JP2004303843A

JP2004303843A - 多層基板および電子部品

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Publication number: JP2004303843A
Application number: JP2003092992A
Authority: JP
Inventors: Minoru Takatani; 稔高谷; Yasushi Tsuji; 裕史辻; Toshiichi Endo; 敏一遠藤; Hiroshige Okawa; 博茂大川
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2003-03-31
Filing date: 2003-03-31
Publication date: 2004-10-28

Abstract

【課題】回路の温度特性を改善し、かつ小型化が図れる多層基板とそれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した１枚以上の基板からなる。多層基板３の少なくとも１層に、樹脂に誘電体粉末を混合してなり、容量の温度係数が負となる誘電体層２ａ、２ｂを有し、該誘電体層を挟むコンデンサ電極５ｂ、５ｃを備える。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した基板を積層してなる多層基板とこれを用いた電子部品に係わり、特に温度特性を改善させた多層基板と電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
特許文献１には、樹脂に機能材料粉末を混合した複合材料として、熱安定の高い複合材料を提供することを目的として、２０℃〜５０℃で比誘電率が４以上で比誘電率の温度係数を１５０ｐｐｍ／℃以下としたものが開示されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−７９０５６号公報。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
樹脂あるいは樹脂に機能材料粉末を混合した複合材料を用いて多層基板および搭載電子部品により所定の機能を有するモジュールを構成する際に、搭載素子が正の温度係数を持つ場合には、モジュールの温度による特性変化を小さくするため、負の温度係数を持つ温度補償用コンデンサを搭載していた。
【０００５】
しかし前記特許文献１に記載の基板を用いた場合、コンデンサの比誘電率の温度係数を充分に小さくすることができないという問題点がある。また、温度補償用のコンデンサを搭載するための部品実装面を広くとる必要があり、小型化を阻害するという問題点があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑み、回路を温度特性を改善し、かつ小型化が図れる多層基板とそれを用いた電子部品を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
多くの樹脂の比誘電率の熱係数はおおよそ±５０〜６０ｐｐｍ／℃以内であり、かつ比誘電率も３程度と小さい。このような樹脂に、比誘電率の温度係数が負である誘電体粉末を含有させることで温度係数を負にすることが可能である。そして、その比誘電率が樹脂よりも大きな誘電体粉末を樹脂に混合することにより、複合誘電体の比誘電率を大きくすることが可能となり、電子部品の１種であるモジュールの小型化が可能になる。
【０００８】
さらに、分散させる負の温度係数を持つ誘電体粉末の種類や量を変えたり、あるいは、比較的比誘電率の大きな比誘電率を持ち、ゼロに近いかまたは正の温度係数を持つ誘電体粉末と負の温度係数を持つ誘電体粉末との混合比率を適宜変えることにより、複合誘電体の温度係数や比誘電率を、モジュールで必要とされる特性に合った値にすることが可能となる。すなわち、本願発明は以下のことを内容とする。
【０００９】
（１）本発明の多層基板は、樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した１枚以上の基板からなる多層基板であって、
前記多層基板の少なくとも１層に、樹脂に誘電体粉末を混合してなり、容量の温度係数が負となる誘電体層を有し、該誘電体層を挟むコンデンサ電極を備えたことを特徴とする。
【００１０】
（２）また、本発明の多層基板は、前記誘電体層の−２５〜８５℃における容量の温度係数が−８０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする。
【００１１】
（３）また、本発明の多層基板は、前記誘電体層に２種以上の誘電体粉末を含有することを特徴とする。
【００１２】
（４）また、本発明の多層基板は、前記誘電体層に混合する少なくとも１種の誘電体粉末の−２５〜８５℃における比誘電率の温度係数が−２００ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする。
【００１３】
（５）本発明の電子部品は、前記（１）〜（４）のうちのいずれかの多層基板により構成されていることを特徴とする。
【００１４】
（６）本発明の電子部品は、電圧制御発振器であることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１〜図４は本発明による多層基板の一実施の形態を示すもので、図１は断面図、図２は層構成図、図３は多層基板に搭載する部品の配置を示す平面図、図４は回路図である。本実施の形態は電子部品として電圧制御発振器を構成する場合について示すが、本発明は勿論他の電子部品にも適用できるものである。
【００１６】
図１において、１ａ〜１ｇは樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した複合材料からなる誘電体層、２ａ、２ｂは本発明により設けられた温度補償用誘電体層である。多層基板３はこれらの誘電体層１ａ〜１ｇ、２ａ、２ｂと、インダクタ層４形成用の導体パターン５ａと、コンデンサ層６形成用の導体パターン５ｂ、５ｃと、共振器層７形成のためのグランド用導体パターン５ｄ、５ｅおよびストリップライン用導体パターン５ｆとの積層体でなる。これらはビルドアップ工法や、複数枚の樹脂基板を接着層を介して同時に積層し接着する工法等により作製される。
【００１７】
８は多層基板３上の搭載部品、９はグランド用導体パターン５ｄ、５ｅ等の導体層と搭載部品８とを接続するスルーホール、１０は多層基板３の側面に形成され、多層基板３内の導体パターン間の接続あるいは外部接続用端子として設けられたサイドスルーホールである。
【００１８】
図２において、（ａ）が最上層、（ｂ）がその下の層、…（ｊ）が最下層となるように積層される。図３に示す搭載部品は、最上層の導体パターン上に半田付け等で固定して搭載される。
【００１９】
図４において、１１は制御電圧入力端子、１２は電源端子、１３は出力端子、Ｃ１〜Ｃ９はコンデンサ、Ｄ１はバリキャップダイオード、Ｒ１〜Ｒ４は抵抗、Ｌ１〜Ｌ３はインダクタ、Ｑ１、Ｑ２はトランジスタ、７Ａは前記共振器層７により構成される共振器である。
【００２０】
図１、図２と図４の対比から分かるように、前記インダクタＬ１、Ｌ２は前記インダクタ層４に形成される導体パターン５ａにより実現される。また、インダクタＬ３は最上層と、共振器７Ａのストリップライン５ｆと同層の導体パターンにより形成される。
【００２１】
コンデンサＣ２〜Ｃ５、Ｃ８は前記温度補償用誘電体層２ａを挟む導体パターン（コンデンサ電極）５ｂ、５ｃにより実現される。共振器７Ａは、グランド用導体パターン５ｄ、５ｅと、これらの間のストリップライン用導体パターン５ｆと、これらの間に設けられた温度補償用誘電体２ｂおよび誘電体層１ｅ〜１ｇとにより構成される。
【００２２】
図３と図４の対比から分かるように、多層基板３には、コンデンサＣ１、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ９、抵抗Ｒ１〜Ｒ４、バリキャップダイオードＤ１、トランジスタＱ１、Ｑ２が搭載される。
【００２３】
この電圧制御発振器において、前記バリキャップダイオードＤ１やインダクタＬ１〜Ｌ３等は正の温度係数を持つ。このような温度係数により、温度変化に伴って温度変化による中心発振周波数の変化を防止するため、少なくとも中心発振周波数への影響の大きいコンデンサＣ２、Ｃ３については、負の温度係数を持つように構成する。すなわち、前記温度補償用誘電体層２ａは負の温度係数を持つように、負の温度係数をもつ誘電体粉末を混合して構成する。また、本実施の形態においては、共振器７Ａを構成する誘電体層２ｂも負の温度係数を持つ誘電体粉末を樹脂に混合することにより、全体として負の温度係数を持たせている。
【００２４】
図５は前記誘電体層２ａ、２ｂとして従来のように温度補償機能を持たない誘電率の温度係数ＴＣε＝−２０ｐｐｍ／℃（−２５〜２５℃の範囲）、−５０ｐｐｍ／℃（２５〜８５℃の範囲）のものを用い、温度補償用のチップコンデンサを搭載しなかった場合の制御電圧入力端子１１に加わる制御電圧Ｖｃと出力端子１３から得られる中心発振周波数Ｆとの関係を、２５℃、−２０℃、８５℃の場合について示す図である。図６は制御電圧Ｖｃの変化に対する中心発振周波数Ｆの目標値からのずれΔＦを、−２０℃、８５℃の場合について示す図である。
【００２５】
図７は前記誘電体層２ａ、２ｂとして、誘電率の温度係数ＴＣε＝−３６０ｐｐｍ／℃（−２５〜２５℃の範囲）、−２７０ｐｐｍ／℃（２５〜８５℃の範囲）のものを用いた場合の制御電圧入力端子１１に加わる制御電圧Ｖｃと出力端子１３から得られる中心発振周波数Ｆとの関係を、２５℃、−２０℃、８５℃の場合について示す図である。図６は制御電圧Ｖｃの変化に対する中心発振周波数Ｆの目標値からのずれΔＦを、−２０℃、８５℃の場合について示す図である。
【００２６】
図５．図６と図７、図８との対比から分かるように、本発明による温度補償用誘電体層２ａ、２ｂを設けた場合には、温度変化による中心発振周波数の目標値からのずれを要求される範囲以内に抑えることが可能となった。
【００２７】
具体的には、中心発振周波数の目標値は、制御電圧が０．３Ｖで２３７０ＭＨｚ以下、制御電圧が１．３Ｖで２４６０ＭＨｚ、制御電圧が２．３Ｖで２５３０ＭＨｚ以上である。また、ずれの目標値は±５ＭＨｚであり、Ｖｃ＝０．３Ｖで見ると、従来例の場合には、−２０℃で−１３．５６ＭＨｚのずれがあり、目標範囲内に収まらなかったが、本発明による場合には、−２０℃で＋１．８３ＭＨｚのずれとなり、目標範囲内に収めることができた。また、８５℃では、従来例の場合には中心発振周波数のずれは＋４．９８ＭＨｚでかろうじて目標範囲内に入ったが、本発明による場合には、中心発振周波数のずれは＋２．５６ＭＨｚとなり、中心発振周波数のずれを目標範囲内に容易に収めることが可能となった。
【００２８】
このように、本発明は、多層基板３の内部に温度補償用コンデンサを内蔵したので、多層基板３上に温度補償用コンデンサを搭載する必要がなくなり、多層基板３の部品搭載面積を小さくし、モジュールとして構成される電子部品を小型化できる。
【００２９】
このような温度補償の目的を達成するには、コンデンサＣ２、Ｃ３の温度係数は、−２５〜８５℃の範囲において、−８０ｐｐｍ／℃以下であることがインダクタＬ１〜Ｌ３や抵抗Ｒ１〜Ｒ４等の温度特性や搭載されるコンデンサＣ１、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ９等の温度係数との関連において好ましい。
【００３０】
また、このような容量の温度係数を得るため、本発明における温度補償用誘電体層２ａ、２ｂに混合する誘電体粉末の温度係数ＴＣεは、−２５℃〜８５℃の範囲において、−２００ｐｐｍ／℃以下、すなわちＴＣε≦−２００ｐｐｍ／℃であることが好ましい。誘電体粉末の比誘電率の温度係数が−２００ｐｐｍ／℃より高い（ＴＣε＞−２００ｐｐｍ／℃）と、誘電体粉末の樹脂に対する含有率を大きくしなければならず、成形性の悪化を招く可能性がある。
【００３１】
また、２種類以上の誘電体粉末を樹脂に混合してもよい。２種類以上の誘電体粉末を加える場合、少なくとも１種類の誘電体粉末が負の温度係数を有していればよい。２種類以上の誘電体粉末を混合する場合、誘電体層２ａ、２ｂの比誘電率の温度係数が−１００ｐｐｍ／℃前後から−３００ｐｐｍ／℃前後であり、かつ比誘電率が大きい場合に有効である。例えば比誘電率が１７７、比誘電率の温度係数が−１６２０ｐｐｍ／℃程度のものにＣａＴｉＯ_３があるが、このような誘電体粉末の含有する量を少なくすれば、温度係数はマイナスから樹脂の温度係数に近づき、目的の値を得ることができる。しかしそれと同時に比誘電率も樹脂の値に近づいて小さくなってしまい、より大きな比誘電率が得られない。
【００３２】
しかし比誘電率の温度係数がゼロに近く、比誘電率が大きな誘電体として、ＢａＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系（比誘電率εｒは約８０〜９８、ＴＣε＜−８０ｐｐｍ／℃）があるが、このような誘電体粉末を前記負の温度係数の誘電体粉末に複合させて含有することで、比誘電率をある程度維持しながら温度特性を任意に変えることができる。
【００３３】
ここで、誘電体共振器による共振周波数の温度係数ＴＣＦと（１）式により定義しておく。
ＴＣＦ＝−（ＴＣε／２）−α？（１）
但しαは材料の線膨張係数であり、誘電体の線膨張係数は６〜１２程度である。
【００３４】
前述のように、誘電体粉末の種類は負の温度係数を持ち、かつその温度係数が−２００ｐｐｍ／℃以下のものが有効である。以下の誘電体において、ＴＣＦは（２）式により、線膨張係数αを１０に近似させてＴＣεの値から求めたものである。誘電率の温度係数ＴＣεは１ＧＨｚにおける値である。
ＴｉＯ_２｛ＴＣε＝−９００ｐｐｍ／℃（ＴＣＦ＝４００ｐｐｍ／℃）、εｒ＝１０４、Ｑ＝１５０００｝
ＣａＴｉＯ_３｛ＴＣε＝−１６２０ｐｐｍ／℃（ＴＣＦ＝８００ｐｐｍ／℃）、εｒ＝１７０、Ｑ＝１８００｝
ＳｒＴｉＯ_３｛ＴＣε＝−３３６０ｐｐｍ／℃（ＴＣＦ＝１６７０ｐｐｍ／℃）、εｒ＝２５５、Ｑ＝７００｝
ＢａＺｒＯ_３｛ＴＣε＝−３２０ｐｐｍ／℃（ＴＣＦ＝１５０ｐｐｍ／℃）、εｒ＝４０、Ｑ＝２００｝
ＳｒＳｎＯ_３｛ＴＣε＝−３７２０ｐｐｍ／℃（ＴＣＦ＝１８５０ｐｐｍ／℃）、εｒ＝１２９、Ｑ＝４００｝
（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３｛ＴＣε＜−２２００ｐｐｍ／℃、εｒ＞２６０｝。
【００３５】
さらに必要に応じて、誘電体層２ａ、２ｂには下記の誘電体粉末を含んでもよい。
Ｍｇ_２ＳｉＯ_４（εｒ＝７、Ｑ＝２００００）
Ａｌ_２Ｏ_３（εｒ＝９．８、Ｑ＝４００００）
ＭｇＴｉＯ_３（εｒ＝１７、Ｑ＝２２０００）
ＺｎＴｉＯ_３（εｒ＝２６、Ｑ＝８００）
Ｚｎ_２ＴｉＯ_４（εｒ＝１５、Ｑ＝７００）
ＳｒＺｒＯ_３（εｒ＝３０、Ｑ＝１２００）
ＢａＴｉ_２Ｏ_５（εｒ＝４２、Ｑ＝５７００）
ＢａＴｉ_４Ｏ_９（εｒ＝３８、Ｑ＝９０００）
Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０（εｒ＝３９、Ｑ＝９０００）
Ｂａ_２（Ｔｉ，Ｓｎ）_９Ｏ_２０（εｒ＝３７、Ｑ＝５０００）
ＺｒＴｉＯ_４（εｒ＝３９、Ｑ＝７０００）
（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ_４（εｒ＝３８、Ｑ＝７０００）
ＢａＮｄ_２Ｔｉ_５Ｏ_１４（εｒ＝８３、Ｑ＝２１００）
ＢａＳｍ_２ＴｉＯ_１４（εｒ＝７４、Ｑ＝２４００）
Ｂｉ_２Ｏ_３−ＢａＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系（εｒ＝８８、Ｑ＝２０００）
ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系（εｒ＝９０、Ｑ＝５２００）
（Ｂｉ_２Ｏ_３，ＰｂＯ）−ＢａＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系（εｒ＝１０５、Ｑ＝２５００）
Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７（εｒ＝４４、Ｑ＝４０００）
Ｎｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７（εｒ＝３７、Ｑ＝１１００）
（Ｌｉ，Ｓｍ）ＴｉＯ_３（εｒ＝８１、Ｑ＝２０５０）
Ｂａ（Ｍｇ_１／３Ｔａ_２／３）Ｏ_３（εｒ＝２５、Ｑ＝３５０００）
Ｂａ（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）Ｏ_３（εｒ＝３０、Ｑ＝１４０００）
Ｂａ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３（εｒ＝４１、Ｑ＝９２００）
Ｓｒ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３（εｒ＝４０、Ｑ＝４０００）
誘電体粉末の粒径は、実用上問題がない範囲であればよいが、平均粒径０．１〜１０μｍ程度が好ましい。特に粒径が小さくなると、樹脂との混練がしにくくなり、成形時の流動性が低下し、含有できる誘電体粉末の最大量も少なくなる。また、逆に粒径が大きくなると、誘電体粉末を多く含有させることが可能になるが、薄い基板を作製した場合、樹脂層をプリプレグにより形成する場合にプリプレグに凹凸が発生し、局部的に電界集中の原因になり、コンデンサの信頼性に悪影響を及ぼすので好ましくない。
【００３６】
また、使用する樹脂としては従来より電子部品に使用される熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂のどちらでも用いることができる。その樹脂としては、例えばフェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド（エーテル）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物等を用いることができる。
【００３７】
温度補償用コンデンサは次のような工程により作製することができる。まず負の温度係数を持つ誘電体粉末と樹脂とからなる複合誘電体のスラリーを塗工機によりクロスや不織布の基材に含浸して加熱により溶剤等を除去してプリプレグを作製する。このプリプレグの両面に銅等の金属箔を貼り付け、熱プレス機で両面金属基板を作製する。
【００３８】
ビルドアップ用の基板として作製する場合は、銅箔等の金属表面に負の誘電率温度係数を持つ誘電体粉末と樹脂とからなる複合誘電体のスラリーをドクターブレード法等により塗布し、これを乾燥して樹脂付き金属材料を構成する。
【００３９】
熱可塑性樹脂を用いる場合には、金型等により高温で成形し、これに金属膜をつけて基板を作製することができる。
【００４０】
【実施例】
本発明を実施する場合の好適な材料、組成を調べるため、表１、表２に示すように、種々の材料について粉末、組成比を変え、温度係数、比誘電率、Ｑ値を調べた。
【００４１】
表１において、ベース樹脂の種類１は、ビニルベンジルエーテル化合物７０ｗｔ％、臭素化ビニルベンジル化合物３０ｗｔ％である樹脂粉末１００重量部に対して、シラン系カップリング材を０．５重量部加えたものである。また、ベース樹脂の種類２は、ビニルベンジルエーテル化合物５６ｗｔ％、臭素化ビニルベンジル化合物３０ｗｔ％、スチレン系エラストマー１４ｗｔ％の混合物である樹脂粉末１００重量部に対し、過酸化物１．２部、シラン系カップリング材を０．５重量部加えたものである。
【００４２】
サンプルの作製は、誘電体粉末と樹脂とを、表１、表２に示す組成になるように調合してトルエン中で誘電体粉末の凝集がなくなるまで十分に混合しスラリーとした。次に塗工機を用いてスラリーを１０６タイプのＥガラスクロスに塗布し、１００℃で１０分乾燥し、６５μｍの厚さのプリプレグを得た。次にこのプリプレグの上下に１８μｍの銅箔を配置して真空熱プレス機で常温から昇温させて２００℃で１時間で硬化させ、両面銅箔付き基板を得た。
【００４３】
次に前記基板をほぼ１０ｐＦとなるようなサイズに切断して温度特性測定用サンプルを得た。また、高周波における比誘電率の測定用サンプルについてはプリプレグを１０枚重ねて約０．７ｍｍの基板を作製し、１００ｍｍ×１．５ｍｍに切断した棒状サンプルを得た。
【００４４】
また、ガラスクロスを含まないものについては、１８μｍの銅箔の上にスラリーを均一に塗布し、１００℃で１０分乾燥し、約１００μｍの厚さの樹脂層を作製し、乾燥させたスラリー側に別の銅箔を乗せて、真空熱プレス機で常温から昇温させて２００℃で１時間で硬化させ、両面銅箔付き基板を得た。次にこの基板を１０ｐＦ程度になるように切断して、温度特性測定用サンプルを得た。
【００４５】
高周波における比誘電率測定用サンプルについては、ＰＥＴフィルム上にスラリーを塗布し、１００℃で１０分乾燥し、約１００μｍの複合誘電体シートを作製し、これを０．７ｍｍ程度となるように重ね、真空熱プレス機で常温から昇温させて２００℃、１時間で硬化させ、１００ｍｍ×１．５ｍｍに切断した棒状サンプルを得た。
【００４６】
【表１】

【００４７】
【表２】

【００４８】
容量値の測定は、高温槽に測定用サンプルを設置し、アジレントテクノロジー社製Ｅ４９９１Ａインピーダンスアナライザーを用いて５００ＭＨｚで測定した。測定温度は−２５℃、２５℃、８５℃で行い、その温度での容量値を記録した。容量の温度係数τｃ（ｐｐｍ／℃）は下記の（２）式により求めた。
【００４９】
τｃ＝１０^６×｛（Ｃ_Ｔ−Ｃ_２５）／Ｃ_２５｝／（Ｔ−２５）…（２）
但しＴ：測定温度、Ｃ_Ｔ：測定温度Ｔにおける容量、Ｃ_２５：２５℃における容量
比誘電率およびＱの測定は、ヒュウレットパッカード（株）製８３６２０Ａ、８７５７Ｃを使用して、空洞共振器摂動法により２ＧＨｚで測定した。
【００５０】
表１，表２から分かるように、本発明の実施例においては、−２５℃〜８５℃の範囲において、容量の温度係数τｃを−８０ｐｐｍ／℃以下とすることができる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、正の温度特性を有する素子を使用する多層基板や電子部品において、負の温度係数を持つ誘電体粉末を混合してコンデンサ等を構成する誘電体層を負の温度係数としたので、多層基板により実現される回路を温度特性を改善し、温度補償用コンデンサ等を省略することができ、多層基板や電子部品の小型化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による多層基板の一実施の形態を電圧制御発振器について示す断面図である。
【図２】図１の層構造図である。
【図３】図１の表面の部品配置図である。
【図４】図１〜図３の電圧制御発振器の等価回路図である。
【図５】従来の電圧制御発振器における制御電圧と中心発振周波数との関係図である。
【図６】図５の電圧制御発振器において、制御電圧の変化に対する中心発振周波数の目標値からのずれを示す図である。
【図７】本発明の実施の形態における制御電圧と中心発振周波数との関係図である。
【図８】図７の電圧制御発振器において、制御電圧の変化に対する中心発振周波数の目標値からのずれを示す図である。
【符号の説明】
１ａ〜１ｇ：誘電体層、２ａ、２ｂ：負の温度係数を有する誘電体層、３：多層基板、４：インダクタ層、５ａ〜５ｆ：導体パターン、６：コンデンサ層、７：共振器層、７Ａ：共振器、８：搭載部品、９：スルーホール、１０：サイドスルーホール、１１：制御電圧入力端子、１２：電源端子、１３：出力端子

Claims

樹脂または樹脂に機能材料粉末を混合した１枚以上の基板からなる多層基板であって、
前記多層基板の少なくとも１層に、樹脂に誘電体粉末を混合してなり、容量の温度係数が負となる誘電体層を有し、該誘電体層を挟むコンデンサ電極を備えたことを特徴とする多層基板。
請求項１に記載の多層基板において、
前記誘電体層の−２５〜８５℃における容量の温度係数が−８０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする多層基板。
請求項１または２に記載の多層基板において、
前記誘電体層に２種以上の誘電体粉末を含有することを特徴とする多層基板。
請求項１から３までのいずれかに記載の多層基板において、
前記誘電体層に混合する少なくとも１種の誘電体粉末の−２５〜８５℃における比誘電率の温度係数が−２００ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする多層基板。
請求項１から４までのいずれかに記載の多層基板により構成されていることを特徴とする電子部品。
請求項５に記載の電子部品が電圧制御発振器であることを特徴とする電子部品。