JP2004235349A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 被処理体にプラズマ処理を行なう処理室を有するプラズマ処理装置において、
前記処理室内のプラズマ発光をモニタリングする受光部と、
前記プラズマ発光を分光し多チャンネルの信号に変換する分光部と、
前記多チャンネルの信号を単数あるいは複数の出力1つの信号に変換し、その出力信号を対象に演算処理を行う演算処理部と、
フィルタベクトルを格納するデータベースと、
前記演算結果を用いて処理室内の状態を判断する判断部と、
前記判断部からの信号によって前記プラズマ処理装置の動作を制御する装置制御部
とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項2】 前記演算処理部における、前記多チャンネル信号の単数あるいは複数の信号への変換処理が多変量解析を用いて行なわれることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】 前記演算処理部の変換処理がフィルタベクトルを用いて行なわれることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】 前記演判断部における前記処理室内の状態の判断が、あるひとまとまりのプラズマ発光データを多変量解析して作成した前記出力信号と、1回前のひとまとまりにおける出力信号との差を取り、その差のひとまとまりの中の平均値およびひとまとまりの中の最大値と最小値の差ならびにひとまとまりの中の標準偏差を求め、それらの値を予め設定された閾値と比較することによってなされることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】 前記判断部における前記処理室内の状態の判断が、あるひとまとまりのプラズマ発光データを多変量解析して作成した前記出力信号と1回前のひとまとまりにおける出力信号との差を取り、その差のひとまとまりの中の平均値およびひとまとまりの中の最大値と最小値の差ならびにひとまとまりの中の標準偏差を求め、それらの値を予め設定された複数の閾値と比較することでそれぞれの値に対して得点を算出し、その合計の値を予め設定された閾値と比較することによってなされることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】 前記処理室内の状態の判断が、シーズニングの終点に至ったことの判断であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項7】 前記演算処理部における、前記多チャンネルの信号の単数あるいは複数の信号への変換処理が、主成分解析を用いて行われることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項8】 基板にプラズマ処理を行なう処理室と、
処理室内のプラズマ発光をモニタリングする受光部と、
採光されたプラズマ発光を分光し多チャンネルの信号に変換する分光部と、
多チャンネルの信号を単数あるいは複数の出力信号に変換し、その出力信号を対象に演算処理を行う演算処理部と、
フィルタベクトルを格納したデータベースと、
演算結果を用いて処理室内の状態を判断する判断部と、
判断部からの信号によってプラズマ処理装置の動作を制御する装置制御部とを有するプラズマ処理装置を用いる処理方法において、
分光部により出力された多チャンネルの信号を変換してあるひとまとまりの出力信号を作成する過程、
出力信号と前のひとまとまりの出力信号の間の差をとる過程、
ひとまとまりの間の差のひとまとまりの中の平均値および最大値と最小値との差ならびに標準偏差と予め設定された閾値とを比較する過程
を有することを特徴とするプラズマ処理方法
【請求項9】 基板にプラズマ処理を行う処理室と、
処理室内のプラズマ発光をモニタリングする受光部と、
採光されたプラズマ発光を分光し多チャンネルの信号に変換する分光部と、
多チャンネル信号を単数あるいは複数の信号に変換し、その信号出力を対象に演算処理を行う演算処理部と、
フィルタベクトルを格納したデータベースと、
演算結果を用いて処理室内の状態を判断する判断部と、
判断部からの信号によってプラズマ処理装置の動作を制御する装置制御部とを有するプラズマ処理装置を用いる処理方法において、
ウェットクリーニングの後に真空引きを行う過程と、
真空度が十分か否かを自動的に判断する過程と、
装置異常がないかを自動的に判断する過程と、
分光部より出力された多チャンネルの信号を変換してあるひとまとまりの出力信号を作成する過程と、
出力信号と前のひとまとまりの出力信号との差をとる過程と、
ひとまとまりの間の差のひとまとまりの中の平均値および最大値と最小値との差ならびに標準偏差と予め設定された閾値とを比較する過程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項1】 被処理体にプラズマ処理を行なう処理室を有するプラズマ処理装置において、
前記処理室内のプラズマ発光をモニタリングする受光部と、
前記プラズマ発光を分光し多チャンネルの信号に変換する分光部と、
前記多チャンネルの信号を単数あるいは複数の出力1つの信号に変換し、その出力信号を対象に演算処理を行う演算処理部と、
フィルタベクトルを格納するデータベースと、
前記演算結果を用いて処理室内の状態を判断する判断部と、
前記判断部からの信号によって前記プラズマ処理装置の動作を制御する装置制御部
とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項2】 前記演算処理部における、前記多チャンネル信号の単数あるいは複数の信号への変換処理が多変量解析を用いて行なわれることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】 前記演算処理部の変換処理がフィルタベクトルを用いて行なわれることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】 前記演判断部における前記処理室内の状態の判断が、あるひとまとまりのプラズマ発光データを多変量解析して作成した前記出力信号と、1回前のひとまとまりにおける出力信号との差を取り、その差のひとまとまりの中の平均値およびひとまとまりの中の最大値と最小値の差ならびにひとまとまりの中の標準偏差を求め、それらの値を予め設定された閾値と比較することによってなされることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】 前記判断部における前記処理室内の状態の判断が、あるひとまとまりのプラズマ発光データを多変量解析して作成した前記出力信号と1回前のひとまとまりにおける出力信号との差を取り、その差のひとまとまりの中の平均値およびひとまとまりの中の最大値と最小値の差ならびにひとまとまりの中の標準偏差を求め、それらの値を予め設定された複数の閾値と比較することでそれぞれの値に対して得点を算出し、その合計の値を予め設定された閾値と比較することによってなされることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】 前記処理室内の状態の判断が、シーズニングの終点に至ったことの判断であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項7】 前記演算処理部における、前記多チャンネルの信号の単数あるいは複数の信号への変換処理が、主成分解析を用いて行われることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項8】 基板にプラズマ処理を行なう処理室と、
処理室内のプラズマ発光をモニタリングする受光部と、
採光されたプラズマ発光を分光し多チャンネルの信号に変換する分光部と、
多チャンネルの信号を単数あるいは複数の出力信号に変換し、その出力信号を対象に演算処理を行う演算処理部と、
フィルタベクトルを格納したデータベースと、
演算結果を用いて処理室内の状態を判断する判断部と、
判断部からの信号によってプラズマ処理装置の動作を制御する装置制御部とを有するプラズマ処理装置を用いる処理方法において、
分光部により出力された多チャンネルの信号を変換してあるひとまとまりの出力信号を作成する過程、
出力信号と前のひとまとまりの出力信号の間の差をとる過程、
ひとまとまりの間の差のひとまとまりの中の平均値および最大値と最小値との差ならびに標準偏差と予め設定された閾値とを比較する過程
を有することを特徴とするプラズマ処理方法
【請求項9】 基板にプラズマ処理を行う処理室と、
処理室内のプラズマ発光をモニタリングする受光部と、
採光されたプラズマ発光を分光し多チャンネルの信号に変換する分光部と、
多チャンネル信号を単数あるいは複数の信号に変換し、その信号出力を対象に演算処理を行う演算処理部と、
フィルタベクトルを格納したデータベースと、
演算結果を用いて処理室内の状態を判断する判断部と、
判断部からの信号によってプラズマ処理装置の動作を制御する装置制御部とを有するプラズマ処理装置を用いる処理方法において、
ウェットクリーニングの後に真空引きを行う過程と、
真空度が十分か否かを自動的に判断する過程と、
装置異常がないかを自動的に判断する過程と、
分光部より出力された多チャンネルの信号を変換してあるひとまとまりの出力信号を作成する過程と、
出力信号と前のひとまとまりの出力信号との差をとる過程と、
ひとまとまりの間の差のひとまとまりの中の平均値および最大値と最小値との差ならびに標準偏差と予め設定された閾値とを比較する過程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (2)
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JP2003020904A JP4476551B2 (ja) | 2003-01-29 | 2003-01-29 | プラズマ処理装置および処理方法 |
US10/779,742 US7147748B2 (en) | 2003-01-29 | 2004-02-18 | Plasma processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003020904A JP4476551B2 (ja) | 2003-01-29 | 2003-01-29 | プラズマ処理装置および処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004235349A JP2004235349A (ja) | 2004-08-19 |
JP2004235349A5 true JP2004235349A5 (ja) | 2006-03-09 |
JP4476551B2 JP4476551B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=32950411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003020904A Expired - Fee Related JP4476551B2 (ja) | 2003-01-29 | 2003-01-29 | プラズマ処理装置および処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP4914119B2 (ja) | 2006-05-31 | 2012-04-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
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JP5084250B2 (ja) * | 2006-12-26 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体 |
JP5160393B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2013-03-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法,プラズマ処理装置,プラズマ処理装置の水分量検出方法 |
KR101859058B1 (ko) * | 2016-05-11 | 2018-05-18 | (주)쎄미시스코 | 챔버의 리크 검출 방법 및 그 장치 |
JP6552552B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2019-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜をエッチングする方法 |
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2003
- 2003-01-29 JP JP2003020904A patent/JP4476551B2/ja not_active Expired - Fee Related
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