JP2004244667A - 真空アーク蒸着装置および磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】成膜時における成膜面へのパーティクルの流入をより顕著に低減可能な真空アーク蒸着装置を実現すること。
【解決手段】ステンレスパイプの内側に、成膜面に流入しようとするパーティクルの軌道を遮って、アーク放電により発生したパーティクルが真空成膜チャンバへ流入することを阻止するためのバッフル構造を備える。バッフル構造は、平板状のリング部材である薄板２０が、隣り合う薄板２０が互いに平行になるようにして薄板２０の内周部と外周部、円周方向には９０度ずつ４箇所の計８本のワイヤー２１で結合されたものである。
【選択図】 図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は真空アーク蒸着装置および磁気記録媒体に関し、特に詳細には、耐摺動部材または耐摩耗部材のコーティングに用いられる硬質被膜を形成するために用いられる真空アーク蒸着装置、および、該硬質被膜および該硬質被膜を保護膜として有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
耐摺動部材または耐摩耗部材のコーティングに用いられる硬質被膜のうち、カーボンを用いたものとしてダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）膜がある。ＤＬＣ膜は、表面平滑性に優れ、硬さも大きいことから表面被膜として適している。
【０００３】
そのような硬質被膜を形成するために、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、または真空アーク蒸着法等が用いられてきている。従来の真空アーク蒸着装置の一例であるフィルタード・カソーディック・アーク（ＦＣＡ）蒸着装置の構成例を図１に示す。
【０００４】
図１の構成例において、アーク源Ｓａで発生させた陰極物質プラズマＰを、１／４円弧状に湾曲した磁気フィルター１０を用いて、真空成膜チャンバ１４に収容された被成膜基板１３まで陰極物質プラズマビームＰｂとして誘導し、被成膜基板１３上に陰極物質イオンから膜を形成する。この真空アーク蒸着装置において陰極物質として炭素（グラファイト）を用いた場合、形成される膜は水素を含まず、ｓｐ^３結合炭素に富んだ硬さの大きいテトラヘドラル・アモルファス・カーボン（ｔａ−Ｃ）になることが知られている。
【０００５】
磁気フィルター１０はコアパイプ１１およびコアパイプ１１に巻いた電磁石コイル１２から成る。アーク放電時には陰極ターゲット１６からは陰極物質イオンの他にパーティクルも発生する。原理的には磁気フィルター１０は荷電粒子である電子および陰極物質イオンのみを誘導し、パーティクルは誘導しないが、実際には磁気フィルター１０内を反射して成膜面に入り込むパーティクルが存在する。このようにパーティクルが成膜面に流入することは、形成した膜を耐摺動部材または耐摩耗部材の表面被膜として用いる場合に好ましくない。
【０００６】
成膜面へのパーティクルの流入を防ぐ方法として、特許文献１にバッフルが示されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−３３５８３７号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
パーティクルはバッフルに衝突して除去され得るが、その効果は充分とは言えず、より顕著にその効果を得るためには、バッフルの形状を特定化する必要があると考えられる。
【０００９】
本発明の目的は、成膜時における成膜面へのパーティクルの流入をより顕著に低減できる特定形状のバッフルを有するプラズマ誘導手段を備えた真空アーク蒸着装置、および、該真空アーク蒸着装置を用いて成膜される高硬度の被膜を有する磁気記録媒体を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明では、真空に排気される真空室と、該真空室に収容される基体に成膜するための成膜原料を陰極ターゲットとしてアーク放電する放電手段と、前記真空室と前記放電手段の間に配設されており、前記アーク放電により発生した陰極物質プラズマを、コイルに通電されて発生した磁場により前記真空室に誘導して前記基体に蒸着させるための筒状のプラズマ誘導手段とを備えた真空アーク蒸着装置において、前記プラズマ誘導手段の内側に配設されており、前記アーク放電により発生したパーティクルが前記真空室へ流入することを阻止するために所定の位置関係で配置された複数の面を含んでなるパーティクル阻止手段を備える真空アーク蒸着装置を実施した。
【００１１】
また、基体と、該基体上に配置された磁気記録層と、上記の真空アーク蒸着装置を用いて前記磁気記録層上に形成された保護膜とを備えた磁気記録媒体であって、前記保護膜のパーティクル含有量が所定量以下とされている磁気記録媒体を実施した。
【００１２】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１の構成例に示した装置を作製した。
【００１３】
アーク源Ｓａの陰極１６には純度９９．９９９％、直径３０ｍｍ、厚さ３０ｍｍの円柱状のグラファイト（炭素）を用い、これを直流アーク電源Ｅに接続した。また陰極表面に接触させてアーク放電を開始させるためのストライカー１５を設置してある。陰極１６、陽極１７はアーク放電時の加熱を防ぐために水冷式となっている（図示せず）。
【００１４】
磁気フィルター１０は外径７６ｍｍ、内径７０ｍｍ、曲率半径３００ｍｍの１／４円弧状のステンレスパイプ１１と、これをコアとして、線径２ｍｍのポリエステル被覆銅線を巻いた電磁石コイル１２からなる。電磁石コイル１２の単位長さ当たりの巻き数は１０００ターン／ｍである。
【００１５】
ステンレスパイプ１１の内側に、図２に示す通り、アーク放電時に陰極ターゲットから発生し磁気フィルター１０内を反射して成膜面に流入しようとするパーティクルの軌道を遮って、アーク放電により発生したパーティクルが真空成膜チャンバ１４（図１）へ流入することを阻止するための構造（以下、バッフル構造）を作製した。このバッフル構造は、外径６５ｍｍ、内径５０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの平板状のリング部材である薄板２０が、隣り合う薄板２０が互いに平行になるようにして薄板２０の内周部と外周部、円周方向には９０度ずつ４箇所の計８本のワイヤー２１で結合されて並設されたものである。ここでは、隣り合う薄板２０同士の間隔（板厚を考えない場合の間隔、つまりピッチ）は５ｍｍとした。
【００１６】
バッフル構造としては、後述の如く種々の変形例を実施することができる。
【００１７】
このようにして成るバッフル構造は、平板状のリング部材である薄板２０の外周側端面を覆うように、薄板２０とステンレスパイプ１１の間に配置されるシールド材２２とともに磁気フィルター１０の形状に沿って曲げられ、磁気フィルター１０への取り付け、取り外しを内部から自在に行なえるようになっている。シールド材２２には例えばアルミ箔、銅箔等を使用することができる。
【００１８】
磁気フィルター１０内に取り付けた場合、その曲率のため厳密にはバッフル構造の隣り合う薄板２０同士の相対角度は若干変わるが、ほぼ平行を保っている。ここで、平板状のリング部材である薄板２０の材質としてステンレスを用いたが、他の非磁性材料を用いてもよい。
【００１９】
真空成膜チャンバ１４内には直径６５ｍｍのアルミニウムディスクを被成膜基板１３として設置した。また、磁気フィルター１０と被成膜基板１３の間にはシャッター１９が設けられている。
【００２０】
ストライカー１５を陰極１６の表面に接触させてアーク放電を開始した後、シャッター１９を開けて成膜を行った。アーク放電中の陰極電圧は−３０Ｖ、放電電流は１２０Ａであり、磁気フィルター１０の内部磁場は被成膜基板１３に向かう向きで０．０１Ｔとした。また、プラズマビームＰｂをＸ方向のラスターコイル１８およびＹ方向のラスターコイル（図示せず）により走査し、被成膜基板１３全面に膜を形成した。膜厚は５ｎｍとした。
【００２１】
成膜面上のパーティクルを外観検査装置（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｄｅｆｅｃｔ Ａｎａｌｙｚｅｒ）で評価した。被成膜基板１３の直径６５ｍｍの成膜面に存在する１μｍ以上の粒子をパーティクルとしてカウントした。
【００２２】
図２のバッフル構造を用いた場合、カウントされたパーティクル数は１４００個／面と少なかった。
【００２３】
また、実施形態１と同様の構成において、バッフル構造を修正して、平板状のリング部材である薄板２０として厚さ１．０ｍｍのものを用いた変形例の場合にも、カウントされたパーティクル数は２４００個／面と比較的少なかった。
【００２４】
いずれも、成膜実験を繰り返し行った後には、容易にバッフル構造を取り外して交換することができた。したがって、成膜を多く繰り返すとバッフル構造にパーティクルが溜まって、そのパーティクル低減効果が減少することや、成膜の繰り返しにより溜まったパーティクルが剥離して２次的なパーティクルの発生源となることを未然に防止することができる。
【００２５】
バッフル構造が磁気フィルタ１０の内壁を内側から完全に覆っているため、パーティクルによる磁気フィルター１０の内壁の汚染もなかった。したがって、磁気フィルター１０自体の清掃を別途必要とせず、メンテナンスが容易となる。
【００２６】
（比較例１）
図１に示した装置において、磁気フィルター１０内で、ステンレスパイプ１１のさらに内側に、外径５６ｍｍ、内径５０ｍｍ、曲率半径３００ｍｍの１／４円弧状の別のステンレスパイプ（図示せず）を、中心軸を磁気フィルター１０の軸方向に合わせて設置し、成膜を行った。ステンレスパイプ１１の内側にさらにステンレスパイプを有する点以外は実施形態１と同様の条件である。
【００２７】
この場合、カウントされたパーティクル数は２５００００個／面と非常に多かった。
【００２８】
（実施形態２）
図１に示した装置において、図３に示すバッフル構造を用いて成膜を行った。このバッフル構造には、向きの異なる載頭錐体状のリング部材を交互に複数連結して筒状部材としたもの（以下、蛇腹状バッフル構造と称する）を用いた。ここで、リング部材は厚さ０．１ｍｍであり、隣り合う薄板３０同士の相対角度が約１０度となるように結合させ、外径６５ｍｍ、内径５０ｍｍとなるようにした。内径側の結合部分の詳細な形状は図８（ａ）に示されており、外径側の結合部分の詳細な形状も同様である。図示したバッフル構造以外は実施形態１と同様の条件とし、蛇腹状バッフル構造は磁気フィルター１０に内部から取り付け、取り外しできるようになっている。
【００２９】
この場合、カウントされたパーティクル数は２３００個／面と比較的少なかった。
【００３０】
また、隣り合う薄板３０同士の相対角度が約２０度となるように結合させ、外径６５ｍｍ、内径５０ｍｍとなるように変形例を実施した場合にも、カウントされたパーティクル数は４７００個／面と比較的少なかった。
【００３１】
いずれも、成膜実験を繰り返し行った後には、容易にバッフル構造を取り外して交換することができた。したがって、成膜を多く繰り返すとバッフル構造にパーティクルが溜まって、そのパーティクル低減効果が減少することや、成膜の繰り返しにより溜まったパーティクルが剥離して２次的なパーティクルの発生源となることを未然に防止することができる。
【００３２】
バッフル構造が磁気フィルタ１０の内壁を内側から完全に覆っているため、パーティクルによる磁気フィルター内壁の汚染もなかった。したがって、磁気フィルター１０自体の清掃を別途必要とせず、メンテナンスが容易となる。
【００３３】
（比較例２）
図１に示した装置において、図４に示すバッフル構造を用いて成膜を行った。図４は、厚さ０．１ｍｍの薄板４０で蛇腹状バッフル構造を構成した例を示す。ここで、リング部材は厚さ０．１ｍｍであり、隣り合う薄板４０同士の相対角度が約３０度となるように結合させ、外径６５ｍｍ、内径５０ｍｍとなるようにした。内径側の結合部分の詳細な形状は図８（ａ）に示されており、外径側の結合部分の詳細な形状も同様である。図示したバッフル構造以外は実施形態１と同様の条件とした。
【００３４】
この場合、カウントされたパーティクル数は２００００個／面と多かった。
【００３５】
また、隣り合う薄板４０同士の相対角度が約４５度となるように結合させ、外径６５ｍｍ、内径５０ｍｍとなるように変形例を実施した場合にも、カウントされたパーティクル数は５１０００個／面と多かった。
【００３６】
さらに、隣り合う薄板４０同士の相対角度が約９０度となるように結合させ、外径６５ｍｍ、内径５０ｍｍとなるように別の変形例を実施した場合には、カウントされたパーティクル数は１３００００個／面とさらに多かった。
【００３７】
実施形態１および２、並びに比較例１および２により得られた、カウントされたパーティクル数と隣り合う薄板同士の相対角度との関係を図５に示す。図５において、（相対角度）＝０度のケースは実施形態１を、（相対角度）＝１０度および２０度のケースは実施形態２を、（相対角度）＝３０度および４５度および９０度のケースは比較例２および変形例を、（相対角度）＝１８０度のケースは比較例１を、それぞれ示している。
【００３８】
図５から、相対角度が２０度以下の場合（実施形態１および２）は、アーク源Ｓａから成膜面へ流入するパーティクルを阻止して大幅に低減できることが明らかである。この効果は、磁気フィルター１０内を反射して成膜面に流入しようとするパーティクルがバッフル構造に流入し、バッフル構造の内側で対向する薄板２０（３０）同士の間で反射したパーティクルのほとんどが薄板２０（３０）の表面に吸着されるまで反射を繰り返し、再び磁気フィルター１０内の空間に飛び出すことなく捕獲される作用があり、相対角度が２０度以下でこの作用が効果的に発揮されるためである。
【００３９】
（比較例３）
図１に示した装置において、ステンレスパイプ１１の内側に、図６に示すバッフル構造を構成したものを用いて成膜を行った。このバッフル構造は、ステンレスパイプ１１の軸方向と略垂直な向きに所定間隔で複数の凹部６１と凸部６２が交互に並設されて波型に構成されたステンレスパイプ６０である。凹部６１と凸部６２は薄板を湾曲させて形成され、ここで、ステンレスパイプ６０の内側から見て凹んだ部分を凹部６１、ステンレスパイプ６０の外側から見て凹んだ部分を凸部６２とする。凹部６１および凸部６２の軸方向長さ（板厚を考えない場合の長さ）は２．５ｍｍ、波型のピッチは５ｍｍとした。ここで、凹部６１および凸部６２の対向する壁面同士は平行である。バッフル構造以外は実施形態１と同様の条件である。
【００４０】
この場合、カウントされたパーティクル数は２２０００個／面と多かった。
【００４１】
ここで、実施形態１、並びに比較例１および３におけるパーティクル数の突起状構造端面比率依存性を図７に示す。ここで、突起状構造端面とは、実施形態１における薄板２０または比較例３における凸部６２の磁気フィルター１０の中心部側の端面である。比較例１における突起状構造端面とは、ステンレスパイプ１１とは別のステンレスパイプの内面である。
【００４２】
薄板２０の端面は図８（ａ）に示すように、凸部６２の端面は図８（ｂ）に示すようにそれぞれ半円状になっている。そこで、磁気フィルター１０の軸方向の端面の長さｄの２／３のみがパーティクルを成膜面へ向けて反射させる実効的な端面になり得ると仮定し、磁気フィルター内壁面に対する面積比率として突起状構造端面比率を算出した。
【００４３】
図７を参照すると、実施形態１では、板厚０．２ｍｍと間隔５ｍｍと上記比率から（端面比率）＝（０．２＊２／３）／５＝０．０２６、実施形態１の変形例では同様に計算して（端面比率）＝０．１３３となり、これらのとき、パーティクル数は前述の通り良好な値（それぞれ１４００個、２４００個）が得られた。比較例３では、凸部６２の軸方向長２．５ｍｍと波型のピッチ５ｍｍと上記比率から（端面比率）＝（２．５＊２／３）／５＝０．３３３となり、このとき、パーティクル数は前述の通り２２０００個であった。比較例１では、ステンレスパイプ１１とは別のステンレスパイプの内面は軸方向にフラットであることから（端面比率）＝１と考え、このとき、パーティクル数は前述の通り２５００００個であった。
【００４４】
上記端面はパーティクルを成膜面へ向けて反射させる面となり得るが、突起状構造端面比率が０．２以下の場合（実施形態１）は、パーティクルが成膜面まで到達する確率を非常に小さいものとすることができ、成膜面へのパーティクルの流入を大幅に低減可能なことが明らかである。
【００４５】
（比較例４）
図１に示した装置において、図２に示すバッフル構造の隣り合う薄板２０同士の間隔（板厚を考えない場合の間隔、つまりピッチ）を１０ｍｍとしたバッフル構造を用いて成膜を行った。バッフル構造以外は実施形態１と同様の条件である。
【００４６】
この場合、カウントされたパーティクル数は３２０００個／面と多かった。
【００４７】
また、薄板間の間隔を１５ｍｍとした変形例の場合には、カウントされたパーティクル数は１１００００個／面と多かった。
【００４８】
ここで、実施形態１および比較例４におけるパーティクル数の突起状構造依存性を図９に示す。ここで、突起状構造とは以下に説明する寸法ａと寸法ｂの比率を言い、図１０に示すように、ａは実施形態１または比較例４における薄板２０または４０の磁気フィルター断面径方向の長さ、ｂは磁気フィルター軸方向の間隔（＝ピッチ）である。
【００４９】
実施形態１では、ａ＝７．５ｍｍ、ｂ＝５ｍｍから（ａ／ｂ）＝１．５となり、このとき、パーティクル数は前述の通り良好な値（１４００個）が得られた。比較例４では、ａ＝７．５ｍｍ、ｂ＝１０ｍｍから（ａ／ｂ）＝０．７５となり、このとき、パーティクル数は前述の通り３２０００個であった。比較例４の変形例では、ａ＝７．５ｍｍ、ｂ＝１５ｍｍから（ａ／ｂ）＝０．５となり、このとき、パーティクル数は前述の通り１１００００個であった。
【００５０】
ａ／ｂ≧１の場合（実施形態１の場合に該当し、薄板２０の平行に延伸する面と面の間隔が、両面が磁気フィルタ１０の軸方向に対して略垂直な向きに延伸する距離と等しいか、または該対向する距離より小さい場合）に、成膜面へのパーティクルの流入を大幅に低減可能なことが明らかである。
【００５１】
ｂがａよりも大きい場合、パーティクルがバッフル構造の底に反射して飛び出してくる確率が大きくなるため、ａ／ｂ≧１とすることが望ましいと考えられる。
【００５２】
なお、実施形態１において、ａは陰極物質プラズマビームの通過を妨げない程度の長さとなっている。
【００５３】
（実施形態３）
図１に示した装置において、図１１に示すバッフル構造を用いて成膜を行った。このバッフル構造には、向きの揃った複数の載頭錐体状のリング部材である薄板１１０をワイヤー１１２で連結して、薄板１１０の面が磁気フィルタ１０の軸方向に対して約４５度傾いた状態で並設されたものを用いた。
【００５４】
実施形態３のバッフル構造は、両端の直径の異なるステンレス製の複数の薄板１１０（内径Ｄ１＝５０ｍｍ、外径Ｄ２＝６５ｍｍ、板幅Ｄ＝１０．６ｍｍ）が、隣り合う薄板１１０同士が平行になるようにして薄板１１０の内周部と外周部、円周方向には９０度ずつ４箇所の計８本のワイヤー１１２で結合されたものである。ここで、薄板１１０同士の磁気フィルター１０の軸方向の間隔（板厚を考えない場合の間隔、つまりピッチ）は５ｍｍとした。
【００５５】
このようにして成るバッフル構造は、薄板１１０の外周側端面を覆うように、薄板１１０とステンレスパイプ１１の間に配置されるシールド材１１５とともに磁気フィルター１０の形状に沿って曲げられ、内部から磁気フィルター１０への取り付け、取り外しができるようになっている。バッフル構造以外は実施形態１と同様の条件である。
【００５６】
この場合、カウントされたパーティクル数は９７０個／面と少なかった。
【００５７】
また、成膜実験を繰り返し行った後には、容易にバッフル構造を取り外して交換することができた。したがって、成膜を多く繰り返すとバッフル構造にパーティクルが溜まって、そのパーティクル低減効果が減少することや、成膜の繰り返しにより溜まったパーティクルが剥離して２次的なパーティクルの発生源となることを未然に防止することができる。
【００５８】
バッフル構造が磁気フィルタ１０の内壁を内側から完全に覆っているため、パーティクルによる磁気フィルター１０の内壁の汚染もなかった。したがって、磁気フィルター１０自体の清掃を別途必要とせず、メンテナンスが容易となる。
【００５９】
（実施形態４）
実施形態１乃至３のいずれかの真空アーク蒸着装置を用い、真空成膜チャンバ１４に収容された磁気記録層まで形成されたディスクを被成膜基板１３として、その上に保護膜を形成して磁気記録媒体を製造することができる。
【００６０】
このようにして形成された保護膜は、陰極物質としてグラファイト（炭素）を用いていることから、水素を含まず、ｓｐ^３結合炭素に富んだ高硬度のテトラヘドラル・アモルファス・カーボンからなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る真空アーク蒸着装置の構成を示す図である。
【図２】平板状のリング部材を並設したバッフル構造を備える実施形態１の構成図である。
【図３】向きの異なる載頭錐体状のリング部材を交互に複数連結して筒状部材とした蛇腹状バッフルを備える実施形態２の構成図である。
【図４】比較のために、隣り合う薄板間の相対角度を３０度とした蛇腹状バッフルの構成図である。
【図５】パーティクル低減効果の隣り合う薄板がなす相対角度依存性を示した図である。
【図６】比較例３におけるバッフル構造（波型状バッフル）の構成図である。
【図７】パーティクル低減効果の磁気フィルター内壁面に対する突起状構造端面比率依存性を示した図である。
【図８】実施形態１、並びに比較例３におけるパーティクル数の突起状構造端面比率について説明する図である。
【図９】パーティクル低減効果の薄板長さａ／ピッチｂ依存性を示した図である。
【図１０】パーティクル低減効果の薄板長さａ／ピッチｂ依存性を説明するための図である。
【図１１】実施形態３におけるバッフル構造の構成図である。
【符号の説明】
１０ 磁気フィルター
１１ コアパイプ（ステンレスパイプ）
１２ 電磁石コイル
１３ 被成膜基板
１４ 真空成膜チャンバ
１５ ストライカー
１６ 陰極（陰極ターゲット）
１７ 陽極
１８ ラスターコイル
１９ シャッター
２０，３０，４０，１１０ 薄板
２１，１１２ ワイヤー
２２，１１５ シールド材
６０ ステンレスパイプ
６１ 凹部
６２ 凸部

Claims (16)

1. 真空に排気される真空室と、
   該真空室に収容される基体に成膜するための成膜原料を陰極ターゲットとしてアーク放電する放電手段と、
   前記真空室と前記放電手段の間に配設されており、前記アーク放電により発生した陰極物質プラズマを、コイルに通電されて発生した磁場により前記真空室に誘導して前記基体に蒸着させるための筒状のプラズマ誘導手段と
   を備えた真空アーク蒸着装置において、
   前記プラズマ誘導手段の内側に配設されており、前記アーク放電により発生したパーティクルが前記真空室へ流入することを阻止するために所定の位置関係で配置された複数の面を含んでなるパーティクル阻止手段を備えたことを特徴とする真空アーク蒸着装置。
2. 請求項１に記載の真空アーク蒸着装置において、
   前記パーティクル阻止手段は、所定角度で対向する第１および第２の反射面が複数対、前記プラズマ誘導手段の軸方向と略垂直な向きに配設されてなり、前記第１の反射面に入射した前記パーティクルが前記第１の反射面と前記第２の反射面の間で反射されることで、前記パーティクルが前記第１および／または第２の反射面に吸着される構成とされることを特徴とする真空アーク蒸着装置。
3. 請求項２に記載の真空アーク蒸着装置において、
   前記パーティクル阻止手段は、前記略垂直な向きに所定間隔で並設された複数のリング部材と、該複数のリング部材を前記所定間隔で連結する連結手段とを含み、該複数のリング部材がそれぞれ前記第１および第２の反射面を有することを特徴とする真空アーク蒸着装置。
4. 請求項３に記載の真空アーク蒸着装置において、
   前記複数のリング部材は平板状の形状をなしており、
   隣り合うリング部材の前記第１の反射面と前記第２の反射面同士が前記所定角度をなすことを特徴とする真空アーク蒸着装置。
5. 請求項３に記載の真空アーク蒸着装置において、
   前記複数のリング部材は載頭錐体状の形状をなしており、
   隣り合うリング部材の前記第１の反射面と前記第２の反射面同士が前記所定角度をなすことを特徴とする真空アーク蒸着装置。
6. 請求項４または５に記載の真空アーク蒸着装置において、
   前記所定角度は略平行であり、
   前記第１の反射面と前記第２の反射面の間隔は、両反射面が前記略垂直な向きに延伸する距離と等しいか、または該延伸する距離より小さい
   ことを特徴とする真空アーク蒸着装置。
7. 請求項３乃至６のいずれかに記載の真空アーク蒸着装置において、
   前記パーティクル阻止手段と前記プラズマ誘導手段の間に、前記パーティクル阻止手段を覆うシールド部材を配設されてなることを特徴とする真空アーク蒸着装置。
8. 請求項２に記載の真空アーク蒸着装置において、
   前記パーティクル阻止手段は筒状部材であり、該筒状部材の内側に、前記略垂直な向きに所定間隔で複数の凸部が並設されており、該複数の凸部がそれぞれ前記第１および第２の反射面を有することを特徴とする真空アーク蒸着装置。
9. 請求項８に記載の真空アーク蒸着装置において、
   前記筒状部材は、前記プラズマ誘導手段の内壁を内側から完全に覆うことを特徴とする真空アーク蒸着装置。
10. 請求項８または９に記載の真空アーク蒸着装置において、前記複数の凸部のうち、隣り合う凸部の前記第１の反射面と前記第２の反射面同士が前記所定角度をなすことを特徴とする真空アーク蒸着装置。
11. 請求項１０に記載の真空アーク蒸着装置において、
    前記所定角度は２０度以下であり、
    前記第１の反射面と前記第２の反射面の間隔は、両反射面が前記略垂直な向きに延伸する距離と等しいか、または該延伸する距離より小さく、さらに、
    前記複数の凸部の前記軸方向の長さの合計の２／３と、前記パーティクル阻止手段の前記軸方向の長さの比が１／５以下である
    ことを特徴とする真空アーク蒸着装置。
12. 請求項１１に記載の真空アーク蒸着装置において、
    前記所定角度は略平行であることを特徴とする真空アーク蒸着装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれかに記載の真空アーク蒸着装置において、
    前記パーティクル阻止手段は、前記プラズマ誘導手段に対して着脱自在とされていることを特徴とする真空アーク蒸着装置。
14. 請求項１乃至１３のいずれかに記載の真空アーク蒸着装置において、
    前記成膜原料は炭素であることを特徴とする真空アーク蒸着装置。
15. 基体と、該基体上に配置された磁気記録層と、請求項１乃至１３のいずれかに記載の真空アーク蒸着装置を用いて前記磁気記録層上に形成された保護膜とを備えた磁気記録媒体であって、
    前記保護膜は、パーティクルの含有量が所定量以下とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
16. 基体と、該基体上に配置された磁気記録層と、請求項１４に記載の真空アーク蒸着装置を用いて前記磁気記録層上に形成された保護膜とを備えた磁気記録媒体であって、
    前記保護膜は、パーティクルの含有量が所定量以下で、高硬度のテトラヘドラルアモルファスカーボンからなることを特徴とする磁気記録媒体。

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