JP2004317194A - 圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイヤフラムの変位量が少ない場合であっても、圧力を確実に検出することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム５には複数の支柱８が立設されており、それらの支柱８がコア６を囲繞している。支柱８には検出コイル９が巻装されている。コア６に巻装された励磁コイル７に励磁信号を出力すると、コア６に交流磁界が発生して検出コイル９に鎖交する。ダイヤフラム５に圧力が印加して湾曲すると、支柱８が拡開し、検出コイル９に鎖交する交流磁界が増大する。これにより、検出コイル９から出力され交流信号のピークレベルが変化するので、そのピークレベルに基づいて印加圧力を検出することができる。
【選択図】 図４
【解決手段】ダイヤフラム５には複数の支柱８が立設されており、それらの支柱８がコア６を囲繞している。支柱８には検出コイル９が巻装されている。コア６に巻装された励磁コイル７に励磁信号を出力すると、コア６に交流磁界が発生して検出コイル９に鎖交する。ダイヤフラム５に圧力が印加して湾曲すると、支柱８が拡開し、検出コイル９に鎖交する交流磁界が増大する。これにより、検出コイル９から出力され交流信号のピークレベルが変化するので、そのピークレベルに基づいて印加圧力を検出することができる。
【選択図】 図４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インダクタンス型の圧力センサに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
ダイヤフラムの変位に応じて印加圧力をインダクタンス方式で検出する構成として、ダイヤフラムの変位により可動コアを変位させ、その可動コアの変位を検出コイルで検出するものが提供されている。
【０００３】
しかしながら、このような構成では、コイル中に、一本の可動コアを変動させることで検出コイルに誘導起電力を発生させているが、可動コアの変位量が大きくなければ、誘導起電力の発生量が少なくなってしまうため、ダイヤフラムの変位量が少ない場合には、検出が難しいという問題がある。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダイヤフラムの変位量が少ない場合であっても、圧力を確実に検出することができる圧力センサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明によれば、外部から圧力が印加すると、ダイヤフラムが変位し、それに伴ってダイヤフラムに立設された支柱が拡開するので、支柱に巻装された検出コイルのコイル径が変化する。この場合、ダイヤフラムの僅かな変位であっても、検出コイルのコイル径は大きく変化するので、外部からの小さな印加圧力を検出することができる。
請求項２の発明によれば、ダイヤフラムの変位に伴って検出コイルのコイル径を円滑に大きく変化させることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態を図１ないし図４に基づいて説明する。
図１は圧力センサの構造を模式的に示している。この図１において、圧力センサ１のケース２は、円盤状の支持基盤３の外周に円柱状の支持カバー４を装着し、その上面にダイヤフラム５を装着して構成されており、ケース２内に気密な密閉空間が形成されている。
【０００７】
支持基盤３には透磁率の大きなコア６が立設されており、そのコア６に励磁コイル７が巻装されている。この励磁コイル７の両端は図示しない圧力測定装置に接続されており、圧力測定装置から供給される高周波の励磁信号に応じて交流磁界を発生するようになっている。
【０００８】
ダイヤフラム５の図示下面には複数の支柱８が立設されており、それらの支柱８がコア６を離間状態で囲繞している。これらの支柱８には検出コイル９が巻装されており、この検出コイル９の両端が外部に導出されて図示しない圧力測定装置に接続されている。この検出コイル９の巻線は伸縮性を有しており、支柱８の拡開に応じてそのコイル径が増大可能に形成されている。このように、支柱８の拡開に応じてコイル径を増大可能とするには、支柱８間に巻装された巻線の一部を図２に示すようにスプリング部１０としたり、図３に示すようにジグザグ部１１としたりすることにより実施することができる。
【０００９】
図示しない圧力測定装置は、圧力センサの励磁コイル７に高周波の励磁信号を出力すると共に、その出力状態で検出コイル９からの高周波信号のピークレベルに基づいてダイヤフラム５に作用する印加圧力を検出する。
【００１０】
次に上記構成の作用について説明する。
図示しない圧力測定装置から圧力センサ１に励磁信号を出力すると、圧力センサ１の励磁コイル７から交流磁界がコア６を中心として発生し、支柱８に巻装された検出コイル９に鎖交するようになる。これにより、励磁コイル７には交流磁界の大きさに応じた誘導起電力が発生するようになるので、検出コイル９からは交流信号が出力されるようになる。この交流信号のピークレベルは、検出コイル９に発生した誘導起電力の大きさ、つまり検出コイル９のインダクタンスの大きさに比例している。この場合、ダイヤフラム５に圧力が印加していない状態で検出コイル９から出力される交流信号のピークレベルが印加圧力の零に相当する。
【００１１】
さて、ダイヤフラム５に圧力が印加すると、図４に示すようにダイヤフラム５が湾曲し、それに伴ってダイヤフラム５に立設された支柱８の先端（図示下端）が拡開するようになる。このとき、支柱８間に巻装された検出コイル９の巻線は伸張性を有しているので、支柱８の拡開に伴って巻線が伸張するようになる。これにより、検出コイル９のコイル径が実質的に大きくなるので、励磁コイル７により発生した交流磁界において検出コイル９に鎖交する交流磁界が増大するようになる。このことは、検出コイル９のインダクタンスが増大することを意味しており、検出コイル９から出力される交流信号のピークレベルが増大するようになるので、圧力測定装置は、検出コイル９から出力される交流信号のピークレベルに基づいてダイヤフラム５に作用する印加圧力を測定することができる。この場合、励磁コイル７からは交流磁界が発生しているので、ダイヤフラム５に作用する印加圧力が一定であっても、印加圧力を確実に検出することができる。
【００１２】
このような実施の形態によれば、ダイヤフラム５に圧力が作用して変位したときは、ダイヤフラム５に立設された支柱８が拡開して支柱８に巻装された検出コイル９のコイル径ひいては検出コイル９のインダクタンスを増大するようにしたので、ダイヤフラム５の小さな変位であっても、支柱８を大きく拡開させることにより検出コイル９のインダクタンスを容易に高めることができる。従って、ダイヤフラムの変位に応じて可動コイルを変位させることにより、検出コイルのインダクタンスを変化させる従来例のものと違って、圧力センサ１の検出感度を高めることができる。
【００１３】
しかも、検出コイル９をダイヤフラム５に立設された支柱８に巻装するようにしたので、支柱８の長さを長くすることにより、検出コイル９のコイル径を容易に拡大することができ、検出感度を容易に高めることができる。
また、インダクタンス方式であるので、相対的な変化量を検出する構成となり、温度変化による影響を抑制することができる。
【００１４】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施の形態を図５及び図６を参照して説明するに、第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。この第２の実施の形態は、圧力センサに、加速度センサの機能を付加したことを特徴とする。
【００１５】
図５において、ダイヤフラム５の図示下面外周部においてダイヤフラム５の中心を対象として対向する部位には歪ゲージ２１が形成されている。この歪ゲージ２１はダイヤフラム５の表面にピエゾ抵抗膜を周知の膜形成手段で形成してなり、それらの出力が図示しない加速度測定装置に出力される。
【００１６】
さて、圧力センサ１に図中に矢印で示すような加速度が印加すると、ダイヤフラム５に立設された支柱８には検出コイル９が巻装されていることから、その検出コイル９が荷重となり、図６に示すようにダイヤフラム５が歪むようになる。これにより、一方の歪ゲージ２１が伸張するのに対して、他方の歪ゲージ２１は縮小するので、それらの抵抗の変動を検出することによりダイヤフラム５に作用する印加加速度を測定することができる。
【００１７】
このような実施の形態によれば、圧力を受けるためのダイヤフラム５に歪ゲージ２１を形成し、その歪ゲージ２１によりダイヤフラム５に作用する印加加速度を測定するようにしたので、簡単な構成で圧力センサ１に加速度センサの機能を付加することができる。この場合、圧力センサ１の検出コイル９が荷重となるので、特別な荷重を設ける必要がなく、簡単な構成で実施することができる。
【００１８】
本発明は、上記各実施の形態に限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
図７に示すように支柱８に小形の滑車３１を設ける共に、検出コイル９に遊び部３２を設け、検出コイル９のコイル巻線を滑車３１で滑らせることにより支柱８の拡開に応じて検出コイル９のコイル径を増大させるようにしてもよい。
励磁コイル７を支柱８に巻装し、検出コイル９をコア６に巻装するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における全体の縦断面を示す模式図
【図２】伸張自在な構成を示す検出コイルの模式図
【図３】異なる構成を示す図２相当図
【図４】圧力の印加状態で示す図１相当図
【図５】本発明の第２の実施の形態を示す図１相当図
【図６】加速度の印加状態で示す図５相当図
【図７】本発明の変形例を示す図１相当図
【符号の説明】
１は圧力センサ、５はダイヤフラム、７は励磁コイル、８は支柱、９は検出コイル、２１は歪ゲージである。
【発明の属する技術分野】
本発明は、インダクタンス型の圧力センサに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
ダイヤフラムの変位に応じて印加圧力をインダクタンス方式で検出する構成として、ダイヤフラムの変位により可動コアを変位させ、その可動コアの変位を検出コイルで検出するものが提供されている。
【０００３】
しかしながら、このような構成では、コイル中に、一本の可動コアを変動させることで検出コイルに誘導起電力を発生させているが、可動コアの変位量が大きくなければ、誘導起電力の発生量が少なくなってしまうため、ダイヤフラムの変位量が少ない場合には、検出が難しいという問題がある。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ダイヤフラムの変位量が少ない場合であっても、圧力を確実に検出することができる圧力センサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明によれば、外部から圧力が印加すると、ダイヤフラムが変位し、それに伴ってダイヤフラムに立設された支柱が拡開するので、支柱に巻装された検出コイルのコイル径が変化する。この場合、ダイヤフラムの僅かな変位であっても、検出コイルのコイル径は大きく変化するので、外部からの小さな印加圧力を検出することができる。
請求項２の発明によれば、ダイヤフラムの変位に伴って検出コイルのコイル径を円滑に大きく変化させることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態を図１ないし図４に基づいて説明する。
図１は圧力センサの構造を模式的に示している。この図１において、圧力センサ１のケース２は、円盤状の支持基盤３の外周に円柱状の支持カバー４を装着し、その上面にダイヤフラム５を装着して構成されており、ケース２内に気密な密閉空間が形成されている。
【０００７】
支持基盤３には透磁率の大きなコア６が立設されており、そのコア６に励磁コイル７が巻装されている。この励磁コイル７の両端は図示しない圧力測定装置に接続されており、圧力測定装置から供給される高周波の励磁信号に応じて交流磁界を発生するようになっている。
【０００８】
ダイヤフラム５の図示下面には複数の支柱８が立設されており、それらの支柱８がコア６を離間状態で囲繞している。これらの支柱８には検出コイル９が巻装されており、この検出コイル９の両端が外部に導出されて図示しない圧力測定装置に接続されている。この検出コイル９の巻線は伸縮性を有しており、支柱８の拡開に応じてそのコイル径が増大可能に形成されている。このように、支柱８の拡開に応じてコイル径を増大可能とするには、支柱８間に巻装された巻線の一部を図２に示すようにスプリング部１０としたり、図３に示すようにジグザグ部１１としたりすることにより実施することができる。
【０００９】
図示しない圧力測定装置は、圧力センサの励磁コイル７に高周波の励磁信号を出力すると共に、その出力状態で検出コイル９からの高周波信号のピークレベルに基づいてダイヤフラム５に作用する印加圧力を検出する。
【００１０】
次に上記構成の作用について説明する。
図示しない圧力測定装置から圧力センサ１に励磁信号を出力すると、圧力センサ１の励磁コイル７から交流磁界がコア６を中心として発生し、支柱８に巻装された検出コイル９に鎖交するようになる。これにより、励磁コイル７には交流磁界の大きさに応じた誘導起電力が発生するようになるので、検出コイル９からは交流信号が出力されるようになる。この交流信号のピークレベルは、検出コイル９に発生した誘導起電力の大きさ、つまり検出コイル９のインダクタンスの大きさに比例している。この場合、ダイヤフラム５に圧力が印加していない状態で検出コイル９から出力される交流信号のピークレベルが印加圧力の零に相当する。
【００１１】
さて、ダイヤフラム５に圧力が印加すると、図４に示すようにダイヤフラム５が湾曲し、それに伴ってダイヤフラム５に立設された支柱８の先端（図示下端）が拡開するようになる。このとき、支柱８間に巻装された検出コイル９の巻線は伸張性を有しているので、支柱８の拡開に伴って巻線が伸張するようになる。これにより、検出コイル９のコイル径が実質的に大きくなるので、励磁コイル７により発生した交流磁界において検出コイル９に鎖交する交流磁界が増大するようになる。このことは、検出コイル９のインダクタンスが増大することを意味しており、検出コイル９から出力される交流信号のピークレベルが増大するようになるので、圧力測定装置は、検出コイル９から出力される交流信号のピークレベルに基づいてダイヤフラム５に作用する印加圧力を測定することができる。この場合、励磁コイル７からは交流磁界が発生しているので、ダイヤフラム５に作用する印加圧力が一定であっても、印加圧力を確実に検出することができる。
【００１２】
このような実施の形態によれば、ダイヤフラム５に圧力が作用して変位したときは、ダイヤフラム５に立設された支柱８が拡開して支柱８に巻装された検出コイル９のコイル径ひいては検出コイル９のインダクタンスを増大するようにしたので、ダイヤフラム５の小さな変位であっても、支柱８を大きく拡開させることにより検出コイル９のインダクタンスを容易に高めることができる。従って、ダイヤフラムの変位に応じて可動コイルを変位させることにより、検出コイルのインダクタンスを変化させる従来例のものと違って、圧力センサ１の検出感度を高めることができる。
【００１３】
しかも、検出コイル９をダイヤフラム５に立設された支柱８に巻装するようにしたので、支柱８の長さを長くすることにより、検出コイル９のコイル径を容易に拡大することができ、検出感度を容易に高めることができる。
また、インダクタンス方式であるので、相対的な変化量を検出する構成となり、温度変化による影響を抑制することができる。
【００１４】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施の形態を図５及び図６を参照して説明するに、第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。この第２の実施の形態は、圧力センサに、加速度センサの機能を付加したことを特徴とする。
【００１５】
図５において、ダイヤフラム５の図示下面外周部においてダイヤフラム５の中心を対象として対向する部位には歪ゲージ２１が形成されている。この歪ゲージ２１はダイヤフラム５の表面にピエゾ抵抗膜を周知の膜形成手段で形成してなり、それらの出力が図示しない加速度測定装置に出力される。
【００１６】
さて、圧力センサ１に図中に矢印で示すような加速度が印加すると、ダイヤフラム５に立設された支柱８には検出コイル９が巻装されていることから、その検出コイル９が荷重となり、図６に示すようにダイヤフラム５が歪むようになる。これにより、一方の歪ゲージ２１が伸張するのに対して、他方の歪ゲージ２１は縮小するので、それらの抵抗の変動を検出することによりダイヤフラム５に作用する印加加速度を測定することができる。
【００１７】
このような実施の形態によれば、圧力を受けるためのダイヤフラム５に歪ゲージ２１を形成し、その歪ゲージ２１によりダイヤフラム５に作用する印加加速度を測定するようにしたので、簡単な構成で圧力センサ１に加速度センサの機能を付加することができる。この場合、圧力センサ１の検出コイル９が荷重となるので、特別な荷重を設ける必要がなく、簡単な構成で実施することができる。
【００１８】
本発明は、上記各実施の形態に限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
図７に示すように支柱８に小形の滑車３１を設ける共に、検出コイル９に遊び部３２を設け、検出コイル９のコイル巻線を滑車３１で滑らせることにより支柱８の拡開に応じて検出コイル９のコイル径を増大させるようにしてもよい。
励磁コイル７を支柱８に巻装し、検出コイル９をコア６に巻装するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における全体の縦断面を示す模式図
【図２】伸張自在な構成を示す検出コイルの模式図
【図３】異なる構成を示す図２相当図
【図４】圧力の印加状態で示す図１相当図
【図５】本発明の第２の実施の形態を示す図１相当図
【図６】加速度の印加状態で示す図５相当図
【図７】本発明の変形例を示す図１相当図
【符号の説明】
１は圧力センサ、５はダイヤフラム、７は励磁コイル、８は支柱、９は検出コイル、２１は歪ゲージである。
Claims (2)
- 外部からの印加圧力に応じて変位するダイヤフラムと、
このダイヤフラムに立設された複数の支柱と、
この支柱に巻装された検出コイルと、
この検出コイルに交流磁界を鎖交させる励磁コイルとを備えたことを特徴とする圧力センサ。 - 前記検出コイルは、前記支柱に巻線を伸縮自在に巻装して構成されていることを特徴とする請求項１記載の圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003109015A JP4069789B2 (ja) | 2003-04-14 | 2003-04-14 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003109015A JP4069789B2 (ja) | 2003-04-14 | 2003-04-14 | 圧力センサ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004317194A true JP2004317194A (ja) | 2004-11-11 |
| JP2004317194A5 JP2004317194A5 (ja) | 2007-12-27 |
| JP4069789B2 JP4069789B2 (ja) | 2008-04-02 |
Family
ID=33470314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003109015A Expired - Fee Related JP4069789B2 (ja) | 2003-04-14 | 2003-04-14 | 圧力センサ |
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|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200065847A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | (주)파트론 | 터치 판정 제어 장치 |
| KR20200097570A (ko) * | 2019-02-08 | 2020-08-19 | (주)파트론 | 터치센서 모듈 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102127986B1 (ko) * | 2018-06-22 | 2020-06-29 | (주)파트론 | 터치센서 모듈 |
-
2003
- 2003-04-14 JP JP2003109015A patent/JP4069789B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200065847A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | (주)파트론 | 터치 판정 제어 장치 |
| KR102180134B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-11-17 | (주)파트론 | 터치 판정 제어 장치 |
| KR20200097570A (ko) * | 2019-02-08 | 2020-08-19 | (주)파트론 | 터치센서 모듈 |
| KR102264330B1 (ko) * | 2019-02-08 | 2021-06-14 | (주)파트론 | 터치센서 모듈 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4069789B2 (ja) | 2008-04-02 |
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