JP2004266289A5 - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体発光素子およびその製造方法に関する。

本発明は上記の問題を解決し、発光効率等の特性が良好な半導体発光素子およびその製造方法を提供することを課題とする。

第２に、本発明は、多角形の平面形状を有する六方晶系の単結晶基板と、この単結晶基板上に積層された化合物半導体層と、この化合物半導体層に接続された電極とを備え、前記単結晶基板の一辺が＜１１−２０＞方向に平行であり、他の一辺が＜１−１００＞方向に平行であり、かつ前記多角形が長方形であって、前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足し、かつ前記単結晶基板の裏面の凹凸が前記単結晶基板の厚さＴの３％以内にあることを特徴とする半導体発光素子を提供する。

第３に、本発明は、六方晶系の単結晶基板の表面上に化合物半導体層を積層する工程、前記化合物半導体層に接して電極を形成する工程、前記単結晶基板の裏面を凹凸が前記単結晶基板の厚さの３％以内となるように加工する工程、前記裏面を加工した単結晶基板を切断して平面多角形状にする工程を包含し、該切断工程において、単結晶基板を前記多角形の一辺が＜１１−２０＞方向に平行に、および他の一辺が＜１−１００＞方向に平行になり、前記多角形が長方形となるように、かつ前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足するように切断することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供する。

第４に、本発明は、六方晶系の単結晶基板の表面上に化合物半導体層を積層する工程、前記化合物半導体層に接して電極を形成する工程、前記単結晶基板の裏面を凹凸が前記単結晶基板の厚さの３％以内となるように加工する工程、前記裏面を加工した単結晶基板を切断して平面多角形状にする工程を包含し、該切断工程において、単結晶基板を前記多角形の一辺が＜１１−２０＞方向に平行に、および他の一辺が＜１−１００＞方向に平行になり、前記多角形が長方形となるように、かつ前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足するように切断することを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法を提供する。

Claims (5)

1. 六方晶系の単結晶基板と、この単結晶基板上に積層された化合物半導体層と、この化合物半導体層に設けられた電極とを備えた半導体発光素子において、前記単結晶基板及び化合物半導体層が、それぞれ、角度６０゜±３°の内角を有する平行四辺形平面形状を有することを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記平行四辺形が、＜１１−２０＞方向に平行な対辺を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 多角形の平面形状を有する六方晶系の単結晶基板と、この単結晶基板上に積層された化合物半導体層と、この化合物半導体層に接続された電極とを備え、前記単結晶基板の一辺が＜１１−２０＞方向に平行であり、他の一辺が＜１−１００＞方向に平行であり、かつ前記多角形が長方形であって、前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足し、かつ前記単結晶基板の裏面の凹凸が前記単結晶基板の厚さＴの３％以内にあることを特徴とする半導体発光素子。
4. 六方晶系の単結晶基板の表面上に化合物半導体層を積層する工程、前記化合物半導体層に接して電極を形成する工程、前記単結晶基板の裏面を凹凸が前記単結晶基板の厚さの３％以内となるように加工する工程、前記裏面を加工した単結晶基板を切断して平面多角形状にする工程を包含し、該切断工程において、単結晶基板を前記多角形の一辺が＜１１−２０＞方向に平行に、および他の一辺が＜１−１００＞方向に平行になり、前記多角形が長方形となるように、かつ前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足するように切断することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
5. 六方晶系の単結晶基板の表面上に化合物半導体層を積層する工程、前記化合物半導体層に接して電極を形成する工程、前記単結晶基板の裏面を凹凸が前記単結晶基板の厚さの３％以内となるように加工する工程、前記裏面を加工した単結晶基板を切断して平面多角形状にする工程を包含し、該切断工程において、単結晶基板を前記多角形の一辺が＜１１−２０＞方向に平行に、および他の一辺が＜１−１００＞方向に平行になり、前記多角形が長方形となるように、かつ前記単結晶基板の厚さをＴ、前記単結晶基板の最も長い一辺の長さをＬとしたとき、Ｔ／Ｌ＜２を満足するように切断することを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。