JP2004311637A - 超音波フリップチップ接合用回路基板およびそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】超音波フリップチップ接合に際し、超音波振動の印加方向に関らず回路基板の突起電極と半導体素子の電極との接合信頼性に優れる超音波フリップチップ接合用回路基板を提供する。
【解決手段】超音波フリップチップ接合用回路基板20は、絶縁基材21と、絶縁基材21上に設けられ導電性材料からなる配線パターン22と、配線パターン22上に設けられる突起電極23とを備え、さらに絶縁基材21上には、配線パターン22の突起電極23が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向25に延びる拡張パターン24が形成される。この拡張パターン24を有する超音波フリップチップ接合用回路基板20によれば、半導体素子上に突起電極23に対応するように設けられる電極と突起電極23との超音波接合によって、健全な電気的接合信頼性に優れる接合部を得ることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】超音波フリップチップ接合用回路基板20は、絶縁基材21と、絶縁基材21上に設けられ導電性材料からなる配線パターン22と、配線パターン22上に設けられる突起電極23とを備え、さらに絶縁基材21上には、配線パターン22の突起電極23が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向25に延びる拡張パターン24が形成される。この拡張パターン24を有する超音波フリップチップ接合用回路基板20によれば、半導体素子上に突起電極23に対応するように設けられる電極と突起電極23との超音波接合によって、健全な電気的接合信頼性に優れる接合部を得ることができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超音波フリップチップ接合用回路基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置を製造するに際し、半導体素子を回路基板に短時間に効率良く接合する方法として、半導体素子に超音波振動を印加して接合する超音波フリップチップ接合法が知られている(たとえば、特許文献1参照)。
【0003】
図8は、従来技術の超音波フリップチップ接合法の概略を示す図である。図8を参照して従来技術の超音波フリップチップ接合法を説明する。絶縁基材1には配線パターン2が設けられ、さらに配線パターン2上には突起電極3が設けられて回路基板4が準備される。一方半導体素子5には、前述の配線パターン2上に設けられる突起電極3に対応するように電極6が設けられる。電極6の設けられた半導体素子5は、超音波振動を半導体素子5に伝達するヘッド7に装着され、電極6が回路基板4の突起電極3を臨むように位置合わせした後、矢符8方向に荷重を負荷し、電極6と突起電極3とを当接させる。その後ヘッド7を介して半導体素子5に矢符9に示す方向に超音波振動を印加し、半導体素子5の電極6と、絶縁基材1の配線パターン2上の突起電極3とを接合する。
【0004】
しかしながら、従来技術には以下のような問題がある。図9は超音波フリップチップ接合される半導体装置10の平面図であり、図10は図9に示す切断面線X−Xから見た断面図であり、図11は図9に示す切断面線XI−XIから見た断面図である。
【0005】
図9に示すように配線パターン2には、設計上、矢符9で示す超音波振動の印加方向(以後、振動を略して超音波印加方向と呼ぶ)に長手方向を有して延びる配線パターン2aと、超音波印加方向に直交する方向に長手方向を有して延びる配線パターン2bとが形成される。なお配線パターンを総称する場合には、アルファベットを省き、個々の配線パターンについてはアルファベットaまたはbを付して表す。図10は配線パターン2a上に突起電極3が設けられた場合を表し、図11は配線パターン2b上に突起電極3が設けられた場合を表す。
【0006】
図10に示すように、突起電極3が配線パターン2a上に設けられるとき、突起電極3の配線パターン2aに固設されている基底部分の超音波印加方向の長さELに対し、配線パターン2aは超音波印加方向に充分な長さを有している。一方図11に示すように、突起電極3が配線パターン2b上に設けられるとき、突起電極3の配線パターン2bに固設されている基底部分の超音波印加方向の長さEWと、配線パターン2bの超音波印加方向の長さW(配線パターン2bの短手方向の長さであるので、便宜上幅Wと呼ぶ)とは、ほとんど等しい。
【0007】
図10および図11に示すような状態で、矢符9方向に超音波を印加し、半導体素子5の電極6と、回路基板4の突起電極3とを接合すると、配線パターン2b上に突起電極3が設けられた場合に問題を生じる。図12は超音波印加後の切断面線X−Xから見た断面図であり、図13は超音波印加後の切断面線XI−XIから見た断面図である。
【0008】
図12に示すように、突起電極3の前記基底部分の超音波印加方向の長さELに対し、配線パターン2aが超音波印加方向に充分な長さを有しているとき、超音波印加方向に対して、配線パターン2aと絶縁基材1との接着界面が充分な広さと強度とを有するので、絶縁基材1、配線パターン2aおよび突起電極3が一体的に挙動し、絶縁基板1により、配線パターン2aおよび突起電極3がともに振動しにくくなる。したがって、突起電極3と電極6との当接面において、半導体素子5を介して伝達される超音波(振動)に基づく摩擦熱が充分に発生し、健全な接合が達成される。
【0009】
一方図13に示すように、突起電極3の前記基底部分の超音波印加方向の長さEWと配線パターン2bの幅Wとがほとんど等しいとき、超音波印加方向に対して、配線パターン2bと絶縁基材1との接着界面が狭くその強度も小さいので、半導体素子5を介して電極6に伝達される超音波に伴って、突起電極3および配線パターン2bがともに振動し、前記接着界面において摩擦熱が発生するようになる。したがって、突起電極3と電極6との当接面において超音波に基づく摩擦熱が充分に発生しないので、突起電極3と電極6とが接合不良を生じ、また甚だしい場合には、絶縁基材1と配線パターン2bとの界面が剥離し、配線パターン2bが、絶縁基材1の中に沈むという現象が発生するという問題がある。
【0010】
【特許文献1】
特開2002−289644号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、超音波フリップチップ接合に際し、超音波振動の印加方向に関らず回路基板の突起電極と半導体素子の電極との接合信頼性に優れる超音波フリップチップ接合用回路基板およびそれを用いる半導体装置の製造方法を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、絶縁基材と、絶縁基材上に設けられ導電性材料からなる配線パターンと、配線パターン上に設けられる突起電極とを備え、半導体素子上に前記突起電極に対応するように設けられる電極と前記突起電極とが当接された状態で超音波印加されることによって接合される超音波フリップチップ接合用回路基板において、
前記絶縁基材上には、前記配線パターンの前記突起電極が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターンが形成されることを特徴とする超音波フリップチップ接合用回路基板である。
【0013】
本発明に従えば、超音波フリップチップ接合用回路基板は、絶縁基材と、絶縁基材上に設けられ導電性材料からなる配線パターンと、配線パターン上に設けられる突起電極とを備え、絶縁基材上には、配線パターンの突起電極が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターンが形成される。配線パターンの突起電極が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターンを形成することによって、配線パターンの超音波印加方向の長さが、突起電極の配線パターンに固設される基底部分の超音波印加方向の長さにほとんど等しくて短いときであっても、超音波印加方向に対して、配線パターンおよび拡張パターンと絶縁基材との接着界面に、充分な広さと強度とを付与することができる。したがって、半導体素子および電極に超音波を印加するとき、絶縁基材、配線パターンおよび拡張パターンならびに突起電極が一体的に挙動することができ、突起電極が振動しにくくなるので、突起電極と電極との当接面において超音波に基づく摩擦熱が充分に発生し、健全な接合が達成される。
【0014】
また本発明は、前記拡張パターンは、
前記配線パターンを介して対向するように形成され、
前記配線パターンをも含める超音波印加方向における長さが、前記突起電極の超音波印加方向における長さの1.8倍以上であることを特徴とする。
【0015】
本発明に従えば、拡張パターンは、配線パターンを介して対向するように形成され、配線パターンをも含める超音波印加方向における長さが、突起電極の超音波印加方向における長さの1.8倍以上になるように設定される。このことによって、配線パターンおよび拡張パターンと絶縁基材との界面接着強度が確実に保たれるので、突起電極と電極との健全な接合を達成することができる。
【0016】
また本発明は、前記の超音波フリップチップ接合用回路基板と、電極の設けられた半導体素子とを準備し、
超音波フリップチップ接合用回路基板に設けられた突起電極と、半導体素子に設けられた電極とを当接し、
突起電極と電極とを当接した状態で超音波を印加することによって接合することを特徴とする超音波フリップチップ接合用回路基板を用いた半導体装置の製造方法である。
【0017】
本発明に従えば、前記の超音波フリップチップ接合用回路基板と、電極の設けられた半導体素子とを準備し、超音波フリップチップ接合用回路基板に設けられた突起電極と、半導体素子に設けられた電極とを当接し、超音波を印加することによって接合し、半導体装置を製造する。このことによって、超音波の印加方向に関らず、突起電極と電極との電気的接合信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の実施の一形態である超音波フリップチップ接合用回路基板20の構成を簡略化して示す部分平面図であり、図2は図1の切断面線II−IIから見た断面図である。超音波フリップチップ接合用回路基板20(以後、回路基板20と略称する)は、絶縁基材21と、絶縁基材21上に設けられ導電性材料からなる配線パターン22と、配線パターン22上に設けられる突起電極23とを備え、絶縁基材21上には、配線パターン22の突起電極23が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターン24が形成される。本実施の形態では、拡張パターン24は、配線パターン22を介して対向するように2つ(24a,24b)形成される。なお、拡張パターンを総称する場合には添字を省いて表し、個々の拡張パターンについては添字を付して表す。
【0019】
このように構成される回路基板20は、図示を省略する半導体素子上に突起電極23に対応するように設けられる電極と、突起電極23とが当接された状態で、超音波印加されることによって接合されて半導体装置を構成する。
【0020】
絶縁基材21は、たとえばエポキシ樹脂や液晶ポリマーなどからなる有機基板であり、その構成は、単層、両面2層、多層のいずれであってもよい。配線パターン22に用いる素材には、導電性材料が用いられるけれども、金(Au)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)などの金属材料が好ましい。絶縁基材21上への配線パターン22の形成には、公知の方法であるCVD(Chemical Vapor Deposition)、PVD(Physical Vapor Deposition)、めっき法などを用いることができる。
【0021】
拡張パターン24a,24bは、本実施の形態では、配線パターン22と同一の素材を用いて、配線パターン22の形成と同時に同様の方法によって、絶縁基材21上に配線パターン22を介して対向するように形成される。個々の拡張パターン24a,24bは、平面投影形状が三角形に形成され、三角形の一辺において配線パターン22に連なり、矢符25で示す超音波印加方向に延びる。ここで、配線パターン22の超音波印加方向の長さである幅Wと、拡張パターン24の超音波印加方向に延びる長さLa,Lbとを加算した長さをL1(=W+La+Lb)とする。
【0022】
配線パターン22上に設けられる突起電極23は、本実施の形態では、Cuを用いてめっき法により直方体形状に形成される。突起電極23の表層には、さらにめっき法によってニッケル(Ni)およびAu層が形成される。ここで、突起電極23の超音波印加方向の長さをL2とする。
【0023】
突起電極23と半導体素子に設けられる電極とに超音波を印加して一層健全な接合部を得るためには、前記長さL1と長さL2との間に、特定の関係を設定することが好ましい。たとえば、突起電極23の高さと配線パターン22の厚みとを加算した高さHが20〜30μm、突起電極23の前記長さL2が40〜60μmであり、絶縁基材21に弾性率:700kgf/mm2であるガラスエポキシを用いる場合、長さL1は、長さL2の1.8倍以上(L1≧1.8L2)に設定されることが好ましい。また絶縁基材21に前述のガラスエポキシよりも弾性率の小さい液晶ポリマー(弾性率:600kgf/mm2)が用いられる場合、長さL1は、長さL2の2.0倍以上(L1≧2.0L2)に設定されることが好ましい。絶縁基材21に用いられる素材の弾性率が大きくなるのに伴って、前記長さL2に対する前記長さL1の比を小さくすることができるけれども、弾性率の高い材料選択にも限界があるので、前記長さL2に対する前記長さL1の比を1.8倍以上に設定することが望ましい。
【0024】
また拡張パターン24a,24bの配線パターン22に連なる部分の長さであって、超音波印加方向に直交する方向の長さL3は、突起電極23の超音波印加方向の長さL2の約2倍になるように形成されるとともに、拡張パターン24aと拡張パターン24bとにおいて、等しい長さになるように形成されることが好ましい。さらに拡張パターン24が形成される場合、互いに隣接する配線パターン22が拡張パターン24によって接触、すなわち電気的な短絡を生じないようにしなければならないので、たとえば配線パターン22の形成ピッチが150μmである場合、隣接する拡張パターン同志の間隔を、20μm以上設けることが好ましい。
【0025】
このように構成される回路基板20では、配線パターン22の幅Wが、突起電極23の超音波印加方向の長さL2にほとんど等しくて短いときであっても、超音波印加方向に対して、配線パターン22および拡張パターン24と絶縁基材21との接着界面に、充分な広さと強度とを付与することができる。したがって、半導体素子および電極に超音波を印加するとき、絶縁基材21、配線パターン22および拡張パターン24ならびに突起電極23が一体的に挙動することができ、突起電極23が振動しにくくなるので、突起電極23と電極との当接面において超音波による摩擦熱が充分に発生し、健全な接合が達成され、電気的接合信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0026】
図3は、他の回路配線に接続されていない配線パターン22を示す平面図である。他の回路配線に接続されていない、いわゆる浮きパターンを形成する場合についても、前述の図1および図2に示す回路基板20と同様に構成される。
【0027】
図4〜図7は、本発明の実施の他の形態である回路基板の構成を簡略化して示す部分平面図である。図4〜図7の回路基板は、拡張パターン24に関する種々の変形を例示するものであり、実施の第1形態の回路基板20に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。なお図4〜図7では、絶縁基材21の図示を省略している。
【0028】
図4に示す回路基板では、拡張パターン24c1,24c2の平面投影形状が、半楕円形状になるように形成される。図5に示す回路基板では、拡張パターン24d1,24d2の平面投影形状が、半長円形状になるように形成される。図6に示す回路基板では、拡張パターン24e1,24e2の平面投影形状が、長方形になるように形成される。
【0029】
図7に示す回路基板では、配線パターン22を介して対向するように形成される拡張パターン24が、配線パターン22の片側にそれぞれ2個ずつ形成される。個々の拡張パターン24f1,24f2,24f3,24f4は、平面投影形状が長円の一方の円弧を欠く形状を有し、前述の円弧を欠く方の端部において配線パターン22に連なるように形成される。
【0030】
図4〜図7に示すように拡張パターン24の形状および寸法は、特に限定されることはなく、半導体素子および電極に超音波を印加するとき、絶縁基材21、配線パターン22および拡張パターン24ならびに突起電極23が一体的に挙動することができ、突起電極23が振動しにくくなり、突起電極23と電極との健全な接合が達成されるという目的の範囲内で選定されてよい。
【0031】
しかしながら、実施の第1形態の回路基板20の構成について述べたように、配線パターン22の幅Wと、拡張パターン24の超音波印加方向に延びる長さLa,Lbとを加算した長さL1は、突起電極23の超音波印加方向の長さL2の1.8倍以上になるように形成され、拡張パターン24の配線パターン22に連なる部分の長さL3は、前記長さL2のほぼ2倍になるように形成され、配線パターン22を介して対向する拡張パターン24は、ほぼ同一の形状になるように形成されることが、好ましい。
【0032】
【発明の効果】
本発明によれば、超音波フリップチップ接合用回路基板は、絶縁基材と、絶縁基材上に設けられ導電性材料からなる配線パターンと、配線パターン上に設けられる突起電極とを備え、絶縁基材上には、配線パターンの突起電極が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターンが形成される。配線パターンの突起電極が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターンを形成することによって、配線パターンの超音波印加方向の長さが、突起電極の配線パターンに固設される基底部分の超音波印加方向の長さにほとんど等しくて短いときであっても、超音波印加方向に対して、配線パターンおよび拡張パターンと絶縁基材との接着界面に、充分な広さと強度とを付与することができる。したがって、半導体素子および電極に超音波を印加するとき、絶縁基材、配線パターンおよび拡張パターンならびに突起電極が一体的に挙動することができ、突起電極が振動しにくくなるので、突起電極と電極との当接面において超音波に基づく摩擦熱が充分に発生し、健全な接合が達成される。
【0033】
また本発明によれば、拡張パターンは、配線パターンを介して対向するように形成され、配線パターンをも含める超音波印加方向における長さが、突起電極の超音波印加方向における長さの1.8倍以上になるように設定される。このことによって、配線パターンおよび拡張パターンと絶縁基材との界面接着強度が確実に保たれるので、突起電極と電極との健全な接合を達成することができる。
【0034】
また本発明によれば、前記の超音波フリップチップ接合用回路基板と、電極の設けられた半導体素子とを準備し、超音波フリップチップ接合用回路基板に設けられた突起電極と、半導体素子に設けられた電極とを当接し、超音波を印加することによって接合し、半導体装置を製造する。このことによって、超音波の印加方向に関らず、突起電極と電極との電気的接合信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態である超音波フリップチップ接合用回路基板20の構成を簡略化して示す部分平面図である。
【図2】図1の切断面線II−IIから見た断面図である。
【図3】他の回路配線に接続されていない配線パターン22を示す平面図である。
【図4】回路基板の拡張パターン24に関する変形を例示する部分平面図である。
【図5】回路基板の拡張パターン24に関する変形を例示する部分平面図である。
【図6】回路基板の拡張パターン24に関する変形を例示する部分平面図である。
【図7】回路基板の拡張パターン24に関する変形を例示する部分平面図である。
【図8】従来技術の超音波フリップチップ接合法の概略を示す図である。
【図9】超音波フリップチップ接合される半導体装置10の平面図である。
【図10】図9に示す切断面線X−Xから見た断面図である。
【図11】図9に示す切断面線XI−XIから見た断面図である。
【図12】超音波印加後の切断面線X−Xから見た断面図である。
【図13】超音波印加後の切断面線XI−XIから見た断面図である。
【符号の説明】
20 超音波フリップチップ接合用回路基板
21 絶縁基材
22 配線パターン
23 突起電極
24 拡張パターン
【発明の属する技術分野】
本発明は、超音波フリップチップ接合用回路基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置を製造するに際し、半導体素子を回路基板に短時間に効率良く接合する方法として、半導体素子に超音波振動を印加して接合する超音波フリップチップ接合法が知られている(たとえば、特許文献1参照)。
【0003】
図8は、従来技術の超音波フリップチップ接合法の概略を示す図である。図8を参照して従来技術の超音波フリップチップ接合法を説明する。絶縁基材1には配線パターン2が設けられ、さらに配線パターン2上には突起電極3が設けられて回路基板4が準備される。一方半導体素子5には、前述の配線パターン2上に設けられる突起電極3に対応するように電極6が設けられる。電極6の設けられた半導体素子5は、超音波振動を半導体素子5に伝達するヘッド7に装着され、電極6が回路基板4の突起電極3を臨むように位置合わせした後、矢符8方向に荷重を負荷し、電極6と突起電極3とを当接させる。その後ヘッド7を介して半導体素子5に矢符9に示す方向に超音波振動を印加し、半導体素子5の電極6と、絶縁基材1の配線パターン2上の突起電極3とを接合する。
【0004】
しかしながら、従来技術には以下のような問題がある。図9は超音波フリップチップ接合される半導体装置10の平面図であり、図10は図9に示す切断面線X−Xから見た断面図であり、図11は図9に示す切断面線XI−XIから見た断面図である。
【0005】
図9に示すように配線パターン2には、設計上、矢符9で示す超音波振動の印加方向(以後、振動を略して超音波印加方向と呼ぶ)に長手方向を有して延びる配線パターン2aと、超音波印加方向に直交する方向に長手方向を有して延びる配線パターン2bとが形成される。なお配線パターンを総称する場合には、アルファベットを省き、個々の配線パターンについてはアルファベットaまたはbを付して表す。図10は配線パターン2a上に突起電極3が設けられた場合を表し、図11は配線パターン2b上に突起電極3が設けられた場合を表す。
【0006】
図10に示すように、突起電極3が配線パターン2a上に設けられるとき、突起電極3の配線パターン2aに固設されている基底部分の超音波印加方向の長さELに対し、配線パターン2aは超音波印加方向に充分な長さを有している。一方図11に示すように、突起電極3が配線パターン2b上に設けられるとき、突起電極3の配線パターン2bに固設されている基底部分の超音波印加方向の長さEWと、配線パターン2bの超音波印加方向の長さW(配線パターン2bの短手方向の長さであるので、便宜上幅Wと呼ぶ)とは、ほとんど等しい。
【0007】
図10および図11に示すような状態で、矢符9方向に超音波を印加し、半導体素子5の電極6と、回路基板4の突起電極3とを接合すると、配線パターン2b上に突起電極3が設けられた場合に問題を生じる。図12は超音波印加後の切断面線X−Xから見た断面図であり、図13は超音波印加後の切断面線XI−XIから見た断面図である。
【0008】
図12に示すように、突起電極3の前記基底部分の超音波印加方向の長さELに対し、配線パターン2aが超音波印加方向に充分な長さを有しているとき、超音波印加方向に対して、配線パターン2aと絶縁基材1との接着界面が充分な広さと強度とを有するので、絶縁基材1、配線パターン2aおよび突起電極3が一体的に挙動し、絶縁基板1により、配線パターン2aおよび突起電極3がともに振動しにくくなる。したがって、突起電極3と電極6との当接面において、半導体素子5を介して伝達される超音波(振動)に基づく摩擦熱が充分に発生し、健全な接合が達成される。
【0009】
一方図13に示すように、突起電極3の前記基底部分の超音波印加方向の長さEWと配線パターン2bの幅Wとがほとんど等しいとき、超音波印加方向に対して、配線パターン2bと絶縁基材1との接着界面が狭くその強度も小さいので、半導体素子5を介して電極6に伝達される超音波に伴って、突起電極3および配線パターン2bがともに振動し、前記接着界面において摩擦熱が発生するようになる。したがって、突起電極3と電極6との当接面において超音波に基づく摩擦熱が充分に発生しないので、突起電極3と電極6とが接合不良を生じ、また甚だしい場合には、絶縁基材1と配線パターン2bとの界面が剥離し、配線パターン2bが、絶縁基材1の中に沈むという現象が発生するという問題がある。
【0010】
【特許文献1】
特開2002−289644号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、超音波フリップチップ接合に際し、超音波振動の印加方向に関らず回路基板の突起電極と半導体素子の電極との接合信頼性に優れる超音波フリップチップ接合用回路基板およびそれを用いる半導体装置の製造方法を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、絶縁基材と、絶縁基材上に設けられ導電性材料からなる配線パターンと、配線パターン上に設けられる突起電極とを備え、半導体素子上に前記突起電極に対応するように設けられる電極と前記突起電極とが当接された状態で超音波印加されることによって接合される超音波フリップチップ接合用回路基板において、
前記絶縁基材上には、前記配線パターンの前記突起電極が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターンが形成されることを特徴とする超音波フリップチップ接合用回路基板である。
【0013】
本発明に従えば、超音波フリップチップ接合用回路基板は、絶縁基材と、絶縁基材上に設けられ導電性材料からなる配線パターンと、配線パターン上に設けられる突起電極とを備え、絶縁基材上には、配線パターンの突起電極が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターンが形成される。配線パターンの突起電極が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターンを形成することによって、配線パターンの超音波印加方向の長さが、突起電極の配線パターンに固設される基底部分の超音波印加方向の長さにほとんど等しくて短いときであっても、超音波印加方向に対して、配線パターンおよび拡張パターンと絶縁基材との接着界面に、充分な広さと強度とを付与することができる。したがって、半導体素子および電極に超音波を印加するとき、絶縁基材、配線パターンおよび拡張パターンならびに突起電極が一体的に挙動することができ、突起電極が振動しにくくなるので、突起電極と電極との当接面において超音波に基づく摩擦熱が充分に発生し、健全な接合が達成される。
【0014】
また本発明は、前記拡張パターンは、
前記配線パターンを介して対向するように形成され、
前記配線パターンをも含める超音波印加方向における長さが、前記突起電極の超音波印加方向における長さの1.8倍以上であることを特徴とする。
【0015】
本発明に従えば、拡張パターンは、配線パターンを介して対向するように形成され、配線パターンをも含める超音波印加方向における長さが、突起電極の超音波印加方向における長さの1.8倍以上になるように設定される。このことによって、配線パターンおよび拡張パターンと絶縁基材との界面接着強度が確実に保たれるので、突起電極と電極との健全な接合を達成することができる。
【0016】
また本発明は、前記の超音波フリップチップ接合用回路基板と、電極の設けられた半導体素子とを準備し、
超音波フリップチップ接合用回路基板に設けられた突起電極と、半導体素子に設けられた電極とを当接し、
突起電極と電極とを当接した状態で超音波を印加することによって接合することを特徴とする超音波フリップチップ接合用回路基板を用いた半導体装置の製造方法である。
【0017】
本発明に従えば、前記の超音波フリップチップ接合用回路基板と、電極の設けられた半導体素子とを準備し、超音波フリップチップ接合用回路基板に設けられた突起電極と、半導体素子に設けられた電極とを当接し、超音波を印加することによって接合し、半導体装置を製造する。このことによって、超音波の印加方向に関らず、突起電極と電極との電気的接合信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の実施の一形態である超音波フリップチップ接合用回路基板20の構成を簡略化して示す部分平面図であり、図2は図1の切断面線II−IIから見た断面図である。超音波フリップチップ接合用回路基板20(以後、回路基板20と略称する)は、絶縁基材21と、絶縁基材21上に設けられ導電性材料からなる配線パターン22と、配線パターン22上に設けられる突起電極23とを備え、絶縁基材21上には、配線パターン22の突起電極23が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターン24が形成される。本実施の形態では、拡張パターン24は、配線パターン22を介して対向するように2つ(24a,24b)形成される。なお、拡張パターンを総称する場合には添字を省いて表し、個々の拡張パターンについては添字を付して表す。
【0019】
このように構成される回路基板20は、図示を省略する半導体素子上に突起電極23に対応するように設けられる電極と、突起電極23とが当接された状態で、超音波印加されることによって接合されて半導体装置を構成する。
【0020】
絶縁基材21は、たとえばエポキシ樹脂や液晶ポリマーなどからなる有機基板であり、その構成は、単層、両面2層、多層のいずれであってもよい。配線パターン22に用いる素材には、導電性材料が用いられるけれども、金(Au)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)などの金属材料が好ましい。絶縁基材21上への配線パターン22の形成には、公知の方法であるCVD(Chemical Vapor Deposition)、PVD(Physical Vapor Deposition)、めっき法などを用いることができる。
【0021】
拡張パターン24a,24bは、本実施の形態では、配線パターン22と同一の素材を用いて、配線パターン22の形成と同時に同様の方法によって、絶縁基材21上に配線パターン22を介して対向するように形成される。個々の拡張パターン24a,24bは、平面投影形状が三角形に形成され、三角形の一辺において配線パターン22に連なり、矢符25で示す超音波印加方向に延びる。ここで、配線パターン22の超音波印加方向の長さである幅Wと、拡張パターン24の超音波印加方向に延びる長さLa,Lbとを加算した長さをL1(=W+La+Lb)とする。
【0022】
配線パターン22上に設けられる突起電極23は、本実施の形態では、Cuを用いてめっき法により直方体形状に形成される。突起電極23の表層には、さらにめっき法によってニッケル(Ni)およびAu層が形成される。ここで、突起電極23の超音波印加方向の長さをL2とする。
【0023】
突起電極23と半導体素子に設けられる電極とに超音波を印加して一層健全な接合部を得るためには、前記長さL1と長さL2との間に、特定の関係を設定することが好ましい。たとえば、突起電極23の高さと配線パターン22の厚みとを加算した高さHが20〜30μm、突起電極23の前記長さL2が40〜60μmであり、絶縁基材21に弾性率:700kgf/mm2であるガラスエポキシを用いる場合、長さL1は、長さL2の1.8倍以上(L1≧1.8L2)に設定されることが好ましい。また絶縁基材21に前述のガラスエポキシよりも弾性率の小さい液晶ポリマー(弾性率:600kgf/mm2)が用いられる場合、長さL1は、長さL2の2.0倍以上(L1≧2.0L2)に設定されることが好ましい。絶縁基材21に用いられる素材の弾性率が大きくなるのに伴って、前記長さL2に対する前記長さL1の比を小さくすることができるけれども、弾性率の高い材料選択にも限界があるので、前記長さL2に対する前記長さL1の比を1.8倍以上に設定することが望ましい。
【0024】
また拡張パターン24a,24bの配線パターン22に連なる部分の長さであって、超音波印加方向に直交する方向の長さL3は、突起電極23の超音波印加方向の長さL2の約2倍になるように形成されるとともに、拡張パターン24aと拡張パターン24bとにおいて、等しい長さになるように形成されることが好ましい。さらに拡張パターン24が形成される場合、互いに隣接する配線パターン22が拡張パターン24によって接触、すなわち電気的な短絡を生じないようにしなければならないので、たとえば配線パターン22の形成ピッチが150μmである場合、隣接する拡張パターン同志の間隔を、20μm以上設けることが好ましい。
【0025】
このように構成される回路基板20では、配線パターン22の幅Wが、突起電極23の超音波印加方向の長さL2にほとんど等しくて短いときであっても、超音波印加方向に対して、配線パターン22および拡張パターン24と絶縁基材21との接着界面に、充分な広さと強度とを付与することができる。したがって、半導体素子および電極に超音波を印加するとき、絶縁基材21、配線パターン22および拡張パターン24ならびに突起電極23が一体的に挙動することができ、突起電極23が振動しにくくなるので、突起電極23と電極との当接面において超音波による摩擦熱が充分に発生し、健全な接合が達成され、電気的接合信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【0026】
図3は、他の回路配線に接続されていない配線パターン22を示す平面図である。他の回路配線に接続されていない、いわゆる浮きパターンを形成する場合についても、前述の図1および図2に示す回路基板20と同様に構成される。
【0027】
図4〜図7は、本発明の実施の他の形態である回路基板の構成を簡略化して示す部分平面図である。図4〜図7の回路基板は、拡張パターン24に関する種々の変形を例示するものであり、実施の第1形態の回路基板20に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。なお図4〜図7では、絶縁基材21の図示を省略している。
【0028】
図4に示す回路基板では、拡張パターン24c1,24c2の平面投影形状が、半楕円形状になるように形成される。図5に示す回路基板では、拡張パターン24d1,24d2の平面投影形状が、半長円形状になるように形成される。図6に示す回路基板では、拡張パターン24e1,24e2の平面投影形状が、長方形になるように形成される。
【0029】
図7に示す回路基板では、配線パターン22を介して対向するように形成される拡張パターン24が、配線パターン22の片側にそれぞれ2個ずつ形成される。個々の拡張パターン24f1,24f2,24f3,24f4は、平面投影形状が長円の一方の円弧を欠く形状を有し、前述の円弧を欠く方の端部において配線パターン22に連なるように形成される。
【0030】
図4〜図7に示すように拡張パターン24の形状および寸法は、特に限定されることはなく、半導体素子および電極に超音波を印加するとき、絶縁基材21、配線パターン22および拡張パターン24ならびに突起電極23が一体的に挙動することができ、突起電極23が振動しにくくなり、突起電極23と電極との健全な接合が達成されるという目的の範囲内で選定されてよい。
【0031】
しかしながら、実施の第1形態の回路基板20の構成について述べたように、配線パターン22の幅Wと、拡張パターン24の超音波印加方向に延びる長さLa,Lbとを加算した長さL1は、突起電極23の超音波印加方向の長さL2の1.8倍以上になるように形成され、拡張パターン24の配線パターン22に連なる部分の長さL3は、前記長さL2のほぼ2倍になるように形成され、配線パターン22を介して対向する拡張パターン24は、ほぼ同一の形状になるように形成されることが、好ましい。
【0032】
【発明の効果】
本発明によれば、超音波フリップチップ接合用回路基板は、絶縁基材と、絶縁基材上に設けられ導電性材料からなる配線パターンと、配線パターン上に設けられる突起電極とを備え、絶縁基材上には、配線パターンの突起電極が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターンが形成される。配線パターンの突起電極が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターンを形成することによって、配線パターンの超音波印加方向の長さが、突起電極の配線パターンに固設される基底部分の超音波印加方向の長さにほとんど等しくて短いときであっても、超音波印加方向に対して、配線パターンおよび拡張パターンと絶縁基材との接着界面に、充分な広さと強度とを付与することができる。したがって、半導体素子および電極に超音波を印加するとき、絶縁基材、配線パターンおよび拡張パターンならびに突起電極が一体的に挙動することができ、突起電極が振動しにくくなるので、突起電極と電極との当接面において超音波に基づく摩擦熱が充分に発生し、健全な接合が達成される。
【0033】
また本発明によれば、拡張パターンは、配線パターンを介して対向するように形成され、配線パターンをも含める超音波印加方向における長さが、突起電極の超音波印加方向における長さの1.8倍以上になるように設定される。このことによって、配線パターンおよび拡張パターンと絶縁基材との界面接着強度が確実に保たれるので、突起電極と電極との健全な接合を達成することができる。
【0034】
また本発明によれば、前記の超音波フリップチップ接合用回路基板と、電極の設けられた半導体素子とを準備し、超音波フリップチップ接合用回路基板に設けられた突起電極と、半導体素子に設けられた電極とを当接し、超音波を印加することによって接合し、半導体装置を製造する。このことによって、超音波の印加方向に関らず、突起電極と電極との電気的接合信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態である超音波フリップチップ接合用回路基板20の構成を簡略化して示す部分平面図である。
【図2】図1の切断面線II−IIから見た断面図である。
【図3】他の回路配線に接続されていない配線パターン22を示す平面図である。
【図4】回路基板の拡張パターン24に関する変形を例示する部分平面図である。
【図5】回路基板の拡張パターン24に関する変形を例示する部分平面図である。
【図6】回路基板の拡張パターン24に関する変形を例示する部分平面図である。
【図7】回路基板の拡張パターン24に関する変形を例示する部分平面図である。
【図8】従来技術の超音波フリップチップ接合法の概略を示す図である。
【図9】超音波フリップチップ接合される半導体装置10の平面図である。
【図10】図9に示す切断面線X−Xから見た断面図である。
【図11】図9に示す切断面線XI−XIから見た断面図である。
【図12】超音波印加後の切断面線X−Xから見た断面図である。
【図13】超音波印加後の切断面線XI−XIから見た断面図である。
【符号の説明】
20 超音波フリップチップ接合用回路基板
21 絶縁基材
22 配線パターン
23 突起電極
24 拡張パターン
Claims (3)
- 絶縁基材と、絶縁基材上に設けられ導電性材料からなる配線パターンと、配線パターン上に設けられる突起電極とを備え、半導体素子上に前記突起電極に対応するように設けられる電極と前記突起電極とが当接された状態で超音波印加されることによって接合される超音波フリップチップ接合用回路基板において、
前記絶縁基材上には、前記配線パターンの前記突起電極が設けられる部位に連なり超音波が印加される方向に延びる拡張パターンが形成されることを特徴とする超音波フリップチップ接合用回路基板。 - 前記拡張パターンは、
前記配線パターンを介して対向するように形成され、
前記配線パターンをも含める超音波印加方向における長さが、前記突起電極の超音波印加方向における長さの1.8倍以上であることを特徴とする請求項1記載の超音波フリップチップ接合用回路基板。 - 請求項1または2記載の超音波フリップチップ接合用回路基板と、電極の設けられた半導体素子とを準備し、
超音波フリップチップ接合用回路基板に設けられた突起電極と、半導体素子に設けられた電極とを当接し、
突起電極と電極とを当接した状態で超音波を印加することによって接合することを特徴とする超音波フリップチップ接合用回路基板を用いた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2003101695A JP2004311637A (ja) | 2003-04-04 | 2003-04-04 | 超音波フリップチップ接合用回路基板およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2006253953A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 通信用高周波モジュールおよびその製造方法 |
JP2006319211A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Sharp Corp | 半導体チップの実装構造 |
US7712650B2 (en) * | 2005-10-11 | 2010-05-11 | Fujitsu Limited | Method of mounting a semiconductor chip |
-
2003
- 2003-04-04 JP JP2003101695A patent/JP2004311637A/ja active Pending
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