電子放出素子であってもよい。また、本実施形態における有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２は他の画素回路２０の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２とともに裏面電極ＲＤに接続されている。尚、前記第１の電極Ｕ１は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極であって、前記第２の電極Ｕ２は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極である。このようにすることで、本実施形態における全ての有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極の電位（電極電位Ｖａ）は、共通して同じ値となる。
【００４１】
尚、スイッチングトランジスタＱｓｗ及び駆動トランジスタＱｄの導電型は、本実施形態においては、それぞれｎ型である。また、前記スイッチングトランジスタＱｓｗ及び駆動トランジスタＱｄは、それぞれ、通常はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成されている。
【００４２】
そして、前記のように構成された画素回路２０は、走査線駆動回路１３からスイッチングトランジスタＱｓｗをオン状態にする後記する走査信号ＳＣ１が供給されると、前記スイッチングトランジスタＱｓｗがオン状態になる。その結果、前記第１のデータ線Ｘ１を介して後記するデータ信号ＶＤがその画素回路２０に供給され、前記データ信号ＶＤに応じた電圧が保持キャパシタＣｏに保持される。このとき、前記したように、保持キャパシタＣｏの第２の端子Ｅ２には定電圧である電源電圧Ｖｃが供給されているので、この保持キャパシタＣｏに保持された前記電圧の電圧レベルに応じて駆動トランジスタＱｄのゲート電位が設定される。そして、このゲート電位に応じて駆動トランジスタＱｄのドレイン／ソース間の導電率が制御される。
【００４３】
走査線駆動回路１３は、各画素回路２０のスイッチングトランジスタＱｓｗをオン・オフ制御する走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，…を作成する。また、走査線駆動回路１３は、前記制御回路１１から出力される走査線制御信号ＳＫに基づいて、前記走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，…を対応する走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…を介して所定のタイミングで各画素回路２０に出力する。つまり、走査線駆動回路１３は、前記走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，…を対応する前記走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…を介して線順次出力する。
【００４４】
データ線駆動回路１４は、その内部にシフトレジスタ１４ａと制御用トランジスタＱｘ１，Ｑｘ２，Ｑｘ３，…とを備えている。制御用トランジスタＱｘ１，Ｑｘ２，Ｑｘ３，…は、前記シフトレジスタ１４ａに接続し、該シフトレジスタ１４ａから供給されるレジスタ制御信号ＳＲＣ１，ＳＲＣ２，ＳＲＣ３，…に応じてオン・オフ制御されるトランジスタである。
【００４５】
詳しくは、制御用トランジスタＱｘ１，Ｑｘ２，Ｑｘ３，…のうち、第１の制御用トランジスタＱｘ１は、前記データ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…のうちの第１のデータ線Ｘ１に接続されている。同様に、順次、第２の制御用トランジスタＱｘ２、第３の制御用トランジスタＱｘ３、・・・は、それぞれ、第２のデータ線Ｘ２、第３のデータ線Ｘ３・・・に接続されている。そして、制御用トランジスタＱｘ１，Ｑｘ２，Ｑｘ３，…の各ゲートは、前記シフトレジスタ１４ａに接続されている。前記制御用トランジスタＱｘ１，Ｑｘ２，Ｑｘ３，…の各ゲートには対応するレジスタ制御信号ＳＲＣ１，ＳＲＣ２，ＳＲＣ３，…が供給されるようになっている。レジスタ制御信号ＳＲＣ１，ＳＲＣ２，ＳＲＣ３，…はそれぞれ前記データ線制御信号ＤＫに基づいてＨレベル及びＬレベルを順次出力する信号である。つまり、レジスタ制御信号ＳＲＣ１，ＳＲＣ２，ＳＲＣ３，…は、各制御用トランジスタＱｘ１，Ｑｘ２，Ｑｘ３，…を順次オン・オフ制御する信号である。
【００４６】
また、制御用トランジスタＱｘ１，Ｑｘ２，Ｑｘ３，…の各ドレインには、後記するデータ信号ＶＤが供給されるようになっている。制御用トランジスタＱｘ１，Ｑｘ２，Ｑｘ３，…の各ソースは、前記したように、対応するデータ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…に接続されている。尚、本実施形態においては、各制御用トランジスタＱｘ１，Ｑｘ２，Ｑｘ３，…は、その導電型がｎ型である。
【００４７】
そして、前記シフトレジスタ１４ａがレジスタ制御信号ＳＲＣ１，ＳＲＣ２，ＳＲＣ３，…を作成し、出力する。その結果、前記制御用トランジスタＱｘ１，Ｑｘ２，Ｑｘ３，…が順次オン・オフ状態に制御されることで、データ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…が線順次的に選択される。そして、前記データ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…を介して対応する画素回路２０にデータ信号ＶＤが順次供給されることとなる。
【００４８】
デジタル・アナログ変換回路１５は、図１に示すように、図示しない画像データ生成回路から供給されるデジタル信号である画像データＤＡＴＡをアナログ信号であるデータ信号ＶＤに変換する。このデータ信号ＶＤは、前記制御用トランジスタＱｘ１，Ｑｘ２，Ｑｘ３，…を介して対応する画素回路２０に形成された前記駆動トランジスタＱｄのゲート電圧を決定する電圧信号である。また、前記画像データＤＡＴＡは、各画素回路２０に形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度を決定する電圧信号であるデジタルデータである。そして、デジタル・アナログ変換回路１５は、そのデータ信号ＶＤを前記データ線駆動回路１４に出力する。
【００４９】
電極電位制御回路１６は、フレームメモリ回路１６ａ、演算部１６ｂ及び記憶部１６ｃを備えている。フレームメモリ回路１６ａは、前記画像データ生成回路から供給される画像データＤＡＴＡを１フレーム毎に記憶する。
【００５０】
演算部１６ｂは、本実施形態においては、前記フレームメモリ回路１６ａに記憶された画像データＤＡＴＡに基づいて、第１の値としてその画像データＤＡＴＡの１フレーム分の平均値を算出する。つまり、演算部１６ｂは、前記各駆動トランジスタＱｄのゲート電圧を決定する電圧レベルの１フレーム分の平均値を算出する。即ち、演算部１６ｂは、１フレーム分の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度の平均値（平均階調）を算出する。
【００５１】
記憶部１６ｃには、予め所定の電極電位データが記憶されている。電極電位データは、前記演算部１６ｂにて算出された画像データＤＡＴＡの平均値に対する前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２に供給する電位（電極電位Ｖａ）を設定するためのデータである。図３は、１フレーム分の画像データＤＡＴＡの平均値、つまり、１フレーム分の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度の平均値（平均階調ＡｖＤ）に対する前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２に供給する電位（電極電位Ｖａ）との関係を示す図である。演算部１６ｂは、記憶部１６ｃに記憶された図３に示す関係に基づいて平均階調ＡｖＤに対する電極電位Ｖａを求める。本実施形態では、図３に示すように、平均階調ＡｖＤが所定の基準階調値（本実施形態では階調値「１２５」）より低いときは電極電位Ｖａを高くし、平均階調ＡｖＤが所定の前記基準階調値より高いときは電極電位Ｖａを低くなるようにしている。例えば、平均階調ＡｖＤが基準階調値「１２５」より高い「２００」である場合、第２の電極Ｕ２の電位（電極電位Ｖａ）は、０［Ｖ］から−１．０５［Ｖ］となる。
【００５２】
そして、電極電位制御回路１６は、その演算部１６ｂにて算出された１フレーム分の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの輝度の平均値（平均階調ＡｖＤ）に対する電極電位Ｖａを設定するための電極電位制御信号ＶＦを作成する。つまり、電極電位制御信号ＶＦは、平均階調ＡｖＤに基づいて電極電位Ｖａを設定するための制御信号である。そして、電極電位制御回路１６は、その作成した電極電位制御信号ＶＦを電極電位駆動回路１７に出力する。また、電極電位制御回路１６は、その１フレーム毎の画像データＤＡＴＡを指定するタイミング信号ＶＴを作成し、その作成したタイミング信号ＶＴを電極電位駆動回路１７に出力する。
【００５３】
電極電位駆動回路１７は、前記したように、前記裏面電極ＲＤを介して各画素回路２０に形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２に共通して接続されている。電極電位駆動回路１７は、前記電極電位制御信号ＶＦに基づいて前記平均階調ＡｖＤに対する電極電位Ｖａを生成する。そして、その生成した電極電位Ｖａを前記裏面電極ＲＤを介して全ての有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２に供給する。
【００５４】
また、電極電位駆動回路１７は、前記タイミング信号ＶＴに応じた期間で前記電極電位Ｖａを出力する。つまり、本実施形態における電極電位駆動回路１７は、１フレーム期間毎に、その１フレーム毎の画像データＤＡＴＡから算出された平均階調ＡｖＤに応じた電極電位Ｖａを出力する。このことによって、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位は、その１フレーム期間内で前記平均階調ＡｖＤに応じた電極電位Ｖａに設定される。
【００５５】
そして、電極電位駆動回路１７は、本実施形態においては、前記画像データＤＡＴＡから算出された平均階調ＡｖＤが前記基準階調値より低いとき高く設定する電極電位Ｖａを裏面電極ＲＤに出力する。従って、前記平均階調ＡｖＤが前記基準階調値より低いときは、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差をより小さくすることができる。つまり、平均階調ＡｖＤが前記基準階調より低いときは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２間に流れる駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジを小さくすることができる。この結果、平均階調ＡｖＤが前記基準階調より低いときは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをより低い輝度で発光させることができる。
【００５６】
また、電極電位駆動回路１７は、本実施形態においては、画像データＤＡＴＡから算出された平均階調ＡｖＤが前記基準階調値より高いとき低く設定する電極電位Ｖａを裏面電極ＲＤに出力する。従って、前記平均階調ＡｖＤが基準階調値より高いときは、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差をより大きくすることができる。つまり、平均階調ＡｖＤが前記基準階調より高いときは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２間に流れる駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジを大きくすることができる。この結果、平均階調ＡｖＤが前記基準階調より高いときは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをより高い輝度で発光させることができる。
【００５７】
このようにして、前記画像データＤＡＴＡの１フレーム毎の平均階調ＡｖＤに応じて各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２間に流れる駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジを制御することができる。
【００５８】
例えば、図３に示すように、画像データＤＡＴＡの平均階調ＡｖＤが「２００」である場合、電極電位駆動回路１７は、電極電位Ｖａを−１．０５［Ｖ］にする。図４（ａ）は電極電位Ｖａを０［Ｖ］にした場合の前記第１の電極Ｕ１と前記第２の電極Ｕ２との間の電位差を示す図である。また、図４（ｂ）は電極電位Ｖａを平均階調ＡｖＤに応じて制御した場合の前記第１の電極Ｕ１と前記第２の電極Ｕ２との間の電位差を示す図である。
【００５９】
図４（ｂ）に示すように、例えば、データ信号ＶＤ＝７［Ｖ］であるとき、その第２の電極Ｕ２の電位を−１．０５［Ｖ］にすることで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差を７．１０５［Ｖ］にすることができる。この結果、電極電位Ｖａを−１．０５［Ｖ］に低く設定した分だけ各駆動電流Ｉｅｌの電流レベルが大きくなる。従って、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがその分だけ高い輝度で発光させることができる。
【００６０】
つまり、本実施形態では、前記画像データＤＡＴＡから算出された平均階調ＡｖＤが予め設定された所定の基準階調値より低いときは、駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジを低くすることで、表示パネル部１２に表示される１フレームの画像を平均的により暗く表示させることができる。また、前記画像データＤＡＴＡから算出された平均階調ＡｖＤが予め設定された所定の階調より高いときは、駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジを高くすることで、表示パネル部１２に表示される１フレームの画像を平均的により明るく表示させることができる。
【００６１】
尚、特許請求の範囲に記載された電子素子または電気光学素子及び電気光学装置は、それぞれ、本実施形態においては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及び有機ＥＬディスプレイ１０に対応している。また、特許請求の範囲に記載された供給回路部、バイアス値演算回路部及び平均値演算手段は、それぞれ、本実施形態においては、電極電位駆動回路１７、演算部１６ｂに対応している。さらに、特許請求の範囲に記載された容量素子及びデータ信号は、それぞれ、本実施形態においては、保持キャパシタＣｏ及び画像データに対応している。また、特許請求の範囲に記載されたバイアス電圧値またはバイアス電流値は、本実施形態においては、電極電位Ｖａに対応している。さらに、特許請求の範囲に記載された演算値は、本実施形態においては、平均階調ＡｖＤに対応している。
【００６２】
次に、前記のように構成された有機ＥＬディスプレイ１０の駆動方法について図５に従って説明する。図５は本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【００６３】
まず、前記画像データ生成回路から画像データＤＡＴＡがデジタル・アナログ変換回路１５及び電極電位制御回路１６に入力される（ステップＳ−１−１）。すると、デジタル・アナログ変換回路１５にて画像データＤＡＴＡがデータ信号ＶＤに変換され、そのデータ信号ＶＤがデータ線駆動回路１４に供給される。また、電極電位制御回路１６は、入力された前記画像データＤＡＴＡの平均階調ＡｖＤを１フレーム毎に算出する（ステップＳ−１−２）。
【００６４】
続いて、その算出された平均階調ＡｖＤから電極電位Ｖａを指定する電極電位制御信号ＶＦを電極電位駆動回路１７に出力する。また、電極電位制御回路１６は、その１フレーム毎の画像データＤＡＴＡを指定するタイミング信号ＶＴを作成し、その作成したタイミング信号ＶＴを電極電位駆動回路１７に出力する（ステップＳ−１−３）。
【００６５】
また、前記制御回路１１から走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４にそれぞれ走査線制御信号ＳＫ及びデータ線制御信号ＤＫが供給される。走査線駆動回路１３は、前記走査線制御信号ＳＫに基づいて、走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，…を出力することで、走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…を線順次選択する。また、データ線駆動回路１４は、データ線制御信号ＤＫに基づいて、レジスタ制御信号ＳＲＣ１，ＳＲＣ２，ＳＲＣ３，…出力することで、前記データ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…を線順次選択する。そして、データ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…を介してデータ信号ＶＤを順次対応する画素回路２０に出力する。
【００６６】
そして、電極電位制御回路１６は、前記電極電位駆動回路１７から供給される電極電位制御信号ＶＦ及びタイミング信号ＶＴに基づいて、１フレーム毎に電極電位Ｖａを前記裏面電極ＲＤを介して全ての有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２に供給する（ステップＳ−１−４）。
【００６７】
このようにすることで、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位が画像データＤＡＴＡに応じた電極電位Ｖａに設定される。そして、走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，…に応じて画素回路２０内のスイッチングトランジスタＱｓｗがオン状態になることで、保持キャパシタＣｏにデータ信号ＶＤの電圧レベルに応じた電圧が保持されて駆動トランジスタＱｄのゲート電圧が制御させる。この結果、データ信号ＶＤの電圧レベルに応じた電圧に応じた駆動電流Ｉｅｌが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｄ１に供給される。
【００６８】
このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位は、電極電位Ｖａに設定されている。このことから、前記駆動電流Ｉｅｌの電流レベルは、前記電極電位Ｖａに応じて制御されることとなる。つまり、画像データＤＡＴＡに応じて各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２間の電位差を制御することで駆動電流Ｉｅｌの電流レベルを制御することができる。この結果、画像データＤＡＴＡに応じて各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度を制御することができる。その後、前記したことを１フレーム毎に順次行うことで所望の画像を表示パネル部１２上に表示させることができる。
【００６９】
以上のことから、前記画像データＤＡＴＡに応じた画像を各フレーム毎で制御することで高いコントラスト比で表示することができる。
前記実施形態の有機ＥＬディスプレイによれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）上記実施形態では、１フレーム毎に画像データＤＡＴＡの平均階調ＡｖＤに応じて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電極電位Ｖａを指定する電極電位制御信号ＶＦを生成する電極電位制御回路１６を設けた。そして、前記電極電位制御信号ＶＦに基づいて、１フレーム期間毎に、その１フレーム毎の平均階調ＡｖＤに応じた電極電位Ｖａを出力する電極電位駆動回路１７を設けた。
【００７０】
さらに、このとき、電極電位Ｖａは、前記平均階調ＡｖＤが予め設定された基準階調値より低いとき、前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２を低く設定するようにした。このようにすることで、前記平均階調ＡｖＤが予め設定された基準階調値より低いとき、駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジを低くすることができる。この結果、表示パネル部１２に表示される１フレームの画像を平均的により暗く表示させることができる。
【００７１】
また、電極電位Ｖａは、前記平均階調ＡｖＤが予め設定された基準階調値より高いとき、前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２をより高い設定するようにした。このようにすることで、前記平均階調ＡｖＤが予め設定された所定の階調より高いとき、駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジが高くすることができる。この結果、表示パネル部１２に表示される１フレームの画像を平均的に明るく表示させることができる。従って、各フレーム毎のコントラスト比を向上させることができる。
【００７２】
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図６〜図９に従って説明する。この第２実施形態においては、前記第１実施形態と同じ構成部材についてはその符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
【００７３】
図６は、本実施形態の表示パネル部１２の電気的構成を示すブロック図である。図６に示すように、本実施形態における有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２には第１実施形態の裏面電極ＲＤが設けられてなく、電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…はそれぞれ各走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…に平行して表示パネル部１２上にストライプ状に設けられている。
【００７４】
各電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…は、それぞれ、行方向に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの各第２の電極Ｕ２が接続されている。また、電極電位制御線は、各々、電極電位駆動回路１７に独立して接続されている。
【００７５】
本実施形態における電極電位制御回路１６に設けられた記憶部１６ｃには、予め有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位を設定する行毎の電極電位データが記憶されている。
【００７６】
また、本実施形態における電極電位制御回路１６に設けられた演算部１６ｂは、そのフレームメモリ回路１６ａに記憶された１フレーム分の画像データＤＡＴＡから第２の値としての１行毎の画像データＤＡＴＡの平均階調ＡｖＤｎ（ｎ＝１，２，３，…）を算出する。そして、電極電位制御回路１６はその記憶部１６ｃに記憶された１行毎の電極電位データに基づいて、１行分の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位を設定する電極電位制御信号ＶＦｎ（ｎ＝１，２，３，…）を作成し、その作成した電極電位制御信号ＶＦｎを出力する。また、電極電位制御回路１６は、その１行毎の画像データＤＡＴＡを指定するタイミング信号ＶＴｎ（ｎ＝１，２，３，…）を作成し、その作成したタイミング信号ＶＴｎを電極電位駆動回路１７に出力する。
【００７７】
そして、本実施形態における電極電位駆動回路１７は、前記電極電位制御信号ＶＦｎに基づいて１行分の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位を設定する電極電位Ｖａｎ（ｎ＝１，２，３，…）を生成する。そして、電極電位駆動回路１７は、前記タイミング信号ＶＴに応じた期間で前記電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…を線順次選択して、前記電極電位Ｖａｎを出力する。この結果、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位は、行毎の電極電位データに基づいた電極電位Ｖａｎに設定される。
【００７８】
例えば、電極電位駆動回路１７は、前記画像データＤＡＴＡから算出された１行毎の平均階調ＡｖＤｎが予め記憶された１行毎の基準階調より低いときは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位をより高く設定する電極電位Ｖａを出力する。電極電位駆動回路１７は、前記画像データＤＡＴＡから算出された１行毎の平均階調ＡｖＤｎが予め記憶された行毎の基準階調より高いときは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位をより低く設定する電極電位Ｖａｎを出力する。
【００７９】
このようにすることで、前記画像データＤＡＴＡから算出された行毎の平均階調ＡｖＤｎが前記基準階調より低いときは、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差を行毎で小さくすることができる。従って、前記平均階調ＡｖＤｎが前記基準階調より低いときは、１行毎で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをより低い輝度で発光させることができる。また、前記画像データＤＡＴＡから算出された平均階調ＡｖＤｎが前記基準階調より高いときは、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差を１行毎で大きくすることができる。このことから、平均階調ＡｖＤが前記基準階調より高いときは、１行毎で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをより高い輝度で発光させることができる。
【００８０】
つまり、前記画像データＤＡＴＡの行毎の平均階調ＡｖＤｎに応じて各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２間に流れる駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジを行毎に制御することができる。
【００８１】
例えば、図７に示すように、画像データＤＡＴＡの所定の行の平均階調ＡｖＤｎが「２２５」である場合、電極電位駆動回路１７は、その対応する電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…を介して、対応する行の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電極電位Ｖａｎを−２．０［Ｖ］にする。
【００８２】
図８（ａ）は電極電位Ｖａを０［Ｖ］にした場合の前記第１の電極Ｕ１と前記第２の電極Ｕ２との間の電位差を示す図である。また、図８（ｂ）は電極電位Ｖａを平均階調ＡｖＤに応じて行毎に制御した場合の前記第１の電極Ｕ１と前記第２の電極Ｕ２との間の電位差を示す図である。
【００８３】
図８（ｂ）に示すように、例えば、データ信号ＶＤ＝７［Ｖ］であるとき、その第２の電極Ｕ２の電位を−２．０［Ｖ］にすることで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差を９．００［Ｖ］にすることができる。この結果、電極電位Ｖａｎを−２．０［Ｖ］に低く設定した分だけ各駆動電流Ｉｅｌの電流レベルが大きくなる。従って、その行の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがその分だけ高い輝度で発光することができる。
【００８４】
続いて、画像データＤＡＴＡの次の行の平均階調ＡｖＤｎが「１５０」である場合、電極電位駆動回路１７は、その対応する電極電位制御線を介して、対応する行の電極電位Ｖａｎを−０．０５［Ｖ］にする。すると、図８（ａ），（ｂ）に示すように、電極電位Ｖａを０［Ｖ］にした場合と比べて、その対応する行の第２の電極Ｕ２の電位を−０．０５［Ｖ］にすることができる。つまり、データ信号ＶＤ＝２［Ｖ］であるとき、その第２の電極Ｕ２の電位を−０．０５［Ｖ］にすることで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差を２．０５［Ｖ］にすることができる。
【００８５】
この結果、対応する行の画素回路２０内に流れる駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジが、前記画像データＤＡＴＡに基づいた場合と比べて−０．０５［Ｖ］の分だけ高くなる。その結果、その対応する行の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは画像データＤＡＴＡに基づいた場合より前記−０．０５［Ｖ］の分だけ高い輝度で発光することとなる。
【００８６】
このようにすることで、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位を行毎に画像データＤＡＴＡに応じて所望の電位に設定することができる。
つまり、本実施形態では、前記行毎の平均階調ＡｖＤｎが予め設定された対応する行毎の基準階調より低いときは、駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジを低くすることで、その行の画像が平均的により暗く表示させることができる。また、前記行毎の平均階調ＡｖＤｎが予め設定された対応する行毎の基準階調より高いときは、駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジを高くすることで、その行の画像が平均的により明るく表示させることができる。
【００８７】
次に、前記のように構成された有機ＥＬディスプレイ１０の駆動方法について図９に従って説明する。図９は本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【００８８】
まず、前記画像データ生成回路から画像データＤＡＴＡがデジタル・アナログ変換回路１５及び電極電位制御回路１６に入力される（ステップＳ−２−１）。すると、デジタル・アナログ変換回路１５にて画像データＤＡＴＡがデータ信号ＶＤに変換され、そのデータ信号ＶＤがデータ線駆動回路１４に供給される。また、電極電位制御回路１６は、入力された前記画像データＤＡＴＡから行毎の平均階調ＡｖＤｎを算出する（ステップＳ−２−２）。
【００８９】
続いて、その算出された行毎の平均階調ＡｖＤｎから対応する行の電極電位Ｖａｎを指定する電極電位制御信号ＶＦｎを電極電位駆動回路１７に出力する。また、電極電位制御回路１６は、その行毎の画像データＤＡＴＡを指定するタイミング信号ＶＴｎを作成し、その作成したタイミング信号ＶＴｎを電極電位駆動回路１７に出力する（ステップＳ−２−３）。
【００９０】
また、前記制御回路１１から走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４にそれぞれ走査線制御信号ＳＫ及びデータ線制御信号ＤＫを供給する。走査線駆動回路１３は、走査線制御信号ＳＫに基づいて、走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，…を出力することで、前記走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…を線順次選択する。また、データ線駆動回路１４は、データ線制御信号ＤＫに基づいて、レジスタ制御信号ＳＲＣ１，ＳＲＣ２，ＳＲＣ３，…を出力することで、前記データ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…を線順次選択する。そして、データ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…を介してデータ信号ＶＤを順次対応する画素回路２０に供給する。
【００９１】
そして、電極電位制御回路１６は、前記電極電位駆動回路１７から供給される電極電位制御信号ＶＦ及びタイミング信号ＶＴｎに基づいて、１行毎の電極電位Ｖａを前記電極電位制御線を介して対応する行の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２に供給する（ステップＳ−２−４）。
【００９２】
このようにすることで、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位を行毎に画像データＤＡＴＡに応じて所望の電位に設定することができる。そして、走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，…に応じて画素回路２０内のスイッチングトランジスタＱｓｗがオン状態になることで、駆動トランジスタＱｄのゲート電圧が制御させる。この結果、駆動電流Ｉｅｌが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｄ１に供給される。
【００９３】
このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位は、電極電位Ｖａｎに設定されている。このことから、前記駆動電流Ｉｅｌの電流レベルは、前記電極電位Ｖａｎに応じて制御されることとなる。つまり、画像データＤＡＴＡに応じて各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２間の電位差を行毎に制御することで駆動電流Ｉｅｌの電流レベルを制御することができる。この結果、画像データＤＡＴＡに応じて各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度を制御することができる。
【００９４】
以上のことから、前記画像データＤＡＴＡに応じた画像を行毎で制御することで高いコントラスト比で表示することができる。
（第３実施形態）
次に、本発明を具体化した第３実施形態を図１０〜図１２に従って説明する。この第３実施形態においては、前記第１及び第２実施形態と同じ構成部材についてはその符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
【００９５】
本実施形態における有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２には前記第２実施形態の同様に、前記第１実施形態における裏面電極ＲＤが設けられてなく、電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…が設けられている。そして、その電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…は各走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…に平行して表示パネル部１２上にストライプ状に設けられている。
【００９６】
各電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…は、それぞれ行方向に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの各第２の電極Ｕ２が接続されている。また、電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…は各々、電極電位駆動回路１７に独立して接続されている。
【００９７】
本実施形態における電極電位制御回路１６に設けられた演算部１６ｂは、そのフレームメモリ回路１６ａに記憶された１フレーム分の画像データＤＡＴＡから、第１の値としてその画像データＤＡＴＡの１フレーム分の平均階調ＡｖＤを算出する。そして、その算出された１フレーム分の平均階調ＡｖＤを記憶部１６ｃに出力する。
【００９８】
また、本実施形態における演算部１６ｂは、前記フレームメモリ回路１６ａに記憶された１フレーム分の画像データＤＡＴＡから第２の値として行毎の画像データＤＡＴＡの平均階調ＡｖＤｎ（ｎ＝１，２，３，…）を算出する。そして、その算出された行毎の画像データＤＡＴＡの平均階調ＡｖＤｎを記憶部１６ｃに出力する。
【００９９】
本実施形態における記憶部１６ｃには、１フレーム分の平均階調ＡｖＤに対応する電極電位Ｖａを０［Ｖ］とした電極電位制御信号ＶＦが作成される電極電位データが予め記憶されている。つまり、記憶部１６ｃには、１フレーム分の平均階調ＡｖＤを基準階調値とし、その基準階調値と行毎の平均階調ＡｖＤｎとの差分に応じて前記第２の電極Ｕ２の電位を指定する電極電位制御信号ＶＦを作成する電極電位データが記憶されている。
【０１００】
そして、電極電位制御回路１６は、前記行毎の画像データＤＡＴＡの平均階調ＡｖＤｎからフレーム毎の画像データＤＡＴＡの平均階調ＡｖＤを差し引いた値（＝ＡｖＤｎ−ＡｖＤ）を算出する。そして、電極電位制御回路１６は、前記記憶部１６ｃに記憶された前記電極電位データに従って、その値（＝ＡｖＤｎ−ＡｖＤ）に対応した電極電位Ｖａｎ（ｎ＝１，２，３，…）を算出する。
【０１０１】
また、電極電位制御回路１６は、その行毎の画像データＤＡＴＡを指定するタイミング信号ＶＴｎ（ｎ＝１，２，３，…）を作成し、その作成したタイミング信号ＶＴｎを電極電位駆動回路１７に出力する。
【０１０２】
図１０は、１フレーム分の平均階調ＡｖＤと行毎の平均階調ＡｖＤｎとの差分値（＝ＡｖＤ−ＡｖＤｎ）と、前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位（電極電位Ｖａ）との関係を示す図である。図１０に示すように、本実施形態における電極電位データは、前記行についての平均階調ＡｖＤｎが１フレームの平均階調ＡｖＤより低いときは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位をより高く設定するデータである。また、前記行についての平均階調ＡｖＤｎが１フレームの平均階調ＡｖＤより高いときは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位をより低く設定するデータである。
【０１０３】
本実施形態における電極電位駆動回路１７は、前記電極電位制御信号ＶＦｎに基づいて行毎の電極電位Ｖａｎを作成する。そして、電極電位駆動回路１７は、前記タイミング信号ＶＴｎに応じた期間、つまり、対応する行を選択している期間で前記電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…を線順次選択して、前記電極電位Ｖａｎを出力する。この結果、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位は電極電位Ｖａｎに設定される。
【０１０４】
例えば、電極電位駆動回路１７は、前記行についての平均階調ＡｖＤｎが１フレームの平均階調ＡｖＤより低いときは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位をより高く設定する電極電位Ｖａｎを出力する。また、電極電位駆動回路１７は、前記行についての平均階調ＡｖＤｎが１フレームの平均階調ＡｖＤより高いときは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２の電位をより低く設定する電極電位Ｖａｎを出力する。
【０１０５】
このようにすることで、前記行についての平均階調ＡｖＤｎが、その１フレーム期間の平均階調ＡｖＤより低いときは、その行の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差を小さくすることができる。従って、前記平均階調ＡｖＤｎが前記１フレーム期間の平均階調ＡｖＤより低いときは、その行の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをより低い輝度で発光させることができる。
【０１０６】
また、前記行について平均階調ＡｖＤｎが、その１フレーム期間の平均階調ＡｖＤより高いときは、その行の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差を大きくすることができる。このことから、１フレーム期間の平均階調ＡｖＤよりその行の平均階調ＡｖＤが高いときは、その行の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤをより高い輝度で発光させることができる。
【０１０７】
図１１（ａ）は電極電位Ｖａを０［Ｖ］にした場合の前記第１の電極Ｕ１と前記第２の電極Ｕ２との間の電位差を示す図である。図１１（ｂ）は電極電位Ｖａを１フレーム毎の平均階調ＡｖＤと行毎の平均階調ＡｖＤｎとの差分に応じて制御した場合の前記第１の電極Ｕ１と前記第２の電極Ｕ２との間の電位差を示す図である。
【０１０８】
図１１（ａ），（ｂ）に示すように、画像データＤＡＴＡの所定の行の平均階調ＡｖＤｎが予め算出された１フレームの平均階調ＡｖＤより「２２５」だけ高い場合、電極電位駆動回路１７は、その対応する電極電位制御線を介して、対応する行の電極電位Ｖａを−３．３［Ｖ］にする。すると、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、前記画像データＤＡＴＡに基づいた場合と比べて、その対応する行の第２の電極Ｕ２の電位が−３．３［Ｖ］だけ低くなる。この結果、対応する行の画素回路２０内に流れる駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジが高くなる。従って、前記画像データＤＡＴＡに基づいた場合と比べて、電極電位Ｖａを−３．３［Ｖ］に低く設定された分だけ各駆動電流Ｉｅｌの電流レベルが大きくなる。その結果、その行の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがその分だけ高い輝度で発光することができる。
【０１０９】
続いて、次の行に対応する画像データＤＡＴＡの平均階調ＡｖＤｎが前記１フレームの平均階調ＡｖＤより１５０だけ高い場合、電極電位駆動回路１７は、その対応する電極電位制御線を介して、対応する行の電極電位Ｖａを−１．５［Ｖ］にする。すると、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、前記画像データＤＡＴＡに基づいた場合と比べて、その対応する行の第２の電極Ｕ２の電位が−１．５［Ｖ］になる。この結果、対応する行の画素回路２０内に流れる駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジが、前記画像データＤＡＴＡに基づいた場合と比べて−１．５［Ｖ］の分だけ高くなる。その結果、その対応する行の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは画像データＤＡＴＡに基づいた場合より前記−１．５［Ｖ］の分だけ高い輝度で発光することとなる。
【０１１０】
つまり、本実施形態では、前記画像データＤＡＴＡから算出された行毎の平均階調ＡｖＤｎが予め設定された対応する行毎の基準階調より低いときは、駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジが低くなることで、その行の画像が平均的により暗く表示させることができる。また、前記画像データＤＡＴＡから算出された行毎の平均階調ＡｖＤｎが予め設定された対応する行毎の基準階調より高いとき、駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジが高くなることで、その行の画像が平均的により明るく表示させることができる。
【０１１１】
次に、前記のように構成された有機ＥＬディスプレイ１０の駆動方法について図１２に従って説明する。図１２は本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【０１１２】
まず、前記画像データ生成回路から画像データＤＡＴＡがデジタル・アナログ変換回路１５及び電極電位制御回路１６に入力される（ステップＳ−３−１）。すると、デジタル・アナログ変換回路１５にて画像データＤＡＴＡがデータ信号ＶＤに変換され、そのデータ信号ＶＤがデータ線駆動回路１４に供給される。また、電極電位制御回路１６は、入力された前記画像データＤＡＴＡから１フレーム毎の平均階調ＡｖＤを算出する（ステップＳ−３−２）。
【０１１３】
続いて、電極電位制御回路１６は、入力された前記画像データＤＡＴＡから行毎の平均階調ＡｖＤｎを算出する（ステップＳ−３−３）。そして、電極電位制御回路１６は、前記１フレーム毎の平均階調ＡｖＤと行毎の平均階調ＡｖＤｎとの差分値を算出し、その差分値に対応した電極電位Ｖａｎを指定する電極電位制御信号ＶＦｎを電極電位駆動回路１７に出力する（ステップＳ−３−４）。
【０１１４】
また、電極電位制御回路１６は、その行毎の画像データＤＡＴＡを指定するタイミング信号ＶＴｎを作成し、その作成したタイミング信号ＶＴｎを電極電位駆動回路１７に出力する。
【０１１５】
また、このとき、前記制御回路１１から走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４にそれぞれ走査線制御信号ＳＫ及びデータ線制御信号ＤＫを供給する。このことによって、走査線駆動回路１３は、走査線制御信号ＳＫに基づいて、走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，…を出力することで、前記走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…を線順次選択する。また、データ線駆動回路１４は、データ線制御信号ＤＫに基づいて、レジスタ制御信号ＳＲＣ１，ＳＲＣ２，ＳＲＣ３，…出力することで、前記データ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…を線順次選択する。そして、データ線Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，…を介してデータ信号ＶＤを順次対応する画素回路２０に供給する。
【０１１６】
また、電極電位制御回路１６は、前記電極電位駆動回路１７から供給される電極電位制御信号ＶＦｎ及びタイミング信号ＶＴｎに基づいて、１行毎の電極電位Ｖａｎを前記電極電位制御線を介して対応する行の各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２に供給する（ステップＳ−３−５）。
【０１１７】
このようにすることで、１フレーム期間の平均階調ＡｖＤに基づいて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２間に流れる駆動電流Ｉｅｌの電流レベルのレンジを行毎に制御することができる。
【０１１８】
そして、全ての走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…を線順次選択し終えたと判断するまで前記したことを１フレーム毎に順次行う。また、全ての走査線Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…を線順次選択し終えたと判断した場合、前記画像データ生成回路から次の１フレーム分の画像データＤＡＴＡがデジタル・アナログ変換回路１５及び電極電位制御回路１６に入力される（ステップＳ−３−６）。その後、前記したことを順次行うことで所望の画像を表示パネル部１２上に表示させることができる。
【０１１９】
以上のことから、予め所定の電極電位データを記憶させることなく、１フレーム毎の画像データＤＡＴＡに応じた画像を各行毎で制御することで高いコントラスト比で表示することができる。
【０１２０】
（第４実施形態）
次に、第１〜３実施形態で説明した電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ１０の電子機器の適用について図１３に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１０は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【０１２１】
図１３は、モバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図を示す。図１２において、パーソナルコンピュータ７０は、キーボード７１を備えた本体部７２と、前記有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット７３とを備えている。この場合においても、有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット７３のコントラストを向上させることができる。
【０１２２】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記第１〜第３実施形態では、第１の値として画像データの１フレーム分の平均値を使用したが、これに限定されるものではなく、例えば、複数のフレームに応じた画像データの平均値を第１の値として使用するようにしてもよい。
【０１２３】
また同様に、上記第２及び第３実施形態では、第２の値として表示パネル部１２上の１行毎の画像データＤＡＴＡの平均値を使用したが、これに限定されるものではなく、例えば、複数の行に応じた画像データの平均値を第２の値として使用するようにしてもよい。
【０１２４】
○上記第２及び第３実施形態では、表示パネル部１２上に各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２に接続する電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…を行方向に沿って形成した。そして、電極電位駆動回路１７から出力される電極電位Ｖａが前記電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…を介して各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２に供給されることで行毎の第２の電極Ｕ２の電位を電極電位Ｖａに設定するようにした。また、各保持キャパシタＣｏの第２の端子Ｅ２に電源電圧Ｖｃを供給するようにした。
【０１２５】
これを、前記電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…を形成せず、表示パネル部１２上に共通電極（裏面電極）を形成し、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２を前記共通電極（裏面電極）に接続する。そして、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２を全て等電位にする。また、各保持キャパシタＣｏの第２の端子Ｅ２に電源電圧Ｖｃを供給しないようにする。この状態で、前記電極電位駆動回路１７を対応する電源線ＲＬを介して表示パネル部１２の行方向に沿って配置された各画素回路２０の保持キャパシタＣｏの第２の端子Ｅ２に接続する。
【０１２６】
このようにすることで、保持キャパシタＣｏの第２の端子Ｅ２の電位を画像データＤＡＴＡに応じて行毎に設定する。従って、保持キャパシタＣｏに保持されるデータ信号ＶＤを画像データＤＡＴＡに応じて制御することができる。この結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差を画像データＤＡＴＡに応じて制御することができるので、画像データＤＡＴＡに応じてその駆動電流の電流レベルのレンジを行毎に制御することができる。このようにすることによって、上記第２及び第３実施形態と同様な効果を得ることができる。
【０１２７】
○上記第２及び第３実施形態では、表示パネル部１２上に各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２に接続する電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…を行方向に沿って形成した。そして、電極電位駆動回路１７から出力される電極電位Ｖａが前記電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…を介して各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２に供給されることで行毎の第２の電極Ｕ２の電位を電極電位Ｖａに設定するようにした。また、各駆動トランジスタＱｄのドレインに駆動電圧Ｖｏｅｌを供給するようにした。
【０１２８】
これを、前記電極電位制御線ＲＤ１，ＲＤ２，ＲＤ３，…を形成せず、表示パネル部１２上に共通電極（裏面電極）を形成し、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２を前記共通電極（裏面電極）に接続する。そして、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第２の電極Ｕ２を全て等電位にする。また、各駆動トランジスタＱｄのドレインに駆動電圧Ｖｏｅｌを供給しないようにする。この状態で、前記駆動電圧線ＲＱを前記電極電位駆動回路１７に延設して接続する。そして、対応する駆動電圧線ＲＱを介して表示パネル部１２の行方向に沿って配置された各画素回路２０の駆動トランジスタＱｄのドレインに接続する。
【０１２９】
このようにすることで、各駆動トランジスタＱｄのドレインの電位を画像データＤＡＴＡに応じて行毎に設定する。従って、駆動トランジスタＱｄのドレインに供給される駆動電圧を画像データＤＡＴＡに応じて制御することができる。この結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差を画像データＤＡＴＡに応じて制御することができるので、画像データＤＡＴＡに応じてその駆動電流の電流レベルのレンジを行毎に制御することができる。このようにすることによって、上記第２及び第３実施形態と同様な効果を得ることができる。
【０１３０】
○上記第１〜第３実施形態では、１色からなる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素回路２０を設けた有機ＥＬディスプレイ１０であったが、赤色、緑色及び青色の３色の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して各色用の画素回路２０を設けたＥＬディスプレイに応用しても良い。
【０１３１】
○上記実施形態では、画素回路２０に具体化して好適な効果を得たが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ以外の例えばＬＥＤやＦＥＤ等の発光素子のような電流駆動素子またはその発光層が無機材料で構成された無機ＥＬ素子を駆動する単位回路に具体化してもよい。また、ＲＡＭ等（特にＭＲＡＭ）の記憶装置に具体化してもよい。
【０１３２】
○上記実施形態では、電流駆動素子として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについて具体化したが、無機ＥＬ素子に具体化してもよい。つまり、無機ＥＬ素子からなる無機ＥＬディスプレイに応用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機ＥＬディスプレイの電気的構成を示すブロック図である。
【図２】表示パネル部及びデータ線駆動回路の電気的構成を示すブロック回路図である。
【図３】第１実施形態における電極電位データに基づいて演算部によって算出された平均階調と電極電位との関係を示す図である。
【図４】（ａ）は電極電位を０［Ｖ］にした場合の第１の電極と第２の電極との間の電位差を示す図である。（ｂ）は電極電位を平均階調に応じて制御した場合の第１の電極と第２の電極との間の電位差を示す図である。
【図５】第１実施形態の有機ＥＬディスプレイの駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】第２実施形態における表示パネル部の電気的構成を示すブロック回路図である。
【図７】第２実施形態における電極電位データに基づいて演算部によって算出された平均階調と電極電位との関係を示す図である。
【図８】（ａ）は電極電位を０［Ｖ］にした場合の第１の電極と第２の電極との間の電位差を示す図である。（ｂ）は電極電位を平均階調に応じて行毎に制御した場合の第１の電極Ｕ１と第２の電極Ｕ２との間の電位差を示す図である。
【図９】第２実施形態の有機ＥＬディスプレイの駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】第３実施形態における電極電位データに基づいて演算部によって算出された平均階調と電極電位との関係を示す図である。
【図１１】（ａ）は、電極電位を０［Ｖ］にした場合の第１の電極と第２の電極との間の電位差を示す図である。（ｂ）は、電極電位を１フレーム毎の平均階調と行毎の平均階調との差分に応じて制御した場合の第１の電極と第２の電極との間の電位差を示す図である。
【図１２】第３実施形態の有機ＥＬディスプレイの駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図１３】第４実施形態を説明するためのモバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
ＡｖＤ…演算値としての平均階調、Ｕａ…第１の電極、Ｕｂ…第２の電極、ＯＬＥＤ…電気光学素子としての有機ＥＬ素子、２０…画素回路、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３…データ線、１０…電子装置または電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ、１６…電極電位制御回路、１６ａ…フレームメモリ回路、１６ｂ…バイアス値演算回路及び演算回路部としての演算部、１６ｃ…第２の記憶手段としての記憶部、１７…供給回路部としての電極電位駆動回路、Ｃｏ…容量素子としての保持キャパシタ、Ｅ１…第１の端子、Ｅ２…第２の端子、Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，…走査線、ＤＡＴＡ…データ信号としての画像データ、７０…電子機器としてのモバイル型パーソナルコンピュータ。

Claims (14)

1. 複数の電気光学素子と、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記複数のデータ線と前記複数の走査線とが交差する交差部に配置されそれぞれ対応する前記電気光学素子を駆動する複数の画素回路とを備えた電気光学装置の駆動方法において、
   前記画素回路の全てまたは一部に前記データ線から供給されるデータ信号に基づいて、前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給するバイアス電圧値またはバイアス電流値を変更して供給するようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
2. 請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法において、
   前記画素回路の全てに供給されるデータ信号に基づいて、予め用意されたバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、バイアス電圧値またはバイアス電流値を前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給するようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
3. 請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法において、
   前記走査線毎にその走査線に接続される各画素回路に対してそれぞれ供給されるデータ信号に基づいて、予め用意されたバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、バイアス電圧値またはバイアス電流値を、その走査線に対応する前記電気光学素子または前記画素回路に供給するようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
4. 請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法において、
   前記複数の画素回路の全てに供給されるデータ信号に基づいた第１の値と、前記走査線毎にその走査線に接続される各画素回路に供給されるデータ信号に基づいた第２の値を求め、前記第１の値と前記第２の値に基づいて、予め用意されたバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を、その走査線に対応する前記電気光学素子または前記画素回路に供給するようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一つに記載の電気光学装置の駆動方法において、
   前記複数の電気光学素子は、第１の電極と第２の電極とを備え、その第１の電極と第２の電極のいずれか一方に前記バイアス電圧値を供給するようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
6. 請求項１乃至４のいずれか一つに記載の電気光学装置の駆動方法において、
   前記複数の画素回路の各々は、第１の端子と第２の端子とを備え、その端子間に前記データ信号を蓄積する容量素子を接続し、
   前記第１の端子と前記第２の端子のいずれか一方に前記バイアス電圧値を供給するようにしたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一つに記載の電気光学装置の駆動方法において、
   前記電気光学素子は電流駆動素子であることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
8. 請求項７に記載の電気光学装置の駆動方法において、
   前記電流駆動素子はＥＬ素子であることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
9. 請求項８に記載の電気光学装置の駆動方法において、
   前記ＥＬ素子は、その発光層が有機材料で構成された有機ＥＬ素子であることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
10. 複数の電気光学素子と、複数のデータ線と、複数の走査線と、前記複数のデータ線と前記複数の走査線とが交差する交差部に配置されそれぞれ対応する前記電気光学素子を駆動する複数の画素回路と
    を備えた電気光学装置において、
    前記画素回路の全てまたは一部に前記データ線から供給されるデータ信号に基づいた値を求める演算回路部と、
    前記演算回路部が演算した値に基づいて前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給するバイアス電圧値またはバイアス電流値を算出するバイアス値演算回路部と、
    前記バイアス値演算回路部が演算した前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給する供給回路部と
    を備えたことを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１０に記載の電気光学装置において、
    前記演算回路部は、前記画素回路の全てに供給されるデータ信号に基づいた値を演算し、
    前記バイアス値演算回路部は、予め用意されたバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、その求めた値に対するバイアス電圧値またはバイアス電流値を演算し、
    前記供給回路部は、前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を前記各電気光学素子または前記各画素回路に供給するようにしたことを特徴とする電気光学装置。
12. 請求項１０に記載の電気光学装置において、
    前記演算回路部は、前記走査線毎にその走査線に接続される各画素回路に対してそれぞれ供給されるデータ信号に基づいた値を演算し、
    前記バイアス値演算回路部は、予め用意された演算値に対するバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、その求めた演算値に対するバイアス電圧値またはバイアス電流値を演算し、
    前記供給回路部は、前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を前記走査線に対応する前記電気光学素子または前記画素回路に供給するようにしたことを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１０に記載の電気光学装置において、
    前記演算回路部は、前記複数の画素回路の全てに供給されるデータ信号に基づいた第１の値と、前記走査線毎にその走査線に接続される各画素回路に供給されるデータ信号に基づいた第２の値を演算し、
    前記バイアス値演算回路部は、前記第１の値と前記第２の値に基づいて、予め用意された演算値に対するバイアス電圧値またはバイアス電流値のデータから、求めた演算値に基づく前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を演算し、前記供給回路部は、前記バイアス電圧値または前記バイアス電流値を前記走査線に対応する前記電気光学素子または前記画素回路に供給するようにしたことを特徴とする電気光学装置。
14. 請求項１０乃至１３のいずれか一つに記載の電気光学装置を実装したことを特徴する電子機器。

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