JP2004241620A - デュアルダマシン構造の形成方法、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下層配線1上に第1の低誘電率膜2とエッチストッパ膜3と第2の低誘電率膜4を積層し、さらに第1のマスク5と第2のマスク6を積層する。第2のマスク6の開口6aを覆うように第3のマスク7を形成する。レジストパターン8をマスクとして第3のマスク7に開口7aを形成後、レジストパターン8をアッシングにより除去する。第1のマスク5と第2の低誘電率膜4とをエッチングした後、第3のマスク7を除去する。第1のマスク5及びエッチストッパ膜3のエッチング後、第2及び第1のマスク6,5をマスクとしたエッチングにより第2の低誘電率膜4に配線溝11を形成するとともに、エッチストッパ膜3をマスクとしたエッチングにより第1の低誘電率膜2に下層配線1と接続する接続孔12を形成する。
【選択図】 図1
Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、銅配線及び低誘電率膜(Low−k膜)を用いた半導体装置の製造方法に係り、特にデュアルダマシン構造の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路における配線の微細化に伴い、配線の信号遅延が問題となっている。この信号遅延の問題を解決するため、配線材料に銅を用いて配線抵抗を低減する方法や、層間絶縁膜に低誘電率膜を用いて静電容量を低減する方法が提案されている。
従来、低誘電率膜を用いたデュアルダマシン構造の形成方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−156170号公報 (第5−6頁、第1図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のデュアルダマシン構造の形成方法では、第2の層間絶縁膜のエッチングと、この層間絶縁膜上に形成したレジストマスクのアッシングとを同時に行っていた。このため、第2の層間絶縁膜がダメージを受けてしまい、比誘電率が高くなってしまうという問題があった。従って、配線間の静電容量が高くなり、半導体装置の特性が劣化してしまうという問題があった。
【0005】
本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたもので、低誘電率膜にデュアルダマシン構造を形成する際に、アッシング工程が低誘電率膜に与えるダメージを抑制することを目的とする。
【0006】
【課題を解決する為の手段】
この発明に係るデュアルダマシン構造の形成方法は、下層配線上に、第1の低誘電率膜とエッチストッパ膜と第2の低誘電率膜とを積層する工程と、
前記第2の低誘電率膜上に、第1のマスクと、配線溝形成用の開口を有する第2のマスクとを積層する工程と、
前記配線溝形成用の開口を覆うように第3のマスクを形成する工程と、
前記第3のマスク上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、前記第3のマスクに接続孔形成用の開口を形成する工程と、
前記接続孔形成用の開口を形成した後、前記レジストパターンをアッシングにより除去する工程と、
前記第3のマスクをマスクとして、第1のマスクと第2の低誘電率膜とをエッチングする工程と、
前記第3のマスクを除去する工程と、
前記第2のマスクをマスクとして第1のマスクをエッチングするとともに、前記エッチストッパ膜の露出部分をエッチングする工程と、
前記第2及び第1のマスクをマスクとしたエッチングにより、前記第2の低誘電率膜に配線溝を形成するとともに、前記エッチストッパ膜をマスクとしたエッチングにより、前記第1の低誘電率膜に前記下層配線と接続する接続孔を形成する工程と、
を含むことを特徴とするものである。
【0007】
この発明に係るデュアルダマシン構造の形成方法において、前記第1のマスクが前記第2の低誘電率膜を覆った状態で、前記レジストパターンを除去することができる。
【0008】
この発明に係るデュアルダマシン構造の形成方法において、前記第1、第2及び第3のマスクは、炭素と窒素を含有するシリコン系絶縁膜であることが好適である。
【0009】
この発明に係るデュアルダマシン構造の形成方法において、前記第1及び第2の低誘電率膜の比誘電率は2.5以下であることが好適である。
【0010】
この発明に係るデュアルダマシン構造の形成方法において、前記第1及び第2の低誘電率膜は、シリコン、炭素、酸素および水素を含有する絶縁膜、又は、水素と炭素を含有するポリマーであることが好適である。
【0011】
この発明に係る半導体装置の製造方法は、上記デュアルダマシン構造の形成方法を用いて基板上にデュアルダマシン構造を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図中、同一または相当する部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略することがある。
【0013】
図1は、本発明の実施の形態による半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。詳細には、図1(a)は第2のマスクを形成した後の状態を示す図であり、図1(b)は第2のマスクに配線溝形成用の開口を形成した後の状態を示す図であり、図1(c)は第3のマスクを形成した後の状態を示す図であり、図1(d)は第3のマスクに接続孔形成用の開口を形成した後の状態を示す図である。また、図1(e)は第1のマスクと第2の低誘電率膜をエッチングした後の状態を示す図であり、図1(f)は第1のマスクとエッチストッパ膜をエッチングした後の状態を示す図であり、図1(g)は配線溝と接続孔を形成した後の状態を示す図である。
【0014】
先ず、図1(a)に示すように、基板上に形成された下層配線1上に第1の低誘電率膜2をCVD(Chemical Vapor Deposition)法又はSOD(Spin On Dielectric)法により形成し、その上にエッチストッパ膜3を例えば10nm−150nm程度の膜厚で形成し、さらに第2の低誘電率膜4をCVD法又はSOD法により形成する。続いて、第2の低誘電率膜4上に第1のマスク5を例えば10nm−150nm程度の膜厚で形成し、その上に第2のマスク6を例えば10nm−150nm程度の膜厚で形成する。
ここで、図示しないが、基板上には上記下層配線1以外に、各種の半導体素子が形成されている。
また、第1及び第2の低誘電率膜2,4は、比誘電率が2.5以下の無機系又は有機系の層間絶縁膜であり、例えば、シリコン、炭素、酸素および水素を含む絶縁膜や、水素と炭素を含有するポリマー(ハイドロゲン・カーボン・ポリマー)等である。
また、エッチストッパ膜3、並びに、第1及び第2のマスク5,6は、例えば、炭素と窒素を含有するシリコン系の絶縁膜である。
【0015】
次に、図1(b)に示すように、レジストパターン(図示省略)をマスクとして第2のマスク6をドライエッチングする。ここで、レジストパターンは、配線溝(後述)を形成する位置に開口を有しており、このドライエッチングにより第2のマスク6に配線溝形成用の開口6aが形成される。
【0016】
次に、図1(c)に示すように、第2のマスク6の開口を覆うように、第3のマスク7を例えば10nm−150nm程度の膜厚で形成する。ここで、第3のマスク7は、例えば、炭素と窒素を含有するシリコン系の絶縁膜である。
【0017】
次に、図1(d)に示すように、第3のマスク7上にレジストパターン8を形成する。続いて、レジストパターン8をマスクとして、第3のマスク7をドライエッチングする。ここで、レジストパターン8は、接続孔(後述)を形成する位置に開口を有しており、このドライエッチングにより第3のマスク7に接続孔形成用の開口7aが形成される。
そして、レジストパターン8をアッシングにより除去する。この時、第2の低誘電率膜4は第1のマスク5によって覆われているため、ダメージを受けない。
【0018】
次に、図1(e)に示すように、第3のマスク7をマスクとして、第1のマスク5と第2の低誘電率膜4をドライエッチングする。
その後、第3のマスク7を除去する。
【0019】
次に、図1(f)に示すように、第2のマスク6をマスクとして、第1のマスク5をエッチングするとともに、エッチストッパ膜3の露出部分をエッチングする。さらに、エッチングを続けると、図1(g)のような形状になる。
【0020】
次に、図1(h)に示すように、第2のマスク6および第1のマスク5をマスクとして第2の低誘電率膜4をドライエッチングするとともに、エッチストッパ膜3をマスクとして第1の低誘電率膜2をドライエッチングする。これにより、第2の低誘電率膜4に配線溝(トレンチ)11が形成されると共に、第1の低誘電率膜2に下層配線1と接続する接続孔(ヴィアホール)12が形成される。
その後、公知の方法を用いて配線溝11及び接続孔12内に銅を埋め込むことにより、デュアルダマシン構造が形成される。
【0021】
以上説明したように、本実施の形態では、第3のマスク7に接続孔形成用の開口7aを形成した後、該第3のマスク7上のレジストパターン8をアッシングする際、第2の低誘電率膜4は第1のマスク5により覆われている。このため、レジストパターン8をアッシングする際、第2の低誘電率膜4はダメージを受けることがない。すなわち、3層のハードマスクを用いることによって、アッシング工程が第2の低誘電率膜に与えるダメージを抑制することができる。
従って、配線間の静電容量の増大を防止することができ、半導体装置の特性の劣化を防止することができる。
【0022】
【発明の効果】
本発明によれば、低誘電率膜にデュアルダマシン構造を形成する際に、アッシング工程が低誘電率膜に与えるダメージを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
1 下層配線
2 第1の低誘電率膜
3 エッチストッパ膜
4 第2の低誘電率膜
5 第1のマスク
6 第2のマスク
6a 開口
7 第3のマスク
7a 開口
8 レジストパターン
11 配線溝
12 接続孔
Claims (6)
- 下層配線上に、第1の低誘電率膜とエッチストッパ膜と第2の低誘電率膜とを積層する工程と、
前記第2の低誘電率膜上に、第1のマスクと、配線溝形成用の開口を有する第2のマスクとを積層する工程と、
前記配線溝形成用の開口を覆うように第3のマスクを形成する工程と、
前記第3のマスク上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、前記第3のマスクに接続孔形成用の開口を形成する工程と、
前記接続孔形成用の開口を形成した後、前記レジストパターンをアッシングにより除去する工程と、
前記第3のマスクをマスクとして、第1のマスクと第2の低誘電率膜とをエッチングする工程と、
前記第3のマスクを除去する工程と、
前記第2のマスクをマスクとして第1のマスクをエッチングするとともに、前記エッチストッパ膜の露出部分をエッチングする工程と、
前記第2及び第1のマスクをマスクとしたエッチングにより、前記第2の低誘電率膜に配線溝を形成するとともに、前記エッチストッパ膜をマスクとしたエッチングにより、前記第1の低誘電率膜に前記下層配線と接続する接続孔を形成する工程と、
を含むことを特徴とするデュアルダマシン構造の形成方法。 - 請求項1に記載の形成方法において、
前記第1のマスクが前記第2の低誘電率膜を覆った状態で、前記レジストパターンを除去することを特徴とするデュアルダマシン構造の形成方法。 - 請求項1又は2に記載の形成方法において、
前記第1、第2及び第3のマスクは、炭素と窒素を含有するシリコン系絶縁膜であることを特徴とするデュアルダマシン構造の形成方法。 - 請求項1から3の何れかに記載の形成方法において、
前記第1及び第2の低誘電率膜の比誘電率は2.5以下であることを特徴とするデュアルダマシン構造の形成方法。 - 請求項4に記載の形成方法において、
前記第1及び第2の低誘電率膜は、シリコン、炭素、酸素および水素を含有する絶縁膜、又は、水素と炭素を含有するポリマーであることを特徴とするデュアルダマシン構造の形成方法。 - 請求項1から5の何れかに記載のデュアルダマシン構造の形成方法を用いて基板上にデュアルダマシン構造を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003029458A JP4130778B2 (ja) | 2003-02-06 | 2003-02-06 | デュアルダマシン構造の形成方法、および半導体装置の製造方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004241620A true JP2004241620A (ja) | 2004-08-26 |
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Family
ID=32956628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003029458A Expired - Fee Related JP4130778B2 (ja) | 2003-02-06 | 2003-02-06 | デュアルダマシン構造の形成方法、および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4130778B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008154320A1 (en) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Texas Instruments Incorporated | Tri-layer resist damascene via and trench patterning in integrated circuits |
JPWO2007078011A1 (ja) * | 2006-01-06 | 2009-06-11 | 日本電気株式会社 | 多層配線の製造方法と多層配線構造 |
US8227339B2 (en) | 2009-11-02 | 2012-07-24 | International Business Machines Corporation | Creation of vias and trenches with different depths |
JP2016018051A (ja) * | 2014-07-08 | 2016-02-01 | 信越化学工業株式会社 | 多層膜形成方法及びパターン形成方法 |
-
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US7884019B2 (en) | 2007-06-07 | 2011-02-08 | Texas Instruments Incorporated | Poison-free and low ULK damage integration scheme for damascene interconnects |
US8008200B2 (en) | 2007-06-07 | 2011-08-30 | Texas Instruments Incorporated | Poison-free and low ULK damage integration scheme for damascene interconnects |
US8227339B2 (en) | 2009-11-02 | 2012-07-24 | International Business Machines Corporation | Creation of vias and trenches with different depths |
US8703604B2 (en) | 2009-11-02 | 2014-04-22 | International Business Machines Corporation | Creation of vias and trenches with different depths |
US8907458B2 (en) | 2009-11-02 | 2014-12-09 | International Business Machines Corporation | Creation of vias and trenches with different depths |
JP2016018051A (ja) * | 2014-07-08 | 2016-02-01 | 信越化学工業株式会社 | 多層膜形成方法及びパターン形成方法 |
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