JP2004311617A - レジスト材及び／又は平坦化材の除去方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体デバイスの製造工程において、基板上の低誘電層間絶縁膜に微細パターンを形成した後、絶縁膜にダメージを与えることなく、絶縁膜加工に用いたレジスト材や平坦化材を容易に除去することができる方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造工程において、低誘電層間絶縁膜２１の加工後に基板２０上に残存するレジスト材及び／又は平坦化材２６を粘着部材１で覆った後、粘着部材１をレジスト材及び／又は平坦化材２６と一体にして、絶縁膜２１は基板２０に残しつつ、基板２０から剥離するレジスト材及び／又は平坦化材の除去方法である。
【選択図】 図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの製造工程において、低誘電層間絶縁膜加工後に基板上に残存するレジスト材や平坦化材の除去性を向上させるレジスト材及び／又は平坦化材の除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程、特にその後工程においては、例えば、シリコン酸化膜からなる絶縁膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして絶縁膜をドライエッチングした後に、アルミニウム（Ａｌ）等の金属を埋め込むことにより配線加工を行っている。近年、半導体デバイスが高集積化する一方で、配線間距離が短くなることにより、例えば配線遅延等の電気特性を劣化させる問題が顕在化している。
【０００３】この問題を解決するために、各デバイスメーカーでは、いわゆる銅（Ｃｕ）／低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）材料を積極的に検討している。すなわち、配線材としてＡｌに比べて電気抵抗のより小さいＣｕを適用すること、及び従来のシリコン酸化膜に比べて絶縁性の高い低誘電率材料を配線間絶縁材料として用いることが検討されるようになってきた。
【０００４】しかるに、これら２つの新材料のうち、Ｃｕを配線に適用することに関しては既に実用化段階にあるものの、一方の低誘電層間絶縁膜に関しては未だ検討段階から脱却できていない。この原因は、主に当該材料の機械強度不足と、加工後の膜質変化の２点にあると言われている。
【０００５】これらの材料は、あらかじめプラグ穴（ビアホール）と配線溝加工を施した絶縁膜に一気にＣｕを埋め込むデュアルダマシン加工プロセスに適用されているが、デュアルダマシン加工後のレジスト材や平坦化材の除去工程に、従来公知の酸素アッシング法を適用すると、この工程中に絶縁膜も酸化反応を起こして誘電率が上昇してしまうのである。
【０００６】この問題を解決するために、レジスト材や平坦化材の除去工程に使用されるアッシングガス種、ガス混合比、プロセス条件の検討が積極的に行われているほか、薬液を用いる湿式剥離法も検討されている。しかし、これらの手法は、未だ技術的に確立されるに至っておらず、低誘電層間絶縁膜にダメージを与えずに〔機械強度低下や誘電率上昇（電気特性劣化）を起こさずに〕、レジスト材や平坦化材を除去できる方法が要請されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、上記した従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体デバイスの製造工程において、基板上の低誘電層間絶縁膜に微細パターンを形成した後、前記絶縁膜にダメージを与えることなく、前記絶縁膜加工に用いたレジスト材や平坦化材を容易に除去することができる方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれば、半導体デバイスの製造工程において、低誘電層間絶縁膜加工後に基板上に残存するレジスト材及び／又は平坦化材を粘着部材で覆った後、前記粘着部材を前記レジスト材及び／又は前記平坦化材と一体にして、前記絶縁膜は前記基板に残しつつ、前記基板から剥離することを特徴とするレジスト材及び／又は平坦化材の除去方法、が提供される。
【０００９】本発明の除去方法においては、低誘電層間絶縁膜加工後の基板表面が絶縁膜、レジスト材及び平坦化材により凹凸に形成され、粘着部材でレジスト材及び／又は平坦化材上を覆うとともに、凹部内に粘着部材を充填することが、レジスト材及び／又は平坦化材を確実に剥がす上から好ましい。また、粘着部材は、低誘電層間絶縁膜に対する粘着力に比して、レジスト材及び平坦化材に対する粘着力が大きいことが、シリコンウエハ等の基板に絶縁膜を残しつつ、レジスト材及び平坦化材のみを基板から選択的に剥離除去する点から好ましい。
【００１０】さらに本発明の除去方法において、低誘電層間絶縁膜加工としては、低誘電層間絶縁膜を含むビアホールパターンを平坦化材により平坦化した後トレンチパターン加工を施すデュアルダマシン加工プロセス（ビアファースト法）、または、低誘電層間絶縁膜を含むトレンチパターンを平坦化材により平坦化した後ビアホールパターン加工を施すデュアルダマシン加工プロセス（トレンチファースト法）を好適なものとして挙げることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態に従ってさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
本発明に係るレジスト材及び／又は平坦化材の除去方法の対象は、シリコンウエハなどの基板上に低誘電層間絶縁膜を加工してなるものである。すなわち、従来公知のシリコン酸化膜を絶縁膜として用いるものは対象外で、誘電率（ｋ）が２．８以下の低誘電率材料を絶縁膜として用い、それをデュアルダマシン加工プロセスにより加工してなるものをその対象とする。
【００１２】デュアルダマシン加工プロセスは、シリコンウエハなどの基板上に低誘電層間絶縁膜を加工するものであるが、この加工プロセスのうち、例えばビアファースト（ｖｉａ ｆｉｒｓｔ）法（後述の実施例１及び図２を参照）では、約０．５μｍ厚さの絶縁膜に約０．１２〜０．１４μｍ径の細い孔（ビアホール）が形成されているため、平坦化材をビアホールに埋め込みかつ絶縁膜上を被覆した後に、平坦化材上にレジスト材によりレジストパターンを形成する手法を採用している。また、デュアルダマシン加工プロセスのうち、トレンチファースト（ｔｒｅｎｃｈ ｆｉｒｓｔ）法（後述の実施例２及び図３を参照）においても、エッチング後には絶縁膜に細い孔（ビアホール）が形成された形態となっている。
【００１３】上記のように、デュアルダマシン加工プロセスによれば、エッチング後には基板上の絶縁膜にビアホールと配線溝加工が形成され、レジスト材及び／又は平坦化材が基板上に残存しているとともに、細いビアホールには平坦化材が充填された状態か、あるいは細い空間となっている。
【００１４】本発明では、このような凹凸の激しい基板表面上のレジスト材及び／又は平坦化材上を粘着部材で覆うようにし、次いで、絶縁膜は基板に残しつつ、粘着部材をレジスト材及び／又は平坦化材と一体にして基板から剥がすのである。
【００１５】したがって、本発明方法においては、粘着部材を凹部内に十分に行き渡るように充填することが、細いビアホールに充填された平坦化材を基板から剥がす上から望ましい。また、本発明において、粘着部材は、低誘電層間絶縁膜に対する粘着力に比して、レジスト材及び平坦化材に対する粘着力を大きくするように選択あるいは調整することが好ましく、このように粘着部材を選ぶことにより、シリコンウエハ等の基板に絶縁膜を残しつつ、レジスト材及び平坦化材のみを基板から選択的に剥離除去することができ、好ましい。ここで用いられるレジスト材としては、平坦化材による平坦化膜を加工するために用いられるものが好ましく、シリコン含有のレジストが好ましい。
【００１６】本発明において用いる低誘電層間絶縁膜としては、例えば、ＳｉＯＣなどのＲＳｉＯ_１．５（Ｒは有機基）を典型的なものとして挙げることができ、さらに低誘電率とするためには、絶縁膜を多孔質に形成する。絶縁膜を多孔質とする場合、約３ｎｍ程度の気孔を均一に設けた空隙率２０％以上のものが好ましい。なお、平坦化材としては従来公知のもので、例えばノボラック樹脂、アセナフチレン系樹脂等が使用できる。
【００１７】次に、本発明に使用する粘着シート材を説明する。
図１は、本発明に使用する粘着シート材の一実施形態の構成を示す断面図である。図１において、粘着シート材１は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックからなる厚さ約１０〜１００μｍのフィルム基材１０上に、厚さ約１０〜３００μｍの粘着剤層１１を積層してシート状やテープ状に形成したものである。
【００１８】ここで、粘着剤層１１は非硬化型であっても、熱又は紫外線等の活性エネルギーにより硬化する硬化型であってもよい。
上記の非硬化型および硬化型の粘着剤層としては、従来公知の材料を使用することができるが、そのうち、硬化型の粘着剤について述べれば、次の通りである。
【００１９】硬化型の粘着剤としては、アクリル系ポリマーを粘着性ポリマーとし、これに分子内に重合性炭素−炭素二重結合を１個以上有する分子量が通常１０，０００以下の不揮発性低分子量体（以下、硬化性化合物という。）及び光重合開始剤を配合し、また必要により架橋剤としてポリイソシアネート、ポリエポキシ、各種金属塩、キレート化合物等の多官能性化合物や、微粉シリカなどの充填剤、粘着付与樹脂、着色剤、老化防止剤、重合禁止剤などの各種添加剤を配合したものが、好ましく用いられる。
【００２０】粘着力は、例えば、シリコンウエハに対する１８０度剥離接着力として、硬化後で通常１５０ｇ／１０ｍｍ幅未満であり、１０〜１００ｇ／１０ｍｍ幅であることが望ましい。また、上記したように、粘着剤の粘着力は、低誘電層間絶縁膜に対しては例えば５０ｇ／１０ｍｍ幅未満と低くし、一方レジスト材及び平坦化材に対する粘着力を１００ｇ／１０ｍｍ幅以上と２倍、又はそれ以上に大きくすることにより、基板に絶縁膜を残しつつ、レジスト材及び平坦化材のみを基板から選択的に剥離除去することができる。
【００２１】アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの単独重合体、上記モノマーとカルボキシル基または水酸基含有モノマーやその他の改質用モノマ―との共重合体などからなる、重量平均分子量が通常３０万〜２００万のものが好ましい。硬化性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、オリゴエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーなどがある。光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジル、イソプロピルベンゾインエ―テル、ベンゾフエノン、ミヒラーズケトンクロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、アセトフエノンジエチルケタール、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトンなどを挙げることができる。
【００２２】図２（ａ）〜（ｇ）及び図３（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ、上記構成の粘着シート材を用いて、半導体デバイス製造の後工程において低誘電層間絶縁膜加工後に基板上に残存するレジスト材や平坦化材を除去する方法を示す工程図である。
【００２３】図２（ａ）〜（ｅ）はデュアルダマシン加工プロセスのビアファースト法を示しており、シリコンウエハ２０上に低誘電層間絶縁膜２１を製膜後、この絶縁膜２１上に反射防止膜２２を製膜し、反射防止膜２２上にレジスト被膜２３を形成する（図２（ａ）参照）。その後、ステッパーを用い、マスクパターンを介して、エキシマレーザーよりホールパターンを形成できる露光量にて露光し、次に、ホットプレート上で加熱し、次いで現像、水洗及び乾燥して、ポジ型レジストホールパターンを形成する。このホールパターン付き基板を、上記絶縁膜加工条件でエッチングして、ホールパターン付き基板２５を得る（図２（ｂ）参照）。
【００２４】次に、基板２５上に、平坦化材２６を製膜した後（図２（ｃ）参照）、レジストを製膜し、次いでステッパーを用い、マスクパターンを介して、エキシマレーザーより、基板２５にあらかじめ形成しておいた絶縁膜２１のホールパターン直上にラインアンドスペースパターンを形成できるように位置合わせを施して露光する。次に、ホットプレートで加熱した後、現像、水洗及び乾燥して、ポジ型レジストラインアンドスペースパターンを形成する（図２（ｄ）参照）。このラインアンドスペースパターン被膜２７を、上記絶縁膜加工条件でエッチングして、ラインアンドスペースパターンとその直下にホールパターンを持つデュアルダマシン加工を施す（図２（ｅ）参照）。
【００２５】次に、絶縁膜２１のホール内及び表面に平坦化材２６の残存する基板２０に、粘着シート材１を圧着する（図２（ｆ）参照）。この際、凹部（ラインアンドスペース）内に十分に粘着剤１１が充填され、ビアホール内の平坦化材２６上にも粘着剤１１が被覆されるように圧着する。次いで、このように圧着した粘着シート材１を、絶縁膜２１は基板２０に残しつつ、平坦化材２６と一体的に、基板２０から剥離する（図２（ｇ）参照）。
【００２６】図３（ａ）〜（ｅ）はデュアルダマシン加工プロセスのトレンチファースト法を示しており、シリコンウエハ３０上に、低誘電層間絶縁膜３１を製膜後、この絶縁膜３１上に反射防止膜３２を製膜し、反射防止膜３２上にレジスト被膜３３を形成する（図３（ａ）参照）。その後、ステッパーを用い、マスクパターンを介して、エキシマレーザーより、ラインアンドスペースパターンを形成できる露光量にて露光し、次に、ホットプレートで加熱し、次いで現像、水洗及び乾燥して、ポジ型レジストラインアンドスペースパターンを形成する。このラインアンドスペースパターン被膜を、上記絶縁膜加工条件でエッチングして、ラインアンドスペースパターン付き基板３５を得る（図３（ｂ）参照）。
【００２７】次に、基板３５上に、平坦化材３６を製膜した後（図３（ｃ）参照）、レジストを製膜し、次いでステッパーを用い、マスクパターンを介して、エキシマレーザーより、基板３５にあらかじめ形成しておいた絶縁膜３１のラインアンドスペースパターン直上にホールパターンを形成できるように位置合わせを施して露光する。次に、ホットプレートで加熱した後、現像、水洗及び乾燥して、ポジ型レジストホールパターンを形成する（図３（ｄ）参照）。このホールパターンのレジスト被膜３７を、上記絶縁膜加工条件でエッチングして、ラインアンドスペースとその直下にホールパターンを持つデュアルダマシン加工を施す（図３（ｅ）参照）。
【００２８】次に、絶縁膜３１のラインアンドスペースパターン内に平坦化材３６の残存する基板３０に、粘着シート材１を圧着する（図３（ｆ）参照）。この際、細い径の凹部（ホール）内に十分に粘着剤１１が充填されるように圧着する。次いで、このように圧着した粘着シート材１を、絶縁膜３１は基板３０に残しつつ、平坦化材３６と一体的に、基板３０から剥離する（図３（ｇ）参照）。
【００２９】上記のように、本発明の除去方法によれば、低誘電層間絶縁膜をデュアルダマシン加工した後のレジスト材や平坦化材の除去工程に、従来公知の酸素アッシング法を適用せず、絶縁膜の機械特性及び電気特性を維持し、基板に絶縁膜を残しつつ、レジスト材及び平坦化材のみを基板から選択的に、しかも簡便且つ確実に剥離除去することができる。そして、本発明では、細いビアホールに充填された平坦化材をも基板から選択的かつ確実に剥離除去することができる。
【００３０】
【実施例】次に、実施例に基づいて、本発明をより具体的に説明する。なお、以下、部とあるのは重量部を意味するものとする。
【００３１】粘着シート材の作製：
アクリル酸ｎ−ブチル６０部、アクリル酸エチル３０部、アクリル酸１０部からなるモノマー混合物を、酢酸エチル２００部、アゾビスイソブチロニトリル０．１部を用いて、窒素気流下、６０℃で１２時間溶液重合を行い、重量平均分子量が１００万のアクリル系ポリマーの溶液を得た。
【００３２】この溶液に、アクリル系ポリマー１００部に対し、硬化性化合物としてポリエチレングリコールジアクリレート２０部、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート１５部、トリメチロールプロパントリアクリレート４０部、多官能性化合物としてジフェニルメタンジイソシアネート５部、光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン５部を、均一に混合して、熱硬化型の粘着剤溶液を調製した。
【００３３】この熱硬化型の粘着剤溶液を、厚さが５０μｍのポリエステルフィルム上に、乾燥後の厚さが３５μｍとなるように塗布し、１３０℃で３分間乾燥して、熱硬化型の粘着シート材Ａを作製した。
【００３４】基板の作製（基板Ｂ）：
シリコンウエハ上に、スピンオンタイプの低誘電層間絶縁膜（商品名；ＬＫＤ５１０９、ＪＳＲ（株）製）５０００オングストロームを製膜した。次に、この絶縁膜上にＫｒＦ用反射防止膜（商品名；ＡＲ３、シップレー社製）を６００オングストローム製膜した後、この反射防止膜上にＫｒＦ用レジスト組成物溶液（商品名；ＫＲＦＭ２０Ｇ、ＪＳＲ（株）製）をスピンコートし、１４０℃のホットプレート上で６０秒間予備加熱して、膜厚０．６１μｍのレジスト被膜を形成した。
【００３５】その後、（株）ニコン製ステッパー：ＮＳＲ２００５ＥＸ１２Ｂ（波長２４８ｎｍ）を用い、マスクパターンを介して、ＫｒＦエキシマレーザーより、直径０．２５μｍのホールパターンを形成できる露光量にて露光した。次に、１４０℃のホットプレート上で９０秒間後加熱した後、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、２３℃で３０秒間現像し、次いで水洗し、乾燥して、ポジ型レジストホールパターンを形成した。このホールパターンのレジスト被膜を、上記ＬＫＤ５１０９絶縁膜の加工条件でエッチングして、５０００オングストローム深さのホールパターン付き基板Ｂを得た。
【００３６】基板の作製（基板Ｃ）：
シリコンウエハ上に、スピンオンタイプの低誘電層間絶縁膜（商品名；ＬＫＤ５１０９、ＪＳＲ（株）製）５０００オングストロームを製膜した。次に、この絶縁膜上にＫｒＦ用反射防止膜（商品名；ＡＲ３、シップレー社製）を６００オングストローム製膜した後、この反射防止膜上にＫｒＦ用レジスト組成物溶液（商品名；ＫＲＦＭ２０Ｇ、ＪＳＲ（株）製）をスピンコートし、１４０℃のホットプレート上で６０秒間予備加熱して、膜厚０．６１μｍのレジスト被膜を形成した。
【００３７】その後、（株）ニコン製ステッパー：ＮＳＲ２００５ＥＸ１２Ｂ（波長２４８ｎｍ）を用い、マスクパターンを介して、ＫｒＦエキシマレーザーより、直径０．４μｍのラインアンドスペースパターンを形成できる露光量にて露光した。次に、１４０℃のホットプレート上で９０秒間後加熱した後、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、２３℃で３０秒間現像し、次いで水洗し、乾燥して、ポジ型レジストラインアンドスペースパターンを形成した。このラインアンドスペースパターン被膜を、上記ＬＫＤ５１０９絶縁膜の加工条件でエッチングして、２５００オングストローム深さのラインアンドスペースパターン付き基板Ｃを得た。
【００３８】
（実施例１）
基板Ｂ上に、平坦化兼反射防止膜（商品名；ＩＸ３７０Ｇ、ＪＳＲ（株）製）３０００オングストロームを製膜した後、シリコン含有レジストを膜厚２０００オングストロームで製膜した。その後、（株）ニコン製ステッパー：ＮＳＲ２００５ＥＸ１２Ｂ（波長２４８ｎｍ）を用い、マスクパターンを介して、ＫｒＦエキシマレーザーより、基板Ｂにあらかじめ形成しておいた絶縁膜のホールパターン直上に０．４μｍのラインアンドスペースパターンを形成できるように位置合わせを施して露光した。次に、１４０℃のホットプレートで９０秒間後加熱した後、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、２３℃で３０秒間現像し、次いで水洗し、乾燥して、ポジ型レジストラインアンドスペースパターンを形成した。このラインアンドスペースパターン被膜を、上記ＬＫＤ５１０９絶縁膜の加工条件でエッチングして、２５００オングストローム深さのラインアンドスペースパターンとその直下にホールパターンを持ついわゆるデュアルダマシン加工を施した。
【００３９】次に、ＬＫＤ５１０９絶縁膜のホール内及び表面に平坦化材ＩＸ３７０Ｇの残ったこの基板に、粘着シート材Ａを圧着した後、加熱−硬化処理を施した。次いで、このように加熱−硬化処理した粘着シート材Ａを引き剥がした後、基板の断面をＳＥＭ観察したところ、ＬＫＤ５１０９絶縁膜のホール内及び表面に残っていた平坦化材ＩＸ３７０Ｇが完全に除去されていることを確認した。
【００４０】
（実施例２）
基板Ｃ上に、平坦化兼反射防止膜（商品名；ＩＸ３７０Ｇ、ＪＳＲ（株）製）３０００オングストロームを製膜した後、シリコン含有レジストを膜厚２０００オングストロームで製膜した。その後、（株）ニコン製ステッパー：ＮＳＲ２００５ＥＸ１２Ｂ（波長２４８ｎｍ）を用い、マスクパターンを介して、ＫｒＦエキシマレーザーより、基板Ｃにあらかじめ形成しておいた絶縁膜のラインアンドスペースパターン直上に０．２５μｍのホールパターンを形成できるように位置合わせを施して露光した。次に、１４０℃のホットプレートで９０秒間後加熱した後、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、２３℃で３０秒間現像し、次いで水洗し、乾燥して、ポジ型レジストホールパターンを形成した。このホールパターンのレジスト被膜を、上記ＬＫＤ５１０９絶縁膜の加工条件でエッチングして、２５００オングストローム深さのラインアンドスペースとその直下にホールパターンを持ついわゆるデュアルダマシン加工を施した。
【００４１】次に、ＬＫＤ５１０９絶縁膜のラインパターン内に平坦化材ＩＸ３７０Ｇの残ったこの基板に、粘着シート材Ａを圧着した後、加熱−硬化処理を施した。次いで、このように加熱−硬化処理した粘着シート材Ａを引き剥がした後、基板の断面をＳＥＭ観察したところ、ＬＫＤ５１０９絶縁膜のラインパターン内に残っていた平坦化材ＩＸ３７０Ｇが完全に除去されていることを確認した。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によれば、半導体デバイスの製造工程において、低誘電率層間絶縁膜に微細パターンを加工形成した後、前記絶縁膜にダメージを与えずに、絶縁膜の機械強度や電気特性を劣化させることなく、前記絶縁膜加工に用いたレジスト材や平坦化材を容易且つ確実に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に使用する粘着シート材の一実施形態の構成を示す断面図である。
【図２】本発明に係る除去方法の一実施例を示す工程図である。
【図３】本発明に係る除去方法の他の実施例を示す工程図である。
【符号の説明】
１…粘着シート材、１０…フィルム基材、１１…粘着剤層、２０…シリコンウエハ、２１…低誘電層間絶縁膜、２２…反射防止膜、２３…レジスト被膜、２５…ホールパターン付き基板、２６…平坦化材、２７…ラインアンドスペースパターン被膜、３０…シリコンウエハ、３１…低誘電層間絶縁膜、３２…反射防止膜、３３…レジスト被膜、３５…ラインアンドスペースパターン付き基板、３６…平坦化材、３７…ホールパターンのレジスト被膜。

Claims (5)

1. 半導体デバイスの製造工程において、低誘電層間絶縁膜加工後に基板上に残存するレジスト材及び／又は平坦化材を粘着部材で覆った後、前記粘着部材を前記レジスト材及び／又は前記平坦化材と一体にして、前記絶縁膜は前記基板に残しつつ、前記基板から剥離することを特徴とするレジスト材及び／又は平坦化材の除去方法。
2. 前記低誘電層間絶縁膜加工後の基板表面が、前記絶縁膜、前記レジスト材及び前記平坦化材により凹凸状に形成され、前記粘着部材で前記レジスト材及び／又は前記平坦化材上を覆うとともに、凹部内に前記粘着部材を充填する請求項１記載のレジスト材及び／又は平坦化材の除去方法。
3. 前記粘着部材は、前記低誘電層間絶縁膜に対する粘着力に比して、前記レジスト材及び前記平坦化材に対する粘着力が大きい請求項１又は２記載のレジスト材及び／又は平坦化材の除去方法。
4. 前記低誘電層間絶縁膜加工が、低誘電層間絶縁膜を含むビアホールパターンを平坦化材により平坦化した後トレンチパターン加工を施すデュアルダマシン加工プロセスである請求項１〜３のいずれか一項に記載のレジスト材及び／又は平坦化材の除去方法。
5. 前記低誘電層間絶縁膜加工が、低誘電層間絶縁膜を含むトレンチパターンを平坦化材により平坦化した後ビアホールパターン加工を施すデュアルダマシン加工プロセスである請求項１〜３のいずれか一項に記載のレジスト材及び／又は平坦化材の除去方法。

Images