JP2004233128A - Probe unit and method of manufacturing probe unit - Google Patents

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JP2004233128A JP2003019984A JP2003019984A JP2004233128A JP 2004233128 A JP2004233128 A JP 2004233128A JP 2003019984 A JP2003019984 A JP 2003019984A JP 2003019984 A JP2003019984 A JP 2003019984A JP 2004233128 A JP2004233128 A JP 2004233128A
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contact portion
mask
probe unit
contact
forming
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Masahiro Sugiura
正浩 杉浦
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe unit that ensures the electrical connections between electrodes and probes while suppressing the deposition of foreign matters on the contacting sections of a specimen with the electrodes, and to provide a method of manufacturing the probe unit. <P>SOLUTION: When the contacting sections 24 are sharpened in the direction in which the sections 24 are protruded from the side faces of beams 10, the contact pressures between the contacting sections 24 and electrodes can be increased, and the front ends of the contacting sections 24 are self-cleaned because of a contact with the electrodes. In addition, the occurrence of a fault in the pattern of a mask can be prevented by forming the beams 10 and contacting sections 24 in different steps. Namely, the prior formation of recessed sections used for forming the contacting sections 24 on the surface of a substrate exposed from the openings of the mask for forming the beams 10 becomes unnecessary. Consequently, the excessive etching of the openings of the mask due to an irregular reflection caused on the surface of the substrate can be prevented. Therefore, the probes can be miniaturized. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路や液晶パネル等の電子デバイスの電気的特性を検査するためのプローブユニット及びプローブユニットの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ビームと、ビームの側面から突出して形成され電子デバイスの電極に接触する接触部とを備えるプローブユニットが知られている。検体としての電子デバイスの電極に接触する接触部を突出させることにより、パッシベーション膜に囲まれて凹んでいる電極に対して接触部を接触させることが容易になる。
【0003】
特許文献1には、ビームの側面から突出して形成される接触部を形成する次の方法が開示されている。まず基板上の犠牲膜に凹部を形成し、ビームの形状に対応し犠牲膜の凹部を露出させる開口部を有するマスクを犠牲膜の表面上に形成する。次に開口部をめっき工程により充填し、接触部とリードとを一度に形成する。次にマスク及び犠牲膜を除去し、一体化した接触部とビームを基板から分離する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、犠牲膜の凹部を露出させるマスクの開口部を写真食刻により形成すると、凹部表面の反射光がマスクの法線方向から逸れた方向に拡散する。このため、開口部の内壁が過度に食刻され、マスクの開口部のパターン不良が生ずる。このようなマスクのパターン不良はプローブ微細化の障壁になる。
【0005】
また、プローブの接触部で電極表面をスクラブし、それによって電極とプローブとの電気的接続を確実にする工程を含む検査を実施する場合、接触部の表面には電極の削り屑が堆積する。また、接触部の表面には電極の削り屑以外のコンタミナントも堆積する。接触部の表面のこれらの堆積物は電極とプローブの電気的接続を不安定にするため、電子デバイスの検査工程では、これらの堆積物をクリーニングシートなどで定期的に除去する必要がある。
【0006】
本発明の第一の目的は、これらの問題に鑑みて創作されたものであって、検体の電極との接触部における異物の堆積を抑制しつつ電極とプローブとの電気的接続を確実するプローブユニット及びプローブユニットの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第二の目的は、ビームの側面から突出した接触部を備えたプローブを微細化することができるプローブユニットの製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記第一の目的を達成するため、本発明に係るプローブユニットは、支持部と、前記支持部に基端部を支持されているビームと、前記ビームの側面から突出して形成され検体の電極に接触する接触部とを備えるプローブユニットであって、前記接触部はその突出方向に先鋭であることを特徴とする。接触部をビームの側面から突出する方向に先鋭化させると、接触部と電極の接触圧を増大させることができ、また、接触部の先端は電極との接触によってセルフクリーニングされる。すなわち、接触部と電極の接触により接触部に付着する削り屑、コンタミナント等は接触部が電極に突き刺さることで接触部の先端から除去される。したがって、検体としての電子デバイスの電気的特性の検査にプローブユニットを繰り返し使用するとき、接触部における異物の堆積を抑制しつつ電極とプローブとの電気的接続を確実することができる。
【0008】
さらに本発明に係るプローブユニットでは、前記接触部は前記ビームの先端方向に先鋭であることを特徴とする。接触部で電極表面をスクラブするとき、接触部は電極表面に対してビームの先端方向に相対的に移動する。ビームの先端方向に接触部を先鋭化させることにより、スクラブ時に接触部の前進側端部は電極との接触によってセルフクリーニングされる。
【0009】
さらに本発明に係るプローブユニットでは、前記接触部は前記ビームの素材より硬質の素材からなることを特徴とする。接触部をビームより硬質にすることにより、プローブの耐久性を向上させることができる。
【0010】
さらに本発明に係るプローブユニットでは、前記ビームは前記接触部より体積抵抗率の低い素材からなることを特徴とする。ビームの体積抵抗率を接触部より低くすることによりプローブの感度を向上させることができる。
【0011】
上記第一の目的を達成するため、本発明に係るプローブユニットの製造方法は、支持部に基端部を支持されるビームと、前記ビームの側面から突出して形成され検体の電極に接触する接触部とを備えるプローブユニットの製造方法であって、基板の表面上に前記ビームを形成するビーム形成工程と、前記ビームの側面の一部を露出させる開口部を有するマスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、前記開口部に前記接触部を形成するめっき工程と、を含むことを特徴とする。ビームと接触部を個別の工程で形成することにより、マスクのパターン不良を防止することができる。すなわち、ビームを形成するためのマスクの開口部から露出する基板の表面に、接触部を形成するための凹部を形成しておくことが不要になる。このため、基板表面での乱反射によりそのマスクの開口部が過度に食刻されることを防止できる。したがって、ビームの側面から突出した接触部を備えたプローブを微細化することができる。
【0012】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記めっき工程の後に、イオンミリングにより前記接触部を先鋭化させる先鋭化工程をさらに含むことを特徴とする。接触部をイオンミリングにより先鋭化させることにより、接触部と電極の接触圧を増大させることができ、また、検体としての電子デバイスの電気的特性の検査にプローブユニットを繰り返し使用するとき、接触部における異物の堆積を抑制しつつ電極とプローブとの電気的接続を確実することができる。
【0013】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、前記マスクを除去するマスク除去工程と、前記ビームを被覆し前記接触部を露出させる保護膜を前記ビームの表面上に形成する保護工程とをさらに含むことを特徴とする。接触部をイオンミリングにより先鋭化させるとき、ビームを保護膜で被覆しておくことにより、イオンミリングでビームが削れることを防止できる。
【0014】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記めっき工程において、積層構造の前記マスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、前記ビームを被覆している前記マスクの下層部を残存させて前記マスクの上層部を除去し前記接触部を露出させるマスク除去工程をさらに含むことを特徴とする。接触部をイオンミリングにより先鋭化させるとき、ビームをマスクの下層部で被覆しておくことにより、イオンミリングでビームが削れることを防止できる。
【0015】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記めっき工程において、単層構造の前記マスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、前記ビームを被覆している前記マスクの下部を残存させて前記マスクの上部を除去し前記接触部を露出させるマスク除去工程をさらに含むことを特徴とする。接触部をイオンミリングにより先鋭化させるとき、ビームをマスクの下部で被覆しておくことにより、イオンミリングでビームが削れることを防止できる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例によるプローブユニットとその製造方法を図面に基づいて説明する。
(プローブユニットの構成)
図2(A)、(B)、(C)はそれぞれ本発明の一実施例によるプローブユニット1を示す正面図、側面図、平面図である。プローブユニット1は、平板状の支持部28及び複数のプローブ26で構成されている。各プローブ26は、ビーム10及び接触部24からなる。
【0017】
ビーム10は、互いに平行に配列され、それぞれの基端部が支持部28に固定され、それぞれの先端部が支持部28から突出している。複数のビーム10のピッチは検体となる半導体集積回路や液晶パネルの電極のピッチに対応する。ビーム10の素材としては、ニッケル、ニッケル−鉄合金、ニッケル−コバルト合金等が望ましい。
【0018】
接触部24は、ビーム10の先端部の側面から突出している。接触部24がビーム10の側面から突出する方向は、ビーム10の軸線に対してほぼ垂直な方向である。接触部24をビーム10の側面から突出させることにより、検体としての電子デバイスの電極が凹部に設けられていても接触部24を接触させることが容易になる。またビーム10の接触部24が形成される側面は、支持部28に固定される側面の裏面に相当する。このため、検体に接触部24を圧接させることによる反力がプローブ26と支持部28とを剥離させる方向に作用することがない。
【0019】
接触部24の素材は、ビーム10の素材と同一であってもよいし、異素材であってもよい。例えば、接触部24にビーム10より硬質な素材や、体積抵抗率の低い素材や、化学的に安定な素材を採用してもよい。具体的には例えば、接触部24の素材としてパラジウム、ロジウム、金、銅等を採用してもよい。例えば、体積抵抗率についてはビーム10が接触部24より低く、硬度については接触部24がビーム10より高くなる素材を採用することにより、プローブ単位で抵抗を低減しつつ耐久性を向上させることができる。また、接触部24の基材はビーム10の素材と同一とし、接触部24の表層部だけにパラジウム、ロジウム、金、銅等の素材を採用してもよい。接触部24とビーム10の素材の組み合わせは、素材の膜応力、体積抵抗率、硬度、密着性等に応じて適宜選択することが望ましい。
【0020】
接触部24の形状は、ビーム10の側面から突出する方向に、すなわち、ビーム10の軸線に対して垂直な方向に先鋭化させる。接触部24を突出方向に先鋭化させることにより、接触部24が検体の電極に接触するとき、微視的に接触部24が電極に突き刺さり、それによって接触部24の先端から堆積物が除去されやすいからである。接触部24の先端(突出方向の先端)に対して電極が接触した状態で検査が実施されるため、接触部24と電極との確実な電気的接続を確保できる。接触部24に堆積するものとしては、電極パッドの削りくずとしてのアルミニウム、銅、これらの酸化物等、若しくはコンタミナント等の有機物である。
【0021】
図2には、円錐形状の接触部24を例示している。図3には、先端がナイフエッジ状に形成された接触部24を例示している。接触部24の高さHは、2μm以上であることが望ましい。また、接触部24をビーム10の先端から基端側に離す距離Dは20μm以内であることが望ましい。接触部24についてH及びDをこのように設定することにより、凹部に電極が設けられる電子デバイスを検体とする場合であっても、ビーム10の長さ及び角度の設計自由度を上げることができる。また、接触部24の短手方向の幅Wは、30μm以下であることが望ましい。Wを小さく設定することにより、接触部24と電極との接触圧を大きく設定することができ、これにより、小さい荷重でプローブ26と検体の電極との確実な電気的接続を確保することができる。また、接触部24のビッカース硬度Hvは500以上であることが望ましい。接触部24の耐久性を確保するためである。
【0022】
接触部24の形状は、ビーム10の先端方向に先鋭化させることが望ましい。接触部24がビーム10の先端方向に先鋭化していると、スクラブにより電極に対して接触部24が摺動するとき、接触部24の前端から堆積物が除去されやすいからである。
【0023】
図4〜図7には、ビーム10の先端方向に先鋭化した接触部24の形状を例示した。図4に示す接触部24の形状は、六角柱の上縁角部を切り落とした形状であって、ビーム10の軸方向に前端から後端まで延びる直線的なナイフエッジ30を持つ形状である。図5に示す接触部24の形状は、楕円断面の柱体の上縁角部を切り落とした形状であって、ビーム10の軸方向に前端から後端まで延びる湾曲したナイフエッジ30を持つ形状である。図6に示す接触部24の形状は、円錐側面状の前端面32と、ビーム10の軸方向に延びる湾曲したナイフエッジ30とを持つ形状である。図7に示す接触部24の形状は、図6の例と同様、円錐側面状の前端面32と、ビーム10の軸方向に延びる湾曲したナイフエッジ30とを持つ形状である。
【0024】
(プローブユニットを用いた導通試験)
図8はプローブユニット1を用いた導通試験を示す模式図である。プローブユニット1は、昇降機構を有する図示しない検査装置によって鉛直方向に往復移動する。
【0025】
はじめに、プローブユニット1を下方に移動させ、接触部24の先端を電子デバイス44の電極パッド40に接触させる。このとき、接触部24はビーム10の側面から突出して形成されているため、電子デバイス44の電極パッド40以外の部位(パッシベーション膜等)に接触させることなく電極パッド40に接触部24を接触させることは容易である。続いて、接触部24と電極パッド40とを電気的に確実に接続するため、プローブユニット1をさらに下方に移動させ、電極パッド40に接触部24を圧接させる。このとき、接触部24は電極パッド40に対して摺動し、電極パッド40の表面をわずかに削り取る。すなわち、プローブユニット1をオーバードライブさせることにより、電極パッド40をスクラブする。これにより、電極パッド40の表面の酸化物や堆積物が除去されるとともに、接触部24の突出方向の先端及びビーム先端方向の先端がセルフクリーニングされるため、電極パッド40と接触部24との電気的接続がより確実になる。
【0026】
(プローブユニットの第一の製造方法)
図1はプローブユニット1の製造方法の第一実施例を示す断面図である。
はじめに、図1(A1)、(B1)に示すように基板12の表面上にビーム10を形成する。具体的には、まず、表層部14が銅からなる基板12の表面上にビーム10に対応する開口部を有する図示しないマスクを形成する。マスクは、例えば、基板12の表面上にレジストを形成し、レジストを露光して所定のパターンに現像することによって形成する。レジストは10〜70μmの膜厚で塗布する。次にマスクの開口部にめっきによりビーム10を形成する。具体的には例えば、ニッケル、ニッケル−鉄合金、ニッケル−コバルト合金等の金属を10〜50μmの膜厚に電解めっきする。次にマスクを除去する。具体的には例えば、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)、アセトン、又は1規定の水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジストを除去する。
【0027】
続いて、図1(A2)、(B2)に示すようにビーム10の側面の一部を露出させる開口部20を有するマスク16を基板12及びビーム10の表面上に形成し、マスク16の開口部20に接触部の原形18を形成する。具体的には、まず、ビーム10の膜厚より厚くなるように10〜100μmの膜厚でレジストを塗布し、露光及び現像して所定の開口部20を有するマスク16を形成する。マスク16の開口部20は、極めて細い形状でもよいし、上方に向けて縮径するテーパ形状であってもよい。開口部20がこれらの形状であれば、後のイオンミリングによる先鋭化が不要になる。次に、ニッケル、ニッケル−鉄合金、ニッケル−コバルト合金等の金属を開口部20内にめっきして接触部の原形18を形成する。具体的には例えば電解めっきにより10〜40μmの膜厚で接触部の原形18を形成する。ここでめっき材料としてビーム10の材料に比べて、より硬質なもの、より体積抵抗率の低いもの、具体的には例えばパラジウム、ロジウム、金、銅等を採用してもよい。また、ビーム10と同じ材料で所定の膜厚までめっきし、その後、パラジウム、ロジウム、金、銅等を0.1〜5μmの膜厚にめっきして接触部24を複層構造にしてもよい。接触部24を単層構造にするか、複層構造にするかは、膜応力、体積抵抗率、硬度、密着性等の材料の特性に応じて選択することが望ましい。
【0028】
続いて図1(A3)、(B3)に示すように、マスク16を除去する。具体的には例えばNMP(N−メチル−2−ピロリドン)、アセトン、又は1規定の水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジストを除去する。
【0029】
続いて、図1(A4)、(B4)に示すようにビーム10を被覆し接触部の原形18を露出させる保護膜22をビーム10及び基板12の表面上に形成する。この工程は、後続のイオンミリングによりビーム10が削られることを防止するため、実施することが望ましい。具体的には、まず、レジストを所定の膜厚に塗布し、露光して所定のパターン、例えば接触部の原形18を形成するときに用いたパターンと同一又は類似のパターン等に現像する。レジストの膜厚が厚いと、後続のイオンミリングで接触部を十分に先鋭化できなくなるため、ビーム10に積層するレジストの厚さは最小限にする。例えば、ビーム10の膜厚が20μm、接触部の原形18の膜厚が15μmの場合、基板12の表面に10μm程度の膜厚でレジストが積層するようにする。次にレジストをベークすることによってレジストからなる保護膜22のイオンミリングに対する耐久性を上げる。ベーク条件は例えば150℃で60分間とする。
【0030】
続いて、図1(A5)、(B5)に示すようにイオンミリングにより接触部の原形18を先鋭化させる。具体的には例えば、基板12表面の垂線方向のイオンビームにより接触部の原形18の露出部分をエッチングする。これにより、接触部の原形18の上縁角部がイオンビームによって除去され、接触部24の突出方向の先端及びビーム先端方向の先端が先鋭化する。接触部の原形18の幅Wの半分の幅づつ接触部の原形18の上縁角部を除去すれば、ナイフエッジを有する接触部24を形成することができる。尚、イオンビームの方向は基板12表面の垂線方向に限らず、その垂線に対して傾斜した方向であってもよい。
【0031】
続いて、図1(A6)、(B6)に示すように保護膜22を除去する。具体的には例えばNMP(N−メチル−2−ピロリドン)、アセトン、又は1規定の水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジストを除去する。
【0032】
続いて、基板12及びプローブ26をエッチング液に浸漬し、基板12の表層部14を溶解して基板12からプローブ26を剥離させる。エッチング液としては、例えばアルカリ性の銅専用エッチング液を用いる。
【0033】
図9は、図1(A2)、(B2)に示した工程で形成する接触部の原形18と、図1(A5)、(B5)に示した工程でイオンミリングにより先鋭化された接触部24の対応関係を示す模式図である。
【0034】
接触部の原形18が直方体である場合、図9(A)に示すように、図3に示した接触部24が形成される。接触部の原形18が六角柱である場合、図9(B)に示すように、図4に示した接触部24が形成される。接触部の原形18が楕円柱である場合、図9(C)に示すように、図5に示した接触部24が形成される。図9(D)、(E)では、ビーム10の一部がイオンミリングにより除去されてビーム10に凹部11が形成される例を示している。
【0035】
尚、プローブ26を支持部に固定してプローブユニットを製造するには、プローブ26を基板12から剥離させる前に、基板上に配列されたプローブ26に支持部としての樹脂フィルム等を接着してもよいし、未硬化の熱硬化性樹脂フィルムをプローブ26間に充填するように圧入し、それを加熱硬化させることにより支持部を形成してもよい。
【0036】
上述の製造方法によると、ビーム10を形成する工程では、基板12の平坦な表面上に図示しないマスクの開口部を形成するため、マスクのパターン不良を防止でき、ビーム10を狭いピッチで基板12上に形成することができる。このため、プローブ26のピッチを狭小化することができる。また、接触部24を形成する工程でも、ビーム10の平坦な側面上にマスク16の開口部20を形成するため、マスクのパターン不良を防止でき、接触部24を微細化することができる。
【0037】
また、上述の製造方法によると、ビーム10を形成する工程と、接触部24を形成する工程において、それぞれ別々のマスクを用いた別々のめっき処理により、ビーム10及び接触部24を形成するため、ビーム10及び接触部24の材料に異素材を用いることができる。
【0038】
(プローブユニットの第二の製造方法)
図10はプローブユニット1の製造方法の第二実施例を示す断面図である。プローブユニット1の製造方法の第二実施例は、接触部18のマスキング及びビーム10の保護の方法が上述した第一実施例と異なり、その他の点では第一実施例と実質的に同一である。
【0039】
図10(A2)、(B2)に示すように、接触部の原形18を形成するためのマスク16は、互いに異なる素材からなる下層部17及び上層部15を積層して形成する。具体的には、マスク16の下層部17の膜厚は接触部の原形18の膜厚よりも薄くし、マスク16全体の膜厚は接触部の原形18の膜厚よりも厚く設定する。このように形成した積層構造のマスク16に開口部20を形成し、開口部20に接触部の原形18を形成する。
【0040】
続いて図10(A3)、(B3)に示すように、マスク16の上層部15を除去して接触部の原形18を露出させる。具体的には例えば、上層部15のみを溶かす溶液に浸漬してもよいし、上層部15のみを除去するガスでドライエッチングしてもよい。
【0041】
続いて図10(A4)、(B4)に示すように、マスク16の下層部17をビーム10の保護膜としてイオンミリングにより接触部の原形18を先鋭化する。
【0042】
(プローブユニットの第三の製造方法)
図11はプローブユニット1の製造方法の第三実施例を示す断面図である。プローブユニット1の製造方法の第三実施例は、ビーム10の保護の方法が上述した第一実施例と異なり、その他の点では第一実施例と実質的に同一である。
図11(A3)、(B3)に示すように、接触部の原形18を露出させた状態でビーム10を保護する保護膜は、接触部の原形18を形成するためのマスク16の上部を除去したものとする。具体的にはエッチング期間を制御することにより、接触部の原形18を露出させビーム10を被覆する膜厚になるまでマスク16の上部をドライエッチングにより除去し、マスク16の下部を残存させる。
【0043】
続いて図11(A4)、(B4)に示すように、マスク16の下部をビーム10の保護膜としてイオンミリングにより接触部の原形18を先鋭化する。
【0044】
接触部の原形18のマスキングとその先鋭化工程におけるビーム10の保護に単一のマスク16を併用することにより製造プロセスを簡素化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】プローブユニットの製造方法の第一実施例を示す断面図である。
【図2】本発明の一実施例によるプローブユニット1を示す正面図、側面図、平面図である。
【図3】本発明の一実施例によるプローブを示す斜視図である。
【図4】本発明の一実施例によるプローブを示す斜視図である。
【図5】本発明の一実施例によるプローブを示す斜視図である。
【図6】本発明の一実施例によるプローブを示す斜視図である。
【図7】本発明の一実施例によるプローブを示す斜視図である。
【図8】本発明の一実施例によるプローブユニットを用いた導通試験を示す模式図である。
【図9】本発明の一意実施例によるイオンミリングによる接触部の先鋭化工程を説明するための模式図である。
【図10】プローブユニットの製造方法の第二実施例を示す断面図である。
【図11】プローブユニットの製造方法の第三実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 プローブユニット
10 ビーム
12 基板
14 表層部
16 マスク
20 開口部
22 保護膜
24 接触部
26 プローブ
28 支持部
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a probe unit for inspecting electrical characteristics of an electronic device such as a semiconductor integrated circuit and a liquid crystal panel, and a method of manufacturing the probe unit.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a probe unit including a beam and a contact portion formed to protrude from a side surface of the beam and contact an electrode of an electronic device. By protruding the contact portion that comes into contact with the electrode of the electronic device as the specimen, it becomes easy to make the contact portion contact the electrode that is recessed and surrounded by the passivation film.
[0003]
Patent Literature 1 discloses the following method of forming a contact portion formed to project from a side surface of a beam. First, a concave portion is formed in the sacrificial film on the substrate, and a mask having an opening corresponding to the shape of the beam and exposing the concave portion of the sacrificial film is formed on the surface of the sacrificial film. Next, the opening is filled by a plating process to form a contact portion and a lead at one time. Next, the mask and the sacrificial film are removed, and the integrated contact portion and the beam are separated from the substrate.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the opening of the mask that exposes the concave portion of the sacrificial film is formed by photolithography, the reflected light on the concave surface diffuses in a direction deviating from the normal direction of the mask. For this reason, the inner wall of the opening is excessively etched, and a pattern defect occurs in the opening of the mask. Such a mask pattern defect becomes a barrier to miniaturization of the probe.
[0005]
Also, when performing an inspection including a step of scrubbing the electrode surface at the contact portion of the probe, thereby ensuring electrical connection between the electrode and the probe, shavings of the electrode are deposited on the surface of the contact portion. In addition, contaminants other than the shavings of the electrode are also deposited on the surface of the contact portion. Since these deposits on the surface of the contact portion make the electrical connection between the electrode and the probe unstable, it is necessary to periodically remove these deposits with a cleaning sheet or the like in an electronic device inspection process.
[0006]
A first object of the present invention was created in view of these problems, and is a probe that ensures electrical connection between an electrode and a probe while suppressing accumulation of foreign matter in a contact portion of the sample with the electrode. It is an object to provide a method of manufacturing a unit and a probe unit.
A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing a probe unit capable of miniaturizing a probe having a contact portion protruding from a side surface of a beam.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the first object, the probe unit according to the present invention includes a support part, a beam whose base end is supported by the support part, and an electrode of a specimen formed to protrude from a side surface of the beam. A probe unit having a contact portion that comes into contact with the probe unit, wherein the contact portion is sharp in a protruding direction thereof. When the contact portion is sharpened in a direction protruding from the side surface of the beam, the contact pressure between the contact portion and the electrode can be increased, and the tip of the contact portion is self-cleaned by contact with the electrode. That is, shavings, contaminants, and the like adhering to the contact portion due to contact between the contact portion and the electrode are removed from the tip of the contact portion by the contact portion piercing the electrode. Therefore, when the probe unit is repeatedly used for testing the electrical characteristics of the electronic device as a specimen, it is possible to secure the electrical connection between the electrode and the probe while suppressing the accumulation of foreign matter at the contact portion.
[0008]
Further, in the probe unit according to the present invention, the contact portion is sharp in a tip direction of the beam. When scrubbing the electrode surface at the contact, the contact moves relative to the electrode surface in the direction of the beam tip. By sharpening the contact portion in the direction of the beam tip, the forward end of the contact portion is self-cleaned by contact with the electrode during scrubbing.
[0009]
Further, in the probe unit according to the present invention, the contact portion is made of a material harder than the material of the beam. By making the contact portion harder than the beam, the durability of the probe can be improved.
[0010]
Further, in the probe unit according to the present invention, the beam is made of a material having a lower volume resistivity than the contact portion. By making the volume resistivity of the beam lower than that of the contact portion, the sensitivity of the probe can be improved.
[0011]
In order to achieve the first object, a method of manufacturing a probe unit according to the present invention includes the steps of: forming a beam having a base end supported by a support portion; And a beam forming step of forming the beam on a surface of a substrate, and a mask having an opening exposing a part of a side surface of the beam. A plating step of forming on the surface and forming the contact portion in the opening. By forming the beam and the contact part in separate steps, it is possible to prevent a mask pattern defect. That is, it is not necessary to form a concave portion for forming a contact portion on the surface of the substrate exposed from the opening of the mask for forming a beam. For this reason, it is possible to prevent the opening of the mask from being excessively etched due to irregular reflection on the substrate surface. Therefore, a probe having a contact portion protruding from the side surface of the beam can be miniaturized.
[0012]
Furthermore, the method of manufacturing a probe unit according to the present invention is characterized in that the method further includes a sharpening step of sharpening the contact portion by ion milling after the plating step. By sharpening the contact part by ion milling, the contact pressure between the contact part and the electrode can be increased, and when the probe unit is repeatedly used for testing the electrical characteristics of the electronic device as a specimen, the contact part The electrical connection between the electrode and the probe can be ensured while suppressing the accumulation of foreign matter in the substrate.
[0013]
Further, in the method of manufacturing a probe unit according to the present invention, after the plating step, before the sharpening step, a mask removing step of removing the mask, and a protective film that covers the beam and exposes the contact portion. And forming a protection step on the surface of the beam. When the contact portion is sharpened by ion milling, by coating the beam with a protective film, it is possible to prevent the beam from being shaved by ion milling.
[0014]
Further, in the probe unit manufacturing method according to the present invention, in the plating step, the mask having a laminated structure is formed on the surface of the substrate and the beam, and after the plating step, the beam is formed before the sharpening step. A mask removing step of removing an upper layer of the mask while leaving a lower layer of the mask covering the mask and exposing the contact portion. When the contact portion is sharpened by ion milling, the beam is covered with the lower layer of the mask, thereby preventing the beam from being cut off by ion milling.
[0015]
Further, in the method of manufacturing a probe unit according to the present invention, in the plating step, the mask having a single-layer structure is formed on the surface of the substrate and the beam, and after the plating step, before the sharpening step, The method may further include a mask removing step of removing an upper portion of the mask while leaving a lower portion of the mask covering the beam and exposing the contact portion. When the contact portion is sharpened by ion milling, by covering the beam with the lower portion of the mask, it is possible to prevent the beam from being cut off by ion milling.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a probe unit and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Configuration of probe unit)
FIGS. 2A, 2B, and 2C are a front view, a side view, and a plan view, respectively, showing a probe unit 1 according to an embodiment of the present invention. The probe unit 1 includes a flat supporting portion 28 and a plurality of probes 26. Each probe 26 includes the beam 10 and the contact part 24.
[0017]
The beams 10 are arranged in parallel with each other, each base end portion is fixed to the support portion 28, and each front end portion protrudes from the support portion 28. The pitch of the plurality of beams 10 corresponds to the pitch of electrodes of a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal panel serving as a specimen. The material of the beam 10 is preferably nickel, a nickel-iron alloy, a nickel-cobalt alloy, or the like.
[0018]
The contact portion 24 protrudes from the side surface of the tip of the beam 10. The direction in which the contact portion 24 projects from the side surface of the beam 10 is substantially perpendicular to the axis of the beam 10. By protruding the contact portion 24 from the side surface of the beam 10, it is easy to make the contact portion 24 contact even if the electrode of the electronic device as the specimen is provided in the concave portion. The side surface on which the contact portion 24 of the beam 10 is formed corresponds to the back surface of the side surface fixed to the support portion 28. Therefore, a reaction force caused by pressing the contact portion 24 against the sample does not act in a direction in which the probe 26 and the support portion 28 are separated.
[0019]
The material of the contact portion 24 may be the same as the material of the beam 10 or may be a different material. For example, a material harder than the beam 10, a material having a low volume resistivity, or a chemically stable material may be employed for the contact portion 24. Specifically, for example, palladium, rhodium, gold, copper, or the like may be employed as a material of the contact portion 24. For example, by using a material in which the beam 10 is lower in volume resistivity than the contact portion 24 and the hardness is higher in the contact portion 24 than the beam 10, the durability can be improved while reducing the resistance in probe units. it can. In addition, the base material of the contact portion 24 may be the same as the material of the beam 10, and a material such as palladium, rhodium, gold, or copper may be used only for the surface portion of the contact portion 24. It is desirable that the combination of the material of the contact portion 24 and the beam 10 be appropriately selected according to the film stress, volume resistivity, hardness, adhesion, and the like of the material.
[0020]
The shape of the contact portion 24 is sharpened in a direction protruding from the side surface of the beam 10, that is, in a direction perpendicular to the axis of the beam 10. By sharpening the contact portion 24 in the projecting direction, when the contact portion 24 comes into contact with the electrode of the specimen, the contact portion 24 pierces the electrode microscopically, thereby removing deposits from the tip of the contact portion 24. Because it is easy. Since the inspection is performed in a state where the electrode is in contact with the tip of the contact portion 24 (the tip in the protruding direction), reliable electrical connection between the contact portion 24 and the electrode can be secured. The material deposited on the contact portion 24 is aluminum, copper, an oxide thereof, or an organic substance such as contaminants as shavings of the electrode pad.
[0021]
FIG. 2 illustrates the conical contact portion 24. FIG. 3 exemplifies a contact portion 24 having a tip formed in a knife edge shape. The height H of the contact portion 24 is desirably 2 μm or more. Further, the distance D separating the contact portion 24 from the distal end of the beam 10 to the proximal end side is desirably within 20 μm. By setting H and D in this way for the contact portion 24, the degree of freedom in designing the length and angle of the beam 10 can be increased even when an electronic device in which an electrode is provided in a concave portion is used as a sample. . Further, the width W of the contact portion 24 in the short direction is desirably 30 μm or less. By setting W to a small value, the contact pressure between the contact portion 24 and the electrode can be set to a large value, whereby a reliable electrical connection between the probe 26 and the sample electrode can be secured with a small load. . The Vickers hardness Hv of the contact portion 24 is desirably 500 or more. This is for ensuring the durability of the contact portion 24.
[0022]
It is desirable that the shape of the contact portion 24 be sharpened toward the tip of the beam 10. If the contact portion 24 is sharpened in the direction of the distal end of the beam 10, when the contact portion 24 slides on the electrode due to scrubbing, the deposit is easily removed from the front end of the contact portion 24.
[0023]
4 to 7 show examples of the shape of the contact portion 24 that is sharpened in the direction of the tip of the beam 10. The shape of the contact portion 24 shown in FIG. 4 is a shape obtained by cutting off the upper edge corner of the hexagonal prism, and has a straight knife edge 30 extending from the front end to the rear end in the axial direction of the beam 10. The shape of the contact portion 24 shown in FIG. 5 is a shape obtained by cutting off the upper edge corner of a column having an elliptical cross section, and having a curved knife edge 30 extending from the front end to the rear end in the axial direction of the beam 10. is there. The shape of the contact portion 24 shown in FIG. 6 is a shape having a front end surface 32 having a conical side surface shape and a curved knife edge 30 extending in the axial direction of the beam 10. The shape of the contact part 24 shown in FIG. 7 is a shape having a front end face 32 having a conical side surface and a curved knife edge 30 extending in the axial direction of the beam 10 as in the example of FIG.
[0024]
(Continuity test using probe unit)
FIG. 8 is a schematic diagram showing a continuity test using the probe unit 1. The probe unit 1 vertically reciprocates by an inspection device (not shown) having an elevating mechanism.
[0025]
First, the probe unit 1 is moved downward, and the tip of the contact portion 24 contacts the electrode pad 40 of the electronic device 44. At this time, since the contact portion 24 is formed so as to protrude from the side surface of the beam 10, the contact portion 24 is brought into contact with the electrode pad 40 without making contact with a portion (a passivation film or the like) other than the electrode pad 40 of the electronic device 44. It is easy. Subsequently, the probe unit 1 is moved further downward so that the contact portion 24 is pressed against the electrode pad 40 in order to reliably electrically connect the contact portion 24 and the electrode pad 40. At this time, the contact portion 24 slides with respect to the electrode pad 40, and slightly scrapes the surface of the electrode pad 40. That is, by overdriving the probe unit 1, the electrode pads 40 are scrubbed. As a result, oxides and deposits on the surface of the electrode pad 40 are removed, and the tip of the contact portion 24 in the protruding direction and the tip in the beam tip direction are self-cleaned. The electrical connection is more secure.
[0026]
(First method of manufacturing probe unit)
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a method for manufacturing the probe unit 1.
First, a beam 10 is formed on the surface of a substrate 12 as shown in FIGS. 1 (A1) and 1 (B1). Specifically, first, a mask (not shown) having an opening corresponding to the beam 10 is formed on the surface of the substrate 12 whose surface layer portion 14 is made of copper. The mask is formed, for example, by forming a resist on the surface of the substrate 12, exposing the resist, and developing the resist into a predetermined pattern. The resist is applied in a thickness of 10 to 70 μm. Next, a beam 10 is formed in the opening of the mask by plating. Specifically, for example, a metal such as nickel, a nickel-iron alloy, and a nickel-cobalt alloy is electrolytically plated to a thickness of 10 to 50 μm. Next, the mask is removed. Specifically, the resist is removed using, for example, NMP (N-methyl-2-pyrrolidone), acetone, or a 1N aqueous solution of sodium hydroxide.
[0027]
Subsequently, as shown in FIGS. 1A2 and 1B2, a mask 16 having an opening 20 for exposing a part of the side surface of the beam 10 is formed on the surface of the substrate 12 and the beam 10, and the opening of the mask 16 is formed. The original shape 18 of the contact portion is formed in the portion 20. Specifically, first, a resist having a thickness of 10 to 100 μm is applied so as to be thicker than the thickness of the beam 10, and is exposed and developed to form a mask 16 having a predetermined opening 20. The opening 20 of the mask 16 may have an extremely thin shape, or may have a tapered shape whose diameter is reduced upward. If the opening 20 has such a shape, sharpening by ion milling later is not necessary. Next, a metal such as nickel, a nickel-iron alloy, or a nickel-cobalt alloy is plated in the opening 20 to form the prototype 18 of the contact portion. Specifically, the prototype 18 of the contact portion is formed with a film thickness of 10 to 40 μm by, for example, electrolytic plating. Here, as the plating material, a material that is harder than the material of the beam 10 and that has a lower volume resistivity, specifically, for example, palladium, rhodium, gold, copper, or the like may be used. Alternatively, the contact portion 24 may be formed to have a multi-layer structure by plating the same material as the beam 10 to a predetermined film thickness, and then plating palladium, rhodium, gold, copper or the like to a film thickness of 0.1 to 5 μm. . Whether the contact portion 24 has a single-layer structure or a multi-layer structure is desirably selected in accordance with the material properties such as film stress, volume resistivity, hardness, and adhesion.
[0028]
Subsequently, as shown in FIGS. 1A3 and 1B3, the mask 16 is removed. Specifically, the resist is removed using, for example, NMP (N-methyl-2-pyrrolidone), acetone, or a 1N aqueous solution of sodium hydroxide.
[0029]
Subsequently, as shown in FIGS. 1A4 and 1B4, a protective film 22 that covers the beam 10 and exposes the prototype 18 of the contact portion is formed on the surface of the beam 10 and the substrate 12. This step is desirably performed to prevent the beam 10 from being chipped by the subsequent ion milling. Specifically, first, a resist is applied to a predetermined film thickness, exposed and developed into a predetermined pattern, for example, the same or similar pattern as the pattern used when forming the prototype 18 of the contact portion. If the thickness of the resist is large, the contact portion cannot be sufficiently sharpened by the subsequent ion milling, so that the thickness of the resist laminated on the beam 10 is minimized. For example, when the thickness of the beam 10 is 20 μm and the thickness of the prototype 18 at the contact portion is 15 μm, the resist is laminated on the surface of the substrate 12 to a thickness of about 10 μm. Next, by baking the resist, the durability of the protective film 22 made of the resist against ion milling is increased. The baking condition is, for example, 150 ° C. for 60 minutes.
[0030]
Subsequently, as shown in FIGS. 1 (A5) and 1 (B5), the prototype 18 of the contact portion is sharpened by ion milling. More specifically, for example, the exposed portion of the prototype 18 of the contact portion is etched by a perpendicular ion beam on the surface of the substrate 12. Accordingly, the upper edge corner of the prototype 18 of the contact portion is removed by the ion beam, and the tip of the contact portion 24 in the protruding direction and the tip in the beam tip direction are sharpened. By removing the upper edge corner of the contact portion prototype 18 by half the width W of the contact portion prototype 18, the contact portion 24 having a knife edge can be formed. The direction of the ion beam is not limited to the direction perpendicular to the surface of the substrate 12, but may be a direction inclined with respect to the perpendicular.
[0031]
Subsequently, as shown in FIGS. 1A6 and 1B6, the protective film 22 is removed. Specifically, the resist is removed using, for example, NMP (N-methyl-2-pyrrolidone), acetone, or a 1N aqueous solution of sodium hydroxide.
[0032]
Subsequently, the substrate 12 and the probe 26 are immersed in an etchant to dissolve the surface layer 14 of the substrate 12 and to peel off the probe 26 from the substrate 12. As the etchant, for example, an alkaline etchant dedicated to copper is used.
[0033]
FIG. 9 shows a prototype 18 of a contact portion formed in the steps shown in FIGS. 1A2 and 1B2 and a contact section sharpened by ion milling in the steps shown in FIGS. 1A5 and 1B5. It is a schematic diagram which shows the correspondence of No. 24.
[0034]
When the original shape 18 of the contact portion is a rectangular parallelepiped, the contact portion 24 shown in FIG. 3 is formed as shown in FIG. When the original shape 18 of the contact portion is a hexagonal prism, the contact portion 24 shown in FIG. 4 is formed as shown in FIG. 9B. When the original shape 18 of the contact portion is an elliptic cylinder, the contact portion 24 shown in FIG. 5 is formed as shown in FIG. 9C. FIGS. 9D and 9E show an example in which a part of the beam 10 is removed by ion milling to form a recess 11 in the beam 10.
[0035]
In order to manufacture the probe unit by fixing the probe 26 to the support, before peeling the probe 26 from the substrate 12, a resin film or the like as a support is adhered to the probe 26 arranged on the substrate. Alternatively, a support portion may be formed by press-fitting an uncured thermosetting resin film between the probes 26 so as to fill the space between the probes 26 and heating and curing the film.
[0036]
According to the above-described manufacturing method, in the step of forming the beam 10, an opening portion of a mask (not shown) is formed on the flat surface of the substrate 12, so that a mask pattern defect can be prevented, and the beam 10 can be formed at a narrow pitch. Can be formed on. Therefore, the pitch of the probes 26 can be reduced. Also, in the step of forming the contact portion 24, since the opening 20 of the mask 16 is formed on the flat side surface of the beam 10, pattern defects of the mask can be prevented, and the contact portion 24 can be miniaturized.
[0037]
Further, according to the above-described manufacturing method, in the step of forming the beam 10 and the step of forming the contact portion 24, the beam 10 and the contact portion 24 are formed by separate plating using different masks. Different materials can be used for the beam 10 and the contact portion 24.
[0038]
(Second manufacturing method of probe unit)
FIG. 10 is a sectional view showing a second embodiment of the method for manufacturing the probe unit 1. The second embodiment of the method of manufacturing the probe unit 1 differs from the first embodiment in the method of masking the contact portion 18 and protecting the beam 10, and is substantially the same as the first embodiment in other points. .
[0039]
As shown in FIGS. 10A2 and 10B2, a mask 16 for forming a prototype 18 of a contact portion is formed by laminating a lower layer portion 17 and an upper layer portion 15 made of different materials. Specifically, the thickness of the lower layer portion 17 of the mask 16 is set to be smaller than the thickness of the prototype 18 of the contact portion, and the thickness of the entire mask 16 is set to be larger than the thickness of the prototype 18 of the contact portion. An opening 20 is formed in the mask 16 having the laminated structure thus formed, and a prototype 18 of a contact portion is formed in the opening 20.
[0040]
Subsequently, as shown in FIGS. 10A3 and 10B3, the upper layer portion 15 of the mask 16 is removed to expose the prototype 18 of the contact portion. Specifically, for example, it may be immersed in a solution that dissolves only the upper layer portion 15, or may be dry-etched with a gas that removes only the upper layer portion 15.
[0041]
Subsequently, as shown in FIGS. 10A4 and 10B4, the original shape 18 of the contact portion is sharpened by ion milling using the lower layer portion 17 of the mask 16 as a protective film of the beam 10.
[0042]
(Third manufacturing method of probe unit)
FIG. 11 is a sectional view showing a third embodiment of the method of manufacturing the probe unit 1. The third embodiment of the method of manufacturing the probe unit 1 differs from the first embodiment in the method of protecting the beam 10, and is substantially the same as the first embodiment in other points.
As shown in FIGS. 11A3 and 11B3, a protective film for protecting the beam 10 in a state where the prototype 18 of the contact portion is exposed removes an upper portion of the mask 16 for forming the prototype 18 of the contact portion. Shall be done. Specifically, by controlling the etching period, the upper portion of the mask 16 is removed by dry etching until the original shape 18 of the contact portion is exposed and the film has a thickness covering the beam 10, and the lower portion of the mask 16 remains.
[0043]
Subsequently, as shown in FIGS. 11A4 and 11B4, the original portion 18 of the contact portion is sharpened by ion milling using the lower portion of the mask 16 as a protective film of the beam 10.
[0044]
The manufacturing process can be simplified by using a single mask 16 in combination with masking the prototype 18 of the contact portion and protecting the beam 10 in the sharpening step.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a method for manufacturing a probe unit.
FIG. 2 is a front view, a side view, and a plan view showing a probe unit 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view showing a probe according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a perspective view showing a probe according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a perspective view showing a probe according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a perspective view showing a probe according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a perspective view showing a probe according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a schematic diagram showing a continuity test using a probe unit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a schematic view for explaining a step of sharpening a contact portion by ion milling according to a unique embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a sectional view showing a second embodiment of the method of manufacturing the probe unit.
FIG. 11 is a sectional view showing a third embodiment of the method of manufacturing the probe unit.
[Explanation of symbols]
1 Probe Unit 10 Beam 12 Substrate 14 Surface Layer 16 Mask 20 Opening 22 Protective Film 24 Contact 26 Probe 28 Support

Claims (9)

支持部と、前記支持部に基端部を支持されているビームと、前記ビームの側面から突出して形成され検体の電極に接触する接触部とを備えるプローブユニットであって、
前記接触部はその突出方向に先鋭であることを特徴とするプローブユニット。
A probe unit including a support portion, a beam whose base end is supported by the support portion, and a contact portion formed to protrude from a side surface of the beam and to contact an electrode of a specimen,
The probe unit is characterized in that the contact portion is sharp in a projecting direction thereof.
前記接触部は前記ビームの先端方向に先鋭であることを特徴とする請求項1に記載のプローブユニット。The probe unit according to claim 1, wherein the contact portion is sharp in a tip direction of the beam. 前記接触部は前記ビームの素材より硬質の素材からなることを特徴とする請求項1又は2に記載のプローブユニット。The probe unit according to claim 1, wherein the contact portion is made of a material harder than a material of the beam. 前記ビームは前記接触部より体積抵抗率の低い素材からなることを特徴とする請求項1、2又は3に記載のプローブユニット。4. The probe unit according to claim 1, wherein the beam is made of a material having a lower volume resistivity than the contact portion. 支持部に基端部を支持されるビームと、前記ビームの側面から突出して形成され検体の電極に接触する接触部とを備えるプローブユニットの製造方法であって、
基板の表面上に前記ビームを形成するビーム形成工程と、
前記ビームの側面の一部を露出させる開口部を有するマスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、前記開口部に前記接触部を形成するめっき工程と、を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
A method for manufacturing a probe unit, comprising: a beam whose base end is supported by a support portion, and a contact portion formed to project from a side surface of the beam and to contact an electrode of a specimen,
A beam forming step of forming the beam on a surface of a substrate;
A plating step of forming a mask having an opening exposing a part of the side surface of the beam on the surface of the substrate and the beam, and forming the contact portion in the opening. Unit manufacturing method.
前記めっき工程の後に、
イオンミリングにより前記接触部を先鋭化させる先鋭化工程をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のプローブユニットの製造方法。
After the plating step,
The method according to claim 5, further comprising a sharpening step of sharpening the contact portion by ion milling.
前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、
前記マスクを除去するマスク除去工程と、
前記ビームを被覆し前記接触部を露出させる保護膜を前記ビームの表面上に形成する保護工程とをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のプローブユニットの製造方法。
After the plating step and before the sharpening step,
A mask removing step of removing the mask;
7. The method according to claim 6, further comprising: forming a protective film on the surface of the beam to cover the beam and expose the contact portion.
前記めっき工程において、積層構造の前記マスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、
前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、
前記ビームを被覆している前記マスクの下層部を残存させて前記マスクの上層部を除去し前記接触部を露出させるマスク除去工程をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のプローブユニットの製造方法。
In the plating step, the mask of a laminated structure is formed on the surface of the substrate and the beam,
After the plating step and before the sharpening step,
7. The probe unit according to claim 6, further comprising a mask removing step of removing an upper layer portion of the mask and exposing the contact portion while leaving a lower layer portion of the mask covering the beam. Production method.
前記めっき工程において、単層構造の前記マスクを前記基板及び前記ビームの表面上に形成し、
前記めっき工程の後、前記先鋭化工程前に、
前記ビームを被覆している前記マスクの下部を残存させて前記マスクの上部を除去し前記接触部を露出させるマスク除去工程をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のプローブユニットの製造方法。
In the plating step, the mask having a single-layer structure is formed on the surface of the substrate and the beam,
After the plating step and before the sharpening step,
7. The method according to claim 6, further comprising a mask removing step of removing an upper portion of the mask while leaving a lower portion of the mask covering the beam and exposing the contact portion. .
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