JP2004277253A - 光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉 - Google Patents
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Abstract
【課題】大型光ファイバ母材を加工するための加熱炉において、加熱炉の巨大化を防ぎ、またシャッタ装置に冷却手段を設けることなく、シャッタ装置の開閉板の酸化を防止し、前記開閉板の交換頻度を抑えることを目的とする。
【解決手段】光ファイバ母材20を加熱するヒータ31を備える加熱炉30の開口部にシャッタ装置10を設け、前記シャッタ装置10の開閉板によって開口部を閉鎖し、光ファイバ母材の加工時に炉内を陽圧とする加熱炉において、
前記シャッタ装置10の開閉板は、上下2分割した複層構造であって、かつ前記上下開閉板の間に断熱層5が介在している。
【選択図】 図1
【解決手段】光ファイバ母材20を加熱するヒータ31を備える加熱炉30の開口部にシャッタ装置10を設け、前記シャッタ装置10の開閉板によって開口部を閉鎖し、光ファイバ母材の加工時に炉内を陽圧とする加熱炉において、
前記シャッタ装置10の開閉板は、上下2分割した複層構造であって、かつ前記上下開閉板の間に断熱層5が介在している。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光ファイバ母材を加工するための加熱炉に関し、特に加熱時に炉内を陽圧するために加熱炉開口を閉鎖するシャッタ装置を備えた加熱炉に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光ファイバ母材を加工するにあたって、加熱炉内で加熱されている光ファイバ母材の表面に空気中のゴミが付着すると、光ファイバの外観の悪化や損失の増加をまねく。
特に、光ファイバ母材を加熱しながら伸張加工を行う紡糸炉(例えば、特許文献1を参照)においては、紡糸された直後(すなわち被覆処理前)の光ファイバにゴミなどが触れると、光ファイバに傷が生じて、紡糸後のプルーフ試験(強度試験)で破断したり、ひどい場合には紡糸中にファイバが切れてしまう。
そこで光ファイバ母材の加工に用いられる加熱炉において、開口部にシャッタ装置を設けて炉内を陽圧にするものが知られている(例えば、特許文献2を参照)。
そして、シャッタ装置を備えた加熱炉を用いて光ファイバ母材を加工する場合、加熱に先立って加熱炉内をクリーンなガス(不活性ガス、空気、酸素など)で充填するとともに、加熱時には前記シャッタ装置によって開口部を閉鎖して加熱炉内を陽圧とし、これによって、加熱炉内で加熱されている光ファイバ母材の表面に空気中のゴミなどが付着することを防ぎ、ゴミの付着による光ファイバの外観の悪化や損失の増加を防止する。
【0003】
光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉について図4に示す。
図4(a)に示す加熱炉のように、ヒータ31を備える加熱炉30の上下の開口部にシャッタ装置100を設けたものや、図4(b)に示す加熱炉のように、ヒータ31を備える加熱炉30の上側にパイプ型の上部シール部材110を設けるとともに、下側の開口部にシャッタ装置100を設けたものがある。
図4(a)に示すように、上下開口部にシャッタ装置を取り付けた加熱炉30では、炉内に光ファイバ母材20をセットした後、前記シャッタ装置100にて上下開口部を閉鎖し、加熱時に炉内を陽圧とする。
一方、図(b)に示すように、加熱炉上側を上部シール部材110によってシールドした加熱炉30では、前記上部シール部材110の上端に形成された貫通穴に、光ファイバ母材20の上部に取り付けた延長棒を挿入し、炉内に光ファイバ母材20をセットした後、シャッタ装置100にて下側開口部を閉鎖し、加熱時に炉内を陽圧とする。
これらの加熱炉30を用いて光ファイバ母材20を加熱しながら加工する場合、炉内に光ファイバ母材20をセットした後、加熱に先立って加熱炉内をクリーンなガス(不活性ガス、空気、酸素など)で充填し、その後、加熱時にシャッタ装置100を閉鎖して加熱炉内を陽圧とし、炉内で加熱されている光ファイバ母材20の表面へのゴミの付着を防止する。
なお、シャッタ装置100を構成する部材の酸化を防止するため、一般に加熱炉内には不活性ガスが充填されている。
【0004】
従来技術によるシャッタ装置100の構造について図5を参照して説明する。
図5(a)は、加熱炉開口部に取り付けたシャッタ装置100を加熱炉外側からみたときの平面図であって、図5(b)は、図5(a)中の線分A−Aにおける断面図である。
シャッタ装置100は、一対の第1,第2開閉板103a、103bと、各開閉板103a、103bを収容する円盤状の筐体101とを備える。そして前記筐体101を加熱炉開口の入口に固定することによって、加熱炉開口部にシャッタ装置100を取り付け、前記一対の第1,第2開閉板103a、103bを開口中心に向かってそれぞれ進退させ、加熱炉開口部の開放/閉鎖を行っていた(図5(b)を参照)。
なお図5(a)に示すように、前記筐体101の中央には第1開口102が形成され、加熱炉開口部の開放時に、炉内に光ファイバ母材20をセットするための挿入口となる。また、一対の第1,第2開閉板103a、103bの対峙接触部中央には第2開口104が形成され、前記一対の第1,第2開閉板103a、103bを対峙接触させて加熱炉開口部を閉鎖する時に、炉内にセットされた光ファイバ母材のダミー(母材端)20aを前記第2開口104に貫通させる。
【0005】
【特許文献1】
実開平5−37930号公報
【特許文献2】
特開平8−245234号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
近年、光ファイバの生産向上のため、太径で大型な光ファイバ母材を加工(紡糸加工)して光ファイバを作成するための技術が要求されている。そして太径で大型な光ファイバ母材を加工(紡糸加工)するため、光ファイバ母材のサイズにあわせて加熱炉のサイズアップが必要となり、ヒータの大型化(ヒータ径の太径化)が必要となった。そしてこのヒータの大型化に伴って輻射の影響が大きくなり、加熱炉開口部に設けたシャッタ装置(開閉板)の温度が上昇するといった問題が生じた。
そして、一対の第1,第2開閉板103a、103bを備えるシャッタ装置100によって加熱炉開口部を閉鎖する加熱炉では、耐熱性の高いカーボンからなる開閉板を使用しても、大型ヒータ31の輻射熱によって開閉板の酸化消耗が激しくなり、開閉板の交換頻度が高くなっていた。
【0007】
開閉板の酸化を防止するためには、酸化に強い(酸化耐性)材料を用いて開閉板を作成することが考えられる。
しかしながら、例えばセラミックなどの酸化に強い材料(アルミナ、SiC、ジルコニアなど)からなる開閉板を備えるシャッタ装置100を検討した結果、ヒートショックによって開閉板が破損してしまった。またこれらのセラミック材料は非常に高価であるといった問題があった。
さらに、例えば酸化に強い金属系材料(ステンレス、耐熱合金など)からなる開閉板を備えるシャッタ装置100を検討した結果、開閉板にかかる温度分布によって、開閉板に変形が生じるなどの問題があった。
【0008】
一方、大型ヒータの輻射による開閉板の酸化消耗を抑制するにあたって、ヒータ31とシャッタ装置100との距離を大きくし(離し)、輻射率を低下することによって開閉板の温度を下げる方法がある。しかし、光ファイバ母材20のサイズにあわせて大型化した加熱炉30を更に大きくせねばならず、加熱炉が非常に大きくなってしまう。
また、加熱された開閉板自体を冷却するための冷却手段(例えば水冷手段)をシャッタ装置100に設けることもできるが、その場合、装置の構造が複雑となり、さらに開閉板が冷却されることで炉内のガスの流れが変化し、特に紡糸加工を目的とする加熱炉(延伸炉)の場合にはプリフォーム母材に径変動を与える虞があった。
【0009】
かかる問題を鑑み、太径で大型の光ファイバ母材を加工するための加熱炉において、加熱炉の巨大化を防ぎ、さらに加熱炉の開口部を閉鎖するシャッタ装置の高さを増大することなく、またシャッタ装置に冷却手段を設けることなく、シャッタ装置の開閉板の酸化を防止し、前記開閉板の交換頻度を抑えることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明による光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉は、光ファイバ母材を加熱するヒータを備える加熱炉の開口部にシャッタ装置を設け、前記シャッタ装置の開閉板によって開口部を閉鎖し、光ファイバ母材の加工時に炉内を陽圧とする加熱炉において、前記シャッタ装置の開閉板は、上下2分割した複層構造であって、かつ前記上下開閉板の間に断熱層を介在させたものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
この発明による光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉の好適な実施例について、図1ないし図3を参照して説明する。
【0012】
図1は、加熱炉内にセットした大型光ファイバ母材20を加熱するための大型ヒータ31を備える加熱炉30の開口部に、この開口部を開放/閉鎖するシャッタ装置10を設けた光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉を示すものであり、前記シャッタ装置10を構成する一対の第1,第2開閉板がそれぞれ上下に2分割され、さらに前記上下に2分割した上下開閉板の間に断熱層(気体層)5を介在させている。
なお、加熱炉全体の長さを必要以上に増大させないため、加熱炉の大型化によって開口部口径が広がっても、シャッタ装置10の高さを増大させないことが好ましく、上下に2分割した上下開閉板のそれぞれの層厚と、断熱層(気体層)5の層厚を調整してシャッタ装置10を構成する。
【0013】
開閉板の材質としては、耐熱性の高い材質が好ましく、カーボンを用いることができる。また耐熱性が高く、酸化に強いセラミック(例えば、アルミナ、SiC、ジルコニアなど)を用いてもよい。
【0014】
シャッタ装置10の構造について図2を参照して説明する。
図2(a)は、加熱炉の下側開口部に取り付けたシャッタ装置10を加熱炉外側(下側)からみたときの平面図であって、図2(b)は、図2(a)中の線分A−Aにおける断面図である。
【0015】
図2(b)に示すように、シャッタ装置10は、一対の第1,第2開閉板をそれぞれ上下に2分割した開閉板(すなわち一対の上部第1及び第2開閉板3a,3bと、一対の下部第1及び第2開閉板4a)と、前記開閉板(上部第1開閉板3a、上部第2開閉板3b、下部第1開閉板4a、下部第2開閉板4b)を収容する円盤状の筐体1とを備える。
また上部第1開閉板3aと下部第1開閉板4aの間、および上部第2開閉板3bと下部第2開閉板4bの間には、それぞれ断熱層(気体層)5が設けられている。
【0016】
そして前記筐体1を加熱炉開口の入口に固定し、加熱炉開口部にシャッタ装置10を取り付け、前記一対の上部第1,第2開閉板3a、3bを開口中心に向かってそれぞれ進退させるとともに、一対の下部第1,第2開閉板4a、4bを開口中心に向かってそれぞれ進退させることによって、加熱炉開口部を閉鎖/開放する。
シャッタ装置10は、各開閉板の動作を制御する駆動部(図示せず)を有し、前記駆動部によって、一対の上部第1,第2開閉板3a,3bがそれぞれ開口中心に向かって進退し、かつ一対の上部第1,第2開閉板3a,3bがそれぞれ開口中心に向かって進退することによって、開口部が閉鎖/開放する。
この発明の実施例によるシャッタ装置10では、前記各開閉板の動作を1つの駆動部により制御し、一対の上部第1,第2開閉板3a,3bと、もう一対の下部第1,第2開閉板4a,4bとを同時に動かすようにした。
【0017】
この発明の実施例によるシャッタ装置10では、図2(a)に示すように、筐体1の中央に第1開口2が形成され、前記第1開口2は、加熱炉開口部の開放時に炉内に光ファイバ母材20をセットするための挿入口となる。
また上部第1,第2開閉板3a、3bの対峙接触部中央と、下部第1,第2開閉板3a、3bの対峙接触部中央には、それぞれ第2開口6が形成され、前記一対の上部第1,第2開閉板3a、3bを対峙接触させ、かつ前記一対の下部第1,第2開閉板4a、4bを対峙接触させて加熱炉開口部を閉鎖した時、炉内にセットされている光ファイバ母材20のダミー(母材端)20aを前記第2開口6に貫通させる。
なお第2開口6を貫通する母材径(ダミー20a径)に応じて各開閉板を可動し、加熱加工する光ファイバ母材20に対応できるようにした。
【0018】
さらに図3に示すように、この発明の実施例によるシャッタ装置10は、上下に分割された開閉板の間の断熱層(気体層)5にクリーンなガスを流入するための手段を有する。
図3に示すシャッタ装置10には、ガス供給部が連結されており、前記ガス供給部に蓄積されているクリーンなガス(例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスや、空気など)が、流量計やMFC(mass flow controller)を経、一定の流速(流量)にてシャッタ装置10へ供給される。
【0019】
なお、シャッタ装置10の開閉板をカーボン材質から形成した場合、各開閉板の酸化を防止するため、断熱層5に不活性ガス(例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム等)を供給することが好ましい。
また図3に示すように、ガス供給部からの供給されるガスを2分岐し、一方は上下第1開閉板3a,4aの間の断熱層5に供給し、他方は上下第2開閉板3b,4bの間の断熱層5に供給するように構成することが好ましい。
【0020】
以下に、この発明による光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉について、輻射による影響を検討する。加熱炉の開口部に取り付けたシャッタ装置の開閉板が、大型ヒータによる強い輻射によって不具合が生じるか否かを観察し、その評価結果を表1ないし表5に示す。
【0021】
加熱炉のタイプとして図4(b)に示すように、上側開口部をパイプ型の上部シール部材によってシールドし、下側開口部をシャッタ装置によって閉鎖する加熱炉を使用し、前記下側開口部に取り付けたシャッタ装置の各開閉板について評価した。
なおシャッタ装置が閉鎖する加熱炉開口部の口径が150mm程度の通常サイズの加熱炉ではなく、大型光ファイバ母材に対応し、シャッタ装置が閉鎖する加熱炉開口部の口径が250mm程度の加熱炉の開口部にシャッタ装置を取り付けた。またヒータ31から開口部(シャッタ装置100)までの距離を400mmとし、シャッタ装置100の開閉板が閉鎖する開口(第1開口2)の口径を250mmとした。
【0022】
表1は、一対の第1,第2開閉板を上下2分割することなく、一層構造の開閉板を備える従来技術によるシャッタ装置100(図5を参照)において、前記開閉板を収容する筐体101の内部空間の高さが10mm、開閉板の層厚が5mmのシャッタ装置を使用したもの(比較例1〜3)を評価したものである。
このシャッタ装置100では、内部空間の高さが10mmである筐体1の上壁内側に層厚5mmの開閉板を接するように配設し、各開閉板の動作を制御する駆動部によって前記開閉板(第1開閉板103a、第2開閉板103b)を上壁に対してスライド(進退)させることによって、加熱炉開口の閉鎖/開放を行った。
【0023】
また表2〜5は、この発明のように、一対の第1,第2開閉板を上下2分割するとともに、その間に断熱層5を介在させたシャッタ装置10(図1を参照)において、前記各開閉板を収容する筐体1の内部空間の高さが10mmとなるように、上部第1,第2開閉板3a,3bと、下部第1,第2開閉板4a,4bと,断熱層5の層厚をそれぞれ調整したもの(実施例1〜4、比較例4〜13)を評価したものである。
このシャッタ装置10では、内部空間の高さが10mmである筐体1の上壁内側に上部開閉板を接するように配設するとともに、下壁内側に下部開閉板を接するように配設した。そして、各開閉板の動作を制御する駆動部によって、前記上部開閉板(上部第1開閉板3a,上部第2開閉板3b)を上壁に対してスライド(進退)させるとともに、前記下部開閉板(下部第1開閉板4a,下部第2開閉板4b)を下壁に対してスライド(進退)させ、加熱炉開口の閉鎖/開放を行った。
【0024】
表1の比較例1〜3は、一層構造の開閉板を備えるシャッタ装置において、開閉板の材質として、カーボン、アルミナ、ステンレスを使用した場合の評価を示すものである。
比較例1から比較例3では、加熱炉30に光ファイバ母材20をセットした後、加熱に先立って炉内に不活性ガスを充填し、さらに加熱時は、シャッタ装置100に不活性ガスを40リットル供給して開閉板の下側に不活性ガスを流し込み、開閉板の上側(炉内)と下側(外側)とが不活性ガスに曝されるようにした。なお不活性ガスとしてアルゴン(Ar)を使用した。
ヒータ表面温度を2200℃とし、前記シャッタ装置100の開閉板によって開口部を閉鎖して炉内を陽圧とした加熱炉において、30本の光ファイバ母材を加熱加工したときに、開閉板に酸化劣化、或いはヒートショック、或いは変形などの不具合が生じ、開閉板を交換した場合は不良と判断し、開閉板を交換しなかった場合は良好と判断した。
【0025】
【表1】
【0026】
表1に示すように、カーボンからなる一層構造の開閉板によって開口部を閉鎖する加熱炉によって光ファイバ母材20を加熱して加工した場合(比較例1)、シャッタ装置へ不活性ガスを多量(40リットル)に供給したにもかかわらず、光ファイバ母材を10本程度加工した時点で、開閉板に酸化による微小な穴が発生し、酸化劣化のために開閉板を交換しなくてはならなくなった。
またアルミナからなる一層構造の開閉板によって開口部を閉鎖する加熱炉によって光ファイバ母材20を加熱して加工した場合(比較例2)、ヒートショックのために開閉板が破損し、ステンレスからなる一層構造の開閉板によって開口部を閉鎖する加熱炉によって光ファイバ母材20を加熱して加工した場合(比較例3)、開閉板が変形してしまった。
すなわち、一層構造の開閉板を備えるシャッタ装置100を開口部に設置し、一層構造の開閉板にて開口部を閉鎖する加熱炉では、前記開閉板の材質をカーボン、アルミナ、ステンレスの何れにした場合も、光ファイバ母材の加工時に前記開閉板に不具合が発生してしまった。
【0027】
表2の実施例1と、比較例4及び5は、一対の第1,第2開閉板のそれぞれを、それぞれ上下2分割し、前記上下開閉板の間に断熱層5を介在させたシャッタ装置10において、開閉板の材質としてカーボンを使用した場合の開閉板の評価を示すものである。
上下開閉板の材質をカーボンとし、層厚3mmの上部第1,第2開閉板3a,3bと、層厚3mmの下部第1,第2開閉板4a,4bを備え、前記上下開閉板の間の断熱層を4mmとしたシャッタ装置10を加熱炉の開口部に固定し、開閉板を評価した。
【0028】
ヒータ表面温度を2200℃とし、前記シャッタ装置10の開閉板によって開口部を閉鎖して炉内を陽圧とした加熱炉において、30本の光ファイバ母材を加熱加工したときに、開閉板に酸化劣化、或いはヒートショック、或いは変形などの不具合が生じ、開閉板を交換した場合は不良と判断し、開閉板を交換しなかった場合は良好と判断した。
なお、加熱炉に光ファイバ母材をセットした後、加熱に先立って炉内を不活性ガスで充填するか否か、または、光ファイバ母材の加熱時にシャッタ装置に不活性ガスを流し込み、断熱層5に不活性ガスを流入するか否かは、表2に示す各条件に従う。なお断熱層5に不活性ガスを流入する場合、流量計等によって流速を制御し、20リットルのアルゴン(Ar)をシャッタ装置に流し込んだ(図3を参照)。
【0029】
【表2】
【0030】
表2に示すように、カーボンからなる上部開閉板は強い輻射を受けても、加熱炉内を不活性ガスで充填するとともに、断熱層5に不活性ガスを流入することによって、上部開閉板3a,3bが高濃度の不活性ガス雰囲気中に曝されることとなり、上部開閉板の酸化劣化が抑制される。
一方、カーボンからなる下部開閉板4a,4bでは、断熱層5に不活性ガスを流入した場合でも、上側(断熱層側)は高濃度の不活性ガスに接触しているが、下側(外側)は空気に接触している。しかし上部開閉板3a,3bと断熱層5の介在によって輻射熱が低下し、下部開閉板の酸化劣化が抑制される。
すなわち、炉内と断熱層に不活性ガスを供給した場合、上部開閉板と下部開閉板はともに酸化劣化が抑制され(実施例1)、30本の光ファイバ母材を加工した後であっても、両方の開閉板には酸化の形跡が認められず、交換の必要がなかった。
なお、炉内を不活性ガスで充填しない場合は、上部開閉板が酸化劣化して不良となり(比較例4)、断熱層に不活性ガスを流入しない場合は、上部開閉板及び下部開閉板の両方が酸化劣化して不良となった(比較例5)。
【0031】
表3に示す実施例2と、比較例6及び7は、下部開閉板の材質としてセラミックを使用した場合の開閉板の評価を示すものである。なおセラミックとして、酸化に強いアルミナを使用した。
上部開閉板の材質をカーボンとするとともに、下部開閉板の材質をアルミナとし、層厚3mmの上部第1,第2開閉板3a,3bと、層厚3mmの下部第1,第2開閉板4a,4bを備え、前記上下開閉板の間の断熱層5を4mmとしたシャッタ装置10を加熱炉の開口部に固定し、開閉板を評価した。
なお評価方法は、上述した表2に示す実施例や比較例と同様にして行った。なお炉内を不活性ガスで充填するか否か、断熱層5に20リットルの不活性ガスを流入するか否かは、表3に示す各条件に従う。
【0032】
【表3】
【0033】
表3に示すように、アルミナからなる下部開閉板は、上部開閉板と断熱層の介在によってヒータによる輻射熱が低下しているため、下部開閉板(アルミナ)の上側(断熱層側)と下側(外側)の温度差が小さく、ヒートショックによる不具合が発生しない。
従って、カーボンからなる上部開閉板とアルミナからなる下部開閉板とを備えるシャッタ装置において、炉内を不活性ガスで充填するとともに上下開閉板の間の断熱層に不活性ガスを流入した場合、上部開閉板は酸化劣化することなく良好で、かつ下部開閉板はヒートショックがなく良好で、光ファイバ母材を30本加工しても開閉板を交換する必要がなく良好であった(実施例2)。
なおアルミナからなる下部開閉板は酸化に強いため、断熱層を不活性ガスとしなくても酸化劣化による心配はなく良好であったが、断熱層に不活性ガスを流入しない場合、カーボンからなる上部開閉板が酸化劣化してしまった(比較例6)。また炉内を不活性ガスで充填しない場合も、カーボンからなる上部開閉板が酸化劣化してしまった(比較例7)。
【0034】
表4に示す実施例3及び4と、比較例8は、上部開閉板の材質としてセラミックを使用した場合の開閉板の評価を示すものである。なおセラミックとして酸化に強いアルミナを使用した。
上部開閉板の材質をアルミナとするとともに、下部開閉板の材質をカーボンとし、層厚3mmの上部第1,第2開閉板3a,3bと、層厚3mmの下部第1,第2開閉板4a,4bを備え、前記上下開閉板の間の断熱層を4mmとしたシャッタ装置10を加熱炉の開口部に固定し、開閉板を評価した。
評価方法は、上述した表2に示す実施例や比較例と同様にして行った。なお炉内を不活性ガスで充填するか否か、断熱層5に20リットルの不活性ガスを流入するか否かは、表4に示す各条件に従う。
【0035】
【表4】
【0036】
表4に示すように、アルミナからなる上部開閉板は、上下開閉板の間にある断熱層の温度が比較的高く保たれ、上部開閉板の上側(加熱炉内側)と下側(断熱層側)の温度差が小さく、ヒートショックによる不具合が発生しない。なおアルミナからなる上部開閉板は酸化に強いため、炉内や断熱層を不活性ガスとしなくても酸化劣化による心配はなく良好であった。
従って、アルミナからなる上部開閉板と、カーボンからなる下部開閉板とを備えるシャッタ装置では、断熱層に不活性ガスを流入した場合、上部開閉板が良好で、かつ下部開閉板の酸化劣化が防止され、光ファイバ母材を30本加工しても開閉板を交換する必要がなく、全体評価が良好であった(実施例3,実施例4)。
一方、断熱層に不活性ガスを流入しないと、上部開閉板は良好であるが、下部開閉板が酸化劣化し、不良であった(比較例8)。
【0037】
表5に示す比較例9から13は、金属系材料(ステンレス、耐熱合金など)からなる開閉板を用いたときの評価について示すものである。なお酸化に強い金属であるステンレスから、上下何れかの開閉板を作成し、層厚2mmの上部第1,第2開閉板3a,3bと、層厚2mmの下部第1,第2開閉板4a,4bを備え、前記上下開閉板の間の断熱層を6mmとしたシャッタ装置10を加熱炉の開口部に固定し、開閉板を評価した。
評価方法は、上述した表2に示す実施例や比較例と同様にして行った。なお炉内を不活性ガスで充填するか否か、断熱層5に20リットルの不活性ガスを流入するか否かは、表5に示す各条件に従う。
【0038】
【表5】
【0039】
表5に示すように、ステンレスからなる上部開閉板を使用した場合(比較例9,比較例10)、またはステンレスからなる下部開閉板を使用した場合(比較例11,比較例12,比較例13)の何れにおいても、加熱後、ステンレスからなる開閉板が変形していた。ステンレスなどの金属系材料からなる開閉板では、開閉板にかかる強い輻射熱による温度分布により、変形が発生する。従って、開閉板として金属系材料を使用しないことが好ましい。
【0040】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明は、光ファイバ母材を加熱するヒータを備える加熱炉の開口部にシャッタ装置を設け、前記シャッタ装置の開閉板によって開口部を閉鎖し、光ファイバ母材の加工時に炉内を陽圧とする加熱炉において、前記シャッタ装置の開閉板は、上下2分割した複層構造であって、かつ前記上下開閉板の間に断熱層を介在させることによって、加熱炉開口部に設置したシャッタ装置の開閉板の酸化が防止され、前記開閉板の交換頻度を抑えることができた。この発明によれば、加熱炉の巨大化を防ぐことができるとともに、シャッタ装置に冷却手段などを設けなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例による光ファイバ母材の加工に用いられる加熱炉を示す図。
【図2】図1に示す加熱炉のシャッタ装置を示す図。
【図3】シャッタ装置への不活性ガスの供給手段を示す図
【図4】光ファイバ母材の加工に用いられる加熱炉を示す図。
【図5】従来技術による加熱炉のシャッタ装置を示す図。
【符号の説明】
1 筐体
2 第1開口
3a 上部第1開閉板
3b 上部第2開閉板
4a 下部第1開閉板
4b 下部第2開閉板
5 断熱層
6 第2開口
10 シャッタ装置
20 光ファイバ母材
20a ダミー
30 加熱炉
31 ヒータ
【発明の属する技術分野】
この発明は、光ファイバ母材を加工するための加熱炉に関し、特に加熱時に炉内を陽圧するために加熱炉開口を閉鎖するシャッタ装置を備えた加熱炉に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光ファイバ母材を加工するにあたって、加熱炉内で加熱されている光ファイバ母材の表面に空気中のゴミが付着すると、光ファイバの外観の悪化や損失の増加をまねく。
特に、光ファイバ母材を加熱しながら伸張加工を行う紡糸炉(例えば、特許文献1を参照)においては、紡糸された直後(すなわち被覆処理前)の光ファイバにゴミなどが触れると、光ファイバに傷が生じて、紡糸後のプルーフ試験(強度試験)で破断したり、ひどい場合には紡糸中にファイバが切れてしまう。
そこで光ファイバ母材の加工に用いられる加熱炉において、開口部にシャッタ装置を設けて炉内を陽圧にするものが知られている(例えば、特許文献2を参照)。
そして、シャッタ装置を備えた加熱炉を用いて光ファイバ母材を加工する場合、加熱に先立って加熱炉内をクリーンなガス(不活性ガス、空気、酸素など)で充填するとともに、加熱時には前記シャッタ装置によって開口部を閉鎖して加熱炉内を陽圧とし、これによって、加熱炉内で加熱されている光ファイバ母材の表面に空気中のゴミなどが付着することを防ぎ、ゴミの付着による光ファイバの外観の悪化や損失の増加を防止する。
【0003】
光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉について図4に示す。
図4(a)に示す加熱炉のように、ヒータ31を備える加熱炉30の上下の開口部にシャッタ装置100を設けたものや、図4(b)に示す加熱炉のように、ヒータ31を備える加熱炉30の上側にパイプ型の上部シール部材110を設けるとともに、下側の開口部にシャッタ装置100を設けたものがある。
図4(a)に示すように、上下開口部にシャッタ装置を取り付けた加熱炉30では、炉内に光ファイバ母材20をセットした後、前記シャッタ装置100にて上下開口部を閉鎖し、加熱時に炉内を陽圧とする。
一方、図(b)に示すように、加熱炉上側を上部シール部材110によってシールドした加熱炉30では、前記上部シール部材110の上端に形成された貫通穴に、光ファイバ母材20の上部に取り付けた延長棒を挿入し、炉内に光ファイバ母材20をセットした後、シャッタ装置100にて下側開口部を閉鎖し、加熱時に炉内を陽圧とする。
これらの加熱炉30を用いて光ファイバ母材20を加熱しながら加工する場合、炉内に光ファイバ母材20をセットした後、加熱に先立って加熱炉内をクリーンなガス(不活性ガス、空気、酸素など)で充填し、その後、加熱時にシャッタ装置100を閉鎖して加熱炉内を陽圧とし、炉内で加熱されている光ファイバ母材20の表面へのゴミの付着を防止する。
なお、シャッタ装置100を構成する部材の酸化を防止するため、一般に加熱炉内には不活性ガスが充填されている。
【0004】
従来技術によるシャッタ装置100の構造について図5を参照して説明する。
図5(a)は、加熱炉開口部に取り付けたシャッタ装置100を加熱炉外側からみたときの平面図であって、図5(b)は、図5(a)中の線分A−Aにおける断面図である。
シャッタ装置100は、一対の第1,第2開閉板103a、103bと、各開閉板103a、103bを収容する円盤状の筐体101とを備える。そして前記筐体101を加熱炉開口の入口に固定することによって、加熱炉開口部にシャッタ装置100を取り付け、前記一対の第1,第2開閉板103a、103bを開口中心に向かってそれぞれ進退させ、加熱炉開口部の開放/閉鎖を行っていた(図5(b)を参照)。
なお図5(a)に示すように、前記筐体101の中央には第1開口102が形成され、加熱炉開口部の開放時に、炉内に光ファイバ母材20をセットするための挿入口となる。また、一対の第1,第2開閉板103a、103bの対峙接触部中央には第2開口104が形成され、前記一対の第1,第2開閉板103a、103bを対峙接触させて加熱炉開口部を閉鎖する時に、炉内にセットされた光ファイバ母材のダミー(母材端)20aを前記第2開口104に貫通させる。
【0005】
【特許文献1】
実開平5−37930号公報
【特許文献2】
特開平8−245234号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
近年、光ファイバの生産向上のため、太径で大型な光ファイバ母材を加工(紡糸加工)して光ファイバを作成するための技術が要求されている。そして太径で大型な光ファイバ母材を加工(紡糸加工)するため、光ファイバ母材のサイズにあわせて加熱炉のサイズアップが必要となり、ヒータの大型化(ヒータ径の太径化)が必要となった。そしてこのヒータの大型化に伴って輻射の影響が大きくなり、加熱炉開口部に設けたシャッタ装置(開閉板)の温度が上昇するといった問題が生じた。
そして、一対の第1,第2開閉板103a、103bを備えるシャッタ装置100によって加熱炉開口部を閉鎖する加熱炉では、耐熱性の高いカーボンからなる開閉板を使用しても、大型ヒータ31の輻射熱によって開閉板の酸化消耗が激しくなり、開閉板の交換頻度が高くなっていた。
【0007】
開閉板の酸化を防止するためには、酸化に強い(酸化耐性)材料を用いて開閉板を作成することが考えられる。
しかしながら、例えばセラミックなどの酸化に強い材料(アルミナ、SiC、ジルコニアなど)からなる開閉板を備えるシャッタ装置100を検討した結果、ヒートショックによって開閉板が破損してしまった。またこれらのセラミック材料は非常に高価であるといった問題があった。
さらに、例えば酸化に強い金属系材料(ステンレス、耐熱合金など)からなる開閉板を備えるシャッタ装置100を検討した結果、開閉板にかかる温度分布によって、開閉板に変形が生じるなどの問題があった。
【0008】
一方、大型ヒータの輻射による開閉板の酸化消耗を抑制するにあたって、ヒータ31とシャッタ装置100との距離を大きくし(離し)、輻射率を低下することによって開閉板の温度を下げる方法がある。しかし、光ファイバ母材20のサイズにあわせて大型化した加熱炉30を更に大きくせねばならず、加熱炉が非常に大きくなってしまう。
また、加熱された開閉板自体を冷却するための冷却手段(例えば水冷手段)をシャッタ装置100に設けることもできるが、その場合、装置の構造が複雑となり、さらに開閉板が冷却されることで炉内のガスの流れが変化し、特に紡糸加工を目的とする加熱炉(延伸炉)の場合にはプリフォーム母材に径変動を与える虞があった。
【0009】
かかる問題を鑑み、太径で大型の光ファイバ母材を加工するための加熱炉において、加熱炉の巨大化を防ぎ、さらに加熱炉の開口部を閉鎖するシャッタ装置の高さを増大することなく、またシャッタ装置に冷却手段を設けることなく、シャッタ装置の開閉板の酸化を防止し、前記開閉板の交換頻度を抑えることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明による光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉は、光ファイバ母材を加熱するヒータを備える加熱炉の開口部にシャッタ装置を設け、前記シャッタ装置の開閉板によって開口部を閉鎖し、光ファイバ母材の加工時に炉内を陽圧とする加熱炉において、前記シャッタ装置の開閉板は、上下2分割した複層構造であって、かつ前記上下開閉板の間に断熱層を介在させたものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
この発明による光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉の好適な実施例について、図1ないし図3を参照して説明する。
【0012】
図1は、加熱炉内にセットした大型光ファイバ母材20を加熱するための大型ヒータ31を備える加熱炉30の開口部に、この開口部を開放/閉鎖するシャッタ装置10を設けた光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉を示すものであり、前記シャッタ装置10を構成する一対の第1,第2開閉板がそれぞれ上下に2分割され、さらに前記上下に2分割した上下開閉板の間に断熱層(気体層)5を介在させている。
なお、加熱炉全体の長さを必要以上に増大させないため、加熱炉の大型化によって開口部口径が広がっても、シャッタ装置10の高さを増大させないことが好ましく、上下に2分割した上下開閉板のそれぞれの層厚と、断熱層(気体層)5の層厚を調整してシャッタ装置10を構成する。
【0013】
開閉板の材質としては、耐熱性の高い材質が好ましく、カーボンを用いることができる。また耐熱性が高く、酸化に強いセラミック(例えば、アルミナ、SiC、ジルコニアなど)を用いてもよい。
【0014】
シャッタ装置10の構造について図2を参照して説明する。
図2(a)は、加熱炉の下側開口部に取り付けたシャッタ装置10を加熱炉外側(下側)からみたときの平面図であって、図2(b)は、図2(a)中の線分A−Aにおける断面図である。
【0015】
図2(b)に示すように、シャッタ装置10は、一対の第1,第2開閉板をそれぞれ上下に2分割した開閉板(すなわち一対の上部第1及び第2開閉板3a,3bと、一対の下部第1及び第2開閉板4a)と、前記開閉板(上部第1開閉板3a、上部第2開閉板3b、下部第1開閉板4a、下部第2開閉板4b)を収容する円盤状の筐体1とを備える。
また上部第1開閉板3aと下部第1開閉板4aの間、および上部第2開閉板3bと下部第2開閉板4bの間には、それぞれ断熱層(気体層)5が設けられている。
【0016】
そして前記筐体1を加熱炉開口の入口に固定し、加熱炉開口部にシャッタ装置10を取り付け、前記一対の上部第1,第2開閉板3a、3bを開口中心に向かってそれぞれ進退させるとともに、一対の下部第1,第2開閉板4a、4bを開口中心に向かってそれぞれ進退させることによって、加熱炉開口部を閉鎖/開放する。
シャッタ装置10は、各開閉板の動作を制御する駆動部(図示せず)を有し、前記駆動部によって、一対の上部第1,第2開閉板3a,3bがそれぞれ開口中心に向かって進退し、かつ一対の上部第1,第2開閉板3a,3bがそれぞれ開口中心に向かって進退することによって、開口部が閉鎖/開放する。
この発明の実施例によるシャッタ装置10では、前記各開閉板の動作を1つの駆動部により制御し、一対の上部第1,第2開閉板3a,3bと、もう一対の下部第1,第2開閉板4a,4bとを同時に動かすようにした。
【0017】
この発明の実施例によるシャッタ装置10では、図2(a)に示すように、筐体1の中央に第1開口2が形成され、前記第1開口2は、加熱炉開口部の開放時に炉内に光ファイバ母材20をセットするための挿入口となる。
また上部第1,第2開閉板3a、3bの対峙接触部中央と、下部第1,第2開閉板3a、3bの対峙接触部中央には、それぞれ第2開口6が形成され、前記一対の上部第1,第2開閉板3a、3bを対峙接触させ、かつ前記一対の下部第1,第2開閉板4a、4bを対峙接触させて加熱炉開口部を閉鎖した時、炉内にセットされている光ファイバ母材20のダミー(母材端)20aを前記第2開口6に貫通させる。
なお第2開口6を貫通する母材径(ダミー20a径)に応じて各開閉板を可動し、加熱加工する光ファイバ母材20に対応できるようにした。
【0018】
さらに図3に示すように、この発明の実施例によるシャッタ装置10は、上下に分割された開閉板の間の断熱層(気体層)5にクリーンなガスを流入するための手段を有する。
図3に示すシャッタ装置10には、ガス供給部が連結されており、前記ガス供給部に蓄積されているクリーンなガス(例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスや、空気など)が、流量計やMFC(mass flow controller)を経、一定の流速(流量)にてシャッタ装置10へ供給される。
【0019】
なお、シャッタ装置10の開閉板をカーボン材質から形成した場合、各開閉板の酸化を防止するため、断熱層5に不活性ガス(例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム等)を供給することが好ましい。
また図3に示すように、ガス供給部からの供給されるガスを2分岐し、一方は上下第1開閉板3a,4aの間の断熱層5に供給し、他方は上下第2開閉板3b,4bの間の断熱層5に供給するように構成することが好ましい。
【0020】
以下に、この発明による光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉について、輻射による影響を検討する。加熱炉の開口部に取り付けたシャッタ装置の開閉板が、大型ヒータによる強い輻射によって不具合が生じるか否かを観察し、その評価結果を表1ないし表5に示す。
【0021】
加熱炉のタイプとして図4(b)に示すように、上側開口部をパイプ型の上部シール部材によってシールドし、下側開口部をシャッタ装置によって閉鎖する加熱炉を使用し、前記下側開口部に取り付けたシャッタ装置の各開閉板について評価した。
なおシャッタ装置が閉鎖する加熱炉開口部の口径が150mm程度の通常サイズの加熱炉ではなく、大型光ファイバ母材に対応し、シャッタ装置が閉鎖する加熱炉開口部の口径が250mm程度の加熱炉の開口部にシャッタ装置を取り付けた。またヒータ31から開口部(シャッタ装置100)までの距離を400mmとし、シャッタ装置100の開閉板が閉鎖する開口(第1開口2)の口径を250mmとした。
【0022】
表1は、一対の第1,第2開閉板を上下2分割することなく、一層構造の開閉板を備える従来技術によるシャッタ装置100(図5を参照)において、前記開閉板を収容する筐体101の内部空間の高さが10mm、開閉板の層厚が5mmのシャッタ装置を使用したもの(比較例1〜3)を評価したものである。
このシャッタ装置100では、内部空間の高さが10mmである筐体1の上壁内側に層厚5mmの開閉板を接するように配設し、各開閉板の動作を制御する駆動部によって前記開閉板(第1開閉板103a、第2開閉板103b)を上壁に対してスライド(進退)させることによって、加熱炉開口の閉鎖/開放を行った。
【0023】
また表2〜5は、この発明のように、一対の第1,第2開閉板を上下2分割するとともに、その間に断熱層5を介在させたシャッタ装置10(図1を参照)において、前記各開閉板を収容する筐体1の内部空間の高さが10mmとなるように、上部第1,第2開閉板3a,3bと、下部第1,第2開閉板4a,4bと,断熱層5の層厚をそれぞれ調整したもの(実施例1〜4、比較例4〜13)を評価したものである。
このシャッタ装置10では、内部空間の高さが10mmである筐体1の上壁内側に上部開閉板を接するように配設するとともに、下壁内側に下部開閉板を接するように配設した。そして、各開閉板の動作を制御する駆動部によって、前記上部開閉板(上部第1開閉板3a,上部第2開閉板3b)を上壁に対してスライド(進退)させるとともに、前記下部開閉板(下部第1開閉板4a,下部第2開閉板4b)を下壁に対してスライド(進退)させ、加熱炉開口の閉鎖/開放を行った。
【0024】
表1の比較例1〜3は、一層構造の開閉板を備えるシャッタ装置において、開閉板の材質として、カーボン、アルミナ、ステンレスを使用した場合の評価を示すものである。
比較例1から比較例3では、加熱炉30に光ファイバ母材20をセットした後、加熱に先立って炉内に不活性ガスを充填し、さらに加熱時は、シャッタ装置100に不活性ガスを40リットル供給して開閉板の下側に不活性ガスを流し込み、開閉板の上側(炉内)と下側(外側)とが不活性ガスに曝されるようにした。なお不活性ガスとしてアルゴン(Ar)を使用した。
ヒータ表面温度を2200℃とし、前記シャッタ装置100の開閉板によって開口部を閉鎖して炉内を陽圧とした加熱炉において、30本の光ファイバ母材を加熱加工したときに、開閉板に酸化劣化、或いはヒートショック、或いは変形などの不具合が生じ、開閉板を交換した場合は不良と判断し、開閉板を交換しなかった場合は良好と判断した。
【0025】
【表1】
【0026】
表1に示すように、カーボンからなる一層構造の開閉板によって開口部を閉鎖する加熱炉によって光ファイバ母材20を加熱して加工した場合(比較例1)、シャッタ装置へ不活性ガスを多量(40リットル)に供給したにもかかわらず、光ファイバ母材を10本程度加工した時点で、開閉板に酸化による微小な穴が発生し、酸化劣化のために開閉板を交換しなくてはならなくなった。
またアルミナからなる一層構造の開閉板によって開口部を閉鎖する加熱炉によって光ファイバ母材20を加熱して加工した場合(比較例2)、ヒートショックのために開閉板が破損し、ステンレスからなる一層構造の開閉板によって開口部を閉鎖する加熱炉によって光ファイバ母材20を加熱して加工した場合(比較例3)、開閉板が変形してしまった。
すなわち、一層構造の開閉板を備えるシャッタ装置100を開口部に設置し、一層構造の開閉板にて開口部を閉鎖する加熱炉では、前記開閉板の材質をカーボン、アルミナ、ステンレスの何れにした場合も、光ファイバ母材の加工時に前記開閉板に不具合が発生してしまった。
【0027】
表2の実施例1と、比較例4及び5は、一対の第1,第2開閉板のそれぞれを、それぞれ上下2分割し、前記上下開閉板の間に断熱層5を介在させたシャッタ装置10において、開閉板の材質としてカーボンを使用した場合の開閉板の評価を示すものである。
上下開閉板の材質をカーボンとし、層厚3mmの上部第1,第2開閉板3a,3bと、層厚3mmの下部第1,第2開閉板4a,4bを備え、前記上下開閉板の間の断熱層を4mmとしたシャッタ装置10を加熱炉の開口部に固定し、開閉板を評価した。
【0028】
ヒータ表面温度を2200℃とし、前記シャッタ装置10の開閉板によって開口部を閉鎖して炉内を陽圧とした加熱炉において、30本の光ファイバ母材を加熱加工したときに、開閉板に酸化劣化、或いはヒートショック、或いは変形などの不具合が生じ、開閉板を交換した場合は不良と判断し、開閉板を交換しなかった場合は良好と判断した。
なお、加熱炉に光ファイバ母材をセットした後、加熱に先立って炉内を不活性ガスで充填するか否か、または、光ファイバ母材の加熱時にシャッタ装置に不活性ガスを流し込み、断熱層5に不活性ガスを流入するか否かは、表2に示す各条件に従う。なお断熱層5に不活性ガスを流入する場合、流量計等によって流速を制御し、20リットルのアルゴン(Ar)をシャッタ装置に流し込んだ(図3を参照)。
【0029】
【表2】
【0030】
表2に示すように、カーボンからなる上部開閉板は強い輻射を受けても、加熱炉内を不活性ガスで充填するとともに、断熱層5に不活性ガスを流入することによって、上部開閉板3a,3bが高濃度の不活性ガス雰囲気中に曝されることとなり、上部開閉板の酸化劣化が抑制される。
一方、カーボンからなる下部開閉板4a,4bでは、断熱層5に不活性ガスを流入した場合でも、上側(断熱層側)は高濃度の不活性ガスに接触しているが、下側(外側)は空気に接触している。しかし上部開閉板3a,3bと断熱層5の介在によって輻射熱が低下し、下部開閉板の酸化劣化が抑制される。
すなわち、炉内と断熱層に不活性ガスを供給した場合、上部開閉板と下部開閉板はともに酸化劣化が抑制され(実施例1)、30本の光ファイバ母材を加工した後であっても、両方の開閉板には酸化の形跡が認められず、交換の必要がなかった。
なお、炉内を不活性ガスで充填しない場合は、上部開閉板が酸化劣化して不良となり(比較例4)、断熱層に不活性ガスを流入しない場合は、上部開閉板及び下部開閉板の両方が酸化劣化して不良となった(比較例5)。
【0031】
表3に示す実施例2と、比較例6及び7は、下部開閉板の材質としてセラミックを使用した場合の開閉板の評価を示すものである。なおセラミックとして、酸化に強いアルミナを使用した。
上部開閉板の材質をカーボンとするとともに、下部開閉板の材質をアルミナとし、層厚3mmの上部第1,第2開閉板3a,3bと、層厚3mmの下部第1,第2開閉板4a,4bを備え、前記上下開閉板の間の断熱層5を4mmとしたシャッタ装置10を加熱炉の開口部に固定し、開閉板を評価した。
なお評価方法は、上述した表2に示す実施例や比較例と同様にして行った。なお炉内を不活性ガスで充填するか否か、断熱層5に20リットルの不活性ガスを流入するか否かは、表3に示す各条件に従う。
【0032】
【表3】
【0033】
表3に示すように、アルミナからなる下部開閉板は、上部開閉板と断熱層の介在によってヒータによる輻射熱が低下しているため、下部開閉板(アルミナ)の上側(断熱層側)と下側(外側)の温度差が小さく、ヒートショックによる不具合が発生しない。
従って、カーボンからなる上部開閉板とアルミナからなる下部開閉板とを備えるシャッタ装置において、炉内を不活性ガスで充填するとともに上下開閉板の間の断熱層に不活性ガスを流入した場合、上部開閉板は酸化劣化することなく良好で、かつ下部開閉板はヒートショックがなく良好で、光ファイバ母材を30本加工しても開閉板を交換する必要がなく良好であった(実施例2)。
なおアルミナからなる下部開閉板は酸化に強いため、断熱層を不活性ガスとしなくても酸化劣化による心配はなく良好であったが、断熱層に不活性ガスを流入しない場合、カーボンからなる上部開閉板が酸化劣化してしまった(比較例6)。また炉内を不活性ガスで充填しない場合も、カーボンからなる上部開閉板が酸化劣化してしまった(比較例7)。
【0034】
表4に示す実施例3及び4と、比較例8は、上部開閉板の材質としてセラミックを使用した場合の開閉板の評価を示すものである。なおセラミックとして酸化に強いアルミナを使用した。
上部開閉板の材質をアルミナとするとともに、下部開閉板の材質をカーボンとし、層厚3mmの上部第1,第2開閉板3a,3bと、層厚3mmの下部第1,第2開閉板4a,4bを備え、前記上下開閉板の間の断熱層を4mmとしたシャッタ装置10を加熱炉の開口部に固定し、開閉板を評価した。
評価方法は、上述した表2に示す実施例や比較例と同様にして行った。なお炉内を不活性ガスで充填するか否か、断熱層5に20リットルの不活性ガスを流入するか否かは、表4に示す各条件に従う。
【0035】
【表4】
【0036】
表4に示すように、アルミナからなる上部開閉板は、上下開閉板の間にある断熱層の温度が比較的高く保たれ、上部開閉板の上側(加熱炉内側)と下側(断熱層側)の温度差が小さく、ヒートショックによる不具合が発生しない。なおアルミナからなる上部開閉板は酸化に強いため、炉内や断熱層を不活性ガスとしなくても酸化劣化による心配はなく良好であった。
従って、アルミナからなる上部開閉板と、カーボンからなる下部開閉板とを備えるシャッタ装置では、断熱層に不活性ガスを流入した場合、上部開閉板が良好で、かつ下部開閉板の酸化劣化が防止され、光ファイバ母材を30本加工しても開閉板を交換する必要がなく、全体評価が良好であった(実施例3,実施例4)。
一方、断熱層に不活性ガスを流入しないと、上部開閉板は良好であるが、下部開閉板が酸化劣化し、不良であった(比較例8)。
【0037】
表5に示す比較例9から13は、金属系材料(ステンレス、耐熱合金など)からなる開閉板を用いたときの評価について示すものである。なお酸化に強い金属であるステンレスから、上下何れかの開閉板を作成し、層厚2mmの上部第1,第2開閉板3a,3bと、層厚2mmの下部第1,第2開閉板4a,4bを備え、前記上下開閉板の間の断熱層を6mmとしたシャッタ装置10を加熱炉の開口部に固定し、開閉板を評価した。
評価方法は、上述した表2に示す実施例や比較例と同様にして行った。なお炉内を不活性ガスで充填するか否か、断熱層5に20リットルの不活性ガスを流入するか否かは、表5に示す各条件に従う。
【0038】
【表5】
【0039】
表5に示すように、ステンレスからなる上部開閉板を使用した場合(比較例9,比較例10)、またはステンレスからなる下部開閉板を使用した場合(比較例11,比較例12,比較例13)の何れにおいても、加熱後、ステンレスからなる開閉板が変形していた。ステンレスなどの金属系材料からなる開閉板では、開閉板にかかる強い輻射熱による温度分布により、変形が発生する。従って、開閉板として金属系材料を使用しないことが好ましい。
【0040】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明は、光ファイバ母材を加熱するヒータを備える加熱炉の開口部にシャッタ装置を設け、前記シャッタ装置の開閉板によって開口部を閉鎖し、光ファイバ母材の加工時に炉内を陽圧とする加熱炉において、前記シャッタ装置の開閉板は、上下2分割した複層構造であって、かつ前記上下開閉板の間に断熱層を介在させることによって、加熱炉開口部に設置したシャッタ装置の開閉板の酸化が防止され、前記開閉板の交換頻度を抑えることができた。この発明によれば、加熱炉の巨大化を防ぐことができるとともに、シャッタ装置に冷却手段などを設けなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例による光ファイバ母材の加工に用いられる加熱炉を示す図。
【図2】図1に示す加熱炉のシャッタ装置を示す図。
【図3】シャッタ装置への不活性ガスの供給手段を示す図
【図4】光ファイバ母材の加工に用いられる加熱炉を示す図。
【図5】従来技術による加熱炉のシャッタ装置を示す図。
【符号の説明】
1 筐体
2 第1開口
3a 上部第1開閉板
3b 上部第2開閉板
4a 下部第1開閉板
4b 下部第2開閉板
5 断熱層
6 第2開口
10 シャッタ装置
20 光ファイバ母材
20a ダミー
30 加熱炉
31 ヒータ
Claims (5)
- 光ファイバ母材(20)を加熱するヒータ(31)を備える加熱炉(30)の開口部にシャッタ装置(10)を設け、前記シャッタ装置(10)の開閉板によって開口部を閉鎖し、光ファイバ母材の加工時に炉内を陽圧とする加熱炉において、
前記シャッタ装置(10)の開閉板は、上下2分割した複層構造であって、かつ前記上下開閉板の間に断熱層(5)が介在していることを特徴とする光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉。 - 上下2分割された開閉板の動作を、1つの駆動部によって制御し、前記各開閉板を同時に動かすことによって加熱炉開口部を閉鎖/開放することを特徴とする請求項1に記載の光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉。
- カーボンからなる開閉板を備えるシャッタ装置により、開口部を閉鎖することを特徴とする請求項1または2に記載の光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉。
- セラミックからなる開閉板を備えるシャッタ装置により、開口部を閉鎖することを特徴とする請求項1ないし3に記載の光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉。
- 断熱層(5)に不活性ガスを流入することを特徴とする請求項1ないし4に記載の光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003073771A JP2004277253A (ja) | 2003-03-18 | 2003-03-18 | 光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003073771A JP2004277253A (ja) | 2003-03-18 | 2003-03-18 | 光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004277253A true JP2004277253A (ja) | 2004-10-07 |
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ID=33289584
Family Applications (1)
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JP2003073771A Pending JP2004277253A (ja) | 2003-03-18 | 2003-03-18 | 光ファイバ母材の加工に用いる加熱炉 |
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JP (1) | JP2004277253A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018193262A (ja) * | 2017-05-15 | 2018-12-06 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ線引装置および光ファイバ線引方法 |
-
2003
- 2003-03-18 JP JP2003073771A patent/JP2004277253A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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