JP2004289760A - Wiring board with built-in low-pass filter - Google Patents

Wiring board with built-in low-pass filter Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board with a built-in low-pass filter with which a double or triple higher harmonic wave of a passband of a surface acoustic wave (SAW) filter element can be attenuated over a wide band and a low-pass filter of a low loss can be realized by connecting the built-in low-pass filter to a transmission output side of the SAW filter element. <P>SOLUTION: The wiring board is provided with a substrate configured by laminating a plurality of dielectric layers 1-5, a cavity 6 for housing the SAW filter element formed on an upper surface of the substrate, and the low-pass filter built in the substrate, electrically connected to the transmission output side of the SAW filter element and composed of strip lines 12, 13, a ground electrode 7 and ground capacitive electrodes 10, 11. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フィルタを有する弾性表面波フィルタ素子を収納する多層配線基板であって、特に、弾性表面波フィルタ素子の通過帯域より高い周波数の電気信号を減衰するローパスフィルタを有するローパスフィルタ内蔵配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
携帯電話や移動体通信に用いられる電子機器等の小型化・高密度化・低価格化に対する要求が高まる中、フィルタを基板に内蔵することで部品点数を減少させ、小型化・高密度化を実現する配線基板がある。
【0003】
このような配線基板として、例えば特開平11−145771号公報には、誘電体層および導体層を積層して積層体を形成し、積層体の少なくとも一方主面に凹部を、また少なくとも側面に外部端子を設けるとともに、積層体の導体層で形成されるインダクタンス素子およびキャパシタンス素子によりLCフィルタを構成し、積層体の凹部に弾性表面波フィルタを配置し、凹部をキャップにより封止してなる複合フィルタであって、外部端子のうち2つが弾性表面波フィルタとLCフィルタとのそれぞれの入力端子となり、外部端子のうち2つが弾性表面波フィルタとLCフィルタとのそれぞれの出力端子となるとともに、弾性表面波フィルタとLCフィルタとが積層体内で接続されることなく電気的に独立している複合フィルタが開示されている。
【0004】
これによれば、弾性表面波フィルタとLCフィルタとが1つの積層体を介して一体化しているため、部品点数を低減でき、アッセンブリ工程も容易にできるとともに、ディスクリートのチップ部品の場合とほぼ同等の機能が得られ、従来のディスクリートのチップ部品である弾性表面波フィルタとほぼ同等の大きさで、弾性表面波フィルタおよびLCフィルタの2つの機能を備えた複合フィルタを得ることができ、さらに弾性表面波フィルタとLCフィルタとが、それぞれ独立した入力端子および出力端子を備えているため、弾性表面波フィルタとLCフィルタとの間に他の電子部品を挿入することが可能となり、複合フィルタを搭載する無線装置の設計の自由度を広げることができるというものである。
【0005】
例えば、弾性表面波フィルタとLCフィルタとを、ともに帯域通過フィルタとすることにより、一方のフィルタの後段に他方のフィルタを配置すれば、これらの通過帯域以外の周波数に対する減衰量を大きくすることができるため、比較的広帯域にわたって減衰量を大きくすることができる。
【0006】
また、LCフィルタの通過帯域が弾性表面波フィルタの通過帯域を含むものとした場合は、通過帯域の狭い弾性表面波フィルタの後段に弾性表面波フィルタよりも通過帯域の広いLCフィルタを配置すれば、高周波信号が弾性表面波フィルタを通過した後にLCフィルタを通過するため、弾性表面波フィルタの通過帯域以外の周波数に対する減衰量をさらに大きくすることができ、比較的広帯域にわたって減衰量をさらに大きくすることができる。
【0007】
また、弾性表面波フィルタの通過帯域とLCフィルタの通過帯域とが重ならないようにした場合は、異なる周波数を使用する場合に使用することができ、用途の自由度を広げることができる。
【0008】
また、複合フィルタを構成する弾性表面波フィルタおよびLCフィルタを無線装置の送信側無線信号部あるいは受信側無線信号部を構成するフィルタに用いるようにした場合は、無線装置を構成する部品の点数を減らすことができ、無線装置の小型化が可能となる。
【0009】
【特許文献1】
特開平11−145771号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平11−145771号公報に開示された複合フィルタでは、弾性表面波フィルタとLCフィルタとを積層体内部で接続することなく電気的に独立させ、それぞれ入力端子および出力端子を設けているため、これらフィルタを積層体内部に内蔵することで部品点数を減少させることができ、小型化することが可能であるが、弾性表面波フィルタとLCフィルタとを積層体内部にて接続した場合に比べ、入力端子および出力端子の端子数が増えるという問題点があった。
【0011】
また、弾性表面波フィルタおよびLCフィルタをいずれも帯域通過フィルタとした場合は、帯域通過フィルタの特性により通過帯域の近傍での減衰量は十分に得られやすいが、例えば無線装置の送信側に要求されるパワーアンプにより発生する通過帯域の2倍あるいは3倍の高調波を広帯域にわたって減衰させるという用途には不向きであるという問題点もあった。
【0012】
本発明は上記のような従来の技術の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、ローパスフィルタを積層体から成る基体の内部に構成し、弾性表面波フィルタ素子の送信出力側にこのローパスフィルタを接続することにより、外部との接続端子の数を減少させるとともに、ローパスフィルタにより弾性表面波フィルタ素子の通過帯域より高周波帯域の減衰量を大きくとれることにより、無線装置の送信側に要求されるパワーアンプにより発生する通過帯域の2倍あるいは3倍の高調波を広帯域にわたって減衰させることができるとともに、基体の内部に損失の少ないローパスフィルタを実現することができるローパスフィルタ内蔵配線基板を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板は、複数の誘電体層が積層されて成る基体と、この基体の上面に形成された弾性表面波フィルタ素子を収容するキャビティと、前記基板の内部に内蔵された、前記弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続されるローパスフィルタとを具備することを特徴とするものである。
【0014】
また、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板は、上記構成において、前記ローパスフィルタは、ストリップラインと、接地容量を形成する接地電極および接地容量電極とを有しており、前記接地電極および前記接地容量電極は前記キャビティの底面より下面側に配置されているとともに、前記ストリップラインは前記キャビティの下方部以外の部位に配置されていることを特徴とするものである。
【0015】
また、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板は、上記各構成において、前記基体の内部に内蔵された、前記弾性表面波フィルタ素子に電気的に接続される位相調整用ストリップラインを具備することを特徴とするものである。
【0016】
また、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板は、上記各構成において、前記ストリップラインを前記接地電極および前記接地容量電極よりも前記基体の上面側に配置したことを特徴とするものである。
【0017】
また、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板は、上記各構成において、前記ストリップラインと前記位相調整用ストリップラインとが、前記基体の前記キャビティを挟んで対向する部位にそれぞれ配置されていることを特徴とするものである。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板について図面を参照しつつ説明する。
【0019】
図1は本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板の実施の形態の一例を示す分解斜視図である。図1において、1は第1の誘電体層、2は第2の誘電体層、3は第3の誘電体層、4は第4の誘電体層、5は第5の誘電体層、6はキャビティ、7は第1の接地電極、8は第2の接地電極、9は位相調整用ストリップライン、10は第1の接地容量電極、11は第2の接地容量電極、12は第1のストリップライン、13は第2のストリップライン、14は第1の貫通導体、15は第2の貫通導体、16は第3の貫通導体、17は第4の貫通導体、18はキャビティに収容される弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続される送信側入力端子、19はキャビティに収容される弾性表面波フィルタ素子の受信入力側に電気的に接続される受信側出力端子である。
【0020】
図1に示す例においては、第1の誘電体層1の下面に形成された第1の接地電極7と、第1の誘電体層1および第2の誘電体層2の間に形成された第1の接地容量電極10との間に生じる接地容量をC1とし、第1の誘電体層1の下面に形成された第1の接地電極7と、第1の誘電体層1および第2の誘電体層2の間に形成された第2の接地容量電極11との間に生じる接地容量をC2とし、第3の誘電体層3および第4の誘電体層4の間に形成された第1のストリップライン12と、第4の誘電体層4および第5の誘電体層5の間に形成された第2のストリップライン13と、第1のストリップライン12の一方端と第2のストリップライン13の一方端とを第4の誘電体層4を貫通することにより接続する第1の貫通導体14とにより生じるインダクタンスをL1とし、第1のストリップライン12は他方端を第2の貫通導体15を介して第1の接地容量電極10と接続され、第2のストリップライン13の他方端は第3の貫通導体16を介して第2の接地容量電極11と接続されることにより、L1・C1・C2からなるπ型のローパスフィルタを構成している。
【0021】
また、第1の誘電体層1および第2の誘電体層2の間に、第1の誘電体層1の下面に形成された第1の接地電極7と、第2の誘電体層2および第3の誘電体層3の間に形成された第2の接地電極8とに挟まれた、位相調整用ストリップライン9にて移相器Sを形成している。そして、送信側入力端子18はローパスフィルタの入力側すなわちL1とC2との接続点に、また受信側出力端子19は位相調整用ストリップライン9に第4の貫通導体17を介してそれぞれ電気的に接続されている。
【0022】
このような図1に示す本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板の例によれば、その等価回路図は図2に示すようなものとなる。なお、図2において、破線で囲んだ部分が図1に示す本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板の例の等価回路に相当する部分である。
【0023】
そして、第1〜第5の誘電体層1〜5,第1の接地電極7,第1および第2の接地容量電極10・11によって容量C1・C2を調整し、また、第1および第2のストリップライン12・13によってインダクタンスL1を調整することにより、所望のローパス特性を有するローパスフィルタを内蔵した配線基板を得ることができる。
【0024】
また、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板によれば、弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続される送信側入力端子18に電気的に接続されたローパスフィルタを内蔵した配線基板としたことにより、ローパスフィルタ内蔵配線基板の入力端子および出力端子の数を1つずつにすることができ、ローパスフィルタ内蔵配線基板を他の基板に2次実装する場合に必要とされる端子数を少なくできるため、基体の大きさが端子の数に制限されることがなくなり、ローパスフィルタ内蔵配線基板の小型化が容易になるとともに、端子間の距離を離すことができるようになり端子間のアイソレーションも向上させることができる。また、端子1つ当りの端子面積を大きくすることができるため、実装信頼性を向上させることができる。
【0025】
また、ローパスフィルタを弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続することにより、ローパスフィルタの位相が変わる特性を利用することによって移相器の代わりとすることができるので、弾性表面波フィルタの位相が調整できるとともに、新たに移相器を設ける必要がなくなる。
【0026】
また、弾性表面波フィルタ素子の通過帯域より遮断周波数の高いローパスフィルタを弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続することにより、弾性表面波フィルタ素子の通過帯域より高周波域で広帯域に十分な減衰量をとれないという従来の複合フィルタにおける問題点を補い、高周波帯域で十分に高い減衰量を得ることができ、例えばパワーアンプの通過帯域の2倍あるいは3倍の高調波も効果的に減衰させることができる。また、上記のようなローパスフィルタを基体の内部に内蔵したことにより、部品点数の減少を図ることができる。
【0027】
また、ローパスフィルタの接地容量C1・C2を形成する接地電極7および接地容量電極10・11をキャビティ6の底面より基体の下面側に配置し、ローパスフィルタのインダクタンスL1を基体のキャビティ6の下方部以外のキャビティ6の周囲の部位に配置することにより、接地電極7および接地容量電極10・11とストリップライン12・13との距離を離すことができ、ストリップライン12・13の浮遊容量を減らすことができるとともに、接地電極7および接地容量電極10・11とインダクタンスL1との相互作用を減らすことができるため、低損失なローパスフィルタを構成することができる。また、ローパスフィルタにおいて比較的大きな面積を必要とする接地容量C1・C2を、ローパスフィルタ内蔵配線基板の内部で最も面積を広くとれるキャビティ6の底面より下面側に配置することにより、大きな容量を形成するために新たに誘電体層の層数を増やしたり、接地電極7と接地容量電極10・11との間の誘電体層1を極端に薄くする必要がなくなる。
【0028】
また、弾性表面波フィルタ素子の受信入力側に電気的に接続される、信号の位相を調整する移相器Sとして機能する位相調整用ストリップライン9を内蔵することにより、弾性表面波フィルタ素子の受信側の位相を適切に調整できるものとなり、より自由度が高い設計が可能となる。また、位相調整用ストリップライン9をキャビティ6の底面より基体の下面側に配置すると、十分な長さの位相調整用ストリップライン9を基体を不必要に大きくすることなく内蔵できるようになる。
【0029】
また、ストリップライン12・13を基体のキャビティ6の下方部以外の部位に配置し、接地電極7および接地容量電極10・11よりも基体の上面側に配置することにより、接地電極7および接地容量電極10・11との距離を離すことができるため、インダクタンスL1の浮遊容量をより減らすことができるとともに、接地電極7および接地容量電極10・11との距離をより離すことができてこれらとインダクタンスL1との相互作用を減らすことができるため、より低損失なローパスフィルタを構成することができる。
【0030】
図3は、図1に示す本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板の例におけるローパスフィルタの周波数特性を示す線図である。図3において、横軸は周波数(単位:GHz)を、縦軸は送信側の信号通過量S(2,1)(単位:dB)を表わし、実線の特性曲線は本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板に弾性表面波フィルタ素子を実装したときの周波数特性を、破線の特性曲線は弾性表面波フィルタ素子のみの周波数特性を示している。
【0031】
図3に示す結果より、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板によれば、内蔵されたローパスフィルタの高周波数における信号の減衰効果のため、弾性表面波フィルタ素子の通過帯域(1.85GHzから1.99GHz)の高周波側において弾性表面波フィルタ素子のみの周波数特性に比べ大きな減衰量が得られていることが分かる。
【0032】
なお、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板におけるローパスフィルタは、例えば誘電体層がセラミックスから成る場合であれば、焼成後に各誘電体層となる誘電体セラミックグリーンシートに所定の孔開け加工を施すとともに各電極のパターン形状および貫通導体となる貫通孔やグリーンシートの側面等に導体ペーストを塗布し、これらを積層して焼成することによって製作される。あるいは、誘電体層がフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂・ポリイミド樹脂のような樹脂から成る場合であれば、樹脂基板を用い、その表面に被着させた銅箔をエッチングして各電極パターンの形成を行ない、層間接続用ビア導体を形成して積層プレスすることによって製作される。
【0033】
また、第1〜第5の誘電体層1〜5を始めとする誘電体層には、アルミナセラミックス・ムライトセラミックス等のセラミックス材料やガラスセラミックス等の無機系材料、あるいは四フッ化エチレン樹脂(ポリテトラフルオロエチレン;PTFE)・四フッ化エチレン−エチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂;ETFE)・四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂;PFA)等のフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂・ポリイミド等の樹脂系材料等が用いられる。また、第1および第2の接地電極7・8、第1および第2の接地容量電極10・11、第1および第2のストリップライン12・13および位相調整用ストリップライン9、送信側入力端子18、受信側出力端子19には、高周波信号伝送用の金属材料の導体層、例えばCu層・Mo−Mnのメタライズ層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの・Wのメタライズ層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの・Cr−Cu合金層・Cr−Cu合金層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの・TaN層上にNi−Cr合金層およびAuメッキ層を被着させたもの・Ti層上にPt層およびAuメッキ層を被着させたもの・またはNi−Cr合金層上にPt層およびAuメッキ層を被着させたもの等が用いられ、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成方法やメッキ法等により形成される。その厚みや幅は、伝送される高周波信号の周波数や用途等に応じて設定される。
【0034】
次に、図4に本発明のローパスフィルタ内蔵多層基板の実施の形態の他の例を、図1と同様の分解斜視図で示す。図4において、1aは第1の誘電体層、2aは第2の誘電体層、3aは第3の誘電体層、4aは第4の誘電体層、5aは第5の誘電体層、6aはキャビティ、7aは第1の接地電極電極、8aは第2の接地電極電極、9aは位相調整用ストリップライン、10aは第1の接地容量電極、11aは第2の接地容量電極、12aは第1のストリップライン、13aは第2のストリップライン、14aは第1の貫通導体、15aは第2の貫通導体、16aは第3の貫通導体、17aは第4の貫通導体、18aはキャビティに収容される弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続される送信側入力端子、19aはキャビティに収容される弾性表面波フィルタ素子の受信入力側に電気的に接続される受信側出力端子、20aは容量電極である。
【0035】
図4に示す例においては、第1の誘電体層1aの下面に形成された第1の接地電極7aと、第1の誘電体層1aおよび第2の誘電体層2aの間に形成された第1の接地容量電極10aとの間に生じる接地容量をC1aとし、第1の誘電体層1aの下面に形成された第1の接地電極7aと、第1の誘電体層1aおよび第2の誘電体層2aの間に形成された第2の接地容量電極11aとの間に生じる接地容量をC2aとし、第2の誘電体層2aおよび第3の誘電体層3aの間に形成された容量電極20aと、第1の誘電体層1aおよび第2の誘電体層2aの間に形成された第1の接地容量電極10aとの間に生じる容量をC3aとし、第3の誘電体層3aおよび第4の誘電体層4aの間に形成された第1のストリップライン12aと、第4の誘電体層4aおよび第5の誘電体層5aの間に形成された第2のストリップライン13aと、第1のストリップライン12aの一方端と第2のストリップライン13aの一方端とを第4の誘電体層4aを貫通することにより接続する第1の貫通導体14aとにより生じるインダクタンスをL1aとし、第1のストリップライン12aは他方端を第2の貫通導体15aを介して第1の接地容量電極10aと接続され、第2のストリップライン13aの他方端は第3の貫通導体16aを介して第2の接地容量電極11aおよび接地容量電極20aと接続されることにより、L1a・C1a・C2a・C3aからなるπ型のローパスフィルタを構成している。
【0036】
また、第1の誘電体層1aおよび第2の誘電体層2aの間に、第1の誘電体層1aの下面に形成された第1の接地電極7aと、第2の誘電体層2aおよび第3の誘電体層3aの間に形成された第2の接地電極8aとに挟まれた位相調整用ストリップライン9aにて移相器Saを形成している。そして、送信側入力端子18aはローパスフィルタの入力側すなわちL1aとC2aとC3aとの接続点に、また受信側出力端子19aは位相調整用ストリップライン9aに第4の貫通導体17aを介してそれぞれ電気的に接続されている。
【0037】
この図4に示す例は、図1に示す例に比べて新たに容量C3aを設けることにより、インダクタンスL1aおよび容量C3aによる並列共振回路を形成し、この並列共振回路の特定の周波数においてより大きな減衰量を得ようというものである。
【0038】
このような図4に示す本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板の例によれば、その等価回路図は図5に示すようなものとなる。なお、図5において、破線で囲んだ部分が図4に示す本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板の例の等価回路に相当する部分である。
【0039】
そして、第1〜第5の誘電体層1a〜5a,第1の接地電極7a,第1および第2の接地容量電極10a・11aならびに第1の容量電極20aによって容量C1a〜C3aを調整し、また、第1および第2のストリップライン12a・13aによってインダクタンスL1aを調整することにより、所望のローパス特性を有するローパスフィルタを内蔵した配線基板を得ることができる。
【0040】
なお、第1および第2のストリップライン12a・13aで形成されるインダクタンスL1aと、第1の接地容量電極10aおよび第1の容量電極20aで形成される容量C3aとは並列共振回路を形成しており、この並列共振回路の共振周波数を通過帯域の2倍あるいは3倍の周波数に該当させることにより、通過帯域の2倍あるいは3倍の高調波の除去を行なうことが可能となる。
【0041】
図6は、図4に示す本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板の例におけるローパスフィルタの周波数特性を示す、図3と同様の線図である。図6において、横軸は周波数(単位:GHz)を、縦軸は送信側の信号通過量S(2,1)(単位:dB)を表わし、破線の特性曲線が弾性表面波フィルタ素子のみの特性を、また実線の特性曲線が弾性表面波フィルタ素子を実装してローパスフィルタを電気的に接続したときの特性を示している。
【0042】
図6に示す結果より、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板によれば、内蔵されたローパスフィルタの高周波数における信号の減衰効果ならびに並列共振回路の共振周波数における減衰効果のため、通過帯域(1.85GHzから1.99GHz)の2倍の周波数(3.7GHzから3.95GHz)において大きな減衰量が得られていることが分かる。
【0043】
次に、図7に本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板の実施の形態のさらに他の例を、図1と同様の分解斜視図で示す。図7において、1bは第1の誘電体層、2bは第2の誘電体層、3bは第3の誘電体層、4bは第4の誘電体層、5bは第5の誘電体層、6bはキャビティ、7bは第1の接地電極、8bは第2の接地電極、9bは位相調整用ストリップライン、10bは第1の接地容量電極、11bは第2の接地容量電極、12bは第1のストリップライン、13bは第2のストリップライン、14bは第1の貫通導体、15bは第2の貫通導体、16bは第3の貫通導体、18bはキャビティに収容される弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続される送信側入力端子、19bはキャビティに収容される弾性表面波フィルタ素子の受信入力側に電気的に接続される受信側出力端子、20bは容量電極である。
【0044】
図7に示す例においては、第1の誘電体層1bの下面に形成された第1の接地電極7bと、第1の誘電体層1bおよび第2の誘電体層2bの間に形成された第1の接地容量電極10bとの間に生じる接地容量をC1bとし、第1の誘電体層1bの下面に形成された第1の接地電極7bと、第1の誘電体層1bおよび第2の誘電体層2bの間に形成された第2の接地容量電極11bとの間に生じる接地容量をC2bとし、第2の誘電体層2bおよび第3の誘電体層3bの間に形成された容量電極20bと、第1の誘電体層1bおよび第2の誘電体層2bの間に形成された第1の接地容量電極10bとの間に生じる容量をC3bとし、第3の誘電体層3bおよび第4の誘電体層4bの間に形成された第1のストリップライン12bと、第4の誘電体層4bおよび第5の誘電体層5bの間に形成された第2のストリップライン13bと、第1のストリップライン12bの一方端と第2のストリップライン13bの一方端とを第4の誘電体層4bを貫通することにより接続する第1の貫通導体14bとにより生じるインダクタンスをL1bとし、第1のストリップライン12bは他方端を第2の貫通導体15bを介して第1の接地容量電極10bと接続され、第2のストリップライン13bの他方端は第3の貫通導体16bを介して第2の接地容量電極11bおよび容量電極20bと接続されることにより、L1b・C1b・C2b・C3bからなるπ型のローパスフィルタを構成している。
【0045】
また、第2の誘電体層2bおよび第3の誘電体層3bの間に、第1の誘電体層1bの下面に形成された第1の接地電極7bと、第4の誘電体層4bおよび第5の誘電体層5bの間に形成された第2の接地電極8bとに挟まれた位相調整用ストリップライン9bにて移相器Sbを形成している。そして、送信側入力端子18bはローパスフィルタの入力側すなわちL1bとC2bとC3bとの接続点に、また受信側出力端子19bは位相調整用ストリップライン9bに電気的に接続されている。
【0046】
この図7に示す例は、図4に示す例に比べてローパスフィルタを構成する第1のストリップライン12bおよび第2のストリップライン13bと、位相調整用ストリップライン9bとをキャビティ6bを挟んで対向する部位にそれぞれ配置することにより、ローパスフィルタと位相調整用ストリップライン9bとの間のアイソレーションを向上させ、同じ基体内にローパスフィルタと位相調整用ストリップライン9bとを内蔵してもそれぞれに特性の良いものが得られるというものである。
【0047】
このような図7に示す本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板の例によれば、その等価回路図は図8に示すようなものとなる。なお、図8において、破線で囲んだ部分が図7に示す本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板の例の等価回路に相当する部分である。
【0048】
そして、第1〜第5の誘電体層1b〜5b,第1の接地電極7b,第1および第2の接地容量電極10b・11bならびに第1の容量電極17bによって容量C1b〜C3bを調整し、また、第1および第2のストリップライン12b・13bによってインダクタンスL1bを調整することにより、所望のローパス特性を有するローパスフィルタを内蔵した配線基板を得ることができる。
【0049】
なお、第1および第2のストリップライン12b・13bで形成されるインダクタンスL1bと、第1の接地容量電極10bおよび第1の容量電極20bで形成される容量C3bとは並列共振回路を形成しており、この並列共振回路の共振周波数を通過帯域の2倍あるいは3倍の周波数に該当させることにより、通過帯域の2倍あるいは3倍の高調波の除去を行なうことが可能となる。
【0050】
図9は、図7に示す本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板の例におけるローパスフィルタの周波数特性を示す、図3と同様の線図である。図9において、横軸は周波数(単位:GHz)を、縦軸は送信側の信号通過量S(2,1)(単位:dB)を表わし、破線の特性曲線が弾性表面波フィルタ素子のみの特性を、また実線の特性曲線が弾性表面波フィルタ素子を実装してローパスフィルタを電気的に接続したときの特性を示している。
【0051】
図9に示す結果より、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板によれば、内蔵されたローパスフィルタの高周波数における信号の減衰効果ならびに並列共振回路の共振周波数における減衰効果のため、通過帯域(1.85GHzから1.99GHz)の2倍の周波数(3.7GHzから3.95GHz)において大きな減衰量が得られているとともに、ローパスフィルタストリップラインと位相調整用ストリップラインのアイソレーションが十分に確保できていることが分かる。
【0052】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例えば、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板によれば、第1〜第5の誘電体層1〜5および1a〜5a、1b〜5bの厚みを薄くしたり、これらに高誘電率材料を用いたり、第3および第4の誘電体層3・4および3a・4a、3b・4bに磁性体を混ぜたりすることにより、さらなる特性の改善や小型化が可能となる。
【0053】
また、第5の誘電体層5・5a・5bの上面にシールド電極を設けたり、第1〜第4の貫通導体14〜17および14a〜17a、14b〜17bの代わりに、誘電体層の側面に各電極の接続用導体を形成して各電極間を電気的に接続してもよい。
【0054】
また、搭載される弾性表面波フィルタ素子は送信側だけのもののみだけでなく、受信側の弾性表面波フィルタ素子を同じキャビティ6・6a・6bの内部に搭載したり、送信側と受信側が一体化された弾性表面波フィルタ素子を搭載してもよい。
【0055】
【発明の効果】
本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板によれば、複数の誘電体層が積層されて成る基体と、この基体の上面に形成された弾性表面波フィルタ素子を収容するキャビティと、基体の内部に内蔵された、弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続されるローパスフィルタとを具備して成ることから、外部との接続端子の数を減少させることができるとともに、ローパスフィルタにより弾性表面波フィルタ素子の通過帯域より高周波帯域の減衰量を大きくとれることにより、無線装置の送信側に要求されるパワーアンプにより発生する通過帯域の2倍あるいは3倍の高調波を広帯域にわたって減衰させることができ、基体の内部に損失の少ないローパスフィルタを実現することができる。
【0056】
例えば、順次積層された第1〜第5の誘電体層と、第1の誘電体層の下面に形成された第1の接地電極と、第3および第4の誘電体層の上面に形成された第1および第2のストリップラインと、第1の誘電体層および第2の誘電体層2の間に形成された第1および第2の接地容量電極とを具備したものとし、第1および第2のストリップラインの一方端同士を接続して第1のストリップラインの他方端を第1の接地容量電極と電気的に接続し、第2のストリップラインの他方端を第2の接地容量電極と電気的に接続するとともに弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続されるローパスフィルタ内蔵基板とすることにより、第1〜第5の誘電体層,第1の接地電極ならびに第1および第2の接地容量電極によって接地容量を調整し、また第1および第2のストリップラインによってインダクタンスを調整することにより、所望のローパス特性を有するπ型のローパスフィルタを内蔵した配線基板を得ることができる。
【0057】
また、ローパスフィルタ内蔵配線基板の入力端子および出力端子の数を1つずつにすることができ、このローパスフィルタ内蔵配線基板を他の基板に2次実装する場合に必要とされる端子数を少なくできるため、基体の大きさが端子の数に制限されることがなくなり、ローパスフィルタ内蔵配線基板の小型化が容易になるとともに、端子間の距離を離すことができるようになり端子間のアイソレーションも向上させることができる。また、端子1つ当りの端子面積を大きくすることができるため、実装信頼性を向上させることができる。
【0058】
また、ローパスフィルタを弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続することにより、ローパスフィルタの位相が変わる特性を利用することにより、移相器の代わりとすることができるので、弾性表面波フィルタの位相が調整できるとともに、新たに移相器を設ける必要がなくなる。
【0059】
また、弾性表面波フィルタ素子の通過帯域より遮断周波数の高いローパスフィルタを弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続することにより、弾性表面波フィルタ素子の通過帯域より高周波域で広帯域に十分な減衰量をとれないという従来の複合フィルタにおける問題点を補い、高周波帯域で十分に高い減衰量を得ることができ、例えばパワーアンプの通過帯域の2倍あるいは3倍の高調波も効果的に減衰させることができる。また、上記のようなローパスフィルタを基体の内部に内蔵したことにより、部品点数の減少を図ることができる。
【0060】
また、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板によれば、ローパスフィルタを、ストリップラインと、接地容量を形成する接地電極および接地容量電極とを有しており、接地電極および接地容量電極はキャビティの底面より下面側に配置されているとともに、ストリップラインはキャビティの下方部以外の部位に配置されているものとした場合は、接地電極および接地容量電極とストリップラインとの距離を離すことができ、ストリップラインの浮遊容量を減らすことができるとともに、接地電極および接地容量電極とストリップラインによるインダクタンスとの相互作用を減らすことができるため、低損失なローパスフィルタを構成することができる。また、ローパスフィルタにおいて比較的大きな面積を必要とする接地容量をキャビティの底面より下面側に配置することにより、ローパスフィルタ内蔵配線基板の内部で最も面積を広くとれる部分に配置することとなるので、大きな接地容量を形成するために新たに誘電体層の層数を増やしたり、接地電極と接地容量電極との間の誘電体層を極端に薄くしたりする必要がなくなる。
【0061】
また、弾性表面波フィルタ素子の受信入力側に電気的に接続される、信号の位相を調整する移相器として機能する位相調整用ストリップラインを内蔵することにより、弾性表面波フィルタ素子の受信側の位相のみならず、弾性表面波フィルタ素子の受信側の位相を適切に調整できるものとなり、より自由度が高い設計が可能となる。また、この位相調整用ストリップラインをキャビティの底面より基体の下面側に配置すると、比較的に長い位相調整用ストリップラインを基体を不必要に大きくすることなく内蔵できるようになる。
【0062】
また、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板によれば、ストリップラインを接地電極および接地容量電極よりも基体の上面側に配置したものとした場合は、ストリップラインによるインダクタンスの浮遊容量をより減らすことができるとともに、ストリップラインと接地電極および接地容量電極との距離をより離すことができて接地電極および接地容量電極とインダクタンスとの相互作用を減らすことができるため、より低損失なローパスフィルタを構成することができる。
【0063】
また、本発明のローパスフィルタ内蔵配線基板によれば、ストリップラインと位相調整用ストリップラインとを基体のキャビティを挟んで対向する部位にそれぞれ配置したものとした場合は、ストリップラインと位相調整用ストリップラインとの距離を十分に離すことができ、ローパスフィルタと移相器との間のアイソレーションを向上させることができるため、より低損失なローパスフィルタを構成することができる。
【0064】
以上により、本発明によれば、ローパスフィルタを積層体から成る基体の内部に構成し、弾性表面波フィルタの送信出力側にこのローパスフィルタを接続することにより、外部との接続端子の数を減少させるとともに、ローパスフィルタにより弾性表面波フィルタの通過帯域より高周波帯域の減衰量を大きくとれることにより、無線装置の送信側に要求されるパワーアンプにより発生する通過帯域の2倍あるいは3倍の高調波を広帯域にわたって減衰させることができるとともに、基体の内部に損失の少ないローパスフィルタを実現することができるローパスフィルタ内蔵配線基板を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のローパスフィルタ内蔵多層基板の実施の形態の一例を示す分解斜視図である。
【図2】図1に示すローパスフィルタ内蔵多層基板の例の等価回路図である。
【図3】図1に示すローパスフィルタ内蔵多層基板の例におけるローパスフィルタの周波数特性を示す線図である。
【図4】本発明のローパスフィルタ内蔵多層基板の実施の形態の他の例を示す分解斜視図である。
【図5】図4に示すローパスフィルタ内蔵多層基板の例の等価回路図である。
【図6】図4に示すローパスフィルタ内蔵多層基板の例におけるローパスフィルタの周波数特性を示す線図である。
【図7】本発明のローパスフィルタ内蔵多層基板の実施の形態のさらに他の例を示す分解斜視図である。
【図8】図7に示すローパスフィルタ内蔵多層基板の例の等価回路図である。
【図9】図7に示すローパスフィルタ内蔵多層基板の例におけるローパスフィルタの周波数特性を示す線図である。
【符号の説明】
1、1a、1b・・・・・第1の誘電体層
2、2a、2b・・・・・第2の誘電体層
3、3a、3b・・・・・第3の誘電体層
4、4a、4b・・・・・第4の誘電体層
5、5a、5b・・・・・第5の誘電体層
6、6a、6b・・・・・キャビティ
7、7a、7b・・・・・第1の接地電極
8、8a、8b・・・・・第2の接地電極
9、9a、9b・・・・・位相調整用ストリップライン
10、10a、10b・・・・・第1の接地容量電極
11、11a、11b・・・・・第2の接地容量電極
12、12a、12b・・・・・第1のストリップライン
13、13a、13b・・・・・第2のストリップライン
14、14a、14b・・・・・第1の貫通導体
15、15a、15b・・・・・第2の貫通導体
16、16a、16b・・・・・第3の貫通導体
17、17a・・・・・第4の貫通導体
18、18a、18b・・・・・弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続される送信側入力端子
19、19a、19b・・・・・弾性表面波フィルタ素子受信入力側に電気的に接続される受信側出力端子
20a、20b・・・・・容量電極
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a multilayer wiring board containing a surface acoustic wave filter element having a filter, and in particular, a wiring board with a built-in low-pass filter having a low-pass filter for attenuating an electric signal having a frequency higher than a pass band of the surface acoustic wave filter element. It is about.
[0002]
[Prior art]
As the demand for miniaturization, higher density, and lower cost of electronic devices used for mobile phones and mobile communications has increased, the number of components has been reduced by incorporating filters into the board, and the size and density have been reduced. There is a wiring board to be realized.
[0003]
As such a wiring board, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 11-147571 discloses a laminate formed by laminating a dielectric layer and a conductor layer, forming a concave portion on at least one main surface of the laminate, and forming an external portion on at least a side surface. A composite filter in which terminals are provided, an LC filter is constituted by an inductance element and a capacitance element formed by a conductor layer of the laminate, a surface acoustic wave filter is disposed in a concave portion of the laminate, and the concave portion is sealed by a cap. Wherein two of the external terminals serve as input terminals of the surface acoustic wave filter and the LC filter, and two of the external terminals serve as output terminals of the surface acoustic wave filter and the LC filter, respectively. A composite filter is disclosed in which the wave filter and the LC filter are electrically independent without being connected in the laminate. There.
[0004]
According to this, since the surface acoustic wave filter and the LC filter are integrated via one laminated body, the number of parts can be reduced, the assembly process can be facilitated, and almost the same as the case of discrete chip parts And a composite filter having two functions of a surface acoustic wave filter and an LC filter, having a size substantially equal to that of a conventional surface acoustic wave filter which is a discrete chip component. Since the surface acoustic wave filter and the LC filter have independent input and output terminals, other electronic components can be inserted between the surface acoustic wave filter and the LC filter, and the composite filter is mounted. That is, the degree of freedom in designing a wireless device can be expanded.
[0005]
For example, if both the surface acoustic wave filter and the LC filter are band-pass filters, and the other filter is disposed after one of the filters, the amount of attenuation for frequencies other than these pass-bands can be increased. Therefore, the attenuation can be increased over a relatively wide band.
[0006]
When the pass band of the LC filter includes the pass band of the surface acoustic wave filter, an LC filter having a pass band wider than that of the surface acoustic wave filter may be disposed after the surface acoustic wave filter having a narrow pass band. Since the high-frequency signal passes through the surface acoustic wave filter and then passes through the LC filter, the attenuation of frequencies other than the pass band of the surface acoustic wave filter can be further increased, and the attenuation can be further increased over a relatively wide band. be able to.
[0007]
In addition, when the pass band of the surface acoustic wave filter and the pass band of the LC filter are not overlapped, the pass band can be used when different frequencies are used, and the degree of freedom of use can be expanded.
[0008]
Further, when the surface acoustic wave filter and the LC filter constituting the composite filter are used for the filter constituting the transmission side radio signal section or the reception side radio signal section of the radio apparatus, the number of parts constituting the radio apparatus is reduced. The size of the wireless device can be reduced.
[0009]
[Patent Document 1]
JP-A-11-145577
[Problems to be solved by the invention]
However, in the composite filter disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-1475771, the surface acoustic wave filter and the LC filter are electrically independent without being connected inside the laminate, and the input terminal and the output terminal are provided. Therefore, by incorporating these filters inside the laminate, the number of components can be reduced and the size can be reduced. However, when the surface acoustic wave filter and the LC filter are connected inside the laminate, In comparison, there is a problem that the number of input terminals and output terminals increases.
[0011]
Further, when both the surface acoustic wave filter and the LC filter are band-pass filters, a sufficient amount of attenuation near the pass band can be easily obtained due to the characteristics of the band-pass filter. There is also a problem that it is not suitable for use in attenuating harmonics twice or three times the pass band generated by a power amplifier over a wide band.
[0012]
The present invention has been devised in view of the above-described problems of the related art, and has as its object to form a low-pass filter inside a base body made of a laminated body, and to reduce the transmission output of a surface acoustic wave filter element. By connecting this low-pass filter to the side, the number of connection terminals with the outside can be reduced, and the low-pass filter can attenuate the high-frequency band higher than the pass band of the surface acoustic wave filter element, so that the transmission of the wireless device can be reduced. Wiring with built-in low-pass filter that can attenuate harmonics twice or three times the pass band generated by the power amplifier required on the side over a wide band, and realize a low-pass filter with low loss inside the substrate. It is to provide a substrate.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
A wiring board with a built-in low-pass filter according to the present invention includes a base formed by laminating a plurality of dielectric layers, a cavity formed on an upper surface of the base for accommodating a surface acoustic wave filter element, and a wiring board built in the substrate. And a low-pass filter electrically connected to the transmission output side of the surface acoustic wave filter element.
[0014]
In the wiring board with a built-in low-pass filter according to the present invention, the low-pass filter has a strip line, a ground electrode and a ground capacitance electrode forming a ground capacitance, and the ground electrode and the ground capacitance. The electrode is arranged on the lower surface side from the bottom surface of the cavity, and the strip line is arranged at a part other than the lower part of the cavity.
[0015]
Further, the wiring board with a built-in low-pass filter according to the present invention, in each of the above-mentioned configurations, includes a strip line for phase adjustment, which is built in the base and electrically connected to the surface acoustic wave filter element. It is assumed that.
[0016]
Further, in the wiring board with a built-in low-pass filter according to the present invention, in each of the above-described configurations, the strip line is arranged on the upper surface side of the base with respect to the ground electrode and the ground capacitance electrode.
[0017]
Further, in the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention, in each of the above-described configurations, the strip line and the phase adjusting strip line are respectively arranged at portions of the base opposed to each other across the cavity. It is assumed that.
[0018]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0019]
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of an embodiment of a wiring board with a built-in low-pass filter according to the present invention. In FIG. 1, 1 is a first dielectric layer, 2 is a second dielectric layer, 3 is a third dielectric layer, 4 is a fourth dielectric layer, 5 is a fifth dielectric layer, 6 Is a cavity, 7 is a first ground electrode, 8 is a second ground electrode, 9 is a strip line for phase adjustment, 10 is a first ground capacitance electrode, 11 is a second ground capacitance electrode, and 12 is a first ground capacitance electrode. Strip line, 13 is a second strip line, 14 is a first through conductor, 15 is a second through conductor, 16 is a third through conductor, 17 is a fourth through conductor, and 18 is housed in the cavity. A transmission input terminal electrically connected to the transmission output side of the surface acoustic wave filter element, and a reception output terminal 19 electrically connected to the reception input side of the surface acoustic wave filter element housed in the cavity. .
[0020]
In the example shown in FIG. 1, the first ground electrode 7 formed on the lower surface of the first dielectric layer 1 and the first dielectric layer 1 and the second dielectric layer 2 are formed between the first dielectric layer 1 and the second dielectric layer 2. Let C1 be the ground capacitance generated between the first ground capacitance electrode 10 and the first ground electrode 7 formed on the lower surface of the first dielectric layer 1, and the first dielectric layer 1 and the second A ground capacitance generated between the second ground capacitance electrode 11 formed between the dielectric layers 2 is defined as C2, and a ground capacitance formed between the third dielectric layer 3 and the fourth dielectric layer 4 is defined as C2. 1 strip line 12, a second strip line 13 formed between the fourth dielectric layer 4 and the fifth dielectric layer 5, one end of the first strip line 12, and a second strip. The first through conductor 14 connects one end of the line 13 to the other end by penetrating the fourth dielectric layer 4. The first strip line 12 has the other end connected to the first ground capacitance electrode 10 via the second through conductor 15, and the other end of the second strip line 13 connected to the third By being connected to the second ground capacitance electrode 11 via the conductor 16, a π-type low-pass filter composed of L1, C1, and C2 is configured.
[0021]
Further, a first ground electrode 7 formed on the lower surface of the first dielectric layer 1 between the first dielectric layer 1 and the second dielectric layer 2, and the second dielectric layer 2 A phase shifter S is formed by a phase adjusting strip line 9 sandwiched between a second ground electrode 8 formed between the third dielectric layers 3. The transmission-side input terminal 18 is electrically connected to the input side of the low-pass filter, that is, the connection point between L1 and C2, and the reception-side output terminal 19 is electrically connected to the phase adjustment strip line 9 via the fourth through conductor 17. It is connected.
[0022]
According to such an example of the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention shown in FIG. 1, the equivalent circuit diagram is as shown in FIG. In FIG. 2, a portion surrounded by a broken line is a portion corresponding to the equivalent circuit of the example of the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention shown in FIG.
[0023]
The capacitances C1 and C2 are adjusted by the first to fifth dielectric layers 1 to 5 and the first ground electrode 7, the first and second ground capacitance electrodes 10 and 11, and the first and second By adjusting the inductance L1 by the strip lines 12 and 13, a wiring board having a built-in low-pass filter having desired low-pass characteristics can be obtained.
[0024]
Further, according to the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention, a wiring board having a built-in low-pass filter electrically connected to the transmission-side input terminal 18 electrically connected to the transmission output side of the surface acoustic wave filter element. As a result, the number of input terminals and output terminals of the wiring board with a built-in low-pass filter can be reduced to one, and the number of terminals required when the wiring board with a built-in low-pass filter is secondarily mounted on another board is reduced. Since the size of the base can be reduced, the size of the base is not limited by the number of terminals, the size of the wiring board with a built-in low-pass filter can be easily reduced, and the distance between the terminals can be increased. The ratio can also be improved. Further, since the terminal area per terminal can be increased, mounting reliability can be improved.
[0025]
Also, by electrically connecting the low-pass filter to the transmission output side of the surface acoustic wave filter element, it is possible to use the characteristic of changing the phase of the low-pass filter to substitute for the phase shifter. The phase of the filter can be adjusted, and it is not necessary to provide a new phase shifter.
[0026]
Also, by electrically connecting a low-pass filter having a higher cut-off frequency than the pass band of the surface acoustic wave filter element to the transmission output side of the surface acoustic wave filter element, the band can be broadened in a higher frequency band than the pass band of the surface acoustic wave filter element. It compensates for the problem of the conventional composite filter, which cannot take a sufficient amount of attenuation, and can obtain a sufficiently high amount of attenuation in a high frequency band. For example, harmonics twice or three times the pass band of a power amplifier are also effective. Can be attenuated. In addition, since the low-pass filter as described above is built in the base, the number of components can be reduced.
[0027]
Also, the ground electrode 7 and the ground capacitance electrodes 10 and 11 forming the ground capacitances C1 and C2 of the low-pass filter are arranged on the lower surface side of the base from the bottom surface of the cavity 6, and the inductance L1 of the low-pass filter is located below the cavity 6 of the base. By arranging them around the cavity 6 other than the above, the distance between the ground electrodes 7 and the ground capacitance electrodes 10 and 11 and the strip lines 12 and 13 can be increased, and the stray capacitance of the strip lines 12 and 13 can be reduced. And the interaction between the ground electrode 7 and the ground capacitance electrodes 10 and 11 and the inductance L1 can be reduced, so that a low-loss low-pass filter can be configured. In addition, a large capacitance is formed by disposing the ground capacitors C1 and C2, which require a relatively large area in the low-pass filter, on the lower surface side of the bottom surface of the cavity 6 having the largest area inside the wiring board with a built-in low-pass filter. Therefore, it is not necessary to newly increase the number of dielectric layers or to make the dielectric layer 1 between the ground electrode 7 and the ground capacitance electrodes 10 and 11 extremely thin.
[0028]
Further, by incorporating a phase adjusting strip line 9 which is electrically connected to the reception input side of the surface acoustic wave filter element and functions as a phase shifter S for adjusting the phase of the signal, the surface acoustic wave filter element The phase on the receiving side can be appropriately adjusted, and a design with a higher degree of freedom can be achieved. In addition, when the phase adjusting strip line 9 is disposed on the lower surface side of the base from the bottom surface of the cavity 6, the phase adjusting strip line 9 having a sufficient length can be incorporated without making the base unnecessarily large.
[0029]
In addition, by disposing the strip lines 12 and 13 at positions other than the lower part of the cavity 6 of the base and by disposing them on the upper surface side of the base with respect to the ground electrode 7 and the ground capacitance electrodes 10 and 11, the ground electrode 7 and the ground capacitance Since the distance from the electrodes 10 and 11 can be increased, the stray capacitance of the inductance L1 can be further reduced, and the distance between the ground electrode 7 and the ground capacitance electrodes 10 and 11 can be further increased. Since the interaction with L1 can be reduced, a low-loss low-pass filter can be configured.
[0030]
FIG. 3 is a diagram showing frequency characteristics of the low-pass filter in the example of the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention shown in FIG. In FIG. 3, the horizontal axis represents frequency (unit: GHz), the vertical axis represents signal transmission amount S (2, 1) (unit: dB) on the transmission side, and the solid characteristic curve represents the wiring with built-in low-pass filter of the present invention. The frequency characteristic when the surface acoustic wave filter element is mounted on the substrate, and the characteristic curve indicated by the broken line indicates the frequency characteristic of only the surface acoustic wave filter element.
[0031]
From the results shown in FIG. 3, according to the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention, the pass band of the surface acoustic wave filter element (1.85 GHz to 1.85 GHz) is obtained due to the signal attenuation effect of the built-in low-pass filter at high frequencies. It can be seen that a large amount of attenuation is obtained on the high frequency side (99 GHz) as compared with the frequency characteristic of only the surface acoustic wave filter element.
[0032]
The low-pass filter in the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention, for example, when the dielectric layer is made of ceramics, performs a predetermined perforation process on a dielectric ceramic green sheet to be each dielectric layer after firing. It is manufactured by applying a conductive paste to the pattern shape of each electrode, a through hole serving as a through conductor, a side surface of a green sheet, and the like, laminating these, and firing. Alternatively, if the dielectric layer is made of a resin such as a fluororesin or a glass epoxy resin / polyimide resin, a resin substrate is used, and the copper foil adhered to the surface is etched to form each electrode pattern. It is manufactured by forming a via conductor for interlayer connection and performing lamination pressing.
[0033]
The dielectric layers including the first to fifth dielectric layers 1 to 5 are made of ceramic materials such as alumina ceramics and mullite ceramics, inorganic materials such as glass ceramics, or ethylene tetrafluoride resin (polyethylene). Tetrafluoroethylene; PTFE) / ethylene tetrafluoroethylene-ethylene copolymer resin (tetrafluoroethylene-ethylene copolymer resin; ETFE) / ethylene tetrafluoride-perfluoroalkoxyethylene copolymer resin (tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether) Fluororesins such as copolymer resins (PFA) and resin materials such as glass epoxy resins and polyimides are used. In addition, the first and second ground electrodes 7 and 8, the first and second ground capacitance electrodes 10 and 11, the first and second strip lines 12 and 13, the phase adjustment strip line 9, a transmission-side input terminal 18, the output terminal 19 on the receiving side is a conductor layer of a metal material for transmitting a high-frequency signal, for example, a Cu layer / Mo-Mn metallized layer with a Ni plating layer and an Au plated layer adhered / W metallization on the Ni plating layer and an Au plating layer Ni plating layer and an Au plating layer on the deposited allowed ones · Cr-Cu alloy layer · Cr-Cu alloy layer on those · Ta 2 N layer was deposited a layer A Ni-Cr alloy layer and an Au plating layer are applied. A Pt layer and an Au plating layer are applied on a Ti layer. A Pt layer and an Au plating layer are applied on a Ni-Cr alloy layer. Let me Is used, it is formed by a thick film printing method or various thin film forming method or a plating method or the like. The thickness and width are set according to the frequency of the high frequency signal to be transmitted, the application, and the like.
[0034]
Next, FIG. 4 shows another example of the embodiment of the multi-layer substrate with a built-in low-pass filter of the present invention in an exploded perspective view similar to FIG. 4, 1a is a first dielectric layer, 2a is a second dielectric layer, 3a is a third dielectric layer, 4a is a fourth dielectric layer, 5a is a fifth dielectric layer, 6a Is a cavity, 7a is a first ground electrode electrode, 8a is a second ground electrode electrode, 9a is a strip line for phase adjustment, 10a is a first ground capacitance electrode, 11a is a second ground capacitance electrode, and 12a is a second ground capacitance electrode. One strip line, 13a is a second strip line, 14a is a first through conductor, 15a is a second through conductor, 16a is a third through conductor, 17a is a fourth through conductor, and 18a is housed in the cavity. A transmission-side input terminal electrically connected to the transmission output side of the surface acoustic wave filter element, and a reception-side output terminal 19a electrically connected to the reception input side of the surface acoustic wave filter element housed in the cavity. , 20a are capacitance electrodes
[0035]
In the example shown in FIG. 4, the first ground electrode 7a formed on the lower surface of the first dielectric layer 1a and the first dielectric layer 1a and the second dielectric layer 2a are formed between the first dielectric layer 1a and the second dielectric layer 2a. A ground capacitance generated between the first ground capacitance electrode 10a and the first ground electrode 7a formed on the lower surface of the first dielectric layer 1a, the first dielectric layer 1a and the second The ground capacitance generated between the second ground capacitance electrode 11a formed between the dielectric layers 2a is C2a, and the capacitance formed between the second dielectric layer 2a and the third dielectric layer 3a is C2a. The capacitance generated between the electrode 20a and the first ground capacitance electrode 10a formed between the first dielectric layer 1a and the second dielectric layer 2a is C3a, and the third dielectric layer 3a A first strip line 12a formed between the fourth dielectric layers 4a; The second strip line 13a formed between the layer 4a and the fifth dielectric layer 5a, one end of the first strip line 12a and one end of the second strip line 13a are connected to a fourth dielectric layer. The inductance caused by the first through conductor 14a connected by penetrating the layer 4a is defined as L1a, and the other end of the first strip line 12a is connected to the first ground capacitance electrode 10a via the second through conductor 15a. The other end of the second strip line 13a is connected to the second ground capacitance electrode 11a and the ground capacitance electrode 20a via the third penetrating conductor 16a, thereby being composed of L1a, C1a, C2a, and C3a. This constitutes a π-type low-pass filter.
[0036]
Further, a first ground electrode 7a formed on the lower surface of the first dielectric layer 1a, between the first dielectric layer 1a and the second dielectric layer 2a, and a second dielectric layer 2a The phase shifter Sa is formed by the phase adjusting strip line 9a sandwiched between the second ground electrode 8a formed between the third dielectric layers 3a. The transmission-side input terminal 18a is electrically connected to the input side of the low-pass filter, that is, the connection point between L1a, C2a, and C3a, and the reception-side output terminal 19a is connected to the phase adjustment strip line 9a via the fourth through conductor 17a. Connected.
[0037]
The example shown in FIG. 4 forms a parallel resonance circuit with the inductance L1a and the capacitance C3a by providing a new capacitor C3a as compared with the example shown in FIG. 1, and has a larger attenuation at a specific frequency of this parallel resonance circuit. It's about getting the amount.
[0038]
According to such an example of the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention shown in FIG. 4, the equivalent circuit diagram is as shown in FIG. In FIG. 5, a portion surrounded by a broken line is a portion corresponding to an equivalent circuit of the example of the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention shown in FIG.
[0039]
Then, the capacitances C1a to C3a are adjusted by the first to fifth dielectric layers 1a to 5a, the first ground electrode 7a, the first and second ground capacitance electrodes 10a and 11a, and the first capacitance electrode 20a. Further, by adjusting the inductance L1a by the first and second striplines 12a and 13a, it is possible to obtain a wiring board having a built-in low-pass filter having desired low-pass characteristics.
[0040]
The inductance L1a formed by the first and second strip lines 12a and 13a and the capacitance C3a formed by the first ground capacitance electrode 10a and the first capacitance electrode 20a form a parallel resonance circuit. By making the resonance frequency of the parallel resonance circuit correspond to a frequency twice or three times the pass band, it is possible to remove harmonics twice or three times the pass band.
[0041]
FIG. 6 is a diagram similar to FIG. 3, showing the frequency characteristics of the low-pass filter in the example of the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention shown in FIG. In FIG. 6, the horizontal axis represents the frequency (unit: GHz), the vertical axis represents the signal passing amount S (2, 1) (unit: dB) on the transmission side, and the dashed characteristic curve shows the characteristic of only the surface acoustic wave filter element. The characteristics and the solid characteristic curve show the characteristics when the surface acoustic wave filter element is mounted and the low-pass filter is electrically connected.
[0042]
According to the results shown in FIG. 6, according to the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention, the pass band (1. It can be seen that a large amount of attenuation is obtained at twice the frequency (3.7 GHz to 3.95 GHz) of 85 GHz to 1.99 GHz.
[0043]
Next, FIG. 7 shows another example of the embodiment of the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention in an exploded perspective view similar to FIG. In FIG. 7, 1b is a first dielectric layer, 2b is a second dielectric layer, 3b is a third dielectric layer, 4b is a fourth dielectric layer, 5b is a fifth dielectric layer, 6b Is a cavity, 7b is a first ground electrode, 8b is a second ground electrode, 9b is a strip line for phase adjustment, 10b is a first ground capacitance electrode, 11b is a second ground capacitance electrode, and 12b is a first ground capacitance electrode. A strip line, 13b is a second strip line, 14b is a first through conductor, 15b is a second through conductor, 16b is a third through conductor, and 18b is a transmission output of a surface acoustic wave filter element housed in a cavity. A transmission-side input terminal electrically connected to the side, 19b is a reception-side output terminal electrically connected to the reception input side of the surface acoustic wave filter element housed in the cavity, and 20b is a capacitance electrode.
[0044]
In the example shown in FIG. 7, the first ground electrode 7b formed on the lower surface of the first dielectric layer 1b and the first ground electrode 7b are formed between the first dielectric layer 1b and the second dielectric layer 2b. The ground capacitance generated between the first ground capacitance electrode 10b and C1b is defined as C1b, the first ground electrode 7b formed on the lower surface of the first dielectric layer 1b, the first dielectric layer 1b and the second The ground capacitance generated between the second ground capacitance electrode 11b formed between the dielectric layers 2b is C2b, and the capacitance formed between the second dielectric layer 2b and the third dielectric layer 3b is defined as C2b. The capacitance generated between the electrode 20b and the first ground capacitance electrode 10b formed between the first dielectric layer 1b and the second dielectric layer 2b is C3b, and the third dielectric layer 3b A first strip line 12b formed between the fourth dielectric layers 4b and a fourth dielectric layer 4b; A second strip line 13b formed between the layer 4b and the fifth dielectric layer 5b, one end of the first strip line 12b and one end of the second strip line 13b are connected to a fourth dielectric layer. The inductance caused by the first through conductor 14b connected by penetrating the layer 4b is defined as L1b, and the other end of the first strip line 12b is connected to the first ground capacitance electrode 10b via the second through conductor 15b. And the other end of the second strip line 13b is connected to the second ground capacitance electrode 11b and the capacitance electrode 20b via the third through conductor 16b, so that π is composed of L1b, C1b, C2b, and C3b. And constitute a low-pass filter of the type.
[0045]
Further, a first ground electrode 7b formed on the lower surface of the first dielectric layer 1b and a fourth dielectric layer 4b between the second dielectric layer 2b and the third dielectric layer 3b. The phase shifter Sb is formed by the strip line 9b for phase adjustment sandwiched between the second ground electrode 8b formed between the fifth dielectric layers 5b. The transmission-side input terminal 18b is electrically connected to the input side of the low-pass filter, that is, the connection point between L1b, C2b, and C3b, and the reception-side output terminal 19b is electrically connected to the strip line 9b for phase adjustment.
[0046]
The example shown in FIG. 7 is different from the example shown in FIG. 4 in that the first strip line 12b and the second strip line 13b constituting the low-pass filter are opposed to the phase adjustment strip line 9b with the cavity 6b interposed therebetween. In this case, the isolation between the low-pass filter and the strip line 9b for phase adjustment is improved by arranging the low-pass filter and the strip line 9b for phase adjustment in the same base. Is good.
[0047]
According to such an example of the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention shown in FIG. 7, the equivalent circuit diagram is as shown in FIG. In FIG. 8, a portion surrounded by a broken line is a portion corresponding to the equivalent circuit of the example of the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention shown in FIG.
[0048]
Then, the capacitances C1b to C3b are adjusted by the first to fifth dielectric layers 1b to 5b, the first ground electrode 7b, the first and second ground capacitance electrodes 10b and 11b, and the first capacitance electrode 17b. Further, by adjusting the inductance L1b by the first and second strip lines 12b and 13b, it is possible to obtain a wiring board incorporating a low-pass filter having desired low-pass characteristics.
[0049]
The inductance L1b formed by the first and second strip lines 12b and 13b and the capacitance C3b formed by the first ground capacitance electrode 10b and the first capacitance electrode 20b form a parallel resonance circuit. By making the resonance frequency of the parallel resonance circuit correspond to a frequency twice or three times the pass band, it is possible to remove harmonics twice or three times the pass band.
[0050]
9 is a diagram similar to FIG. 3, showing the frequency characteristics of the low-pass filter in the example of the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention shown in FIG. In FIG. 9, the horizontal axis represents the frequency (unit: GHz), the vertical axis represents the signal passing amount S (2, 1) (unit: dB) on the transmission side, and the characteristic curve indicated by the broken line is only for the surface acoustic wave filter element. The characteristics and the solid characteristic curve show the characteristics when the surface acoustic wave filter element is mounted and the low-pass filter is electrically connected.
[0051]
According to the results shown in FIG. 9, according to the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention, the pass band (1. A large amount of attenuation is obtained at twice the frequency (3.7 GHz to 3.95 GHz) of 85 GHz to 1.99 GHz, and sufficient isolation between the low-pass filter strip line and the phase adjustment strip line can be ensured. I understand that there is.
[0052]
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes may be made without departing from the spirit of the present invention. For example, according to the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention, the thickness of the first to fifth dielectric layers 1 to 5 and 1a to 5a, 1b to 5b can be reduced, or a high dielectric material can be used for these. By mixing a magnetic substance into the third and fourth dielectric layers 3, 4 and 3a, 4a, 3b, 4b, it is possible to further improve characteristics and reduce the size.
[0053]
Also, a shield electrode may be provided on the upper surface of the fifth dielectric layer 5, 5a, 5b, or a side surface of the dielectric layer may be used instead of the first to fourth through conductors 14 to 17 and 14a to 17a, 14b to 17b. Alternatively, a connection conductor for each electrode may be formed to electrically connect the electrodes.
[0054]
In addition, the surface acoustic wave filter element to be mounted is not limited to only the transmitting side, and the surface acoustic wave filter element at the receiving side is mounted inside the same cavity 6, 6a, 6b, or the transmitting side and the receiving side are integrated. Surface acoustic wave filter element may be mounted.
[0055]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention, a base formed by laminating a plurality of dielectric layers, a cavity formed on an upper surface of the base for accommodating a surface acoustic wave filter element, and a base housed inside the base. In addition, since a low pass filter electrically connected to the transmission output side of the surface acoustic wave filter element is provided, the number of external connection terminals can be reduced, and the surface acoustic wave can be reduced by the low pass filter. Since the attenuation in the high-frequency band can be made larger than the pass band of the filter element, harmonics twice or three times the pass band generated by the power amplifier required on the transmission side of the wireless device can be attenuated over a wide band. Thus, a low-pass filter with little loss can be realized inside the base.
[0056]
For example, first to fifth dielectric layers sequentially stacked, a first ground electrode formed on the lower surface of the first dielectric layer, and an upper surface formed on the third and fourth dielectric layers. First and second strip lines, and first and second ground capacitance electrodes formed between the first dielectric layer and the second dielectric layer 2. One ends of the second strip lines are connected to each other to electrically connect the other end of the first strip line to the first ground capacitance electrode, and the other end of the second strip line is connected to the second ground capacitance electrode. The first to fifth dielectric layers, the first ground electrode, and the first ground electrode are connected to the transmission output side of the surface acoustic wave filter element and are electrically connected to the first and fifth dielectric layers. And the ground capacitance is adjusted by the second ground capacitance electrode. By adjusting the inductance by addition first and second strip lines, it is possible to obtain a wiring board with a built-in π-type low-pass filter having a desired low-pass characteristic.
[0057]
Further, the number of input terminals and output terminals of the wiring board with a built-in low-pass filter can be reduced to one, and the number of terminals required when the wiring board with a built-in low-pass filter is secondarily mounted on another board is reduced. Since the size of the base is not limited by the number of terminals, the size of the wiring board with a built-in low-pass filter can be easily reduced, and the distance between the terminals can be increased. Can also be improved. Further, since the terminal area per terminal can be increased, mounting reliability can be improved.
[0058]
Also, by electrically connecting the low-pass filter to the transmission output side of the surface acoustic wave filter element, the phase changer can be used instead of the phase shifter by utilizing the characteristic of changing the phase of the low-pass filter. The phase of the wave filter can be adjusted, and it is not necessary to provide a new phase shifter.
[0059]
Also, by electrically connecting a low-pass filter having a higher cut-off frequency than the pass band of the surface acoustic wave filter element to the transmission output side of the surface acoustic wave filter element, the band can be broadened in a higher frequency band than the pass band of the surface acoustic wave filter element. It compensates for the problem of the conventional composite filter, which cannot take a sufficient amount of attenuation, and can obtain a sufficiently high amount of attenuation in a high frequency band. For example, harmonics twice or three times the pass band of a power amplifier are also effective. Can be attenuated. In addition, since the low-pass filter as described above is built in the base, the number of components can be reduced.
[0060]
Further, according to the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention, the low-pass filter has a strip line, a ground electrode and a ground capacitance electrode forming a ground capacitance, and the ground electrode and the ground capacitance electrode are formed on the bottom surface of the cavity. When the strip line is disposed on the lower surface side and the strip line is disposed at a portion other than the lower portion of the cavity, the distance between the ground electrode and the ground capacitance electrode and the strip line can be increased, and the strip line can be separated. Since the stray capacitance of the line can be reduced, and the interaction between the ground electrode and the ground capacitance electrode and the inductance of the strip line can be reduced, a low-loss low-pass filter can be configured. In addition, by arranging the ground capacitance, which requires a relatively large area in the low-pass filter, on the lower surface side from the bottom surface of the cavity, it is arranged in a portion where the area can be maximized inside the low-pass filter built-in wiring board. It is not necessary to newly increase the number of dielectric layers in order to form a large ground capacitance, or to extremely thin the dielectric layer between the ground electrode and the ground capacitance electrode.
[0061]
In addition, by incorporating a phase adjustment strip line that functions as a phase shifter that adjusts the phase of a signal, which is electrically connected to the reception input side of the surface acoustic wave filter element, the reception side of the surface acoustic wave filter element Not only the phase of the surface acoustic wave filter element but also the phase on the receiving side of the surface acoustic wave filter element can be appropriately adjusted, and a design with a higher degree of freedom can be realized. In addition, when the phase adjustment strip line is disposed on the lower surface side of the base from the bottom surface of the cavity, a relatively long phase adjustment strip line can be incorporated without unnecessarily increasing the size of the base.
[0062]
According to the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention, when the strip line is arranged on the upper surface side of the base rather than the ground electrode and the ground capacitance electrode, it is possible to further reduce the stray capacitance of inductance due to the strip line. In addition, the distance between the strip line and the ground electrode and the ground capacitance electrode can be further increased, and the interaction between the ground electrode and the ground capacitance electrode and the inductance can be reduced, so that a low-loss low-pass filter can be configured. be able to.
[0063]
Further, according to the wiring board with a built-in low-pass filter of the present invention, when the strip line and the phase adjustment strip line are respectively disposed at opposing portions across the cavity of the base, the strip line and the phase adjustment strip Since the distance from the line can be sufficiently increased, and the isolation between the low-pass filter and the phase shifter can be improved, a low-pass filter with lower loss can be configured.
[0064]
As described above, according to the present invention, the number of connection terminals with the outside is reduced by forming the low-pass filter inside the base body made of the laminated body and connecting the low-pass filter to the transmission output side of the surface acoustic wave filter. In addition, the attenuation of the high frequency band can be made larger than the pass band of the surface acoustic wave filter by the low pass filter, so that the harmonics twice or three times the pass band generated by the power amplifier required on the transmission side of the wireless device can be obtained. Can be attenuated over a wide band, and a wiring board with a built-in low-pass filter that can realize a low-pass filter with small loss inside the base can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an example of an embodiment of a multilayer substrate with a built-in low-pass filter of the present invention.
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of an example of the multilayer substrate with a built-in low-pass filter shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram showing frequency characteristics of a low-pass filter in the example of the multilayer substrate with a built-in low-pass filter shown in FIG. 1;
FIG. 4 is an exploded perspective view showing another example of the embodiment of the multilayer substrate with a built-in low-pass filter of the present invention.
5 is an equivalent circuit diagram of an example of the low-pass filter built-in multilayer substrate shown in FIG. 4;
6 is a diagram illustrating frequency characteristics of a low-pass filter in the example of the multilayer substrate with a built-in low-pass filter illustrated in FIG. 4;
FIG. 7 is an exploded perspective view showing still another example of the embodiment of the low-pass filter built-in multilayer substrate of the present invention.
8 is an equivalent circuit diagram of an example of the low-pass filter built-in multilayer substrate shown in FIG. 7;
9 is a diagram illustrating frequency characteristics of a low-pass filter in the example of the multilayer substrate with a built-in low-pass filter illustrated in FIG. 7;
[Explanation of symbols]
1, 1a, 1b ... first dielectric layer 2, 2a, 2b ... second dielectric layer 3, 3a, 3b ... third dielectric layer 4, ... Fourth dielectric layer 5, 5a, 5b... Fifth dielectric layer 6, 6a, 6b... Cavities 7, 7a, 7b. .. First ground electrodes 8, 8a, 8b... Second ground electrodes 9, 9a, 9b... Phase adjustment strip lines 10, 10a, 10b. Capacitance electrodes 11, 11a, 11b ... second ground capacitance electrodes 12, 12a, 12b ... first strip lines 13, 13a, 13b ... second strip lines 14, 14a, 14b ... first through conductors 15, 15a, 15b ... second through conductors 16, 16a, 16b ... The third through conductors 17, 17a,..., The fourth through conductors 18, 18a, 18b,..., The transmission side input terminal 19 electrically connected to the transmission output side of the surface acoustic wave filter element; 19a, 19b ······ Reception side output terminals 20a, 20b ······· Capacitance electrode electrically connected to the reception input side of the surface acoustic wave filter element

Claims (5)

複数の誘電体層が積層されて成る基体と、該基体の上面に形成された弾性表面波フィルタ素子を収容するキャビティと、前記基体の内部に内蔵された、前記弾性表面波フィルタ素子の送信出力側に電気的に接続されるローパスフィルタとを具備するローパスフィルタ内蔵配線基板。A substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers, a cavity formed on the upper surface of the substrate for accommodating a surface acoustic wave filter element, and a transmission output of the surface acoustic wave filter element incorporated in the substrate And a low-pass filter electrically connected to the side of the wiring board. 前記ローパスフィルタは、ストリップラインと、接地容量を形成する接地電極および接地容量電極とを有しており、前記接地電極および前記接地容量電極は前記キャビティの底面より下面側に配置されているとともに、前記ストリップラインは前記キャビティの下方部以外の部位に配置されていることを特徴とする請求項1記載のローパスフィルタ内蔵配線基板。The low-pass filter has a strip line, a ground electrode and a ground capacitance electrode forming a ground capacitance, and the ground electrode and the ground capacitance electrode are arranged on the lower surface side from the bottom surface of the cavity, 2. The wiring board with a built-in low-pass filter according to claim 1, wherein the strip line is arranged at a portion other than a lower portion of the cavity. 前記基体の内部に内蔵された、前記弾性表面波フィルタ素子に電気的に接続される位相調整用ストリップラインを具備することを特徴とする請求項1または請求項2記載のローパスフィルタ内蔵配線基板。3. The wiring board with a built-in low-pass filter according to claim 1, further comprising a strip line for phase adjustment, which is built in the base and electrically connected to the surface acoustic wave filter element. 前記ストリップラインを前記接地電極および前記接地容量電極よりも前記基体の上面側に配置したことを特徴とする請求項2または請求項3記載のローパスフィルタ内蔵配線基板。4. The wiring board with a built-in low-pass filter according to claim 2, wherein the strip line is arranged on the upper surface side of the base with respect to the ground electrode and the ground capacitance electrode. 前記ストリップラインと前記位相調整用ストリップラインとが、前記基体の前記キャビティを挟んで対向する部位にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項3または請求項4記載のローパスフィルタ内蔵配線基板。5. The wiring board with a built-in low-pass filter according to claim 3, wherein the strip line and the strip line for phase adjustment are respectively arranged in portions of the base body facing each other with the cavity interposed therebetween. 6.
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