JPH09512447A - ブレードの非晶質ダイヤモンドコーティング - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 好ましくは濾波陰極アークソースを採用し、非晶質ダイヤモンドを用いた硬質炭素ブレード被膜により、鋭利で耐久性の剃刀ブレード（１６、２０、４４）または類似の刃物を製造する方法。少なくとも４０％ｓｐ3 炭素結合、少なくとも４５ギガパスカルの硬度および少なくとも４００ギガパスカルのモジュラスを有する非晶質ダイヤモンド（６０）の被膜を基質（５０）の鋭利化されたエッジに施す。基質は機械的に研磨してもよく、かつ基質と非晶質ダイヤモンド被膜との間には中間層がない。この被膜は高いアスペクト比を維持しながら硬度ブレードに硬度と剛性とを付与する。

Description

【発明の詳細な説明】 ブレードの非晶質ダイヤモンドコーティング 本発明は改良された剃刀および剃刀ブレード、ならびに鋭利で耐久性の刃先を 有する剃刀ブレードまたは類似刃物の製造法、特に濾波陰極アークプラズマソー スを用いたブレードの非晶質ダイヤモンド被膜、に関するものである。本発明は 、剃刀ブレードの極めて薄い刃先上に高いアスペクト比の、極めて堅い剛性のあ る被膜を形成させるのに特に有用である。 剃刀ブレードは典型的には適当な基質物質、例えば金属またはセラミック、か ら形成され、かつエッジは約１，０００Åまたはそれ未満の半径を持つ最終エッ ジまたは先端を伴った、楔形形状で形成され、その楔形表面は３０度未満の開先 角度をなしている。剃髪動作が厳しいとブレードエッジがしばしば損傷するので 、剃髪能力を高めるために、ならびに／または剃髪エッジの硬度および／もしく は耐食性を増加させるために、補足被膜物質からなる１またはそれより多い層を 使用して剃髪を容易にすることが提案されいる。 多くの被膜物質、例えば重合体状物質および金属、ならびに、ダイヤモンド状 炭素（ＤＬＣ）物質を包含する他の物質が提案されている。そのような層または 補足物質層の各々は、剃刀ブレードの有用期間に亙って基質に強固に接着して残 るような接着相容性を有すべきであり、かつ剃髪エッジの形状および切れ味に逆 効果を及ぼさずに、改良された剃髪性、改良された硬度および／または耐食性の ような特性を提供することが望ましい。 Ｂａｃｈｅらの米国特許第５，０３２，２４３号明細書には、剃刀ブレードエ ッジに向けたビーム軸をもつイオンソースからのイオン衝撃により鋭利化された ブレード基質物質が記載されている。Ｐａｒｅｎｔらの米国特許第５，２３２， ５６８号明細書およびＨａｈｎらの米国特許第５，２９２，３０５号明細書には 、基質とダイヤモンド状被膜との間に置かれた１つの中間層を有するブレードが 開示されており、この中間層は基質上に堆積し、次いでダイヤモンド状被膜がそ の中間層上に堆積している。 これまでの解決法は完全に成功だというわけではないので、Ｂａｃｈｅらの特 許明細書に開示されたイオンビーム形成よりも寧ろ）機械的研磨法を単に用いて 鋭利化された基質を形成させ、次いで（中間層を堆積させる中間工程なしに）基 質上に非晶質ダイヤモンドを直接堆積させるのが望ましいはずである。したがっ て、機械的研磨により作った薄ブレード基質から出発し、この基質上に非晶質ダ イヤモンド被膜を直接堆積させて基質上に堅さと剛性の両方を付与し得ることが 望ましい。 本発明によれば、基質の鋭利化されたエッジに非晶質ダイヤモンド物質の被膜 を施すことにより、改良された機械的性質を持つ剃刀ブレードの刃先が提供され る。そのような物質はｓｐ3 炭素結合を少なくとも４０％、硬度が少なくとも４ ５ギガパスカル、およびモジュラスが少なくとも４００ギガパスカルであること により特徴付けできる。さらに、そのような物質は熱水溶液および剃髪中に通常 使用する化合物類により腐食されない。これらの特性を示す物質は、本開示の以 後の説明中で非晶質ダイヤモンドと呼称されるであろう。本発明の非晶質ダイヤ モンド物質とは対照的に、従来法、例えばスパッタリング、で作った伝統的ダイ ヤモンド状炭素被膜（ＤＬＣ）は、そのような高い硬度を示さない。本発明の非 晶質ダイヤモンドとは異なって、ＤＬＣ被膜は典型的には３０ギガパスカルを越 えない硬度を示す。 施した非晶質ダイヤモンド被膜の極端な硬度と剛性が、極めて薄い剃刀ブレー ドエッジに対して強度を付与する。Ｃｕｒｒｙらの米国特許第４，７２０，９１ ８号明細書にはこのタイプのブレードが記載されており、したがってこれらを例 として本明細書に含めるが、制約が考慮される必要はない。非常に薄いブレード エッジは剃髪の快適さを増加させるが、そのエッジが剃髪に耐え得るに十分強い 限りにおいてのみ実用的である。米国特許第４，７２０，９１８号明細書中に記 載されているものも含めて、かつそれらのみに限定されないが、非晶質ダイヤモ ンドの４００〜２０００Åまで強化された薄いエッジは、今日剃髪で使用される エッジよりも有意に一層薄い仕上げエッジからなり、同時に非晶質ダイヤモンド 被膜の十分な強さに起因する、剃髪に耐え得るに十分な強度を伴っている。 薄いエッジにさらに寄与するのは、非晶質ダイヤモンド被膜の製造で本発明に 使用する特定の陰極アーク堆積法により達成される、高いアスペクト比である。 この「アスペクト比」については、図３を参照しながら次の持論中で一層詳細に 説明するが、この要旨の目的に対しては（ａ）：（ｂ）比として理解しうる。こ こで（ａ）は被膜の先端から基質の先端に至る第１距離であり、（ｂ）は被膜面 から基質の先端に至る第２距離である。 このアスペクト比はその下にある基質のブレードエッジの形状大きさに及ぼす 被膜の効果の有用な尺度を提供する−−−被膜のアスペクト比が一層大きいまた は一層高いほど、低いアスペクト比で被覆されたブレードと比較した場合被覆ブ レードは「より鋭い」。本発明の非晶質ダイヤモンド塗膜の非凡な強度のさらな る結果として、通常の断面を有する剃刀ブレード上にそのような被膜を適用する と一層長い剃髪寿命が期待され得る。 本発明の１提案によれば、楔形エッジ、およびその楔形エッジの先端およびフ ランク上の非晶質ダイヤモンド層が提供され、層の好ましい厚さは少なくとも４ ００Åであり、これが約５００Å未満の先端半径をおよび約２：１〜４：１のア スペクト比の範囲を決めている。このブレードは優れた剃髪性と長寿命を示す。 好ましい実施対様では、この剃刀ブレード基質は鋼製であり、その非晶質ダイ ヤモンド被膜は鋼基質の少なくとも４倍硬く、その楔形エッジは遂次的機械研磨 工程で作られ、かつその非晶質ダイヤモンド層は濾波陰極アーク(filtered cath odic arc)ソースとして用いた黒鉛ターゲットから供給される炭素イオンから形 成される。 本発明の他の１提案によれば、剃刀ブレードを形成させる方法が提供され、こ の方法中には、基質を提供する工程、３０度未満の開先角度および好ましくは１ ，２００Å未満の先端半径（すなわち、かかる最終先端を少なくとも２５，００ ０倍の走査電子顕微鏡下で観察した際の、エッジの最終先端より内側に位置し得 る最大円の推定半径）を有する楔形の鋭利化されたエッジをこの基質のエッジ上 に形成させる工程、および陰極アーク気化法により鋭利化されたエッジ上に非晶 質ダイヤモンドの層を堆積させて約１０００Å未満の非晶質ダイヤモンド層の最 終先端における半径を提供させる工程、が包含される。この非晶質ダイヤモンド 層はいずれも高度にイオン化された形態の炭素をエネルギー的に堆積させる各種 の方法で堆積できる。陰極アーク法、陽極アーク法、炭化水素ガスのプラズマ分 解法、誘導連結ｒｆによる後イオン化を用いたスパッター法、レーザー融蝕法、 レーザー吸収ウエーブ堆積法（ＬＡＷＤ）、および直接イオンビーム堆積法がこ の目的に使用される。本発明の好ましい実施態様では濾波陰極アーク法の１種を 使用する。 具体的な１方法では、基質を連続研磨工程で機械的に研磨して鋭利化されたエ ッジを形成させ、濾波陰極アーク法により非晶質ダイヤモンド層を堆積させ、こ の際の刃先の非晶質ダイヤモンド被膜の厚さは少なくとも４００Åであり、非晶 質ダイヤモンド層のｓｐ3 炭素結合は少なくとも４０％であり、かつ密着性高分 子被膜を非晶質ダイヤモンド被覆刃先上に施すこともできる。 本発明の他の１実施態様によれば、ブレードエッジ（１つまたは複数）の前方 および後方にあるユーザーの皮膚を噛み合わせるための外部表面を有するブレー ド支持構造体およびこの支持構造に固定された少なくとも１つのブレード部材か らなる剃髪ユニットが提供される。この支持構造体に固定された剃刀ブレード構 造体中には、鋭利化された先端から４０ミクロメーターの距離において１７度未 満の開先角度を有する小面で区画された楔形刃先をもつ基質、および上記基質の 鋭利化された先端から、この鋭利化された先端から４０ミクロメーターの距離ま でに、少なくとも４００Åの厚さを有する強化物質層が包含され、この強化物質 の最終半径は５００Å未満であり、そのアスペクト比は２：１〜４：１である。 １つの特定剃髪ユニットでは、この剃刀ブレード構造中には２つの鋼製基質が 包含され、その楔形エッジは皮膚噛み合わせ面の間に互いに平行に配設され、上 記エッジ強化層は厚さは約１０００Åの非晶質ダイヤモンドから作られ（典型的 には基質および処理パラメーターに依存して４００〜２０００Åの範囲）、かつ この非晶質ダイヤモンドはｓｐ3 炭素結合が少なくとも４０％であり、硬度が少 なくとも４５ギガパスカルであることを特徴とし、さらに非晶質ダイヤモンド物 質の各層上には密着性ポリマー被膜がある。 上記剃髪ユニットは、剃刀ハンドルへの装着および脱着に適した廃棄可能なカ ートリッジ式のものであったり、またはブレードもしくはブレード類が使用不能 になった場合に剃刀一式を１ユニットとして廃棄できるようにハンドルで統合し 得るようなものである。前方および後方の皮膚かみ合わせ面はブレードエッジ（ １または複数）と連動して剃髪用形状寸法を区画している。特に好ましい剃髪ユ ニットは米国特許第３，８７６，５６３号および同第４，５８６，２５５号各明 細書に記載のタイプのものである。 所望の非晶質ダイヤモンド被膜を施すためのプロセス条件を包含する、本発明 の他の特徴および有利な点は、具体的な実施態様の下記の記載を図面との関連づ けて判読することにより明瞭になるであろう。 図１は本発明の剃髪ユニットの透視図であり、 図２は本発明の剃髪ユニットの他の１透視図であり、 図３は本発明の剃刀ブレードのエッジの形状寸法の１例を説明する略図であり 、 図４は本発明の実施に対する装置の略図であり、 図１Ａ−６Ａは後のアタッチメントＡ中に記載された同時係属米国特許出願第 ０８／２３３，００６号明細書の説明図である。 次の記載において、ブレード、基質および非晶質ダイヤモンド被膜の好ましい 各種実施態様の特徴と性質を説明し、次いで所望の被膜を堆積するためのプロセ ス条件を開示する。 図１を参照するに、剃髪ユニット１０中には、剃刀ハンドルへのアタッチメン ト用の構造が包含され、かつ前方に横切って伸長する皮膚噛み合わせ面１４を区 画する構造を包含する高耐衝撃性ポリスチレン製プラットホーム部材１２が包含 される。プラットホーム部材１２上には鋭利化されたエッジ１８を有するリード ブレード２０および鋭利化されたエッジ２２を有する次のブレード２０が置かれ ている。高耐衝撃性ポリスチレンから成形されたキャップ部材２４は、皮膚噛み 合わせ面２６を区画する構造を有し、表面２６はブレードエッジ２２の後方に配 設され、かつキャップ部材２４に添付された剃髪促進複合物質２８がある。 図２の剃髪ユニット３０はＪａｃｏｂｓｏｎの米国特許第４，５８６，２５５ 号明細書に開示されたタイプのものであり、かつ前部３４および後部３６を伴っ た成形体３２を包含している。ガード部材３８、リードブレードユニット４０お よび後ブレードユニット４２が成形体３２中に弾力的に固定されている。ブレー ドユニット４０、４２の各々中には鋭利化されたエッジ４６を有するブレード部 材４４が包含される。剃髪促進複合物質４８は後方部分３６の凹み中に摩擦的に 固定されている。 図３にはブレード１６、２０および４４のエッジ領域の略図が示されており、 この図からアスペクト比が一層よく理解できる。このブレードは、遂次的エッジ 形成研磨操作で形成された、楔形の鋭利化されたエッジを有する不錆鋼製ボデイ ー部分５０を包含し、上記研磨操作では約１３度の開先角度の小面５４および５ ６を伴った、典型的には５００Å未満の半径を有する先端部分５２を形成させる 。先端５２および小面(facet)５４，５６上には約２，０００Åの厚さの非晶質 ダイヤモンド６０が堆積し、そのアスペクト比［非晶質ダイヤモンド先端７０か ら不錆鋼先端５２までの距離（ａ）、および先端５２に対する非晶質ダイヤモン ド被膜６０の幅（ｂ）の比］は約３：１である。 層６０上には、実質的には堆積した際の厚さではあるが、最初の剃髪の間に単 分子層厚に低減されるような密着性テロマー層７２が堆積されている。 図３にみられるタイプのブレードを処理するための１装置を図４の略図で示す 。この装置中には、Ｖａｐｏｕｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（米国コロラド州 ボルダー）により製作されるような、バルブ８２を通じて減圧ポンプ系(図示せ ず)に連結した不錆鋼製室８０を有する、濾波陰極アーク堆積システムが包含さ れる。室８０の上には、電気絶縁された水冷却基質プラットホーム８４が据付ら れ、その上に剃刀ブレード８８のスタックを保持する回転式取付け具８６が置か れている。 鋭利化されたエッジは図の平面に垂直に配列し、かつ支持体８６から下向きに 面している。各ブレードエッジを単一陰極アークソース９１からの炭素イオンビ ームに交互に露出してブレード斜面の両側に均一な堆積を確保させる目的で、室 ８０の外部に固定されたモーター９０が予め設定した間隔を置いてブレードスタ ックを１８０度回転させる。 同時に室８０中には２つの濾光陰極アークソース９２、９４が配設され、それ ぞれ黒鉛ターゲット９６（陰極、純度９９．９９％）、アークストライク機構９ ８、おびフィルターまたはダクト１００からなっている。フィルター１００は、 電気巻線１０２により生じたソレノイド磁界およびダクト下に位置する電磁石１ ０４を使用して、炭素イオン（アークプラズマ）の流れを陰極９６からブレー ドスタック８８へと指向させるのに役立つ。この陰極アークソースも上記のタイ プであってもよく、かつこの磁界は、Ｗｅｌｔｙらの同時係属米国出願第０８／ ２３３，００６号明細書（１９９４年４月２５日出願）中に記載されているよう なソースに比較してアーク性能を最適化するように制御できる。上記同時係属米 国出願の記載はアタッチメントＡとして識別される本出願中に含める。水冷却ラ イン１０６、１０８および１１０がターゲット９６、ダクト９２およびブレード 支持体８６のそれぞれに具備される。 このダクトは、ブレード先端およびダクト出口１１４の中心軸１１４により作 られる平面１１２の間に４０度の角度が提供されるように指向される。この角度 を選択して完全に緻密な被膜が堆積するのを確保する。黒鉛ターゲット９６は、 長さ約３０ｃｍ、幅２．５ｃｍであり、室８０から電気絶縁され、一方でダクト １００はグランドポテンシャルにある。黒鉛ターゲット９６はスイッチ１２０を 通じてＤＣパワー供給源１１８に接続する。スイッチ１２２を通じてブレードス タック８８をＤＣパワー供給源１２４に接続し、またはスイッチ１２６通じてＲ Ｆパワー供給源１２８に接続するための電気巻線が具備される。好ましい濾波陰 極アークの詳細設計および操作は前に触れた同時係属米国出願第０８／２３３， ００６号明細書中でさらに論議する。 回転式マウント８６が、フィルターダクト口から１５ｃｍ隔てたエッジでブレ ードスタック８８を支えている。ブレードスタック８８は１つの斜面がダクト９ ２に面する位置、および反対斜面がダクト９２に面する類似位置との間を回転す る。この１８０度の回転は１０秒毎に行われ、複数斜面が均等に被覆されるのを 保証する。 具体的プロセス順序の一例では、ブレード８８（長さ２．５ｃｍ）のスタック を回転式マウント８６上に固定し、支持体冷却水の供給を始め、室８０を排気す る。室８０への圧力をアルゴン流で５０ミリトルに調節する。スイッチ１２２を 閉じてブレードスタックへ−４００ボルトＤＣを印加し、ＤＣプラズマ放電を始 めて１０分間、ブレードを清浄にする。清浄工程後、（ｉ）室内の圧力をアルゴ ンの０．１ミリトルに調節し、（ｉｉ）単一ダクト９２への磁界コイル１０２を 電圧印加し、（ｉｉｉ）黒鉛ターゲット９６へのスイッチ１２０を閉じ、（ｉｖ ）複数ブレードへのパワー供給源１２４を−１０００ボルトＤＣに調節し、かつ （ｖ）機械的ハンマー９８を用いて黒鉛ターゲット９６上にアークをストライク ／開始させる。アーク電流は１００アンペアに設定する。炭素イオンの強力なプ ラズマがダクト９２から放射され、１０秒毎に１８０度回転するブレード８８上 に堆積させる。 アークを２分間放射させた後、バイアス供給源１２４を−５０ボルトに設定し 、全１６分間の堆積を継続する。生成非晶質ダイヤモンド被膜の各小面上の厚さ は約１０００Åである。ブレード先端半径は約３５０Åであり、かつアスペクト 比は約２．５：１である。 プロセス順序の他の一例では、２つの陰極アークソースを同時に運転し、第２ ソース９４を第１ソース９２の反対側に位置させてブレードの両小面が殆ど同一 の入射角で同時に被覆されるようにする。この場合、ブレードスタック８８は回 転させないで、寧ろ両ソースの交差箇所からプラズマが放射される領域を通じて 移動させる。プロセス順序の他の全ての提案は上記のものと同じである。 ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）テロマーの被膜７２を次いでブレー ドの非晶質ダイヤモンド被覆膜エッジに施す。この方法中には、アルゴンの中性 雰囲気下でブレードを加熱し、かつ刃先上に摩擦低減性で密着性の固形ＰＴＦＥ からなるポリマー被膜を供給することが包含される。被膜７２および６０はブレ ードボディー５０に強く密着して、湿潤ウールフェルトカッター力が低く（湿潤 ウールフェルト（Ｌ５）を用いた最初の５カットの最低は約０．４５ｋｇ）、か つウールフェルトカッター力の繰り返し適用にも抵抗して、このフェルトカッタ ー試験の厳しい条件に露出されても非晶質ダイヤモンド被膜６０が実質的に影響 を受けず、希釈水中８０℃で１６時間浸漬した後でもブレードボディー５０に強 く密着して残っていることを示していた。 生じたブレードエレメント４４を図２に示すようなタイプのカートリッジユニ ット３０中に配備した結果、剃髪に際しては優れていた。 プロセス条件 ブレード、基質および非晶質ダイヤモンド被膜の特性および性質についての上 記開示は、上記において一般的に記載した適当なプロセス条件を特定した次の記 載により一層理解でき、かつ価値を高めることができるはずである。先ず、好ま しい陰極アークソースを要約する。次いで好ましい各種プロセス条件を記載する 。 陰極アークソース 非晶質ダイヤモンドの堆積被膜はＦａｌａｂｅｌｌａらの米国特許第５，２７ ９，７２３号明細書中に記載されているような公知の濾波陰極アークプラズマソ ース物質を用いて施すことができる。しかし好ましい１実施態様では、ここにア タッチメントＡとして添付した同時係属米国出願に従って堆積被膜を施す。アタ ッチメントＡの長方形ソースは本発明の実施に際し特に適当であるが、本発明は それだけに限定されない。同様に、濾波しないソースまたは他の公知のソースも 使用可能であり、本発明が濾波陰極アークソースに限定されるものと理解すべき ではない。 プロセス条件および調製 プロセス条件中には基質に対する多段工程バイアス、ブレード両面上への等し く平均した堆積、および展示の角度に対する注意が包含される。 堆積中に２００−２０００ボルトの範囲の高い初期バイアスを２分まで、基質 に施して密着を確立する。次いで１０−２００ボルトの低い第２段階バイアスを 施して非晶質ダイヤモンド硬質被膜の構造を最適化し、かつ所望の結晶構造を確 立させる。本発明によれば少なくとも上記２段階が望ましいが、例えば５００ボ ルトの中間バイアス段階を追加して、さらなる「ステップダウン」増加バイアス を提供することも望ましい。 非晶質ダイヤモンド堆積物は等しい平均速度（または同時に）でブレード両側 上に堆積させる。同時堆積のために少なくとも２つのソースを準備したり、およ び／または堆積ソースに対してセットしたブレード展示角度をサイクルさせるこ とにより、等しく、または等しい平均堆積速度で被膜層を両側に施し得るはずで ある。各ブレードは第１傾斜面および第２傾斜面により区画された刃先を有して おり、その傾斜面の交差箇所に１先端がくること、および１群のブレードは、 ＊上記先端により形成された平面を提供するブレードスタックとして 配置でき、または ＊カルーセル（ｃａｒｏｕｓｅｌ）およびその他の中に配設ができる 、という事実を考慮すると、 上記層形成という概念中には、（ｉ）少なくとも２つのソースを用いることによ り刃先両側上での堆積速度を即座に等しくするか、または（ｉｉ）時間に亙って 殆ど等しい速度で各剃刀の刃先の両側上に被膜を敷設し得るように、単一ソース （スタックのフリッピング、カルーセルの回転、または他の遂次的供給による等 、ソースに関してのブレード供給のサイクル的変化）に対するブレードセット（ スタックまたはカルーセル）の移動を採用するかのいずれかが包含される。 すなわち、厚さ１０００Åの被膜を施すためには、本発明の好ましい方法では 第１側面上に全て１０００Åを敷設し、次いでブレードスタックの第２側面上に 全て１０００Åを敷設するのではなく、−−代わりに各ブレードの刃先の両側に １０００Åまたは他の望ましい厚さが形成される迄（ｉ）両側面上に同時に堆積 させるか、または（ｉｉ）第１側面上に３〜５００Å範囲で、次いで第２側面上 に３〜５００Å範囲でサイクル的変化を行うかのいずれかである。上記の方法は 好ましい方法であるが、本発明はこれのみに限定されると理解されるべきではな く、また平坦でない、すなわちバランスの崩れた層形成を用いても実施できる。 供給角度はある程度重要であることを理解しなければならない。低圧(高減圧) 条件ではイオン化炭素の、高度に配向したプラズマ流が生じる。ブレードはスタ ックドブレードの先端により形成された平面に垂直の線から測定した角度で供給 され（または非スタックドブレードの刃先の先端ならびに第１および第２傾斜面 により囲まれた角度を２等分する線から測定して）、すなわち２０度超９０度未 満で供給される。この供給角度はブレードの刃先の１側面または他の側面に対し て一層指向的にプラズマ流を向わせることを意図するものである。 公知のように、本発明の堆積方法は、プロセスガス、例えばアルゴン、の有無 に係わらず操作でき、室の清浄化はＲＦまたはＤＣグロー放電を用いて実施でき 、かつ基質のバイアスはＤＣまたはＲＦソースを用いて行える（かかるバイアス はブレード先端を鋭利化するのにも用いられ得る）。 かくして本発明は、鋭利性を維持しながら薄いブレードの強化を可能にする（ すなわち、先端の鋭さ、すなわち鋭利性を損なうことなく薄いブレードに硬度と 剛性を付与する）ことが判る。一層公知の剃刀ブレードは約１００〜３５０Å程 度の厚さで被覆されるかもしないが、本発明の方法では恐らく厚さ３，０００Å 程度（先端から離れて配設されたブレード面上で測定されるように）、先端部で ５，０００Å程度、の非晶質ダイヤモンド被膜を堆積させることができるはずで ある。先立って記載したように、このことは高いアスペクト比を維持したまま達 成できる。 本発明の方法で被覆を意図する剃刀ブレードは、通常の剃刀ブレードよりも薄 くかつ一層鋭利であることが期待でき、さらに非晶質ダイヤモンド硬質炭素被膜 の超強度に加えて本発明の方法によりアスペクト比２：１およびそれより高い比 率が許容されることは、それだけで他に類がない。 アタッチメントＡ 長方形減圧アークプラズマソース 発明の分野 本発明は減圧アーク気化に関し、さらに詳細には長方形ダクト中に置かれた長 方形平面陰極の濾波陰極アーク気化に関する。この長方形ソースは長さが不定に 伸長でき、したがって本発明は長い、または大きな基質上に被覆またはイオン注 入するのに特に有用である。 本発明は溶融ソース物質のはねかし小滴による基質の汚染を最小限にしながら 、大きな基質上への均一被覆または注入を達成するために、濾波陰極アーク（完 全にイオン化した蒸気流、はねかし小滴の除去）の恩典と長方形ソースの恩典（ ソースからの均一気化および線運動を用いた基質上への均一堆積）との併合を実 現するものである。発明の背景 過去１０年程度で、減圧アーク気化法は金属、合金、および金属化合物被膜を 、被覆すべき基質上に堆積させるために広く実用化された。減圧アーク放電はイ オン注入、ビーム加速、およびロケット噴射等の用途に対するイオンソースとし ても用いられてきた。 基質を被覆または注入する上記減圧アーク気化法には、被堆積物質からなる陰 極ターゲット、および被被覆基質が包含される。このターゲットは、典型的には ０．００１ｍｂａｒ未満の圧力に減圧された減圧室中の高電流、低電圧のアーク プラズマ放電により気化される。被被覆または被注入基質は通常はターゲットの 気化可能面に面してソース圧室中、典型的には１０〜１００ｃｍの距離で配設さ れる。アーク電流は通常は２５と１０００アンペアとの間、電圧は１５と５０と の間である。 このアークプラズマ放電は、アークによるターゲット物質の気化およびイオン 化で作られたプラズマを介して陰極と陽極間に電流を長す。陰極（負電極）は電 気的に隔離されたソース構造であり、このプロセス間で少なくとも部分的に消費 される。陰極の消費部分は「ターゲット」と呼称され、陰極ボディーと呼ばれる 冷却非消耗エレメントにクランプされた置換可能エレメントとして製作されるこ とが多い。陽極（正電極）は陰極内の電気的に隔離されたソース構造であり、ま たはそれ自体が減圧室であり、このプロセス間では消費されない。 アークは、通常は機械的コンタクト高電圧スパーク、またはレーザー照射を用 いてターゲットの気化面上で発火させる。続いて起こるアークプラズマ放電は陰 極ターゲット面の１つまたはそれより多い動的アークスポット中に著しく極限化 される。陰極アークスポットにおける極端に高い電流密度は１０⁶−１０⁸アンペ ア／ｃｍ²と推測されるが、この結果、局部加熱、気化、および陰極ソース物質 のイオン化が起きる。 各アークスポットは、陰極ターゲット面に殆ど垂直方向にプラズマジェットを 放射し、陰極および陽極間の領域に伸長する発光プルーム(luminous plume)を形 成する。被被覆または被注入基質は陰極と陽極との間、またはこれに近接して置 かれる。通常、陰極物質の蒸気は、電圧印加により基質面に向かって一層加速さ れ、基質表面上で凝縮または基質中に埋め込まれる。上記気化工程中に反応性ガ スを減圧室中に導入してもよく、その結果、ターゲット物質、反応性ガス、およ び／または基質物質を含む物質化合物が形成される。 ターゲット物質にもよるが、アーク電流が７０−１００アンペア未満であると 、陰極ソース物質上には単一アークスポットのみしか存在しない。アーク電流が 高いと、ターゲット面に同時に複数のアークスポットが存在することができ、そ れぞれが全アーク電流を等分で運ぶ。磁場が存在しないと、アークスポットはタ ーゲット面周りにランダムに動く傾向があり、ターゲット面上に顕微鏡的クレー ター様特徴を残す。 極端に磁場を与えると、磁場線およびジェット両方の垂直方向にアークジェッ ト上に力が加わり、アークの小規模な運動がセミランダムで残るとしても、アー クスポットの大規模な平均移動に対して支配的影響を及ぼし得る。電子流が陰極 から放射されることを考慮すると、磁場のアークスポットの運動方向はアンペア の法則に準拠して予想できるベクトルＪ×Ｂ方向に反対または「逆行(retrograd e)」である。この現象はアークジェット内部の複雑な運動効果に原因し、かつ広 く報告および論議がなされている。 アークスポットにおけるターゲット物質の気化の好ましくない副作用は、蒸気 ジェットの膨張に起因する反応力によりターゲットから放射される溶融ターゲッ ト物質の小滴の発生である。これらの小滴は通常マクロ粒子と呼ばれ、その直径 はサブミクロンないし数１０ミクロンである。このマクロ粒子はこれらが被被覆 基質上に到達すると被膜中に埋め込まれて不都合な不規則性を形成したり、また はこのマクロ粒子は基質面に付着して後で剥離して被膜中にピットを引き起こす 。 基質上の被膜中に取り込まれるマクロ粒子の数を低減させるための多くの策略 が工夫されている。これらの策略は一般的に２つのカテゴリーに分かれる。（１ ）アークを制御および促進するために、ある形の磁場を用てマクロ粒子発生を低 減させる第１の策略、および（２）基質への陰極出力（ｏｕｔｐｕｔ）のイオン 化部分は透過するが、溶融小滴はブロックするように、陰極ソースと基質との間 にあるフィルター装置を用いる第２の策略。 第１の策略の磁気方法はフィルター方法よりも一般に単純であるが、マクロ粒 子を完全には取り除けない。第２戦略のフィルター方法は磁気方法よりもマクロ 粒子の除去に関して一般に一層効率的であるが、複雑な装置が必要であり、かつ ソース出力を著しく減少させる。 フィルター方法は、陰極ターゲット面の透視線から外れて基質を配設し、陰極 から放出されるマクロ粒子が基質上を直接侵略しないように操業する。基質への プラズマを輸送するために、アングルドフィルターダクトを陰極と基質との間に 配設する。 基質への到達のために、陰極ソースから放射された荷電プラズマを４５〜１８ ０度の角度を通してフィルターダクト内で電磁的に偏向させ、フィルターダクト 中のベンドを通じて通過させ、かつ基質上に衝突させる。未偏向マクロ粒子は磁 場では偏向されずにフィルターダクト壁をヒットする経路に継続し、理想的には マクロ粒子が基質に到達しないようにする。しかし実際には、マクロ粒子がフィ ルター壁を飛び越えたりおよび／またはプラズマ中の小粒子の持ち込みにより、 フィルター装置を通して基質に到達する若干のマクロ粒子の透過がある。 予め濾波した陰極アークは円形または円筒状陰極およびフィルター形状寸法、 一般的には制限した小さな基質や特殊形状物への潜在的適用、に基づいている。 アーク気化の分野で行われた初期の仕事は、基質上に被膜を堆積させるための 減圧アーク気化の使用を記載したＥｄｉｓｏｎの米国特許第４８４，５８２号明 細書、電磁的に安定化された減圧アーク気化装置を記載したＷｒｏｅの米国特許 第２，９７２，６９５号明細書、特定電極形状を有するアーク気化装置および気 化速度を高め、かつ基質へイオンを指向させるために磁場を用いることを記載し たＳｎａｐｅｒの米国特許第３，６２５，８４８号および同第３，８３６，４５ １号各明細書、ならびに電極およびシールドの特殊形状、および陰極ソース物質 の所望気化面をアークスポットが立ち去る際には何時でも活性化される磁場を使 用することを記載したＳａｂｌｅｖの米国特許第３，７８３，２３１号および同 第３，７９３，１７９号各明細書、を包含する幾つかの米国特許明細書中に記載 がある。 陰極上の円形通路またはレーストラック通路内に閉じ込めた陰極アークの例は 、Ｍｏｒｒｉｓｏｎの米国特許第４，７２４，０５８号明細書、Ｒａｍａｌｉｎ ｇａｍらの米国特許第４，６７３，４７７号明細書、およびＶｅｌｔｒｏｐらの 米 国特許第４，８４９，０８８号明細書に記載がある。上記各引例は、密閉ループ トンネル形状のアーチ形磁場を用いたアーク気化装置を記載しており、このもの は陰極面の固定または移動可能位置の密閉ループレーストラック軌道にアークス ポットを閉じ込める。アークを磁場により閉じ込めて加速すると、アーク放射に よるマクロ粒子の発生を低減させると言われる。かかる磁場発生に必要な方法は 平面磁電管スパッター分野では広く知られている。例えば、Ｒａｍａｌｉｎｇａ ｍらおよびＶｅｌｔｒｏｐらの教示のように機械的に、またはＭｏｒｒｉｓｏｎ による教示のように多段電磁石の使用のいずれかにより、アークの電磁場発生手 段を動かすことで知られている。 長い円筒状の陰極の例は、Ｗｅｌｔｙの米国特許第４，６０９，５６４号およ び同第４，８５９，４８９号各明細書中に含まれており、これらの全てはシリン ダーまたはロッド形状の長い陰極の使用を記載しており、かつこの陰極の長さに 沿ってその運動を強制するためにアーク流の自己磁場を利用している。Ｗｅｌｔ ｙは、アーク運動を促進および制御するために軸方向磁場部品を追加に適用する とマクロ粒子の発生が低減できることを教示している。 Ｋｌｊｕｃｈｋｏらによる米国特許第４，４９２，８４５号明細書には環状陰 極を用いたアーク気化装置を記載しており、ここでは気化可能な陰極面はその外 側壁であり、この壁は陰極よりも直径が大きく一層長い円筒状陽極に面している 。被被覆基質はこの環状陰極の内部に配設されるが、気化面には面しておらず、 かつ陽極における電磁場により反射されたイオン化物質により被覆されている。 同軸磁場は陽極からの反射を強めると記載されている。陰極から放射されたマク ロ粒子は陽極により電気的には反射されない（これらは機械的にそれを乗り越え ることはあり得るが）。その結果として、被膜中へのマクロ粒子の取り込みが減 少する。 基質と陰極ソース間のフィルター装置のある種の形態を用いて、陰極出力の荷 電イオン化部分を透過し、非電荷マクロ粒子をブロックして、基質上の被膜への マクロ粒子の取り込みを低減させる試みの例は、Ａｋｓｅｎｏｖ／Ａｘｅｎｏｖ 、ＦａｌａｂｅｌｌａおよびＳａｎｄｅｒｓらによりなされた仕事中に開示があ る。 Ａｋｓｅｎｏｖら（“Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｏｆ ｐｌａｓｍａ ｓｔｒｅａ ｍｓ ｉｎ ａ ｃｕｒｖｉｌｉｎｅａｒ ｐｌａｓｍａ−ｏｐｔｉｃｓ ｓｙ ｓｔｅｍ”、Ｓｏｖｉｅｔ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｌａｓｍａ Ｐｈｉｓｉ ｃｓ， ４（４），１９７８）には、ダクトを通じてソレノイド磁場を創るため の電磁コイル、およびダクトの１端における円形アーク気化陰極および他端にお ける基質を伴う、９０度ベンドを包む円筒状プラズマダクトの使用を記載してい る。陰極から放射されるプラズマは、その場の磁場および電場によりダクト壁か ら反射され、かつダクトを通して磁場に沿って基質へと輸送され、一方非電荷マ クロ粒子は磁場または静電場により反射されず、ダクト壁により捕捉される。 Ｆａｌａｂｅｌｌａらの米国特許第５，２７９，７２３号明細書には、４５度 ベンド、円形または円錐形陰極および陽極を伴い、かつマクロ粒子透過を低減す る陰極形状および内部バフルを包含した各種の改良部品を含んだ、原型のアゼノ フフィルターに実質的に類似した装置を記載している。 Ａｘｅｎｏｖらの米国特許第４，４５２，６８５号明細書には、ダクト１端に 位置する円形陰極、ダクトを通じてソレノイド磁場を発生させる電磁コイルを伴 い、かつ陰極から基質への照準堆積直進線をブロックするための、ダクト中央に 位置する追加電極を伴った、ベントがない直立円筒状フィルターダクトが記載さ れている。陰極から放射されたプラズマは、ダクト壁の磁気的および電気的場に より反射され、ダクトを通じて中央電極周りに輸送される。非電荷マクロ粒子は 磁気的および電気的場により反射されず、中央電極により捕捉される。 Ｓａｎｄｅｒｓらによる米国特許第５，２８２，９４４号明細書には直立円筒 状フィルターダクトおよび、陰極から低角度で放射されるマクロ粒子の基質への 直接の到達を阻止する中央シールドを用いて、Ａｘｅｎｏｖの米国特許第４，４ ５２，６８６号明細書に若干類似した工夫を記載している。実質的ソレノイドで あるダクト内のダクト壁近くで電磁コイルが磁場を生じさせる。この場合の陰極 の気化面は、フィルターダクトと同軸で配向している短形シリンダーの外面であ り、陰極から放射されるプラズマはフィルターダクトの外側壁に放射状に指向さ れて、ダクト壁における磁場および電場により角度約９０度を通じて反射され、 次いで磁場に沿って基質が位置するダクト端に輸送される。基質が位置する端部 に相向の円形フィルターダクトの端部でプラズマ反射を増幅する内部電極が開示 されている。 公知引例のいずれもが、長方形気化面を有する陰極、および陰極面上のアーク の動きを制御するための磁場極性反転を採用したり、または長方形断面を有する フィルターダクトの開示はしていない。したがって上記説明の仕事にもかかわら ず、改良された濾波陰極アークに対する必要性は依然としてある。この濾波陰極 アークには長方形の堆積ソースが含まれていることが好ましい。 大きな基質の被覆、ロール形シート物質の被覆、および線状コンベアーまたは 丸いカルーセル上の小さな基質の連続ストリーム被覆には長方形堆積ソースが望 ましい。１９７０年代における長方形平面磁電管スパッター陰極の開発は、かか る形状の基質の被覆に対するスパッタリングを広範な商業化に導いた（例えば、 Ｗｅｌｔｙの米国特許第４，８６５，７０８号および同第４，８９２，６３３号 各明細書中の磁電管スパッタリング陰極参照）。 濾波陰極アークソースは、ソースから放射される陰極物質の蒸気流が完全にイ オン化される利点があり、非アーク式堆積法、例えば気化およびスパッタリング 、とは異なっている。長方形ソースからの完全イオン化蒸気流は被覆または注入 用基質に到達する原子エネルギーに対して一層大きな制御を可能にし、かつ蒸気 が 系中の反応性ガスと化合物を形成する反応性、または基質との直接の反応性を増 加させる。 本発明は長い、または大きな基質に被覆または注入をするために、濾波陰極ア ークのメリット（完全イオン化蒸気流、はねかし小滴の排除）および長方形ソー スのメリット（ソースからの均一な気化および線状運動を用いた基質への均一堆 積）を実現する。したがって、従来技術では達成できなかった仕事を成就するた めに長方形減圧アーク陰極上に濾波陰極アークを提供するのが本発明の最終目標 である。発明の要約 本発明は、基質上に被膜形成またはイオン注入を行う目的で、長方形面積上に 亙ってプラズマビームを発生させ、これを指向させる方法を提供する。長方形陰 極が長方形断面のアングルドダクト内に据え付けられ、ダクトはプラズマを閉じ 込め、かつプラズマを基質に向けて反射させる一方で、アークにより発生した陰 極物質の小滴を捕捉する。陰極を据え付けたプラズマダクトの領域は、ここでは ダクトの入口アームと呼称し、一方基質はダクトの出口アームに近接して据え付 ける。 ダクトを通してプラズマを指向させ、一方で長方形陰極の長さ方向の下向きの １方向にアークを同時に動かすための磁場を、ダクト内に創り出す。アークが陰 極端部に到達したら、この磁場の少なくとも１部の極性を逆転させるような信号 をセンサーにより供給し、アークの方向を逆転させて陰極の反対端部に向けて動 かす。磁場の極性は、アークが陰極のいずれかの端部に達したらスイッチし、か くしてアークを長方形陰極の長さ方向に沿って前後に走査させる。 磁場の極性（方向）は繰り返して逆転されるが、ダクトに関する磁場の形状お よびその配向は実質的に不変であるのが好ましく、かつプラズマはいずれの極性 でもダクトを通して透過する。本発明の好ましい１実施態様では、陰極に近接し た磁場線が収斂する領域は、ダクト出口に向うプラズマを反射する磁気ミラーを 形成する。 陰極ターゲットの長さに沿ったアークの動きは、ターゲット面の平面に平行で かつ長方形ターゲットの長軸に垂直な上記ターゲット面に近接した磁場成分に原 因がある。この配向における磁気線束成分に対しては、２つの極性（方向）が可 能である。磁場が１極性の場合、アークは陰極の長さに沿って上記のような逆行 Ｊ×Ｂベクトルにより与えられた方向に動く。磁場が反対極性の場合、アークは 陰極の長さに沿って反対方向に動く。 陰極の端部に位置するセンサーからの信号に基づいて磁場極性を逆転させ、一 方でターゲット面に関して線束の配向を維持すると、陰極の長さに沿ったアーク の動きの方向を周期的に逆転させて、比較的直線なラインに沿って長方形陰極の 長さに沿って前後にアークを走査できる。 ターゲット気化面に近接する可逆性磁場はターゲットの長さ方向に沿ってアー クを動かすが、このものはダクトの外部または陰極ボディー内部に位置する電磁 コイルを用いて発生させる。可逆性磁場の発生は、長方形陰極を通じて流れるア ーク電流の自己磁場を用いて発生できることは公知である。例えば、長方形陰極 の両端にアーク電流を同時に接続して、次いで陰極の端部に位置するセンサーか らの信号に基づいて陰極の各端部に流れる全電流の部分を変更することにより、 米国特許第５，２６９，８９８号明細書中にＷｅｌｔｙが記載しているように、 陰極の長さ方法に沿って動くアークを起こさせるのに必要な配向において磁場成 分を生成させ得る。 大多数のアーク電流が長方形陰極内を流れる方向はセンサーからの信号に基づ いて逆転するので、ターゲット面に平行する磁場成分の極性（方向）も逆転し、 かくしてターゲットの長さ方向に沿って流れるアークの方向も逆になる。同じく 、米国特許第５，２６９，８９８号明細書にも記載があるように、アーク走査を 起 こさせる磁場成分も、陰極の長さに沿って制御電流を通過させ、センサー信号に 基づいてその方向を逆転させることにより、またはＶｅｒｇａｓｏｎの米国特許 第５，０３７，５２２号明細書に記載されているような陰極の１端から他端へ入 力したアーク電流をスイッチさせることによっても発生させことができる。陰極 自体を通じて流れる電流とは独立な磁気手段を用いて可逆性磁場を生じさせるこ とについては、従来なんらの示唆もない。 ダクトを通じてのプラズマ輸送は、ダクト壁平面に平行で、かつダクト軸に平 行なダクト壁に近接した磁場の成分に主として原因する。ダクト壁に向かった磁 場を通じてプラズマ電子を拡散させると、正荷電したイオンを反射するダクト壁 に垂直な電場成分が創られ、かくしてダクトに沿い、かつダクト内のベンド周り に、これらを連続的に移動させる。非電荷マクロ粒子は反射されないので、ダク ト壁で捕捉され、またはダクトに垂直に据付られ、かつダクト中に短距離だけ伸 長しているバフルにより捕捉され、マクロ粒子がダクト壁に跳ね返るのを減少さ せる。ダクト内またはダクト壁に近接している磁場成分の極性はアーク走査を起 こさせるターゲット面に近接した磁場成分の極性と同時にスイッチするのが好ま しく、その結果、ターゲット全部を通じて磁場の形は極性の逆転にも係わらず同 一で残る。しかし、ターゲット面領域のみで磁場極性を逆転し、一方で電磁石ま たは永久磁石を用いて、残りのダクトにおける静電磁場（不可逆）を維持するこ とも、本発明の範囲に属する。後者の場合の磁場のネット形状を変更すると、ダ クトを通じてのプラズマ透過の周期的変化を、ターゲット面近くの磁場逆転の関 数として生起させることができる。 プラズマジェットは気化可能面に垂直方向に主として陰極から放射されるので 、ダクト中のベンド外半径領域のダクト壁が最も強く侵される傾向がある。ダク トを通じてのプラズマ透過を増加させるためには、この領域の磁場の強さを強化 することが望ましい。違った原子重量で異なった融点を有する陰極ターゲット物 質 が、違った速度と運動エネルギーでターゲットから放射されることも、追加的因 子である。したがって、磁場の強さ、特にダクト中のベンド領域の磁場の強さを 変えて、各種物質に対する透過を最適化することが望ましい。したがって、本発 明の好ましい１実施態様では、ダクト中のベンドの外半径近辺でターゲットの気 化面に背反して、別途の電磁コイルを準備し、ここではダクト中に磁場の１部を 生ずる他のコイル中の電流とは独立に、電流を変更できることも好ましい。 円筒状プラズマダクトの従来技術では（または従来技術は長方形ダクトに向け て伸長しているはずであるという率直な表現において）、１つまたはそれより多 い電磁コイルが、ダクトを通じてソレノイド磁場を創るためにダクトを取り巻く ように配設し、そのコイルからなるワイヤは外半径におけるよりもダクト内のベ ンドの内半径で互いに一層間隔を詰めて配置する必要がある。このことは、ワイ ヤが間隔を一層詰めて配置されたダクトの内半径に向けて一層大きな強さを有す るダクト内磁場と、アークプラズマジェットが侵害するダクト外半径に向けて一 層強い強度を有するダクト内磁場が生ずる結果になる。したがって、公知技術の 教示は本発明の提案からかけ離れており、本発明ではダクトを通じてのプラズマ の透過を増加させるために、ベンド外半径におけるダクト内磁場強度を、内半径 における磁場の強さに等しいか、またはこれを越える程度まで強化できる。 公知技術および上記本発明の提案における、ダクト壁からの正荷電イオンを反 射するダクト壁に垂直な電場は、フィルターダクト壁に実質的に平行な磁場を通 って横切るプラズマ電子の拡散により創られる。また第２の方法によってもダク ト壁からイオンを反射し去ることが可能であり、換言すればイオンがほぼ垂直方 向に壁に接近した際に磁束線が収斂する、磁気ミラーとして知られる領域を壁近 くに創ることによっても可能である。壁に接近するプラズマ電子はそれらが収斂 磁束線の領域に入る際に反射または撃退され、電子密度傾斜が創られる結果、同 様にプラズマイオンを反射する電場が生ずる。磁気ミラーは実験装置または他の 装置でのプラズマ閉じ込めに一般に使用されるものである。 磁気ミラー場の有用性は、フィルタード減圧アークプラズマソースの技術にお いては本発明で初めて開示される。ミラー場により提供される機能に対する必要 性は、例えばＳａｎｄｅｒｓらの米国特許第５，２８２，９４４号明細書中に記 載された従来技術において説明されており、ここでは多数の絶縁リング、それら の図２および３におけるラベル化２１が、ダクト壁を通じて磁場が通過する領域 におけるダクト壁へのプラズマ損失を避けるために必要であると指摘している。 本発明の好ましい１実施態様の入口アームにおける磁気ミラー場の包含により、 ダクト出口アームに向かうプラマ流に対する好ましい方向が創れ、一方ではター ゲット長さ方向の下方にアークを移動させる磁場成分（ターゲット面に平行、か つその長軸に垂直）を同時に提供する。磁気ミラー場の極性の逆転、およびかく してターゲット面に平行する場成分が、ミラー場の形および機能を変えることな くターゲット面上のアークの走行方向を逆転させる。 プラズマダクト出口アームにソレノイド磁場領域を提供する独自可変性磁場ソ ース、ダクト中のベンド外半径近くの「バンパー」場領域、および陰極に近接す るダクト入口アームにおける磁気ミラー場領域の組合わせと並置によれば、各種 ターゲット物質に対してダクトを通じてのプラズマ輸送の最適化を許容するに十 分な調整能力が提供される。しかしながら本発明の１実施態様では、これら全て のエレメントを存在させる必要もなく、また存在するエレメントが独自可変性で ある必要もなく、単一ターゲット物質に対して最適化される場合には特にその必 要がないことが理解されるべきである。例えば、ターゲット面近くの磁場極性を 逆転するのに用いる方法に応じて、全ダクトを取り巻く単一ソレノイド電磁石で 十分である。 本発明は陰極およびプラズマダクトの長方形において、陰極上アークの動きを 制御する方法において、およびプラズマダクト内磁場の形および制御において、 従来方法とは異なるものである。 特に、開示された磁場の形および制御方法は、所望の長さで作り得る長方形出 力開口部を有する、簡潔で効率的なプラズマソースを組立てることを可能にし、 かくして長方形堆積ソースの有利性と共に濾波陰極アークの有利性を提供できる 。陰極面のアーク制御の場合の場逆転手法は、陰極の幅を従来のレーストラック 型磁場を用いて可能な程度よりも遥かに小さく創ることを可能にする。 したがって遥かに狭く、短くプラズマダクトが作れるので、従来の嵩高なフィ ルターよりも減圧システム中、特に多重プラズマソースを含むシステム中に一層 容易に組込める。また狭い陰極および走査されたアークも、平面レーストラック 型陰極を用いて可能であるよりも、長さ方向に沿った一層均一なターゲット侵食 を可能にし、かつターゲット物質の一層高度な利用を可能にする。 本発明の有利な点は、ソースを長さ方向に無制限に伸長できるので、長方形ま たは伸長された蒸気ソースを必要とする用途に対して濾波アーク堆積法または注 入法の恩典を提供する。図面の説明 図１Ａは円形陰極および円筒状プラズマダクトを用いた、従来の濾波減圧アー クの略図である。 図２Ａは本発明の濾波アークプラズマソースの略図である。 図３Ａは本発明のダクトアセンブリおよび磁石の斜視図である。 図４Ａは本発明のダクトアセンブリの端断面立面図である。 図５Ａは本発明のダクトアセンブリの側面断面立面図である。 図６Ａは本発明の磁場線および磁場ミラーを、それらのダクトアセンブリおよ び磁石との関連で示した端切断図である。好ましい実施態様の説明 本発明は、基質上に被膜を形成させる目的またはイオン注入を行う目的で、長 方形領域上に亙ってプラズマビームを発生させ、指向させる方法を提供する。 図１Ａは、陰極アーク放電により生じたイオン線束からマクロ粒子を分離し得 るフィルター２２に連結された、従来技術による陰極２０を示す。陰極２０は円 形面および傾斜側面を有するｆｒｕｓｔｒｕｍ形である。フィルター２２中には 、陰極上のアークスポットから被被覆基質２４への透視線をさえぎる一方、イオ ンおよび電子が流れる通路を提供するために互いに４５度の角度で置かれた端部 対端部をなす２つのソレノイドが包含され、またマクロ粒子を捕捉するための一 連のトラップが包含される。 図２Ａの略図を参照すると、本発明の好ましい１実施対様には陰極ボディー３ １上の陰極ターゲット３０が包含されることが理解できる。ターゲット３０は実 質的長方形の気化可能面３３を有している。好ましい１実施態様では、この陰極 ３０は炭素であるが、気化可能ないずれの適当な物質からなっていてもよい。陰 極ボディー３１はホルダー３２上に据付られ、プラズマダクト３４の入り口アー ム３６中に位置している。陰極３０はアークパワー供給源２８の負出力に接続し 、かつプラズマダクト３４（このものは陰極としても作用する）はアークパワー 供給源の正出力に接続する。陰極３０と陽極３４間のアーク放電点火のためにア ークストライカー３５が具備される。また陰極３０および気化可能面３３も絶縁 体８６（図４Ａ参照）により囲んでもよい。センサー８４と同じく、プラズマダ クト３４内には内部電極８２が据付られる。 プラズマダクト３４は陰極３０に同様の寸法の長方形断面をなしている。この プラズマダクトの中には、プラズマダクト中心線に沿った軸にベンドが包含され る。ここに示す実施態様では、匹敵する内半径ベンドポイント３７がダクト壁の １つ上に見られ、このものは約９０度の角度であるが、本発明の実施に際して適 当な内半径角度は約１５〜１２０度の範囲である。匹敵する外半径ベンドを一般 的に図面番号３９で示す。プラズマダクト３４には内半径ベンドポイント３７の いずれ側にも入口アーム３６および出口アーム３８が備えられる。陰極３０は入 口アーム端部またはその近くで隔離ホルダー３２上に据付られ、これにより陰極 気化面がプラズマダクト中に面するようになる。１つまたはそれより多い被被覆 基質を出口アーム３８の端部またはその近くの領域に位置させることができる。 １組の電磁石をプラズマダクト３４近辺に配置する。磁石４６をコイルパワー 供給源５２に接続してプラズマダクトの入口アーム３６近くに位置させる。磁石 ４８をコイルパワー供給源５２に接続してプラズマダクト３４中のベンド外半径 ３９近くに位置させる。磁石５０は、コイルパワー供給源５２に接続されたソレ ノイドであり、プラズマダクト出口アーム３８の１部の周辺を包んでいる。磁石 ４６、４８および５０を、プラズマダクト３４との関連で入口アーム３８近くの 磁石４６、ベンドの外半径３９近くの磁石４８、および出口アーム３８周りにコ イルされた磁石５０として図３Ａに示す。 図４Ａを参照すると、磁石４６中には、磁気透過性物質からなる中央ポール７ ２周りを包むコイル７０が、中央ポールの各端部に付属する端板７４と共に包含 されていることが理解できる。同様に、磁石４８中には、磁気透過性物質からな る中央ポール７８周りを包むコイル７６が、中央ポールの各端部に付属する端板 ８０と共に包含されている。この実施態様では所望の態様で磁場の形を決めるた めに、磁石４８の端板８０は磁気透過性物質からなり、一方で磁石４６の端板７ ４は非透過性物質からなっている。 再度図面２Ａについて説明する。導管５４は陰極３０に水を導入するのが判る 。プラズマダクト３４および内部電極８２も水冷したほうが好ましいが、冷却水 の供給は図示していない。バイアス電圧を基質４４に印加し、かつ堆積中に基質 は型通りに回転および／または移動させる。好ましい１実施態様では、プラズマ ダ クト３４および基質４４は室（図示せず）内に密閉し、室内を減圧にする。本発 明の他の好ましい１実施態様では、プラズマダクト３４およびダクトの陰極ホル ダー３２を減圧下に置き、一方でダクト外側は大気圧下に置く。 図４Ａ及び５Ａの断面図を参照するに、ここでは以前使用したと同じ図面番号 が付記されているが、本発明のシステムに関する、ある種の追加的細部が理解で きるはずである。プラズマダクト３４中のベンドが陰極３０と基質４４との間の 透視線をさえぎるのに役立つことが判る（図４Ａおよび５Ａには示さないが、ダ クト出口アーム３８端部またはその近くに位置されることが理解できる）。出口 アーム３８の内壁、入り口アーム３６およびプラズマダクト３４のベンドは、内 壁に実質的に垂直で、かつ互いに実質的平行な、間隔を置いた多数のバフル５２ と共に１列に整列させるのが好ましい。 図４Ａを参照するに、電気絶縁された内部電極８２がプラズマダクト３４内に 据付られているのが判る。このものは陽極に対して電気的にフロートしていても よく、または陽極に関して正にバイアスされてもよい。図５Ａを参照するに、左 端に近接した５Ａおよび右端に近接した５４Ｂと共に、陰極３０の気化面の各端 部に近接して１対のセンサー５４が位置している。 図６Ａを参照すると一層よく理解できるが、磁束線により表される磁場が磁石 ４６、４８および５０から発生する。磁束線６０は出口アーム３８内のプラズマ ダクト３４の軸に実質的に平行方向に配向される。磁線束６２は陰極近くの入り 口アーム３６の領域内で陰極３０の気化面３３に実質的に平行方向に配向される 。磁線束は入口アーム３６内の領域６４において収斂し、陰極３０の気化面３３ に近接した磁気ミラーを形成する。 図６Ａの磁気束線６０の代表は、市販の有限要素磁気分析プログラムにより発 生させた。ここに示した特定ケースでは、磁石５０および４６は６００アンペア −捩り数のもので、一方で磁石４８は２００アンペア−捩り数を有する。この場 合のダクト出口アーム３８の中心における場強度は約５０ガウスである。この場 合から判ることは、ダクト中のベンド外半径３９における線束密度（場の強さ） はベンドの内半径３７における線束密度にほぼ等しいことが判る。磁石４８のコ イル７６の捩り数、またはそれを通じて流れる電流の制御（すなわち、アペア− 捩じり数の調整）により、ベンド外半径３９における線束密度を、ダクトのどこ かほかの所の線束密度とは独立に調整できる。 センサー５４Ａおよび５４Ｂ（図５Ａ参照）は、アークスポットを感知し、ア ークスポットが陰極３０の左端または右端それぞれのいずれかに接近する際には 何時でも信号を発することができる。例えばセンサー５４はプラズマダクト３４ 中に伸長している電気絶縁ワイヤからなり、このワイヤは例えば１０００オーム の抵抗（図示せず）に接続され、アークがワイヤに接近する際にはいつでも電圧 を印加する。別法として、センサー５４はアークジェットからの発光を検知する 光感応性ダイオードからなっていてもよく、またはアークの磁場を感知する磁場 検知器からなることもできる。コイル電力供給源５２（図２Ａ参照）は、磁石を 通じて流れる電流の方向を逆転し得るスイッチを具備し、かつこのものは公知制 御手段（図示せず）によりセンサー５４に検出されて磁場の逆転を行う。磁場逆 転は全ての磁石で同時に生起させることができ、かつプラズマダクトに関して線 束ラインの形状または配向を実質的に変えることなく磁気線束ラインの方向の逆 転ができる。別法として、磁石４６および４８の１つまたは両方も逆転できる。 本発明システムの好ましい配置（別途に図示せず）では、磁石の１つより多い コイル電力供給源５２により独立に作動させる。１つより多いコイル電力供給源 を使用すると、プラズマダクト３４の異なった部分において独立に磁場強さの調 節を行って、磁石電流を互いに独立に変更できる。同時に、この別途コイル電力 供給源（複数）には各々制御システムが備えられ、これらの全てがセンサー５４ からの信号による作動に際して同時に流れの方向を逆転する。 上記の記載から容易に理解できるように、本発明のシステムは次のように操作 する。 陽極として機能するプラズマダクト３４と陰極３０との間のアーク放電をアー クスターター３５が開始する。アーク放電は陰極気化可能面のアークスポットに おいて開始し、陰極物質のイオン化蒸気を含むプラズマを生成する。 プラズマダクト３４は、陰極からのアーク放電により生じたプラズマを、ダク ト出口アーム３８またはその近くに位置する、被被覆および／または被注入基質 ４４に指向させる。プラズマダクト３４は陰極３０と同様の寸法の長方形断面を 有しており、かつその中央線に沿った軸に約１５〜１８０度のベンドを備えてお り（説明される実施態様では、ベンド内半径は３７は９０度）、入口アーム３６ および出口アーム３８はベンドにより互いに透視線から離れている。陰極３０は 入口アーム３６またはその近くに位置し、その気化可能面はプラズマダクトに面 し、かつ基質４４は出口アーム３８の端部またはその近くの領域中に位置してい る。 磁石４６、４８および５０はプラズマダクト３４内および陰極３０の気化面上 で磁場を発生し、この磁場は磁気線束ラインにより表される。磁気線束ラインは 出口アーム３８以内でダクト３４の軸に実質的に平行な方向に配向する。磁気線 束ラインは、陰極またはその近くの入り口アーム３６の領域内の陰極３０の気化 面に実質的に平行に配向する。また磁気線束ラインは、プラズマダクト３４の入 口アーム３６内の領域で収斂して長方形陰極３０に近接し、これに平行な磁気ミ ラーを形成させる。この磁気線束ラインはプラズマダクトベンドを通じてイオン 化蒸気を指向し、かつ陰極３０の気化可能面３３の長さ方向に沿ってアークを概 略の直線運動に駆り立てる。磁気ミラーはプラズマダクト３４の出口アーム３８ に向けてプラズマを反射する方向に向けられる。 センサー５４はアークスポットを感知し、アークスポットが上記気化可能面端 部のいずかに接近する際には信号を発信する。センサーからの信号は、コイル電 力供給源５２の流れを逆転させる制御システムを作動させ、これによりプラズマ ダクト３４に関して磁気線束ラインの形状または配向を実質的に変えることなく 磁気線束ラインの方向を逆転させる。このように、アークスポットは長方形陰極 ３０の面上に亙って直線方向に走査するのみでなく、一般的に端部対端部通路で 前後に操作するように強要される。 プラズマダクト３４の内部壁はバフル５２と共に１列に整列する。マクロ粒子 はダクト中のベンドによりフィルターされ、かつこのバフルはマクロ粒子をトラ ップするのに役立つ。 この発明のシステム中には、長く狭い長方形のソースおよび、ソースに同様の 寸法の長方形断面を有する比較的単純なダクトが包含される。このようにしてコ ンパクトなダクトが創られる。例えば、長さ約３０ｃｍ、幅約２．５ｃｍ、また は長さ：幅比が約２：１の陰極ターゲットを用いると良好な結果が得られる。本 発明の長方形陰極は無限に伸長できるので、比率が一層大きなものも期待できる 。 したがって、本発明は基質上に被膜形成またはイオン注入を行う目的で、長方 形面上に亙ってプラズマビームを発生または指向させる方法を提供するものと理 解することができる。 以上の説明のように本発明の恩典は、（ａ）陰極ソース物質が長方形形状であ ること、（ｂ）プラズマダクトの長方形断面形状であること、（ｃ）磁場の極性 逆転によりアークを長方形ソースの長さ方向を横切って前後に、概略直線方向に 走査させること、および（ｄ）プラズマダクト中の磁場の形状適合および制御す ること、により実現される。 特に、本発明の長方形ソース上へのアークの磁場および形状制御により、長方 形出力開口を有するシンプルで効率のよいプラズマソースを組立てることを可能 にし、かくして長方形堆積ソースの恩恵と共に濾波陰極アークの恩恵が提供され る。アーク制御の場合の磁場逆転手法によれば、従来技術のレーストラック型磁 場を用いて可能な場合よりも陰極ソースの幅を一層小さく作れる。 したがって、プラズマフィルターダクトを一層狭く、かつ一層短く作れるので 、従来技術の嵩高フィルターよりも、減圧システム中に一層容易に組込めるシン プルな設計が可能になる。狭い陰極および狭い直線状走査アークも、平面レース トラック型陰極が可能なよりも、長さ方向に沿ってのターゲットの一層均一な浸 食を可能とし、ソース物質の一層高度な利用を可能にする。 本発明の恩恵により、長さ方向に無限に伸長し得るソースが可能になり、かく して長方形ソースまたは伸長型気化ソースを必要とする用途に対する濾波アーク 堆積法または注入法の恩恵が提供される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ， ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)， ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ Ｈ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ， ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，Ｍ Ｎ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＴ， ＵＡ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 パパス，デイビッド エル. アメリカ合衆国マサチューセッツ州、ウォ ルサム、エイ、キングス、ウェイ、603 (72)発明者 ウェルティー，リチャード ピー. アメリカ合衆国コロラド州、ボールダー、 モンロウ、ドライヴ、4279−シー (72)発明者 パレント，シー．ロバート アメリカ合衆国マサチューセッツ州、ウェ ストウッド、ホーソーン、ストリート、69

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 下記の工程を含んでなる、剃刀ブレードの形成方法。 （ａ）基質を準備し、 （ｂ）３０度未満の開先角度を有し、かつ１，２００Å未満の先端半径 を有する上記基質上に楔型鋭利化されたエッジを形成させ、かつ （ｃ）上記鋭利化されたエッジ上に非晶質ダイヤモンド層を堆積させる 。 ２． 上記基質が、遂次的研磨工程で機械的に研磨されて上記鋭利化されたエ ッジが形成される、請求項１の方法。 ３． 上記非晶質ダイヤモンド被覆刃先上に密着性ポリマー被膜を施す工程を さらに包含する、請求項１の方法。 ４． 上記刃先の非晶質ダイヤモンド被膜が、上記基質の鋭利化された先端か らこの鋭利化された先端から４０ミクロメーターの距離まで少なくとも４００Å の厚さを有する、請求項１の方法。 ５． 上記基質が金属からなり、かつ上記非晶質ダイヤモンド被膜が上記金属 基質の少なくとも４倍の硬さがある、請求項１の方法。 ６． 非晶質ダイヤモンドの上記層が、濾波陰極アーク法、陰極アーク法、陽 極アーク法、炭化水素ガスのプラズマ分解法、誘導的連結ｒｆによる後イオン化 を用いるスパッター堆積法、レーザー融蝕法、レーザー吸収ウェーブ堆積法（Ｊ ＡＷＤ）およびイオンビーム堆積法からなる群から選択された手法により堆積さ れる、請求項１の方法。 ７． 非晶質ダイヤモンドの上記層が、黒鉛ターゲットが置かれている排気室 内の減圧下またはアルゴン雰囲気下で堆積され、上記黒鉛ターゲットが電圧印加 され、かつＤＣまたはＲＦバイアスを上記基質に印加する間に上記鋭利化された エッジ上に非晶質ダイヤモンドの上記層を堆積させるために、その上にアークを ストライクする、請求項１の方法。 ８． プラズマビームとブレード小面との間の入射角が３２度未満である、請 求項１の方法。 ９． 基質の準備工程、開先角度が３０度未満で先端半径が１２００Å未満の 、楔形エッジを上記基質上に形成させる工程、および１２００Å未満の半径を提 供するために上記楔形エッジ上に非晶質ダイヤモンド層を堆積させる工程、から なる剃刀ブレードの形成方法。 １０． 上記非晶質ダイヤモンド物質が陰極アーク法により堆積される、請求 項９の方法。 １１． 上記楔形エッジ上の上記非晶質ダイヤモンド被膜が少なくとも４００ Åの厚さを有する、請求項９の方法。 １２． 上記非晶質ダイヤモンド被覆刃先上に密着性ポリマー被膜を施す工程 をさらに包含する、請求項９の方法。 １３． 上記刃先上の上記非晶質ダイヤモンド被膜が約２０００Åの厚さを有 する、請求項１２の方法。 １４． 少なくとも約０．１ミリメーターの幅、２０度未満の開先角度および 、上記鋭利化されたエッジ上の非晶質ダイヤモンド層を有する小面により決めら れた、楔形エッジを伴う基質からなる、剃刀ブレード。 １５． 上記非晶質ダイヤモンド物質の上記層は、少なくとも４０％のｓｐ3 炭素結合および可視光領域における透明性を特徴とする、請求項１４の剃刀ブレ ード。 １６． 非晶質ダイヤモンドの上記層のアスペクト比が２：１超である、請求 項１５の剃刀ブレード。 １７． 非晶質ダイヤモンド物質の上記層上に密着性ポリマー被膜をさらに包 含させた、請求項１６の剃刀ブレード。 １８． 上記非晶質ダイヤモンド被膜の厚さが約２０００Åである請求項１７ の剃刀ブレード。 １９． 楔形エッジを有する基質ならびに上記楔形エッジの先端およびフラン ク上の非晶質ダイヤモンド物質層からなる剃刀ブレードであって、上記非晶質ダ イヤモンド物質層が、上記基質の鋭利化された先端からこの鋭利化された先端か ら４０ミクロメーターの距離までに、少なくとも約４００Åの厚さを有し、かつ 先端半径が約１０００Å未満の範囲である、剃刀ブレード。 ２０． 上記基質が鋼であり、上記楔形エッジが遂次機械化研磨工程により形 成され、かつ上記非晶質ダイヤモンド物質が陰極アーク法により形成される、請 求項１９の剃刀ブレード。 ２１． 上記非晶質ダイヤモンド物質層が少なくとも４０％のｓｐ3 炭素結合 を有し、かつ上記非晶質ダイヤモンド物質層上に密着性ポリマー被膜をさらに包 含する、請求項２０の剃刀ブレード。 ２２． 間隔を置いた皮膚噛み合わせ面を有する支持構造、および上記支持構 造に固定された剃刀ブレード構造からなる剃髪ユニットにおいて、上記剃刀ブレ ード構造中には楔形エッジおよび上記楔形エッジ上の非晶質ダイヤモンド層が包 含され、上記非晶質ダイヤモンド被覆楔形エッジが上記皮膚噛み合わせ面間に配 置された、剃髪ユニット。 ２３． 上記剃刀ブレード構造中に、楔形エッジを有する２つの基質を包含し 、かつ上記楔形エッジが上記皮膚噛み合わせ面間に互いに平行に配置された、請 求項２２の剃髪ユニット。 ２４． 非晶質ダイヤモンド物質の各上記層が４０％以上のｓｐ3 炭素結合を 有し、各上記非晶質ダイヤモンド被膜が約２０００Åの厚さを有し、かつ上記の 各非晶質ダイヤモンド物質層上に密着性ポリマー被膜をさらに包含する、請求項 ２３の剃髪ユニット。 ２５． 下記（ａ）〜（ｃ）を含んでなる、第１傾斜面および第２傾斜面によ り囲まれた刃先を有するブレードに硬質炭素被膜を施す方法。 （ａ）陰極の気化可能炭素面にアーク放電を行って、これにより気化炭素プ ラズマ流を発生させ、 （ｂ）上記気化炭素の堆積がブレードの刃先上に起こるように、上記プラズ マ流内に被被覆ブレードを配向させ、および （ｃ）気化炭素の上記堆積がブレード刃先の上記第１傾斜面およびブレード 刃先の第２傾斜面上に起きるように、プラズマ流との関連で上記ブレードを供給 する工程。 だだしここでは、刃先の上記第１および第２傾斜面上の気化炭素の上記堆積が 、ほとんど等しい平均堆積速度で生起する。 ２６． １群のスタックドブレードを含むスタック内に上記ブレードを保持し 、かつブレード配向および上記ブレードの供給工程を、スタックドブレードの上 記群上に同時に実施する、請求項２５の方法。 ２７． 下記（ａ）〜（ｃ）の、請求項２６の方法。 （ａ）上記スタック内ブレードの上記群の各々が、ブレード刃先の第 １および第２傾斜面の交差箇所で先端を有し、かつこの先端が１平面を描くよう に複数ブレードがスタックされ、 （ｂ）上記プラズマ流が、概略平行な複数ラインの１セットに分解可 能な、概して方向性の流れであり、また （ｃ）ブレードを配向する上記工程が、上記平面に垂直な１線、およ び概略平行な複数線の上記セットの１つにより決められた角度が２０度〜９０度 の範囲内にあり、これによりブレード刃先の上記第１および第２傾斜面の１つを 上記角度でプラズマ流に露出させるようにブレードを配置することをさらに含ん でなる。 ２８． 上記供給工程中には、ブレード刃先の第１および第２傾斜面の各々を 上記角度でプラズマ流に露出する工程が包含される、請求項２７の方法。 ２９． ブレード刃先の第１および第２傾斜面の各々を露出させる上記工程が 、ブレードスタックおよびプラズマ流を互いの関係において移動させ、これによ り上記第１および第２傾斜面の各々を上記プラズマ流に遂次露出させて上記遂次 露出間に上記表面の各々上に増分堆積層を形成し得る、請求項２８の方法。 ３０． 上記増分堆積層が、３Å〜５００Åの範囲であり、かつ上記移動工程 を、ブレード刃先の第１および第２傾斜面の各々上に少なくとも２つの増分堆積 層が堆積されるまで繰り返す、請求項２９の方法。 ３１． ブレード刃先の第１および第２傾斜面の各々を露出させる上記工程が 、気化炭素の第２プラズマ流を発生させるための第２プラズマ発生手段を上記濾 波陰極アークソースと併用することをさらに包含し、これにより上記第１および 第２傾斜面の各々を上記角度でプラズマ流に同時に露出させて１つの堆積層を上 記面の各々上に同時に形成させ得る、請求項２８の方法。 ３２． ブレードに第１電圧バイアスを印加し、次いで第２電圧バイアスを印 加し、一方で上記の気化炭素の堆積をこのブレード上に生起させる工程をさらに 包含する、請求項２８の方法。 ３３． 上記第１電圧バイアスが２００〜２，０００ボルトの範囲であり、上 記第２電圧バイアスが１０〜２００ボルトの範囲である、請求項３２の方法。 ３４． 上記第１電圧バイアスを２分までの時間で印加する、請求項３３の方 法。 ３５． 上記ブレードを１群のブレードを含むホルダー内に保持し、かつブレ ードの配向および上記ブレードを供給する上記工程をこのホルダー内にある間に 上記ブレード上で実施する、請求項２５の方法。 ３６． 下記（ａ）〜（ｃ）の、請求項３５の方法。 （ａ）上記ホルダー内のブレードの上記群の各々が、ブレード刃先の 第１および第２傾斜面の交差箇所で先端を有し、かつこの先端ならびに第１およ び第２傾斜面により決められた第１角を取り囲み、 （ｂ）上記プラズマ流が、概略平行な１セットの複数ラインに分解可 能な、概して方向性の流れであり、また （ｃ）上記ブレード配向工程が、上記第１角を２分する線および第概 略平行な複数ラインの上記セットの１つにより決められた第２角が２０度〜９０ 度の範囲内にあるようにブレードを配置し、これによりブレード刃先の上記第１ および第２傾斜面の１つを上記角度でプラズマ流に露出させることを含んでなる 。 ３７． ブレード刃先の上記第１および第２傾斜面の各々を上記角度でプラズ マ流に露出させる、請求項３６の方法。 ３８． ブレード刃先の上記第１および第２傾斜面の各々を露出させる上記工 程が、ブレードおよびプラズマ流のセットを相互の関連で移動させる工程をさら に包含し、これにより上記第１および第２傾斜面の各々を上記プラズマ流に遂次 露出させて上記遂次露出間に上記面の各々上に増分堆積層を形成し得る、請求項 ３７の方法。 ３９． 上記増加堆積層が２Å〜５Åの範囲であり、かつブレード刃先の上記 第１および第２傾斜面の各々上に少なくとも２つの増分堆積層が堆積するまで上 記移動工程を繰り返す、請求項３８の方法。 ４０． ブレード刃先の上記第１および第２傾斜面の各々を露出させる上記工 程が、気化炭素の第２プラズマ流を発生させるための第２プラズマ発生手段を上 記濾波陰極アークソースと併用することをさらに包含し、これにより上記第１お よび第２傾斜面の各々を上記角度でプラズマ流に同時露出させて上記面の各々上 に１つの堆積層を同時に形成させ得る、請求項３７の方法。 ４１． ブレードに第１電圧バイアスを印加し、次いで第２電圧バイアスを印 加し、一方で気化炭素の上記堆積をブレード上に生起させる工程をさらに包含す る、請求項３７の方法。 ４２． 上記第１電圧バイアスが２００〜２，０００ボルトの範囲であり、上 記第２電圧バイアスが１０〜２００ボルトの範囲である、請求項４１の方法。 ４３． 上記第１電圧バイアスを２分までの時間で印加する、請求項４２の方 法。 ４４． 第１および第２傾斜面により決められた刃先を有するブレードであっ て、上記刃先が第１および第２傾斜面の交差箇所で先端を有し、かつ第１および 第２傾斜面により決められた角度を取り巻くブレード。 ただしここでは、上記刃先には、第１および第２傾斜面上に被覆された硬質炭 素被膜が先端を覆うように包含され、かつ 上記炭素被膜は、第１および第２傾斜面の１つに垂直に測定した第１厚さ、お よび上記角を２分する１ラインに沿って測定した第２厚さを有し、上記第１厚さ ：第２厚さの比が少なくとも２：１であり、 上記硬質炭素は少なくとも４０ギガパスカルの硬度を有している。