KR101859058B1 - 챔버의 리크 검출 방법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

챔버의 리크 검출 방법 그 장치가 개시된다. 챔버의 리크를 검출하는 방법은, 상기 챔버의 클리닝 공정 후 플라즈마 반응시키는 단계; 및 상기 플라즈마 반응을 분석하여 상기 챔버의 리크를 검출하는 단계를 포함한다.

Description

챔버의 리크 검출 방법 그 장치{Leak detection method and apparatus of chamber}
본 발명은 챔버의 리크 검출 방법 그 장치에 관한 것이다.
진공 상태에서 반도체 공정을 수행하는 챔버에 리크가 발생하는 경우, 장비 불량이 초래되는 문제가 있다. 이에, 종래에는 RGA, Rate of Rise, He detector 등을 이용하여 챔버의 리크를 검출하였다.
그러나, 이들 종래의 챔버 리크를 검출하는 방식은 특수 장비가 필요하거나 리크 검출을 위해 상당한 준비 시간이 발생되어 공정에 차질이 발생하는 문제가 있었다.
상술한 방식 이외에, 공정 중에 플라즈마 반응을 통해 챔버 리크를 검출하는 방법도 존재한다. 그러나, 공정 중에 플라즈마 반응을 통해 챔버 리크를 검출하는 종래의 방법은 반도체 공정 중 챔버 내측에 존재하는 증착 물질 등으로 인해 정확하게 챔버 리크를 검출하기 어려운 문제가 있다.
본 발명은 반도체 공정에 영향을 미치지 않으면서도 신속하게 챔버 리크를 검출할 수 있는 챔버의 리크 검출 방법 그 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 반도체 공정에 영향을 미치지 않으면서도 신속하게 챔버 리크를 검출할 수 있는 챔버의 리크 검출 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 챔버의 리크를 검출하는 방법에 있어서, 상기 챔버의 클리닝 공정 후 플라즈마 반응시키는 단계; 및 상기 플라즈마 반응을 분석하여 상기 챔버의 리크를 검출하는 단계를 포함하는 챔버의 리크 검출 방법이 제공될 수 있다.
상기 리크의 검출은 상기 클리닝 공정 후 다음 반도체 공정이 시작되기 전에 수행될 수 있다.
상기 플라즈마 반응시키는 단계는, 상기 클리닝 공정 후 플라즈마 반응 가스를 주입하여 상기 클리닝 공정에서 사용된 세정 가스를 펌프하는 단계; 및 상기 플라즈마 반응 가스를 플라즈마 반응시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 리크를 검출하는 단계는, 상기 플라즈마 반응에 따른 플라즈마 스펙트럼을 획득하는 단계; 및 상기 플라즈마 스펙트럼을 분석하여 상기 플라즈마 반응 가스에 대한 스펙트럼 이외의 타겟 물질의 스펙트럼 검출시, 상기 챔버에 리크가 존재하는 것으로 판단하는 단계를 포함하되,
상기 타겟 물질은 N2, O2 이다.
상기 플라즈마 스펙트럼을 획득하는 단계는, 100 내지 1000 nm 사이의 파장 대역에서 0.1 내지 10 nm 사이의 해상도로 상기 플라즈마 스펙트럼을 획득할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 챔버의 리크를 검출하는 방법에 있어서, 제 1 반도체 공정과 제 2 반도체 공정 사이에 세정 공정을 수행하는 단계; 및 상기 제 1 반도체 공정과 상기 제 2 반도체 공정 사이에 상기 챔버의 리크를 검출하는 단계를 포함하되, 상기 세정 공정과 상기 리크의 검출은 동시에 이루어지지 않는 것을 특징으로 하는 챔버의 리크 검출 방법이 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 반도체 공정에 영향을 미치지 않으면서도 신속하게 챔버 리크를 검출할 수 있는 챔버의 리크 검출 장치가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 챔버의 리크 검출 장치에 있어서, 상기 챔버의 클리닝 공정 후 플라즈마 반응에 따른 플라즈마 스펙트럼을 획득하는 획득부; 및 상기 플라즈마 반응을 분석하여 상기 챔버의 리크를 검출하는 리크 검출부를 포함하는 챔버의 리크 검출 장치가 제공될 수 있다.
상기 획득부는, 상기 플라즈마 반응에 따른 플라즈마 스펙트럼을 획득할 수 있는 이미지 센서 또는 분광기이되, 상기 이미지 센서 또는 상기 분광기는 100 내지 1000 nm 사이의 파장 대역에서 0.1 내지 10 nm 사이의 해상도를 갖을 수 있다.
상기 리크의 검출은 상기 클리닝 공정 후 다음 반도체 공정이 시작되기 전에 수행될 수 있다.
상기 리크 검출부는, 상기 플라즈마 스펙트럼을 분석한 결과 플라즈마 반응 가스의 스펙트럼 이외의 타겟 물질의 스펙트럼이 검출되면, 상기 챔버에 리크가 존재하는 것으로 판단할 수 있다.
상기 플라즈마 반응 가스는 Ar이며, 상기 타겟 물질은 N2 , O2이다.
상기 리크 검출부에 의해 리크가 검출되는 경우, 시청각 형태로 알람을 출력하는 알람부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 챔버의 리크 검출 장치에 있어서, 제 1 반도체 공정과 제 2 반도체 공정 사이에 세정 공정을 수행하도록 제어하는 프로세서; 및 상기 제 1 반도체 공정과 상기 제 2 반도체 공정 사이에 상기 챔버의 리크를 검출하는 리크 검출부를 포함하되, 상기 세정 공정과 상기 리크의 검출은 동시에 이루어지지 않는 것을 특징으로 하는 챔버의 리크 검출 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 챔버의 리크 검출 방법 그 장치를 제공함으로써, 반도체 공정에 영향을 미치지 않으면서도 신속하게 챔버 리크를 검출할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버의 리크(leak) 검출 방법을 나타낸 순서도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버의 리크 검출 장치에 대한 구성을 개략적으로 도시한 블록도.
도 3은 종래의 리크 검출 결과를 도시한 그래프.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 리크 검출 결과를 도시한 그래프.
본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "구성된다" 또는 "포함한다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 명세서에 기재된 "...부", "모듈" 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현되거나 하드웨어와 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
본 발명은 반도체 공정을 수행하는 챔버에 대한 리크를 검출하기 위한 것으로, 각각의 공정이 완료된 후 챔버 내부를 클리닝하기 위해 세정 가스를 주입하여 클리닝 공정을 수행하고, 클리닝 공정이 종료된 후 반응 가스를 플라즈마 반응시켜 챔버의 리크를 검출할 수 있다.
본 발명은 각 공정이 완료됨에 따라 챔버 내부를 원래대로 만드는 처리 과정 이후 반응 가스의 플라즈마 반응을 통해 리크를 검출하는 방식으로, 공정에 영향을 주지 않는 이점이 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버의 리크(leak) 검출 방법을 나타낸 순서도이다. 이하에서, 수행되는 각각의 단계는 챔버를 포함하여 반도체 공정을 수행하는 장비이나, 이해와 설명의 편의를 도모하기 위해 본 명세서에서는 리크 검출 장치로 통칭하여 설명하기로 한다.
단계 110에서 리크 검출 장치(100)는 챔버(201) 내부로 플라즈마 반응 가스, 바람직하게는 불활성 가스를 주입한다.
여기서, 불활성 가스는 Ar일 수 있다. 본 명세서에서는 불활성 가스가 Ar인 것을 가정하여 이를 중심으로 설명하나 Ar 이외도 He과 같이 다른 불활성 가스가 이용될 수도 있다.
다만, He는 Ar에 비해 비싸기 때문에 Ar이 리크 검출을 위해 이용되는 불활성 가스로 이용되는 것이 더 바람직하다.
단계 115에서 리크 검출 장치(100)는 챔버(201)에서의 각각의 공정이 완료됨에 따라 챔버(201) 내부를 세정하여 원래의 상태로 만들기 위해 세정가스를 이용하여 클리닝 공정을 수행한다. 예를 들어, 세정 가스는 NF3일 수 있다.
챔버(201)에서의 각각의 공정이 수행됨에 따라 각각의 공정이 완료되면, 챔버(201) 내부의 일부(예를 들어, 벽면 등)에는 공정에서 이용된 다양한 물질(예를 들어, 증착 물질)이 잔존하게 된다.
따라서, 챔버(201)에서의 다른 공정을 수행할 수 있도록 챔버(201) 내부를 원래의 상태로 만들기 위해 세정 가스를 이용하여 챔버(201) 내부를 세정하는 클리닝 공정을 수행한다.
단계 120에서 리크 검출 장치(100)는 챔버(201) 내부로 불활성 가스를 주입한다.
챔버(201) 내부의 클리닝 공정이 완료되더라도, 챔버(201) 내부에는 세정 가스가 잔존할 수 있다. 따라서, 불활성 가스를 챔버(201) 내부로 주입하여 펌프함으로써 세정 가스를 챔버(201) 내부에서 밀어낼 수 있다.
단계 125에서 리크 검출 장치(100)는 챔버(201) 내부로 주입된 불활성 가스를 플라즈마 반응시킨다.
이어, 단계 130에서 리크 검출 장치(100)는 불활성 가스의 플라즈마 반응에 따른 스펙트럼을 분석하여 챔버(201)에 리크가 존재하는지를 결정한다.
예를 들어, 리크 검출 장치(100)는 불활성 가스의 플라즈마 반응에 따른 스펙트럼을 감지하고 분석하여 감지된 스펙트럼이 불활성 가스에 대한 스펙트럼만을 포함하는 경우, 챔버(201)에는 리크가 존재하지 않는 것으로 판단할 수 있다.
그러나 만일 불활성 가스에 대한 플라즈마 반응에 따른 스펙트럼을 분석한 결과 불활성 가스에 대한 스펙트럼 이외에도, 다른 스펙트럼이 포함되어 있는 경우 리크 검출 장치(100)는 챔버(201)에 리크가 존재하는 것으로 판단할 수 있다.
챔버(201)에서의 각 공정이 완료되어 다른 공정을 위해 챔버(201) 내부를 클리닝한 후 챔버(201)의 내부를 원래의 상태(조건)으로 셋팅하는 과정에서 클리닝 공정에서 사용되는 세정 가스가 잔존할 가능성이 있으므로, 불활성 가스를 이용하여 이를 펌프하여 잔존하는 세정 가스를 밀어낼 수 있다.
이와 같은 상태에서, 불활성 가스를 플라즈마 반응시켜 스펙트럼을 분석하면, 챔버(201)에 리크가 존재하지 않는 경우, 불활성 가스에 대한 스펙트럼만 감지되게 된다.
그러나, 챔버(201)에 리크가 존재하는 경우, 챔버(201) 내부로 공기가 흡입되어 공기 중의 N2, O2 등에 대한 스펙트럼이 감지되게 된다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 리크 검출 장치(100)는 클리닝 공정이 완료된 후 불활성 가스를 챔버(201)로 펌프한 후 불활성 가스를 플라즈마 반응시킨 후 스펙트럼을 분석함으로써 챔버(201)의 리크 여부를 감지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 리크 검출 장치(100)는 클리닝 공정이 종료된 후 불활성 가스를 이용하여 클리닝 공정에 따라 잔존하는 세정 가스를 펌프한 후 플라즈마 반응을 통해 챔버의 리크를 검출하는 것으로, 클리닝 공정 후 챔버(201)의 상태가 이상적(ideal)으로 세팅되지 않더라도 리크를 검출할 수 있는 이점이 있다.
다른 실시예에 따르면, 리크 검출 장치(100)는 세정 후 다음 공정을 위하여 챔버의 조건을 설정한 후 리크 검출 과정을 수행할 수 있다.
이하에서는 챔버(201)의 리크를 검출하는 장치(리크 검출 장치)의 구성에 대해 설명하기로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버(201)의 리크 검출 방법은 챔버(201)의 클리닝 공정이 완료된 후 He 가스의 플라즈마 반응을 통해 챔버(201)를 원래의 상태로 만드는 처리(treatment) 공정에서, H2 가스를 플라즈마 반응시키는 대신, 불활성 가스인 Ar를 플라즈마 반응시킨 후 스펙트럼을 분석하여 리크를 검출하는 것으로 반도체 공정상에 영향을 미치지 않는 이점이 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버의 리크 검출 장치에 대한 구성을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버(201)에 대한 리크 검출 장치(100)는 획득부(210), 리크 검출부(215), 알람부(220), 메모리(225) 및 프로세서(230)를 포함하여 구성된다.
획득부(210)는 챔버(201)에서의 불활성 가스의 플라즈마 반응에 따른 플라즈마 스펙트럼을 획득하기 위한 수단이다.
여기서, 획득부(210)는 광학 필터, 모노크로메타, 이미지 센서, 분광기일 수 있다.
이하에서는 이해와 설명의 편의를 도모하기 위해 획득부(210)가 이미지 센서 또는 분광기인 것을 가정하여 이를 중심으로 설명하기로 한다.
일반적으로 챔버(201)의 리크 발생으로 사고가 발생되는 지표는 10-6 mbar·L/s이다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 리크 검출 장치(100)는 10-7 mbar·L/s를 감지할 수 있도록 획득부(210)가 0.1 내지 10 nm 사이의 해상도를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 리크 검출 장치(100)는 클리닝 공정이 종료된 후 불활성 가스의 플라즈마 반응에 따른 플라즈마 스펙트럼을 분석하여 챔버(201) 내부의 리크를 검출하는 것으로, 불활성 가스 이외의 공기 중의 N2, O2 등의 스펙트럼이 포함되는지를 모니터링하기 위한 것이다.
따라서, 획득부(210)는 100 내지 1000 nm 사이의 파장 대역에서 0.1 내지 10 nm 사이의 해상도를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에서는 불활성 가스가 Ar이고, 타겟 물질(즉, 반응 검출 가스)가 N2, O2 등인 것을 가정하므로, 획득부(210)가 100 내지 1000 nm 사이의 파장 대역에서 0.1 내지 10 nm 사이의 해상도를 갖는 것으로 가정하고 있으나, 불활성 가스가 달라지거나 감지 대상이 달라지는 경우 획득부(210)의 해상도 조건은 달라질 수 있음은 당연하다.
또한, 도 2에는 상세히 도시되어 있지 않으나, 획득부(210)는 피버(fiber)를 통해 챔버(201) 내부에 탐침될 수 있다. 또한, 획득부(210)는 챔버(201)의 일면에 뷰포트가 구비되는 경우, 뷰포트의 위치에 설치되어 플라즈마 스펙트럼을 획득할 수도 있다.
리크 검출부(215)는 획득부(210)에 의해 획득된 플라즈마 스펙트럼을 분석하고, 분석 결과에 따라 챔버(201)의 리크를 검출하기 위한 수단이다.
예를 들어, 리크 검출부(215)는 획득부(210)를 통해 획득된 플라즈마 스펙트럼을 분석하여 플라즈마 스펙트럼에 불활성 가스의 스펙트럼만 존재하는 경우, 챔버(201)에는 리크가 없는 것으로 판단할 수 있다.
그러나, 만일 플라즈마 스펙트럼을 분석한 결과 불활성 가스의 스펙트럼 이외의 타겟 물질의 스펙트럼이 검출되면, 리크 검출부(215)는 챔버(201)에 리크가 존재하는 것으로 판단할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 불활성 가스가 Ar인 것을 가정하며, 타겟 물질이 N2인 것을 가정하기로 한다. 즉, 챔버(201)에 리크가 존재하는 경우, 챔버(201)로 유입된 외부 공기에 의해 N2, O2가 유입되게 된다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 리크 검출부(215)는 플라즈마 스펙트럼에서 Ar의 스펙트럼 이외에 N2의 스펙트럼이 감지되면, 챔버(201)에 리크가 존재하는 것으로 판단할 수 있다.
다시 정리하면, 챔버(201)의 특성상 챔버(201) 내부에는 외부에서 공기가 유입되지 않는 한 N2가 포함될 수 없다. 따라서, 챔버(201)에 불활성 가스를 주입하여 클리닝 공정에 이용된 세정 가스를 펌프한 후 플라즈마 반응을 통해 획득된 플라즈마 스펙트럼에서 N2이 검출되었다는 것은, 챔버(201)로 외부 공기가 유입되었다는 것을 의미한다.
따라서, 리크 검출부(215)는 챔버(201)로 클리닝 공정에 이용된 세정 가스를 펌프하기 위해 주입한 불활성 가스인 Ar이외의 N2의 스펙트럼이 검출되는 경우, 챔버(201)에 리크가 존재하는 것으로 판단할 수 있다.
알람부(220)는 리크 검출부(215)에 의해 챔버(201)의 리크가 검출되면, 시청각 형태로 리크 경보를 출력하기 위한 수단이다.
또한, 알람부(220)는 시청각 형태의 리크 경보 출력 이외에도, 지정된 단말기로 리크 경보를 포함하는 메시지를 전송할 수도 있다.
메모리(225)는 플라즈마 스펙트럼을 이용하여 챔버(201)의 리크를 검출하기 위해 필요한 다양한 데이터, 알고리즘, 이 과정에서 파생된 데이터 등이 저장되는 수단이다.
프로세서(230)는 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버의 리크 검출 장치(100)의 내부 구성 요소들(예를 들어, 획득부(210), 리크 검출부(215), 알람부(220), 메모리(225) 등)을 제어하기 위한 수단이다.
또한, 프로세서(230)는 챔버(201)의 동작을 제어하는 장비와 연동되어, 각 공정의 완료에 따라 챔버(201) 내부 세정을 위한 클리닝 공정이 완료됨에 따라 불활성 가스를 챔버(201)로 주입하여 클리닝 공정에서 사용된 세정 가스를 펌프하도록 제어할 수 있다. 이어, 프로세서(230)는 챔버(201)의 동작을 제어하는 장비와 연동되어 챔버(201)에 주입된 불활성 가스를 플라즈마 반응시키도록 제어할 수 있다.
이를 통해, 리크 검출 장치(100)는 챔버(201) 내부에서 불활성 가스의 플라즈마 반응에 따른 플라즈마 스펙트럼을 획득한 후 이를 분석하여 챔버(201)의 리크를 검출할 수 있다.
도 3은 종래의 리크 검출 결과를 도시한 그래프이고, 도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 리크 검출 결과를 도시한 그래프이다.
도 3 및 도 4에는 리크 레이트(leak rate)는 각각 10-6 mbar·L/s와 10-7 mbar·L/s이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 리크 레이트가 10-6 mbar·L/s인 경우에는 종래에도 리크를 정상적으로 검출할 수 있는 것을 알 수 있다. 그러나, 리크 레이트가 10-7 mbar·L/s인 경우에는 거의 리크를 검출하지 못하는 것을 알 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 리크 검출 결과를 도시한 그래프로, 도 4는 실제 공정 환경에서의 리크를 검출한 결과이며, 도 5는 챔버를 이상적인 조건으로 설정한 후 리크를 검출한 결과이다. 실제 공정 환경에서(즉, 이상적인 조건이 아닌 상태에서)는 종래에 비해 약 43% 리크 검출율이 높아진 것을 알 수 있다.
반면, 챔버(201)의 내부 상태가 이상적인 경우 종래에 비해 리크 검출율이 110% 높아진 것을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버의 리크를 검출하는 리크 검출 장치(100)가 종래에 비해 보다 민감하게 리크를 검출할 수 있음을 알 수 있다. 이를 통해 본 발명은 챔버(201) 리크를 사전에 검출할 수 있어 챔버(201)에서의 공정에 따른 불량 또는 챔버(201)의 손상을 사전에 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명은 챔버(201) 내부에 클리닝 공정 후 불활성 가스를 주입하여 세정 가스를 펌핑한 후 플라즈마 반응을 통해 플라즈마 스펙트럼을 분석하여 리크를 검출하는 것으로, 공정에 영향을 주지 않는 이점이 있다.
즉, 본 발명은 챔버(201)를 세정하는 클리닝 공정이 완료된 후 챔버(201)를 원래의 상태로 되돌리는 처리(treatment) 공정 중에 리크 검출이 가능하여 챔버(201)에서의 증착 공정 등에 영향을 미치지 않을 수 있는 이점이 있다.
상기한 본 발명의 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
100: 리크 검출 장치
210: 획득부
215: 리크 검출부
220: 알람부
225: 메모리
230: 프로세서

Claims (14)

  1. 챔버의 리크를 검출하는 방법에 있어서,
    세정 가스를 이용한 챔버의 클리닝 공정 후 상기 챔버 내에 잔존하는 세정가스를 플라즈마 반응 가스를 주입하여 펌핑하여 제거하는 단계-상기 플라즈마 반응 가스는 불활성 가스 1종임;
    상기 세정 가스를 신속히 제거하기 위해 사용되는 상기 플라즈마 반응 가스를 플라즈마 반응시키는 단계; 및
    상기 플라즈마 반응을 분석하여 상기 챔버의 리크를 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버의 리크 검출 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 리크를 검출하는 단계는,
    상기 플라즈마 반응에 따른 플라즈마 스펙트럼을 획득하는 단계; 및
    상기 플라즈마 스펙트럼을 분석하여 상기 플라즈마 반응 가스에 대한 스펙트럼 이외의 타겟 물질의 스펙트럼 검출시, 상기 챔버에 리크가 존재하는 것으로 판단하는 단계를 포함하는 챔버의 리크 검출 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 타겟 물질은 N2, O2의 다중 스펙트럼인 것을 특징으로 하는 챔버의 리크 검출 방법.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 플라즈마 스펙트럼을 획득하는 단계는,
    100 내지 1000 nm 사이의 파장 대역에서 0.1 내지 10 nm 사이의 해상도로 상기 플라즈마 스펙트럼을 획득하는 것을 특징으로 하는 챔버의 리크 검출 방법.
  7. 삭제
  8. 챔버의 리크 검출 장치에 있어서,
    세정 가스를 이용한 챔버의 클리닝 공정 후 상기 챔버 내에 잔존하는 세정가스가 플라즈마 반응 가스를 주입하여 펌핑함에 따라 제거된 후 상기 세정 가스를 신속히 제거하기 위해 사용되는 상기 플라즈마 반응 가스의 플라즈마 반응에 따른 플라즈마 스펙트럼을 획득하는 획득부-상기 플라즈마 반응 가스는 불활성 가스 1종임; 및
    상기 플라즈마 반응을 분석하여 상기 챔버의 리크를 검출하는 리크 검출부를 포함하는 챔버의 리크 검출 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 획득부는,
    상기 플라즈마 반응에 따른 플라즈마 스펙트럼을 획득할 수 있는 이미지 센서 또는 분광기이되,
    상기 이미지 센서 또는 상기 분광기는 100 내지 1000 nm 사이의 파장 대역에서 0.1 내지 10 nm 사이의 해상도를 갖는 것을 특징으로 하는 챔버의 리크 검출 장치.
  10. 삭제
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 리크 검출부는,
    상기 플라즈마 스펙트럼을 분석한 결과 플라즈마 반응 가스의 스펙트럼 이외의 타겟 물질의 스펙트럼이 검출되면, 상기 챔버에 리크가 존재하는 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 챔버의 리크 검출 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 플라즈마 반응 가스는 Ar이며, 상기 타겟 물질은 N2, O2의 성분을 포함하는 다중 스펙트럼인 것을 특징으로 하는 챔버의 리크 검출 장치.
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 리크 검출부에 의해 리크가 검출되는 경우, 시청각 형태로 알람을 출력하는 알람부를 더 포함하는 챔버의 리크 검출 장치.


  14. 삭제
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