JP2004247652A - 配線形成装置および配線形成方法 - Google Patents
配線形成装置および配線形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004247652A JP2004247652A JP2003037974A JP2003037974A JP2004247652A JP 2004247652 A JP2004247652 A JP 2004247652A JP 2003037974 A JP2003037974 A JP 2003037974A JP 2003037974 A JP2003037974 A JP 2003037974A JP 2004247652 A JP2004247652 A JP 2004247652A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- forming
- optical coupling
- wiring
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【課題】光結合部と電極との相対距離を精密に制御し、手作業による位置決めが省略可能な簡便で精密な光軸調整を行なうことができる配線形成装置および配線形成方法を提供する。
【解決手段】配線形成装置は、コア層1とクラッド層2と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極7を形成する配線形成装置であって、光結合部5の認識手段としてのCCDカメラ4と、光結合部から所定間隔離れた位置に電極7を形成する電極形成手段としての描画手段9とを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】配線形成装置は、コア層1とクラッド層2と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極7を形成する配線形成装置であって、光結合部5の認識手段としてのCCDカメラ4と、光結合部から所定間隔離れた位置に電極7を形成する電極形成手段としての描画手段9とを備える。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線形成装置および配線形成方法に関し、特に、光/電気配線混載基板における光導波路の光結合部と光電子部品(フォトダイオードなど)との結合を有する配線の配線形成装置および配線形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、情報の高速伝送を実現し、端末機器の小型化に寄与することができる配線基板として、光導波路がその内部や表面に形成された配線基板が提案されている。
【0003】
一般に、フォトダイオード、LED(Light Emitting Diode)、半導体レーザーなどの光電変換素子と光導波路における結合部(光結合部)との許容結合精度は少なくとも3μm程度以下にすることが必要である。
【0004】
上記の許容結合精度を満たすように光電変換素子を搭載するためには、精密な手作業による光軸調整を行なう必要があり、製作コストが高くなるという問題がある。
【0005】
これに対し、特許第2655112号公報においては、光伝送路の光軸方向と光軸に垂直な方向それぞれにはんだバンプの表面張力が働くように、長方形または長方形が組み合わされた形状の電極パッドを配置している。このように、光素子を、はんだバンプの表面張力を利用したセルフアライメントによって実装することで、電極パッド位置において光素子と実装基板とを精密に整合させることができる。その結果、手作業による光軸調整をせずに光素子と光導波路とを光軸整合させることができる。
【0006】
また、光導波路を基板内部に形成した光/電気変換器を有する配線基板における、従来の配線の形成方法としては、たとえば特開2002−237684号公報に示されるものが挙げられる。
【0007】
特開2002−237684号公報においては、表面に薄膜導体層が形成された基板の上に、感光性ドライフィルムを張り付けた後、めっきレジストパターンが描画されたガラス基板からなるフォトマスクを密着配置し、露光現像処理を施すことにより、めっきレジストを形成する。さらに、めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成し、めっきレジストと該めっきレジスト下の無電解めっき膜および薄膜導体層とを除去することにより導体回路を形成する。
【0008】
【特許文献1】
特開2002−237684号公報
【0009】
【特許文献2】
特許第2655112号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ポリマー材料などの樹脂を硬化させて光導波路の形成を行なう際、光導波路樹脂の硬化収縮量のロットごとの違いによって、10ppm程度のばらつきが生じる。この結果、光導波路の光結合部と光電変換素子との相対位置関係がロッドごとに変化し、たとえば10cm四方のパターンにおいては、10μm程度のばらつきが生じることとなる。
【0011】
特許第2655112号公報におけるはんだのセルフアライメントを利用した実装方法は、光電変換素子に接合される基板上の電極位置における高精度な位置決め方法であり、光導波路における光電変換素子との結合部(光結合部)と電極との相対位置関係が既知であることを前提に精密な光軸整合が行なわれる。
【0012】
しかしながら、特開2002−237684号公報においては、フォトマスクを用いて一定のレジストパターンを形成しているため、光導波路樹脂の硬化収縮量のばらつきによって、光結合部と電極との相対位置関係がロッドごとに変化する。その結果、手作業による位置決めを省略して許容値を満たす精度の光軸調整を安定して行なうことができない。光導波路樹脂の硬化収縮量が大きくなる大型基板においては、この問題はさらに顕著になる。
【0013】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御し、手作業による位置決めが省略可能な簡便で精密な光軸調整を行なうことができる配線形成装置および配線形成方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る配線形成装置は、コア層とクラッド層と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極を形成する配線形成装置であって、光結合部の認識手段と、光結合部から所定間隔離れた位置に電極を形成する電極形成手段とを備える。
【0015】
これにより、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御することができ、電極位置における簡便な位置決め方法を用いて光結合部における光軸調整を行なうことができる。
【0016】
上記の電極形成手段は、一つの局面では、電極パターン形成部のマスクパターンを形成するマスクパターン形成手段を有し、配線形成装置は、認識手段およびマスクパターン形成手段に接続され認識手段の認識結果に基づいてマスクパターン形成手段の動作を制御するコントローラをさらに備える。
【0017】
これにより、光導波路の光結合部の位置の認識結果をマスクパターン形成工程にフィードバックして、マスクパターンと光結合部との相対的な位置関係を所定の関係に制御することができ、その結果、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御することができる。
【0018】
また、電極形成手段は、他の局面では、電極パターン描画手段を有し、配線形成装置は、認識手段および電極パターン描画手段に接続され認識手段の認識結果に基づいて電極パターン描画手段の動作を制御するコントローラをさらに備える。
【0019】
これにより、光導波路の光結合部の位置の認識結果を電極パターン形成工程にフィードバックして、光結合部と電極との相対的な位置関係を所定の関係にするように電極パターン描画手段を制御することができ、その結果、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御することができる。
【0020】
本発明に係る配線形成方法は、コア層とクラッド層と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極を形成する配線形成方法であって、認識手段によって光結合部を認識する工程と、電極形成手段によって光結合部から所定間隔離れた位置に電極を形成する電極形成工程とを備える。
【0021】
これにより、光結合部の位置の認識結果を電極形成工程にフィードバックできるので、光結合部と電極との相対位置関係を所定の関係に制御することができ、電極位置における簡便な位置決め方法を用いて光結合部における光軸調整を行なうことができる。
【0022】
電極形成工程は、一つの局面では、クラッド層上に導電膜を形成する工程と、導電膜上に光結合部から所定間隔離れた位置に開口を有するマスクパターンを形成する工程と、マスクパターンを用いて導電膜をパターニングして電極を形成する工程とを備える。
【0023】
また、電極形成工程は、他の局面では、クラッド層上に感光性の樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜上に光結合部から所定間隔離れた位置に光を照射してマスクパターンを形成する工程と、マスクパターンの開口部に電極を形成する工程とを備える。
【0024】
これにより、光導波路の光結合部の位置の認識結果をマスクパターン形成工程にフィードバックして、マスクパターンと光結合部との相対的な位置関係を所定の関係に制御することができ、その結果、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御することができる。
【0025】
電極形成工程は、さらに他の局面では、クラッド層上に光結合部から所定間隔離れた位置に導電性ペーストを吐出して電極を形成する工程を備える。
【0026】
これにより、光導波路の光結合部の位置の認識結果を導電性ペーストを吐出する工程にフィードバックして、導電性ペーストの塗布位置と光結合部との相対的な位置関係を所定の関係に制御することができ、その結果、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御することができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に基づく配線形成装置および配線形成方法の実施の形態について説明する。
【0028】
まず、後述する実施の形態1から実施の形態3における配線形成装置および配線形成方法の機構について、図1を用いて説明する。
【0029】
本発明の実施の形態1から実施の形態4に係る配線形成装置は、台座3上に吸着されたコア層1とクラッド層2と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極7を形成する配線形成装置であって、光導波路における光電変換素子との結合部である光結合部5の認識手段としてのCCDカメラ4と、光結合部5から所定間隔離れた位置に電極7を形成する電極形成手段としての描画手段9とを備える。
【0030】
また、本発明の実施の形態1から実施の形態3に係る配線形成方法は、コア層1とクラッド層2と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極7を形成する配線形成方法であって、CCDカメラ4によって光結合部5を認識する工程と、描画手段9によって光結合部5から所定間隔離れた位置に電極7を形成する電極形成工程とを備える。
【0031】
CCDカメラ4および描画手段9は一体となってレール6に保持されており、レールに沿って移動可能である。なお、図1中の上下方向および紙面に垂直な方向にもレールが連結されている。(これらの方向のレールは図1中には図示しない。)これにより、CCDカメラ4および描画手段9は、三次元方向に移動可能である。
【0032】
図1中の実線で示すCCDカメラ4は、光結合部5を認識した状態を示す。CCDカメラ4および描画手段9は、CADデータ10が入力されたコントローラ8に接続されている。CADデータ10は光結合部5と電極7との相対的な位置関係を含む配線パターンの情報を含み、CCDカメラ4および描画手段9はこの情報に従って図1に示す矢印方向に移動する。図1中の破線で示す描画手段9は、電極7を形成する位置にある状態を示す。
【0033】
このようにして、光結合部5の位置を基準にして電極7を描画するので、光導波路樹脂の熱収縮量についてのロットごとのばらつきに関係なく、光結合部5の位置に適合した電極7を形成することができる。
【0034】
なお、実施の形態1から実施の形態3においてはCCDカメラ4および描画手段9は一体となって動作しているが、これらは別個独立に動作してもよい。
【0035】
(実施の形態1)
図2は、実施の形態1における配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【0036】
本実施の形態に係る配線形成装置においては、電極形成手段は、電極7形成部のマスクパターンとしてのめっきレジスト20のパターンを形成する移動可能なマスクパターン形成手段としてのレジスト吐出装置29を有し、配線形成装置は、CCDカメラ4およびレジスト吐出装置29に接続されCCDカメラ4の認識結果に基づいてレジスト吐出装置29の動作を制御するコントローラ8を備える。
【0037】
また、本実施の形態に係る配線形成方法における(図1に示す)電極7の形成工程は、クラッド層2上に導電膜としての金属薄膜27を形成する工程と、金属薄膜27上に光結合部5から所定間隔離れた位置に開口を有するめっきレジスト20を形成する工程と、めっきレジスト20を用いて金属薄膜27をパターニングして図1に示す電極7を形成する工程とを備える。
【0038】
以下、上記の各工程について詳細に説明する。
まず、クラッド層2の開口部にマスキングを施し、スパッタ法または無電解めっき法を用いてクラッド層2の表面に、たとえばTi,Cu,Niなどからなる金属薄膜27を成膜する。CCDカメラ4およびレジスト吐出装置29は、配線パターンの情報を含むCADデータ10が入力されたコントローラ8に接続されており、CCDカメラ4によって認識された光結合部5の位置を基準にして、電極7を形成しない部分にめっきレジスト20を塗布する。
【0039】
めっきレジスト20の塗布方法としては、たとえば、CADデータ10内に含まれた電極7のパターンに関するデータに基づき、電極7を形成しない部分にめっきレジスト20を塗布(噴射)し、電極7を形成する位置ではその噴射を止めて、めっきレジスト20による凹凸を形成する方法が挙げられる。
【0040】
次に、被処理基板にめっき処理を施す。その後、めっきレジスト20を除去し、さらに金属薄膜27をエッチングする。ここでめっきレジスト20の除去は、たとえば有機溶剤などを用いて行なうことができ、金属薄膜27の除去は、たとえば硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅などのエッチング液を用いて行なうことができる。
【0041】
以上の工程によって、光結合部5の位置を基準として、所定の位置に電極7を形成することができる。
【0042】
(実施の形態2)
図3は、実施の形態2における配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【0043】
本実施の形態に係る配線形成装置においては、電極形成手段は、電極7形成部のマスクパターンとしての感光性樹脂膜31のパターンを形成する移動可能なマスクパターン形成手段としてのレーザ照射装置39を有し、配線形成装置は、CCDカメラ4およびレーザ照射装置39に接続されCCDカメラ4の認識結果に基づいてレーザ照射装置39の動作を制御するコントローラ8を備える。
【0044】
また、本実施の形態に係る配線形成方法における(図1に示す)電極7の形成工程は、クラッド層2上に感光性樹脂膜31を形成する工程と、光結合部5から所定間隔離れた位置に光を照射して該感光性樹脂膜31に開口パターンを形成する工程と、感光性樹脂膜31の開口部に電極7を形成する工程とを備える。
【0045】
以下、上記の各工程について詳細に説明する。
まず、クラッド層2の開口部にマスキングを施し、該クラッド層2上に、たとえばポジ型の感光性樹脂膜31を塗布する。CCDカメラ4およびレーザ照射装置39は、配線パターンの情報を含むCADデータ10が入力されたコントローラ8に接続されており、CCDカメラ4によって認識された光結合部5の位置を基準にして、電極7を形成する部分にレーザ光30を照射する。
【0046】
次に、現像により露光部分を除去し、感光性樹脂膜31に開口を設ける。さらに、被処理基板にめっき処理を施し、有機溶剤を用いて感光性樹脂膜31を除去する。
【0047】
以上の工程によって、光結合部5の位置を基準として、所定の位置に電極7を形成することができる。
【0048】
(実施の形態3)
図4は、実施の形態3における配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【0049】
本実施の形態に係る配線形成装置においては、電極パターン形成手段は、移動可能な電極パターン描画手段としての導電性ペースト吐出装置49を有し、配線形成装置は、CCDカメラ4および導電性ペースト吐出装置49に接続されCCDカメラ4の認識結果に基づいて導電性ペースト吐出装置49の動作を制御するコントローラ8を備える。
【0050】
また、本実施の形態に係る配線形成方法における電極7の形成工程は、クラッド層2上に光結合部5から所定間隔離れた位置に導電性ペースト47を吐出して電極7を形成する工程を備える。
【0051】
以下、上記の各工程について詳細に説明する。
CCDカメラ4および導電性ペースト吐出装置49は、配線パターンの情報を含むCADデータ10が入力されたコントローラ8に接続されており、CCDカメラ4によって認識された光結合部5の位置を基準にして、電極7を形成する部分に導電性ペースト47を吐出する。
【0052】
導電性ペースト47の吐出方法としては、たとえば、CADデータ10内に含まれた電極7のパターンに関するデータに基づき導電性ペースト47を塗布(噴射)する方法が挙げられる。
【0053】
その後、常温以上150℃以下程度の温度に曝して、導電性ペースト47を硬化させ、電極7を形成する。
【0054】
なお、上記の導電性ペースト47としては、たとえば銅を含むもの、銀を含むものなどが挙げられる。
【0055】
以上の工程により、光結合部5の位置を基準として、所定の位置に電極7を形成することができる。また、導電性ペースト47を用いることによって、エッチングの工程を不要とすることができる。
【0056】
(実施の形態4)
図5は、実施の形態4における配線形成装置および被処理基板の上面を示した図である。
【0057】
本実施の形態における配線形成装置は、実施の形態2における配線形成装置のマスクパターン形成手段の1つの変形例であり、電極57形成部のマスクパターンとしての感光性樹脂膜51のパターンを形成するマスクパターン形成手段としてのレーザ発振器59およびポリゴンミラー52と、図示しないCCDカメラとポリゴンミラー52と台座とに接続されCCDカメラの認識結果に基づいてポリゴンミラー52および台座の動作を制御するコントローラ8とを備える。
【0058】
また、本実施の形態に係る配線形成方法における電極57の形成工程は、クラッド層上に感光性樹脂膜51を形成する工程と、光結合部55から所定間隔離れた位置に光を照射して該感光性樹脂膜51のパターンを形成する工程と、感光性樹脂膜51の開口部に電極57を形成する工程とを備える。
【0059】
以下、上記の各工程について詳細に説明する。
まず、開口部54にマスキングを施し、たとえばスパッタ法などにより金属薄膜を基板58内の必要箇所に設ける。
【0060】
次に、該基板58上に感光性樹脂膜51を成膜し、移動制御可能な図示しない台座に載置する。
【0061】
そして、光結合部55のマスキングテープを除去して光結合部55を認識可能な状態とし、図示しない画像認識装置を用いて光導波路56の先端部に位置する光結合部55を認識し、その座標位置を新しい基準点としてコントローラ8に入力する。画像認識装置、ポリゴンミラー52および台座は、配線パターンの情報を含むCADデータ10が入力されたコントローラ8に接続されており、画像認識装置によって認識された光結合部55の位置を基準にして、電極57を形成する部分(レーザ光照射部53)にレーザ発振器59が発振したレーザ光50が照射されるようにポリゴンミラー52および台座の動作が制御される。
【0062】
その後、現像により露光部分を除去し、感光性樹脂膜51に開口を設ける。さらに、開口部にめっき処理を施し、有機溶剤を用いて感光性樹脂膜51を除去する。
【0063】
最後に、たとえば硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅などのエッチング液を用いて金属薄膜の除去を行なう。
【0064】
以上の工程によって、光結合部55の位置を基準として、所定の位置に電極57を形成することができる。
【0065】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【0066】
【発明の効果】
本発明の配線形成装置および配線形成方法によれば、光導波路における光電変換素子との結合部(光結合部)と電極との相対位置関係を精密に制御することができるので、電極位置における簡便な位置決め方法を用いて光結合部における光軸調整を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1から実施の形態3に係る配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【図2】本発明の実施の形態1に係る配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【図3】本発明の実施の形態2に係る配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【図4】本発明の実施の形態3に係る配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【図5】本発明の実施の形態4に係る配線形成装置および被処理基板の上面を示した図である。
【符号の説明】
1 コア層、2 クラッド層、3 台座、4 CCDカメラ、5 光結合部、6 レール、7 電極、8 コントローラ、9 描画手段、10 CADデータ、20 めっきレジスト、27 金属薄膜、29 レジスト吐出装置、30,50 レーザ光、31,51 感光性樹脂膜、39 レーザ照射装置、47 導電性ペースト、49 導電性ペースト吐出装置、52 ポリゴンミラー、53 レーザ光照射部、54 開口部、55 光結合部、56 光導波路、57 電極、58 基板、59 レーザ発振器。
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線形成装置および配線形成方法に関し、特に、光/電気配線混載基板における光導波路の光結合部と光電子部品(フォトダイオードなど)との結合を有する配線の配線形成装置および配線形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、情報の高速伝送を実現し、端末機器の小型化に寄与することができる配線基板として、光導波路がその内部や表面に形成された配線基板が提案されている。
【0003】
一般に、フォトダイオード、LED(Light Emitting Diode)、半導体レーザーなどの光電変換素子と光導波路における結合部(光結合部)との許容結合精度は少なくとも3μm程度以下にすることが必要である。
【0004】
上記の許容結合精度を満たすように光電変換素子を搭載するためには、精密な手作業による光軸調整を行なう必要があり、製作コストが高くなるという問題がある。
【0005】
これに対し、特許第2655112号公報においては、光伝送路の光軸方向と光軸に垂直な方向それぞれにはんだバンプの表面張力が働くように、長方形または長方形が組み合わされた形状の電極パッドを配置している。このように、光素子を、はんだバンプの表面張力を利用したセルフアライメントによって実装することで、電極パッド位置において光素子と実装基板とを精密に整合させることができる。その結果、手作業による光軸調整をせずに光素子と光導波路とを光軸整合させることができる。
【0006】
また、光導波路を基板内部に形成した光/電気変換器を有する配線基板における、従来の配線の形成方法としては、たとえば特開2002−237684号公報に示されるものが挙げられる。
【0007】
特開2002−237684号公報においては、表面に薄膜導体層が形成された基板の上に、感光性ドライフィルムを張り付けた後、めっきレジストパターンが描画されたガラス基板からなるフォトマスクを密着配置し、露光現像処理を施すことにより、めっきレジストを形成する。さらに、めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成し、めっきレジストと該めっきレジスト下の無電解めっき膜および薄膜導体層とを除去することにより導体回路を形成する。
【0008】
【特許文献1】
特開2002−237684号公報
【0009】
【特許文献2】
特許第2655112号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ポリマー材料などの樹脂を硬化させて光導波路の形成を行なう際、光導波路樹脂の硬化収縮量のロットごとの違いによって、10ppm程度のばらつきが生じる。この結果、光導波路の光結合部と光電変換素子との相対位置関係がロッドごとに変化し、たとえば10cm四方のパターンにおいては、10μm程度のばらつきが生じることとなる。
【0011】
特許第2655112号公報におけるはんだのセルフアライメントを利用した実装方法は、光電変換素子に接合される基板上の電極位置における高精度な位置決め方法であり、光導波路における光電変換素子との結合部(光結合部)と電極との相対位置関係が既知であることを前提に精密な光軸整合が行なわれる。
【0012】
しかしながら、特開2002−237684号公報においては、フォトマスクを用いて一定のレジストパターンを形成しているため、光導波路樹脂の硬化収縮量のばらつきによって、光結合部と電極との相対位置関係がロッドごとに変化する。その結果、手作業による位置決めを省略して許容値を満たす精度の光軸調整を安定して行なうことができない。光導波路樹脂の硬化収縮量が大きくなる大型基板においては、この問題はさらに顕著になる。
【0013】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御し、手作業による位置決めが省略可能な簡便で精密な光軸調整を行なうことができる配線形成装置および配線形成方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る配線形成装置は、コア層とクラッド層と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極を形成する配線形成装置であって、光結合部の認識手段と、光結合部から所定間隔離れた位置に電極を形成する電極形成手段とを備える。
【0015】
これにより、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御することができ、電極位置における簡便な位置決め方法を用いて光結合部における光軸調整を行なうことができる。
【0016】
上記の電極形成手段は、一つの局面では、電極パターン形成部のマスクパターンを形成するマスクパターン形成手段を有し、配線形成装置は、認識手段およびマスクパターン形成手段に接続され認識手段の認識結果に基づいてマスクパターン形成手段の動作を制御するコントローラをさらに備える。
【0017】
これにより、光導波路の光結合部の位置の認識結果をマスクパターン形成工程にフィードバックして、マスクパターンと光結合部との相対的な位置関係を所定の関係に制御することができ、その結果、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御することができる。
【0018】
また、電極形成手段は、他の局面では、電極パターン描画手段を有し、配線形成装置は、認識手段および電極パターン描画手段に接続され認識手段の認識結果に基づいて電極パターン描画手段の動作を制御するコントローラをさらに備える。
【0019】
これにより、光導波路の光結合部の位置の認識結果を電極パターン形成工程にフィードバックして、光結合部と電極との相対的な位置関係を所定の関係にするように電極パターン描画手段を制御することができ、その結果、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御することができる。
【0020】
本発明に係る配線形成方法は、コア層とクラッド層と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極を形成する配線形成方法であって、認識手段によって光結合部を認識する工程と、電極形成手段によって光結合部から所定間隔離れた位置に電極を形成する電極形成工程とを備える。
【0021】
これにより、光結合部の位置の認識結果を電極形成工程にフィードバックできるので、光結合部と電極との相対位置関係を所定の関係に制御することができ、電極位置における簡便な位置決め方法を用いて光結合部における光軸調整を行なうことができる。
【0022】
電極形成工程は、一つの局面では、クラッド層上に導電膜を形成する工程と、導電膜上に光結合部から所定間隔離れた位置に開口を有するマスクパターンを形成する工程と、マスクパターンを用いて導電膜をパターニングして電極を形成する工程とを備える。
【0023】
また、電極形成工程は、他の局面では、クラッド層上に感光性の樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜上に光結合部から所定間隔離れた位置に光を照射してマスクパターンを形成する工程と、マスクパターンの開口部に電極を形成する工程とを備える。
【0024】
これにより、光導波路の光結合部の位置の認識結果をマスクパターン形成工程にフィードバックして、マスクパターンと光結合部との相対的な位置関係を所定の関係に制御することができ、その結果、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御することができる。
【0025】
電極形成工程は、さらに他の局面では、クラッド層上に光結合部から所定間隔離れた位置に導電性ペーストを吐出して電極を形成する工程を備える。
【0026】
これにより、光導波路の光結合部の位置の認識結果を導電性ペーストを吐出する工程にフィードバックして、導電性ペーストの塗布位置と光結合部との相対的な位置関係を所定の関係に制御することができ、その結果、光結合部と電極との相対位置関係を精密に制御することができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に基づく配線形成装置および配線形成方法の実施の形態について説明する。
【0028】
まず、後述する実施の形態1から実施の形態3における配線形成装置および配線形成方法の機構について、図1を用いて説明する。
【0029】
本発明の実施の形態1から実施の形態4に係る配線形成装置は、台座3上に吸着されたコア層1とクラッド層2と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極7を形成する配線形成装置であって、光導波路における光電変換素子との結合部である光結合部5の認識手段としてのCCDカメラ4と、光結合部5から所定間隔離れた位置に電極7を形成する電極形成手段としての描画手段9とを備える。
【0030】
また、本発明の実施の形態1から実施の形態3に係る配線形成方法は、コア層1とクラッド層2と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極7を形成する配線形成方法であって、CCDカメラ4によって光結合部5を認識する工程と、描画手段9によって光結合部5から所定間隔離れた位置に電極7を形成する電極形成工程とを備える。
【0031】
CCDカメラ4および描画手段9は一体となってレール6に保持されており、レールに沿って移動可能である。なお、図1中の上下方向および紙面に垂直な方向にもレールが連結されている。(これらの方向のレールは図1中には図示しない。)これにより、CCDカメラ4および描画手段9は、三次元方向に移動可能である。
【0032】
図1中の実線で示すCCDカメラ4は、光結合部5を認識した状態を示す。CCDカメラ4および描画手段9は、CADデータ10が入力されたコントローラ8に接続されている。CADデータ10は光結合部5と電極7との相対的な位置関係を含む配線パターンの情報を含み、CCDカメラ4および描画手段9はこの情報に従って図1に示す矢印方向に移動する。図1中の破線で示す描画手段9は、電極7を形成する位置にある状態を示す。
【0033】
このようにして、光結合部5の位置を基準にして電極7を描画するので、光導波路樹脂の熱収縮量についてのロットごとのばらつきに関係なく、光結合部5の位置に適合した電極7を形成することができる。
【0034】
なお、実施の形態1から実施の形態3においてはCCDカメラ4および描画手段9は一体となって動作しているが、これらは別個独立に動作してもよい。
【0035】
(実施の形態1)
図2は、実施の形態1における配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【0036】
本実施の形態に係る配線形成装置においては、電極形成手段は、電極7形成部のマスクパターンとしてのめっきレジスト20のパターンを形成する移動可能なマスクパターン形成手段としてのレジスト吐出装置29を有し、配線形成装置は、CCDカメラ4およびレジスト吐出装置29に接続されCCDカメラ4の認識結果に基づいてレジスト吐出装置29の動作を制御するコントローラ8を備える。
【0037】
また、本実施の形態に係る配線形成方法における(図1に示す)電極7の形成工程は、クラッド層2上に導電膜としての金属薄膜27を形成する工程と、金属薄膜27上に光結合部5から所定間隔離れた位置に開口を有するめっきレジスト20を形成する工程と、めっきレジスト20を用いて金属薄膜27をパターニングして図1に示す電極7を形成する工程とを備える。
【0038】
以下、上記の各工程について詳細に説明する。
まず、クラッド層2の開口部にマスキングを施し、スパッタ法または無電解めっき法を用いてクラッド層2の表面に、たとえばTi,Cu,Niなどからなる金属薄膜27を成膜する。CCDカメラ4およびレジスト吐出装置29は、配線パターンの情報を含むCADデータ10が入力されたコントローラ8に接続されており、CCDカメラ4によって認識された光結合部5の位置を基準にして、電極7を形成しない部分にめっきレジスト20を塗布する。
【0039】
めっきレジスト20の塗布方法としては、たとえば、CADデータ10内に含まれた電極7のパターンに関するデータに基づき、電極7を形成しない部分にめっきレジスト20を塗布(噴射)し、電極7を形成する位置ではその噴射を止めて、めっきレジスト20による凹凸を形成する方法が挙げられる。
【0040】
次に、被処理基板にめっき処理を施す。その後、めっきレジスト20を除去し、さらに金属薄膜27をエッチングする。ここでめっきレジスト20の除去は、たとえば有機溶剤などを用いて行なうことができ、金属薄膜27の除去は、たとえば硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅などのエッチング液を用いて行なうことができる。
【0041】
以上の工程によって、光結合部5の位置を基準として、所定の位置に電極7を形成することができる。
【0042】
(実施の形態2)
図3は、実施の形態2における配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【0043】
本実施の形態に係る配線形成装置においては、電極形成手段は、電極7形成部のマスクパターンとしての感光性樹脂膜31のパターンを形成する移動可能なマスクパターン形成手段としてのレーザ照射装置39を有し、配線形成装置は、CCDカメラ4およびレーザ照射装置39に接続されCCDカメラ4の認識結果に基づいてレーザ照射装置39の動作を制御するコントローラ8を備える。
【0044】
また、本実施の形態に係る配線形成方法における(図1に示す)電極7の形成工程は、クラッド層2上に感光性樹脂膜31を形成する工程と、光結合部5から所定間隔離れた位置に光を照射して該感光性樹脂膜31に開口パターンを形成する工程と、感光性樹脂膜31の開口部に電極7を形成する工程とを備える。
【0045】
以下、上記の各工程について詳細に説明する。
まず、クラッド層2の開口部にマスキングを施し、該クラッド層2上に、たとえばポジ型の感光性樹脂膜31を塗布する。CCDカメラ4およびレーザ照射装置39は、配線パターンの情報を含むCADデータ10が入力されたコントローラ8に接続されており、CCDカメラ4によって認識された光結合部5の位置を基準にして、電極7を形成する部分にレーザ光30を照射する。
【0046】
次に、現像により露光部分を除去し、感光性樹脂膜31に開口を設ける。さらに、被処理基板にめっき処理を施し、有機溶剤を用いて感光性樹脂膜31を除去する。
【0047】
以上の工程によって、光結合部5の位置を基準として、所定の位置に電極7を形成することができる。
【0048】
(実施の形態3)
図4は、実施の形態3における配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【0049】
本実施の形態に係る配線形成装置においては、電極パターン形成手段は、移動可能な電極パターン描画手段としての導電性ペースト吐出装置49を有し、配線形成装置は、CCDカメラ4および導電性ペースト吐出装置49に接続されCCDカメラ4の認識結果に基づいて導電性ペースト吐出装置49の動作を制御するコントローラ8を備える。
【0050】
また、本実施の形態に係る配線形成方法における電極7の形成工程は、クラッド層2上に光結合部5から所定間隔離れた位置に導電性ペースト47を吐出して電極7を形成する工程を備える。
【0051】
以下、上記の各工程について詳細に説明する。
CCDカメラ4および導電性ペースト吐出装置49は、配線パターンの情報を含むCADデータ10が入力されたコントローラ8に接続されており、CCDカメラ4によって認識された光結合部5の位置を基準にして、電極7を形成する部分に導電性ペースト47を吐出する。
【0052】
導電性ペースト47の吐出方法としては、たとえば、CADデータ10内に含まれた電極7のパターンに関するデータに基づき導電性ペースト47を塗布(噴射)する方法が挙げられる。
【0053】
その後、常温以上150℃以下程度の温度に曝して、導電性ペースト47を硬化させ、電極7を形成する。
【0054】
なお、上記の導電性ペースト47としては、たとえば銅を含むもの、銀を含むものなどが挙げられる。
【0055】
以上の工程により、光結合部5の位置を基準として、所定の位置に電極7を形成することができる。また、導電性ペースト47を用いることによって、エッチングの工程を不要とすることができる。
【0056】
(実施の形態4)
図5は、実施の形態4における配線形成装置および被処理基板の上面を示した図である。
【0057】
本実施の形態における配線形成装置は、実施の形態2における配線形成装置のマスクパターン形成手段の1つの変形例であり、電極57形成部のマスクパターンとしての感光性樹脂膜51のパターンを形成するマスクパターン形成手段としてのレーザ発振器59およびポリゴンミラー52と、図示しないCCDカメラとポリゴンミラー52と台座とに接続されCCDカメラの認識結果に基づいてポリゴンミラー52および台座の動作を制御するコントローラ8とを備える。
【0058】
また、本実施の形態に係る配線形成方法における電極57の形成工程は、クラッド層上に感光性樹脂膜51を形成する工程と、光結合部55から所定間隔離れた位置に光を照射して該感光性樹脂膜51のパターンを形成する工程と、感光性樹脂膜51の開口部に電極57を形成する工程とを備える。
【0059】
以下、上記の各工程について詳細に説明する。
まず、開口部54にマスキングを施し、たとえばスパッタ法などにより金属薄膜を基板58内の必要箇所に設ける。
【0060】
次に、該基板58上に感光性樹脂膜51を成膜し、移動制御可能な図示しない台座に載置する。
【0061】
そして、光結合部55のマスキングテープを除去して光結合部55を認識可能な状態とし、図示しない画像認識装置を用いて光導波路56の先端部に位置する光結合部55を認識し、その座標位置を新しい基準点としてコントローラ8に入力する。画像認識装置、ポリゴンミラー52および台座は、配線パターンの情報を含むCADデータ10が入力されたコントローラ8に接続されており、画像認識装置によって認識された光結合部55の位置を基準にして、電極57を形成する部分(レーザ光照射部53)にレーザ発振器59が発振したレーザ光50が照射されるようにポリゴンミラー52および台座の動作が制御される。
【0062】
その後、現像により露光部分を除去し、感光性樹脂膜51に開口を設ける。さらに、開口部にめっき処理を施し、有機溶剤を用いて感光性樹脂膜51を除去する。
【0063】
最後に、たとえば硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅などのエッチング液を用いて金属薄膜の除去を行なう。
【0064】
以上の工程によって、光結合部55の位置を基準として、所定の位置に電極57を形成することができる。
【0065】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【0066】
【発明の効果】
本発明の配線形成装置および配線形成方法によれば、光導波路における光電変換素子との結合部(光結合部)と電極との相対位置関係を精密に制御することができるので、電極位置における簡便な位置決め方法を用いて光結合部における光軸調整を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1から実施の形態3に係る配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【図2】本発明の実施の形態1に係る配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【図3】本発明の実施の形態2に係る配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【図4】本発明の実施の形態3に係る配線形成装置および被処理基板の断面を示した図である。
【図5】本発明の実施の形態4に係る配線形成装置および被処理基板の上面を示した図である。
【符号の説明】
1 コア層、2 クラッド層、3 台座、4 CCDカメラ、5 光結合部、6 レール、7 電極、8 コントローラ、9 描画手段、10 CADデータ、20 めっきレジスト、27 金属薄膜、29 レジスト吐出装置、30,50 レーザ光、31,51 感光性樹脂膜、39 レーザ照射装置、47 導電性ペースト、49 導電性ペースト吐出装置、52 ポリゴンミラー、53 レーザ光照射部、54 開口部、55 光結合部、56 光導波路、57 電極、58 基板、59 レーザ発振器。
Claims (7)
- コア層とクラッド層と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極を形成する配線形成装置であって、
光結合部の認識手段と、
前記光結合部から所定間隔離れた位置に電極を形成する電極形成手段とを備えた配線形成装置。 - 前記電極形成手段は、前記電極パターン形成部のマスクパターンを形成するマスクパターン形成手段を有し、
前記認識手段および前記マスクパターン形成手段に接続され、前記認識手段の認識結果に基づいて前記マスクパターン形成手段の動作を制御するコントローラをさらに備えた、請求項1に記載の配線形成装置。 - 前記電極形成手段は、電極パターン描画手段を有し、
前記認識手段および前記電極パターン描画手段に接続され、前記認識手段の認識結果に基づいて前記電極パターン描画手段の動作を制御するコントローラをさらに備えた、請求項1に記載の配線形成装置。 - コア層とクラッド層と電極パターンとを有する光回路基板の表面に電極を形成する配線形成方法であって、
認識手段によって光結合部を認識する工程と、
電極形成手段によって前記光結合部から所定間隔離れた位置に電極を形成する電極形成工程とを備えた配線形成方法。 - 前記電極形成工程は、
前記クラッド層上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜上に前記光結合部から所定間隔離れた位置に開口を有するマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを用いて前記導電膜をパターニングして電極を形成する工程とを備える、請求項4に記載の配線形成方法。 - 前記電極形成工程は、
前記クラッド層上に感光性の樹脂膜を形成する工程と、
前記樹脂膜上に前記光結合部から所定間隔離れた位置に光を照射してマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンの開口部に電極を形成する工程とを備える、請求項4に記載の配線形成方法。 - 前記電極形成工程は、
前記クラッド層上に前記光結合部から所定間隔離れた位置に導電性ペーストを吐出して電極を形成する工程を備える、請求項4に記載の配線形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003037974A JP2004247652A (ja) | 2003-02-17 | 2003-02-17 | 配線形成装置および配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003037974A JP2004247652A (ja) | 2003-02-17 | 2003-02-17 | 配線形成装置および配線形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004247652A true JP2004247652A (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=33022621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003037974A Withdrawn JP2004247652A (ja) | 2003-02-17 | 2003-02-17 | 配線形成装置および配線形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004247652A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006129299A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶振動子の製造方法、及びその製造装置 |
WO2011046115A1 (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-21 | 日立化成工業株式会社 | 光導波路基板及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-02-17 JP JP2003037974A patent/JP2004247652A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006129299A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶振動子の製造方法、及びその製造装置 |
JP4647282B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-03-09 | 京セラキンセキ株式会社 | 水晶振動子の製造方法、及びその製造装置 |
WO2011046115A1 (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-21 | 日立化成工業株式会社 | 光導波路基板及びその製造方法 |
JP2011085647A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路基板及びその製造方法 |
CN102597827A (zh) * | 2009-10-13 | 2012-07-18 | 日立化成工业株式会社 | 光波导基板及其制造方法 |
CN103869411A (zh) * | 2009-10-13 | 2014-06-18 | 日立化成工业株式会社 | 光波导基板、光电混载基板及其制造方法、以及位置对准用凹部形成装置 |
CN102597827B (zh) * | 2009-10-13 | 2014-07-09 | 日立化成工业株式会社 | 光波导基板及其制造方法 |
US8818147B2 (en) | 2009-10-13 | 2014-08-26 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical waveguide substrate and method for manufacturing same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6973710B2 (en) | Method and apparatus for making devices | |
KR100751274B1 (ko) | 광·전기배선기판, 실장기판 및 광·전기배선기판의제조방법 | |
US5759417A (en) | Flexible circuit board and production method therefor | |
US4666818A (en) | Method of patterning resist for printed wiring board | |
KR100621550B1 (ko) | 테이프 배선 기판의 제조방법 | |
US4961259A (en) | Method of forming an interconnection by an excimer laser | |
US5384230A (en) | Process for fabricating printed circuit boards | |
US6944385B2 (en) | Planar optical waveguide and method of manufacturing the same | |
JP2008053714A (ja) | 印刷回路基板及びその製造方法 | |
KR20080061816A (ko) | 인쇄회로기판 및 그의 제조방법 | |
JP2004031528A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP2004247652A (ja) | 配線形成装置および配線形成方法 | |
KR100990617B1 (ko) | 광도파로용 인쇄회로기판의 제조방법 | |
JP2001210540A (ja) | 電磁コイルの製造方法、それを用いた荷電粒子線露光装置並びに半導体デバイスの製造方法 | |
US6210746B1 (en) | Method of fabricating a solder resist mask | |
JP2000340906A (ja) | 光・電気配線基板及びその製造方法並びに実装基板 | |
KR100353311B1 (ko) | 전기적으로 절연된 지지물 상에 적어도 2개의 배선레벨을 형성하는 방법 | |
JP2005045289A (ja) | 素子製造方法および素子製造装置 | |
US20070298601A1 (en) | Method and System for Controlled Plating of Vias | |
CN108135091A (zh) | 线路板的制作方法及线路板 | |
KR101258869B1 (ko) | 플립칩 실장을 위한 미세 피치의 금속 범프 제조 방법 | |
WO2004038471A1 (en) | An optical board with electrical and optical wiring layers and a method of its production | |
JPH07176565A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
TW201320285A (zh) | 內埋元件之多層基板的製造方法 | |
CN117855351A (zh) | 一种微型发光二极管背光的制造方法、一种半导体设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |