JP2004262179A - Wire saw cutting method and equipment therefor - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は単結晶インゴットのワイヤソーによる切断方法とそのための設備に関し、特に、半導体や誘電体などの柱状単結晶インゴットからウエハを切り出すワイヤソー切断方法とそのための設備の改善に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
円柱状や角柱状の単結晶インゴットからウエハを切り出す場合、一般には内周刃スライサ、外周刃スライサ、ワイヤソーなどが用いられる。
【0003】
ところで、電子部品用に用いられる半導体または誘電体などのウエハは、その主面が特定の結晶学的方位を有すべきことを求められる場合が多い。たとえば、一つの柱状単結晶インゴットから切り出される複数のウエハの各々が特定の主面方位Aを有すべき場合、まず、その柱状インゴットの一方端において高い精度でその面方位Aを有する基準断面が形成される。
【0004】
そのような基準断面を形成する場合、一般には、X線回折によってインゴットの結晶方位を求め、それに基づいて柱状インゴットの端部において面方位Aを生じるように第1の断面をスライサによって形成する。そして、その第1の断面が正しく面方位Aに一致しているかを確認するために再度X線回折によって測定し、もしその第1断面が面方位Aから所定の許容量以上の角度差でずれていれば、そのずれ角度を補正するように第2の断面を再度スライサによって形成する。柱状インゴットの端面が所定の高精度で面方位Aに一致する基準断面になるまで、このような操作が繰り返される。
【0005】
こうして柱状インゴットの端部に高精度で面方位Aを有する基準断面が形成された後には、たとえば図4に示されているようなマルチワイヤソー設備によって、面方位Aの主面を有する複数のウエハが同時に切り出され得る。なお、本願の図面において、同一の参照符号は同一部分または相当部分を表わしている。
【0006】
図4の概略的な斜視図に示されたマルチワイヤソー設備において、面方位Aの基準断面1aを有する円柱状単結晶インゴット1がカーボン治具2を介して固定治具3に固定される。カーボン治具2は、インゴット1から切り出されたウエハが落下するのを防止して保持するために用いられる。固定治具3は、旋回ステージ11上に設置される。ヘッドローラ12には、複数のワイヤ13が巻回されている。これらのワイヤ13は、ヘッドローラ12の回転によって、ワイヤ自体の長手方向に沿って移動させられる。ワイヤ13としては、たとえばピアノ線が用いられ得る。そして、切断時のワイヤ13の表面には、SiCまたはダイヤモンドなどの砥粒が混入された切断油が塗布される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
図4に示されているようなマルチワイヤソー設備において実際に柱状インゴットから面方位Aを有する複数のウエハを切り出す場合、まず図5の模式的な上面図に示されているように、基準断面1aとワイヤ13とが平行になるように目視によって確認しながら回転ステージ11を調整する。なお、図面中の点線は切断されるべき結晶学的仮想面を表わしており、基準断面1aはこの仮想面に平行に形成されている。または、回転ステージ11は、目視の代わりに図4中に示されているようなツールスコープ14を利用しながら、基準断面1aとワイヤ13とが平行になるように調整される(特許文献1参照)。
【0008】
その後、図6の模式的な側面図中の白色矢印で示されているように、回転ステージ11が昇降させられ、その間に基準断面1aの移動がダイヤルゲージ16によって測定される。ここで、回転ステージ11の昇降中にダイヤルゲージ16の目盛が変化すれば、それは基準断面1aがその回転ステージ11の昇降方向と平行になっていないことを意味する。したがって、その場合には、図6中の黒色矢印で示されているように、傾角調整ステージ(図示せず)によって固定治具3の傾角を調整し、それによって基準断面1aと回転ステージ11の昇降方向とが平行に設定される。
【0009】
しかし、以上のように基準断面1aとワイヤ13との相対関係が初期設定された後に実際にウエハの切り出しを行った場合に、得られるウエハの主面が基準断面1aに正確に平行にならないことがある。その原因としては、目視またはツールスコープ14を利用して基準断面1aとワイヤ13との平行性を設定するときの誤差、ダイヤルゲージ16を利用して基準断面1aと回転ステージ11の昇降方向との平行性を設定するときの誤差、さらには実際の切断の際にワイヤ13にかかる力の影響による誤差などが考えられる。
【0010】
そこで、本発明は、特定の結晶面方位の主面を有するウエハを単結晶インゴットから正確かつ簡便に切り出すことができるワイヤソー切断方法とそのための設備を提供することを目的としている。
【0011】
【特許文献1】
特開2002−331518号公報
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、柱状の単結晶インゴットの少なくとも一方端に予め形成された基準断面に対して平行な主面を有するウエハをワイヤソーで切り出す方法は、任意の第1のインゴットをステージ上に載置してワイヤソーで第1の切断を行い、平面の方位を特定し得る平面検知センサを第1インゴットの第1切断面に適用することによってその第1切断面を含む第1切断平面を特定し、第1インゴットに代えて第2のインゴットをステージ上に載置し、平面検知センサを第2インゴットの基準断面に適用してその基準断面が第1切断平面に平行になるようにステージを調整し、その後にワイヤソーで第2インゴットを切断することを特徴としている。
【0013】
そうすることによって、基準断面に対して高い精度で平行な主面を有するウエハを簡便に切り出すことが可能になる。なお、第1インゴットとしてはダミーインゴットを用いることができ、第1切断はテスト切断であり得る。
【0014】
また、そのようなワイヤソー切断方法は、ステージと、ワイヤソーと、平面検知センサとを備えたワイヤソー切断設備において実施することができる。平面検知センサは、同一直線上にない3点以上の複数の測定点の位置を検知することによって、それら複数の測定点を含む平面の方位を特定することができる。平面検知センサは、鉛直方向に2点と水平方向に2点の位置を検知し得る4つのポイントセンサを含んでいることが好ましい。
【0015】
ワイヤソー切断設備は側壁とその側壁に脱着可能なガイドレールを含むことができ、平面検知センサはそのガイドレール上で摺動させ得る。平面検知センサは、特定した平面の方位に関するデータを処理するためのデータ処理システムに接続されていることが好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1から図3を参照して、本発明の一実施形態によるワイヤソー切断方法とそのための設備が、模式的な側面図で図解されている。
【0017】
まず、図1において、ダミーインゴット1Dが固定治具3上のカーボン治具2上に載置される。そして、白色矢印で示されているように、そのダミーインゴット1Dがワイヤ13に対して相対的に昇降させられ、実際に複数ウエハが切断される。その結果、ダミーインゴット1Dの残部において切断端面1Aが形成される。
【0018】
図2において、ワイヤソー切断設備の側壁20に対してガイドレール21が装着され、その上に平面検知センサ22が摺動可能に載置される。この平面検知センサ22は、同一直線上にはない3点以上の位置を検知し得る複数のポイントセンサを含んでいる。なお、図2においては、2つのポイントセンサ22a、22bのみが例示されている。
【0019】
平面検知センサ22は、ガイドレール21上で摺動可能であり、ダミーインゴット1Dの切断端面1Aに適用される。そのとき、ポイントセンサ22a、22bの各々は小さな球面の触子を有し、その触子が切断端面1Aに接触させられる。こうして、同一直線状にない3点以上の位置が検知され、それによって切断端面1Aの面方位が特定される。なお、平面検知センサ22は、検知された複数点の位置から面方位を算出する演算装置、それらのデータを保存する記憶装置、およびデータを表示する表示装置などを含むデータ処理システム(図示せず)に接続されている。
【0020】
断面の方位を正確かつ簡便に特定するためには、平面検知センサ22は、水平方向に2つのポイントセンサと垂直方向に2つのポイントセンサを含むことが好ましい。そうすれば、例えばインゴットの円形、楕円形、または矩形の断面の面方位を特定する場合に、水平方向の2つのポイントセンサをその断面の幅方向の両端近傍に適用すると同時に、垂直方向の2つのポイントセンサをその断面の上下方向の両端近傍に適用することができる。そして、その断面に対する一回の平面検知センサ22の適用によって、断面の水平方向の傾斜と垂直方向の傾斜とを高い精度で同時に特定することができる。
【0021】
以上のようにして、平面検知センサ22によって特定されたダミーインゴット1Dの断面1Aに関する面方位データは、図示されていないデータ処理システムに保存される。
【0022】
図3において、平面検知センサ22をガイドレール21上で摺動させて、ダミーインゴット1Dの断面1Aから離脱させる。そして、カーボン治具2上のダミーインゴット1Dが、単結晶インゴット1に置き換えられる。その後、ガイドレール21上で平面検知センサ22を摺動させて、それを単結晶インゴット1の基準断面1aに適用する。すなわち、平面検知センサ22中の各ポイントセンサの触子が基準断面1aに接触させられる。そして、それらのポイントセンサの触子に接触している基準断面1aの面方位が、データ処理システムに保存されている断面1Aの面方位に一致するように回転ステージおよび傾角調整ステージが調整される。これによって、単結晶インゴット1の基準断面1aは、ダミーインゴット1Dの実際の切断面1Aと平行に設定され得る。
【0023】
その後、平面検知センサ22をガイドレール21上で摺動させて単結晶インゴット1の基準断面1aから離脱させるとともに、そのガイドレール21が側壁20から取り外される。そして、ダミーインゴット1Dを切断した場合と同様にして、ワイヤ13によって、単結晶インゴット1から複数のウエハが切り出される。
【0024】
この場合、ダミーインゴット1Dのテスト切断によって知り得たワイヤソーの実際の切断面1Aに平行に基準断面1aが設定されているので、単結晶インゴット1から切り出される複数のウエハは、いずれも高い精度で基準断面1aに平行な主面を有し得る。
【0025】
なお、以上の実施形態においては断面に対して機械的に接触する触子を有するポイントセンサを含む平面検知センサを利用する場合について説明されたが、光学的に位置を検知するポイントセンサを含む平面検知センサを利用してもよいことは言うまでもない。そのような、光学的ポイントセンサには半導体レーザを利用することができる。また、機械的触子を利用する平面検知センサの実例としては、株式会社キーエンスから販売されているグラフィックアナログコントローラRJ−800を入手することができる。
【0026】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、特定の結晶面方位の主面を有するウエハを単結晶インゴットから正確かつ簡便にに切り出すことができるワイヤソー切断方法とそのための設備を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態によるワイヤソー切断方法における初期ステップを図解する模式的な側面図である。
【図2】本発明の一実施形態によるワイヤソー切断方法における図1のステップに続くステップを図解する模式的な側面図である。
【図3】本発明の一実施形態によるワイヤソー切断方法における図2のステップに続くステップを図解する模式的な側面図である。
【図4】従来のワイヤソー切断設備の一例を示す模式的な斜視図である。
【図5】従来のワイヤソー切断方法を図解する模式的な上面図である。
【図6】従来のワイヤソー切断方法を図解する模式的な側面図である。
【符号の説明】
1 単結晶インゴット、1a 基準断面、1A ダミー切断面、1D ダミーインゴット、2 カーボン治具、3 固定治具、11 回転ステージ、12 ヘッドローラ、13 ワイヤ、14 ツールスコープ、16 ダイヤルゲージ、20 ワイヤソー切断設備の側壁、21 ガイドレール、22 平面検知センサ、22a、22b ポイントセンサ。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for cutting a single crystal ingot using a wire saw and equipment therefor, and more particularly to a wire saw cutting method for cutting a wafer from a columnar single crystal ingot such as a semiconductor or a dielectric and an improvement in equipment for the same.
[0002]
[Prior art]
When a wafer is cut out from a columnar or prismatic single crystal ingot, an inner peripheral edge slicer, an outer peripheral edge slicer, a wire saw, or the like is generally used.
[0003]
By the way, it is often required that a main surface of a wafer such as a semiconductor or a dielectric used for an electronic component should have a specific crystallographic orientation. For example, when each of a plurality of wafers cut out from one columnar single crystal ingot should have a specific principal plane orientation A, first, at one end of the columnar ingot, a reference cross section having the plane orientation A with high accuracy is formed. It is formed.
[0004]
When such a reference cross section is formed, generally, the crystal orientation of the ingot is obtained by X-ray diffraction, and the first cross section is formed by a slicer so as to generate the plane orientation A at the end of the columnar ingot based on the crystal orientation. Then, measurement is again performed by X-ray diffraction to confirm that the first cross section is correctly coincident with the plane orientation A. If the first cross section is shifted from the plane orientation A by an angle difference of a predetermined allowable amount or more. If so, the second section is formed again by the slicer so as to correct the deviation angle. Such an operation is repeated until the end surface of the columnar ingot becomes a reference cross section that matches the plane orientation A with a predetermined high accuracy.
[0005]
After the reference cross section having the plane orientation A is formed at the end of the columnar ingot with high precision in this manner, a plurality of wafers having the main plane of the plane orientation A are provided by, for example, a multi-wire saw facility as shown in FIG. Can be cut out at the same time. In the drawings of the present application, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.
[0006]
In the multi-wire saw installation shown in the schematic perspective view of FIG. 4, a columnar single crystal ingot 1 having a
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
When a plurality of wafers having a plane orientation A are actually cut out from a columnar ingot in a multi-wire saw facility as shown in FIG. 4, first, as shown in a schematic top view of FIG. The rotating stage 11 is adjusted while visually confirming that the
[0008]
Thereafter, as shown by a white arrow in the schematic side view of FIG. 6, the rotary stage 11 is moved up and down while the movement of the
[0009]
However, when the wafer is actually cut out after the relative relationship between the
[0010]
Therefore, an object of the present invention is to provide a wire saw cutting method capable of accurately and easily cutting a wafer having a main surface having a specific crystal plane orientation from a single crystal ingot, and an object thereof.
[0011]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-331518
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, a method for cutting out a wafer having a main surface parallel to a reference cross-section formed at least at one end of a columnar single crystal ingot with a wire saw using a wire saw is to place an arbitrary first ingot on a stage. The first cutting plane including the first cutting plane is specified by applying a plane detection sensor capable of specifying the orientation of the plane to the first cutting plane of the first ingot by performing the first cutting with the wire saw. A second ingot is placed on the stage in place of the first ingot, and the plane detection sensor is applied to the reference section of the second ingot, and the stage is adjusted so that the reference section is parallel to the first cutting plane. Then, the second ingot is cut with a wire saw.
[0013]
This makes it possible to easily cut out a wafer having a main surface parallel to the reference cross section with high accuracy. Note that a dummy ingot can be used as the first ingot, and the first cut can be a test cut.
[0014]
Further, such a wire saw cutting method can be carried out in a wire saw cutting facility including a stage, a wire saw, and a plane detection sensor. The plane detection sensor can identify the orientation of a plane including the plurality of measurement points by detecting the positions of three or more measurement points that are not on the same straight line. It is preferable that the plane detecting sensor includes four point sensors capable of detecting the positions of two points in the vertical direction and two points in the horizontal direction.
[0015]
The wire saw cutting equipment may include a side wall and a guide rail detachable from the side wall, and the flat detection sensor may slide on the guide rail. Preferably, the plane detection sensor is connected to a data processing system for processing data relating to the orientation of the specified plane.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
1 to 3, a wire saw cutting method according to an embodiment of the present invention and equipment for the method are illustrated in schematic side views.
[0017]
First, in FIG. 1, a dummy ingot 1D is placed on a
[0018]
In FIG. 2, a
[0019]
The
[0020]
In order to accurately and easily specify the orientation of the cross section, the
[0021]
As described above, the plane orientation data on the cross section 1A of the dummy ingot 1D specified by the
[0022]
In FIG. 3, the
[0023]
Thereafter, the
[0024]
In this case, since the
[0025]
In the above embodiment, a case has been described in which a plane detection sensor including a point sensor having a tentacle that makes mechanical contact with a cross section is used, but a plane including a point sensor that optically detects a position is described. It goes without saying that a detection sensor may be used. Semiconductor lasers can be used for such optical point sensors. Further, as an example of a flat panel detection sensor using a mechanical touch element, a graphic analog controller RJ-800 sold by Keyence Corporation can be obtained.
[0026]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a wire saw cutting method capable of accurately and easily cutting a wafer having a main surface having a specific crystal plane orientation from a single crystal ingot, and a facility for the method.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic side view illustrating an initial step in a wire saw cutting method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic side view illustrating a step following the step of FIG. 1 in the wire saw cutting method according to one embodiment of the present invention;
FIG. 3 is a schematic side view illustrating a step following the step of FIG. 2 in the wire saw cutting method according to one embodiment of the present invention;
FIG. 4 is a schematic perspective view showing an example of a conventional wire saw cutting facility.
FIG. 5 is a schematic top view illustrating a conventional wire saw cutting method.
FIG. 6 is a schematic side view illustrating a conventional wire saw cutting method.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 1 single crystal ingot, 1a reference cross section, 1A dummy cut surface, 1D dummy ingot, 2 carbon jig, 3 fixing jig, 11 rotary stage, 12 head roller, 13 wires, 14 tool scope, 16 dial gauge, 20 wire saw cutting Equipment side walls, 21 guide rails, 22 flat surface detection sensors, 22a, 22b point sensors.
Claims (7)
任意の第1のインゴットをステージ上に載置して前記ワイヤソーで第1の切断を行い、
平面の方位を特定し得る平面検知センサを前記第1インゴットの前記第1切断面に適用することによって、その第1切断面を含む第1切断平面を特定し、
前記第1インゴットに代えて第2のインゴットを前記ステージ上に載置し、
前記平面検知センサを前記第2インゴットの前記基準断面に適用して、その基準断面が前記第1切断平面に平行になるように前記ステージを調整し、
その後に前記ワイヤソーで前記第2インゴットを切断することを特徴とするワイヤソー切断方法。A method of cutting out a wafer having a main surface parallel to a reference cross-section formed at least at one end of a columnar single crystal ingot with a wire saw,
Place an arbitrary first ingot on a stage and perform a first cut with the wire saw,
By applying a plane detection sensor capable of specifying the orientation of a plane to the first cut surface of the first ingot, a first cut plane including the first cut surface is specified,
Placing a second ingot on the stage instead of the first ingot,
Applying the plane detection sensor to the reference section of the second ingot, adjusting the stage so that the reference section is parallel to the first cutting plane,
Thereafter, the second ingot is cut by the wire saw.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003057046A JP2004262179A (en) | 2003-03-04 | 2003-03-04 | Wire saw cutting method and equipment therefor |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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Family
ID=33120562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004262179A (en) |
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2003
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060307 |