JP2004227943A - Organic electroluminescence element and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL element with a structure in which damage to an organic EL layer inflicted by the sputter at the time of formation of the upper electrode is suppressed and the work function of the upper electrode and ionization potential of the hole injecting layer can be made compatible. <P>SOLUTION: This organic EL element comprises a negative electrode, an organic EL layer, and an upper transparent positive electrode on a substrate, and the organic EL layer includes at least an organic luminous layer and a hole injecting layer, and the hole injecting layer makes contact with the upper transparent positive electrode, with the hole injecting layer having a thickness of 30-1,000 nm, and it emits light to the outside through the upper transparent positive electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機EL発光素子の構造およびその製法に関する。より詳細には、トップエミッション方式の有機EL発光素子における、正孔注入層の構造およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
1987年にイーストマンコダック社のC. W. Tangらにより2層積層構成の高効率有機EL発光素子が発表されて以来(非特許文献1参照)、現在に至るまでにさまざまな有機EL発光素子が開発され、その一部は実用化され始めている。こうした中で、有機EL発光素子の発光効率を向上させることは、実用上きわめて重要な課題の1つである。
【0003】
一方、近年、有機EL発光ディスプレイにおいて、アクティブマトリクス駆動方式のディスプレイの開発が盛んに行われている。アクティブマトリクス駆動方式を用いる場合、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ(TFT)を設けた基板の上に複数の有機EL発光素子を形成し、該素子をディスプレイの光源として使用する。現状におけるアクティブマトリクス駆動方式ディスプレイの問題点の1つは、個々のTFTおよび有機EL発光素子の特性のバラツキが大きく、そのバラツキ補正のために複雑な駆動回路が必要になることである。しかし、そのような複雑化した駆動回路を設けることは、1画素を駆動するのに必要なTFT数を増加させてしまう。
【0004】
一般的な有機EL発光素子では、ガラス基板上に透明電極を設けて、その上に有機EL層を設けて、さらに外部に取り出す光の量を大きくするために裏面に反射膜と電極の機能を併せ持つ上部電極をアルミや銀を用いて形成して、光をガラス面から取り出す、いわゆるボトムエミッション方式を採るのが一般的である。しかし、前述のように1画素を駆動するためのTFTの数が増加すると、光を透過させないTFTの面積が増大してしまい、光を取り出すための面積が減少してしまう。このような状況においては、上部電極を透明電極として光を上部電極から取り出すトップエミッション方式の方が有利であり、開発が進められてきている(特許文献1〜3参照)。
【0005】
トップエミッション方式の素子においては、上部電極を透明な陰極とすることが一般的であった。図1にトップエミッション方式の素子の一例を示す。該素子においては、陽極101の上に、有機EL層102および陰極103が積層される。有機EL層102は少なくとも有機EL層113を含み、図1においては正孔注入層111、正孔輸送層112、有機発光層113、電子輸送層114、電子注入層115から構成されている。この素子においては、陰極103が透明であり、有機EL層113からの発光は陰極103を通して外部へと取り出される。
【0006】
【特許文献1】
特許第2689917号明細書
【0007】
【特許文献2】
特許第3203227号明細書
【0008】
【特許文献3】
特開2001−176660号公報
【0009】
【非特許文献1】
C. W. Tang, S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987)
【0010】
【非特許文献2】
G. Parthasarathy, C. Adachi, P. E. Burtows and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 76(15), 2128 (2000)
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上部電極を陰極とするトップエミッション方式の有機EL発光素子における問題点の1つは、陰極形成時に与えられる電子注入層115へのダメージである。通常の電子輸送層(たとえば、Alqなど)を用いた場合には、透明性と電子注入性を同時に付与するために、電子注入層115を電子注入性金属の超薄膜(厚さ10nm以下)とし、陰極103を透明導電性酸化物とする必要がある。一般的に、陰極103はスパッタ法により形成される。形成時のスパッタ粒子あるいは酸素プラズマなどにより電子注入層115がダメージを受け、発光効率の低下および発光開始電圧の上昇という素子特性の低下を被る。これを防止するために電子注入層115の膜厚を厚くすると、電子注入性層の透明性の低下とともに、電子注入層用材料における電子移動度が小さいために抵抗値が上昇し、この場合にも発光効率の低下および発光開始電圧の上昇が発生する。
【0012】
この問題に対しては、電子注入層115にLiまたはCs等のアルカリ金属をドープし、それによって電子移動度を向上させ、電子注入層115の厚膜化を可能にすることが検討されている(非特許文献2参照)。しかしながら、電子注入層にアルカリ金属をドープした場合には、寿命の点で問題が生じる。
【0013】
一方、透明導電性酸化物は正孔注入に適した大きな仕事関数を有するので、透明導電性酸化物から形成される上部電極を陽極として用いることが考えられる。ただし、この場合には以下の問題が発生する。下部電極である陽極101は、仕事関数の大きい透明導電性酸化物を積層し、そしてUV照射またはOプラズマ処理などを実施して、その表面仕事関数を正孔注入層111のイオン化ポテンシャルと適合させる処理を行って形成される。しかしながら、陽極を上部電極とする場合にはこの処理を行うことが不可能となるため、上部透明電極(陽極)の表面仕事関数と正孔注入層のイオン化ポテンシャルとの不一致が起こり、素子の発光効率の低下および発光開始電圧の上昇を招く。
【0014】
したがって、上部電極形成時のスパッタに与えられる有機EL層のダメージを抑制し、かつ上部電極の仕事関数と正孔注入層(詳細には、上部電極と接触する有機EL層の構成層)のイオン化ポテンシャルとを適合させることが可能な構造を有する有機EL発光素子およびその製造方法が強く求められている。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するために、本発明の第1の実施形態の有機EL発光素子は、基板上に陰極と、有機EL層と、上部透明陽極とを有し、前記有機EL層は、有機発光層と正孔注入層とを少なくとも含み、前記正孔注入層は、前記上部透明陽極と接触し、30〜1000nmの厚さを有し、前記上部透明陽極を通して外部へと発光することを特徴とする。
【0016】
本発明の第2の実施形態の有機EL発光素子は、基板上に陰極と、有機EL層と、正孔注入性保護層と、上部透明陽極とを有し、前記上部透明陽極を通して外部へと発光することを特徴とする。
【0017】
本発明の第3の実施形態の有機EL発光素子は、基板上に陰極と、有機EL層と、上部透明陽極とを有し、前記有機EL層は、有機発光層と正孔注入層とを少なくとも含み、前記正孔注入層は、前記上部透明陽極と接触し、前記正孔注入層の前記上部透明陽極と接触する面にイオン注入され、前記上部透明陽極を通して外部へと発光することを特徴とする。
【0018】
本発明の第4の実施形態の有機EL発光素子は、基板上に陰極と、有機EL層と、正孔注入性保護層と、上部透明陽極とを有し、前記正孔注入性保護層は、前記上部透明陽極と接触し、前記正孔注入性保護層の前記上部透明陽極と接触する面にイオン注入され、前記上部透明陽極を通して外部へと発光することを特徴とする。
【0019】
本発明の第5の実施形態は、有機EL発光素子の製造方法であり、基板上に陰極を積層する工程と、有機発光層を積層する工程と、30〜1000nmの厚さを有する正孔注入層を積層する工程と、上部透明陽極を積層する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。上部透明陽極を積層する工程は、スパッタ法により実施されてもよい。
【0020】
本発明の第6の実施形態は、有機EL発光素子の製造方法であり、基板上に陰極を積層する工程と、有機発光層を積層する工程と、正孔注入性保護層を積層する工程と、上部透明陽極を積層する工程とを含むことを特徴とする。上部透明陽極を積層する工程は、スパッタ法により実施されてもよい。
【0021】
本発明の第7の実施形態は、有機EL発光素子の製造方法であり、基板上に陰極を積層する工程と、有機発光層を積層する工程と、正孔注入層を積層する工程と、前記正孔注入層にイオン注入を行う工程と、上部透明陽極を積層する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。上部透明陽極を積層する工程は、スパッタ法により実施されてもよい。
【0022】
本発明の第8の実施形態は、有機EL発光素子の製造方法であり、基板上に陰極を積層する工程と、有機発光層を積層する工程と、正孔注入性保護層を積層する工程と、前記正孔注入性保護層にイオン注入を行う工程と、上部透明陽極を積層する工程とを含むことを特徴とする。上部透明陽極を積層する工程は、スパッタ法により実施されてもよい。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の有機EL発光素子を詳細に説明する。本発明の第1の実施形態の有機EL発光素子を、図2に示す。図2に示す有機EL発光素子は、陰極3と、有機EL層2と、上部透明陽極1とを含み、有機EL層2は、電子注入層15、電子輸送層14、有機EL層13、正孔輸送層12、および正孔注入層11から構成されている。これらの層のうち、電子注入層15、電子輸送層14、および正孔輸送層12は、任意選択的に設けてもよい層である。
【0024】
陰極3は、反射性金属または合金を用いることが好ましい。なぜなら、有機EL層2において発光された光を反射性金属または合金により反射し、光の取り出し側である陽極側へと送ることが可能となるからである。好ましい反射性金属および合金は、Al、Ag、Mo、W、およびそれらの合金などを含む。
【0025】
以上のように形成された陰極3の上に、有機EL層2が形成される。本実施形態の有機EL発光素子においては、有機EL層2は、少なくとも有機発光層13および正孔注入層11を含み、必要に応じて、正孔輸送層12、電子輸送層14および/または電子注入層15を介在させた構造を有する。具体的には、たとえば下記のような層構成からなるものが採用される。
(1)正孔注入層/有機発光層
(2)正孔注入層/有機発光層/電子注入層
(3)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子注入層
(4)正孔注入層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層
(5)正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層
(ここで、上部透明陽極1は有機発光層または正孔注入層に接続され、陰極3は有機発光層または電子注入層に接続される)。
【0026】
上記各層の材料としては、公知のものが使用される。青色から青緑色の発光を得るためには、有機発光層13中に、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましく使用される。
【0027】
また、電子輸送層14としては、キノリン誘導体(たとえば、8−キノリノールを配位子とする有機金属錯体)、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体などを用いることができる。さらに、電子注入層15は、電子注入性を向上させるために、仕事関数が小さい材料であるリチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、またはストロンチウムなどのアルカリ土類金属などのような電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物(フッ化物等)を用いられる。
【0028】
本発明に用いることができる正孔注入層11は、陰極材料の仕事関数に相当するイオン化ポテンシャルを有し、かつ正孔の移動度が大きい材料から形成される。用いることができる材料はトリアリールアミン構造を有する化合物を含み、たとえば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(α−NPD)、4,4’−ビス[N−(4−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(TPD)、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェナントリル)アミノ]ビフェニル(PPD)、フェニル基パラ位でトリフェニルアミンを直線的に連結した3量体(TPTR)、4量体(TPTE)、5量体(TPPE)などを含む。これらの材料は正孔の移動度が大きいので、膜厚を大きくしても素子抵抗の増大(すなわち、発光開始電圧の低下)が少ないという利点を有する。特に好ましい材料として、IDE−406(出光興産製)を挙げることができる。この材料は高ガラス転移温度および高正孔移動度を有するオリゴアミンである。したがって、後述する上部透明陽極1のスパッタによる形成によって受けるであろうダメージを軽減することができるほどの厚さで、正孔注入層11を形成することが可能となる。正孔注入層11は、30〜1000nm、好ましくは30〜300nm、より好ましくは60〜100nmの厚さを有する。
【0029】
正孔注入層11と正孔輸送層12、電子注入層15と電子輸送層14、あるいは電子注入層15と電子輸送層14と有機発光層13の機能を、それぞれ別個の層で実現してもよいし、あるいは単一の層で実現してもよい。
【0030】
上部透明陽極1は、これを通して発光を外部に取り出すので、可視光の波長領域において透明であることが求められ、かつ正孔注入性を高めるために大きい仕事関数を有することが求められる。透明性に関しては、上部透明陽極1は、波長400〜800nmの光に対して好ましくは50%以上、より好ましくは85%以上の透過率を有することが好ましい。上部透明陽極1を形成する材料としては、透明導電性酸化物であるITOおよびIZOが好ましい。また、発光効率を向上させるために、上部透明陽極1は充分に低い抵抗率を与えるような厚さを有することが望ましい。上部透明陽極1は、30nm以上、より好ましくは100〜300nmの範囲内の厚さを有する。
【0031】
本発明の第2の実施形態の有機EL発光素子を図3に示す。図3において、有機EL層2(正孔注入層11)と上部透明陽極1との間に、正孔注入性保護層16が設けられている。正孔注入性保護層16以外の構成要素は、第1の実施形態の素子と同様である。
【0032】
ただし、本実施形態の素子においては、正孔注入層11は必須の構成要素ではないが、正孔の注入性を確保するためには正孔注入層11が存在することが好ましい。正孔注入性保護層16と正孔輸送層12との間、あるいは正孔注入性保護層16と有機発光層13との間で、円滑な正孔の移動が可能であるならば正孔注入層11を省略することが可能である。また、本実施形態において正孔注入層11を積層する場合には、その膜厚は第1の実施形態の場合よりも薄くすることができ、好ましくは60〜100nmの範囲内である。
【0033】
正孔注入性保護層16は、陽極からの正孔注入を円滑に行うための大きなイオン化ポテンシャルを有し、スパッタ粒子の衝突による表面の劣化を防止することができる材料から形成される。正孔注入性保護層16は、銅フタロシアニン(CuPc)等のフタロシアニンを含む材料により形成することができる。正孔注入性保護層16は、有機EL層2の他の層と同様に、蒸着により形成することができ、3nm以上、好ましくは3〜10nmの厚さを有する。
【0034】
正孔注入性保護層16を用いることによって、厚さの増大を最小限に抑えながら、発光効率および発光開始電圧などの特性に優れた有機EL発光素子を形成することができる。
【0035】
本発明の第3の実施形態の有機EL発光素子は、第1の実施形態の素子において、正孔注入層11の上部透明陽極1と接触する面にイオン注入されていることを特徴とする。正孔注入の効率を高めるためには、正孔注入層11のイオン化ポテンシャルと上部透明陽極1の仕事関数とが完全に一致することが望ましい。しかしながら、両者が完全に一致するような材料を選択することは困難であり、何らかの方法で正孔注入層表面のイオン化ポテンシャルあるいは陽極表面の仕事関数のいずれかを調整して、両者が一致するようにすることが望まれる。積層順序を考慮すると、本発明においては、正孔注入層表面のイオン化ポテンシャルを、イオン注入によって調整することが望ましい。
【0036】
本実施形態における正孔注入層11は、好ましくは30〜100nmの範囲内である。このような厚さを有することによって、発光効率の低下および発光開始電圧の増大を伴うことなしに、下に形成される層へのイオン注入を防止することが可能となる。正孔注入層に注入されるイオンとしては、たとえば、Ar、Au等を用いることができる。イオン注入量は、用いられる正孔注入層のイオン化ポテンシャル、上部透明陽極の仕事関数および注入されるイオン種に依存する。イオン注入状態の確認およびイオン注入量の定量は、蛍光X線分析法等の当該技術において知られている表面分析法により測定することができる。このようなイオン注入を行うことにより、発光効率の向上および発光開始電圧の低下をもたらすことができる。
【0037】
本発明の第4の実施形態の有機EL発光素子は、第3の実施形態の素子において、正孔注入性保護層16の前記上部透明陽極1と接触する面にイオン注入されていることを特徴とする。この場合にも、イオン注入によって正孔注入性保護層16表面のイオン化ポテンシャルと上部透明陽極1の表面仕事関数とを一致させることが可能となる。その結果として、発光効率の向上および発光開始電圧の低下をもたらすことができる。イオン注入に用いられるイオン種および注入量は、正孔注入層11に対するイオン注入と同様である。
【0038】
上記の第1〜第4の実施の形態の有機EL発光素子に対して、その特性を向上させるための層を設けてもよいことは当然理解されるべきことである。そのような層の例としては、素子全体を覆って周囲環境の酸素または水分を遮断して素子寿命の向上を図るためのパッシベーション層、有機EL発光素子が作製される基板と陰極との間に配設されて基板表面の凹凸を平坦化する平坦化層等を挙げることができる。
【0039】
本発明の第5の実施形態である有機EL発光素子の製造方法は、第1の実施形態の有機EL発光素子の製造方法であり、基板上に陰極3を積層する工程と、有機発光層13を積層する工程と、30〜1000nmの厚さを有する正孔注入層11を積層する工程と、上部透明陽極1を積層する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。
【0040】
本方法に用いられる基板は、積層される層の形成に用いられる条件(溶媒、温度等)に耐えるものであるべきであり、および寸法安定性に優れていることが好ましい。基板は、透明であっても不透明であってもよい。好ましい材料は、金属、セラミック、ガラス、ならびにポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート等の樹脂を含む。ホウケイ酸ガラスまたは青板ガラス等が特に好ましいものである。さらに反射性を高めて発光効率を向上させるために、Al,Ag,Mo,Wなどの反射率の高い金属、あるいは前述の金属を表面にコーティングしたセラミック、ガラス、樹脂(ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレートなど)を用いることができる。ただし、陰極3を積層する基板表面が導電性を有する場合には、陰極3と基板表面との間に絶縁層を設けることが必要である。
【0041】
基板上に陰極3を積層する工程は、前述の陰極形成材料を蒸着、スパッタ、イオンプレーティングなどの方法により実施することができる。陰極3を積層する場合には、基板全面に均一に積層して単一の陰極を形成してもよいし、あるいはマスクもしくはレジストを用いて多数に分割された複数の陰極(ライン形状、方形など任意の形状を有してもよい)を形成してもよい。
【0042】
次に、陰極3上に少なくとも有機発光層13と正孔注入層11とを積層して、有機EL層2を形成する。必要に応じて、電子注入層15、電子輸送層14および/または正孔輸送層12を積層してもよい。前述の各層は、その構成材料を蒸着することにより形成される。
【0043】
最後に、正孔注入層11の上に上部透明陽極1を積層する。本工程は、透明導電性酸化物(ITOまたはIZO)をスパッタ法によって積層することにより実施される。陰極の場合と同様に、基板全面に均一に積層して単一の上部透明陽極1を形成してもよいし、あるいはマスクもしくはレジストを用いて多数に分割された複数の上部透明陽極(ライン形状、方形など任意の形状を有してもよい)を形成してもよい。前述のように30〜1000nm、好ましくは30〜300nm、より好ましくは60〜100nmの厚さを有する正孔注入層11を設けることによって、スパッタ時のダメージを軽減して、発光効率の低下および発光開始電圧の上昇を防止することができる。
【0044】
本発明の第6の実施形態は、第2の実施形態の有機EL発光素子の製造方法であり、基板上に陰極3を積層する工程と、有機EL層2を積層する工程と、正孔注入性保護層16を積層する工程と、上部透明陽極1を積層する工程とを含むことを特徴とする。
【0045】
陰極3を積層する工程、上部透明陽極1を積層する工程は、前述の第5の実施形態と同様に実施することができる。
【0046】
本実施形態における有機EL層2は、少なくとも有機発光層13を含み、好ましくは少なくとも有機発光層13および正孔注入層11を有し、および必要に応じて電子注入層15、電子輸送層14および/または正孔輸送層12を有してもよい。これらの各層の積層は第5の実施形態と同様に実施される。正孔注入性保護層16の積層は、前述のような構成材料の蒸着によって実施することができる。
【0047】
本発明の第7の実施形態は、第3の実施形態の有機EL発光素子の製造方法であり、基板上に陰極3を積層する工程と、有機発光層13を積層する工程と、正孔注入層11を積層する工程と、前記正孔注入層11にイオン注入を行う工程と、上部透明陽極1を積層する工程とを少なくとも含むことを特徴とする。
【0048】
前述の工程の内、イオン注入工程以外は、第5の実施形態と同様に実施することができる。イオン注入工程は、イオン源から発生するイオンに加速電圧を印加して、加速したイオンを正孔注入層表面に照射することによって行われる。加速電圧は、イオンが正孔注入層11中に円滑に注入されるが、該層を貫通しないような範囲で設定される。用いられる正孔注入層11の材料に依存するが、一般的に1〜100Vの範囲内の加速電圧を用いることが適当である。
【0049】
本発明の第8の実施形態は、第4の実施形態有機EL発光素子の製造方法であり、基板上に陰極3を積層する工程と、有機EL層2を積層する工程と、正孔注入性保護層16を積層する工程と、前記正孔注入性保護層16にイオン注入を行う工程と、上部透明陽極1を積層する工程とを含むことを特徴とする。
【0050】
前述の工程の内、イオン注入工程以外は、第6の実施形態と同様に実施することができる。イオン注入工程は、イオン源から発生するイオンに加速電圧を印加して、加速したイオンを正孔注入性保護層16表面に照射することによって行われる。加速電圧は、イオンが正孔注入性保護層16中に円滑に注入されるが、該層を貫通しないような範囲で設定される。用いられる正孔注入性保護層16の材料に依存するが、一般的に1〜100Vの範囲内の加速電圧を用いることが適当である。
【0051】
本発明の有機EL発光素子において、陰極3を複数の部分に分割して複数の独立した発光部を形成して、ディスプレイとして用いることもできる。さらに、該ディスプレイに対して色変換カラーフィルタを付与して、多色表示ディスプレイとすることも可能である。そのような多色表示ディスプレイの一例を図4に示す。図4のディスプレイにおいては、基板21の上にTFTまたはMIMなどの複数のスイッチング素子22が設けられている。そして、複数に分割された陰極3が形成され、複数に分割された陰極3のそれぞれは、複数のスイッチング素子22のそれぞれと1対1で電気的に接続されている。複数に分割された陰極3の形成は、たとえばマスクの使用あるいはフォトレジストを用いるフォトリソグラフ法などの当該技術において良く知られている方法により行うことができる。
【0052】
陰極3の上に、前述のような有機EL層2が形成される。有機EL層2は、第1〜第4の実施形態のいずれに記載された構造を有してもよく、それぞれ第5〜第8の実施形態の方法により形成することができる。さらに有機EL層2の上に上部透明陽極1が形成される。上部透明電極1は、全面にわたる単一電極である。
【0053】
一方、透明基板23の上に、複数に分割された陰極3に対応する位置に色変換カラーフィルタ24を設ける。本明細書における色変換カラーフィルタとは、有機EL層2からの光の波長分布変換を行う色変換層と、有機EL層2または色変換層からの光の中の特定の波長域の光を透過されるカラーフィルタ層との総称である。たとえば、有機EL層2が青緑色の光を発する場合、赤色変換カラーフィルタ24Rは、青緑色光の波長分布変換を行って赤色光を出力する赤色変換層を含み、必要に応じて色純度を向上させるための赤色カラーフィルタ層を有してもよい。緑色変換カラーフィルタ24Gは、青緑色光の波長分布変換を行って緑色光を出力する緑色変換層を含み、必要に応じて色純度を向上させるための緑色カラーフィルタ層を有してもよい。ただし、有機EL層2の青緑色光が充分な量の緑色成分を含む場合には、緑色カラーフィルタ層のみで緑色変換カラーフィルタ24Gを構成してもよい。また、青色変換カラーフィルタ24Bは、青緑色光の波長分布変換を行って青色光を出力する青色変換層を含んでもよいが、通常は青色カラーフィルタ層のみで構成される。各色の色変換カラーフィルタ24の間にブラックマスク25を設けて、ディスプレイのコントラスト比を向上させることが可能となる。また、有機EL層2が白色光を発光する場合、赤、緑、青の各色変換カラーフィルタは、波長分布変換を行わないカラーフィルタ層で構成される。
【0054】
最後に、有機EL発光素子を設けた基板21と、色変換カラーフィルタ24を設けた透明基板23とを、たとえば周縁部に設けられた接着層26を用いて位置合わせをしながら貼り合わせることにより、多色表示ディスプレイを形成することができる。この貼り合わせ工程は、当該技術において知られている任意の方法を用いて実施してもよい。また、前述の色変換カラーフィルタ24を設けた透明基板23は、本発明の有機EL発光素子に限定されることなく、他の構造を有する有機EL発光素子あるいは他の種類の光源に対するカラーフィルタパネルとしても使用することが可能である。
【0055】
図4にはスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス駆動ディスプレイの例を示したが、本発明の有機EL発光素子を用いてパッシブマトリクス駆動ディスプレイを形成することも可能である。その場合には、陰極3に加えて、上部透明電極1も複数の部分に分割される。実際には、陰極3および上部透明電極1はラインパターン状の複数の部分へと分割され、そして陰極3のラインパターンと上部透明電極1はラインパターンとは直交するように配列される。さらに、前述の各層に加えて、ディスプレイの特性を向上させるための任意の層を設けてもよいことを、当業者は理解するであろう。
【0056】
【実施例】
(実施例1)
ガラス基板上に、対向式スパッタ装置を用いて厚さ100nmのCrBを堆積させて、陰極3を形成した。スパッタガスとしてArを用い、300Wのスパッタパワーを印加した。次に、電子注入性を向上させるために、厚さ10nmのMgAg(Mg:Ag=9:1)の電子注入層15を蒸着した。
【0057】
その後真空を破ることなく基板を有機層蒸着用チャンバーに移動させた。そして、圧力1×10−5Pa以下において、電子注入層15の上に、有機発光層13として厚さ60nmのアルミニウムトリス(8−キノリノラート)(Alq)を、成膜速度0.5nm/sにて蒸着させた。次に、正孔注入層11として厚さ100nmのα−NPDを成膜速度0.5nm/sにて蒸着させて、有機EL層2を得た。
【0058】
次に、有機EL層2を形成した基板を対向式スパッタ装置に移し、スパッタ法によって厚さ100nmのIZOを堆積させ上部透明陽極1を形成して、有機EL発光素子を得た。
【0059】
(実施例2)
実施例1と同様の方法により、有機発光層13以下の層を形成した。次に、正孔注入層11として厚さ40nmのα−NPDを成膜速度0.5nm/sにて蒸着させ、そして正孔注入性保護層16として厚さ40nmのCuPcを積層させた。最後に、実施例1と同様の方法により上部透明陽極1を形成して、有機EL発光素子を得た。
【0060】
(実施例3)
実施例1と同様の方法により、正孔注入層11以下の層を形成した。次に、5Vの加速電圧を用いて、正孔注入層11表面にArイオンを注入した。蛍光X線分析装置により、正孔注入層11表面へのArイオンの注入が確認された。最後に、実施例1と同様の方法により上部透明陽極1を形成して、有機EL発光素子を得た。
【0061】
(実施例4)
実施例2と同様の方法により、正孔注入性保護層16以下の層を形成した。次に、5Vの加速電圧を用いて、正孔注入性保護層16表面にAuイオンを注入した。蛍光X線分析装置により、正孔注入性保護層16表面へのAuイオンの注入が確認された。最後に、実施例1と同様の方法により上部透明陽極1を形成して、有機EL発光素子を得た。
【0062】
(比較例1)
正孔注入層の厚さを40nmにしたことを除いて実施例1の方法を繰り返して、有機EL発光素子を得た。
【0063】
(評価)
各実施例および比較例1の発光素子を100cd/mの輝度で点灯させ、その際の電流を測定して、発光効率を求めた。また、各発光素子が発光を開始する発光開始電圧を測定した。その結果を以下の表1に示す。
【0064】
【表1】

Figure 2004227943
【0065】
表1から明らかなように、本発明にしたがう実施例1〜4の有機EL発光素子は、比較例1の素子よりも高い発光効率および低い発光開始電圧を示した。これは、上部透明陽極1形成のためのスパッタ時に、比較例1において発生した素子の正孔注入層11のダメージおよび/または正孔注入層11のイオン化ポテンシャルと上部透明電極1の仕事関数との不一致に起因すると考えられる。
【0066】
また実施例3および4の素子は、それぞれ実施例1および2の素子よりも高い発光効率および低い発光開始電圧を示した。これは、正孔注入層11表面へのイオン注入により、正孔注入層のイオン化ポテンシャルと上部透明陽極の仕事関数とが良好に一致したためと考えられる。
【0067】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、上部電極を陽極として、1)正孔注入層の膜厚を30〜1000nmの範囲とすること、2)有機EL層と上部電極との間に正孔注入性保護層を設けること、および3)正孔注入層または正孔注入性保護層にイオン注入をすることの少なくとも1つにより、優れた発光効率および発光開始電圧を示す上部電極を通して外部へと発光するいわゆるトップエミッション方式の有機EL発光素子を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術の有機EL発光素子を示す概略断面図である。
【図2】本発明の第1の実施形態の有機EL発光素子を示す概略断面図である。
【図3】本発明の第2の実施形態の有機EL発光素子を示す概略断面図である。
【図4】本発明の有機EL発光素子により形成される多色表示ディスプレイの一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
1 上部透明陽極
2、102 有機EL層
3 陰極
11、111 正孔注入層
12、112 正孔輸送層
13、113 有機発光層
14、114 電子輸送層
15、115 電子注入層
16 正孔注入性保護層
21 基板
22 スイッチング素子
23 透明基板
24(R,G,B) 色変換カラーフィルタ層
25 ブラックマスク
26 接着層
101 陽極
103 陰極[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a structure of an organic EL light emitting device and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a structure of a hole injection layer and a method of manufacturing the same in a top emission type organic EL light emitting device.
[0002]
[Prior art]
In 1987, Eastman Kodak C.I. W. Since Tang et al. Announced a high-efficiency organic EL light emitting device having a two-layer structure (see Non-Patent Document 1), various organic EL light emitting devices have been developed to date, and some of them have begun to be put into practical use. I have. Under these circumstances, improving the luminous efficiency of the organic EL light emitting element is one of the extremely important tasks in practical use.
[0003]
On the other hand, in recent years, in an organic EL light emitting display, an active matrix drive type display has been actively developed. When the active matrix driving method is used, a plurality of organic EL elements are formed on a substrate provided with a thin film transistor (TFT) as a switching element, and the elements are used as a light source of a display. One of the problems of the active matrix drive type display at present is that the characteristics of individual TFTs and organic EL light-emitting elements vary greatly, and a complicated drive circuit is required to correct the variations. However, providing such a complicated drive circuit increases the number of TFTs required to drive one pixel.
[0004]
In a general organic EL device, a transparent electrode is provided on a glass substrate, an organic EL layer is provided thereon, and a reflective film and an electrode function are provided on the back surface in order to increase the amount of light taken out. It is common to employ a so-called bottom emission method in which an upper electrode having the same is formed using aluminum or silver and light is extracted from a glass surface. However, as described above, when the number of TFTs for driving one pixel increases, the area of the TFT that does not transmit light increases, and the area for extracting light decreases. In such a situation, a top emission method in which light is extracted from the upper electrode using the upper electrode as a transparent electrode is more advantageous, and development has been advanced (see Patent Documents 1 to 3).
[0005]
In a top emission type device, the upper electrode is generally a transparent cathode. FIG. 1 shows an example of a top emission type device. In this device, an organic EL layer 102 and a cathode 103 are stacked on an anode 101. The organic EL layer 102 includes at least an organic EL layer 113. In FIG. 1, the organic EL layer 102 includes a hole injection layer 111, a hole transport layer 112, an organic light emitting layer 113, an electron transport layer 114, and an electron injection layer 115. In this device, the cathode 103 is transparent, and light emitted from the organic EL layer 113 is extracted outside through the cathode 103.
[0006]
[Patent Document 1]
Patent No. 2689917
[0007]
[Patent Document 2]
Patent No. 3203227
[0008]
[Patent Document 3]
JP 2001-176660 A
[0009]
[Non-patent document 1]
C. W. Tang, S.M. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett. , 51, 913 (1987).
[0010]
[Non-patent document 2]
G. FIG. Parthasarathy, C.I. Adachi, P .; E. FIG. Burtows and S.M. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. , 76 (15), 2128 (2000)
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
One of the problems in the top emission type organic EL light-emitting device using the upper electrode as a cathode is damage to the electron injection layer 115 given when the cathode is formed. Conventional electron transport layers (eg, Alq 3 In order to simultaneously provide transparency and electron injection, the electron injection layer 115 is made of an ultrathin film of an electron injection metal (thickness of 10 nm or less), and the cathode 103 is made of a transparent conductive oxide. It is necessary to Generally, the cathode 103 is formed by a sputtering method. The electron injection layer 115 is damaged by sputtered particles or oxygen plasma at the time of formation, and suffers from deterioration in device characteristics such as a decrease in luminous efficiency and an increase in luminescence start voltage. When the thickness of the electron injection layer 115 is increased to prevent this, the transparency of the electron injection layer decreases and the resistance value increases due to the low electron mobility of the material for the electron injection layer. Also, the luminous efficiency decreases and the luminescence starting voltage increases.
[0012]
To solve this problem, it has been studied to dope the electron injection layer 115 with an alkali metal such as Li or Cs, thereby improving the electron mobility and making the electron injection layer 115 thicker. (See Non-Patent Document 2). However, when the electron injection layer is doped with an alkali metal, there is a problem in terms of life.
[0013]
On the other hand, since the transparent conductive oxide has a large work function suitable for hole injection, it is conceivable to use an upper electrode formed of the transparent conductive oxide as an anode. However, in this case, the following problem occurs. An anode 101 serving as a lower electrode is formed by laminating a transparent conductive oxide having a large work function and applying UV irradiation or O 2 2 It is formed by performing a process such as a plasma process to adjust the surface work function to the ionization potential of the hole injection layer 111. However, when the anode is used as the upper electrode, this process cannot be performed. Therefore, a mismatch between the surface work function of the upper transparent electrode (anode) and the ionization potential of the hole injection layer occurs, and the light emission of the element occurs. This causes a decrease in efficiency and an increase in light emission starting voltage.
[0014]
Therefore, damage to the organic EL layer, which is caused by sputtering when forming the upper electrode, is suppressed, and the work function of the upper electrode and the ionization of the hole injection layer (specifically, the constituent layer of the organic EL layer in contact with the upper electrode). There is a strong demand for an organic EL device having a structure that can be adjusted to a potential and a method for manufacturing the same.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the organic EL light emitting device according to the first embodiment of the present invention has a cathode, an organic EL layer, and an upper transparent anode on a substrate, and the organic EL layer has: At least an organic light emitting layer and a hole injection layer, wherein the hole injection layer is in contact with the upper transparent anode, has a thickness of 30 to 1000 nm, and emits light to the outside through the upper transparent anode. Features.
[0016]
The organic EL device according to the second embodiment of the present invention has a cathode, an organic EL layer, a hole-injecting protective layer, and an upper transparent anode on a substrate. It emits light.
[0017]
The organic EL light emitting device of the third embodiment of the present invention has a cathode, an organic EL layer, and an upper transparent anode on a substrate, and the organic EL layer includes an organic light emitting layer and a hole injection layer. At least, the hole injection layer is in contact with the upper transparent anode, is ion-implanted into a surface of the hole injection layer that contacts the upper transparent anode, and emits light to the outside through the upper transparent anode. And
[0018]
The organic EL light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention has a cathode, an organic EL layer, a hole injecting protective layer, and an upper transparent anode on a substrate, wherein the hole injecting protective layer is And ion-implanting the surface of the hole-injecting protective layer that comes into contact with the upper transparent anode, and emitting light to the outside through the upper transparent anode.
[0019]
The fifth embodiment of the present invention is a method for manufacturing an organic EL light emitting device, in which a step of stacking a cathode on a substrate, a step of stacking an organic light emitting layer, and a hole injection having a thickness of 30 to 1000 nm are performed. It is characterized by including at least a step of laminating layers and a step of laminating an upper transparent anode. The step of laminating the upper transparent anode may be performed by a sputtering method.
[0020]
The sixth embodiment of the present invention is a method for manufacturing an organic EL light emitting device, which includes a step of laminating a cathode on a substrate, a step of laminating an organic light emitting layer, and a step of laminating a hole injection protective layer. And laminating an upper transparent anode. The step of laminating the upper transparent anode may be performed by a sputtering method.
[0021]
A seventh embodiment of the present invention is a method for manufacturing an organic EL light emitting device, wherein a step of stacking a cathode on a substrate, a step of stacking an organic light emitting layer, a step of stacking a hole injection layer, The method is characterized by including at least a step of implanting ions into the hole injection layer and a step of laminating the upper transparent anode. The step of laminating the upper transparent anode may be performed by a sputtering method.
[0022]
The eighth embodiment of the present invention is a method for manufacturing an organic EL light emitting device, which includes a step of laminating a cathode on a substrate, a step of laminating an organic light emitting layer, and a step of laminating a hole injection protective layer. And ion-implanting the hole-injecting protective layer, and laminating an upper transparent anode. The step of laminating the upper transparent anode may be performed by a sputtering method.
[0023]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the organic EL device of the present invention will be described in detail. FIG. 2 shows an organic EL device according to the first embodiment of the present invention. The organic EL light emitting device shown in FIG. 2 includes a cathode 3, an organic EL layer 2, and an upper transparent anode 1. The organic EL layer 2 includes an electron injection layer 15, an electron transport layer 14, an organic EL layer 13, and a positive electrode. It comprises a hole transport layer 12 and a hole injection layer 11. Among these layers, the electron injection layer 15, the electron transport layer 14, and the hole transport layer 12 are layers that may be optionally provided.
[0024]
The cathode 3 is preferably made of a reflective metal or alloy. This is because the light emitted from the organic EL layer 2 can be reflected by a reflective metal or alloy and sent to the anode, which is the light extraction side. Preferred reflective metals and alloys include Al, Ag, Mo, W, and alloys thereof.
[0025]
The organic EL layer 2 is formed on the cathode 3 formed as described above. In the organic EL light emitting device of this embodiment, the organic EL layer 2 includes at least the organic light emitting layer 13 and the hole injection layer 11, and if necessary, the hole transport layer 12, the electron transport layer 14, and / or the electron transport layer 14. It has a structure with an injection layer 15 interposed. Specifically, for example, a layer having the following layer configuration is employed.
(1) Hole injection layer / organic light emitting layer
(2) hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer
(3) hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron injection layer
(4) hole injection layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer
(5) hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer
(Here, the upper transparent anode 1 is connected to the organic light emitting layer or the hole injection layer, and the cathode 3 is connected to the organic light emitting layer or the electron injection layer).
[0026]
Known materials are used as the materials of the respective layers. In order to obtain blue to blue-green light emission, for example, a fluorescent whitening agent such as a benzothiazole-based, benzimidazole-based, benzoxazole-based, a metal chelated oxonium compound, a styrylbenzene-based compound is used in the organic light emitting layer 13. And aromatic dimethylidin compounds are preferably used.
[0027]
The electron transport layer 14 may be made of a quinoline derivative (for example, an organometallic complex having 8-quinolinol as a ligand), an oxadiazole derivative, a perylene derivative, a pyridine derivative, a pyrimidine derivative, a quinoxaline derivative, a diphenylquinone derivative, or a nitroquinone derivative. Substituted fluorene derivatives and the like can be used. Further, the electron injection layer 15 may be made of a material having a small work function, such as an alkali metal such as lithium or sodium, or an alkaline earth metal such as potassium, calcium, magnesium, or strontium, in order to improve the electron injection property. An electron-injecting metal or an alloy or compound (such as a fluoride) with another metal is used.
[0028]
The hole injection layer 11 that can be used in the present invention is formed of a material having an ionization potential corresponding to the work function of the cathode material and having high hole mobility. Materials that can be used include compounds having a triarylamine structure, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD), 4,4′- Bis [N- (4-methylphenyl) -N-phenylamino] biphenyl (TPD), 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N- (9-phenanthryl) amino] biphenyl (PPD), It includes trimers (TPTR), tetramers (TPTE), and pentamers (TPPE) in which triphenylamine is linearly linked at the phenyl group para-position. Since these materials have a high hole mobility, there is an advantage that the increase in the device resistance (that is, the decrease in the light emission starting voltage) is small even when the film thickness is increased. IDE-406 (made by Idemitsu Kosan) can be mentioned as a particularly preferred material. This material is an oligoamine with a high glass transition temperature and high hole mobility. Therefore, it is possible to form the hole injection layer 11 with a thickness that can reduce the damage that may be caused by the formation of the upper transparent anode 1 described later by sputtering. The hole injection layer 11 has a thickness of 30 to 1000 nm, preferably 30 to 300 nm, more preferably 60 to 100 nm.
[0029]
The functions of the hole injection layer 11 and the hole transport layer 12, the functions of the electron injection layer 15 and the electron transport layer 14, or the functions of the electron injection layer 15, the electron transport layer 14, and the organic light emitting layer 13 may be realized by separate layers. Or it may be implemented in a single layer.
[0030]
Since the upper transparent anode 1 emits light to the outside through the upper transparent anode 1, the upper transparent anode 1 is required to be transparent in the wavelength region of visible light, and is required to have a large work function in order to enhance hole injection properties. Regarding transparency, the upper transparent anode 1 preferably has a transmittance of 50% or more, more preferably 85% or more, for light having a wavelength of 400 to 800 nm. As a material for forming the upper transparent anode 1, ITO and IZO, which are transparent conductive oxides, are preferable. In order to improve the luminous efficiency, it is desirable that the upper transparent anode 1 has a thickness that gives a sufficiently low resistivity. The upper transparent anode 1 has a thickness of 30 nm or more, more preferably in the range of 100 to 300 nm.
[0031]
FIG. 3 shows an organic EL light emitting device according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 3, a hole injecting protective layer 16 is provided between the organic EL layer 2 (hole injecting layer 11) and the upper transparent anode 1. The components other than the hole injecting protective layer 16 are the same as those of the device of the first embodiment.
[0032]
However, in the device of the present embodiment, the hole injection layer 11 is not an essential component, but it is preferable that the hole injection layer 11 be present in order to ensure hole injection properties. If a smooth hole movement is possible between the hole injection protective layer 16 and the hole transport layer 12 or between the hole injection protective layer 16 and the organic light emitting layer 13, the hole injection is performed. Layer 11 can be omitted. Further, when the hole injection layer 11 is laminated in the present embodiment, the thickness thereof can be made smaller than that in the first embodiment, and is preferably in the range of 60 to 100 nm.
[0033]
The hole-injecting protective layer 16 has a high ionization potential for smoothly injecting holes from the anode, and is formed of a material capable of preventing the surface from being deteriorated due to the collision of sputtered particles. The hole injecting protective layer 16 can be formed of a material containing phthalocyanine such as copper phthalocyanine (CuPc). The hole injecting protective layer 16 can be formed by vapor deposition, like the other layers of the organic EL layer 2, and has a thickness of 3 nm or more, preferably 3 to 10 nm.
[0034]
By using the hole injecting protective layer 16, an organic EL light emitting element having excellent characteristics such as luminous efficiency and luminous starting voltage can be formed while minimizing an increase in thickness.
[0035]
The organic EL light emitting device according to the third embodiment of the present invention is characterized in that, in the device according to the first embodiment, ions are implanted into a surface of the hole injection layer 11 which is in contact with the upper transparent anode 1. In order to increase the efficiency of hole injection, it is desirable that the ionization potential of the hole injection layer 11 and the work function of the upper transparent anode 1 completely match. However, it is difficult to select a material that completely matches the two. Therefore, the ionization potential of the surface of the hole injection layer or the work function of the anode surface is adjusted by some method so that the two agree. It is desired that In consideration of the stacking order, in the present invention, it is desirable to adjust the ionization potential on the surface of the hole injection layer by ion implantation.
[0036]
The hole injection layer 11 in the present embodiment is preferably within a range of 30 to 100 nm. By having such a thickness, it is possible to prevent ion implantation into a layer formed below without lowering light emission efficiency and increasing light emission start voltage. As the ions implanted into the hole injection layer, for example, Ar, Au, or the like can be used. The amount of ion implantation depends on the ionization potential of the hole injection layer used, the work function of the upper transparent anode, and the type of ions to be implanted. Confirmation of the ion implantation state and quantification of the ion implantation amount can be measured by a surface analysis method known in the art such as a fluorescent X-ray analysis method. By performing such ion implantation, the luminous efficiency can be improved and the luminescence starting voltage can be reduced.
[0037]
The organic EL light-emitting device according to the fourth embodiment of the present invention is characterized in that, in the device according to the third embodiment, ions are implanted into the surface of the hole-injecting protective layer 16 which is in contact with the upper transparent anode 1. And Also in this case, the ionization potential on the surface of the hole-injecting protective layer 16 and the surface work function of the upper transparent anode 1 can be matched by ion implantation. As a result, the luminous efficiency can be improved and the luminescence starting voltage can be reduced. The ion species and the implantation amount used for the ion implantation are the same as the ion implantation for the hole injection layer 11.
[0038]
It should be understood that a layer may be provided for improving the characteristics of the organic EL light emitting devices according to the first to fourth embodiments. Examples of such a layer include a passivation layer for covering the entire element and blocking oxygen or moisture in the surrounding environment to improve the life of the element, and between the substrate on which the organic EL light emitting element is manufactured and the cathode. A planarization layer or the like which is provided and planarizes the unevenness of the substrate surface can be given.
[0039]
The method for manufacturing an organic EL light-emitting element according to the fifth embodiment of the present invention is a method for manufacturing an organic EL light-emitting element according to the first embodiment. , A step of laminating the hole injection layer 11 having a thickness of 30 to 1000 nm, and a step of laminating the upper transparent anode 1.
[0040]
The substrate used in the method should be able to withstand the conditions (solvent, temperature, etc.) used to form the layers to be laminated, and preferably have excellent dimensional stability. The substrate can be transparent or opaque. Preferred materials include metals, ceramics, glass, and resins such as polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, and the like. Borosilicate glass or soda lime glass is particularly preferred. In order to further enhance the luminous efficiency by increasing the reflectivity, a metal having high reflectivity such as Al, Ag, Mo, W, or a ceramic, glass, or resin (polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate) coated on the surface with the above metal Etc.) can be used. However, when the surface of the substrate on which the cathode 3 is laminated has conductivity, it is necessary to provide an insulating layer between the cathode 3 and the surface of the substrate.
[0041]
The step of laminating the cathode 3 on the substrate can be performed by a method such as vapor deposition, sputtering, or ion plating of the above-described cathode forming material. When the cathodes 3 are laminated, a single cathode may be formed by uniformly laminating the entire surface of the substrate, or a plurality of cathodes (line shape, square shape, etc.) divided into a large number by using a mask or a resist. (Which may have any shape).
[0042]
Next, the organic EL layer 2 is formed by laminating at least the organic light emitting layer 13 and the hole injection layer 11 on the cathode 3. If necessary, the electron injection layer 15, the electron transport layer 14, and / or the hole transport layer 12 may be laminated. Each of the above-mentioned layers is formed by evaporating the constituent material.
[0043]
Finally, the upper transparent anode 1 is laminated on the hole injection layer 11. This step is performed by laminating a transparent conductive oxide (ITO or IZO) by a sputtering method. As in the case of the cathode, a single upper transparent anode 1 may be formed by uniformly laminating the entire surface of the substrate, or may be divided into a plurality of upper transparent anodes (line shape) using a mask or a resist. , Or any shape such as a square). As described above, by providing the hole injection layer 11 having a thickness of 30 to 1000 nm, preferably 30 to 300 nm, more preferably 60 to 100 nm, damage at the time of sputtering is reduced, and the emission efficiency is reduced and the light emission is reduced. An increase in the starting voltage can be prevented.
[0044]
The sixth embodiment of the present invention is a method for manufacturing an organic EL light emitting device according to the second embodiment, in which a step of laminating a cathode 3 on a substrate, a step of laminating an organic EL layer 2, And a step of laminating the transparent protective layer 16 and a step of laminating the upper transparent anode 1.
[0045]
The step of laminating the cathode 3 and the step of laminating the upper transparent anode 1 can be performed in the same manner as in the above-described fifth embodiment.
[0046]
The organic EL layer 2 in the present embodiment includes at least the organic light emitting layer 13, and preferably has at least the organic light emitting layer 13 and the hole injection layer 11, and if necessary, the electron injection layer 15, the electron transport layer 14, And / or have a hole transport layer 12. The lamination of these layers is performed in the same manner as in the fifth embodiment. The lamination of the hole injecting protective layer 16 can be carried out by vapor deposition of the constituent materials as described above.
[0047]
The seventh embodiment of the present invention is a method of manufacturing an organic EL device according to the third embodiment, in which a step of laminating a cathode 3 on a substrate, a step of laminating an organic light emitting layer 13, and a step of injecting holes are performed. The method includes at least a step of laminating the layer 11, a step of ion-implanting the hole injection layer 11, and a step of laminating the upper transparent anode 1.
[0048]
Of the above-described steps, the steps other than the ion implantation step can be performed in the same manner as in the fifth embodiment. The ion implantation step is performed by applying an acceleration voltage to ions generated from the ion source and irradiating the accelerated ions to the surface of the hole injection layer. The acceleration voltage is set in a range such that ions are smoothly injected into the hole injection layer 11 but do not penetrate the layer. Although it depends on the material of the hole injection layer 11 to be used, it is generally appropriate to use an acceleration voltage in the range of 1 to 100 V.
[0049]
The eighth embodiment of the present invention relates to a method of manufacturing an organic EL light emitting device according to the fourth embodiment, wherein a step of laminating a cathode 3 on a substrate, a step of laminating an organic EL layer 2, The method includes a step of laminating the protective layer 16, a step of implanting ions into the hole-injecting protective layer 16, and a step of laminating the upper transparent anode 1.
[0050]
Of the above-described steps, the steps other than the ion implantation step can be performed in the same manner as in the sixth embodiment. The ion implantation step is performed by applying an acceleration voltage to ions generated from the ion source and irradiating the accelerated ions to the surface of the hole-injecting protective layer 16. The acceleration voltage is set in a range such that ions are smoothly injected into the hole-injecting protective layer 16 but do not penetrate the layer. Although it depends on the material of the hole injecting protective layer 16 to be used, it is generally appropriate to use an acceleration voltage in the range of 1 to 100 V.
[0051]
In the organic EL light emitting device of the present invention, the cathode 3 can be divided into a plurality of portions to form a plurality of independent light emitting portions, and used as a display. Further, a color conversion color filter may be provided to the display to provide a multicolor display. An example of such a multicolor display is shown in FIG. In the display of FIG. 4, a plurality of switching elements 22 such as TFTs or MIMs are provided on a substrate 21. The plurality of divided cathodes 3 are formed, and each of the plurality of divided cathodes 3 is electrically connected to each of the plurality of switching elements 22 on a one-to-one basis. The formation of the plurality of divided cathodes 3 can be performed by a method well known in the art, for example, using a mask or a photolithographic method using a photoresist.
[0052]
On the cathode 3, the organic EL layer 2 as described above is formed. The organic EL layer 2 may have the structure described in any of the first to fourth embodiments, and can be formed by the methods of the fifth to eighth embodiments, respectively. Further, an upper transparent anode 1 is formed on the organic EL layer 2. The upper transparent electrode 1 is a single electrode over the entire surface.
[0053]
On the other hand, a color conversion color filter 24 is provided on the transparent substrate 23 at a position corresponding to the plurality of divided cathodes 3. The color conversion color filter in this specification refers to a color conversion layer that converts the wavelength distribution of light from the organic EL layer 2 and a light in a specific wavelength range among the light from the organic EL layer 2 or the color conversion layer. This is a general term for a color filter layer that is transmitted. For example, when the organic EL layer 2 emits blue-green light, the red conversion color filter 24R includes a red conversion layer that performs blue-green light wavelength distribution conversion and outputs red light, and adjusts color purity as necessary. It may have a red color filter layer for improvement. The green conversion color filter 24G includes a green conversion layer that performs blue-green light wavelength distribution conversion and outputs green light, and may have a green color filter layer for improving color purity as needed. However, when the blue-green light of the organic EL layer 2 contains a sufficient amount of green component, the green conversion color filter 24G may be constituted only by the green color filter layer. In addition, the blue conversion color filter 24B may include a blue conversion layer that performs blue-green light wavelength distribution conversion and outputs blue light, but is usually composed of only a blue color filter layer. By providing the black mask 25 between the color conversion color filters 24 of each color, it is possible to improve the contrast ratio of the display. When the organic EL layer 2 emits white light, the red, green, and blue color conversion color filters are formed of color filter layers that do not perform wavelength distribution conversion.
[0054]
Finally, the substrate 21 provided with the organic EL light emitting element and the transparent substrate 23 provided with the color conversion color filter 24 are bonded while being aligned using, for example, an adhesive layer 26 provided at a peripheral portion. A multi-color display can be formed. This bonding step may be performed using any method known in the art. Further, the transparent substrate 23 provided with the above-mentioned color conversion color filter 24 is not limited to the organic EL light emitting element of the present invention, but may be a color filter panel for an organic EL light emitting element having another structure or another type of light source. It can also be used as
[0055]
FIG. 4 shows an example of an active matrix drive display using switching elements. However, it is also possible to form a passive matrix drive display using the organic EL light emitting element of the present invention. In that case, in addition to the cathode 3, the upper transparent electrode 1 is also divided into a plurality of portions. In practice, the cathode 3 and the upper transparent electrode 1 are divided into a plurality of portions in a line pattern, and the line pattern of the cathode 3 and the upper transparent electrode 1 are arranged so as to be orthogonal to the line pattern. Further, those skilled in the art will appreciate that optional layers may be provided to enhance the properties of the display in addition to the layers described above.
[0056]
【Example】
(Example 1)
A cathode 3 was formed on a glass substrate by depositing CrB with a thickness of 100 nm using a facing-type sputtering apparatus. Ar was used as a sputtering gas, and a sputtering power of 300 W was applied. Next, in order to improve the electron injection property, an electron injection layer 15 of MgAg (Mg: Ag = 9: 1) having a thickness of 10 nm was deposited.
[0057]
Thereafter, the substrate was moved to an organic layer deposition chamber without breaking vacuum. And pressure 1 × 10 -5 At Pa or less, aluminum tris (8-quinolinolate) (Alq) having a thickness of 60 nm was deposited as an organic light emitting layer 13 on the electron injection layer 15 at a film formation rate of 0.5 nm / s. Next, an organic EL layer 2 was obtained by depositing α-NPD having a thickness of 100 nm as the hole injection layer 11 at a film formation rate of 0.5 nm / s.
[0058]
Next, the substrate on which the organic EL layer 2 was formed was transferred to a facing-type sputtering apparatus, and IZO having a thickness of 100 nm was deposited by sputtering to form an upper transparent anode 1, thereby obtaining an organic EL light emitting device.
[0059]
(Example 2)
In the same manner as in Example 1, layers below the organic light emitting layer 13 were formed. Next, α-NPD having a thickness of 40 nm was deposited as the hole injection layer 11 at a deposition rate of 0.5 nm / s, and CuPc having a thickness of 40 nm was laminated as the hole injection protective layer 16. Finally, an upper transparent anode 1 was formed in the same manner as in Example 1 to obtain an organic EL light emitting device.
[0060]
(Example 3)
In the same manner as in Example 1, layers below the hole injection layer 11 were formed. Next, Ar ions were implanted into the surface of the hole injection layer 11 using an acceleration voltage of 5V. The injection of Ar ions into the surface of the hole injection layer 11 was confirmed by the fluorescent X-ray analyzer. Finally, an upper transparent anode 1 was formed in the same manner as in Example 1 to obtain an organic EL light emitting device.
[0061]
(Example 4)
In the same manner as in Example 2, layers below the hole injecting protective layer 16 were formed. Next, Au ions were implanted into the surface of the hole injecting protective layer 16 using an acceleration voltage of 5 V. The injection of Au ions into the surface of the hole injecting protective layer 16 was confirmed by the X-ray fluorescence analyzer. Finally, an upper transparent anode 1 was formed in the same manner as in Example 1 to obtain an organic EL light emitting device.
[0062]
(Comparative Example 1)
The method of Example 1 was repeated except that the thickness of the hole injection layer was set to 40 nm, to obtain an organic EL light emitting device.
[0063]
(Evaluation)
The light emitting elements of each of the examples and comparative example 1 were 100 cd / m 2 And the current was measured at that time to determine the luminous efficiency. Further, a light emission starting voltage at which each light emitting element starts light emission was measured. The results are shown in Table 1 below.
[0064]
[Table 1]
Figure 2004227943
[0065]
As is clear from Table 1, the organic EL light emitting devices of Examples 1 to 4 according to the present invention exhibited higher luminous efficiency and lower luminescence starting voltage than the device of Comparative Example 1. This is because the damage of the hole injection layer 11 of the device and / or the ionization potential of the hole injection layer 11 and the work function of the upper transparent electrode 1 which occurred in Comparative Example 1 during sputtering for forming the upper transparent electrode 1 were observed. Probably due to inconsistency.
[0066]
Further, the devices of Examples 3 and 4 exhibited higher luminous efficiency and lower luminescence starting voltage than the devices of Examples 1 and 2, respectively. This is presumably because the ionization potential of the hole injection layer and the work function of the upper transparent anode were well matched by ion implantation on the surface of the hole injection layer 11.
[0067]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the upper electrode is used as an anode, 1) the thickness of the hole injection layer is in the range of 30 to 1000 nm, and 2) the holes are provided between the organic EL layer and the upper electrode. Providing an injectable protective layer and / or 3) ion-implanting the hole-injectable layer or the hole-injectable protective layer to the outside through an upper electrode exhibiting excellent luminous efficiency and luminescence onset voltage. A so-called top emission type organic EL light emitting device that emits light was obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a conventional organic EL light emitting device.
FIG. 2 is a schematic sectional view showing the organic EL light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic sectional view showing an organic EL light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic sectional view showing an example of a multicolor display formed by the organic EL device of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Top transparent anode
2,102 Organic EL layer
3 Cathode
11,111 hole injection layer
12,112 hole transport layer
13,113 Organic light emitting layer
14, 114 electron transport layer
15, 115 electron injection layer
16 Hole injection protective layer
21 Substrate
22 Switching element
23 Transparent substrate
24 (R, G, B) color conversion color filter layer
25 Black Mask
26 Adhesive layer
101 anode
103 cathode

Claims (8)

基板上に、陰極と、有機EL層と、上部透明陽極とを有し、前記有機EL層は有機発光層と正孔注入層とを少なくとも含み、前記正孔注入層は前記上部透明陽極と接触し、および前記正孔注入層は30〜1000nmの厚さを有し、前記上部透明陽極を通して外部へと発光することを特徴とする有機EL発光素子。On a substrate, a cathode, an organic EL layer, and an upper transparent anode are provided. The organic EL layer includes at least an organic light emitting layer and a hole injection layer, and the hole injection layer is in contact with the upper transparent anode. An organic EL light emitting device, wherein the hole injection layer has a thickness of 30 to 1000 nm, and emits light to the outside through the upper transparent anode. 基板上に、陰極と、有機EL層と、正孔注入性保護層と、上部透明陽極とを有し、前記上部透明陽極を通して外部へと発光することを特徴とする有機EL発光素子。An organic EL light emitting device having a cathode, an organic EL layer, a hole injecting protective layer, and an upper transparent anode on a substrate, and emitting light to the outside through the upper transparent anode. 基板上に、陰極と、有機EL層と、上部透明陽極とを有し、前記有機EL層は有機発光層と正孔注入層とを少なくとも含み、前記正孔注入層は前記上部透明陽極と接触し、前記正孔注入層の前記上部透明陽極と接触する面にイオン注入され、前記上部透明陽極を通して外部へと発光することを特徴とする有機EL発光素子。On a substrate, a cathode, an organic EL layer, and an upper transparent anode are provided. The organic EL layer includes at least an organic light emitting layer and a hole injection layer, and the hole injection layer is in contact with the upper transparent anode. An organic EL light emitting device, wherein ions are implanted into a surface of the hole injection layer which is in contact with the upper transparent anode, and light is emitted to the outside through the upper transparent anode. 基板上に、陰極と、有機EL層と、正孔注入性保護層と、上部透明陽極とを有し、前記正孔注入性保護層は前記上部透明陽極と接触し、前記正孔注入性保護層の前記上部透明陽極と接触する面にイオン注入され、前記上部透明陽極を通して外部へと発光することを特徴とする有機EL発光素子。On the substrate, there is provided a cathode, an organic EL layer, a hole-injecting protective layer, and an upper transparent anode, wherein the hole-injecting protective layer is in contact with the upper transparent anode to form the hole-injecting protective layer. An organic EL light-emitting device, wherein ions are implanted into a surface of a layer in contact with the upper transparent anode, and emit light to the outside through the upper transparent anode. 基板上に陰極を積層する工程と、有機発光層を積層する工程と、30〜1000nmの厚さを有する正孔注入層を積層する工程と、上部透明陽極を積層する工程とを少なくとも含むことを特徴とする有機EL発光素子の製造方法。A step of laminating a cathode on a substrate, a step of laminating an organic light emitting layer, a step of laminating a hole injection layer having a thickness of 30 to 1000 nm, and a step of laminating an upper transparent anode. A method for producing an organic EL light-emitting element. 基板上に陰極を積層する工程と、有機発光層を積層する工程と、正孔注入性保護層を積層する工程と、上部透明陽極を積層する工程とを含むことを特徴とする有機EL発光素子の製造方法。An organic EL light emitting device comprising: a step of laminating a cathode on a substrate; a step of laminating an organic light emitting layer; a step of laminating a hole injecting protective layer; and a step of laminating an upper transparent anode. Manufacturing method. 基板上に陰極を積層する工程と、有機発光層を積層する工程と、正孔注入層を積層する工程と、前記正孔注入層にイオン注入を行う工程と、上部透明陽極を積層する工程とを少なくとも含むことを特徴とする有機EL発光素子の製造方法。Laminating a cathode on a substrate, laminating an organic light emitting layer, laminating a hole injection layer, performing ion implantation on the hole injection layer, and laminating an upper transparent anode. A method for manufacturing an organic EL light-emitting device, comprising at least: 基板上に陰極を積層する工程と、有機発光層を積層する工程と、正孔注入性保護層を積層する工程と、前記正孔注入性保護層にイオン注入を行う工程と、上部透明陽極を積層する工程とを含むことを特徴とする有機EL発光素子の製造方法。Laminating a cathode on a substrate, laminating an organic light-emitting layer, laminating a hole-injecting protective layer, performing ion implantation on the hole-injecting protective layer, and forming an upper transparent anode. And a step of stacking.
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