【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は主として通信機器に用いられる高周波部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高周波フィルタと高周波スイッチなどの異なる高周波回路を一体に設計するといった高周波部品の複合化が進められる中、コンデンサやインダクタといった受動素子を多層基板内で形成し、ダイオードやＦＥＴといった能動素子を用いた能動素子部品を多層基板上に実装する構成が開発されている。
【０００３】
従来、このような高周波部品において高周波回路毎に有する接地用のコンデンサは、それぞれ多層基板の内部に形成した回路電極を多層基板の下面側にシールド効果を得るために設けられたグランド電極と対向させることで形成していた。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１７７４３４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、接地用のコンデンサを形成するといっても、異なる高周波回路を形成する回路電極が、それぞれが共通の電極（グランド電極）に接続されることで、この共通のグランド電極を介してそれぞれの高周波回路間に影響を及ぼしてしまい、複合化された高周波部品としての電気特性を劣化させていた。
【０００７】
そこで、本発明はこのような問題を解決し、高周波部品の電気特性の向上を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明の請求項１に記載の発明は、特に多層基板の内層部分で複数の回路電極からなる第１の回路電極群により形成される第１の高周波回路と、多層基板に実装される能動素子部品と多層基板の内層部分で複数の回路電極からなる第２の回路電極群により形成される第２の高周波回路とからなる高周波部品において、それぞれの高周波回路を形成する接地用のグランド電極を、多層基板における異なる誘電体層上に形成したことで、異なる高周波回路間におけるグランド電極を介しての干渉を抑制でき、結果として高周波部品の電気特性を向上できるのである。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、特に多層基板において、第１の回路電極群を第２の回路電極群より下層部分で形成したことで、多層基板内において異なる高周波回路を形成する第１、第２の回路電極群を多層基板内において上下方向に分離され、異なる高周波回路間の干渉を抑制でき、結果として高周波部品の電気特性を向上できるのである。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、特に多層基板において、第１のグランド電極を第１の回路電極群より下層側に形成し、第２のグランド電極を第２の回路電極群より上層側に形成したことで、多層基板に実装される能動素子部品と第２のグランド電極との距離が近接し、この間に生じるインダクタ成分を抑制でき、結果として高周波部品の電気特性を向上できるのである。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、特に多層基板において、第１の回路電極群と、第２の回路電極群との間にシールド電極を形成したことで、多層基板に実装される能動素子部品と第２のグランド電極との距離が近接し、この間に生じるインダクタ成分を抑制できるとともに、多層基板内において異なる高周波回路を形成する第１、第２の回路電極群を多層基板内において上下方向に分離され、異なる高周波回路間の干渉を抑制でき、結果として高周波部品の電気特性を向上できるのである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態について図を用いて説明する。
【００１３】
図１は、通信機器に用いられる高周波部品の一例で、携帯電話のアンテナ端に設けられて、アンテナ端子１を送信端子２或いは受信端子３へ切換接続する高周波スイッチ４と、その送信端子２側にローパスフィルタ５（以下、ＬＰＦと記す）を接続した高周波部品を示したものである。
【００１４】
そして、高周波スイッチ４は主として能動素子の一種である電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと記す）を用いて形成したもので、送信側はアンテナ端子１と送信ポート６間に接続したＦＥＴ７ａと、このＦＥＴ７ａの送信ポート６側にＦＥＴ７ｂを接続しコンデンサ８を介して接地し、各ＦＥＴ７ａ，７ｂのゲートに制御電圧の印加によりアンテナ端子１と送信ポート６間の導通をコントロールする。受信側も送信側と同様に２つのＦＥＴ９ａ，９ｂとコンデンサ１０により形成し、各ＦＥＴ９ａ，９ｂのゲートに制御電圧の印加によりアンテナ端子１と受信端子３間の導通をコントロールする。
【００１５】
ＬＰＦ５は送信端子２と送信ポート６間に設けられたインダクタ１１と、このインダクタ１１の両端部分をコンデンサ１２を介して接地した構成とし、送信端子２の前段に設けられるアンプ（特に図示せず）の高次高調波成分を抑制している。
【００１６】
そして、図２はこの高周波部品を具現化した構造を示したもので、基本的な構造は、複数の誘電体層１３ａからなる多層基板１３上に図１に示すＦＥＴ７ａ，７ｂ，９ａ，９ｂを一体化した能動素子部品１４を実装し、図１に示すコンデンサ８，１０，１２やインダクタ１１の受動部品を回路電極１５，１６として多層基板１３の内層部分に形成し、それらを適宜ビアホール１７などの接続電極で接続し所定の高周波回路を形成するものである。
【００１７】
そして、この高周波部品においては、高周波スイッチ４を形成する上で必要となる接地用のグランド電極１８と、ＬＰＦ５を形成する上で必要となる接地用のグランド電極１９とを個別に形成し異なる誘電体層１３ａ上に配置することで、互いのグランド電極１８，１９の独立性が高くなり高周波スイッチ４とＬＰＦ５という異なる高周波回路間におけるグランドを介しての干渉を抑制でき、結果として高周波部品の電気特性を向上できるのである。
【００１８】
また、多層基板１３において、ＬＰＦ５を形成する複数の回路電極１６で形成される回路電極群２０を高周波スイッチ４を形成する複数の回路電極１５で形成される回路電極群２１より下層部分で形成したことで、多層基板１３内において異なるＬＰＦ５を形成する回路電極群２０と高周波スイッチ４を形成する回路電極群２１を多層基板１３内において上下方向に分離され、より高周波スイッチ４とＬＰＦ５間の干渉を抑制できるのである。
【００１９】
さらに、ＬＰＦ５を形成するグランド電極１９を回路電極群２０より下層側に形成し、高周波スイッチ４を形成するグランド電極１８を回路電極群２１より上層側に形成することで、能動素子部品１４とこの能動素子部品１４が図１に示すコンデンサ８，１０を介して接続されるグランド電極１８との距離が近接し、この間に生じるインダクタ成分を抑制でき、高周波部品の電気特性を向上できるのである。
【００２０】
また、高周波スイッチ４を形成する回路電極群２１と、ＬＰＦ５を形成する回路電極群２０との間に別途シールド電極２２を形成することで、グランド電極１８，１９を多層基板１３の上下部分に配置しても高周波スイッチ４とＬＰＦ５との干渉を抑制することが出来るのである。
【００２１】
なお、この一実施形態においては高周波回路として高周波スイッチ４とＬＰＦ５を用いて説明したのであるが、本発明はこの実施形態に限られるものでなく受動素子と能動素子を組み合わせて形成できるものであれば同様の効果を奏するものである。
【００２２】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、特に多層基板の内層部分で複数の回路電極からなる第１の回路電極群により形成される第１の高周波回路と、多層基板に実装される能動素子部品と多層基板の内層部分で複数の回路電極からなる第２の回路電極群により形成される第２の高周波回路とからなる高周波部品において、それぞれの高周波回路を形成する接地用のグランド電極を、多層基板における異なる誘電体層上に形成したことで、異なる高周波回路間におけるグランド電極を介しての干渉を抑制でき、結果として高周波部品の電気特性を向上できるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における高周波部品を示す回路図
【図２】同高周波部品を模式的に示す断面図
【符号の説明】
１３ 多層基板
１３ａ 誘電体層
１４ 能動素子部品
１５，１６ 回路電極
１８，１９ グランド電極
２０，２１ 回路電極群
２２ シールド電極[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency component mainly used for a communication device.
[0002]
[Prior art]
In recent years, as high-frequency components have been combined to design different high-frequency circuits such as high-frequency filters and high-frequency switches integrally, passive elements such as capacitors and inductors are formed in multilayer substrates, and active elements such as diodes and FETs are used. A configuration has been developed in which active element components are mounted on a multilayer substrate.
[0003]
Conventionally, in such a high-frequency component, a grounding capacitor provided for each high-frequency circuit has a circuit electrode formed inside the multilayer substrate opposed to a ground electrode provided for obtaining a shielding effect on the lower surface side of the multilayer substrate. It was formed by that.
[0004]
As prior art document information related to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.
[0005]
[Patent Document 1]
JP 2001-177434 A
[Problems to be solved by the invention]
However, even though a capacitor for grounding is formed, circuit electrodes forming different high-frequency circuits are connected to a common electrode (ground electrode), so that each high-frequency circuit is connected to the common electrode (ground electrode). The influence between the circuits has been exerted, and the electrical characteristics of the composite high-frequency component have been degraded.
[0007]
Then, this invention aims at solving such a problem and improving the electrical characteristics of a high frequency component.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve this object, the invention according to claim 1 of the present invention is particularly directed to a first high-frequency circuit formed by a first circuit electrode group consisting of a plurality of circuit electrodes in an inner layer portion of a multilayer substrate; Each high-frequency circuit is formed by a high-frequency component including an active element component mounted on a substrate and a second high-frequency circuit formed by a second circuit electrode group including a plurality of circuit electrodes in an inner layer portion of the multilayer substrate. By forming the grounding ground electrodes on different dielectric layers of the multilayer substrate, interference between different high-frequency circuits via the ground electrodes can be suppressed, and as a result, the electrical characteristics of the high-frequency component can be improved.
[0009]
According to a second aspect of the present invention, in the multilayer substrate, the first and second circuit electrode groups are formed in lower layers than the second circuit electrode group, so that different high-frequency circuits are formed in the multilayer substrate. The two circuit electrode groups are separated vertically in the multilayer substrate, so that interference between different high-frequency circuits can be suppressed, and as a result, the electrical characteristics of the high-frequency component can be improved.
[0010]
According to a third aspect of the present invention, the first ground electrode is formed on the lower layer side of the first circuit electrode group, and the second ground electrode is formed on the upper layer side of the second circuit electrode group, particularly in the multilayer substrate. As a result, the distance between the active element component mounted on the multilayer substrate and the second ground electrode is short, and an inductor component generated therebetween can be suppressed. As a result, the electrical characteristics of the high-frequency component can be improved.
[0011]
According to a fourth aspect of the present invention, an active element component mounted on a multilayer substrate is formed by forming a shield electrode between a first circuit electrode group and a second circuit electrode group, particularly in a multilayer substrate. The distance from the second ground electrode is short, the inductor component generated therebetween can be suppressed, and the first and second circuit electrode groups forming different high-frequency circuits in the multilayer substrate are vertically separated in the multilayer substrate. Thus, interference between different high-frequency circuits can be suppressed, and as a result, the electrical characteristics of the high-frequency component can be improved.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0013]
FIG. 1 shows an example of a high-frequency component used in a communication device. The high-frequency switch 4 is provided at an antenna end of a mobile phone and switches an antenna terminal 1 to a transmission terminal 2 or a reception terminal 3. 1 shows a high-frequency component to which a low-pass filter 5 (hereinafter referred to as LPF) is connected.
[0014]
The high-frequency switch 4 is formed mainly by using a field-effect transistor (hereinafter referred to as an FET), which is a kind of active element. On the transmission side, an FET 7a connected between the antenna terminal 1 and the transmission port 6, and this FET 7a The FET 7b is connected to the transmission port 6 side of the transmission line 6 and grounded via the capacitor 8, and the conduction between the antenna terminal 1 and the transmission port 6 is controlled by applying a control voltage to the gates of the FETs 7a and 7b. The receiving side is also formed by two FETs 9a and 9b and a capacitor 10 similarly to the transmitting side, and the conduction between the antenna terminal 1 and the receiving terminal 3 is controlled by applying a control voltage to the gate of each FET 9a and 9b.
[0015]
The LPF 5 has a configuration in which an inductor 11 provided between the transmission terminal 2 and the transmission port 6 and both ends of the inductor 11 are grounded via the capacitor 12, and an amplifier (not shown in particular) provided before the transmission terminal 2 High-order harmonic components are suppressed.
[0016]
FIG. 2 shows a structure embodying this high-frequency component. The basic structure is such that the FETs 7a, 7b, 9a, 9b shown in FIG. 1 are formed on a multilayer substrate 13 composed of a plurality of dielectric layers 13a. The integrated active element parts 14 are mounted, and the passive parts of the capacitors 8, 10, 12 and the inductor 11 shown in FIG. 1 are formed on the inner layer part of the multilayer substrate 13 as the circuit electrodes 15, 16, and these are appropriately connected to the via holes 17, etc. To form a predetermined high-frequency circuit.
[0017]
In this high-frequency component, a grounding ground electrode 18 required for forming the high-frequency switch 4 and a grounding ground electrode 19 required for forming the LPF 5 are separately formed to form different dielectrics. By arranging them on the body layer 13a, the independence of the ground electrodes 18 and 19 from each other is enhanced, and interference between the high-frequency switch 4 and the LPF 5 via different grounds can be suppressed. The characteristics can be improved.
[0018]
In the multilayer substrate 13, the circuit electrode group 20 formed by the plurality of circuit electrodes 16 forming the LPF 5 is formed in a lower layer portion than the circuit electrode group 21 formed by the plurality of circuit electrodes 15 forming the high-frequency switch 4. As a result, the circuit electrode group 20 forming the different LPFs 5 and the circuit electrode group 21 forming the high-frequency switch 4 in the multilayer substrate 13 are separated in the vertical direction in the multilayer substrate 13 so that interference between the high-frequency switch 4 and the LPF 5 is reduced. It can be suppressed.
[0019]
Further, by forming the ground electrode 19 forming the LPF 5 below the circuit electrode group 20 and forming the ground electrode 18 forming the high-frequency switch 4 above the circuit electrode group 21, the active element component 14 and the The distance between the active element component 14 and the ground electrode 18 connected via the capacitors 8 and 10 shown in FIG. 1 is short, and it is possible to suppress an inductor component generated therebetween, thereby improving the electrical characteristics of the high-frequency component.
[0020]
Further, by separately forming the shield electrode 22 between the circuit electrode group 21 forming the high-frequency switch 4 and the circuit electrode group 20 forming the LPF 5, the ground electrodes 18 and 19 are arranged on the upper and lower portions of the multilayer substrate 13. Even so, interference between the high-frequency switch 4 and the LPF 5 can be suppressed.
[0021]
In this embodiment, the high-frequency switch 4 and the LPF 5 have been described as high-frequency circuits. However, the present invention is not limited to this embodiment, but may be any combination of passive elements and active elements. A similar effect can be achieved.
[0022]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a first high-frequency circuit formed by a first circuit electrode group including a plurality of circuit electrodes particularly in an inner layer portion of a multilayer substrate, and an active element component mounted on the multilayer substrate And a second high-frequency circuit formed by a second circuit electrode group formed of a plurality of circuit electrodes in the inner layer portion of the multilayer substrate. By forming them on different dielectric layers on the substrate, interference between different high-frequency circuits via the ground electrode can be suppressed, and as a result, the electrical characteristics of the high-frequency component can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a high-frequency component according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the high-frequency component.
DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 Multilayer board 13a Dielectric layer 14 Active element component 15, 16 Circuit electrode 18, 19 Ground electrode 20, 21 Circuit electrode group 22 Shield electrode
