JP2004281573A

JP2004281573A - Semiconductor device and its fabricating method

Info

Publication number: JP2004281573A
Application number: JP2003068741A
Authority: JP
Inventors: Tsuyoshi Yanagida; 剛志柳田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-03-13
Filing date: 2003-03-13
Publication date: 2004-10-07

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device in which parasitic capacitance can be reduced at the gate electrode part, and to provide its fabricating method. <P>SOLUTION: The semiconductor device comprises a body 1C provided on a box 1B, a gate oxide film 4 provided on the body 1C, a gate electrode part 2 provided on the gate oxide film 4, a drain diffusion layer 3A provided on the body 1C in a specified region on one side of the gate electrode part 2, a source diffusion layer 3B provided on the body 1C in a specified region on the other side of the gate electrode part 2, an oxide film pattern 10 provided in the boundary part of the drain diffusion layer 3A and the body 1C on one side of the gate electrode part 2, silicide 15A provided in the drain diffusion layer 3A exposed from below the oxide film pattern 10, and silicide 15B provided from the source diffusion layer 3B to a P<SP>-</SP>layer 20 on the other side of the gate electrode part 2. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板に電界効果トランジスタを有するＬＳＩに適用して好適な半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、絶縁基体上に単結晶シリコン層が設けられたＳＯＩ基板の製造技術はさらに進歩しつつあり、その大口径化や、低価額化が進みつつある。このようなＳＯＩ基板にＭＯＳトランジスタを形成すると、トランジスタを完全に素子分離して形成することができ、また拡散層の容量を低減することができるので、トランジスタの高集積化や、動作速度の高速化に有利であることが広く知られている。
【０００３】
図１１は、従来例に係る半導体装置９０の構成例を示す平面図である。また、図１２（Ａ）及び（Ｂ）は、図１１に示す半導体装置９０のＸ１´−Ｘ２´及びＹ１´−Ｙ２´矢視断面図である。尚、図１１では、説明の便宜上から図１２（Ａ）に示す層間絶縁膜と、プラグ電極と、メタル配線の図示を省略している。
図１２（Ａ）に示すように、この半導体装置９０は、支持基板９１Ａ上に絶縁層（以下で、ＢＯＸ：ボックスという）９１Ｂが形成され、さらにこのボックス９１Ｂ上に半導体層（以下で、ＢＯＤＹ：ボディという）９１Ｃが形成されたＳＯＩ基板９１を備えている。図１１に示すように、このＳＯＩ基板９１には素子分離層９５が形成されており、この素子分離層９５で囲まれたボディにｎＭＯＳトランジスタ９９が形成されている。
【０００４】
図１１に示すように、このｎＭＯＳトランジスタ９９のゲート電極部９２は、平面視でＴ字状になっている。このため、半導体装置９０は、Ｔ−Ｇａｔｅ型とも呼ばれる。また、このゲート電極部９２の左右両側のボディには、ドレイン用のＮ^＋層９３Ａと、ソース用のＮ^＋層９３Ｂとがそれぞれ形成されている。さらに、このゲート電極部９２から突き出すようにして、ボディコンタクト用のＰ^＋層９６がＳＯＩ基板９１に形成されている。ボディ９１Ｃの導電型はＰ型である。
【０００５】
図１２（Ｂ）において、破線で分割されるボディ（Ｐ⁻）９１Ｃの右側の領域はチャネルとして機能する領域（以下で、チャネル領域という）である。また、このボディ１Ｃの左側の領域は、チャネル領域とボディコンタクト用のＰ^＋層９６とを接続する接続領域である。半導体装置９０では、このＰ^＋層９６を通してチャネル領域の電位を調整するように設計されている。この接続領域や、接続領域上のゲート電極部９２は、図１１に示したように、あたかもハンマーのヘッドのような形状を有しているので、ハンマーヘッドとも呼ばれる。
【０００６】
これらのＮ^＋層９３Ａ及び９３Ｂや、Ｐ^＋層９６は、図１２（Ａ）に示すサイドウォール９７の形成後に、フォトリソグラフィによりレジストパターンが形成され、このレジストパターンとゲート電極部９２とをマスクにしてボディ９１Ｃにヒ素等の不純物がイオン注入され形成される。また、図１２（Ｂ）に示すように、このゲート電極部９２や、ボディコンタクト用のＰ^＋層９６の上面には、シリサイド９８がそれぞれ設けられている。さらに、図１２（Ａ）に示すように、ドレイン用のＮ^＋層９３の上面と、ソース用のＮ^＋層９３の上面にもシリサイド９８がそれぞれ設けられている。これらのシリサイドは、サリサイドによって形成されたものである。
【０００７】
ところで、図１２（Ｂ）に示すように、このゲート電極部９２がチャネル領域の上方だけでなく、接続領域の上方まで延設されている理由は、主に二つある。第１の理由は、図１２（Ａ）に示すようなドレイン用のＮ^＋層９３Ａと、ソース用のＮ^＋層９３Ｂとを形成する際に、このゲート電極部９２をイオン注入に対するマスクに使用するためである。このゲート電極部９２によって、接続領域へのヒ素等のイオン注入は阻止されて、Ｎ^＋層９３Ａ及び９３Ｂが自己整合的に形成される。
【０００８】
第２の理由は、これらのＮ^＋層９３Ａ及び９３Ｂ上にシリサイド９８を形成する際に、このシリサイド９８によるＮ^＋層９３Ａ又は９３Ｂとボディコンタクト用のＰ^＋層９６との短絡をサイドウォール９７で阻止するためである。ｎＭＯＳトランジスタは、普通、ドレインに正電圧が印加され、ソースとボディとが接地（０Ｖ）された状態で使用される。ところが、ドレイン用のＮ^＋層９３Ａとボディコンタクト用のＰ^＋層９６とが短絡してしまうと、ボディに正電圧が印加されることになり、チャネル領域の電位を０Ｖに調整できなくなる。このような理由から、ゲート電極部９２は、チャネル領域の上方だけでなく、接続領域の上方まで延設されている
【０００９】
【特許文献１】
特開平１１−１３５７９５号公報
【特許文献２】
特開平７−２２１３１４号公報
【特許文献３】
特開平７−７４３６３号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来例に係る半導体装置９０によれば、ｎＭＯＳトランジスタ９９のゲート電極部９２は、チャネル領域から接続領域まで延設されていた。このため、単結晶のシリコン基板に直接形成されるｎＭＯＳトランジスタと比べて、半導体装置９０のゲート電極部９２は寄生容量が大きいという問題があった。ゲート電極部の寄生容量が大きいと、半導体装置の動作速度が低く抑えられてしまう。
【００１１】
そこで、本発明は、このような従来技術の問題点を解決したものであって、ゲート電極部の寄生容量を低減できるようにした半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するために、本発明に係る第１の半導体装置は、絶縁性の基体又は絶縁層上に設けられた半導体層と、この半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極部と、このゲート電極部の一方の側にある所定領域の半導体層に設けられたソース又はドレインの一方用の第１不純物拡散層と、ゲート電極部の他方の側にある所定領域の半導体層に設けられたソース又はドレインの他方用の第２不純物拡散層と、ゲート電極部の一方の側であって、第１不純物拡散層と半導体層との境界部分に設けられた絶縁パターンと、この絶縁パターン下から露出する第１不純物拡散層に設けられた第１導電膜と、ゲート電極部の他方の側であって、第２不純物拡散層から半導体層にかけて設けられた第２導電膜とを備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
ここで、半導体装置のソース又はドレインの一方用の第１不純物拡散層は、通常、ゲート電極部の長手方向に沿って設けられる。それゆえ、この第１不純物拡散層と半導体層との境界部分としては、例えば、以下の４つの境界部分が想定される。
第１の境界部分は、ゲート電極部の長手方向に平行で、ゲート電極部直下のチャネル領域としての半導体層と、第１不純物拡散層とが接する部分である。また、第２の境界部分は、この第１の境界部分と向かい合う側であって第１不純物拡散層と半導体層とが接する部分である。さらに、第３、第４の境界部分は、ゲート電極部の側壁部直下から、当該ゲート電極部の長手方向と直交する方向に延びる第１不純物拡散層と半導体層との接触部分である。
【００１４】
本発明における境界部分とは、これらの中で、第２、第３、第４の境界部分を意味するものである。上述した第１の境界部分上に絶縁パターンが設けられていると半導体装置のしきい値が変動してしまうので、本発明の境界部分に第１の境界部分は含まない。
また、第１不純物拡散層は、素子分離用の段差部によって他の素子形成領域から分離される素子形成領域としての半導体層のうち、ゲート電極部の一方の側から段差部に至る領域の半導体層の上方の部位にのみ設けられている場合がある。この場合には、素子分離用の段差部において、第１不純物拡散層と、この第１不純物拡散層下の半導体層との境界部分（第２の境界部分）上は層間絶縁膜によって覆われている。このような場合には、本発明における境界部分とは、特に第３、第４の境界部分を意味する。
【００１５】
本発明に係る第２の半導体装置は、上述した第１の半導体装置において、半導体層に設けられた素子分離用の段差部を備え、第１不純物拡散層は、この段差部によって他の素子形成領域から分離される素子形成領域としての半導体層のうち、ゲート電極部の一方の側から当該段差部に至る領域の半導体層に設けられ、絶縁パターンは、ゲート電極部の長手方向と直交する方向に延びる第１不純物拡散層と半導体層との境界部分上に設けられていることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明に係る第１、第２の半導体装置によれば、ゲート電極部の一方の側では、ソース又はドレインの一方用の第１不純物拡散層と半導体層との境界部分に設けられた絶縁パターンによって、この第１不純物拡散層に設けられた第１導電膜と、半導体層とが隔離される。また、ゲート電極部の他方の側では、ソース又はドレインの他方用の第２不純物拡散層と半導体層とが第２導電膜によって短絡されるので、ソース又はドレインと半導体層とが同電位となる。
【００１７】
ここで、半導体装置のソース又はドレイン用の不純物拡散層のどちらか一方は、半導体装置の基板と同電位に設定されることが普通である。従って、従来方式と比べて、ゲート電極部をボディコンタクト用の不純物拡散層まで延設する必要がないので、ゲート電極部の寄生容量を低減することができる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁性の基体又は絶縁層上に設けられた半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、このゲート絶縁膜上にゲート電極部を形成する工程と、このゲート電極部の一方の側にある所定領域の半導体層にソース又はドレインの一方用の第１不純物拡散層を形成する工程と、このゲート電極部の他方の側にある所定領域の半導体層にソース又はドレインの他方用の第２不純物拡散層を形成する工程と、このゲート電極部の一方の側であって、第１不純物拡散層と半導体層との境界部分に絶縁パターンを形成する工程と、この絶縁パターン下から露出する第１不純物拡散層に第１導電膜を形成する工程と、このゲート電極部の他方の側であって第２不純物拡散層から半導体層にかけて第２導電膜を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１８】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、従来方式と比べて、ゲート電極部をボディコンタクト用の不純物拡散層まで延設しなくても済むので、ゲート電極部の寄生容量を低減することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置１００の構成例を示す平面図である。また、図２（Ａ）及び（Ｂ）は、図１に示す半導体装置１００のＸ１−Ｘ２及びＸ３−Ｘ４矢視断面図である。この半導体装置１００は、例えばＳＯＩ基板１にｎＭＯＳトランジスタ５０を有するＬＳＩである。
【００２０】
図２（Ａ）に示すように、この半導体装置１００は、半導体層１Ｃに段差部６が設けられて、素子形成領域としてのトランジスタ形成領域が画定されたＳＯＩ基板１と、このトランジスタ形成領域の半導体層１Ｃ上に設けられたゲート酸化膜４と、このゲート酸化膜４上に設けられたゲート電極部２と、ゲート電極部２の右側にある所定領域の半導体層１Ｃに設けられたドレイン拡散層３Ａと、ゲート電極部２の左側にある所定領域の半導体層１Ｃに設けられたソース拡散層３Ｂとを備えている。
【００２１】
また、図１に示すように、この半導体装置１００は、ドレイン拡散層３Ａと、このドレイン拡散層３Ａに続く半導体層１Ｃとの境界部分に設けられた酸化膜パターン１０と、この酸化膜パターン１０下から露出したドレイン拡散層３Ａ上に設けられたシリサイド１５Ａと、ソース拡散層３Ｂを含む半導体層１Ｃ上に設けられたシリサイド１５Ｂと、ゲート電極部２上に設けられたシリサイド１５Ｃを備えている。
【００２２】
さらに、図２（Ａ）に示すように、この半導体装置１００は、ｎＭＯＳトランジスタ５０上に設けられた層間絶縁膜４１と、この層間絶縁膜４１上にドレイン拡散層３Ａと、ソース拡散層３Ｂとをそれぞれ引き出すプラグ電極４３と、層間絶縁膜４１上にゲート電極部２を引き出すプラグ電極（図示せず）と、これらのプラグ電極と接続するように層間絶縁膜４１上に配設されたメタル配線４５等を備えている。
【００２３】
この半導体装置１００では、段差部６に層間絶縁膜４１が埋め込まれて、素子間が分離されている（メサ分離）。なお、図１では、説明の便宜上から層間絶縁膜４１と、プラグ電極４３と、メタル配線４５等の図示を省略している。
これらの中で、ＳＯＩ基板１は、図２（Ａ）に示すように、その下方から支持基板１Ａと、絶縁層（以下で、ＢＯＸ：ボックスという）１Ｂと、半導体層（以下で、ＢＯＤＹ：ボディという）１Ｃとからなる３層構造を有している。例えば、支持基板１Ａは単結晶のシリコン基板であり、ボックス１Ｂはシリコン酸化層であり、ボディ１Ｃは単結晶のシリコン層である。
【００２４】
これらの中で、ボディ１Ｃが、ｎＭＯＳトランジスタ５０や、抵抗（図示せず）、キャパシタ（図示せず）等の素子を形成される層である。このような３層構造を有するＳＯＩ基板１は、例えば周知技術のＳＩＭＯＸ（ｓｉｌｉｃｏｎｉｍｐｌａｎｔｅｄｏｘｉｄｅ）又は、貼り合わせによって形成される。図２（Ａ）に示すように、トランジスタ形成領域のボディ１Ｃのうち、ドレイン拡散層３Ａとソース拡散層３Ｂ以外の部分は導電型がＰ型になっている。
【００２５】
ゲート酸化膜４は、図２（Ａ）に示すように、Ｎ型のドレイン拡散層３Ａとソース拡散層３Ｂとに挟まれたチャネル領域のボディ１Ｃ上に設けられている。このゲート酸化膜４は、ボディ１Ｃが熱酸化されて形成されたシリコン酸化膜であり、その厚みは例えば１００Å程度である。
ゲート電極部２は、ゲート酸化膜４を介してチャネル領域のボディ１Ｃ上に設けられている。図１に示すように、このゲート電極部２は、チャネル領域のボディ１Ｃ上からトランジスタ形成領域外のボックス１Ｂ上まで設けられている。このトランジスタ形成領域外のボックス１Ｂ上で、ゲート電極部２はプラグ電極（図示せず）と接続するようになっている。
【００２６】
このゲート電極部２は、例えばシリコンからなるものである。また、このゲート電極部２の側壁にはシリコン酸化膜等からなるサイドウォール７が設けられている。さらに、このゲート電極部２の上面にはチタンシリサイド（ＴｉＳｉ_２）等のシリサイド１５Ｃが設けられている。
ドレイン拡散層３Ａとソース拡散層３Ｂは、図２（Ａ）に示すように、ＬＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙｄｏｐｅｄｄｒａｉｎ）構造を有している。例えば、ドレイン拡散層３Ａは、チャネル領域上のゲート電極部２の右側から段差部６に至る領域のボディ１Ｃに設けられており、その下側の部位はボックス１Ｂと接している。このドレイン拡散層３Ａは、ヒ素等のＮ型不純物が高濃度に導入されたＮ^＋層３１Ａと、リン、又はヒ素等のＮ型不純物が低濃度に導入されたＮ⁻層３３Ａと、ボロン等のＰ型不純物が低濃度に導入されたＨａｌｏ層（ポケットイオン注入層）３５Ａとから構成されている。Ｈａｌｏ層３５Ａはパンチスルー対策に設けられた拡散層であり、Ｎ⁻層８Ａの外側まで拡がるように形成されている。
【００２７】
また、ソース拡散層３Ｂは、チャネル領域上のゲート電極部２の左側から段差部６に至る領域のボディ１Ｃに設けられており、その下側の部位はボックス１Ｂと接している。このソース拡散層３Ｂは、ヒ素等のＮ型不純物が高濃度に導入されたＮ^＋層３１Ｂと、リン等のＮ型不純物が低濃度に導入されたＮ⁻層３３Ｂと、ボロン等のＰ型不純物が低濃度に導入されたＨａｌｏ層３５Ｂとから構成されている。
【００２８】
図３は、ドレイン拡散層３Ａとボディ１Ｃとの境界部分２３を示す平面図である。図３では、半導体装置１００からシリサイド１５と酸化膜パターン１０とを取り除いた状態を示している。図３に示すように、ドレイン拡散層３Ａとソース拡散層３Ｂは、チャネル領域上にあるゲート電極部２の左右両側から段差部６に至る領域にそれぞれ設けられている。また、これらドレイン拡散層３Ａとソース拡散層３Ｂのそれぞれ上下両側から段差部に至る領域のボディ１Ｃには、Ｎ型の不純物が導入されていないので、その導電型はＰ型（Ｐ⁻）になっている。以下で、この領域のボディ１ＣをＰ⁻層２０という。図３に示すように、境界部分２３は、ゲート電極部２の右側であって、ゲート電極部２の長手方向と直行する方向に延びるドレイン拡散層３ＡとＰ⁻層２０との境界線を中心にして、所定の寸法幅を有している。
【００２９】
図１に示すように、酸化膜パターン１０は、この境界部分２３（図３参照）上を覆うようにして、ゲート電極部２からボックス１Ｂにかけて設けられている。この酸化膜パターン１０は、例えばＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成されたシリコン酸化膜がパターニングされたものであり、その厚みは例えば３０００Å程度である。
【００３０】
ところで、図１に示すように、この半導体装置１００では、ドレイン拡散層３Ａ上にはシリサイド１５Ａが設けられている。このシリサイド１５Ａは、酸化膜パターン１０によってＰ⁻層２０上のシリサイド１５Ｂから電気的に隔離されている。また、ソース拡散層３Ｂ上とＰ⁻層２０上にはシリサイド１５Ｂが設けられている。このシリサイド１５Ｂによって、ソース拡散層３ＢとＰ⁻層２０とは短絡されている。
【００３１】
これにより、ソース拡散層３ＢとＰ⁻層２０は常に同電位となるので（ソースタイ構造）、ｎＭＯＳトランジスタ５０を動作させる際に、ソース拡散層３Ｂの電位を０Ｖに設定することで、ボディ１Ｃの電位も０Ｖとすることができる。それゆえ、チャネル領域におけるキャリアの意図しない蓄積を防ぐことができ、トランジスタを安定して動作させることができる。
【００３２】
このように、本発明の実施形態に係る半導体装置１００によれば、図１に示すように、半導体装置９０に設けられたハンマーヘッドのように、ゲート電極部２をボディコンタクト用のＰ^＋層まで延設しなくても、ボディ１Ｃの電位を０Ｖに調整することができる。従って、ゲート電極部の寸法長さを短くすることができ、ゲート電極部の寄生容量を低減することができる。これにより、半導体装置の動作速度をさらに向上させることができる。
【００３３】
この実施形態では、ボックス１Ｂは本発明の絶縁層に対応し、ボディ１Ｃは本発明の半導体層に対応している。また、ゲート酸化膜４は本発明のゲート絶縁膜に対応している。さらに、ドレイン拡張層３Ａは本発明の第１不純物拡散層に対応し、ソース拡散層３Ｂは本発明の第２不純物拡散層に対応している。また、シリサイド１５Ａは本発明の第１導電膜に対応し、シリサイド１５Ｂは本発明の第２導電膜に対応している。さらに、酸化膜パターン１０は本発明の絶縁パターンに対応している。
【００３４】
次に、本発明の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法について説明する。図４（Ａ）〜図７（Ｃ）は半導体装置１００の製造方法を示す工程図である。ここでは、図２（Ａ）に示した半導体装置１００を、図４（Ａ）〜図７（Ｃ）の工程図に沿って製造する場合を想定する。従って、図４（Ａ）〜図７（Ｃ）において、図２（Ａ）と対応する部分には同一符号を付す。
【００３５】
まず始めに、図４（Ａ）に示すように、ボックス１Ｂ上にボディ１Ｃを備えたＳＯＩ基板１を用意する。上述したように、ボックス１Ｂは例えばシリコン酸化層であり、ボディ１Ｃは例えば単結晶のシリコン層である。次に、このボディ１Ｃにボロン等のＰ型不純物を注入し熱拡散して、このボディ１Ｃの導電型をＰ型にしておく。
【００３６】
次に、図４（Ｂ）に示すように、このボディ（Ｐ⁻）１Ｃ上に、段差部６を形成する領域上を開口するような第１のレジストパターン５１を形成する。このレジストパターン５１の形成は、例えばフォトリソグラフィにより行う。そして、このレジストパターン５１をマスクにして、ボディ１ＣにＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇ）等のドライエッチングを施し、段差部６を形成する。この段差部６によって、ＳＯＩ基板１上にトランジスタ形成領域が画定される。この段差部６を形成した後に、レジストパターン５１をアッシングして除去する。
【００３７】
次に、図４（Ｃ）に示すように、段差部６を形成したＳＯＩ基板１を熱酸化して、ボディ１Ｃ上にゲート酸化膜４を形成する。そして、このゲート酸化膜４が形成されたＳＯＩ基板１上にゲート電極部用のポリシリコン膜を形成する。このポリシリコン膜の形成は、例えばＣＶＤにより行う。次に、このポリシリコン膜をフォトリソグラフィ及びドライエッチングによりパターニングして、図５（Ａ）に示すようにゲート電極部２を形成する。次に、このゲート電極部２と、このゲート電極部の両側にある所定領域のボディ１Ｃ上を開口する第２のレジストパターン５３をＳＯＩ基板１上に形成する。
【００３８】
図８はレジストパターン５３の形状例を示す平面図である。図８に示すように、このレジストパターン５３によって、ドレイン拡散層とソース拡散層を形成する領域（以下で、ソース・ドレイン形成領域という）を開口すると共に、その他のボディ１Ｃ上を覆う。そして、上述したＮ⁻層３３Ａ及び３３Ｂを形成するために、図５（Ｂ）に示すように、このレジストパターン５３とゲート電極部２の両方をマスクにして、ボディ１Ｃにリン、又はヒ素等のＮ型不純物をイオン注入する。例えば、この工程におけるヒ素等の注入エネルギは１０〜２０Ｋｅｖ程度であり、ドーズ量は例えば１ｅ１３〜１ｅ１５／ｃｍ^２程度である。
【００３９】
また、このＮ型不純物のイオン注入工程と前後して、上述したＨａｌｏ層３５Ａ及び３５Ｂを形成するためのイオン注入を行う。即ち、図５（Ｂ）に示すように、レジストパターン５３とゲート電極部２の両方をマスクにして、ボディ１Ｃにボロン等のＰ型不純物をイオン注入する。この工程におけるボロン等の注入エネルギは例えば１０〜５０Ｋｅｖ程度であり、ドーズ量は例えば１ｅ１３／ｃｍ^２程度である。また、ＳＯＩ基板１に対するボロンイオンの注入角度は、例えば３０゜程度である。これら一連のイオン注入工程が終了した後に、レジストパターン５３をアッシングして除去する。
【００４０】
次に、このＳＯＩ基板１を窒素（Ｎ^２）等の不活性ガス雰囲気中で熱処理（アニール）して、ボディ１Ｃに注入されたリンイオンやボロンイオンを活性化しながら拡散させる。このようにして、図５（Ｃ）に示すように、ゲート電極部２の両側から段差部６に至る領域にあるボディ１Ｃの上方の部位に、Ｎ⁻層３３Ａ及び３３Ｂと、Ｈａｌｏ層３５Ａ及び３５Ｂとをそれぞれ形成する。次に、ＣＶＤによりこのＳＯＩ基板１上にシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜をエッチバックしてサイドウォール７を形成する。次に、このゲート電極部２と、このゲート電極部２の両側のＮ⁻層３３Ａ及びＮ⁻層３３Ｂ上を開口する第３のレジストパターンをＳＯＩ基板１上に形成する。
【００４１】
図９は第３のレジストパターン５５の形状例を示す平面図である。図９に示すように、このレジストパターン５５によって、ソース・ドレイン形成領域を開口すると共に、その他のボディ上を覆う。そして、上述したＮ⁻層３１Ａ及び３１Ｂを形成するために、図６（Ａ）に示すように、このレジストパターン５５と、サイドウォール７が形成されたゲート電極部２の両方をマスクにして、ボディ１Ｃにヒ素等のＮ型不純物をイオン注入する。この工程におけるヒ素イオンの注入エネルギは例えば５０〜７０Ｋｅｖ程度であり、ドーズ量は例えば１ｅ１５／ｃｍ^２程度である。このイオン注入後に、レジストパターン５５をアッシングして除去する。
【００４２】
その後、このＳＯＩ基板１を窒素（Ｎ^２）等の不活性ガス雰囲気中で熱処理（アニール）して、ＳＯＩ基板１に注入されたヒ素イオンを活性化しながら拡散させる。このようにして、図６（Ｂ）に示すように、ゲート電極部２の右側から段差部６に至る領域のボディ１ＣにＮ^＋層３１Ａを形成し、かつゲート電極部２の左側から段差部６に至る領域のボディ１ＣにＮ^＋層３１Ｂを形成する。
【００４３】
このように、半導体装置１００の製造工程では、レジストパターン５３（図８参照）とレジストパターン５５（図９参照）をマスクにしたＮ型不純物のイオン注入によって、ｎＭＯＳトランジスタ５０のチャネル幅を決定している。
次に、このＮ^＋層３１Ａ及び３１Ｂを形成したＳＯＩ基板１の全面上にシリコン酸化膜９を形成する。このシリコン酸化膜９の膜厚は、例えば３０００Å程度である。このシリコン酸化膜９の形成は、例えばＣＶＤにより行う。そして、このシリコン酸化膜９をフォトリソグラフィとドライエッチングとによってパターニングして、上述した境界部分２３（図３参照）上に図７（Ａ）に示す酸化膜パターン１０を形成する。
【００４４】
次に、図７（Ａ）において、ソース拡散層３Ｂ上と、酸化膜パターン１０下から露出したドレイン拡散層３Ａ上と、ゲート電極部２上と、この酸化膜パターン１０下やゲート電極部２下から露出したＰ⁻層上に、ＴｉＳｉ_２等のシリサイドを形成する。このシリサイドの形成は、例えばサリサイドによって形成する。即ち、酸化膜パターン１０を形成したＳＯＩ基板１上にチタンを数１０ｎｍ堆積する。このチタンの堆積は、スパッタリングにより行う。次に、このチタンが堆積されたＳＯＩ基板１を５００〜７００℃の温度範囲でアニールして、チタンとシリコンを反応させる。この反応によりチタンシリサイド（ＴｉＳｉ_２）１５が形成される。その後、このチタンシリサイド１５が形成されたＳＯＩ基板をウエットエッチングして、未反応なチタンを除去する。
【００４５】
これにより、酸化膜パターン１０下から露出したドレイン拡散層３Ａ上にシリサイド１５Ａを、ソース拡散層３Ｂ上とＰ⁻層上にシリサイド１５Ｂを、ゲート電極部２上にシリサイド１５Ｃをそれぞれ自己整合的に形成する。この後は、周知の半導体プロセス技術を用いて、層間絶縁膜やプラグ電極、メタル配線等を順次形成していく。これにより、図２（Ａ）に示した半導体装置１００を完成させる。
【００４６】
このように、本発明の実施形態に係る半導体装置１００の製造方法によれば、従来方式の半導体装置９０と比べて、ゲート電極部をボディコンタクト用の不純物拡散層まで延設しなくても、ソース拡散層３Ｂとボディ１Ｃとを同電位にすることができる。従って、ゲート電極部の寸法長さを短くすることができ、ゲート電極部の寄生容量を低減することができる。
【００４７】
なお、この実施形態では、本発明の第１導電膜にシリサイド１５Ａを、第２導電膜にシリサイド１５Ｂをそれぞれ用いる場合について説明したが、本発明の第１、第２導電膜はシリサイドに限られることはない。例えば、本発明の第１、第２導電膜は、ソース拡散層と、ドレイン拡散層を含むボディ１Ｃの表層部分にリン等のＮ型不純物を高濃度に導入して形成する低抵抗なＮ^＋＋層でも良い。この場合でも、ドレイン拡散層３ＡとＰ⁻層２０との境界部分上を覆う酸化膜パターン１０によって、この境界部分上でのＮ^＋＋層の形成は阻止される。それゆえ、ドレイン拡散層３ＡとＰ⁻層２０とを電気的に隔離することができる。
【００４８】
また、この実施形態では、図１に示すように、ドレイン拡散層３Ａとソース拡散層３Ｂの上下両側のボディ１ＣにＰ⁻層２０をそれぞれ形成する場合について説明したが、このＰ⁻層の形成領域はドレイン拡散層３Ａとソース拡散層３Ｂの上下両側に限られることはない。例えば、図１０に示すように、ドレイン拡散層３Ａとソース拡散層３Ｂの上側にだけＰ⁻層２０を設けても良い。この場合には、図１に示した半導体装置１００よりも、トランジスタ形成領域を小さくすることができる。
【００４９】
さらに、この実施形態では、半導体装置の一例として、ｎＭＯＳトランジスタ５０を備えた半導体装置１００について説明したが、本発明はｎＭＯＳトランジスタに限られることはなく、ｐＭＯＳトランジスタでも良い。この場合には、本発明のソース又はドレインの一方用の不純物拡散層に、Ｐ型のソース拡散層を対応させることで、上述した半導体装置１００と同様の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係る半導体装置１００の構成例を示す平面図。
【図２】図１に示す半導体装置１００の矢視断面図。
【図３】半導体装置１００における境界部分２３を示す平面図。
【図４】半導体装置１００の製造方法（その１）を示す工程図。
【図５】半導体装置１００の製造方法（その２）を示す工程図。
【図６】半導体装置１００の製造方法（その３）を示す工程図。
【図７】半導体装置１００の製造方法（その４）を示す工程図。
【図８】レジストパターン５３の形状例を示す平面図。
【図９】レジストパターン５５の形状例を示す平面図。
【図１０】半導体装置１００の変形例。
【図１１】従来例に係る半導体装置９０の構成例を示す平面図。
【図１２】図１１に示す半導体装置９０の矢視断面図。
【符号の説明】
１ＳＯＩ基板、１Ａ支持基板、１Ｂボックス、１Ｃボディ、２ゲート電極部、３Ａドレイン拡散層、３Ｂソース拡散層、４ゲート酸化膜、６段差部、７サイドウォール、１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃシリサイド、３１Ａ、３１ＢＮ^＋層、３３Ａ、３３ＢＮ⁻層、３５Ａ、３５ＢＨａｌｏ層、４１層間絶縁膜、４３プラグ電極、４５メタル配線、５０ｎＭＯＳトランジスタ、５１、５３、５５レジストパターン、１００半導体装置[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a semiconductor device suitable for application to an LSI having a field-effect transistor on a silicon-on-insulator (SOI) substrate and a method of manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
In recent years, the technology for manufacturing an SOI substrate in which a single-crystal silicon layer is provided on an insulating substrate has been further advanced, and its diameter and cost have been increasing. When a MOS transistor is formed over such an SOI substrate, the transistor can be formed with complete element isolation, and the capacity of the diffusion layer can be reduced. Therefore, high integration of the transistor and high operation speed can be achieved. It is widely known that it is advantageous for conversion.
[0003]
FIG. 11 is a plan view showing a configuration example of a semiconductor device 90 according to a conventional example. FIGS. 12A and 12B are cross-sectional views of the semiconductor device 90 shown in FIG. 11 taken along arrows X1′-X2 ′ and Y1′-Y2 ′. In FIG. 11, for convenience of explanation, the illustration of the interlayer insulating film, the plug electrode, and the metal wiring shown in FIG. 12A is omitted.
As shown in FIG. 12A, in the semiconductor device 90, an insulating layer (hereinafter, referred to as a BOX) 91B is formed on a supporting substrate 91A, and further, a semiconductor layer (hereinafter, BODY) is formed on the box 91B. : SOI substrate 91 on which a body 91C is formed. As shown in FIG. 11, an element isolation layer 95 is formed on the SOI substrate 91, and an nMOS transistor 99 is formed in a body surrounded by the element isolation layer 95.
[0004]
As shown in FIG. 11, the gate electrode portion 92 of the nMOS transistor 99 has a T shape in plan view. For this reason, the semiconductor device 90 is also called a T-Gate type. The body on both the left and right sides of the gate electrode portion 92 includes N for drain. ⁺ Layer 93A and N for source ⁺ And a layer 93B. Further, the P for the body contact is protruded from the gate electrode portion 92. ⁺ A layer 96 is formed on the SOI substrate 91. The conductivity type of the body 91C is P-type.
[0005]
In FIG. 12B, the body (P ⁻ The area on the right side of 91) C is an area functioning as a channel (hereinafter, referred to as a channel area). The region on the left side of the body 1C is a channel region and a P for body contact. ⁺ This is a connection region connecting the layer 96. In the semiconductor device 90, this P ⁺ It is designed to regulate the potential of the channel region through layer 96. As shown in FIG. 11, the connection region and the gate electrode portion 92 on the connection region have a shape like a hammer head, and are therefore called a hammer head.
[0006]
These N ⁺ Layers 93A and 93B, P ⁺ A resist pattern is formed on the layer 96 by photolithography after the formation of the sidewall 97 shown in FIG. 12A, and impurities such as arsenic are ion-implanted into the body 91C using the resist pattern and the gate electrode portion 92 as a mask. Formed. Further, as shown in FIG. 12B, the gate electrode portion 92 and the P for body contact are formed. ⁺ On the upper surface of the layer 96, a silicide 98 is provided. Further, as shown in FIG. ⁺ The upper surface of layer 93 and N for source ⁺ A silicide 98 is also provided on the upper surface of the layer 93. These silicides are formed by salicide.
[0007]
By the way, as shown in FIG. 12B, there are mainly two reasons why the gate electrode portion 92 extends not only above the channel region but also above the connection region. The first reason is that the N for drain as shown in FIG. ⁺ Layer 93A and N for source ⁺ This is because the gate electrode portion 92 is used as a mask for ion implantation when forming the layer 93B. By this gate electrode portion 92, ion implantation of arsenic or the like into the connection region is prevented, and N ⁺ Layers 93A and 93B are formed in a self-aligned manner.
[0008]
The second reason is that these N ⁺ When the silicide 98 is formed on the layers 93A and 93B, the N ⁺ Layer 93A or 93B and P for body contact ⁺ This is because a short circuit with the layer 96 is prevented by the sidewall 97. An nMOS transistor is normally used in a state where a positive voltage is applied to a drain and a source and a body are grounded (0 V). However, N for drain ⁺ Layer 93A and P for body contact ⁺ If the layer 96 is short-circuited, a positive voltage will be applied to the body, and the potential of the channel region cannot be adjusted to 0V. For such a reason, the gate electrode portion 92 extends not only above the channel region but also above the connection region.
[0009]
[Patent Document 1]
JP-A-11-135799
[Patent Document 2]
JP-A-7-221314
[Patent Document 3]
JP-A-7-74363
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the semiconductor device 90 according to the conventional example, the gate electrode portion 92 of the nMOS transistor 99 extends from the channel region to the connection region. Therefore, there is a problem in that the gate electrode portion 92 of the semiconductor device 90 has a larger parasitic capacitance than an nMOS transistor formed directly on a single-crystal silicon substrate. When the parasitic capacitance of the gate electrode portion is large, the operation speed of the semiconductor device is reduced.
[0011]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problems of the related art, and has as its object to provide a semiconductor device capable of reducing a parasitic capacitance of a gate electrode portion and a method of manufacturing the same.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a first semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor layer provided on an insulating base or an insulating layer, a gate insulating film provided on the semiconductor layer, A gate electrode portion provided on the gate insulating film; a first impurity diffusion layer for one of a source and a drain provided on a semiconductor layer in a predetermined region on one side of the gate electrode portion; A second impurity diffusion layer for the other of the source or the drain provided on the semiconductor layer in the predetermined region on the other side, and a boundary between the first impurity diffusion layer and the semiconductor layer on one side of the gate electrode portion; An insulating pattern provided in the portion, a first conductive film provided in the first impurity diffusion layer exposed from below the insulating pattern, and a semiconductor layer on the other side of the gate electrode portion, the second impurity diffusion layer The second provided to It is characterized in that a conductive film.
[0013]
Here, the first impurity diffusion layer for one of the source and the drain of the semiconductor device is usually provided along the longitudinal direction of the gate electrode portion. Therefore, for example, the following four boundary portions are assumed as the boundary portion between the first impurity diffusion layer and the semiconductor layer.
The first boundary portion is a portion which is parallel to the longitudinal direction of the gate electrode portion and in which the semiconductor layer as a channel region immediately below the gate electrode portion is in contact with the first impurity diffusion layer. Further, the second boundary portion is a portion facing the first boundary portion and in which the first impurity diffusion layer and the semiconductor layer are in contact with each other. Further, the third and fourth boundary portions are contact portions between the first impurity diffusion layer and the semiconductor layer, which extend in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the gate electrode portion from immediately below the sidewall of the gate electrode portion.
[0014]
The boundary portion in the present invention means the second, third, and fourth boundary portions among these. If the insulating pattern is provided on the above-described first boundary portion, the threshold value of the semiconductor device fluctuates. Therefore, the first boundary portion is not included in the boundary portion of the present invention.
The first impurity diffusion layer is a semiconductor layer in a region from one side of the gate electrode portion to the step portion in the semiconductor layer as an element formation region separated from another element formation region by a step portion for element separation. It may be provided only in a portion above the layer. In this case, the boundary portion (second boundary portion) between the first impurity diffusion layer and the semiconductor layer below the first impurity diffusion layer in the step portion for element isolation is covered with an interlayer insulating film. I have. In such a case, the boundary portion in the present invention particularly means the third and fourth boundary portions.
[0015]
According to a second semiconductor device of the present invention, in the first semiconductor device described above, a step portion for element isolation provided in the semiconductor layer is provided, and the first impurity diffusion layer forms another element by the step portion. In the semiconductor layer as an element formation region separated from the region, the semiconductor layer is provided in a region from one side of the gate electrode portion to the step portion, and the insulating pattern is provided in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the gate electrode portion. The semiconductor device is provided on a boundary portion between the first impurity diffusion layer and the semiconductor layer extending to the first region.
[0016]
According to the first and second semiconductor devices of the present invention, on one side of the gate electrode portion, the insulating pattern provided at the boundary between the first impurity diffusion layer for one of the source and the drain and the semiconductor layer Thereby, the first conductive film provided in the first impurity diffusion layer is isolated from the semiconductor layer. On the other side of the gate electrode portion, the second impurity diffusion layer for the other of the source and the drain and the semiconductor layer are short-circuited by the second conductive film, so that the source or the drain and the semiconductor layer have the same potential. .
[0017]
Here, one of the source and drain impurity diffusion layers of the semiconductor device is usually set to the same potential as the substrate of the semiconductor device. Therefore, compared with the conventional method, the gate electrode does not need to extend to the impurity diffusion layer for the body contact, so that the parasitic capacitance of the gate electrode can be reduced.
A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of forming a gate insulating film on a semiconductor layer provided on an insulating substrate or an insulating layer, and a step of forming a gate electrode portion on the gate insulating film. Forming a first impurity diffusion layer for one of a source and a drain on a semiconductor layer in a predetermined region on one side of the gate electrode portion; and forming a semiconductor layer in a predetermined region on the other side of the gate electrode portion. Forming a second impurity diffusion layer for the other of the source and the drain, and forming an insulating pattern on one side of the gate electrode portion at a boundary between the first impurity diffusion layer and the semiconductor layer Forming a first conductive film on the first impurity diffusion layer exposed from below the insulating pattern; and forming the second conductive film on the other side of the gate electrode portion from the second impurity diffusion layer to the semiconductor layer. Forming work It is characterized in that it has and.
[0018]
According to the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the parasitic capacitance of the gate electrode portion can be reduced because the gate electrode portion does not need to be extended to the impurity diffusion layer for body contact as compared with the conventional method. Can be.
[0019]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a configuration example of a semiconductor device 100 according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views of the semiconductor device 100 shown in FIG. 1 taken along arrows X1-X2 and X3-X4. The semiconductor device 100 is, for example, an LSI having an nMOS transistor 50 on an SOI substrate 1.
[0020]
As shown in FIG. 2A, the semiconductor device 100 includes an SOI substrate 1 in which a step portion 6 is provided in a semiconductor layer 1C and a transistor formation region as an element formation region is defined. A gate oxide film 4 provided on the semiconductor layer 1C, a gate electrode portion 2 provided on the gate oxide film 4, and a drain diffusion provided on a predetermined region of the semiconductor layer 1C on the right side of the gate electrode portion 2; The semiconductor device includes a layer 3A and a source diffusion layer 3B provided in the semiconductor layer 1C in a predetermined region on the left side of the gate electrode unit 2.
[0021]
As shown in FIG. 1, the semiconductor device 100 includes an oxide film pattern 10 provided at a boundary between a drain diffusion layer 3A and a semiconductor layer 1C following the drain diffusion layer 3A. There is provided a silicide 15A provided on the drain diffusion layer 3A exposed from below, a silicide 15B provided on the semiconductor layer 1C including the source diffusion layer 3B, and a silicide 15C provided on the gate electrode unit 2. .
[0022]
Further, as shown in FIG. 2A, the semiconductor device 100 includes an interlayer insulating film 41 provided on the nMOS transistor 50, a drain diffusion layer 3A and a source diffusion layer 3B on the interlayer insulating film 41. , A plug electrode (not shown) for extracting the gate electrode portion 2 on the interlayer insulating film 41, and a metal wiring disposed on the interlayer insulating film 41 so as to be connected to these plug electrodes. 45 and the like.
[0023]
In the semiconductor device 100, the interlayer insulating film 41 is buried in the step portion 6 to isolate elements (mesa isolation). In FIG. 1, illustration of the interlayer insulating film 41, the plug electrode 43, the metal wiring 45, and the like is omitted for convenience of description.
Among these, as shown in FIG. 2A, the SOI substrate 1 includes a support substrate 1A, an insulating layer (hereinafter, referred to as BOX: box) 1B, and a semiconductor layer (hereinafter, BODY: (Referred to as a body) 1C. For example, the support substrate 1A is a single-crystal silicon substrate, the box 1B is a silicon oxide layer, and the body 1C is a single-crystal silicon layer.
[0024]
Among these, the body 1C is a layer on which elements such as the nMOS transistor 50, a resistor (not shown), and a capacitor (not shown) are formed. The SOI substrate 1 having such a three-layer structure is formed by, for example, well-known SIMOX (silicon implanted oxide) or bonding. As shown in FIG. 2A, a portion other than the drain diffusion layer 3A and the source diffusion layer 3B in the body 1C of the transistor formation region has a P-type conductivity.
[0025]
As shown in FIG. 2A, gate oxide film 4 is provided on body 1C in a channel region sandwiched between N-type drain diffusion layer 3A and source diffusion layer 3B. The gate oxide film 4 is a silicon oxide film formed by thermally oxidizing the body 1C, and has a thickness of, for example, about 100 °.
Gate electrode portion 2 is provided on body 1C in the channel region with gate oxide film 4 interposed therebetween. As shown in FIG. 1, the gate electrode portion 2 is provided from the body 1C in the channel region to the box 1B outside the transistor formation region. On the box 1B outside the transistor formation region, the gate electrode 2 is connected to a plug electrode (not shown).
[0026]
The gate electrode section 2 is made of, for example, silicon. A side wall 7 made of a silicon oxide film or the like is provided on a side wall of the gate electrode portion 2. Further, a titanium silicide (TiSi ₂ ) Is provided.
As shown in FIG. 2A, the drain diffusion layer 3A and the source diffusion layer 3B have a lightly doped drain (LDD) structure. For example, the drain diffusion layer 3A is provided in the body 1C in a region from the right side of the gate electrode portion 2 to the step portion 6 on the channel region, and a lower portion thereof is in contact with the box 1B. This drain diffusion layer 3A is made of N-type impurity such as arsenic introduced at a high concentration. ⁺ Layer 31A and N-type impurities such as phosphorus or arsenic introduced at a low concentration ⁻ It is composed of a layer 33A and a Halo layer (pocket ion implantation layer) 35A into which a P-type impurity such as boron is introduced at a low concentration. The Halo layer 35A is a diffusion layer provided as a measure against punch-through. ⁻ It is formed so as to extend to the outside of the layer 8A.
[0027]
Further, the source diffusion layer 3B is provided in the body 1C in a region from the left side of the gate electrode portion 2 on the channel region to the step portion 6, and a lower portion thereof is in contact with the box 1B. This source diffusion layer 3B is made of N-type impurity such as arsenic introduced at a high concentration. ⁺ A layer 31B and an N-type impurity such as phosphorus ⁻ It comprises a layer 33B and a Halo layer 35B into which a P-type impurity such as boron is introduced at a low concentration.
[0028]
FIG. 3 is a plan view showing a boundary portion 23 between the drain diffusion layer 3A and the body 1C. FIG. 3 shows a state where the silicide 15 and the oxide film pattern 10 are removed from the semiconductor device 100. As shown in FIG. 3, the drain diffusion layer 3A and the source diffusion layer 3B are provided in regions from the left and right sides of the gate electrode portion 2 on the channel region to the step portion 6, respectively. Since the body 1C in the region extending from the upper and lower sides of each of the drain diffusion layer 3A and the source diffusion layer 3B to the step is not doped with N-type impurities, its conductivity type is P-type (P-type). ⁻ )It has become. Hereinafter, the body 1C in this region is referred to as P ⁻ Layer 20. As shown in FIG. 3, the boundary portion 23 is located on the right side of the gate electrode portion 2 and extends in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the gate electrode portion 2. ⁻ It has a predetermined dimensional width centering on the boundary line with the layer 20.
[0029]
As shown in FIG. 1, the oxide film pattern 10 is provided from the gate electrode portion 2 to the box 1B so as to cover the boundary portion 23 (see FIG. 3). The oxide film pattern 10 is formed by patterning a silicon oxide film formed by, for example, CVD (chemical vapor deposition), and has a thickness of, for example, about 3000 °.
[0030]
By the way, as shown in FIG. 1, in the semiconductor device 100, a silicide 15A is provided on the drain diffusion layer 3A. The silicide 15A is formed by the oxide film pattern 10 ⁻ It is electrically isolated from the silicide 15B on the layer 20. Further, P on the source diffusion layer 3B and P ⁻ On the layer 20, a silicide 15B is provided. By this silicide 15B, the source diffusion layer 3B and P ⁻ The layer 20 is short-circuited.
[0031]
Thereby, the source diffusion layers 3B and P ⁻ Since the layer 20 always has the same potential (source tie structure), by setting the potential of the source diffusion layer 3B to 0V when the nMOS transistor 50 is operated, the potential of the body 1C can also be set to 0V. Therefore, unintended accumulation of carriers in the channel region can be prevented, and the transistor can operate stably.
[0032]
As described above, according to the semiconductor device 100 according to the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, the gate electrode portion 2 is connected to the body contact P like a hammer head provided in the semiconductor device 90. ⁺ The potential of the body 1C can be adjusted to 0 V without extending to the layer. Therefore, the dimensional length of the gate electrode portion can be reduced, and the parasitic capacitance of the gate electrode portion can be reduced. Thus, the operation speed of the semiconductor device can be further improved.
[0033]
In this embodiment, the box 1B corresponds to the insulating layer of the present invention, and the body 1C corresponds to the semiconductor layer of the present invention. Further, the gate oxide film 4 corresponds to the gate insulating film of the present invention. Further, the drain extension layer 3A corresponds to the first impurity diffusion layer of the present invention, and the source diffusion layer 3B corresponds to the second impurity diffusion layer of the present invention. The silicide 15A corresponds to the first conductive film of the present invention, and the silicide 15B corresponds to the second conductive film of the present invention. Further, the oxide film pattern 10 corresponds to the insulating pattern of the present invention.
[0034]
Next, a method for manufacturing the semiconductor device 100 according to the embodiment of the present invention will be described. 4A to 7C are process diagrams showing a method for manufacturing the semiconductor device 100. Here, it is assumed that the semiconductor device 100 shown in FIG. 2A is manufactured according to the process charts of FIGS. 4A to 7C. Therefore, in FIGS. 4A to 7C, the same reference numerals are given to portions corresponding to FIG. 2A.
[0035]
First, as shown in FIG. 4A, an SOI substrate 1 having a body 1C on a box 1B is prepared. As described above, the box 1B is, for example, a silicon oxide layer, and the body 1C is, for example, a single-crystal silicon layer. Next, a P-type impurity such as boron is implanted into the body 1C and thermally diffused, so that the conductivity type of the body 1C is P-type.
[0036]
Next, as shown in FIG. ⁻ 1) A first resist pattern 51 is formed on 1C so as to open an area on which the step 6 is to be formed. The formation of the resist pattern 51 is performed by, for example, photolithography. Then, using the resist pattern 51 as a mask, the body 1C is subjected to dry etching such as RIE (reactive ion etching) to form the stepped portion 6. By this step 6, a transistor formation region is defined on SOI substrate 1. After forming the step portion 6, the resist pattern 51 is removed by ashing.
[0037]
Next, as shown in FIG. 4C, the SOI substrate 1 on which the step 6 is formed is thermally oxidized to form a gate oxide film 4 on the body 1C. Then, a polysilicon film for a gate electrode portion is formed on the SOI substrate 1 on which the gate oxide film 4 is formed. This polysilicon film is formed by, for example, CVD. Next, the polysilicon film is patterned by photolithography and dry etching to form a gate electrode portion 2 as shown in FIG. Next, a second resist pattern 53 is formed on the SOI substrate 1 so as to open the gate electrode portion 2 and the body 1C in a predetermined region on both sides of the gate electrode portion.
[0038]
FIG. 8 is a plan view showing an example of the shape of the resist pattern 53. As shown in FIG. 8, the resist pattern 53 opens a region where a drain diffusion layer and a source diffusion layer are formed (hereinafter, referred to as a source / drain formation region) and covers the other body 1C. And the N ⁻ In order to form the layers 33A and 33B, as shown in FIG. 5B, both the resist pattern 53 and the gate electrode portion 2 are used as a mask, and an N-type impurity such as phosphorus or arsenic is ion-implanted into the body 1C. inject. For example, the implantation energy of arsenic or the like in this step is about 10 to 20 Kev, and the dose is, for example, 1e13 to 1e15 / cm. ² It is about.
[0039]
Before and after the ion implantation step of the N-type impurity, ion implantation for forming the above-mentioned Halo layers 35A and 35B is performed. That is, as shown in FIG. 5B, a P-type impurity such as boron is ion-implanted into the body 1C using both the resist pattern 53 and the gate electrode portion 2 as a mask. The implantation energy of boron or the like in this step is, for example, about 10 to 50 Kev, and the dose is, for example, 1e13 / cm. ² It is about. The implantation angle of boron ions into the SOI substrate 1 is, for example, about 30 °. After these series of ion implantation steps are completed, the resist pattern 53 is removed by ashing.
[0040]
Next, this SOI substrate 1 is filled with nitrogen (N ² ) Is performed in an inert gas atmosphere to anneal and diffuse the phosphorus ions and boron ions implanted into the body 1C. In this way, as shown in FIG. 5 (C), the N portion is located above the body 1C in a region extending from both sides of the gate electrode portion 2 to the step portion 6. ⁻ The layers 33A and 33B and the Halo layers 35A and 35B are formed, respectively. Next, a silicon oxide film is formed on the SOI substrate 1 by CVD, and the silicon oxide film is etched back to form a sidewall 7. Next, the gate electrode portion 2 and N on both sides of the gate electrode portion 2 are formed. ⁻ Layers 33A and N ⁻ A third resist pattern having an opening on the layer 33B is formed on the SOI substrate 1.
[0041]
FIG. 9 is a plan view showing an example of the shape of the third resist pattern 55. As shown in FIG. 9, the resist pattern 55 opens the source / drain formation region and covers other bodies. And the N ⁻ In order to form the layers 31A and 31B, as shown in FIG. 6A, using both the resist pattern 55 and the gate electrode portion 2 on which the sidewalls 7 are formed as a mask, the body 1C is made of arsenic or the like. N-type impurities are ion-implanted. The arsenic ion implantation energy in this step is, for example, about 50 to 70 Kev, and the dose is, for example, 1e15 / cm. ² It is about. After this ion implantation, the resist pattern 55 is removed by ashing.
[0042]
Thereafter, the SOI substrate 1 is replaced with nitrogen (N ² ), The arsenic ions implanted into the SOI substrate 1 are diffused while being activated by annealing (annealing) in an inert gas atmosphere. In this way, as shown in FIG. 6B, the body 1C in the region from the right side of the gate electrode portion 2 to the step portion 6 has N ⁺ A layer 31A is formed, and N 1 is applied to the body 1C in a region extending from the left side of the gate electrode portion 2 to the step portion 6. ⁺ The layer 31B is formed.
[0043]
As described above, in the manufacturing process of the semiconductor device 100, the channel width of the nMOS transistor 50 is determined by ion implantation of N-type impurities using the resist pattern 53 (see FIG. 8) and the resist pattern 55 (see FIG. 9) as masks. ing.
Next, this N ⁺ A silicon oxide film 9 is formed on the entire surface of the SOI substrate 1 on which the layers 31A and 31B have been formed. The thickness of this silicon oxide film 9 is, for example, about 3000 °. This silicon oxide film 9 is formed by, for example, CVD. Then, the silicon oxide film 9 is patterned by photolithography and dry etching to form an oxide film pattern 10 shown in FIG. 7A on the above-described boundary portion 23 (see FIG. 3).
[0044]
Next, in FIG. 7A, on the source diffusion layer 3B, on the drain diffusion layer 3A exposed from under the oxide film pattern 10, on the gate electrode portion 2, under the oxide film pattern 10, and on the gate electrode portion 2. P exposed from below ⁻ On the layer, TiSi ₂ Is formed. This silicide is formed by, for example, salicide. That is, several tens of nanometers of titanium are deposited on the SOI substrate 1 on which the oxide film pattern 10 has been formed. This deposition of titanium is performed by sputtering. Next, the SOI substrate 1 on which the titanium is deposited is annealed in a temperature range of 500 to 700 ° C. to cause the titanium and silicon to react. By this reaction, titanium silicide (TiSi ₂ ) 15 is formed. Thereafter, the SOI substrate on which the titanium silicide 15 is formed is wet-etched to remove unreacted titanium.
[0045]
Thus, the silicide 15A is formed on the drain diffusion layer 3A exposed from under the oxide film pattern 10, and the silicide 15A is ⁻ A silicide 15B is formed on the layer and a silicide 15C is formed on the gate electrode 2 in a self-aligned manner. After that, an interlayer insulating film, a plug electrode, a metal wiring, and the like are sequentially formed by using a well-known semiconductor process technology. Thus, the semiconductor device 100 shown in FIG. 2A is completed.
[0046]
As described above, according to the method of manufacturing the semiconductor device 100 according to the embodiment of the present invention, as compared with the conventional semiconductor device 90, the gate electrode portion does not need to be extended to the impurity diffusion layer for body contact. Source diffusion layer 3B and body 1C can be set to the same potential. Therefore, the dimensional length of the gate electrode portion can be reduced, and the parasitic capacitance of the gate electrode portion can be reduced.
[0047]
In this embodiment, the case where the silicide 15A is used for the first conductive film and the silicide 15B is used for the second conductive film of the present invention has been described. However, the first and second conductive films of the present invention are limited to silicide. Never. For example, the first and second conductive films of the present invention are formed by introducing a high-concentration N-type impurity such as phosphorus into the surface layer portion of the body 1C including the source diffusion layer and the drain diffusion layer. ⁺⁺ It may be a layer. Even in this case, the drain diffusion layers 3A and P ⁻ Oxide film pattern 10 covering the boundary with layer 20 allows N ⁺⁺ Layer formation is prevented. Therefore, the drain diffusion layers 3A and P ⁻ The layer 20 can be electrically isolated.
[0048]
Further, in this embodiment, as shown in FIG. 1, P is applied to the body 1C on both the upper and lower sides of the drain diffusion layer 3A and the source diffusion layer 3B. ⁻ The case where each of the layers 20 is formed has been described. ⁻ The layer formation region is not limited to the upper and lower sides of the drain diffusion layer 3A and the source diffusion layer 3B. For example, as shown in FIG. 10, P is formed only above the drain diffusion layer 3A and the source diffusion layer 3B. ⁻ A layer 20 may be provided. In this case, the transistor formation region can be made smaller than in the semiconductor device 100 shown in FIG.
[0049]
Further, in this embodiment, the semiconductor device 100 including the nMOS transistor 50 has been described as an example of the semiconductor device. However, the present invention is not limited to the nMOS transistor, and may be a pMOS transistor. In this case, the same function and effect as the above-described semiconductor device 100 can be obtained by making the P-type source diffusion layer correspond to the impurity diffusion layer for one of the source and the drain of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a configuration example of a semiconductor device 100 according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the semiconductor device 100 shown in FIG.
FIG. 3 is a plan view showing a boundary portion 23 in the semiconductor device 100.
FIG. 4 is a process chart showing a method (part 1) for manufacturing the semiconductor device 100;
FIG. 5 is a process chart showing a method (part 2) of manufacturing semiconductor device 100;
FIG. 6 is a process chart showing a method (part 3) of manufacturing semiconductor device 100;
FIG. 7 is a process chart showing a method (part 4) of manufacturing semiconductor device 100;
FIG. 8 is a plan view showing a shape example of a resist pattern 53.
FIG. 9 is a plan view showing an example of the shape of a resist pattern 55.
FIG. 10 is a modification example of the semiconductor device 100;
FIG. 11 is a plan view showing a configuration example of a semiconductor device 90 according to a conventional example.
12 is a cross-sectional view of the semiconductor device 90 shown in FIG.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 1 SOI substrate, 1A support substrate, 1B box, 1C body, 2 gate electrode section, 3A drain diffusion layer, 3B source diffusion layer, 4 gate oxide film, 6 steps, 7 sidewall, 15A, 15B, 15C silicide, 31A , 31B N ⁺ Layers, 33A, 33B N ⁻ Layer, 35A, 35B Halo layer, 41 interlayer insulating film, 43 plug electrode, 45 metal wiring, 50 nMOS transistor, 51, 53, 55 resist pattern, 100 semiconductor device

Claims

A semiconductor layer provided on an insulating substrate or an insulating layer,
A gate insulating film provided on the semiconductor layer,
A gate electrode portion provided on the gate insulating film;
A first impurity diffusion layer for one of a source and a drain provided in the semiconductor layer in a predetermined region on one side of the gate electrode portion;
A second impurity diffusion layer for the other of the source and the drain provided in the semiconductor layer in a predetermined region on the other side of the gate electrode portion;
An insulating pattern provided on one side of the gate electrode portion and on a boundary between the first impurity diffusion layer and the semiconductor layer;
A first conductive film provided on the first impurity diffusion layer exposed from under the insulating pattern;
A second conductive film provided on the other side of the gate electrode portion from the second impurity diffusion layer to the semiconductor layer.

Comprising a step portion for element isolation provided in the semiconductor layer,
The first impurity diffusion layer is formed in a semiconductor layer in a region from one side of the gate electrode portion to the step portion among semiconductor layers as an element formation region separated from another element formation region by the step portion. Provided,
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the insulating pattern is provided on a boundary between a first impurity diffusion layer and a semiconductor layer extending in a direction orthogonal to a longitudinal direction of the gate electrode portion.

Forming a gate insulating film over a semiconductor layer provided over the insulating substrate or the insulating layer;
Forming a gate electrode portion on the gate insulating film;
Forming a first impurity diffusion layer for one of a source and a drain on a semiconductor layer in a predetermined region on one side of the gate electrode portion;
Forming a second impurity diffusion layer for the other of the source and the drain on the semiconductor layer in a predetermined region on the other side of the gate electrode portion;
Forming an insulating pattern on one side of the gate electrode portion and on a boundary between the first impurity diffusion layer and the semiconductor layer;
Forming a first conductive film on the first impurity diffusion layer exposed from below the insulating pattern;
Forming a second conductive film on the other side of the gate electrode portion from the second impurity diffusion layer to the semiconductor layer.