CN210741516U - 谐振式传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种谐振式传感器，包括谐振元件(1)、激励线圈(2)、敏感体(5)、壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)、占位圆柱(11)以及感测件(14)；谐振元件(1)输出力和位移并作用于敏感体(5)，敏感体(5)输出第一检测信号；感测件(14)感测到外界物理量的变化使得谐振元件(1)的固有频率发生变化时，谐振元件(14)输出的力和位移发生变化，敏感体输出第二检测信号，从而实现不同物理量的检测。本实用新型创新性地使用智能材料作为谐振元件和敏感体，将被测量直接转化为敏感体的输出，提高了传感器的灵敏度、结构紧凑度和传感精度。

Description

谐振式传感器

技术领域

本实用新型涉及检测传感器技术领域，具体地，涉及一种谐振式传感器。

背景技术

谐振式传感器通过被测量调制谐振元件的谐振频率、幅值或者相位进行测量。谐振式传感器具有大的动态范围，很高的灵敏度、重复性和很小的滞后。利用谐振式传感器进行精密传感成为一个很有潜力的领域。

专利文献CN208902313U公开了一种谐振式压力传感器，包括硅晶圆，薄膜部分，谐振部分，谐振部分固定点，背孔，盖帽，吸气剂层，支撑硅层，埋层氧化层，顶层硅薄膜，多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜；SOI晶圆是由顶层硅薄膜、埋层氧化层和支撑硅层组成；以硅晶圆或是SOI晶圆作为衬底，形成谐振式压力传感器的薄膜部分，或者在SOI晶圆衬底上由顶层硅薄膜和多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜，形成谐振式压力传感器的薄膜部分。一种谐振式压力传感器的制作工艺，谐振部分是通过淀积外延/多晶硅层实现的，衬底通过刻蚀工艺形成流体进入到薄膜的通道-谐振式压力传感器的背孔。但该谐振式传感器加工复杂、成本高。

专利文献CN105203234B公开了一种谐振式压力传感器。该包括：传感器本体，在该传感器本体的底部形成压力敏感膜；在该压力敏感膜上形成有两谐振器-第一谐振器和第二谐振器，其中，该两谐振器具有相同的固有频率，且两者对作用于压力敏感膜上的压力P的灵敏度大小相等，第一谐振器位于压力敏感膜的中央位置，第二敏感膜位于压力敏感膜的边缘位置，但该设计检测量单一。

实用新型内容

针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种谐振式传感器。

根据本实用新型提供的一种谐振式传感器，包括谐振元件1、激励线圈2、敏感体5、壳体7、前端盖8、后端盖10、占位圆柱11以及感测件14；

所述壳体7、前端盖8、后端盖10围成容纳空间16；

谐振元件1、敏感体5、感测件14依次设置在容纳空间16中，感测件14延伸至前端盖8的外侧；

占位圆柱11设置在容纳空间16中并设置在谐振元件1的外侧；

激励线圈2缠绕在谐振元件1上；

谐振元件1和敏感体5为同一元件或不同元件。

优选地，还包括导磁后盖9、永磁体13、碟簧15；

导磁后盖9设置在谐振元件1与后端盖10之间；

导磁后盖9分别与谐振元件1与后端盖10接触连接；

永磁体13设置在谐振元件1和占位圆柱11之间并设置在导磁后盖9上；

碟簧15设置在前端盖8和感测件14之间；

碟簧15的两端分别与前端盖8和感测件14紧固连接。

优选地，还包括感测体4和球形外壳12；

感测体4与感测件14紧固连接；

感测体4和球形外壳12共同围成球形；

壳体7、前端盖8、后端盖10设置在感测体4和球形外壳12的内部。

优选地，还包括传导件6，传导件6设置在占位圆柱11和感测件14之间并与敏感体5间隙连接。

优选地，还包括感测体4和球形外壳12；

感测体4与感测件14紧固连接；

感测体4和球形外壳12共同围成球形；

壳体7、前端盖8、后端盖10设置在感测体4和球形外壳12的内部。

优选地，还包括感应线圈3。

优选地，还包括导磁后盖9、永磁体13、碟簧15；

导磁后盖9设置在谐振元件1与后端盖10之间；

导磁后盖9分别与谐振元件1与后端盖10接触连接；

永磁体13设置在谐振元件1和占位圆柱11之间并设置在导磁后盖9上；

碟簧15设置在前端盖8和感测件14之间；

碟簧15的两端分别与前端盖8和感测件14紧固连接。

根据本实用新型提供的一种谐振式传感器，包括谐振元件1、感应线圈3、敏感体5、壳体7、前端盖8、后端盖10、占位圆柱11以及感测件14；

所述壳体7、前端盖8、后端盖10围成容纳空间16；

谐振元件1、敏感体5、感测件14依次设置在容纳空间16中，感测件14延伸至前端盖8的外侧；

占位圆柱11设置在容纳空间16中并设置在谐振元件1的外侧；

感应线圈3缠绕在敏感体5上；

谐振元件1和敏感体5为同一元件或不同元件。

优选地，还包括导磁后盖9；

导磁后盖9设置在谐振元件1与后端盖10之间；

导磁后盖9分别与谐振元件1与后端盖10接触连接。

优选地，还包括感测体4和球形外壳12；

感测体4与感测件14紧固连接；

感测体4和球形外壳12共同围成球形；

壳体7、前端盖8、后端盖10设置在感测体4和球形外壳12的内部。

与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：

1、将被测量的物理量直接转化为敏感体的输出，降低了加工难度和成本。

2、能够实现多种物理量的测量。

3、提高了传感器的灵敏度、结构紧凑度和传感精度。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为设置有激励线圈的谐振式传感器的结构示意图；

图2为设置有激励线圈、永磁体、碟簧的谐振式传感器的结构示意图；

图3为设置有激励线圈、永磁体、碟簧的谐振式传感器且安装球形外壳的结构示意图；

图4为设置有感应线圈的谐振式传感器的结构示意图；

图5为设置有感应线圈、导磁后盖的谐振式传感器的结构示意图；

图6为设置有感应线圈、导磁后盖的谐振式传感器且安装球形外壳的结构示意图；

图7设置有激励线圈、传导件的谐振式传感器的结构示意图；

图8设置有激励线圈、传导件、导磁后盖的谐振式传感器的结构示意图；

图9设置有激励线圈、传导件、导磁后盖的谐振式传感器且安装球形外壳的结构示意图；

图10设置有激励线圈、感应线圈的谐振式传感器的结构示意图；

图11设置有激励线圈、感应线圈、导磁后盖的谐振式传感器的结构示意图；

图12设置有激励线圈、感应线圈、导磁后盖的谐振式传感器且安装球形外壳结构示意图；

图13设置有激励线圈、传导件的谐振式传感器且通激励电流的结构示意图；

图14设置有激励线圈、传导件、碟簧的谐振式传感器的结构示意图；

图15设置有激励线圈、传导件、碟簧的谐振式传感器且安装球形外壳的结构示意图；

图16设置有敏感体的谐振式传感器的结构示意图；

图17设置有敏感体、导磁后盖、感测件的谐振式传感器的结构示意图；

图18设置有敏感体、导磁后盖、感测件的谐振式传感器且安装球形外壳的结构示意图。

图中示出：

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本实用新型的保护范围。

根据本实用新型提供的一种谐振式传感器，包括谐振元件1、激励线圈2、敏感体5、壳体7、前端盖8、后端盖10、占位圆柱11以及感测件14；壳体7、前端盖 8、后端盖10围成容纳空间16；谐振元件1、敏感体5、感测件14依次设置在容纳空间16中，感测件14延伸至前端盖8的外侧；占位圆柱11设置在容纳空间16中并包围在谐振元件1的外侧；激励线圈2设置在谐振元件1上，谐振元件1和敏感体5为同一元件或不同元件。当激励线圈2输入Ie时，谐振元件1输出力和位移作用于敏感体5，敏感体5输出第一检测信号；当感测件14接触被测物体时驱使谐振元件1输出不同的力和位移作用于敏感体5，此时敏感体5输出第二检测信号。

实施例一：

谐振元件1为磁致伸缩材料的谐振元件，敏感体5为压电材料的谐振元件，如图1所示，给激励线圈2通激励电流Ie，谐振元件1在激励线圈2的作用下产生高频振动，振动频率为其固有频率，振动力作用在压电材料5上使其产生感应电压V；当感测件14接触到外界介质，感测件14受到外界介质的作用，驱使谐振元件1的固有频率变化，此时，敏感体5的感应电压V发生变化，通过获得的不同的感应电压V从而实现介质物理量的检测。

实施例二：

实施例二为实施例一的变化例，如图2所示，包括谐振元件1、激励线圈2、敏感体5、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11、永磁体13、感测件14以及碟簧15，其中，导磁后盖9设置在谐振元件1与后端盖10之间，并与谐振元件1与后端盖10接触连接，永磁体13设置在谐振元件1和占位圆柱11之间并设置在导磁后盖9上，碟簧15设置在前端盖8和感测件14之间，碟簧15的两端分别与前端盖8和感测件14紧固连接；永磁体13以及碟簧15分别为谐振元件1提供偏置磁场和预应力，增大其输出位移，当外界物质粘附导致感测件14质量变化、粘附的物质组分不同时，感测件14驱使谐振元件1的振动频率变化，从而作用于敏感体5，使敏感体5输出的感应电压V发生变化，从而可以检测质量、物质组分等物理量。

实施例三：

实施例三为实施例二的变化例，如图3所示，包括谐振元件1、激励线圈2、感测体4、压电材料5、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11、球形外壳12、永磁体13、感测件14以及碟簧15，其中，感测体4与感测件14紧固连接；感测体接触检测介质并将外界作用力通过感测件14作用于谐振元件1；感测体4和球形外壳12共同围成球形；壳体7、前端盖8、后端盖10设置在感测体4 和球形外壳12的内部。永磁体13、碟簧15分别为谐振元件1提供偏置磁场和预应力，增大谐振元件1的输出位移，外壳7为球形，便于埋入混凝土等建筑结构中进行测量，可以检测感测体4受到的外力等物理量，从而通过敏感体5输出感应电压 V的变化实现对外力的检测。

实施例四：

谐振元件1采用压电材料的谐振元件；如图4所示，包括谐振元件1、感应线圈3、敏感体5、壳体7、前端盖8、后端盖10、占位圆柱11以及感测件14，谐振元件5采用压电材料的谐振元件，敏感体5采由磁致伸缩材料的敏感体，谐振元件 1在激励电压Ve的作用下产生高频振动，振动频率为其固有频率，振动作用在谐振元件1上，由于逆磁致伸缩效应，谐振元件1产生交变磁场，在感应线圈3上产生感应电压V；当感测件14感受到外界物理量的作用，谐振元件的固有频率变化，使得感应线圈3的感应电压V发生变化，从而实现物理量的检测。

实施例五：

在实施例四的一个变化例中，如图5所示，包括谐振元件1、感应线圈3、敏感体5、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11以及感测件14，其中，当外界物质粘附导致感测件14质量变化、粘附的物质组分不同时，可以检测质量、物质组分等物理量。谐振元件1在激励电压Ve的作用下产生高频振动，振动频率为其固有频率，振动作用在谐振元件1上，由于逆磁致伸缩效应，谐振元件 1产生交变磁场，在感应线圈3上产生感应电压V；当外界物质粘附导致感测件14 质量变化、粘附的物质组分不同时，谐振元件的固有频率变化，使得感应线圈3的感应电压V发生变化，从而实现外界物质质量、组分的检测。

实施例六：

实施例四的另一个变化例，如图6所示，包括谐振元件1、感应线圈3、感测体 4、敏感体5、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11、球形外壳 12以及感测件14，谐振元件1在激励电压Ve的作用下产生高频振动，振动频率为其固有频率，振动作用在谐振元件1上，由于逆磁致伸缩效应，谐振元件1产生交变磁场，在感应线圈3上产生感应电压V；其中，球形外壳12为球形，便于埋入混凝土等建筑结构中进行测量，当感测件14通过感测体4感测到外力的作用，致使感应线圈3上产生的感应电压V发生变化，从而实现混凝土等建筑结构中受力等物理量的测量。

实施例七：

如图7所示，包括谐振元件1、激励线圈2、敏感体5、传导件6、壳体7、前端盖8、后端盖10、占位圆柱11以及感测件14，传导件6设置在占位圆柱11和感测件14之间并与敏感体5间隙连接。谐振元件1采用压电材料的谐振元件，敏感体5采用磁致伸缩材料的敏感体，传导件6采用隧道磁阻材料的传导件，谐振元件 1在激励电压Ve的作用下产生高频振动，振动频率为其固有频率，振动作用在敏感体5上，由于逆磁致伸缩效应，敏感体5产生交变磁场，通过传导件6检测此磁场，产生感应电压V；当感测件14感受到外界物理量的作用，谐振元件1的固有频率变化，使得传导件6的感应电压V变化，从而实现外界物质物理量的检测；隧道磁阻材料具有很高的磁场灵敏度，从而提高了传感器检测的灵敏度。

实施例八：

实施例八为实施例七的变化例，如图8所示，包括，谐振元件1、激励线圈2、敏感体5、传导件6、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11以及感测件14，谐振元件1采用压电材料的谐振元件，敏感体5采用磁致伸缩材料的敏感体，传导件6采用隧道磁阻材料的传导件，谐振元件1在激励电压Ve的作用下产生高频振动，振动频率为其固有频率，振动作用在敏感体5上，由于逆磁致伸缩效应，敏感体5产生交变磁场，通过传导件6检测此磁场，产生感应电压V；当外界物质粘附导致感测件14质量变化、粘附的物质组分不同时，传导件6检测磁场产生不同的感应电压V，可以检测质量、物质组分等物理量。

实施例九：

实施例九为实施例七的另一个变化例，如图9所示，包括谐振元件1、激励线圈2、感测体4、敏感体5、传导件6、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11、球形外壳12以及感测件14，谐振元件1采用压电材料的谐振元件，敏感体5采用磁致伸缩材料的敏感体，传导件6采用隧道磁阻材料的传导件，谐振元件1在激励电压Ve的作用下产生高频振动，振动频率为其固有频率，振动作用在敏感体5上，由于逆磁致伸缩效应，敏感体5产生交变磁场，通过传导件6检测此磁场，产生感应电压V；球形外壳12为球形，便于埋入混凝土等建筑结构中进行测量，当外力作用于感测体4，感测体4与感测件14紧固连接，感测件14致使谐振元件1固有频率发生变化，使敏感体5产生交变磁场发生变化，传导件6的感应电压V发生变化，从而检测到受到的外力等物理量。

实施例十：

如图10所示，包括谐振元件1、激励线圈2、感应线圈3、敏感体5、壳体7、前端盖8、后端盖10、占位圆柱11以及感测件14，具体地，谐振元件1、敏感体5 为一体连接且均采用磁致伸缩材料。给激励线圈2通激励电流Ie，敏感体5在激励线圈2的作用下产生高频振动，振动频率为其固有频率，由于逆磁致伸缩效应，敏感体5产生交变磁场，在感应线圈3上产生感应电压V，当感测件14感受到外界物理量的作用，谐振元件1的固有频率变化，使得敏感体5的感应电压V变化，从而实现物理量的检测；此实施例的优点为谐振元件和敏感体为同一元件，提高了传感器的结构紧凑度。在一个优选例中，如图11所示，包括谐振元件1、激励线圈2、感应线圈3、敏感体5、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11、永磁体13、感测件14、碟簧15，永磁体13以及碟簧15分别为谐振元件1提供偏置磁场和预应力，增大其输出位移。当感测件14感测外界粘附物质的质量变化、粘附的物质组分不同时，可以检测质量、物质组分等物理量。在另一个变化例中，如图12所示，包括谐振元件1、激励线圈2、感应线圈3、感测体4、敏感体5、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11、球形外壳12、永磁体13、感测件14以及碟簧15，其中，永磁体13、碟簧15分别为谐振元件1提供偏置磁场和预应力，增大其输出位移，球形外壳12为球形，便于埋入混凝土等建筑结构中进行测量。可以检测感测件14受到的外力等物理量。

实施例十一：

如图13所示，谐振元件1、激励线圈2、敏感体5、传导件6、壳体7、前端盖 8、后端盖10、占位圆柱11以及感测件14，谐振元件1和敏感体5均采用磁致伸缩材料，谐振元件1和敏感体5为一体连接，给激励线圈2通激励电流Ie，谐振元件1在激励线圈2的作用下产生高频振动，振动频率为其固有频率。由于逆磁致伸缩效应，敏感体5产生交变磁场，通过传导件6检测此磁场，产生感应电压V。当感测件14感受到外界物理量的作用，谐振元件1的固有频率变化，使得传导件6 的感应电压V变化，从而实现物理量的检测；此实施例的优点为谐振元件1和敏感体5为同一元件，提高了传感器的结构紧凑度，传导件6采用隧道磁阻材料，具有很高的磁场灵敏度，提高了传感器的灵敏度。在一个变化例中，如图14所示，谐振元件1、激励线圈2、敏感体5、传导件6、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11、永磁体13、感测件14、碟簧15，其中，谐振元件1、敏感体 5为同一元件且均为磁致伸缩材料，永磁体13以及碟簧15分别为谐振元件1提供偏置磁场和预应力，增大其输出位移，给激励线圈2通激励电流Ie，谐振元件1在激励线圈2的作用下产生高频振动，振动频率为其固有频率。由于逆磁致伸缩效应，敏感体5产生交变磁场，通过传导件6检测此磁场，产生感应电压V。当感测件14 感测到外界物质粘附导致的质量变化、粘附的物质组分不同时，可以检测质量、物质组分等物理量。在另一个变化例中，如图15所示，包括谐振元件1、激励线圈2、感测体4、敏感体5、传导件6、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11、球形外壳12、永磁体13、感测件14以及碟簧15，其中，永磁体13、碟簧15分别为谐振元件提供偏置磁场和预应力，增大谐振元件1的输出位移。球形外壳12为球形，便于埋入混凝土等建筑结构中进行测量，可以检测感测件受到的外力等物理量。

实施例十二：

具体地，如图16所示，包括谐振元件1、敏感体5、壳体7、前端盖8、后端盖 10、占位圆柱11以及感测件14，其中，谐振元件1和敏感体5都采用压电材料，谐振元件1在激励电压Ve的作用下产生高频振动，振动频率为其固有频率，振动作用在敏感体5上使其产生感应电压V，当感测件14感受到外界物理量的变化，例如外力的作用，又例如外界物质粘附导致其质量增加、不同组分的物质粘附时，谐振元件的固有频率变化，使得敏感体5的感应电压V变化，进而检测力、质量、物质组分等物理量。在一个变化例中，如图17所示，包括谐振元件1、敏感体5、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11以及感测件14，其中，当感测件14感测到外界物质粘附导致质量变化、粘附的物质组分不同时，可以检测质量、物质组分等物理量。在另一个变化例中，如图18所示，包括谐振元件1、感测体4、敏感体5、壳体7、前端盖8、导磁后盖9、后端盖10、占位圆柱11、球形外壳12以及感测件14，其中，球形外壳12为球形，便于埋入混凝土等建筑结构中进行测量，能够检测感测件14受到的外力等物理量。

本实用新型创新地将压电材料、磁致伸缩材料、隧道磁阻材料等应用于谐振元件和敏感体，将被测量的物理量直接转化为敏感体的输出，降低了加工难度和成本，并且能够实现多种物理量的测量；同时，提高了传感器的灵敏度、结构紧凑度和传感精度。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本实用新型的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (10)

1.一种谐振式传感器，其特征在于，包括谐振元件(1)、激励线圈(2)、敏感体(5)、壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)、占位圆柱(11)以及感测件(14)；

所述壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)围成容纳空间(16)；

谐振元件(1)、敏感体(5)、感测件(14)依次设置在容纳空间(16)中，感测件(14)延伸至前端盖(8)的外侧；

占位圆柱(11)设置在容纳空间(16)中并设置在谐振元件(1)的外侧；

激励线圈(2)缠绕在谐振元件(1)上；

谐振元件(1)和敏感体(5)为同一元件或不同元件。

2.根据权利要求1所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括导磁后盖(9)、永磁体(13)、碟簧(15)；

导磁后盖(9)设置在谐振元件(1)与后端盖(10)之间；

导磁后盖(9)分别与谐振元件(1)与后端盖(10)接触连接；

永磁体(13)设置在谐振元件(1)和占位圆柱(11)之间并设置在导磁后盖(9)上；

碟簧(15)设置在前端盖(8)和感测件(14)之间；

碟簧(15)的两端分别与前端盖(8)和感测件(14)紧固连接。

3.根据权利要求2所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括感测体(4)和球形外壳(12)；

感测体(4)与感测件(14)紧固连接；

感测体(4)和球形外壳(12)共同围成球形；

壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)设置在感测体(4)和球形外壳(12)的内部。

4.根据权利要求1所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括传导件(6)，传导件(6)设置在占位圆柱(11)和感测件(14)之间并与敏感体(5)间隙连接。

5.根据权利要求4所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括感测体(4)和球形外壳(12)；

感测体(4)与感测件(14)紧固连接；

感测体(4)和球形外壳(12)共同围成球形；

壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)设置在感测体(4)和球形外壳(12)的内部。

6.根据权利要求1所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括感应线圈(3)。

7.根据权利要求6所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括导磁后盖(9)、永磁体(13)、碟簧(15)；

导磁后盖(9)设置在谐振元件(1)与后端盖(10)之间；

导磁后盖(9)分别与谐振元件(1)与后端盖(10)接触连接；

永磁体(13)设置在谐振元件(1)和占位圆柱(11)之间并设置在导磁后盖(9)上；

碟簧(15)设置在前端盖(8)和感测件(14)之间；

碟簧(15)的两端分别与前端盖(8)和感测件(14)紧固连接。

8.一种谐振式传感器，其特征在于，包括谐振元件(1)、感应线圈(3)、敏感体(5)、壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)、占位圆柱(11)以及感测件(14)；

所述壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)围成容纳空间(16)；

谐振元件(1)、敏感体(5)、感测件(14)依次设置在容纳空间(16)中，感测件(14)延伸至前端盖(8)的外侧；

占位圆柱(11)设置在容纳空间(16)中并设置在谐振元件(1)的外侧；

感应线圈(3)缠绕在敏感体(5)上；

谐振元件(1)和敏感体(5)为同一元件或不同元件。

9.根据权利要求8所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括导磁后盖(9)；

导磁后盖(9)设置在谐振元件(1)与后端盖(10)之间；

导磁后盖(9)分别与谐振元件(1)与后端盖(10)接触连接。

10.根据权利要求9所述的谐振式传感器，其特征在于，还包括感测体(4)和球形外壳(12)；

感测体(4)与感测件(14)紧固连接；

感测体(4)和球形外壳(12)共同围成球形；

壳体(7)、前端盖(8)、后端盖(10)设置在感测体(4)和球形外壳(12)的内部。

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