JP2004285354A - Composition for cleaning - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a detergent which has low water absorption properties, does not contain a halogen ion, BF<SB>4</SB><SP>-</SP>ion, alkali metal ions and the like that promote corrosion, and is excellent in antistatic properties. <P>SOLUTION: This composition for cleaning is obtained by blending an organic onium cation selected from the group consisting of quaternary ammoniums such as tetraoctylammonium 2,2,2-trifluoro-N-(trifluoromethanesulfonyl) acetamide and the like, quaternary phosphoniums and ternary sulfoniums, and an organic onium salt comprising an imide anion of general formula (I) or a methide anion of general formula (II), with an organic solvent which preferably comprises not less than 90 mass% of organic hydrocarbon type solvents. In the formulas, A<SP>1</SP>, A<SP>2</SP>, B<SP>1</SP>, B<SP>2</SP>and B<SP>3</SP>are each a fluoroacyl group, a fluoroalkoxycarbonyl group, a fluoroalkylsulfonyl group, a fluoroalkoxysulfonyl group or a nitrile group. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、プラスチック、金属、半導体表面等を洗浄するために用いる洗浄用組成物に関する。より詳しくはハロゲンイオンやBF イオン、アルカリ金属イオンを含まず、十分な帯電防止機能を持ち、且つ吸水性や腐食性が抑制されているので、電子工業における洗浄、特にシリコンウエハ、化合物半導体、プリント基板、実装基盤、磁気ヘッド、磁気ディスク等の表面に付着したシリコーンオイル、ワックス等の有機薄膜状汚れ、フラックス残滓、微粒子等を除去するのに使用される。 The present invention relates to a cleaning composition used for cleaning plastics, metals, semiconductor surfaces, and the like. More particularly halogen ions or BF 4 - ions, free of alkali metal ions, has a sufficient antistatic function, and therefore water resistance and corrosion is suppressed, cleaning in the electronics industry, in particular a silicon wafer, compound semiconductor It is used to remove organic thin film-like dirt such as silicone oil and wax, flux residue, fine particles, and the like attached to the surface of printed boards, mounting boards, magnetic heads, magnetic disks, and the like.

磁気ヘッド等の電気素子は、被膜形成、研磨、切断等の行程を繰り返して製造されるが、これらの行程において金属、半導体等からなる素子や基板を加工装置に固定するためにワックス、シリコーン油等が使用されている。このワックス等が素子表面に残留していると、次の製膜行程を妨害することがある。   Electrical elements such as magnetic heads are manufactured by repeating steps such as film formation, polishing, and cutting.In these steps, wax and silicone oil are used to fix elements and substrates made of metals, semiconductors, and the like to processing equipment. Etc. are used. If the wax or the like remains on the element surface, it may hinder the next film forming process.

このためワックス等を除去する必要が有る。ワックス等を除去する洗浄剤としては、一般的にノルマルヘキサン等の石油系(炭化水素系)洗浄剤が使用されている。しかし、石油系溶剤のような非極性の溶剤は帯電しやすく、発生する静電気によって発火する危険があるだけでなく、静電気により素子が破壊されるという問題点がある。   Therefore, it is necessary to remove wax and the like. As a cleaning agent for removing wax and the like, a petroleum (hydrocarbon) cleaning agent such as normal hexane is generally used. However, non-polar solvents such as petroleum-based solvents are liable to be charged, and there is a problem that not only there is a danger of ignition due to the generated static electricity, but also the element is destroyed by the static electricity.

この問題に対して、石油系溶剤にアニオン型界面活性剤を添加した洗浄剤が、ある程度静電気発生を防止する効果があることも知られている。しかし、アニオン型界面活性剤が必ずしも良好に溶解せず、あるいは一旦溶解しても時を経るに従い、沈殿を生じたりして、溶液の貯蔵安定性に問題がある。さらには、このような問題を有する洗浄剤で成形物を洗浄した場合、乾燥後成形物表面に粉状の白色物を生じて表面が汚損されるという問題がある。このため、アニオン系活性剤と極性溶媒を石油系洗浄剤に添加して帯電を抑制する方法も知られている(例えば、特許文献1)。   To solve this problem, it is also known that a detergent obtained by adding an anionic surfactant to a petroleum-based solvent has an effect of preventing generation of static electricity to some extent. However, the anionic surfactants do not always dissolve well, or even once dissolved, precipitation occurs over time, causing a problem in the storage stability of the solution. Further, when the molded product is washed with the cleaning agent having such a problem, there is a problem that a white powdery substance is generated on the surface of the molded product after drying and the surface is soiled. For this reason, a method is known in which an anionic surfactant and a polar solvent are added to a petroleum-based detergent to suppress charging (for example, Patent Document 1).

特開平6―136387公報JP-A-6-136387

しかしながら、一般的な界面活性剤では充分な帯電防止能を付与ためには多量に配合する必要があり、そのため洗浄剤の吸水性が高くなり素子の腐食が進行しやすくなるという欠点がある。さらに一般的な界面活性剤は石油系溶剤に溶解し難いため、多量に溶解させるためには極性溶剤もまた多量に添加する必要があるが、この極性溶剤によっても洗浄剤の吸水性が高くなってしまう。また一般的な界面活性剤が有するイオンには腐食の進行を促進するものが多く(例えば、カチオン型界面活性剤においてはハロゲンイオンやBF イオン。アニオン型のものではアルカリ金属等)、半導体等の洗浄に際してはできるだけ使用を避けることが望まれる。したがって、ハロゲンイオンやBF イオン、アルカリ金属イオンを含まず、吸水性が低く且つ高い帯電防止能を有する洗浄用組成物の開発が求められていた。 However, a general surfactant needs to be incorporated in a large amount in order to impart a sufficient antistatic property, and therefore, there is a disadvantage that the water absorption of the cleaning agent is increased and the corrosion of the element is apt to progress. Furthermore, since a general surfactant is difficult to dissolve in a petroleum-based solvent, it is necessary to add a large amount of a polar solvent in order to dissolve it in a large amount, but this polar solvent also increases the water absorption of the detergent. Would. Also the ion general surfactant has many things to facilitate the progress of corrosion (e.g., cationic in surfactant or halogen ions BF 4 -. Ions intended anionic alkali metal or the like), a semiconductor It is desirable to avoid use of such as when cleaning. Therefore, halogen ions or BF 4 - does not contain ions, alkali metal ions, the development of cleaning compositions with and high antistatic performance low water absorption has been demanded.

本発明者らは上記課題を解決すべく、石油系洗浄剤等の極性の低い溶剤に対して、少ない添加量でも高い導電性を付与する化合物を鋭意検討した結果、ある特定のオニウム塩を用いる事により、極性溶剤を多量に配合せずとも炭化水素系の洗浄剤に効率良く溶解し、さらに、その添加量が少量でも充分な帯電防止機能を発現することを見出し本発明を完成した。   The present inventors, in order to solve the above problems, for low polarity solvents such as petroleum detergents, as a result of earnestly studying a compound that imparts high conductivity even with a small addition amount, using a specific onium salt As a result, the present inventors have found that even if a polar solvent is not blended in a large amount, the compound can be efficiently dissolved in a hydrocarbon-based cleaning agent, and that a small amount of the polar solvent exhibits a sufficient antistatic function, thereby completing the present invention.

すなわち、本発明は、第4級アンモニウムカチオン、第4級ホスホニウムカチオン及び第3級スルフォニウムカチオンからなる群から選ばれる有機オニウムカチオンと、下記一般式(I)又は(II)   That is, the present invention relates to an organic onium cation selected from the group consisting of a quaternary ammonium cation, a quaternary phosphonium cation and a tertiary sulfonium cation, and the following general formula (I) or (II)

Figure 2004285354
Figure 2004285354

(式中、A、Aはそれぞれ独立にフルオロアシル基、フルオロアルコキシカルボニル基、フルオロアルキルスルフォニル基、フルオロアルコキシスルフォニル基又はニトリル基を示す。) (In the formula, A 1 and A 2 each independently represent a fluoroacyl group, a fluoroalkoxycarbonyl group, a fluoroalkylsulfonyl group, a fluoroalkoxysulfonyl group, or a nitrile group.)

Figure 2004285354
Figure 2004285354

(式中、B、B、Bはそれぞれ独立にフルオロアシル基、フルオロアルコキシカルボニル基、フルオロアルキルスルフォニル基、フルオロアルコキシスルフォニル基又はニトリル基を示す。)
で示されるアニオンとからなる有機オニウム塩を含む洗浄用組成物である。
(In the formula, B 1 , B 2 , and B 3 each independently represent a fluoroacyl group, a fluoroalkoxycarbonyl group, a fluoroalkylsulfonyl group, a fluoroalkoxysulfonyl group, or a nitrile group.)
A cleaning composition containing an organic onium salt comprising an anion represented by the formula:

本発明の洗浄用組成物においては、特定のオニウム塩を配合したことによりイオン性化合物の添加量が少量でも高い帯電防止性能を発現する。また、該オニウム塩は、イオン性を有しながらも非極性の溶剤に溶解しやすいため、多量の極性溶媒を添加しなくても炭化水素系の溶剤(石油系溶剤)に容易に溶解する。そしてイオン性化合物及び極性溶媒双方の添加量を少なくできるため、吸水性が低く、これにより被洗浄物である素子等の腐食が進行しにくいという利点も有する。   The cleaning composition of the present invention exhibits high antistatic performance even when the amount of the ionic compound added is small due to the incorporation of the specific onium salt. In addition, since the onium salt is easily dissolved in a nonpolar solvent while having ionicity, the onium salt is easily dissolved in a hydrocarbon solvent (petroleum solvent) without adding a large amount of a polar solvent. In addition, since the addition amount of both the ionic compound and the polar solvent can be reduced, there is an advantage that the water absorption is low, and thus the corrosion of the element to be cleaned is less likely to proceed.

本発明の洗浄用組成物は、第4級アンモニウムカチオン、第4級ホスホニウムカチオン及び第3級スルフォニウムカチオンからなる群から選ばれる有機オニウムカチオンと、後述するアニオンとからなる有機オニウム塩が配合されてなる点に特徴を有する。   The cleaning composition of the present invention contains an organic onium salt comprising an organic onium cation selected from the group consisting of a quaternary ammonium cation, a quaternary phosphonium cation and a tertiary sulfonium cation, and an anion described below. The feature is that it is done.

本発明における第4級アンモニウムカチオン、第4級ホスホニウムカチオン及び第3級スルフォニウムカチオンは特に制限されるものではなく、公知のカチオンを用いることができる。   The quaternary ammonium cation, quaternary phosphonium cation and tertiary sulfonium cation in the present invention are not particularly limited, and known cations can be used.

好適に使用できる第4級アンモニウムカチオンおよび第4級ホスホニウムカチオンは特に限定されるものではないが、好適には、下記一般式(III)   The quaternary ammonium cation and the quaternary phosphonium cation that can be suitably used are not particularly limited, but preferably have the following general formula (III):

Figure 2004285354
Figure 2004285354

(式中、Zは窒素原子又は燐原子を示し、R、R、R、及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜30の炭化水素基であり、RとR、及び/又はRとRはそれぞれ互いに結合して炭素数30以下の環を形成していてもよい。)で示されるオニウムカチオンを挙げることができる。 (In the formula, Z represents a nitrogen atom or a phosphorus atom, and R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, and R 1 and R 2 , And / or R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring having 30 or less carbon atoms.).

中でも、上記一般式(I)において、R、R、R、Rがすべて炭素数2以上の炭化水素基であるオニウムカチオンが、熱安定性が高いことから好適であり、さらには、R、R、R、Rの内、少なくとも一つ、好ましくは2つ以上が炭素数4以上の炭化水素基であるオニウムカチオンが、オニウム塩とした場合の石油系溶剤への溶解度が高いことから好適であり、炭素数8以上であることがさらに好ましい。他方、より少量で高い帯電防止性能を得るためには、R、R、R、及びRはいずれも炭素数20以下の炭化水素基であることが好ましい。特に好ましくは、R、R、R、及びRはいずれも炭素数2〜20の炭化水素基であり、かつ、これらのうちの少なくともいずれか一つ、好ましくは二つ以上が炭素数4以上(さらに好ましくは8以上)のカチオンである。 Among them, in the general formula (I), an onium cation in which R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are all hydrocarbon groups having 2 or more carbon atoms is preferable because of its high thermal stability. , R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , when at least one, preferably at least two of the onium cations, which are hydrocarbon groups having 4 or more carbon atoms, are converted to an onium salt, It is suitable because of its high solubility, and more preferably has 8 or more carbon atoms. On the other hand, in order to obtain high antistatic performance with a smaller amount, it is preferable that all of R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 be a hydrocarbon group having 20 or less carbon atoms. Particularly preferably, R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 are each a hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and at least one of them, preferably two or more, is a carbon group. It is a cation having a number of 4 or more (more preferably 8 or more).

、R、R及びRとしての炭素数1〜30の炭化水素基は直鎖状、分枝状あるいは環状のいずれでも良く公知の炭化水素基でよい。当該炭化水素基を具体的に例示すると、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、オクタデシル基等の炭素数1〜30のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリル基等の炭素数6〜30のアリール基、ベンジル基等の炭素数7〜30のアラルキル基等が挙げられる。 The hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms as R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be any of linear, branched or cyclic, and may be a known hydrocarbon group. Specific examples of the hydrocarbon group include alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl group, butyl group, hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, and octadecyl group. And aryl groups having 6 to 30 carbon atoms such as a phenyl group, a naphthyl group and a tolyl group, and aralkyl groups having 7 to 30 carbon atoms such as a benzyl group.

またRとR、及び/又はRとRとが結合して環を形成している場合に形成される環としては、ピリジニウム環、ピロリリウム環、ピロリジニウム環、ピペリジニウム環等の5〜8員環、及びこれら環に炭化水素環が縮合したキノリニウム環等の縮合複素環が例示される。 When R 1 and R 2 and / or R 3 and R 4 are combined to form a ring, the ring formed is 5 to 5 such as a pyridinium ring, a pyrrolium ring, a pyrrolidinium ring, and a piperidinium ring. Examples thereof include condensed heterocycles such as an 8-membered ring and a quinolinium ring in which a hydrocarbon ring is condensed to these rings.

これらR、R、R及びRはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子や、メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜10のアルコキシ基等の置換基が結合していても良い。 These R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are bonded to a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom, or a substituent such as an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms such as a methoxy group or an ethoxy group. May be.

上記一般式(III)で示される第4級アンモニウムカチオンおよび第4級ホスホニウムカチオンを具体的に例示すると、ヘキシルトリメチルアンモニウムカチオン、トリメチルオクチルアンモニウムカチオン、トリエチルプロピルアンモニウムカチオン、トリエチルヘキシルアンモニウムカチオン、トリエチルオクチルアンモニウムカチオン、トリエチルオクタデカシルアンモニウムカチオン等の中心窒素原子に結合している有機基の少なくとも一つが他と異なる有機基である非対称第4級アンモニウムカチオン類;テトラエチルアンモニウムカチオン、テトラブチルアンモニウムカチオン、テトラヘキシルアンモニウムカチオン、テトラオクチルアンモニウムカチオン、テトラデシルアンモニウムカチオン等の中心窒素原子に結合している有機基がすべて同一である対称第4級アンモニウムカチオン類;N,N−ジメチルピペリジニウムカチオン、N−メチルキノリニウムカチオン等の環状アンモニウム類等の第4級アンモニウムカチオン類;;ヘキシルトリメチルホスホニウムカチオン、トリエチルプロピルホスホニウムカチオン、トリエチルオクチルホスホニウムカチオン等の中心リン原子に結合している有機基の少なくとも一つが他と異なる有機基である非対称第4級ホスホニウムカチオン類;テトラエチルホスホニウムカチオン、テトラブチルホスホニウムカチオン、テトラオクチルホスホニウムカチオン等の中心リン原子に結合している有機基がすべて同一である対称ホスホニウムカチオン類等の第4級ホスホニウムカチオン類が挙げられる。   Specific examples of the quaternary ammonium cation and the quaternary phosphonium cation represented by the general formula (III) include hexyltrimethylammonium cation, trimethyloctylammonium cation, triethylpropylammonium cation, triethylhexylammonium cation, and triethyloctylammonium. Asymmetric quaternary ammonium cations in which at least one of the organic groups bonded to the central nitrogen atom such as a cation and a triethyloctadecasylammonium cation is an organic group different from the others; tetraethylammonium cation, tetrabutylammonium cation, tetrahexyl Is attached to the central nitrogen atom of ammonium cation, tetraoctylammonium cation, tetradecylammonium cation, etc. Symmetric quaternary ammonium cations in which all groups are the same; quaternary ammonium cations such as cyclic ammoniums such as N, N-dimethylpiperidinium cation and N-methylquinolinium cation ;; hexyltrimethylphosphonium cation Asymmetric quaternary phosphonium cations in which at least one of the organic groups bonded to the central phosphorus atom such as triethylpropylphosphonium cation and triethyloctylphosphonium cation is an organic group different from the others; tetraethylphosphonium cation, tetrabutylphosphonium cation, Quaternary phosphonium cations such as symmetric phosphonium cations in which all organic groups bonded to the central phosphorus atom such as tetraoctyl phosphonium cation are the same.

また、好適に使用できる第3級スルフォニウムカチオンとしては、下記一般式(IV)   The tertiary sulfonium cations that can be suitably used include the following general formula (IV)

Figure 2004285354
Figure 2004285354

(式中、R、R、及びRは、それぞれ独立に、炭素数1〜30の炭化水素基であり、R及びRは互いに結合して炭素数30以下の環を形成していてもよい。)で示されるカチオンを挙げることができる。中でも、上記一般式(IV)において、R、R、Rがすべて炭素数2以上のアルキル基であるカチオンが、熱安定性が高いことから好適であり、さらには、R、R、Rの内、少なくとも一つが炭素数4以上のアルキル基であるカチオンがオニウム塩とした場合の溶剤への溶解度が高いことから好適である。 (Wherein, R 5 , R 6 , and R 7 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, and R 5 and R 6 are bonded to each other to form a ring having 30 or less carbon atoms. May be mentioned.). Above all, the general formula (IV), R 5, R 6, cation R 7 are all alkyl group having 2 or more carbon atoms, are preferred because of high thermal stability, and further, R 5, R When at least one of R 6 and R 7 is an cation having an alkyl group having 4 or more carbon atoms, the cation is preferably an onium salt because of its high solubility in a solvent.

これらR、R、Rとして示される炭素数1〜30の炭化水素基あるいは環の具体例としては、前記R〜Rに関して説明したものと同様である。 Specific examples of the hydrocarbon group or ring having 1 to 30 carbon atoms represented by R 5 , R 6 , and R 7 are the same as those described for R 1 to R 4 .

上記一般式(II)で示される第3級スルフォニウムカチオンを具体的に例示すると、ジエチルプロピルスルフォニウムカチオン、ジエチルオクチルスルフォニウムカチオン等の非対称スルフォニウムカチオン類;トリメチルスルフォニウムカチオン、トリブチルスルフォニウムカチオン、トリオクチルスルフォニウムカチオン等の対称スルフォニウムカチオン類等が例示される。   Specific examples of the tertiary sulfonium cation represented by the above general formula (II) include asymmetric sulfonium cations such as diethylpropylsulfonium cation and diethyloctylsulfonium cation; trimethylsulfonium cation And symmetrical sulfonium cations such as tributylsulfonium cation and trioctylsulfonium cation.

他方、上記第4級アンモニウムカチオン、第4級ホスホニウムカチオン又は第3級スルフォニウムカチオン以外の、金属カチオン類あるいは第3級アンモニウムカチオン等の中心へテロ原子に水素原子が結合しているオニウムカチオンでは溶剤への溶解性が極端に悪くなるとともに、溶解できても水分を吸収してしまう傾向が強い。   Onium cations other than the quaternary ammonium cation, quaternary phosphonium cation or tertiary sulfonium cation, in which a hydrogen atom is bonded to a central heteroatom such as metal cations or tertiary ammonium cations In this case, the solubility in a solvent is extremely deteriorated, and even if it can be dissolved, there is a strong tendency to absorb moisture.

本発明の洗浄用組成物に含まれる有機オニウム塩は、上記カチオンと、下記一般式(I)又は(II)   The organic onium salt contained in the cleaning composition of the present invention comprises the above cation and the following general formula (I) or (II)

Figure 2004285354
Figure 2004285354

(式中、A、Aはそれぞれ独立にフルオロアシル基、フルオロアルコキシカルボニル基、フルオロアルキルスルフォニル基、フルオロアルコキシスルフォニル基又はニトリル基を示す。) (In the formula, A 1 and A 2 each independently represent a fluoroacyl group, a fluoroalkoxycarbonyl group, a fluoroalkylsulfonyl group, a fluoroalkoxysulfonyl group, or a nitrile group.)

Figure 2004285354
Figure 2004285354

(式中、B、B、Bはそれぞれ独立にフルオロアシル基、フルオロアルコキシカルボニル基、フルオロアルキルスルフォニル基、フルオロアルコキシスルフォニル基又はニトリル基を示す。)で示されるアニオンと構成される。 (Wherein, B 1 , B 2 , and B 3 each independently represent a fluoroacyl group, a fluoroalkoxycarbonyl group, a fluoroalkylsulfonyl group, a fluoroalkoxysulfonyl group, or a nitrile group).

上記式(I)又は(II)で示されるアニオンを有するオニウム塩は、酸性度が強く、溶剤中で解離しやすいためであると推測されるが、従来公知のハロゲン系アニオンやスルフォン酸系アニオンに比べて、より少量で高い帯電防止効果を発現する。さらに、荷電原子が末端にないためであると考えられるが、石油系溶剤に溶解しやすく、かつ吸水性が悪化することも少ない。   It is presumed that the onium salt having an anion represented by the above formula (I) or (II) has a high acidity and is easily dissociated in a solvent, and is conventionally known as a halogen-based anion or a sulfonic acid-based anion. A higher amount of antistatic effect is exhibited with a smaller amount as compared with. Further, it is considered that the charged atom is not present at the terminal, but it is easily dissolved in a petroleum-based solvent and the water absorption is hardly deteriorated.

さらに上記式(I)又は(II)で示されるアニオンは、水分と反応して腐食性の副生物を生成し難くい点でも有利である。   Further, the anion represented by the above formula (I) or (II) is also advantageous in that it hardly reacts with moisture to form corrosive by-products.

上記式(I)において、A、Aはそれぞれ独立にフルオロアシル基、フルオロアルコキシカルボニル基、フルオロアルキルスルフォニル基又はニトリル基を示す。 In the above formula (I), A 1 and A 2 each independently represent a fluoroacyl group, a fluoroalkoxycarbonyl group, a fluoroalkylsulfonyl group or a nitrile group.

当該フルオロアシル基として好適なものを具体的に例示すると、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロプロピオニル基、ヘプタフルオロブチリル基等の炭素数2〜10のパーフルオロアシル基等が挙げられる。   Specific examples of suitable fluoroacyl groups include perfluoroacyl groups having 2 to 10 carbon atoms such as a trifluoroacetyl group, a pentafluoropropionyl group, and a heptafluorobutyryl group.

フルオロアルコキシカルボニル基として好適なものを具体的に例示すると、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、ヘプタフルオロプロポキシカルボニル基、ノナフルオロブトキシカルボニル基などの炭素数2〜10のものが挙げられる。
フルオロアルキルスルフォニル基として好適なものを具体的に例示すると、トリフルオロメタンスルフォニル基、ペンタフルオロエタンスルフォニル基、ヘプタフルオロプロパンスルフォニル基、ノナフルオロブタンスルフォニル基などの炭素数2〜10のものが挙げられる。
フルオロアルコキシスルフォニル基として好適なものを具体的に例示すると、トリフルオロメトキシスルフォニル基、ペンタフルオロエトキシスルフォニル基、ヘプタフルオロプロポキシスルフォニル基、ノナフルオロブトキシスルフォニル基などの炭素数2〜10のものが挙げられる。
上記一般式(I)で示されるアニオンのなかでも、より疎水性が高く、洗浄用組成物の吸水性を悪化させ難い点で、少なくともA、Aのいずれか一方はニトリル基以外であることが好ましく、双方がニトリル基以外であることがより好ましい。またより少量の配合で高い帯電防止効果が得られる点で、少なくともA、Aのいずれか一方はフルオロアルキルスルフォニル基及び/又はフルオロアルコキシスルフォニル基であることが好ましい。
Specific examples of suitable fluoroalkoxycarbonyl groups include those having 2 to 10 carbon atoms such as a trifluoromethoxycarbonyl group, a pentafluoroethoxycarbonyl group, a heptafluoropropoxycarbonyl group, and a nonafluorobutoxycarbonyl group. .
Specific examples of suitable fluoroalkylsulfonyl groups include those having 2 to 10 carbon atoms such as a trifluoromethanesulfonyl group, a pentafluoroethanesulfonyl group, a heptafluoropropanesulfonyl group, and a nonafluorobutanesulfonyl group.
Specific examples of suitable fluoroalkoxysulfonyl groups include those having 2 to 10 carbon atoms such as a trifluoromethoxysulfonyl group, a pentafluoroethoxysulfonyl group, a heptafluoropropoxysulfonyl group, and a nonafluorobutoxysulfonyl group. .
Among the anions represented by the general formula (I), at least one of A 1 and A 2 is other than a nitrile group in that it is more hydrophobic and hardly deteriorates the water absorption of the cleaning composition. It is more preferable that both are other than a nitrile group. Further, at least one of A 1 and A 2 is preferably a fluoroalkylsulfonyl group and / or a fluoroalkoxysulfonyl group from the viewpoint that a high antistatic effect can be obtained with a smaller amount of compounding.

このような一般式(I)で示されるアニオンを具体的に例示すると、ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミドアニオン、ビス(ペンタフルオロエタンスルフォニル)イミドアニオン、トリフルオロメタンスルフォニルノナフルオロブタンスルフォニルアミドアニオン等のスルフォニルアミドアニオン類、2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミドアニオン、2,2,2−トリフルオロ−N−(パーフルオロエタンスルフォニル)アセタミドアニオン、2,2,2−トリフルオロ−N−(パーフルオロプロパンスルフォニル)アセタミドアニオン、2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)プロピオンアミドアニオン、2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−N−(パーフルオロエタンスルフォニル)プロピオンアミドアニオン、2,2,3,3,3−ペンタフルオロ−N−(パーフルオロプロパンスルフォニル)プロピオンアミドアニオン等のスルフォニルアシルアミドアニオン類、ビス(トリフルオロアセチル)イミドアニオン、ビス(3,3,3−トリフルオロプロポニル)イミドアニオン、ビス(パーフルオロプロポニル)イミドアニオン、2,2,2−トリフルオロ−N−(3,3,3−トリフルオロプロポニル)アセタミドアニオン、2,2,2−トリフルオロ−N−(パーフルオロプロピオニル)アセタミドアニオン等が挙げられる。   Specific examples of such anions represented by formula (I) include sulfonyls such as bis (trifluoromethanesulfonyl) imide anion, bis (pentafluoroethanesulfonyl) imide anion, and trifluoromethanesulfonylnonafluorobutanesulfonylamide anion. Amide anions, 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide anion, 2,2,2-trifluoro-N- (perfluoroethanesulfonyl) acetamide anion, 2,2 2,2-trifluoro-N- (perfluoropropanesulfonyl) acetamide anion, 2,2,3,3,3-pentafluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) propionamide anion, 2,2,3,3 , 3-pentafluo Bis (trifluoroacetyl) anions such as -N- (perfluoroethanesulfonyl) propionamide anion and 2,2,3,3,3-pentafluoro-N- (perfluoropropanesulfonyl) propionamide anion; ) Imide anion, bis (3,3,3-trifluoroproponyl) imide anion, bis (perfluoroproponyl) imide anion, 2,2,2-trifluoro-N- (3,3,3-trifluoro (Proponyl) acetamide anion; 2,2,2-trifluoro-N- (perfluoropropionyl) acetamide anion;

また、上記一般式(II)において、B、B、Bはそれぞれ独立にフルオロアシル基、フルオロアルコキシカルボニル基、フルオロアルキルスルフォニル基、フルオロアルコキシスルフォニル基又はニトリル基を示す。 In the general formula (II), B 1 , B 2 , and B 3 each independently represent a fluoroacyl group, a fluoroalkoxycarbonyl group, a fluoroalkylsulfonyl group, a fluoroalkoxysulfonyl group, or a nitrile group.

これらの基の具体例は、一般式(I)におけるA、Aと同様である。このような一般式(II)で示されるアニオンを具体的に例示すると、トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチドアニオン、トリス(ペンタフルオロエタンスルフォニル)メチドアニオン、トリス(ヘプタフルオロプロパンスルフォニル)メチドアニオン、トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチドアニオン、トリス(ペンタフルオロエタンカルボニル)メチドアニオン、トリス(ヘプタフルオロエタンカルボニル)メチドアニオン、ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)トリフルオロメタンカルボニルメチドアニオン、ビス(トリフルオロメタンカルボニル)トリフルオロメタンスルフォニルメチドアニオン、ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)ペンタフルオロエタンカルボニルメチドアニオン等が挙げられる。 Specific examples of these groups are the same as A 1 and A 2 in the general formula (I). Specific examples of such anions represented by the general formula (II) include tris (trifluoromethanesulfonyl) methide anion, tris (pentafluoroethanesulfonyl) methide anion, tris (heptafluoropropanesulfonyl) methide anion, and tris (trifluoromethanecarbonyl). ) Methide anion, tris (pentafluoroethanecarbonyl) methide anion, tris (heptafluoroethanecarbonyl) methide anion, bis (trifluoromethanesulfonyl) trifluoromethanecarbonylmethide anion, bis (trifluoromethanecarbonyl) trifluoromethanesulfonylmethide anion, bis (trifluorofluoride) Lomethanesulfonyl) pentafluoroethanecarbonylmethide anion.

本発明の洗浄用組成物に用いられる有機オニウム塩における、上記アニオンと前記有機オニウムカチオンとの組み合わせは特に限定されるものではないが、特に好適に用いられる有機オニウム塩の具体例を挙げると、ヘキシルトリメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、トリメチルオクチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、トリエチルプロピルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、トリエチルヘキシルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、トリエチルオクチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、トリエチルオクタデカンアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド等の非対称アンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド類;テトラエチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、テトラブチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、テトラヘキシルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、テトラオクチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、テトラデシルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド等の対称アンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド類;ヘキシルトリメチルホスホニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、トリエチルプロピルホスホニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、トリエチルオクチルホスホニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド等の非対称ホスホニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド類;テトラエチルホスホニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、テトラブチルホスホニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、テトラオクチルホスホニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド等の対称ホスホニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド類;ジエチルプロピルスルフォニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、ジエチルオクチルスルフォニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド等の非対称スルフォニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド類;ヘキシルトリメチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、トリメチルオクチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、トリエチルプロピルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、トリエチルヘキシルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、トリエチルオクチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、トリエチルオクタデカンアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド等の非対称アンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド類;テトラエチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、テトラブチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、テトラヘキシルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、テトラオクチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、テトラデシルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド等の対称アンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド類;ヘキシルトリメチルホスホニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、トリエチルプロピルホスホニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、トリエチルオクチルホスホニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド等の非対称ホスホニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド類;テトラエチルホスホニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、テトラブチルホスホニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、テトラオクチルホスホニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド等の対称ホスホニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド類;ジエチルプロピルスルフォニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、ジエチルオクチルスルフォニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド等の非対称スルフォニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド類等の2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド類;などのアニオンが一般式(I)で示される有機オニウム塩。   In the organic onium salt used in the cleaning composition of the present invention, the combination of the anion and the organic onium cation is not particularly limited, but specific examples of the organic onium salt particularly preferably used include: Hexyltrimethylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, trimethyloctylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, triethylpropylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, triethylhexylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, triethyloctyl Ammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, triethyloctadecaneammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, etc. Asymmetric ammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imides; tetraethylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, tetrabutylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, tetrahexylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, tetraoctylammonium Symmetric ammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imides such as bis (trifluoromethanesulfonyl) imide and tetradecylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide; hexyltrimethylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, triethylpropylphosphonium Bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, triethyl Asymmetric phosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imides such as octylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide; tetraethylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, tetrabutylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, tetraoctylphosphonium Symmetric phosphoniums such as bis (trifluoromethanesulfonyl) imide; bis (trifluoromethanesulfonyl) imides; diethylpropylsulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, diethyloctylsulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide Unsymmetrical sulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imides; hexyltrime Tylammonium 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, trimethyloctylammonium 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, triethylpropylammonium 2,2 , 2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, triethylhexylammonium 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, triethyloctylammonium 2,2,2-trifluoro- Asymmetric ammonium 2,2, such as N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide and triethyloctadecane ammonium 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide 2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamides; tetraethylammonium / 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, tetrabutylammonium / 2,2,2-trifluoro-N -(Trifluoromethanesulfonyl) acetamide, tetrahexylammonium 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, tetraoctylammonium 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) Asymmetric amides such as acetamide and tetradecylammonium • 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide • 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) Acetamides; hexyltrimethylphosphonium • 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, triethylpropylphosphonium • 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, triethyloctyl Asymmetric phosphonium 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamides such as phosphonium 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide; tetraethylphosphonium 2,2 2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, tetrabutylphosphonium · 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, tetraoctylphosphoni Symmetric phosphoniums such as 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide; 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamides; diethylpropylsulfonium.2 Asymmetric sulfoniums such as 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide and diethyloctylsulfonium · 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide An organic onium salt in which an anion such as 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide such as -trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide is represented by the general formula (I);

ヘキシルトリメチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、トリメチルオクチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、トリエチルプロピルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、トリエチルヘキシルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、トリエチルオクチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、トリエチルオクタデカンアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド等の非対称アンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド類;テトラエチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、テトラブチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、テトラヘキシルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、テトラオクチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、テトラデシルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド等の対称アンモニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド類;ヘキシルトリメチルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、トリエチルプロピルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、トリエチルオクチルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド等の非対称ホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド類;テトラエチルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、テトラブチルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、テトラオクチルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド等の対称ホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド類;ジエチルプロピルスルフォニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド、ジエチルオクチルスルフォニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド等の非対称スルフォニウム・トリス(トリフルオロメタンスルフォニル)メチド類;ヘキシルトリメチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、トリメチルオクチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、トリエチルプロピルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、トリエチルヘキシルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、トリエチルオクチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、トリエチルオクタデカンアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド等の非対称アンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド類;テトラエチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、テトラブチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、テトラヘキシルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、テトラオクチルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、テトラデシルアンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド等の対称アンモニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド類;ヘキシルトリメチルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、トリエチルプロピルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、トリエチルオクチルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド等の非対称ホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド類;テトラエチルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、テトラブチルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、テトラオクチルホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド等の対称ホスホニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド類;ジエチルプロピルスルフォニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド、ジエチルオクチルスルフォニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド等の非対称スルフォニウム・トリス(トリフルオロメタンカルボニル)メチド類;などのアニオンが一般式(II)で示される有機オニウム塩などが例示される。   Hexyltrimethylammonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, trimethyloctylammonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, triethylpropylammonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, triethylhexylammonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, triethyloctyl Unsymmetrical ammonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methides such as ammonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide and triethyloctadecaneammonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide; tetraethylammonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, tetrabutylammonium Tris Symmetric ammonium tris (trifluoromethane) such as fluoromethanesulfonyl) methide, tetrahexylammonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, tetraoctylammonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, tetradecylammonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide Sulfonyl) methides; asymmetric phosphonium / tris (trifluoromethanesulfonyl) such as hexyltrimethylphosphonium / tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, triethylpropylphosphonium / tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, triethyloctylphosphonium / tris (trifluoromethanesulfonyl) methide ) Methides: tetraethylphosphoni Symmetric phosphonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methides such as mu tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, tetrabutylphosphonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide, tetraoctylphosphonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide; diethylpropylsulfate Asymmetric sulfonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methides such as phonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide and diethyl octyl sulfonium tris (trifluoromethanesulfonyl) methide; hexyltrimethylammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide; Trimethyloctylammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, tri Asymmetric such as ethylpropylammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, triethylhexylammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, triethyloctylammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, triethyloctadecane ammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide Ammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methides; tetraethylammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, tetrabutylammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, tetrahexylammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, tetraoctylammonium Tris (trifluoromethanecarbonyl) Symmetric ammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methides such as tide, tetradecylammonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide; hexyltrimethylphosphonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, triethylpropylphosphonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide Asymmetric phosphonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methides such as triethyloctylphosphonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide; tetraethylphosphonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, tetrabutylphosphonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, tetra Octylphosphonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methyl Symmetric phosphonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methides such as diethylpropylsulfonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, diethyloctylsulfonium tris (trifluoromethanecarbonyl) methide, etc. Organic onium salts having an anion such as carbonyl) methides represented by the general formula (II) are exemplified.

これらのなかでも、より少量で高い帯電防止能が得られる点で、アニオンが前記一般式(I)で示される有機オニウム塩が好ましい。また、石油系溶剤への溶解性が高く、該溶剤への混合が容易であり、さらには、洗浄後に微細結晶等が製品表面に残って表面を汚損または破壊することが無いという観点からは、本発明における有機オニウム塩としては使用温度下(9℃以上、好ましくは5℃以上)で液状である化合物(常温溶融塩とも呼ばれる)を用いることが好ましい。   Among them, an organic onium salt whose anion is represented by the above general formula (I) is preferable in that high antistatic ability can be obtained with a smaller amount. Further, from the viewpoint of high solubility in petroleum-based solvents, easy mixing with the solvent, furthermore, from the viewpoint that fine crystals and the like do not remain on the product surface after washing and do not stain or destroy the surface. As the organic onium salt in the present invention, it is preferable to use a compound that is liquid at a use temperature (9 ° C. or higher, preferably 5 ° C. or higher) (also called a room temperature molten salt).

このような常温溶融塩を具体的に例を挙げて説明すると、前記一般式(I)で示されるアミドアニオンをアニオン部分として有する化合物として、トリメチルプロピルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、ヘキシルトリメチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、トリメチルオクチルアンモニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド等のアンモニウム系イミドイオン性液体類、トリメチルプロピルホスホニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド等のスルフォニウム系イミドイオン性液体類、トリメチルスルフォニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、トリブチルスルフォニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド、トリオクチルスルフォニウム・ビス(トリフルオロメタンスルフォニル)イミド等のスルフォニウム系イミドイオン性液体類等のイミドイオン性液体類、トリメチルエチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、トリメチルヘキシルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、テトラプロピルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド等のアンモニウム系アミドイオン性液体類、トリメチルプロピルホスホニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、テトラオクチルホスホニウム2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド等のホスホニウム系アミドイオン性液体類、トリメチルスルフォニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、トリブチルスルフォニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、トリオクチルスルフォニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド等のスルフォニウム系アミドイオン性液体類が挙げられる。   Specific description of such a room temperature molten salt will be given by way of example. Examples of the compound having an amide anion represented by the general formula (I) as an anion portion include trimethylpropylammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, hexyltrimethyl Ammonium imide ionic liquids such as ammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide and trimethyloctyl ammonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, sulfonium imide ionic liquids such as trimethylpropylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, Trimethylsulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, tributylsulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, Imide ionic liquids such as sulfonium-based imide ionic liquids such as rioctylsulfonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide, trimethylethylammonium / 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide; Ammonium amide ionicity such as trimethylhexyl ammonium • 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide and tetrapropyl ammonium • 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide Liquids, trimethylpropylphosphonium 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, tetraoctylphosphonium 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoro Phosphonium-based amide ionic liquids such as olomethanesulfonyl) acetamide, trimethylsulfonium.2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide, tributylsulfonium.2,2,2-triamide Sulfonium-based amide ionic liquids such as fluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide and trioctylsulfonium • 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide are exemplified.

なお本発明の洗浄用組成物には、必要に応じて上記有機オニウム塩が2種以上配合されていてもよい。   The cleaning composition of the present invention may contain two or more kinds of the above-mentioned organic onium salts as needed.

本発明における洗浄用組成物は前記有機オニウム塩と溶剤とを主成分として構成される。この溶剤は、洗浄用組成物(洗浄剤)の成分として公知の有機溶剤を制限無く用いることができるが、ワックス等を溶解する能力が高いことから、炭化水素系有機溶剤が好適である。具体的にはパラフィン系(飽和炭化水素類)、ナフテン系炭化水素類、アロマ系(芳香族炭化水素類)、ミネラルスピリット等を挙げることができ、そのうち引火点が35〜120℃のものが溶解性、安全性、揮発性等の点から好適である。これらの炭化水素系溶剤は、その溶解性、揮発性、臭気、引火点、比重、色などの各種特性を勘案して、単独であるいは2種以上を組み合わせて、被洗浄物の構成材料に悪影響を与えず、除去すべき対象物に対する溶解性の良いものを用途に応じて適宜選択、組み合わせて使用すれば良い。   The cleaning composition of the present invention comprises the above-mentioned organic onium salt and a solvent as main components. As the solvent, a known organic solvent can be used without limitation as a component of the cleaning composition (cleaning agent), but a hydrocarbon-based organic solvent is preferable because of its high ability to dissolve wax and the like. Specific examples include paraffin-based (saturated hydrocarbons), naphthenic-based hydrocarbons, aroma-based (aromatic hydrocarbons), and mineral spirits, among which those having a flash point of 35 to 120 ° C are dissolved. It is suitable from the viewpoints of properties, safety, volatility and the like. These hydrocarbon-based solvents, taking into account various characteristics such as solubility, volatility, odor, flash point, specific gravity, and color, alone or in combination of two or more, adversely affect the constituent materials of the object to be cleaned. , A material having good solubility for the object to be removed may be appropriately selected and combined according to the application.

本発明において用いられる前記有機オニウム塩は、上記のような炭化水素系の有機溶剤にも溶解しやすいという特徴を有しているが、さらに少量の極性溶剤を配合することにより、さらに良好な溶解性を得ることができる。他方、極性溶剤の配合量が多くなるにつれ、上記したようなワックス等の溶解性が低下する傾向があるため、溶剤中の炭化水素系有機溶剤の割合が70質量%以上であるのが好適である。さらには、極性溶剤の量が多すぎると水分を吸いやすくなり被洗浄物の腐食が進みやすくなるため、溶剤中の炭化水素系有機溶剤の割合が90質量%以上であるのがさらに好適であり、95質量%以上であるのがさらに好適であり、98質量%以上であるのが特に好適である。   The organic onium salt used in the present invention has a feature that it is easily dissolved in the hydrocarbon-based organic solvent as described above, but by further adding a small amount of a polar solvent, more favorable dissolution can be achieved. Sex can be obtained. On the other hand, as the amount of the polar solvent increases, the solubility of the wax and the like as described above tends to decrease. Therefore, the proportion of the hydrocarbon organic solvent in the solvent is preferably 70% by mass or more. is there. Further, if the amount of the polar solvent is too large, it is easy to absorb moisture and the corrosion of the object to be cleaned is apt to proceed, so that the ratio of the hydrocarbon organic solvent in the solvent is more preferably 90% by mass or more. , 95% by mass or more, more preferably 98% by mass or more.

当該極性溶剤としては、アルコール類、ケトン類、エステル類等を使用することができるが、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、オクタノール等のアルコール類が特に好適である。   As the polar solvent, alcohols, ketones, esters and the like can be used, but alcohols such as propanol, butanol, hexanol and octanol are particularly preferable.

本発明において、有機オニウム塩の配合量は特に制限されるものではないが、あまりに多すぎても配合量の増加に見合うほど帯電防止効果が向上しないこと、あまりに少なすぎると十分な帯電防止効果が得られないことから、溶剤100質量部に対して0.001〜10質量部添加するのが好適であり、特に好ましくは、0.01〜5質量部である。   In the present invention, the amount of the organic onium salt is not particularly limited, but the antistatic effect is not improved as much as the amount is too large, and the antistatic effect is too small if the amount is too small. Since it is not obtained, it is preferable to add 0.001 to 10 parts by mass to 100 parts by mass of the solvent, and particularly preferably 0.01 to 5 parts by mass.

本発明の洗浄用組成物の製造方法は特に制限されるものではなく、所定量の有機オニウム塩を溶剤と混合し溶解させればよい。有機オニウム塩を溶剤に溶解させる方法は特に制限される物ではなく、有機オニウム塩をそのまま溶剤に添加して溶解させても良いが、有機溶剤に、加熱融解させたオニウム塩を添加して混合する方法や、有機オニウム塩が良く溶ける溶剤(極性溶剤)に溶解させた後に溶剤に添加する方法が好適に用いられる。また、不溶分が生じた場合には濾過等により除去することが好ましい。   The method for producing the cleaning composition of the present invention is not particularly limited, and a predetermined amount of an organic onium salt may be mixed and dissolved in a solvent. The method of dissolving the organic onium salt in the solvent is not particularly limited, and the organic onium salt may be directly added to the solvent and dissolved, but the onium salt heated and melted is added to the organic solvent and mixed. Or a method of dissolving the compound in a solvent (polar solvent) in which the organic onium salt is well soluble and then adding the solution to the solvent. Further, when insolubles are generated, it is preferable to remove them by filtration or the like.

本発明の洗浄用組成物を用いて洗浄することにより、微粒子、金属、絶縁物、有機物等の汚染物質を除去することができる。   By cleaning with the cleaning composition of the present invention, contaminants such as fine particles, metals, insulators, and organic substances can be removed.

本発明の洗浄用組成物は、ワックス、シリコーン、潤滑油や加工油の付着した製品の洗浄に好ましく用いられる。中でも、水分の存在や腐食、表面平滑度が問題となる、各種電子部品(電気素子や半導体基板等)の洗浄に特に好適に用いられる。具体的に例を挙げて説明すると、回路パターン形成済みシリコンウエハー、薄膜磁気ヘッド、化合物半導体、プリント基板、実装基盤、磁気記録ディスク等を挙げることができるが、特に磁気ヘッドの洗浄に好適である。また、洗浄方法としては、公知の洗浄方法で行えば良く、例えば洗浄対象物に洗浄剤をスプレーで吹き付けた後、布または刷毛でふき取る方法、予め洗浄剤を含ませた布、スポンジ、あるいはフェルト等でふき取る方法、又は洗浄剤中に浸けてブラシ等で洗浄した後、風乾する方法などで行うことができ、用途、洗浄剤の特性に応じて適当な方法を選択すればよい。   The cleaning composition of the present invention is preferably used for cleaning products to which wax, silicone, lubricating oil or processing oil has adhered. Among them, it is particularly suitably used for cleaning various electronic components (electric elements, semiconductor substrates, etc.) in which the presence of moisture, corrosion, and surface smoothness pose problems. To be more specific, examples include a silicon wafer having a circuit pattern formed thereon, a thin-film magnetic head, a compound semiconductor, a printed circuit board, a mounting substrate, a magnetic recording disk, and the like, which is particularly suitable for cleaning the magnetic head. . Further, as a cleaning method, a known cleaning method may be used, for example, a method in which a cleaning agent is sprayed on an object to be cleaned and then wiped off with a cloth or a brush, a cloth, a sponge, or a felt containing a cleaning agent in advance. Etc., or a method of immersing in a cleaning agent, washing with a brush or the like, and then air-drying. An appropriate method may be selected according to the use and the characteristics of the cleaning agent.

また、洗浄剤の洗浄特性を更に改良するために、界面活性剤等、洗浄剤の添加成分として公知の添加剤をさらに配合することも可能である。   Further, in order to further improve the cleaning properties of the cleaning agent, it is possible to further add a known additive as an additional component of the cleaning agent, such as a surfactant.

このようにして洗浄された製品、加工物などは、その表面はきれいにワックス等の油類が除去され、洗浄剤によって汚損されることもない。さらに、洗浄物が帯電することもなく、塵等が付着しにくくなり、清浄な面が常に保持されることによって、製品価値を損なうこと無く、又は製造又は加工工程で余計な洗浄や清掃を省くことができる。さらには、洗浄用組成物の帯電による静電破壊や発火の危険性が低減され、余分な安全装置や特殊な行程をも省くことができる。   The surface of the product, the processed product, and the like washed in this manner is free of oil such as wax, and is not contaminated by the cleaning agent. Further, the cleaning object is not charged, dust and the like are less likely to adhere, and a clean surface is always maintained, so that the product value is not impaired or unnecessary washing or cleaning is omitted in the manufacturing or processing steps. be able to. Furthermore, the risk of electrostatic breakdown and ignition due to charging of the cleaning composition is reduced, and extra safety devices and special steps can be omitted.

以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(1)比抵抗の測定
トクヤマ製連続比抵抗計TOR−2000を用い、室温にて測定した。
(2)放置後水分量の測定
洗浄用組成物を大気開放下、室温で24時間攪拌した後、カールフィッシャー水分計を用いて水分量を測定した。
(3)洗浄後表面観察
縦20mm、横20mm、厚さ2mmの表面研磨した鉄片にポリジメチルシロキサンを刷毛を用いて均一に塗布したテストサンプルを洗浄用組成物内に浸けて室温で3時間放置した。その後、サンプルを引き上げて風乾した後、その表面を光学顕微鏡(500倍)で観察した。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.
(1) Measurement of specific resistance It measured at room temperature using the continuous resistance meter TOR-2000 made from Tokuyama.
(2) Measurement of moisture content after standing The washing composition was stirred at room temperature for 24 hours under open air, and then the moisture content was measured using a Karl Fischer moisture meter.
(3) Surface observation after cleaning A test sample in which polydimethylsiloxane was uniformly applied to a surface-polished iron piece having a length of 20 mm, a width of 20 mm and a thickness of 2 mm using a brush was immersed in the cleaning composition and left at room temperature for 3 hours. did. Thereafter, the sample was pulled up and air-dried, and the surface was observed with an optical microscope (500 times).

実施例1
テトラオクチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド9.01g(12.7mmol)を、イソプロピルアルコール30gに溶解させた後、ノルマルパラフィン系溶剤TPS−2250(トクヤマ社製、引火点71℃)4L(3004g)に対して添加して無色透明で均一な洗浄剤を得た。この洗浄剤の比抵抗を測定したところ、2.0GΩであった。この洗浄液をTREK社製チャージドプレートモニター158を用いて1000Vの電圧をかけ、500Vまで減衰する時間を測定した所、1.6秒であり、十分な帯電防止性があることが確認できた。この洗浄剤の放置後水分量は、49ppmであり、洗浄後表面観察では、粉体等による汚れ、表面の傷ともに見られなかった。
Example 1
After dissolving 9.01 g (12.7 mmol) of tetraoctylammonium-2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide in 30 g of isopropyl alcohol, a normal paraffin solvent TPS-2250 (Tokuyama Corporation) (Flash point: 71 ° C.) to obtain 4 L (3004 g) to obtain a colorless, transparent and uniform detergent. When the specific resistance of this cleaning agent was measured, it was 2.0 GΩ. When a voltage of 1000 V was applied to this washing solution using a charged plate monitor 158 manufactured by TREK, and the time required for the washing solution to decay to 500 V was measured, it was 1.6 seconds, and it was confirmed that the solution had sufficient antistatic properties. The water content of the detergent after standing was 49 ppm, and the surface observation after washing showed no contamination by powder or the like and no scratch on the surface.

比較例1
テトラオクチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミドの代わりに、ドデシルスルフォン酸ナトリウム塩12.7mmolを用いた以外、実施例1と同様に溶解させようとしたところ、ドデシルスルフォン酸ナトリウム塩の溶け残りが生じた。塩を溶かすためにイソプロピルアルコール330gをさらに添加して溶解を試みたが全ては溶解しなかった。この液の上澄みを取り比抵抗を測定したところ、比抵抗は850GΩであった。この洗浄液の放置後水分量は723ppmであり、洗浄後表面観察では表面に粉状の汚損が見られた。
Comparative Example 1
An attempt was made to dissolve in the same manner as in Example 1, except that 12.7 mmol of dodecylsulfonic acid sodium salt was used instead of tetraoctylammonium · 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide. , And the remaining salt of dodecylsulfonic acid sodium salt remained undissolved. In order to dissolve the salt, 330 g of isopropyl alcohol was further added to attempt dissolution, but all did not dissolve. When the supernatant of this liquid was taken and the specific resistance was measured, the specific resistance was 850 GΩ. The water content of the cleaning solution after standing was 723 ppm, and powder surface contamination was observed on the surface after cleaning.

実施例2〜3
表1に示す有機オニウム塩を、表1に示す量用いた以外、実施例1と同様に操作した。比抵抗及び水分量の評価結果を表1に示す。また、いずれの洗浄用組成物でも洗浄後表面観察では、粉体等による汚れ、表面の傷ともに見られなかった。
Examples 2-3
The same operation as in Example 1 was performed except that the organic onium salts shown in Table 1 were used in the amounts shown in Table 1. Table 1 shows the evaluation results of the specific resistance and the water content. In addition, in any of the cleaning compositions, the surface observation after cleaning showed no contamination by powder or the like and no scratch on the surface.

Figure 2004285354
Figure 2004285354

実施例4〜28
表2〜4に記載した種類と量の有機オニウム塩を、表2に示す量の1−オクタノールに溶解し、これを4Lのノルマルパラフィン系溶剤TPS−2250に添加して無色透明の洗浄用組成物を得た。比抵抗及び水分量の評価結果を表2〜4に併せて示した。また、これら各実施例の洗浄用組成物を用いた場合の洗浄後表面観察では、いずれも粉体等による汚れ、表面の傷ともに見られなかった。
Examples 4 to 28
The kind and amount of the organic onium salt described in Tables 2 to 4 were dissolved in the amount of 1-octanol shown in Table 2 and added to 4 L of a normal paraffin-based solvent TPS-2250 to obtain a colorless and transparent cleaning composition. I got something. The evaluation results of the specific resistance and the water content are also shown in Tables 2 to 4. In addition, in the surface observation after cleaning using the cleaning composition of each of the examples, neither dirt due to powder or the like nor any scratch on the surface was observed.

Figure 2004285354
Figure 2004285354

Figure 2004285354
Figure 2004285354

Figure 2004285354
Figure 2004285354

実施例29〜30
ノルマルパラフィン系溶剤TPS−2250(トクヤマ社製、引火点71℃)の代わりに表3に示す溶剤を用いた以外、実施例2と同様に操作した(有機オニウム塩添加量6.4mmol)。いずれも洗浄後表面観察では、粉体等による汚れ、表面の傷ともに見られなかった。結果を表5に示す。
Examples 29 to 30
The same operation as in Example 2 was carried out except that the solvents shown in Table 3 were used instead of the normal paraffin-based solvent TPS-2250 (manufactured by Tokuyama Corporation, flash point: 71 ° C) (the amount of the organic onium salt added was 6.4 mmol). In any case, neither dirt due to powder or the like nor surface damage was observed in the surface observation after washing. Table 5 shows the results.

Figure 2004285354
Figure 2004285354

実施例31
洗浄しようとする、アルティック(Al・TiC)上に薄膜磁気ヘッドパターンを形成した基板を切断、ラップしたバー(1.0mm×0.1mm×100mm)で、その表面はシリコーンオイル、フラックス残渣で汚染されていることを目視で確認した。
Example 31
A bar (1.0 mm × 0.1 mm × 100 mm) obtained by cutting and wrapping a substrate on which a thin film magnetic head pattern is formed on an Altic (Al 2 O 3 .TiC) to be cleaned, the surface of which is silicone oil, It was visually confirmed that it was contaminated with the flux residue.

ブラシスクラバーを備えた洗浄槽、第一リンス槽、第二リンス槽、乾燥槽から構成されたクローズド基盤洗浄システムを用意した。前述した洗浄するバーを洗浄槽に搬入した。実施例1で製造した洗浄液を両側面より散布しながら回転式豚毛製スクラブブラシを両面から当ててブラシスクラビング洗浄を行った。この時の洗浄液温度は30℃とした。次いでこの洗浄したバーを液切りブロー後第一リンス槽に転送し、N−メチルピロリドンを両面より散布してリンスした。次いで、第二リンス槽に転送し、イソプロピルアルコールを両面噴流方式で散布しリンスを行った。次いで液きりブロー後乾燥槽に転送し、80℃の熱風で上下エアーブローで乾燥した。   A closed base cleaning system including a cleaning tank equipped with a brush scrubber, a first rinsing tank, a second rinsing tank, and a drying tank was prepared. The bar to be washed was carried into the washing tank. While the cleaning solution prepared in Example 1 was sprayed from both sides, a scrub brush made of a rotating pig hair was applied from both sides to perform brush scrubbing cleaning. The cleaning liquid temperature at this time was 30 ° C. Next, the washed bar was drained and blown, transferred to the first rinsing tank, and rinsed by spraying N-methylpyrrolidone from both sides. Next, it was transferred to a second rinsing tank, and isopropyl alcohol was sprayed by a double-side jet method to perform rinsing. Next, the liquid was blown off, transferred to a drying tank, and dried by hot air at 80 ° C. by vertical air blow.

洗浄後のバーを目視したところ、バー上にシリコーンオイル、フラックス残渣は確認されなかった。さらに反射型FTIRを用いてバー表面を分析したところ、シリコーンオイルのピークは観測されなかった。また、得られたバーをSEMを用いて2万倍で観察したところ、表面の腐食、静電破壊による欠損、付着粒子は見られなかった。   Upon visual inspection of the bar after washing, no silicone oil or flux residue was found on the bar. Further, when the bar surface was analyzed using reflection FTIR, no silicone oil peak was observed. Observation of the obtained bar at a magnification of 20,000 using an SEM revealed no corrosion of the surface, no defects due to electrostatic breakdown, and no adhered particles.

実施例32及び比較例2
テトラオクチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド、又はトリラウリルメチルアンモニウム・クロライドの所定量をノルマルパラフィン系溶剤TPS−2250に対して添加した。なお、トリラウリルメチルアンモニウム・クロライドはTPS−2250に溶解しにくいため、一旦イソプロピルアルコールとの混合物{トリラウリルメチルアンモニウム・クロライド:イソプロピルアルコール=80:20(質量比)}として液状にした後、TPS−2250に添加した。図1に、これらの添加量と比抵抗の関係を調べた結果を示した。従来型の帯電防止材であるトリラウリルメチルアンモニウム・クロライドに比して、テトラオクチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミドは遥かに少量の添加量で高い効果を与えることが判る。
Example 32 and Comparative Example 2
A predetermined amount of tetraoctylammonium · 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide or trilaurylmethylammonium chloride was added to a normal paraffin solvent TPS-2250. Since trilaurylmethylammonium chloride is difficult to dissolve in TPS-2250, the mixture was once made into a liquid with isopropyl alcohol {trilaurylmethylammonium chloride: isopropyl alcohol = 80: 20 (mass ratio)} and then converted to TPS. -2250. FIG. 1 shows the results of examining the relationship between the amounts of these additives and the specific resistance. Compared to trilaurylmethylammonium chloride which is a conventional antistatic material, tetraoctylammonium / 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide has a higher effect with a much smaller amount of addition. It turns out that gives.

テトラオクチルアンモニウム・2,2,2−トリフルオロ−N−(トリフルオロメタンスルフォニル)アセタミド又はトリラウリルメチルアンモニウムアンモニウム・クロライドを帯電防止剤として用いた場合の、各々の添加量と比抵抗の関係を示す図である。The relationship between the added amount and the specific resistance when tetraoctylammonium • 2,2,2-trifluoro-N- (trifluoromethanesulfonyl) acetamide or trilaurylmethylammonium ammonium chloride is used as an antistatic agent is shown. FIG.

Claims (4)

第4級アンモニウムカチオン、第4級ホスホニウムカチオン及び第3級スルフォニウムカチオンからなる群から選ばれる有機オニウムカチオンと、下記一般式(I)又は(II)
Figure 2004285354
(式中、A、Aはそれぞれ独立にフルオロアシル基、フルオロアルコキシカルボニル基、フルオロアルキルスルフォニル基、フルオロアルコキシスルフォニル基又はニトリル基を示す。)
Figure 2004285354
(式中、B、B、Bはそれぞれ独立にフルオロアシル基、フルオロアルコキシカルボニル基、フルオロアルキルスルフォニル基、フルオロアルコキシスルフォニル基又はニトリル基を示す。)
で示されるアニオンとからなる有機オニウム塩を含む洗浄用組成物。
An organic onium cation selected from the group consisting of a quaternary ammonium cation, a quaternary phosphonium cation and a tertiary sulfonium cation, and the following general formula (I) or (II)
Figure 2004285354
(In the formula, A 1 and A 2 each independently represent a fluoroacyl group, a fluoroalkoxycarbonyl group, a fluoroalkylsulfonyl group, a fluoroalkoxysulfonyl group, or a nitrile group.)
Figure 2004285354
(In the formula, B 1 , B 2 , and B 3 each independently represent a fluoroacyl group, a fluoroalkoxycarbonyl group, a fluoroalkylsulfonyl group, a fluoroalkoxysulfonyl group, or a nitrile group.)
A cleaning composition comprising an organic onium salt comprising an anion represented by the formula:
炭化水素系有機溶剤を90質量%以上含む溶剤100質量部に対し、有機オニウム塩が0.001〜10質量部の範囲で含まれる、請求項1記載の洗浄用組成物。   The cleaning composition according to claim 1, wherein the organic onium salt is contained in the range of 0.001 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the solvent containing 90% by mass or more of the hydrocarbon-based organic solvent. 電子部品洗浄用である、請求項1又は2記載の洗浄用組成物。   The cleaning composition according to claim 1, which is for cleaning electronic components. 請求項1又は2記載の洗浄用組成物を用いることを特徴とする、電子部品の洗浄方法。

A method for cleaning an electronic component, comprising using the cleaning composition according to claim 1.

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