JP2004221438A - インナリードボンダ - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ペレットの多電極化によりインナリードの巾、配列間隔が狭くなるとリードの中間部の側面形状を屈曲成形する際に、インナリードが平面視変形してリード先端部が近接したり接触して電気的不良となることがあった。
【解決手段】リード3aを加圧する加圧体13のリード加圧面13aの周縁部にリード3aをガイドする切欠き14を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】リード3aを加圧する加圧体13のリード加圧面13aの周縁部にリード3aをガイドする切欠き14を形成する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はTABテープのインナリードと半導体ペレットとを電気的に接続するインナリードボンダに関する。
【0002】
【従来の技術】
小型軽量化が要求される携帯電話などの可搬型電子回路装置に用いられる電子部品は小型化や薄型化に適する構造が採用されている。この種電子部品として多リードの半導体装置ではTABテープを用いたTAB型半導体装置が一般的に用いられている。この一例を図6に示す。図において、1はTABテープで、可撓性とともに耐熱性を有する絶縁フィルム2の巾方向中間部で長手方向に一定間隔で透孔2aを穿設し、両側に図示省略するが一定間隔で送り用の穴を穿設しており、この絶縁フィルム2上に導電パターン3を、その一部が透孔2a内に延在するように形成し、透孔2a内に延在させた導電パターン3をインナリード3aとしたものである。4は半導体ペレットで、一主面に多数の突起電極4aが形成されている。
【0003】
この半導体ペレット4はTABテープ1の透孔2a位置に配置され、インナリード3aの先端部が突起電極4aに重合され、重合部が熱圧着されて電気的に接続されている。突起電極4aは高さが100μm程度でインナリード3aの中間部がペレット4周縁部に接触する虞があるため、インナリード3aの中間部をペレット4から離隔する方向に屈曲させて、インナリード3aの下面をペレット4の周縁角部から離隔させている。5は半導体ペレット4の電極形成面と電気的接続部とを被覆し外力や腐食性ガスから保護する樹脂を示す。
【0004】
図7はインナリード3aとペレット電極4aとを電気的に接続するインナリードボンダの一例を示す。図において、図6と同一部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。図中、6は半導体ペレット4を突起電極4aを上に向けて位置決め支持するペレット支持台、7はTABテープ1をガイドしてペレット支持台6上で水平動させるテープガイド、8はボンディングツールで、内部にヒータ9が配置され下面に平板状のリード加圧体10が固定され、ロッド11を介して昇降機構12に支持されている。
【0005】
この装置のペレット支持台6とテープガイド7は水平方向及び上下方向に相対移動が可能で、ペレット支持台6上に位置決め固定された半導体ペレット4の突起電極4aとTABテープ1のインナリード3aの先端部とが平面視、重合させ、その状態で、インナリード3aの先端部をペレット電極4に接触又は近接させる。そしてボンディングツール8を降下させリード加圧体10をインナリード3aに接触させて押し下げ、インナリード3aの中間部に段差を形成しつつインナリード3aの先端部が突起電極4aに当接させるとさらに加圧し、加圧状態を保ってヒータ9を発熱させその伝導熱によりインナリード3aとペレット電極4aの重合部を加熱して、インナリード3aと突起電極4aとを熱圧着し電気的接続を完了する。この後、ボンディングツール8を上昇させ、TABテープ1とペレット支持台6とを相対的に上昇下降させて離隔させ、さらに半導体ペレット4を一体化したTABテープ1を水平動させて、次の透孔2aをペレット支持台6位置に移動させ、ペレット支持台6上に新しい半導体ペレット4を供給し、上記動作を繰返してTABテープ1に順次半導体ペレット4を接続する。図示省略するが、続く工程で透孔2a内の半導体ペレット4上に樹脂5を被覆し、さらにTABテープ1を所定の形状に切断して個々の半導体装置が製造される。この種インナリードボンダは例えば特許文献1に開示されている。この装置ではインナリード3aの成形と半導体ペレット4への電気的接続が連続して行なえ、多数の電極重合部を一括して接続することが出来る。
【0006】
【特許文献1】
特開平4−196553号公報(第3頁、図1)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、携帯電話などの可搬型電子回路装置は一層小型化されており、外形寸法はあまり変えずにデジタルカメラを一体化するなど多機能化しており実質的な小型化が要求されている。そのため半導体装置も複数のペレットで実現していた機能を1つのペレットに集積することにより体積は増大してもそれ以上に集積密度を増大させたり、内部回路は従来と同じでもペレットの体積を縮小させることにより集積密度を向上させ、電極の寸法や配列間隔を狭めることにより小型化の要求に応えている。
【0008】
そのため半導体ペレット4に対応してTABテープ1もインナリード3aの巾や配列間隔を狭めている。インナリード3aはその巾を狭小化するためには厚みを薄くする必要があり、これによって機械的強度が低下するだけでなく弾性力も低下する。
【0009】
そのためリード加圧体10でインナリード3aを押圧する間にインナリード3aがリード加圧体10の周縁角部で滑動して位置ずれし易くなり、位置ずれしたリード3aの先端部は隣接するリード3aに近接したり接触し耐圧を低下させたり短絡するという問題があった。
【0010】
一方、リード加圧体10は350〜550℃程度の高温で外気に曝されているため、超硬鋼などの耐酸化性、耐腐食性、耐磨耗性に優れた材料が用いられているが、最近では超硬鋼より硬度が高く熱伝導性が良好な人工ダイヤモンドや人工ルビーなど人工宝石が採用されている。またインナリード3aと接触するリード加圧体10は高温高圧状態に曝されるためインナリード3aの表面を被覆した金などのめっき材が付着し易く、ボンディング作業を繰返すうちに付着した微小量のめっき材が成長して塊状の異物となる。そのためリード加圧体10の表面を鏡面仕上げしてめっき材が付着するのを防止し、付着しても容易に剥離できるようにしているが鏡面仕上げにより潤滑性が良好であるため、特に人工宝石を用いたリード加圧体10では微細化したインナリード3aの位置ずれが顕著となり耐電圧低下や短絡を生じ易いという問題があった。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題の解決を目的として提案されたもので、透孔を有する絶縁フィルム上に導電パターンを形成しその一部を透孔内に延在させて形成したインナリードの先端部を透孔内に配置した半導体ペレットの電極に重合させて、インナリードをボンディングツールのリード加圧体により加圧してインナリードとペレット電極の重合部を電気的に接続するインナリードボンダにおいて、リード加圧体のリード加圧面周縁にインナリードをガイドする切欠きを形成したことを特徴とするインナリードボンダを提供する。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明によるインナリードボンダはリード加圧体のリード加圧面周縁にインナリードをガイドする切欠きを形成したことをを特徴とするが、この切欠き切欠きの側断面は三角形が適当である。また本発明は人工宝石を用いたリード加圧体を有するインナリードボンダに好適である。
【0013】
【実施例】
以下に本発明の実施例を図1及び図2から説明する。図において、図6〜図7と同一部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。本発明によるインナリードボンダはTABテープ1の絶縁フィルム2上に形成した導電パターン3の一部を透孔2a内に延在させたインナリード3aの先端部と半導体ペレット4の突起電極4aの重合部を加圧、加熱してインナリード3aとペレット電極4aを電気的に接続するものであるが、インナリード3aに直接接触して突起電極4aとの重合部を加圧、加熱するリード加圧体13が図7に示すリード加圧体10とは相異する。
【0014】
このリード加圧体13は少なくともインナリード3aと対向する面が耐酸化性、耐腐食性、耐磨耗性を有する超硬鋼や超硬鋼より硬度が高く熱伝導性が良好な人工ダイヤモンドや人工ルビーなど人工宝石が用いられ、リード加圧面(下面)13aの周縁にインナリード3aをガイドする切欠き14を形成したことを特徴とする。
【0015】
このリード加圧体13は高温、高圧下でリード3a表面のめっき材などが付着、成長しないように表面が鏡面処理されている。
【0016】
またこのリード加圧体13のインナリード3aと当接する下面13aは半導体ペレット4の形状に合わせて矩形または方形で、下面13aと周壁(側面)13bとのなす角度は90度または鈍角で、下面13aのインナリード3aが当接する部分とこの部分と隣接する周壁13bには切欠き14が形成されている。
【0017】
この切欠き14の平面形状は図2に示すように、巾がインナリード3aより3〜5μm広い矩形状で、側断面形状は図1中の拡大側面図にて点線で示すように三角形をしており、ボンディング完了時の状態を示す図3にて、インナリード3aの屈曲点Aを半導体ペレット4の側壁と突起電極4aの中間に位置させたとき、さらに透孔2aから屈曲点Aまでの水平長さをL、絶縁フィルム2上面と突起電極4aの上面までの段差、即ちインナリード3aの押下深さをD、屈曲点Aからリード加圧体13の周壁13bまでの長さ、即ち切欠き14の平面長さをaとしたとき、切欠き14の側断面三角形の高さbは(D*a/L)以上に設定することが好ましく、例えば透孔2aから屈曲点Aまでの水平長さLを500μm、インナリード3aの押下深さDを100μm、切欠き14の平面長さaを50μmとした場合、切欠き14の側断面三角形の高さbは10μm以上とすればよい。実際にはインナリード3aは透孔2aの内周や屈曲点Aから直ちに屈曲するわけではなく、前記高さbは前記値より十分大きく設定すればよい。
【0018】
このインナリードボンダの動作を以下に説明する。先ず、ペレット支持台6上に供給され位置決めされた半導体ペレット4の突起電極4aとTABテープ1のインナリード3aの先端部とが平面視、重合するようにペレット支持台6とテープガイド7を相対移動させて位置決めする。
【0019】
そしてボンディングツール8を降下させ図4に示すようにリード加圧体13の下面13a中央部をインナリード3aに接触させて押し下げ、図5に示すようにインナリード3aの中間部に段差を形成しインナリード3aの傾斜した先端部を突起電極4aに当接させる。このとき、直線降下するリード加圧体13に対して、インナリード3aは透孔2a内壁部を中心として回転するため、屈曲点A位置でインナリード3aはその長手方向に摺動する。
【0020】
さらにボンディングツール8を降下させると屈曲点Aと突起電極4aの間のインナリード3a先端部は半導体ペレット4と平行に成形され、インナリード3a全体は図3に示すようにクランク状に成形され、リード加圧体13はインナリード3aと突起電極4aの重合部を加圧し、この状態を保ってヒータ9を発熱させ重合部を加熱して、インナリード3aと突起電極4aとを熱圧着し電気的接続を完了する。この後、ボンディングツール8を上昇させ、TABテープ1とペレット支持台6とを相対的に上昇下降させて離隔させ、さらに半導体ペレット4を一体化したTABテープ1を水平動させて、次の透孔2aをペレット支持台6位置に移動させ、ペレット支持台6上に新しい半導体ペレット4を供給し、上記動作を繰返してTABテープ1に多数の半導体ペレット4を接続する。
【0021】
この装置は、図4に示す状態からインナリード3aに当接させたリード加圧体13を下げると、インナリード3aは周壁13bより内方で突起電極4a近傍の屈曲点Aから屈曲し、重合部が未接続の図5の状態でインナリード3aを切欠き14によってガイドする。また下面13aと切欠き14の屈曲点Aでのなす角は鈍角であるため、屈曲変形するインナリード3aとリード加圧体13の間の摺動摩擦抵抗を小さくでき屈曲するインナリード3aを側方へ変位させる力を生じにくく、切欠き14によってガイドされた隣り合うインナリード3aは互い平行状態を保って、クランク状に折り曲げ成形される。
【0022】
これにより、面積を縮小し狭小間隔で多数の突起電極4aを配列した半導体ペレット4と、この半導体ペレット4に対応させるため厚み、巾、配列間隔を狭め、その結果機械的強度や弾性力が低下したインナリード3aとを、インナリード3aの中間部を屈曲させて接続してもインナリード3aの位置ずれが防止でき、隣接するリード3aとの間で近接や接触が防止でき、耐圧低下や短絡などの電気的な不良の発生を防止することができ、特に人工宝石を用いたリード加圧体13で顕著な効果を奏する。
【0023】
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されることなく、例えば、矩形状の半導体ペレットの2つの長辺に沿って突起電極を配列したもので、一方の辺の突起電極の数が少なく、隣り合うリードのとの間隔が十分広く設定されるものでは、配列間隔が狭い側のインナリードにのみ対応するように切欠き14を形成すればよい。
【0024】
また半導体ペレット4は金単体あるいは銅などの良導電性で硬質の材料上に金めっきした突起電極4aを有するものが好ましいが、半田などの低融点合金を用いた突起電極を有するものでもよく、さらには先端部に導電性突起を形成したインナリードを用いる場合には、平面電極でもよい。
【0025】
またインナリードとペレット電極との電気的接続は熱圧着だけでなく、重合部に超音波振動を付与して電気的接続する超音波接続でもよい。
【0026】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、電極の配列間隔を狭小化してもインナリードとペレット電極とを確実に電気的に接続することが出来、耐電圧低下や短絡のない半導体装置を実現出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるインナリードボンダの側面図
【図2】リード加圧体の下面図
【図3】リード加圧体によってインナリードと突起電極が加圧された状態を示す要部拡大側断面図
【図4】リード加圧体をインナリードに接触させた状態を示す要部拡大側面図
【図5】図4状態に続きリード加圧体によってインナリードを押下する状態を示す要部拡大側断面図
【図6】TAB式半導体装置の側断面図
【図7】図6半導体装置の製造に用いられるインナリードボンダの側面図
【符号の説明】
1 TABテープ
2 絶縁フィルム
2a 透孔
3 導電パターン
3a インナリード
4 半導体ペレット
4a 電極
8 ボンディングツール
13 リード加圧体
14 切欠き
【発明の属する技術分野】
本発明はTABテープのインナリードと半導体ペレットとを電気的に接続するインナリードボンダに関する。
【0002】
【従来の技術】
小型軽量化が要求される携帯電話などの可搬型電子回路装置に用いられる電子部品は小型化や薄型化に適する構造が採用されている。この種電子部品として多リードの半導体装置ではTABテープを用いたTAB型半導体装置が一般的に用いられている。この一例を図6に示す。図において、1はTABテープで、可撓性とともに耐熱性を有する絶縁フィルム2の巾方向中間部で長手方向に一定間隔で透孔2aを穿設し、両側に図示省略するが一定間隔で送り用の穴を穿設しており、この絶縁フィルム2上に導電パターン3を、その一部が透孔2a内に延在するように形成し、透孔2a内に延在させた導電パターン3をインナリード3aとしたものである。4は半導体ペレットで、一主面に多数の突起電極4aが形成されている。
【0003】
この半導体ペレット4はTABテープ1の透孔2a位置に配置され、インナリード3aの先端部が突起電極4aに重合され、重合部が熱圧着されて電気的に接続されている。突起電極4aは高さが100μm程度でインナリード3aの中間部がペレット4周縁部に接触する虞があるため、インナリード3aの中間部をペレット4から離隔する方向に屈曲させて、インナリード3aの下面をペレット4の周縁角部から離隔させている。5は半導体ペレット4の電極形成面と電気的接続部とを被覆し外力や腐食性ガスから保護する樹脂を示す。
【0004】
図7はインナリード3aとペレット電極4aとを電気的に接続するインナリードボンダの一例を示す。図において、図6と同一部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。図中、6は半導体ペレット4を突起電極4aを上に向けて位置決め支持するペレット支持台、7はTABテープ1をガイドしてペレット支持台6上で水平動させるテープガイド、8はボンディングツールで、内部にヒータ9が配置され下面に平板状のリード加圧体10が固定され、ロッド11を介して昇降機構12に支持されている。
【0005】
この装置のペレット支持台6とテープガイド7は水平方向及び上下方向に相対移動が可能で、ペレット支持台6上に位置決め固定された半導体ペレット4の突起電極4aとTABテープ1のインナリード3aの先端部とが平面視、重合させ、その状態で、インナリード3aの先端部をペレット電極4に接触又は近接させる。そしてボンディングツール8を降下させリード加圧体10をインナリード3aに接触させて押し下げ、インナリード3aの中間部に段差を形成しつつインナリード3aの先端部が突起電極4aに当接させるとさらに加圧し、加圧状態を保ってヒータ9を発熱させその伝導熱によりインナリード3aとペレット電極4aの重合部を加熱して、インナリード3aと突起電極4aとを熱圧着し電気的接続を完了する。この後、ボンディングツール8を上昇させ、TABテープ1とペレット支持台6とを相対的に上昇下降させて離隔させ、さらに半導体ペレット4を一体化したTABテープ1を水平動させて、次の透孔2aをペレット支持台6位置に移動させ、ペレット支持台6上に新しい半導体ペレット4を供給し、上記動作を繰返してTABテープ1に順次半導体ペレット4を接続する。図示省略するが、続く工程で透孔2a内の半導体ペレット4上に樹脂5を被覆し、さらにTABテープ1を所定の形状に切断して個々の半導体装置が製造される。この種インナリードボンダは例えば特許文献1に開示されている。この装置ではインナリード3aの成形と半導体ペレット4への電気的接続が連続して行なえ、多数の電極重合部を一括して接続することが出来る。
【0006】
【特許文献1】
特開平4−196553号公報(第3頁、図1)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、携帯電話などの可搬型電子回路装置は一層小型化されており、外形寸法はあまり変えずにデジタルカメラを一体化するなど多機能化しており実質的な小型化が要求されている。そのため半導体装置も複数のペレットで実現していた機能を1つのペレットに集積することにより体積は増大してもそれ以上に集積密度を増大させたり、内部回路は従来と同じでもペレットの体積を縮小させることにより集積密度を向上させ、電極の寸法や配列間隔を狭めることにより小型化の要求に応えている。
【0008】
そのため半導体ペレット4に対応してTABテープ1もインナリード3aの巾や配列間隔を狭めている。インナリード3aはその巾を狭小化するためには厚みを薄くする必要があり、これによって機械的強度が低下するだけでなく弾性力も低下する。
【0009】
そのためリード加圧体10でインナリード3aを押圧する間にインナリード3aがリード加圧体10の周縁角部で滑動して位置ずれし易くなり、位置ずれしたリード3aの先端部は隣接するリード3aに近接したり接触し耐圧を低下させたり短絡するという問題があった。
【0010】
一方、リード加圧体10は350〜550℃程度の高温で外気に曝されているため、超硬鋼などの耐酸化性、耐腐食性、耐磨耗性に優れた材料が用いられているが、最近では超硬鋼より硬度が高く熱伝導性が良好な人工ダイヤモンドや人工ルビーなど人工宝石が採用されている。またインナリード3aと接触するリード加圧体10は高温高圧状態に曝されるためインナリード3aの表面を被覆した金などのめっき材が付着し易く、ボンディング作業を繰返すうちに付着した微小量のめっき材が成長して塊状の異物となる。そのためリード加圧体10の表面を鏡面仕上げしてめっき材が付着するのを防止し、付着しても容易に剥離できるようにしているが鏡面仕上げにより潤滑性が良好であるため、特に人工宝石を用いたリード加圧体10では微細化したインナリード3aの位置ずれが顕著となり耐電圧低下や短絡を生じ易いという問題があった。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題の解決を目的として提案されたもので、透孔を有する絶縁フィルム上に導電パターンを形成しその一部を透孔内に延在させて形成したインナリードの先端部を透孔内に配置した半導体ペレットの電極に重合させて、インナリードをボンディングツールのリード加圧体により加圧してインナリードとペレット電極の重合部を電気的に接続するインナリードボンダにおいて、リード加圧体のリード加圧面周縁にインナリードをガイドする切欠きを形成したことを特徴とするインナリードボンダを提供する。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明によるインナリードボンダはリード加圧体のリード加圧面周縁にインナリードをガイドする切欠きを形成したことをを特徴とするが、この切欠き切欠きの側断面は三角形が適当である。また本発明は人工宝石を用いたリード加圧体を有するインナリードボンダに好適である。
【0013】
【実施例】
以下に本発明の実施例を図1及び図2から説明する。図において、図6〜図7と同一部分には同一符号を付し重複する説明を省略する。本発明によるインナリードボンダはTABテープ1の絶縁フィルム2上に形成した導電パターン3の一部を透孔2a内に延在させたインナリード3aの先端部と半導体ペレット4の突起電極4aの重合部を加圧、加熱してインナリード3aとペレット電極4aを電気的に接続するものであるが、インナリード3aに直接接触して突起電極4aとの重合部を加圧、加熱するリード加圧体13が図7に示すリード加圧体10とは相異する。
【0014】
このリード加圧体13は少なくともインナリード3aと対向する面が耐酸化性、耐腐食性、耐磨耗性を有する超硬鋼や超硬鋼より硬度が高く熱伝導性が良好な人工ダイヤモンドや人工ルビーなど人工宝石が用いられ、リード加圧面(下面)13aの周縁にインナリード3aをガイドする切欠き14を形成したことを特徴とする。
【0015】
このリード加圧体13は高温、高圧下でリード3a表面のめっき材などが付着、成長しないように表面が鏡面処理されている。
【0016】
またこのリード加圧体13のインナリード3aと当接する下面13aは半導体ペレット4の形状に合わせて矩形または方形で、下面13aと周壁(側面)13bとのなす角度は90度または鈍角で、下面13aのインナリード3aが当接する部分とこの部分と隣接する周壁13bには切欠き14が形成されている。
【0017】
この切欠き14の平面形状は図2に示すように、巾がインナリード3aより3〜5μm広い矩形状で、側断面形状は図1中の拡大側面図にて点線で示すように三角形をしており、ボンディング完了時の状態を示す図3にて、インナリード3aの屈曲点Aを半導体ペレット4の側壁と突起電極4aの中間に位置させたとき、さらに透孔2aから屈曲点Aまでの水平長さをL、絶縁フィルム2上面と突起電極4aの上面までの段差、即ちインナリード3aの押下深さをD、屈曲点Aからリード加圧体13の周壁13bまでの長さ、即ち切欠き14の平面長さをaとしたとき、切欠き14の側断面三角形の高さbは(D*a/L)以上に設定することが好ましく、例えば透孔2aから屈曲点Aまでの水平長さLを500μm、インナリード3aの押下深さDを100μm、切欠き14の平面長さaを50μmとした場合、切欠き14の側断面三角形の高さbは10μm以上とすればよい。実際にはインナリード3aは透孔2aの内周や屈曲点Aから直ちに屈曲するわけではなく、前記高さbは前記値より十分大きく設定すればよい。
【0018】
このインナリードボンダの動作を以下に説明する。先ず、ペレット支持台6上に供給され位置決めされた半導体ペレット4の突起電極4aとTABテープ1のインナリード3aの先端部とが平面視、重合するようにペレット支持台6とテープガイド7を相対移動させて位置決めする。
【0019】
そしてボンディングツール8を降下させ図4に示すようにリード加圧体13の下面13a中央部をインナリード3aに接触させて押し下げ、図5に示すようにインナリード3aの中間部に段差を形成しインナリード3aの傾斜した先端部を突起電極4aに当接させる。このとき、直線降下するリード加圧体13に対して、インナリード3aは透孔2a内壁部を中心として回転するため、屈曲点A位置でインナリード3aはその長手方向に摺動する。
【0020】
さらにボンディングツール8を降下させると屈曲点Aと突起電極4aの間のインナリード3a先端部は半導体ペレット4と平行に成形され、インナリード3a全体は図3に示すようにクランク状に成形され、リード加圧体13はインナリード3aと突起電極4aの重合部を加圧し、この状態を保ってヒータ9を発熱させ重合部を加熱して、インナリード3aと突起電極4aとを熱圧着し電気的接続を完了する。この後、ボンディングツール8を上昇させ、TABテープ1とペレット支持台6とを相対的に上昇下降させて離隔させ、さらに半導体ペレット4を一体化したTABテープ1を水平動させて、次の透孔2aをペレット支持台6位置に移動させ、ペレット支持台6上に新しい半導体ペレット4を供給し、上記動作を繰返してTABテープ1に多数の半導体ペレット4を接続する。
【0021】
この装置は、図4に示す状態からインナリード3aに当接させたリード加圧体13を下げると、インナリード3aは周壁13bより内方で突起電極4a近傍の屈曲点Aから屈曲し、重合部が未接続の図5の状態でインナリード3aを切欠き14によってガイドする。また下面13aと切欠き14の屈曲点Aでのなす角は鈍角であるため、屈曲変形するインナリード3aとリード加圧体13の間の摺動摩擦抵抗を小さくでき屈曲するインナリード3aを側方へ変位させる力を生じにくく、切欠き14によってガイドされた隣り合うインナリード3aは互い平行状態を保って、クランク状に折り曲げ成形される。
【0022】
これにより、面積を縮小し狭小間隔で多数の突起電極4aを配列した半導体ペレット4と、この半導体ペレット4に対応させるため厚み、巾、配列間隔を狭め、その結果機械的強度や弾性力が低下したインナリード3aとを、インナリード3aの中間部を屈曲させて接続してもインナリード3aの位置ずれが防止でき、隣接するリード3aとの間で近接や接触が防止でき、耐圧低下や短絡などの電気的な不良の発生を防止することができ、特に人工宝石を用いたリード加圧体13で顕著な効果を奏する。
【0023】
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されることなく、例えば、矩形状の半導体ペレットの2つの長辺に沿って突起電極を配列したもので、一方の辺の突起電極の数が少なく、隣り合うリードのとの間隔が十分広く設定されるものでは、配列間隔が狭い側のインナリードにのみ対応するように切欠き14を形成すればよい。
【0024】
また半導体ペレット4は金単体あるいは銅などの良導電性で硬質の材料上に金めっきした突起電極4aを有するものが好ましいが、半田などの低融点合金を用いた突起電極を有するものでもよく、さらには先端部に導電性突起を形成したインナリードを用いる場合には、平面電極でもよい。
【0025】
またインナリードとペレット電極との電気的接続は熱圧着だけでなく、重合部に超音波振動を付与して電気的接続する超音波接続でもよい。
【0026】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、電極の配列間隔を狭小化してもインナリードとペレット電極とを確実に電気的に接続することが出来、耐電圧低下や短絡のない半導体装置を実現出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるインナリードボンダの側面図
【図2】リード加圧体の下面図
【図3】リード加圧体によってインナリードと突起電極が加圧された状態を示す要部拡大側断面図
【図4】リード加圧体をインナリードに接触させた状態を示す要部拡大側面図
【図5】図4状態に続きリード加圧体によってインナリードを押下する状態を示す要部拡大側断面図
【図6】TAB式半導体装置の側断面図
【図7】図6半導体装置の製造に用いられるインナリードボンダの側面図
【符号の説明】
1 TABテープ
2 絶縁フィルム
2a 透孔
3 導電パターン
3a インナリード
4 半導体ペレット
4a 電極
8 ボンディングツール
13 リード加圧体
14 切欠き
Claims (3)
- 透孔を有する絶縁フィルム上に導電パターンを形成しその一部を透孔内に延在させて形成したインナリードの先端部を透孔内に配置した半導体ペレットの電極に重合させて、インナリードをボンディングツールのリード加圧体により加圧してインナリードとペレット電極の重合部を電気的に接続するインナリードボンダにおいて、
リード加圧体のリード加圧面周縁にインナリードをガイドする切欠きを形成したことを特徴とするインナリードボンダ。 - 切欠きの側断面形状が三角形であることを特徴とする請求項1に記載のインナリードボンダ。
- リード加圧体の少なくともリード加圧面が人工宝石であることを特徴とする請求項1に記載のインナリードボンダ。
Priority Applications (1)
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JP2003008953A JP2004221438A (ja) | 2003-01-17 | 2003-01-17 | インナリードボンダ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2003008953A JP2004221438A (ja) | 2003-01-17 | 2003-01-17 | インナリードボンダ |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004221438A true JP2004221438A (ja) | 2004-08-05 |
Family
ID=32898582
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2003008953A Pending JP2004221438A (ja) | 2003-01-17 | 2003-01-17 | インナリードボンダ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004221438A (ja) |
-
2003
- 2003-01-17 JP JP2003008953A patent/JP2004221438A/ja active Pending
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