JP2004228495A - コンデンサ装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウエファに狭い表面積で容量が大きいコンデンサの作成を可能とする。
【解決手段】半導体ウエファ10に形成されたトレンチ12と、少なくとも前記トレンチ12の内周にメタルを蒸着するか、又はポリシリコンをCDV法により形成し施された導電膜14Bと、該導電膜14B上に形成された酸化膜または窒化膜の絶縁膜17及び更に前記絶縁膜17上に設けられた導電体20となり、第1の電極となる前記導電膜14Bと第2の電極となる導電体20Bで誘電体となる前記絶縁膜17を挟んでコンデンサを形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体ウエファ10に形成されたトレンチ12と、少なくとも前記トレンチ12の内周にメタルを蒸着するか、又はポリシリコンをCDV法により形成し施された導電膜14Bと、該導電膜14B上に形成された酸化膜または窒化膜の絶縁膜17及び更に前記絶縁膜17上に設けられた導電体20となり、第1の電極となる前記導電膜14Bと第2の電極となる導電体20Bで誘電体となる前記絶縁膜17を挟んでコンデンサを形成する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエファに他の回路素子と共に形成されたコンデンサ装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウエファに他の回路素子と共にコンデンサを形成することがある。
【0003】
図4はMOSFET1とコンデンサ2を組合せた基礎回路の一実施例を示す回路図である。
【0004】
MOSFET1のゲート電極は入力端子3に接続されており、入力端子3には例えばパルス状の水平ドライブ信号が加わる。MOSFET1のドレイン電極は水平ドライブトランス等の負荷4が接続される。又MOSFET1のソース電極はアースされると共に、ドレイン電極とソース電極間にはコンデンサ2が接続されている。入力端子3にパルス状の水平ドライブ信号が加わるごとにMOSFET1がオン・オフし、コンデンサ2との作用と相俟って負荷4に水平偏向電流を供給する。
【0005】
図5(A)、(B)は前述したようにMOSFET等を形成した半導体ウエファ6にコンデンサ2を形成した平面図及び側面図である。半導体ウエファ6にコンデンサ2を形成するには半導体ウエファ6の表面に形成された電極7に絶縁膜8を形成し、さらに絶縁膜8上に電極9を設け形成している。
【0006】
【特許文献1】
特開平1−91414号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
半導体ウエファにコンデンサを形成する場合、前述したように従来は半導体ウエファ6の表面に電極7を形成し、その形成された電極7に絶縁膜8を形成し、さらに絶縁膜8上に電極9を設け形成している。このようにコンデンサを半導体ウエファの表面に形成していたため、必要な容量のコンデンサを形成するには半導体ウエファの表面積が大きくなりICの小型化を阻害した。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は従来に比して半導体ウエファの狭い表面積にコンデンサの作成を可能としたもので、
半導体ウエファに形成されたトレンチと、少なくとも前記トレンチの内周に施された第1の電極となる導電膜と、前記導電膜上に形成された絶縁膜及び更に前記絶縁膜上に設けられた第2の電極となる導電体となり、前記第1の電極となる導電膜と第2の電極となる導電体で誘電体となる前記絶縁膜を挟んでコンデンサを形成したコンデンサ装置を提供する。
【0009】
本発明は又半導体ウエファの所要部分をエッチングしトレンチを形成し、前記半導体ウエファの表面及びトレンチの内周に導電膜を設け、不要部分の導電膜をエッチングし除去し、第1の電極となる導電膜を形成し、前記半導体ウエファの表面及び残された前記導電膜上に誘電体となる絶縁膜を設け、前記絶縁膜上に導電体を設け、不必要な部分をエッチングで除去し第2の電極となる導電体を形成し、前記第1の電極となる導電膜と第2の電極となる導電体で誘電体となる前記絶縁膜を挟んでコンデンサを形成したコンデンサ装置を提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明のコンデンサ装置及びその製造方法を図1〜図4に従って説明する。
【0011】
図1は本発明のコンデンサ装置の製造過程を示す側面図である。
【0012】
図1(A)に示すように、シリコンの半導体ウエファ10の表面にレジストを塗布する。そしてトレンチする部分以外のレジスト11、11を残し、露光しその他を除去する。
【0013】
図1(B)に示すように、ドライエッチングしレジスト11、11が塗布されていない部分のシリコンの半導体ウエファ10をエッチングしトレンチ12を形成する。トレンチ12を形成した後、レジスト11、11を取り除く。
【0014】
図1(C)に示すように、シリコンの半導体ウエファ10の表面及びトレンチ12の内周面にメタルをスパッタ蒸着法又はEB蒸着法し、導電膜14Aを形成する。導電膜14Aは半導体ウエファ10の表面及びトレンチ12の内周面全てに形成されるので、第1の電極となる部分を残して不必要な部分を除去する必要がある。
【0015】
そのため図1(D)に示すように、導電膜14A上にレジスト15を塗布し、導電膜14Aを必要とする中央部のレジスト15を残し、露光し端部16、16のレジストを除去する。
【0016】
図2は図1と同じく本発明のコンデンサ装置の製造過程を示す側面図である。
【0017】
図2(A)に示すように、レジスト15が塗布されていない部分16、16の導電膜14Aをウエットエッチング又はドライエッチングし除去し、第1の電極となる中央部の導電膜14Bを残す。レジストが塗布されていない部分16、16のシリコン半導体ウエファ10の表面は露出させる。第1の電極となる導電膜14Bを形成した後レジスト15は除去される。
【0018】
図2(B)に示すように、導電膜14B上にCDV法により酸化膜あるいは窒化膜を形成し絶縁膜17を形成する。誘電体となる絶縁膜17は導電膜14B上面のみならず露出された半導体ウエファ10の表面にも形成される。
【0019】
図2(C)に示すように、絶縁膜17を必要とする部分にレジスト18を塗布する。
【0020】
図2(D)に示すように、ウエットエッチング又はドライエッチングでレジスト18が塗布されている部分以外の絶縁膜17を除去する。また不要な部分の絶縁膜17を除いた後レジスト18を除去する。それにより半導体ウエファ10の一部表面、導電膜14及び絶縁膜18が露出される。
【0021】
図3は前述と同じく本発明のコンデンサ装置の製造過程を示す側面図であり、図3(A)に示すように、絶縁膜18上にスパッタ蒸着法によりメタルを設け、導電体20Aを形成する。導電体20Aは絶縁膜18上のみならずメタル14及び半導体ウエファ10上にも付着するので、不要な部分の導電体を除去する必要がある。
【0022】
そこで図3(B)に示すように、導電体20Aを残す必要とする第2の電極となる部分、即ちトレンチ12の開口部分と半導体ウエファ10の表面に位置する導電膜14Bの部分にレジスト21、21を塗布する。
【0023】
図3(C)に示すように、レジスト21、21が塗布されている部分の導電体20Aをウエットエッチング又はドライエッチングで除去する。それにより半導体ウエファ10のトレンチ12の内側に第2の電極となる導電体20Bが形成される。また導電体20Aは導電膜14B上にも付着する。従って導電膜14Bを第1の電極とし、誘電体となる絶縁膜17を挟んで形成された導電体20Bを第2の電極としコンデンサを形成される。
【0024】
前述において導電膜14A及び導電体20Aはメタルをスパッタ蒸着法あるいはEB蒸着法で設けていたが、導電膜14A及び導電体20Aを導電性のポリシリコンをCVD法により形成してもよい。
【0025】
本発明は半導体ウエファ10にトレンチ12を形成したので、従来の半導体ウエファの表面に形成していたのに比して半導体ウエファの同じ表面積に大きな容量のコンデンサを形成できる。
【0026】
一例を挙げると図5に示すように、従来の半導体ウエファ6の表面に10μm×10μmサイズの電極7、9に厚さ1μmの絶縁膜8でコンデンサを形成した場合、容量Cは
C=ε×面積/電極間距離(絶縁膜の厚さ)
=ε×(1.0E−5×1.0E−5)/1.0E−6
=ε×1.0E−4(F)
となる。εは絶縁物8の種類によって異なる。例えばSiO2であるとε=2.0である。
【0027】
それに対して本発明のコンデンサ装置は、トレンチ12の周囲を10μm×10μm、深さを5μm、絶縁膜17を従来例と同じ1μmとすると、幅10μ、深さ5μmの面積のものが4面増えるため、全体の面積は半導体ウエファ10の平面上に作成する場合に比べ
4×1.0E−5×5.0E−6=2.0E−10(m2)増えることになる。よってこのときの容量は
C=ε(2.0E−10+1.0E−5)/1.0E−6=ε×3.0E−4(F)
となり、従来に比べて約3倍の容量が得られる。
【0028】
図4は本発明のコンデンサ装置と共に半導体ウエファ10に組み込まれたMOSFETとで形成された基礎回路の一実施例を示す回路図である。
【0029】
半導体ウエファ10に形成されたMOSFET1のドレイン電極には水平ドライブトランス等の負荷3が外付けで接続される。又MOSFET1のソース電極はアースされると共に、ドレイン電極に半導体ウエファ10に形成された本発明のコンデンサ装置の第1の電極である導電膜14Bを導電箔等で接続する。またMOSFET1のソース電極がアースされている端子に本発明のコンデンサ装置の第2の電極である導電体20Bを導電箔等で接続する。
【0030】
斯かるように構成された基礎回路の入力端子2にパルス状の水平ドライブ信号が加わるごとにMOSFET1がオン・オフし、コンデンサ4との作用と相俟って負荷3に水平偏向電流を供給する。
【0031】
【発明の効果】
本発明のコンデンサ装置及びその製造法は半導体ウエファにトレンチを形成し、そのトレンチの内周面に導電膜と絶縁膜及び導電体とでコンデンサを形成した。従って他の回路素子と共に形成する半導体ウエファの狭い表面積でコンデンサの形成が可能になったので、半導体ウエファの小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のコンデンサ装置及びその製造方法を示す図で、図1(A)レジストを塗布した側面図、図1(B)はトレンチを形成した側面図、図1(C)は導電膜を形成した側面図、図1(D)は導電膜上にレジストを塗布した側面図である。
【図2】同じく本発明のコンデンサ装置及びその製造方法を示す図で、図2(A)導電膜をエッチングした側面図、図2(B)は導電膜上に絶縁膜を形成した側面図、図2(C)は絶縁膜にレジストを塗布した側面図、図2(D)は絶縁膜をエッチングした側面図である。
【図3】本発明のコンデンサ装置及びその製造方法を示す図で、図3(A)は導電体を形成した側面図、図3(B)はレジストを塗布した側面図、図3(C)は導電体をエッチングした側面図である。
【図4】本発明及び従来のコンデンサ装置により形成されたコンデンサを用いた基礎回路の一例を示す回路図である。
【図5】従来のコンデンサ装置で、図5(A)は平面図、図5(B)は側面図である。
【符号の説明】
10 半導体ウエファ
11 レジスト
12 トレンチ
14 導電膜
17 絶縁膜
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエファに他の回路素子と共に形成されたコンデンサ装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウエファに他の回路素子と共にコンデンサを形成することがある。
【0003】
図4はMOSFET1とコンデンサ2を組合せた基礎回路の一実施例を示す回路図である。
【0004】
MOSFET1のゲート電極は入力端子3に接続されており、入力端子3には例えばパルス状の水平ドライブ信号が加わる。MOSFET1のドレイン電極は水平ドライブトランス等の負荷4が接続される。又MOSFET1のソース電極はアースされると共に、ドレイン電極とソース電極間にはコンデンサ2が接続されている。入力端子3にパルス状の水平ドライブ信号が加わるごとにMOSFET1がオン・オフし、コンデンサ2との作用と相俟って負荷4に水平偏向電流を供給する。
【0005】
図5(A)、(B)は前述したようにMOSFET等を形成した半導体ウエファ6にコンデンサ2を形成した平面図及び側面図である。半導体ウエファ6にコンデンサ2を形成するには半導体ウエファ6の表面に形成された電極7に絶縁膜8を形成し、さらに絶縁膜8上に電極9を設け形成している。
【0006】
【特許文献1】
特開平1−91414号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
半導体ウエファにコンデンサを形成する場合、前述したように従来は半導体ウエファ6の表面に電極7を形成し、その形成された電極7に絶縁膜8を形成し、さらに絶縁膜8上に電極9を設け形成している。このようにコンデンサを半導体ウエファの表面に形成していたため、必要な容量のコンデンサを形成するには半導体ウエファの表面積が大きくなりICの小型化を阻害した。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は従来に比して半導体ウエファの狭い表面積にコンデンサの作成を可能としたもので、
半導体ウエファに形成されたトレンチと、少なくとも前記トレンチの内周に施された第1の電極となる導電膜と、前記導電膜上に形成された絶縁膜及び更に前記絶縁膜上に設けられた第2の電極となる導電体となり、前記第1の電極となる導電膜と第2の電極となる導電体で誘電体となる前記絶縁膜を挟んでコンデンサを形成したコンデンサ装置を提供する。
【0009】
本発明は又半導体ウエファの所要部分をエッチングしトレンチを形成し、前記半導体ウエファの表面及びトレンチの内周に導電膜を設け、不要部分の導電膜をエッチングし除去し、第1の電極となる導電膜を形成し、前記半導体ウエファの表面及び残された前記導電膜上に誘電体となる絶縁膜を設け、前記絶縁膜上に導電体を設け、不必要な部分をエッチングで除去し第2の電極となる導電体を形成し、前記第1の電極となる導電膜と第2の電極となる導電体で誘電体となる前記絶縁膜を挟んでコンデンサを形成したコンデンサ装置を提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明のコンデンサ装置及びその製造方法を図1〜図4に従って説明する。
【0011】
図1は本発明のコンデンサ装置の製造過程を示す側面図である。
【0012】
図1(A)に示すように、シリコンの半導体ウエファ10の表面にレジストを塗布する。そしてトレンチする部分以外のレジスト11、11を残し、露光しその他を除去する。
【0013】
図1(B)に示すように、ドライエッチングしレジスト11、11が塗布されていない部分のシリコンの半導体ウエファ10をエッチングしトレンチ12を形成する。トレンチ12を形成した後、レジスト11、11を取り除く。
【0014】
図1(C)に示すように、シリコンの半導体ウエファ10の表面及びトレンチ12の内周面にメタルをスパッタ蒸着法又はEB蒸着法し、導電膜14Aを形成する。導電膜14Aは半導体ウエファ10の表面及びトレンチ12の内周面全てに形成されるので、第1の電極となる部分を残して不必要な部分を除去する必要がある。
【0015】
そのため図1(D)に示すように、導電膜14A上にレジスト15を塗布し、導電膜14Aを必要とする中央部のレジスト15を残し、露光し端部16、16のレジストを除去する。
【0016】
図2は図1と同じく本発明のコンデンサ装置の製造過程を示す側面図である。
【0017】
図2(A)に示すように、レジスト15が塗布されていない部分16、16の導電膜14Aをウエットエッチング又はドライエッチングし除去し、第1の電極となる中央部の導電膜14Bを残す。レジストが塗布されていない部分16、16のシリコン半導体ウエファ10の表面は露出させる。第1の電極となる導電膜14Bを形成した後レジスト15は除去される。
【0018】
図2(B)に示すように、導電膜14B上にCDV法により酸化膜あるいは窒化膜を形成し絶縁膜17を形成する。誘電体となる絶縁膜17は導電膜14B上面のみならず露出された半導体ウエファ10の表面にも形成される。
【0019】
図2(C)に示すように、絶縁膜17を必要とする部分にレジスト18を塗布する。
【0020】
図2(D)に示すように、ウエットエッチング又はドライエッチングでレジスト18が塗布されている部分以外の絶縁膜17を除去する。また不要な部分の絶縁膜17を除いた後レジスト18を除去する。それにより半導体ウエファ10の一部表面、導電膜14及び絶縁膜18が露出される。
【0021】
図3は前述と同じく本発明のコンデンサ装置の製造過程を示す側面図であり、図3(A)に示すように、絶縁膜18上にスパッタ蒸着法によりメタルを設け、導電体20Aを形成する。導電体20Aは絶縁膜18上のみならずメタル14及び半導体ウエファ10上にも付着するので、不要な部分の導電体を除去する必要がある。
【0022】
そこで図3(B)に示すように、導電体20Aを残す必要とする第2の電極となる部分、即ちトレンチ12の開口部分と半導体ウエファ10の表面に位置する導電膜14Bの部分にレジスト21、21を塗布する。
【0023】
図3(C)に示すように、レジスト21、21が塗布されている部分の導電体20Aをウエットエッチング又はドライエッチングで除去する。それにより半導体ウエファ10のトレンチ12の内側に第2の電極となる導電体20Bが形成される。また導電体20Aは導電膜14B上にも付着する。従って導電膜14Bを第1の電極とし、誘電体となる絶縁膜17を挟んで形成された導電体20Bを第2の電極としコンデンサを形成される。
【0024】
前述において導電膜14A及び導電体20Aはメタルをスパッタ蒸着法あるいはEB蒸着法で設けていたが、導電膜14A及び導電体20Aを導電性のポリシリコンをCVD法により形成してもよい。
【0025】
本発明は半導体ウエファ10にトレンチ12を形成したので、従来の半導体ウエファの表面に形成していたのに比して半導体ウエファの同じ表面積に大きな容量のコンデンサを形成できる。
【0026】
一例を挙げると図5に示すように、従来の半導体ウエファ6の表面に10μm×10μmサイズの電極7、9に厚さ1μmの絶縁膜8でコンデンサを形成した場合、容量Cは
C=ε×面積/電極間距離(絶縁膜の厚さ)
=ε×(1.0E−5×1.0E−5)/1.0E−6
=ε×1.0E−4(F)
となる。εは絶縁物8の種類によって異なる。例えばSiO2であるとε=2.0である。
【0027】
それに対して本発明のコンデンサ装置は、トレンチ12の周囲を10μm×10μm、深さを5μm、絶縁膜17を従来例と同じ1μmとすると、幅10μ、深さ5μmの面積のものが4面増えるため、全体の面積は半導体ウエファ10の平面上に作成する場合に比べ
4×1.0E−5×5.0E−6=2.0E−10(m2)増えることになる。よってこのときの容量は
C=ε(2.0E−10+1.0E−5)/1.0E−6=ε×3.0E−4(F)
となり、従来に比べて約3倍の容量が得られる。
【0028】
図4は本発明のコンデンサ装置と共に半導体ウエファ10に組み込まれたMOSFETとで形成された基礎回路の一実施例を示す回路図である。
【0029】
半導体ウエファ10に形成されたMOSFET1のドレイン電極には水平ドライブトランス等の負荷3が外付けで接続される。又MOSFET1のソース電極はアースされると共に、ドレイン電極に半導体ウエファ10に形成された本発明のコンデンサ装置の第1の電極である導電膜14Bを導電箔等で接続する。またMOSFET1のソース電極がアースされている端子に本発明のコンデンサ装置の第2の電極である導電体20Bを導電箔等で接続する。
【0030】
斯かるように構成された基礎回路の入力端子2にパルス状の水平ドライブ信号が加わるごとにMOSFET1がオン・オフし、コンデンサ4との作用と相俟って負荷3に水平偏向電流を供給する。
【0031】
【発明の効果】
本発明のコンデンサ装置及びその製造法は半導体ウエファにトレンチを形成し、そのトレンチの内周面に導電膜と絶縁膜及び導電体とでコンデンサを形成した。従って他の回路素子と共に形成する半導体ウエファの狭い表面積でコンデンサの形成が可能になったので、半導体ウエファの小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のコンデンサ装置及びその製造方法を示す図で、図1(A)レジストを塗布した側面図、図1(B)はトレンチを形成した側面図、図1(C)は導電膜を形成した側面図、図1(D)は導電膜上にレジストを塗布した側面図である。
【図2】同じく本発明のコンデンサ装置及びその製造方法を示す図で、図2(A)導電膜をエッチングした側面図、図2(B)は導電膜上に絶縁膜を形成した側面図、図2(C)は絶縁膜にレジストを塗布した側面図、図2(D)は絶縁膜をエッチングした側面図である。
【図3】本発明のコンデンサ装置及びその製造方法を示す図で、図3(A)は導電体を形成した側面図、図3(B)はレジストを塗布した側面図、図3(C)は導電体をエッチングした側面図である。
【図4】本発明及び従来のコンデンサ装置により形成されたコンデンサを用いた基礎回路の一例を示す回路図である。
【図5】従来のコンデンサ装置で、図5(A)は平面図、図5(B)は側面図である。
【符号の説明】
10 半導体ウエファ
11 レジスト
12 トレンチ
14 導電膜
17 絶縁膜
Claims (4)
- 半導体ウエファに形成されたトレンチと、
少なくとも前記トレンチの内周に施された第1の電極となる導電膜と、
前記導電膜上に形成された絶縁膜及び前記絶縁膜上に設けられた第2の電極となる導電体となり、
前記第1の電極となる導電膜と第2の電極となる導電体で誘電体となる前記絶縁膜を挟んでコンデンサを形成したことを特徴とするコンデンサ装置。 - 半導体ウエファの所要部分をエッチングしトレンチを形成し、
前記半導体ウエファの表面及びトレンチの内周に導電膜を設け、不要部分の導電膜をエッチングし除去し、第1の電極となる導電膜を形成し、
前記半導体ウエファの表面及び残された前記導電膜上に誘電体となる絶縁膜を設け、
前記絶縁膜上に導電体を設け、不必要な部分をエッチングで除去し第2の電極となる導電体を形成し、
前記第1の電極となる導電膜と第2の電極となる導電体で誘電体となる前記絶縁膜を挟んでコンデンサを形成したことを特徴とするコンデンサ装置の製造方法。 - 前記第1及び第2の電極となる導電膜及び導電体はメタルを蒸着し形成したことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のコンデンサ装置及びその製造方法。
- 前記第1及び第2の電極となる導電膜及び導電体はポリシリコンを蒸着し形成したことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のコンデンサ装置及びその製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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