JP2004296940A - Laminated capacitor - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、実効インダクタンスを大幅に低減した積層コンデンサに係り、特にCPU用の電源の電圧変動を小さくし得る積層セラミックコンデンサに好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、情報処理装置に用いられるCPU(主演算処理装置)は、処理スピードの向上及び高集積化によって、動作周波数が高くなる共に消費電流が著しく増加している。そしてこれに伴い、消費電力の低減化によって動作電圧が減少する傾向にあった。従って、CPUに電力を供給する為の電源では、より高速で大きな電流変動が生じるようになり、この電流変動に伴う電圧変動をこの電源の許容値内に抑えることが非常に困難になった。
【0003】
この為、図7に示すように、デカップリングコンデンサと呼ばれる積層コンデンサ100が電源102に接続される形で、電源の安定化対策に頻繁に使用されるようになった。そして、電流の高速で過渡的な変動時に素早い充放電によって、この積層コンデンサ100からCPU104に電流を供給して、電源102の電圧変動を抑えるようにしている。
【0004】
【特許文献1】
特開平10−261544号公報
【特許文献2】
特開平11−288839号公報
【特許文献3】
特開平09−148174号公報
【特許文献4】
特開平08−097070号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、今日のCPUの動作周波数の一層の高周波数化に伴って、電流変動はより高速且つ大きなものとなっていた。この為、図7に示す積層コンデンサ100自身が有している等価直列インダクタンス(ESL)が相対的に大きくなるのに伴い、実効インダクタンスが大きくなる結果として、この等価直列インダクタンスが電源の電圧変動に大きく影響するようになった。
【0006】
つまり、図7に示すCPU104の電源回路に用いられる従来の積層コンデンサ100では、この図7における等価回路に示された寄生成分であるESLが高いことから、図8に示す電流Iの変動に伴って、このESLが積層コンデンサ100の充放電を阻害するようになる。この為、上記と同様に電源の電圧Vの変動が図8のように大きくなり易く、今後のCPUの高速化には適応できなくなりつつあった。
【0007】
この理由は、電流の過渡時である充放電時における電圧変動が下記の式1で近似され、ESLの高低が電源の電圧変動の大きさと関係するからである。
dV=ESL・di/dt…式1
ここで、dVは過渡時の電圧変動(V)であり、iは電流変動量(A)であり、tは変動時間(秒)である。
【0008】
ここで、ESLを低減する既存の方策を採用した従来のコンデンサの外観を図9に示すと共に内部構造を図10に示し、これらの図を基にして以下に従来の積層コンデンサ100を説明する。つまり、静電容量が得られるように、図9に示す従来の積層コンデンサ100は、図10に示す二種類の内部導体114、116をそれぞれ設置した一対のセラミック層112Aが交互に積層されて、誘電体素体112が形成される構造となっている。
【0009】
また、これら二種類の内部導体114、116は、誘電体素体112の相互に対向する二つの側面112B、112Cにそれぞれ引き出されていて、内部導体114に接続される端子電極118及び、内部導体116に接続される端子電極120が、図9に示す積層コンデンサ100の相互に対向する側面112B、112Cにそれぞれ設置されている。
【0010】
つまり、ESLを低減する既存の方策として、図9に示すように、一対の端子電極118、120間を繋ぐ方向に沿った誘電体素体112の辺の長さ寸法Lよりも、端子電極118、120の幅方向に沿った誘電体素体112の辺の長さ寸法Wを長くした構造を採用することが考えられた。
【0011】
これは、積層コンデンサのESLの大きさが内部導体114、116の自己インダクタンスに基づくという理由による為である。具体的には、図10に示すように、内部導体114、116をそれぞれ広くし且つ短く形成して、端子電極118、120からの距離を短くすることによって、内部導体114、116のインダクタンスを小さくしてESLを低減していた。
【0012】
しかし、この図9及び図10に示す積層コンデンサ100は、図11に示すように、多層基板122の面に対し垂直方向(Z軸方向)に沿ってセラミック層112Aが積層される形で実装されるので、内部導体114、116の面はこの多層基板122の面と水平になる。この為、多層基板122の導体部分であるランドパターン124から誘電体素体112内の内部導体114、116までの距離が長くなり、 電流ループEが占める面積が大きくなる結果として、従来の構造では、ループインダクタンスが増加し、これに伴って実効インダクタンスも増加してしまう欠点があった。
【0013】
以上より、電源の電圧変動を増大させる要因として、コンデンサ自体のESLだけでなくループインダクタンスがあり、これらESLとループインダクタンスとの和が実効インダクタンスとして電源の電圧変動に大きく影響する為、 この実効インダクタンスを低減する必要もあることになる。
【0014】
一方、ループインダクタンスの増加を回避する実装構造として、 図12に示すものが考えられた。この図に示す実装構造は、積層方向を図11に示す構造と90度異ならせて、多層基板122の面に沿ったY軸方向にセラミック層112Aを積層した構造となるように実装したものである。
【0015】
つまり、 この積層コンデンサ100が実装される多層基板122の面に対して、内部導体114、116の面が垂直となる実装構造となり、これに伴って電流ループEが短くなる結果として、ループインダクタンスを低減するものである。しかし、このような実装構造を用いても、ループインダクタンスを十分に低減することができず、実効インダクタンスが大きいという欠点を取り除くことができなかった。さらに、このような実装構造では、不安定な姿勢で積層コンデンサ100が実装されることになるので、確実な実装が困難であった。
本発明は上記事実を考慮し、実効インダクタンスを大幅に低減してCPU用の電源の電圧変動を小さくできる積層コンデンサを提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
請求項1による積層コンデンサは、誘電体層を積層して直方体形状に形成された誘電体素体と、
誘電体層で隔てられつつそれぞれ誘電体素体内に配置される二種類の内部導体と、
誘電体素体の相互に対向する二つの側面に設けられ且つ、二種類の内部導体の何れかにそれぞれ接続される一対の端子電極と、
を有した積層コンデンサであって、
誘電体層の積層方向に沿った誘電体素体の辺の長さが、この積層方向に沿った辺と交差する一対の端子電極間を繋ぐ方向に沿った誘電体素体の辺の長さよりも長くされたことを特徴とする。
【0017】
請求項1に係る積層コンデンサによれば、誘電体層を積層して直方体形状に形成された誘電体素体内に、誘電体層を介して隔てられつつ二種類の内部導体がそれぞれ配置され、誘電体素体の相互に対向する二つの側面に設けられた一対の端子電極が、二種類の内部導体の何れかにそれぞれ接続されている。この為、それぞれ端子電極と繋がるこれら二種類の内部導体が、相互に対向しつつ並列に配置されるコンデンサの電極とされている。さらに、誘電体層の積層方向に沿った誘電体素体の辺の長さが、この積層方向に沿った辺と交差する一対の端子電極間を繋ぐ方向に沿った誘電体素体の辺の長さよりも長くされている。
【0018】
従って、誘電体層の積層方向に沿った誘電体素体の辺の長さが、一対の端子電極間を繋ぐ方向に沿った誘電体素体の辺の長さよりも長くされているので、本請求項の積層コンデンサを基板に実装する際に、基板の面に沿って誘電体層を積層した形で積層コンデンサを実装し易くなる。つまり、 積層コンデンサが実装される基板の面に対して、内部導体の面が垂直となるような構造にし易くなる。そしてこれに伴って、電流ループが短くなる結果として、ループインダクタンスが低減されるようになる。
【0019】
以上より、本請求項に係る積層コンデンサは、ループインダクタンスが低減されて、実効インダクタンスが大幅に低減されるようになる。この結果、本請求項によれば電源の電圧の振動を確実に抑制できて、CPUの電源用として最適な積層コンデンサが得られる。
【0020】
請求項2に係る積層コンデンサによれば、請求項1の積層コンデンサと同様の構成の他に、誘電体素体の相互に対向する二つの側面に向かって引き出される引出部を二種類の内部導体がそれぞれ有し、これらの引出部を介して、二種類の内部導体の一方と端子電極のいずれかが接続されると共に二種類の内部導体の他方と端子電極の他のいずれかが接続されるという構成を有している。
【0021】
従って、二種類の内部導体が、誘電体素体の相互に対向する二つの側面に向かって引き出される引出部をそれぞれ有したことで、一対の端子電極にそれぞれこの引出部を介して内部導体が接続されるようになる。つまり、本請求項によれば、一対の端子電極が誘電体素体の相互に対向する二つの側面に設けられるという請求項1の構成を確実に達成可能となる。
【0022】
請求項3に係る積層コンデンサによれば、請求項1及び請求項2の積層コンデンサと同様の構成の他に、二種類の内部導体が、誘電体素体内に複数ずつ配置されたという構成を有している。従って、これら二種類の内部導体をそれぞれ誘電体素体内に複数ずつ配置することで、本請求項に係る積層コンデンサの静電容量が高まるようになる。
【0023】
請求項4に係る積層コンデンサによれば、請求項1から請求項3の積層コンデンサと同様の構成の他に、誘電体層の積層方向に沿った誘電体素体の辺の長さをWとし、一対の端子電極間を繋ぐ方向に沿った誘電体素体の辺の長さをLとした時に、L/W比が0.5〜0.8の範囲とされ且つ、回路基板の面に対して内部導体の面が垂直に配置されるという構成を有している。つまり、実測値から、内部導体を基板に対して垂直に配置し、L/W比を0.5〜0.8の範囲とすることで、ESLの値が低くなった。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る積層コンデンサの一実施の形態を図面に基づき説明する。本実施の形態に係る積層コンデンサである積層セラミックコンデンサ(以下単に、積層コンデンサと言う)10を図1から図4に示す。これらの図に示すように、誘電体シートであるセラミックグリーンシートを複数枚積層した積層体を焼成することで得られた直方体形状の焼結体である誘電体素体12を主要部として、この積層コンデンサ10が構成されている。
【0025】
この誘電体素体12内の所定の位置には、図1に示すように、面状の内部導体14が配置されており、誘電体素体12内において誘電体層とされるセラミック層12Aを隔てた内部導体14の奥側には、同じく面状の内部導体16が配置されている。この為、これら内部導体14及び内部導体16が誘電体素体12内においてセラミック層12Aで隔てられつつ相互に対向して配置されることになる。
【0026】
つまり、本実施の形態では、焼成後の誘電体シートであるセラミック層12Aがそれぞれの間に挟まれつつ、内部導体14及び内部導体16が順に誘電体素体12内に配置されており、さらに内部導体16の奥側には、図1及び図3に示すように、上記と同じ順序でこれら2層の電極が繰返されてこれらの組が、例えば計100組程度配置されている。
【0027】
そして、これら内部導体14及び内部導体16の中心は、誘電体素体12の中心とほぼ同位置に配置されており、また、内部導体14及び内部導体16の縦横寸法は、対応する誘電体素体12の辺の長さより小さくされている。尚、これらそれぞれ略長方形に形成された内部導体14、16の材質としては、卑金属材料であるニッケル、ニッケル合金、銅或いは、銅合金が考えられるだけでなく、これらの金属を主成分とする材料が考えられる。
【0028】
さらに、図1及び図3に示すように、内部導体14の左面部分から誘電体素体12の左側の側面12Cに向けて、セラミック層12Aの全幅で引出部14Bが引き出されており、また、内部導体16の右面部分から誘電体素体12の右側の側面12Cに向けて、セラミック層12Aの全幅で引出部16Bが引き出されている。
【0029】
つまり、誘電体素体12の相互に対向する二つの側面12Cに向かって引き出される引出部14B、16Bを二種類の内部導体14、16が、それぞれ有していることになる。図2に示すように、これら相互に対向する二つの側面12Cの内の左側の側面12Cには、引出部14Bを介して内部導体14に接続される端子電極24が配置されており、また、右側の側面12Cには、引出部16Bを介して内部導体16に接続される端子電極26が配置されている。
以上より、本実施の形態の積層コンデンサ10では、直方体である六面体形状とされる誘電体素体12の4つの側面12B、12Cの内の左右の二つ側面12Cに端子電極24、26がそれぞれ配置されることになる。
【0030】
一方、図2に示すように、セラミック層12Aの積層方向(Y軸方向)に沿った誘電体素体12の辺の長さWは、この積層方向に沿った辺と交差する一対の端子電極24、26間を繋ぐ方向(X軸方向)に沿った誘電体素体12の辺の長さLよりも、長くされている。例えば本実施の形態では、長さLが1.25mmであり、また長さWが2.0mmとなっている。
【0031】
そして、各内部導体14、16がコンデンサの電極となるように、端子電極24が例えばCPUの電極に接続されると共に、端子電極26が例えば接地側に接続されるようになっていて、これら隣り合う端子電極同士が相互に逆の極性で使用される形となっている。具体的には、図4に示す多層基板122に対して内部導体14、16を垂直に配置しつつ積層コンデンサ10が半田付けされて、多層基板122のランドパターン124とこれら端子電極24、26が接続されている。
【0032】
次に、本実施の形態に係る積層コンデンサ10の作用を説明する。
本実施の形態に係る積層コンデンサ10によれば、それぞれセラミック層12Aとなる複数の誘電体シートが積層されて直方体形状に形成される誘電体素体12内に、これらセラミック層12A間に挟まれる形で二種類の内部導体14、16がそれぞれ配置される構成を有している。この為、これら二種類の内部導体14、16が、相互に対向しつつ並列に配置されるコンデンサの電極とされている。
【0033】
また、誘電体素体12の相互に対向する二つの側面12Cに向かってそれぞれ引き出される引出部14A、16Aを二種類の内部導体14、16がそれぞれ有し、これらの引出部14A、16Aを介して二種類の内部導体14、16の何れかにそれぞれ接続される一対の端子電極24、26が、誘電体素体12の相互に対向する二つの側面12Cに設けられている。
【0034】
さらに、セラミック層12Aの積層方向(図2のY軸方向)に沿った誘電体素体12の辺の長さWが、この積層方向に沿った辺と交差する方向に沿った一対の端子電極24、26間を繋ぐ方向(図2のX軸方向)に沿った誘電体素体12の辺の長さLよりも長くされている。
【0035】
従って、セラミック層12Aの積層方向に沿った辺の長さWが、一対の端子電極24、26間を繋ぐ方向に沿った辺の長さLよりも長くされているので、本実施の形態の積層コンデンサ10を図4に示す多層基板122に実装する際に、多層基板122の面に沿ってセラミック層12Aを積層した形で積層コンデンサ10を実装し易くなる。つまり、 本実施の形態では、積層コンデンサ10が実装される多層基板122の面に対して、内部導体14、16の面が垂直となるような構造となる。そしてこれに伴って、電流ループが短くなる結果として、ループインダクタンスが低減されるようになる。
【0036】
以上より、本実施の形態に係る積層コンデンサ10は、ループインダクタンスが低減されて、実効インダクタンスが大幅に低減されるようになる。この結果、本実施の形態によれば、電源の電圧の振動を確実に抑制できて、CPUの電源用として最適な積層コンデンサ10となる。さらに、本実施の形態では、二種類の内部導体14、16が、誘電体素体12内に複数ずつ配置されているので、積層コンデンサ10の静電容量が高まるようにもなる。
【0037】
次に、ネットワークアナライザを用いて、以下の各試料のSパラメータのS21特性を測定し、各試料の減衰特性をそれぞれ求めた。まず、各試料となるサンプルの内容を説明する。つまり、図9に示す積層コンデンサを従来例とし、図2に示す一実施の形態に係る積層コンデンサを実施例とした。
【0038】
ここで、減衰特性の実測値と図7に示す積層コンデンサ100内の等価回路の減衰量とが合致するように、等価回路の定数を算出した。そして、S21のパラメータからインピーダンスパラメータに変換したグラフを図5に示す。この結果、各試料のインピーダンス特性のデータから、約5MHz以上の高周波数の帯域における実施例のインピーダンスが、従来例に比べて少なくなっていることが分かる。この為、このデータによって高周波特性の改善が実施例に見られることが理解できる。他方、算出したESLに関しても、従来例の474pHに比べて実施例は215pHと大幅に低減されており、本発明の効果がこれらの値によっても実証されることが確認できた。
【0039】
ここで用いた各試料の寸法に関し、図9及び図2に示す長さW及び長さLは、従来例及び実施例共にL=1.25mm、W=2.0mmであった。また、試験に用いた各試料の静電容量は、従来例が9.2Fであり、実施例が9.6Fであった。
【0040】
次に、実施例の長さLと長さWとの寸法比であるL/W比の値を変化させた各試料を作製し、これら各試料のESLの値を求め、L/W比の値とESLの値との関係を図6のグラフに示した。この図のグラフより、内部導体14、16を基板に対して垂直に配置し且つ、ESLの値が低い寸法比L/Wの値を0.5〜0.8の範囲とすることが考えられる。
【0041】
尚、上記実施の形態に係る積層コンデンサ10では、二種類の内部導体を有する構造とされているが、層数は実施の形態に示された数に限定されずさらに多数としても良い。
【0042】
【発明の効果】
本発明によれば、実効インダクタンスを大幅に低減してCPU用の電源の電圧変動を小さくできる積層コンデンサを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図2】本発明の一実施の形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。
【図3】図2の3−3矢視線断面図である。
【図4】本発明の一実施の形態に係る積層コンデンサの実装構造を示す断面図である。
【図5】各試料のインピーダンス特性を表すグラフを示した図である。
【図6】L/Wの値とESLの値との関係を示したグラフを表す図である。
【図7】従来例の積層コンデンサを採用した回路図である。
【図8】従来例の積層コンデンサを採用した回路における電流変動と電圧変動との関係を表すグラフを示した図である。
【図9】従来例に係る積層コンデンサを示す斜視図である。
【図10】従来例に係る積層コンデンサの内部導体の部分を示す分解斜視図である。
【図11】従来例に係る積層コンデンサの第1の実装構造を示す断面図である。
【図12】従来例に係る積層コンデンサの第2の実装構造を示す断面図である。
【符号の説明】
10 積層コンデンサ
12 誘電体素体
12B 側面
12C 側面
14 内部導体
16 内部導体
24 端子電極
26 端子電極[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a multilayer capacitor in which the effective inductance is significantly reduced, and is particularly suitable for a multilayer ceramic capacitor capable of reducing voltage fluctuation of a power supply for a CPU.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, CPUs (main processing units) used in information processing apparatuses have increased operating frequencies and significantly increased current consumption due to improvements in processing speed and higher integration. Along with this, the operating voltage has tended to decrease due to the reduction in power consumption. Therefore, in a power supply for supplying power to the CPU, a large current fluctuation occurs at a higher speed, and it has become very difficult to suppress a voltage fluctuation caused by the current fluctuation within an allowable value of the power supply.
[0003]
For this reason, as shown in FIG. 7, a
[0004]
[Patent Document 1]
JP-A-10-261544 [Patent Document 2]
JP-A-11-288839 [Patent Document 3]
JP 09-148174 A [Patent Document 4]
Japanese Patent Laid-Open Publication No. 08-097070
[Problems to be solved by the invention]
However, as the operating frequency of today's CPUs has been further increased, the current fluctuation has become faster and larger. Therefore, as the equivalent series inductance (ESL) of the
[0006]
That is, in the
[0007]
The reason for this is that the voltage fluctuation at the time of charging and discharging, which is a transition of current, is approximated by the following
dV = ESL · di /
Here, dV is a voltage fluctuation (V) during a transition, i is a current fluctuation amount (A), and t is a fluctuation time (second).
[0008]
Here, the appearance of a conventional capacitor adopting an existing measure for reducing ESL is shown in FIG. 9 and the internal structure is shown in FIG. 10, and the
[0009]
In addition, these two types of
[0010]
In other words, as an existing measure for reducing the ESL, as shown in FIG. 9, the length of the side of the
[0011]
This is because the magnitude of the ESL of the multilayer capacitor is based on the self-inductance of the
[0012]
However, as shown in FIG. 11, the
[0013]
As described above, the factor that increases the voltage fluctuation of the power supply is not only the ESL of the capacitor itself but also the loop inductance. The sum of these ESL and the loop inductance greatly affects the voltage fluctuation of the power supply as an effective inductance. Needs to be reduced.
[0014]
On the other hand, a mounting structure shown in FIG. 12 was considered as a mounting structure for avoiding an increase in loop inductance. The mounting structure shown in this drawing is mounted so that the laminating direction is different from the structure shown in FIG. 11 by 90 degrees and the
[0015]
In other words, the mounting structure is such that the surfaces of the
The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to provide a multilayer capacitor capable of significantly reducing the effective inductance and reducing the voltage fluctuation of a power supply for a CPU.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
A multilayer capacitor according to
Two types of internal conductors each arranged in a dielectric body while being separated by a dielectric layer,
A pair of terminal electrodes provided on two mutually facing side surfaces of the dielectric body and connected to any of the two types of internal conductors,
A multilayer capacitor having
The length of the side of the dielectric element along the stacking direction of the dielectric layer is longer than the length of the side of the dielectric element along the direction connecting a pair of terminal electrodes crossing the side along the stacking direction. It is also characterized by having been lengthened.
[0017]
According to the multilayer capacitor according to the first aspect, two types of internal conductors are arranged in the dielectric body formed by laminating the dielectric layers into a rectangular parallelepiped shape while being separated by the dielectric layers. A pair of terminal electrodes provided on two mutually facing side surfaces of the body body are respectively connected to any of the two types of internal conductors. For this reason, these two types of internal conductors, which are respectively connected to the terminal electrodes, are used as electrodes of the capacitors arranged in parallel while facing each other. Further, the length of the side of the dielectric element along the stacking direction of the dielectric layer is the length of the side of the dielectric element along the direction connecting a pair of terminal electrodes intersecting the side along the stacking direction. It is longer than the length.
[0018]
Therefore, the length of the side of the dielectric element along the stacking direction of the dielectric layers is longer than the length of the side of the dielectric element along the direction connecting the pair of terminal electrodes. When mounting the multilayer capacitor of the present invention on a substrate, the multilayer capacitor can be easily mounted in a form in which dielectric layers are stacked along the surface of the substrate. That is, it is easy to make the structure in which the surface of the internal conductor is perpendicular to the surface of the substrate on which the multilayer capacitor is mounted. As a result, the current loop is shortened, and as a result, the loop inductance is reduced.
[0019]
As described above, in the multilayer capacitor according to the present invention, the loop inductance is reduced, and the effective inductance is greatly reduced. As a result, according to the present invention, the oscillation of the voltage of the power supply can be reliably suppressed, and a multilayer capacitor optimal for the power supply of the CPU can be obtained.
[0020]
According to the multilayer capacitor according to the second aspect, in addition to the same configuration as the multilayer capacitor according to the first aspect, two types of internal conductors are provided with a lead portion that is drawn toward two mutually facing side surfaces of the dielectric body. Respectively, and one of the two types of internal conductors and one of the terminal electrodes are connected, and the other of the two types of internal conductors and the other one of the terminal electrodes are connected through these lead portions. It has a configuration of:
[0021]
Therefore, since the two types of internal conductors have the lead portions drawn out toward the two opposing side surfaces of the dielectric body, the internal conductors are respectively connected to the pair of terminal electrodes through the lead portions. Be connected. That is, according to the present invention, it is possible to reliably achieve the configuration of
[0022]
According to the multilayer capacitor of the third aspect, in addition to the same configuration as the multilayer capacitor of the first and second aspects, there is a configuration in which two types of internal conductors are arranged in a plurality in the dielectric body. are doing. Therefore, by arranging a plurality of these two types of internal conductors in the dielectric body, respectively, the capacitance of the multilayer capacitor according to the present invention is increased.
[0023]
According to the multilayer capacitor of the fourth aspect, in addition to the same configuration as the multilayer capacitor of the first to third aspects, the length of the side of the dielectric element along the lamination direction of the dielectric layers is W. When the length of the side of the dielectric element along the direction connecting the pair of terminal electrodes is L, the L / W ratio is in the range of 0.5 to 0.8 and the surface of the circuit board is On the other hand, it has a configuration in which the surface of the internal conductor is arranged vertically. That is, from the measured values, the ESL value was reduced by disposing the inner conductor perpendicular to the substrate and setting the L / W ratio in the range of 0.5 to 0.8.
[0024]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the multilayer capacitor according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIGS. 1 to 4 show a multilayer ceramic capacitor (hereinafter simply referred to as a multilayer capacitor) 10 which is a multilayer capacitor according to the present embodiment. As shown in these figures, a
[0025]
As shown in FIG. 1, a planar
[0026]
That is, in the present embodiment, the
[0027]
The centers of the
[0028]
Further, as shown in FIGS. 1 and 3, a lead portion 14B is drawn from the left side portion of the
[0029]
That is, the two types of
As described above, in the
[0030]
On the other hand, as shown in FIG. 2, the length W of the side of the
[0031]
The
[0032]
Next, the operation of the
According to the
[0033]
Further, the two types of
[0034]
Further, a pair of terminal electrodes along a direction in which the length W of the side of the
[0035]
Therefore, the length W of the side of the
[0036]
As described above, in the
[0037]
Next, S21 characteristics of the following S parameters of each sample were measured using a network analyzer, and the attenuation characteristics of each sample were obtained. First, the contents of each sample will be described. That is, the multilayer capacitor shown in FIG. 9 is a conventional example, and the multilayer capacitor according to the embodiment shown in FIG. 2 is an example.
[0038]
Here, the constant of the equivalent circuit was calculated such that the measured value of the attenuation characteristic matched the attenuation of the equivalent circuit in the
[0039]
Regarding the dimensions of each sample used here, the length W and the length L shown in FIGS. 9 and 2 were L = 1.25 mm and W = 2.0 mm in both the conventional example and the example. The capacitance of each sample used in the test was 9.2 F in the conventional example and 9.6 F in the example.
[0040]
Next, each sample was prepared by changing the value of the L / W ratio, which is the dimensional ratio between the length L and the length W, and the ESL value of each sample was obtained. The relationship between the value and the ESL value is shown in the graph of FIG. From the graph in this figure, it is conceivable that the
[0041]
Although the
[0042]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the multilayer capacitor which can reduce the voltage fluctuation of the power supply for CPUs greatly by reducing effective inductance significantly.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an exploded perspective view of a multilayer capacitor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a multilayer capacitor according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a sectional view taken along line 3-3 of FIG. 2;
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a mounting structure of the multilayer capacitor according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a graph representing impedance characteristics of each sample.
FIG. 6 is a graph showing a relationship between a value of L / W and a value of ESL.
FIG. 7 is a circuit diagram employing a conventional multilayer capacitor.
FIG. 8 is a graph showing a relationship between a current variation and a voltage variation in a circuit employing a conventional multilayer capacitor.
FIG. 9 is a perspective view showing a multilayer capacitor according to a conventional example.
FIG. 10 is an exploded perspective view showing a portion of an internal conductor of a multilayer capacitor according to a conventional example.
FIG. 11 is a sectional view showing a first mounting structure of a multilayer capacitor according to a conventional example.
FIG. 12 is a sectional view showing a second mounting structure of a multilayer capacitor according to a conventional example.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (4)
誘電体素体の相互に対向する二つの側面に設けられ且つ、二種類の内部導体の何れかにそれぞれ接続される一対の端子電極と、
を有した積層コンデンサであって、
誘電体層の積層方向に沿った誘電体素体の辺の長さが、この積層方向に沿った辺と交差する一対の端子電極間を繋ぐ方向に沿った誘電体素体の辺の長さよりも長くされたことを特徴とする積層コンデンサ。A dielectric element formed by laminating dielectric layers into a rectangular parallelepiped shape, and two types of internal conductors respectively arranged in the dielectric element while being separated by the dielectric layer,
A pair of terminal electrodes provided on two mutually facing side surfaces of the dielectric body and connected to any of the two types of internal conductors,
A multilayer capacitor having
The length of the side of the dielectric element along the stacking direction of the dielectric layer is longer than the length of the side of the dielectric element along the direction connecting a pair of terminal electrodes crossing the side along the stacking direction. A multilayer capacitor characterized in that it has also been lengthened.
これらの引出部を介して、二種類の内部導体の一方と端子電極のいずれかが接続されると共に二種類の内部導体の他方と端子電極の他のいずれかが接続されることを特徴とする請求項1記載の積層コンデンサ。Each of the two types of internal conductors has a lead portion that is drawn toward two mutually facing side surfaces of the dielectric element body,
Through these lead portions, one of the two types of internal conductors and one of the terminal electrodes are connected, and the other of the two types of internal conductors and the other one of the terminal electrodes are connected. The multilayer capacitor according to claim 1.
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007096158A (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Shizuki Electric Co Inc | Laminated film capacitor |
JP2008071811A (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Tdk Corp | Multilayer capacitor and electronic apparatus |
JP2008193055A (en) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Laminated chip capacitor |
KR100867503B1 (en) | 2007-01-02 | 2008-11-07 | 삼성전기주식회사 | Multilayer Chip Capacitor |
JP2009194096A (en) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Murata Mfg Co Ltd | Component built-in substrate and component package using the same |
US7808768B2 (en) | 2007-10-31 | 2010-10-05 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor |
JP2011097091A (en) * | 2007-02-05 | 2011-05-12 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Laminated chip capacitor |
US8077444B2 (en) | 2006-10-24 | 2011-12-13 | Kyocera Corporation | Multilayer capacitor |
US8355240B2 (en) | 2008-07-29 | 2013-01-15 | Kyocera Corporation | Multilayer capacitor and method for adjusting equivalent series impedance of same |
US9036329B2 (en) | 2011-10-04 | 2015-05-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor and method of manufacturing the same |
JP2017017310A (en) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | 株式会社村田製作所 | Mounting substrate |
US20170352482A1 (en) * | 2016-06-03 | 2017-12-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor and board having the same |
US9847173B2 (en) | 2015-06-26 | 2017-12-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mounting substrate |
CN116190102A (en) * | 2022-12-13 | 2023-05-30 | 成都宏科电子科技有限公司 | Low-loss microwave broadband capacitor |
-
2003
- 2003-03-27 JP JP2003089379A patent/JP2004296940A/en active Pending
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007096158A (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Shizuki Electric Co Inc | Laminated film capacitor |
JP2008071811A (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Tdk Corp | Multilayer capacitor and electronic apparatus |
KR101386948B1 (en) * | 2006-09-12 | 2014-04-21 | 티디케이가부시기가이샤 | Multi-layer capacitor and an electronic machine |
US7667950B2 (en) | 2006-09-12 | 2010-02-23 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor and electronic device |
US8077444B2 (en) | 2006-10-24 | 2011-12-13 | Kyocera Corporation | Multilayer capacitor |
KR100867503B1 (en) | 2007-01-02 | 2008-11-07 | 삼성전기주식회사 | Multilayer Chip Capacitor |
US7990677B2 (en) | 2007-02-05 | 2011-08-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer chip capacitor |
JP2008193055A (en) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Laminated chip capacitor |
US7920370B2 (en) | 2007-02-05 | 2011-04-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer chip capacitor |
JP2011097091A (en) * | 2007-02-05 | 2011-05-12 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Laminated chip capacitor |
US7808768B2 (en) | 2007-10-31 | 2010-10-05 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor |
US7672112B2 (en) | 2008-02-13 | 2010-03-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Component-embedded substrate and component package using component-embedded substrate |
JP2009194096A (en) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Murata Mfg Co Ltd | Component built-in substrate and component package using the same |
US8355240B2 (en) | 2008-07-29 | 2013-01-15 | Kyocera Corporation | Multilayer capacitor and method for adjusting equivalent series impedance of same |
US9036329B2 (en) | 2011-10-04 | 2015-05-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor and method of manufacturing the same |
US10170245B2 (en) | 2011-10-04 | 2019-01-01 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing multiplayer capacitor |
JP2017017310A (en) * | 2015-06-26 | 2017-01-19 | 株式会社村田製作所 | Mounting substrate |
US9847173B2 (en) | 2015-06-26 | 2017-12-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mounting substrate |
US20170352482A1 (en) * | 2016-06-03 | 2017-12-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor and board having the same |
US10395834B2 (en) * | 2016-06-03 | 2019-08-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor and board having the same |
CN116190102A (en) * | 2022-12-13 | 2023-05-30 | 成都宏科电子科技有限公司 | Low-loss microwave broadband capacitor |
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