JP2004315911A - 蒸発装置、蒸発方法及びそれによる生成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】原材料1を仕込こんだ坩堝2をヒーター3により加熱し、またその坩堝2とヒーター3との間に金属メッシュからなるメッシュ部材4を挿入しておき、このメッシュ部材4により、原材料1の分解等で生じた生成物を吸着・捕捉(トラップ)し、蒸発源外への放出を防止する。その際、メッシュ部材4もヒーター3により加熱し、目的となる蒸発材料がメッシュ部材4に捕捉・凝縮されることなく、メッシュを通り抜けて上方に到達できるようにする。このメッシュ部材4の配置は、原材料1の蒸発面側で良いが、できるだけ坩堝2の開口部(蒸発物が放出する出口)を完全に覆う構造とする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、主に真空中において材料を蒸発させる蒸発装置、蒸発方法及びそれによる生成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
薄膜の形成などにおいて、主に真空中で材料を蒸発させる場合、加熱による蒸発、スパッタ現象、あるいはアブレーション現象が利用される。そして、このような加熱による蒸発、スパッタ現象、及びアブレーション現象を、ここでは総称して蒸発と呼ぶ。以下、従来の蒸発方法1〜4を図6〜図9を用いて説明する。
【0003】
図6は主に昇華性物質を蒸発させる場合に用いられる一般的な蒸発方法の例を示す図であり、(a)は上面図、(b)は側面図である。原材料1を仕込んだ坩堝2の上方にヒーター3を配し、ヒーター3からの輻射熱により原材料1を蒸発させるものである。
【0004】
図7は原材料11を仕込んだ坩堝12の周囲にヒーター13を巻き付けた装置構成で、上記と同様加熱による蒸発を示すものである。
【0005】
図8はスパッタによる蒸発方法を示すもので、原材料(ターゲット)21を絶縁材22を介して設置し、その周囲の電極23に電源24から電圧を印加してスパッタを発生させる構成を用いている。
【0006】
図9はレーザーアブレーションの例であり、原材料31にアブレーション用のレーザー光32を照射して蒸発させるものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のような従来の方法では、蒸発時に原材料が分解や組成変化を起こしやすい物質の場合については、分解等によって発生した物質が目的とする薄膜、微粒子、蒸気といった生産物(利用状態)に混入し、多くの場合製品に応用の際に阻害物質として働く。
【0008】
このため、例えば薄膜や微粒子を作製する場合など、本来得ようとする性能を損なう恐れがある。また、分析機器等で蒸気そのものを扱う場合などには、正確な分析データを得ることができない。
【0009】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、蒸発材料の分解等によって発生した物質が生産物に混入するのを抑制することができ、信頼性の高い製品を作製することができる蒸発装置、蒸発方法及びそれによる生成物を提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る蒸発装置は、材料を蒸発させる蒸発装置であって、前記材料の蒸発面側にメッシュ部材を配置したものである。
【0011】
また、上記メッシュ部材は5メッシュ以上で開口率4%以上であるようにし、材料の蒸発は加熱法、スパッタ法、レーザーアブレーション法の何れかの蒸発法を用いるようにしたものである。
【0012】
本発明に係る蒸発方法は、材料を蒸発させる蒸発方法であって、前記材料の蒸発物を該材料の蒸発面側に配置したメッシュ部材を通すようにしたものである。
【0013】
また、上記メッシュ部材は5メッシュ以上で開口率4%以上であるようにし、材料の蒸発は加熱法、スパッタ法、レーザーアブレーション法の何れかの方法を用いるようにしたものである。
【0014】
本発明に係る生成物は、上記の蒸発方法により得られたものである。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面について説明する。
【0016】
前述の原材料の分解物等の混入を抑制するためには、発生した分解物等を捕捉して除外することが重要である。実施例では、その原材料の蒸発時に生じる分解物等を捕捉し、目的とする生産物(利用状態)に混入するのを抑制する蒸発方法について述べる。
【0017】
本発明は、多様な蒸発源に金属、セラミック等の耐熱性を持つメッシュ状の板あるいはフィルムを組み合わせて用いることで分解物等を捕捉し、分解物等の混入を抑制する手法に関するものである。本発明で用いるメッシュ部材とは、網状のもの、あるいは板及びフィルムに適当な孔が複数空いたものなどを指し、これらに類する構造全てを含むものである。
【0018】
図1は本発明の実施例1の構成を示す図であり、(a)、(b)はそれぞれ蒸発装置の上面図、側面図である。ここでは、一例として分解の抑制及び分解物の捕捉による分解物の混入を抑制する手法について説明する。
【0019】
本実施例は、図5における蒸発源の構成において、原材料1を仕込んだ坩堝2とヒーター3の間に金属メッシュからなるメッシュ部材4を挿入した構造となっている。このメッシュ部材4は、原材料1の分解等で生じた生成物を吸着・捕捉(トラップ)し、蒸発源外への放出を防止する役割を持っている。
【0020】
そして、そのメッシュの効果により、分解物等を捕捉して目的の生産物への混入を抑制することができる。したがって、薄膜など信頼性の高い製品を作製することができる。
【0021】
その際、メッシュ部材4もヒーター3により加熱されるため、目的となる蒸発材料はメッシュ部材4に捕捉・凝縮されることなく、メッシュを通り抜けて上方に到達できる。このメッシュ部材4の配置は原材料1の蒸発面側で良いが、できるだけ坩堝2の開口部(蒸発物が放出する出口)を完全に覆う構造が望ましい。
【0022】
図2は本発明の実施例2の構成を示す断面図である。本実施例は、図6における蒸発源の構成において、原材料11を仕込んだ坩堝12の周囲にヒーター13を巻き付け、この坩堝12の上方に金属メッシュからなるメッシュ部材14を配した構造となっている。
【0023】
このように、ヒーター13が坩堝12の周囲にある場合は、メッシュ部材14の温度が上昇しにくくなる可能性があり、目的物質までもがメッシュ部材14に捕捉される可能性があるため、適宜メッシュ部材14を別の方法で加熱することが望ましい。
【0024】
メッシュ部材14の加熱方法は様々であるが、メッシュ部材14にワイヤー状のヒーターを均一に沿わせる方法や、メッシュ部材近傍に加熱用のヒーターを配する方法があり、また金属メッシュの場合には、メッシュ部材そのものに通電を行って加熱することも可能である。この場合、メッシュ部材14の配置は蒸発源から離れても良いが、捕捉の効率や製品化における装置の小型化などを考慮すると、蒸発源近傍に配することが望ましい。
【0025】
図3は本発明の実施例3の構成を示す断面図である。本実施例は、図8の蒸発源の構成、すなわち原材料(ターゲット)21を絶縁材22を介して設置し、その周囲の電極23に電源24からの電圧を印加する構造において、原材料21の蒸発面側(上方)に金属メッシュからなるメッシュ部材25を配置したものである。
【0026】
本実施例はスパッタの例であり、上記と同様メッシュ部材25の加熱を適宜行うことはもちろんであるが、メッシュ部材自身のスパッタも生じることを考慮し、メッシュ部材25の材料としてスパッタ能の低い材料、例えばW(タングステン)、カーボン等を用いることが望ましい。
【0027】
図4は本発明の実施例4の構成を示す斜視図である。本実施例は、図9の蒸発源の構成、すなわち原材料(ターゲット)31にレーザーアブレーション用のレーザー光32を照射する構造において、原材料31の蒸発面側(上方)に金属メッシュからなるメッシュ部材33を配置したものである。
【0028】
本実施例はレーザーアブレーションの例であるが、この場合もメッシュ部材33の加熱を適宜行うことが望ましい。またこの場合は、レーザー光32の入射が妨げられないようなメッシュ部材33の配置、加工、レーザー光32の入射方法を工夫することが望ましい。
【0029】
ここで、上述の各実施例におけるメッシュ部材のメッシュ密度及び開口率は、目的物質の性質により使い分けるが、望ましくはそれぞれ5メッシュ以上で、開口率4%以上である。この開口率は、メッシュ線が占める面積とメッシュ孔が占める面積の比と定義される。また、メッシュの肉厚に関しては特に規定しない。
【0030】
また、本発明で扱うメッシュは、目的物質を凝縮させず、かつ除外させたい分解生成物を凝縮・捕捉するような温度に調整しなくてはならない。これは原材料によって異なる。使用する原材料は特に限定はなく、加熱、スパッタ、アブレーションにより蒸発するものであれば何でも良い。
【0031】
次に、上述の装置構成で実際に材料の蒸発を行った具体例(蒸発方法)について説明する。
【0032】
(具体例1)
図1の構造の蒸発源を用い、原材料として熱分解しやすい芳香族カルボン酸Aを坩堝に仕込んだ。そして、雰囲気の圧力を不活性ガスであるHeで1Torrに調整した。蒸発源のヒーターに通電し加熱を行い、熱分解しやすい芳香族カルボン酸Aの蒸発を行うと、ガス中蒸発法の原理により微粒子が生成された。その際、蒸発源上方に基板を配置し、生成した微粒子を回収した。このとき使用したメッシュ部材は、銅製で66メッシュ、開口率55%、厚み0.1mmである。そして、蒸発後メッシュ部材の坩堝側には分解によって生じたカーボンが捕捉されていた。
【0033】
図5は上記芳香族カルボン酸Aの吸収スペクトルを示す図であり、メッシュ使用と未使用で調製し回収した微粉体をそれぞれ同量アルカリ水溶液に溶解させて吸収スペクトルを測定したものを示している。比較のため、原料のスペクトルも併せて示している。
【0034】
このスペクトルの波長(Wavelength)426nmにおける吸収ピークの吸光度(Absorbance)と原材料の吸光度を基準とした比率から純度を求めると、メッシュ未使用では87%と低く、また粉体の日視における観察においても灰色を呈しており、分解により発生したカーボンが混入していることがわかる。一方、メッシュを使用すると純度は95%に向上し、色目も原料に近い明灰黄色へと向上した。このことから、本方法のようにメッシュを使用することで、生成物への分解物の出入を抑制させることができる。
【0035】
(具体例2)
原材料として銅フタロシアニンを坩堝に仕込み、図2に示す蒸発源を用いて微粉体を生成した。メッシュ部材にはシースワイヤーヒーターを取り付け、銅フタロシアニンを凝縮させない温度に加熱した。蒸発後メッシュ部材の坩堝側には分解した銅とカーボンが捕捉されていた。
【0036】
上記と同様な手法で純度を求めたところ、メッシュ未使用の場合には94%であった。メッシュを使用すると純度は99%と向上し、銅フタロシアニンに関してもメッシュの効果が見られた。
【0037】
なお、以上の例は本方法の一例を示すものであり、本発明はこれらの例に縛られるものではない。
【0038】
このように、従来の方法では分解物の目的物への混入は避けられなかったが、蒸発源にメッシュを組合わせることで、蒸発材料の分解等によって発生した物質が生産物に混入するのを抑制することができ、信頼性の高い製品を作製することができる
また本発明は、上述の蒸発装置、蒸発方法に関するだけでなく、その生成物である微粒子、薄膜、蒸気をも対象とするものである。これらはエレクトロニクス分野、光学分野、印刷分野、分析機器分野、薬剤分野、医療分野、臨床検査分野、化粧品分野、食料品分野、生産装置分野、理化学機器分野等に広く応用することができる。
【0039】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、蒸発材料の分解等によって発生した物質が生産物に混入するのを抑制することができ、信頼性の高い製品を作製することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1の構成を示す図
【図2】本発明の実施例2の構成を示す断面図
【図3】本発明の実施例3の構成を示す断面図
【図4】本発明の実施例4の構成を示す斜視図
【図5】芳香族カルボン酸Aの吸収スペクトルを示す図
【図6】従来の方法1を示す説明図
【図7】従来の方法2を示す説明図
【図8】従来の方法3を示す説明図
【図9】従来の方法4を示す説明図
【符号の説明】
1 原材料
2 坩堝
3 ヒーター
4 メッシュ部材
11 原材料
12 坩堝
13 ヒーター
14 メッシュ部材
21 原材料(ターゲット)
22 絶縁材
23 電極
24 電源
25 メッシュ部材
31 原材料(ターゲット)
32 レーザー光
33 メッシュ部材
Claims (7)
- 材料を蒸発させる蒸発装置であって、前記材料の蒸発面側にメッシュ部材を配置したことを特徴とする蒸発装置。
- メッシュ部材は、5メッシュ以上で開口率4%以上であることを特徴とする請求項1に記載の蒸発装置。
- 材料の蒸発は、加熱法、スパッタ法、レーザーアブレーション法の何れかの蒸発法を用いることを特徴とする請求項1または2に記載の蒸発装置。
- 材料を蒸発させる蒸発方法であって、前記材料の蒸発物を該材料の蒸発面側に配置したメッシュ部材を通すようにしたことを特徴とする蒸発方法。
- メッシュ部材は、5メッシュ以上で開口率4%以上であることを特徴とする請求項4に記載の蒸発方法。
- 材料の蒸発は、加熱法、スパッタ法、レーザーアブレーション法の何れかの蒸発法を用いることを特徴とする請求項4または5に記載の蒸発方法。
- 請求項4ないし6何れかに記載の蒸発方法により得られたことを特徴とする生成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003112926A JP2004315911A (ja) | 2003-04-17 | 2003-04-17 | 蒸発装置、蒸発方法及びそれによる生成物 |
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Publications (1)
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Family
ID=33473010
Family Applications (1)
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---|---|---|---|---|
WO2013157723A1 (ko) * | 2012-04-20 | 2013-10-24 | (주)엠엠티 | 열 증착용 고효율 담체 |
KR101997750B1 (ko) * | 2018-11-07 | 2019-07-08 | 진승욱 | 인너 플레이트 및 이를 구비하는 증발원 |
KR20220053109A (ko) * | 2020-10-21 | 2022-04-29 | 아이엠에스(주) | 기판처리장치 |
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2003
- 2003-04-17 JP JP2003112926A patent/JP2004315911A/ja active Pending
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KR20220053109A (ko) * | 2020-10-21 | 2022-04-29 | 아이엠에스(주) | 기판처리장치 |
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