JP2004219786A - Manufacture method of semiconductor optical circuit device and manufacture apparatus for semiconductor optical circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
近年、音楽や映像、更にはコンピュータのデジタルデータを保存したり、再生したりする情報機器の小型化と低価格化を指向した技術の進展が目覚しい。インターネットの普及に伴い、机上設置型のコンピュータのほか、モバイル機器においても外部からの様々な情報を手元の機器へ高速に取り込んだり、又は、手元の機器から外部へ高速に送り出したりしたいというユーザのニーズが高まってきている。
【0002】
本発明は、音楽、映像、その他様々なデータなど、各種情報を光を用いて高速に伝送するために必須の光素子と、光素子を含む回路組み立て工程における素子搭載装置に関するものである。特に、回路組み立て工程、その場における高歩留まり化が可能な半導体光素子回路製造装置に関する。本発明は又、当該光素子回路を搭載した通信用機器、およびシステムに関するものである。
【0003】
【従来の技術】
レーザチップをステム等に搭載する方法に関しては、次の諸方法が知られている。
【0004】
第1の例は、半導体レーザチップを通電している状態で発光させ、その発光をカメラで計測しつつ、レーザチップをステムのポストに搭載するものである(特許文献1)。第2の例は、レーザチップに関して、チップにおける活性層の電極面の2つ以上の角を検出し、発光部の位置を制御しつつ、ステム上に半導体レーザをダイボンドするものである(特許文献2)。第3の例は、端面発光型半導体レーザ素子ウエファの検査方法に関するもので、ウエファ上のレーザ素子に電流を流して発光させた状態で素子特性の検査を行う方法である(特許文献3)。第4の例は、光ファイバ接続及びその使用方法に関するもので、光ファイバケーブルにオプトエレクトリックダイを垂直に向け、他のダイを光ファイバケーブルに平行に向けることによる光結合アセンブリを提供することについて記述されている(特許文献4)。第5の例は、光リンク用送受信モジュール実装方法に関するもので、光素子は光ファイバ装着部内の光ファイバの光軸方向に配置され、一方、ICはフレキシブル回路基板を介して光素子と接続されている(特許文献5)。
【0005】
【特許文献1】
特開平07−202347号公報(5頁、図5)
【特許文献2】
特開平11−087373号公報(5頁、図3)
【特許文献3】
特開平11−340512号公報(6頁、図1)
【特許文献4】
特開2001−242358号公報(17頁、図8)
【特許文献5】
特開平11−345987号公報(8頁、図4)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術による、半導体レーザのダイボンディング方法の一つの例では、ダイボンディング時に半導体レーザチップに通電し、半導体レーザのFFP(ファーフィールドパタン)、およびNFP(ニアフィールドパタン)をカメラで計測してから、ステムのポストに半導体レーザのチップをボンディングするものである(例えば、特許文献1参照)。この方法は半導体レーザを単体でステムに搭載する手法ではあるが、更に、半導体レーザと光導波路とを結合する場合の光軸合せまでは考慮されていない。
【0007】
光素子の別なダイボンディング方法では、レーザチップをステムにダイボンディングする際のチップとステムの位置合せについて記述されている(例えば、特許文献2参照)。しかし、この方法も特許文献1と同様にレーザと光導波路との光軸合せまでを考慮するとダイボンディングとしては不適である。
【0008】
また、関連する半導体素子の検査方法として、端面発光型の発光ダイオードについてウエファ状態での素子検査方法が知られている(例えば、特許文献3参照)。この検査方法においても、発光ダイオードと光導波路とを結合する組み立て工程までは考慮されていない。
【0009】
本発明の第1の目的は、上述のような課題を解決し、光ファイバをはじめとする光導波路との高効率な接続が可能な光素子のボンディング方法、およびボンディング装置を提供することである。
【0010】
更に、光ファイバ接続およびその使用方法においては、光ファイバケーブルの光軸の水平な向きに合せるように、面発光レーザ(VCSEL)台を垂直に向け、他の台を光ファイバの光軸と同じ水平方向に向ける(特許文献4)。即ち、面発光レーザ台と他の台はフレキシブル回路を介して垂直に接続する方法である。又、類似した方法が特許文献5にも見られる。
【0011】
これらの従来方法では、光素子と光素子駆動回路とが、フレキシブル回路(基板)を介して結合されている。従って、その分だけ回路の配線長を必要とする。約5ギガビット毎秒以上の高速な信号伝送を行う場合には、回路の配線長をできるだけ短縮する必要がある。前記特許文献4、5に記載された方法は、高速な信号伝送に対する十分な配慮がなされていない。
【0012】
本発明の別な目的はこのような課題を解決し、光ファイバをはじめとする光導波路との高効率な接続が可能であって、かつ、光信号の高速伝送を可能とする光素子の搭載方法、および搭載装置を提供する。
【0013】
更には又、本願は、前述の本発明の方法で光素子を搭載した回路を用いて、サーバなどの機器や該サーバを含むシステムを提供する。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、半導体レーザからの出射光を簡便に光導波路や光ファイバへ高効率で簡易に結合できるチップ構造およびチップの搭載方法を提供することにある。かかる目的を達成するための手段は、半導体レーザとして面発光レーザ(VCSEL:Vertical Cavity Serface Emitting Laser)を用いる方法である。即ち、この面発光レーザ(VCSEL)の発光部からの光の出力部分(光出力端面)に外部から光を入射し、この入射光が照射された面発光レーザの半導体結晶内部から誘起される光(蛍光)を、反射光もしくは透過光として、観測しつつ、半導体レーザチップと当該チップを搭載する回路基板との位置関係を調整することにより高効率な光の結合が達成する。
【0015】
更には、回路基板への面発光レーザチップの搭載において、回路基板側面の断面上へ該チップを搭載し、面発光レーザのドライバICとの結線用配線を回路基板表面又は、回路基板内部に形成しておくことにより、フレキシブル配線よりも配線長を短く作製でき、且つ又、光素子と光導波路との結合を高効率とする構造が実現できる。
【0016】
【発明の実施の形態】
<実施例1>
図1に、回路基板に搭載する面発光レーザ(VCSEL)の模式的な断面図、図2に、入射光に対する発光部からの光スペクトルを模式的に示す。図1は、面発光レーザの断面であり、図2は入射光に対する反射光の相対的変化を示す図である。
【0017】
図1に示すように、面発光レーザである半導体レーザチップ1には、発光部51がある。この発光部は、通常、活性層とよばれる領域が含まれ、外部からの入射光7に対して、レーザの発光波長にほぼ対応する蛍光11を発する。尚、図1において、符号21は電極、22は半導体薄層の積層体、23は発光部である。
【0018】
図2は、この入射光25と蛍光26の光強度を波長に対して模式的に示したものである。横軸は波長、縦軸は光強度である。図2に例示するように、外部からの入射光25に比較して半導体レーザから発する蛍光26は、スペクトル線幅が狭く、且つ、光強度変化が入射光のスペクトル立ち上がりよりも長波長側に現れる。本発明は、この特性を利用して、わけてもスペクトル幅の狭い蛍光を用いて位置設定を行なうのである。半導体レーザチップを回路基板上に搭載する場合の位置決め調整機構を図3に示す。
【0019】
図3は、半導体レーザチップ1が複数個貼り付いたフィルム4を部分的に回路基板2へ接近させ、フィルム上の半導体レーザチップを回路基板上の光導波路3へ光軸が一致するように搭載する工程に関する概念図である。
【0020】
フィルム上の特定の半導体レーザチップ1は、チップ搭載用プローブ5によりフィルム背面側から間接的に押されて、回路基板(2)面に接近する。半導体レーザチップ1には、回路基板2上の光導波路3を介して入射光7が照射される。この入射光7に対して、半導体レーザチップ1の活性層を含む発光部があたると、発光部からの蛍光が反射光13の中に含まれて光検知器9に進入する。尚、入射光7はハーフミラー51を介して回路基板2の光導波路3に入射する。そして、光導波路3の一方の端部に形成されたミラー面6で、光導波路3の光軸とは垂直の方向に反射される(反射光13−1)。この光の進行方向に面して半導体レーザチップの入射面が配置される。一方、半導体レーザチップ1よりの蛍光は、図に反射光13として示した反射光と共に、回路基板2の光導波路3の前記した一方の端部のミラー面6に入射する。そして、当該反射光の進行方向と直角な光導波路の光軸に沿う方向に反射される(反射光13−1に含まれる)。この蛍光を含む反射光13−1はハーフミラー51を介して、反射光31−3として、分光器10に達する。そして、当該制御に必要な、蛍光に対応する波長の光13−4を分光する。蛍光13−4は光検知器9に入射する。光検知器9からの信号は、信号処理系11を通じて、チップ搭載用プローブ5の駆動制御系12へ伝達される。駆動制御系は、半導体レーザチップ1からの蛍光強度が最大となるように、チップ搭載用プローブ5及びフィルム4を一体として位置調整する。このようにしてフィルム4に貼られた半導体レーザチップ1は、回路基板2上の光導波路3との光軸結合が最適な位置に合わせることが出来る。尚、位置制御の機械系は通例のもので十分であり、図ではその図示は省略されている。
【0021】
図4には、半導体レーザチップ1が、回路基板2に位置合わせしつつ搭載される工程の主要部を示す。図4の(a)は、半導体レーザチップ1の電極部21と回路基板上の電極6とが接触した状態を示す。又、図4の(b)は、フィルム4から回路基板2上へ半導体レーザチップ1の搭載が済んだ状態を示す。本実施例では、半導体レーザチップ1に電流を流さない状態で回路基板2へ光導波路との光軸を合わせつつ搭載する手法および装置構成について説明した。
【0022】
<実施例2>
本発明の他の実施例を図5により説明する。図5は半導体光検知器(PD:Photo−Diode)チップ14を回路基板2上の光導波路3と光軸を合わせつつ搭載する工程を説明する為の模式的な断面図である。本実施例では、半導体PDチップ14に入射する光7は、光導波路3の有するミラー面6で反射され(光:7−1)、半導体チップを透過する。そして、この透過光8は、光ファイバ12を伝播して光検知器9に到達するものである。又、図6は、半導体レーザチップ1を透過した光が、光ファイバ12を使わずに光検知器に到達する構造を例示する。
【0023】
図5及び図6に示した半導体チップの搭載においては、半導体チップ(14、1)に入射する光は、この半導体チップを透過して光検知器に到達する現象を利用している。ここで、図5及び図6に示した半導体チップは、半導体の薄膜構造からなる。
【0024】
図7には、半導体の薄膜構造からなるチップの構造を模式的に示す。図7の(a)は、素子パタンが形成されたエピタキシャル膜62が剥離層63を介して基板61に形成されている構造である。図7の(b)は、図7の(a)の状態から、基板61、および剥離層63が除去された後のエピタキシャル膜62からなる構造である。尚、図において、符号21は電極、符号22は発光部である。尚、図7の(b)においては、符号21として示した一対の電極は、当該レーザの電極2端子を示す。
【0025】
図7の(b)に示したエピタキシャル膜構造とすることにより、素子の厚さを数ミクロン(μm)のレベルまで薄くできる。このように薄い素子構造とすることで、当該素子へ入射した光は、素子を透過し透過の過程で半導体の結晶構造を反映した光、即ち、蛍光が透過光に含まれる。従って、透過光を観測しつつ、半導体レーザや、半導体PDの光軸を光導波路と合わせるように回路基板上にチップ搭載できる。
【0026】
<実施例3>
回路基板と半導体レーザ素子或いは半導体PD、光ファイバの装着の諸形態を、以下に説明する。
【0027】
本発明に関わる他の実施例を図8及び図9を用いて説明する。図8は、半導体レーザチップの2つの発光形態について説明する模式図である。図8の(a)は、半導体レーザからの発光が電極と同じ面から得られる構造であり、一方、図8の(b)は、半導体レーザからの発光が、電極21とは異なる反対の面から得られる構造である。尚、図において、符号21は電極、符号22は発光部である。尚、図8の(b)においては、符号21として示した一対の電極は、当該レーザの電極2端子を示す。
【0028】
図8の(a)或いは図8の(b)それぞれの半導体レーザについて、実施例1もしくは、実施例2において説明した搭載方法を用いて回路基板側面上に搭載し、光導波路もしくは光ファイバとの光軸合わせが完了している状態を図9、図10の(a)、(b)に示す。
【0029】
図9の例は、回路基板57に実施例1と同様の光導波路3が設けられている。この上部にICチップ52及び光素子チップ53が搭載される。この場合、光導波路3のミラー面6と光素子チップ53の発光位置とを位置合わせして、半導体レーザ素子53の光56が、光導波路3の光軸に沿って伝達されるようにする。回路基板57が光コネクタ54に接続され、且つ、この光コネクタ54には光ファイバ55が装着されている。こうして、レーザ光56は光ファイバ55より外部に伝達される。
【0030】
図10の(a)の例では、光導波路42が回路基板44中へ埋め込まれた構造であり、光導波路42の端部は回路基板の側面に露出した構造である。半導体レーザチップ43は、この光導波路にレーザ光が入射できるように回路基板44の側面へチップ搭載されている。回路基板44上には、半導体レーザ駆動用のICチップ41が搭載されている。ICチップ41と半導体レーザチップ43とは、回路基板に設けられた配線49を介して短距離に接続されている。尚、符号55は光導波路42に対向して設けられた光ファイバ、符号47はICチップ41の電極である。
【0031】
図10の(b)の例では、回路基板57の側面に光素子チップ53が搭載された例である。そして、回路基板57と光ファイバ55が相互に対向して光コネクタ54に装着されている。この光素子チップ53は、光ファイバ55が近接して配置されているので、光素子チップ53が面発光レーザ(VCSEL)の場合は、レーザ光56が光ファイバ55へ入射して光ファイバ内を伝播させて用いる構造である。又、光素子チップ53が半導体PDの場合には、光ファイバを伝播してきた光が光素子チップに入射して用いる構造である。尚、この例ではICチップ52と光素子チップ53とは埋め込み配線59で接続されている。
【0032】
いずれの構造においても、光素子チップ53の駆動には、ICチップ52が用いられる。図9および図10に示した構造では、光素子およびICともにベアチップ状態で回路基板に搭載される本発明の搭載方法を用いることにより、光導波路もしくは光ファイバと光素子との光結合が高効率で実現する。
【0033】
図11の(a)は、光素子とICとが搭載された回路基板57が光コネクタ54を介して光ファイバ55と接続されている構造の斜視図である。ここで、光ファイバは、10本が並列に接続されたいわゆる多チャンネル構成である。尚、図11の(a)では光素子が直接図示されていない。この構造は、図11の(b)で説明される。図11の(b)は、光コネクタ54と接続する半導体レーザチップ48が回路基板57の側面に搭載されている部分の斜視図である。半導体レーザチップ48は、1×10チャネルのアレーを構成しており、レーザ光は、チップの表面から垂直に発する。半導体レーザチップ48の多点発光は光コネクタ54の光ファイバと対向して装着されている。ICチップ52ははんだ電極58で回路基板57に搭載されている。
【0034】
半導体レーザ48と光ファイバとの結合は、図10の(b)に示した結合構造により、高効率化がはかれている。又、光素子とICとの接続には、回路基板内の埋め込み配線59を用いており、フレキシブル配線構造を採用していない。このような配線構造により、フレキシブル配線よりも配線長を更に短くすることができる。
【0035】
<実施例4>
実施例3にて説明した、回路基板を光伝送系ネットワークのサーバに応用した例を説明する。
【0036】
本実施例の概念構成図を図13に例示する。光伝送系ネットワーク70のブランチの一つにサーバとストーレジの機能を兼ね備えたサーバ兼ストーレジキャビネット77が設置されている。このキャビネットには、小型サーバ75が複数個搭載されたサーバ搭載ラック76が格納される。ここで、サーバ75は、回路基板71が主たるボードとなっており、ここには、ICチップ72、他のIC、LSI等サーバに必要な素子が搭載されている。サーバ内外との信号のやり取りには、光コネクタ73を介して光ファイバ74を伝送する光信号が用いられる。
【0037】
本サーバ75の特徴は、本発明を適用し、回路基板71および光コネクタ73、光ファイバ74が省スペース構成となっていることである。このような小型で省スペースなサーバであるため、サーバ搭載ラック76には、10個のサーバが収納してある。一個のサーバ75には、光の入出力が10チャネル分あり、1チャンネル当り最大10ギガビット毎秒(Gbps)の伝送速度で通信を行える。従ってサーバ75が1台で最大100Gbpsであり、サーバ搭載ラック76に10個のサーバが搭載されているので、最大1テラビット毎秒(Tbps)の処理能力が得られる。
【0038】
<実施例5>
本例では、実施例4にて説明したサーバを電子顕微鏡、電子線描画装置、イオンビーム描画装置、光学的観察装置などに応用した諸例を説明する。
【0039】
図14は、例えば、微細構造観測及び形成装置の例である。この例では、半導体の微細構造を観察しつつ、微細なパタンを形成することができる微細構造観測及び形成装置とその装置の外部にある情報機器との接続を模式的に示している。微細構造観測及び形成装置91によって得られた画像データは、画像処理系90に伝送されて加工されたのち、サーバ兼ストーレジキャビネット77へ伝送されて保存される。このサーバ内ストーレジに保存されたデータは、別途設けられた設計・解析システム92へ伝送され、観測データの評価や解析に供せられる。又、この観測データをもとに半導体素子のパタン形成に修正を加えたり、あるいは新規構造を設計したりする。更には、サーバ内に保存されたデータをネットワーク70を介して外部へ伝送し、外部データとの照合、比較評価を行う等、ネットワークを介したデータ処理、解析の高速化が達成される。
【0040】
半導体微細構造の観測、評価のほかに、本実施例の更なる具体例として、医療分野におけるX線や超音波、NMRを用いた画像データの評価、診断への応用がある。この場合、図13における微細構造観測及び形成装置91はX線撮影装置あるいは、超音波診断装置ないしは、NMR診断装置に該当する。図13の構成において、例えば、人体のx線透過像を撮影後、画像処理系90を介して、サーバ兼ストーレジキャビネット77へデータを転送し、保存する。保存されたX線画像データは、設計・解析システム92へ転送され、更に詳細な解析と診断が加えられる。あるいは、外部へのネットワークを通じてデータを転送し、他の診断事例と比較・照合をおこなう。このようにして、医療分野における画像データの広域的評価、解析を行うことが可能である。
【0041】
<実施例6>
本発明のエンターテーメント分野への実施形態について、図14を用いて説明する。
【0042】
図14の(a)はストーレジサーバ80に保存した画像データを映像表示器83へ転送し、静止画や動画として再生するシステムである。ここで、ストーレジサーバ80からのデータは、光ファイバ81を通過後、光電気変換器82に入り、光信号から電気信号へと変換され、複数の映像表示器へ同じか又は異なる映像信号を配信する。光電気変換器から映像表示器83へ到達した電気信号データは、静止画や動画として再生される一方で、また、映像表示器側では、ストーレジサーバ側から配信されている各種の映像を選択することができる。
【0043】
ストーレジサーバ80においては、実施例3や実施例4で説明した光素子、光コネクタが接続された回路基板が用いられていてサーバ自体の小型化、伝送信号の多チャンネル化、および伝送速度の高速化がはかれている。本システムの特徴はサーバから出る信号が光ファイバ中を伝送する光信号であるため電磁ノイズの影響を受けないことにある。一方、光電気変換器から映像表示器までの区間は、電気配線を用いている限り、電磁ノイズの影響を受ける場合があるので、電気配線区間はできる限り短くとる。もしくは、すべて光ファイバにより信号配線を構成する。
【0044】
図14の(b)は、寝台列車の各寝台にて個別に動画などの画像を鑑賞するシステム構成を示す模式図である。画像データは、小型のストーレジサーバ80に保存されており、このストレージサーバから寝台車84内の個別寝台へと複数の画像データが配信される。サーバからの信号配信は、主として光ファイバ81を用いており、鉄道路線における環境からの電磁ノイズの影響を低減する構成となっている。
【0045】
以上の諸実施例で説明したように、本発明によれば半導体光素子と光導波路との高効率な結合が可能な素子の搭載が実現するので、光素子を含む回路の組み立て歩留まりが向上し、小型、軽量で、高性能な回路基板の実現が達せられる。更には、光素子と光導波路との小型、簡易接続構造を有する高速なサーバが実現する。また、該サーバを用いて、半導体微細構造の観測及び評価、医療分野における診断画像の伝送、エンターテーメント分野における映像配信が高速かつ、高いS/N比で実現できる。
【0046】
半導体光素子を回路基板表面へ搭載する工程もしくは回路基板表面に搭載された半導体光素子に光導波路を結合する工程において、
外部からの光を該光素子へ入射し、該光素子から反射した光、もしくは、該光素子を透過した光のスペクトルピーク波長ないしはスペクトルピーク強度をモニタしつつ光素子と光導波路を結合することを特徴とする半導体光回路製造方法。
【0047】
本発明の主な形態を列挙すれば、以下の通りである。
(1)半導体光素子を回路基板表面へ搭載する工程もしくは回路基板表面に搭載された半導体光素子に光導波路を結合する工程において、外部からの光を当該光素子へ入射し、当該光素子から反射した光、もしくは、当該光素子を透過した光のスペクトルピーク波長ないしはスペクトルピーク強度をモニタしつつ光素子と光導波路を結合することを特徴とする半導体光回路製造方法。
(2)半導体光素子と光導波路とを結合する半導体光回路製造装置において、外部からの光を該光素子へ入射し、該光素子から反射した光、もしくは、該光素子を透過した光をモニタするための分光器と光検知器を備えていることを特徴とする半導体光回路製造装置。
(3)前項(1)に記載の半導体光回路製造方法において、回路基板へ搭載される半導体光素子は、回路基板側面に搭載されて、光導波路と接続することを特徴とする半導体光回路製造方法。
(4)前項(3)に記載の半導体光回路製造方法を用いて製造される半導体光回路において、該回路基板側面に搭載されてなる半導体光素子は、表面発光レーザからなり、表面発光レーザと光ファイバとの結合における光ファイバの光軸の方向が回路基板表面に並行に配置されていることを特徴とする半導体光回路。
(5)前項(3)に記載の半導体光回路製造方法を用いて製造される半導体光回路において、該回路基板側面に搭載されてなる半導体光素子は、面受光型の光検知器からなり、光ファイバとの結合において光ファイバの光軸の方向が回路基板表面に並行に配置されていることを特徴とする半導体光回路。
(6)前項(4)および(5)に記載の半導体光回路において、該半導体光回路は、サーバを構成する回路基板に形成されていることを特徴とする。
(7)前項(6)に記載のサーバを構成する回路基板は、不揮発性メモリと組み合わせて同一筐体内に格納された構成とすることを特徴とする。
(8)前項(7)に記載の回路基板は、光ファイバを介して、該回路基板が格納された筐体外の画像処理系と接続する構成をとることを特徴とする。
(9)前項(7)に記載の回路基板は、光ファイバを介して該回路基板が格納された筐体外の複数の映像表示器へ映像配信するシステムを構成することを特徴とする。
【0048】
【発明の効果】
本発明は、光素子と光導波路との結合効率を高効率となした半導体光回路装置を提供することが出来る。更に、本発明の別な観点からは、小型、軽量の半導体光システムを提供することが出来る。更には、本発明の別な観点からは、高速、高S/N比の半導体光システムを提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の光素子搭載工程における入射光と蛍光の関係を示す模式図である。
【図2】図2は、図1の例における、入射光に対する反射光の相対的関係を示す図である。
【図3】図3は、本発明の実施例としての半導体レーザのチップ搭載工程を示す模式図である。
【図4】図4は、本発明の実施例としての半導体レーザのチップ搭載工程を説明する為の模式的な図である。
【図5】図5は、本発明の実施例としての半導体レーザのチップ搭載工程を説明する為の模式的な図である。
【図6】図6は、本発明の実施例としての半導体レーザのチップ搭載工程を説明する為の模式的な図である。
【図7】図7は、本発明における光素子の搭載に用いるチップの断面図である。
【図8】図8は、本発明における半導体レーザの光出力の方向を示す模式的に示す断面図である。
【図9】図9は、光素子が搭載された回路基板及び光導波路が光素子と接続されている構成例の断面図である。
【図10】図10は、光素子が搭載された回路基板及び光導波路が光素子と接続されている構成例の断面図である。
【図11】図11は、回路基板が光コネクタを介して光ファイバと接続されている構成及び半導体レーザ素子が搭載された回路基板の構成例の斜視図である。
【図12】図12は、回路基板からなるサーバ、及びサーバを用いたストーレジがネットワークに接続している構成例を示す図である。
【図13】図13は、回路基板からなるサーバ、及びサーバを用いたストーレジが微細構造観測システムと接続されている構成例を示す図である。
【図14】図14は、サーバを用いたストーレジから映像データが配信されるシステムの例を示す図である。
【符号の説明】
1、43・・・半導体レーザチップ、2、44、57、71・・・回路基板、3、42・・・光導波路、4・・・フィルム、5・・・チップ搭載用プローブ、6・・・ミラー面、7・・・入射光、8・・・透過光、9・・・光検知器、10・・・分光器(フィルター)、11・・・蛍光、12、55、74、78,79,81・・・光ファイバ、13・・・反射光、14・・・半導体PDチップ、21、45、47・・・電極、22、23、31、32・・・発光部、41、52、72・・・ICチップ、46、56・・・レーザ光、48・・・半導体レーザアレーチップ、49・・・配線、51・・・発光部、53・・・光素子チップ、54、73・・・光コネクタ、59・・・埋め込み配線、61・・・基板、62・・・エピタキシャル膜、63・・・剥離層、75・・・サーバ、76・・・サーバ搭載ラック、77・・・サーバ兼ストーレジキャビネット、80・・・ストーレジサーバ、82・・・光電気変換器、83・・・映像表示器、84・・・寝台列車、90・・・画像処理系、91・・・微細構造観察及び形成装置、92・・・設計・解析システム。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
2. Description of the Related Art In recent years, there has been remarkable progress in technology aimed at miniaturizing and lowering the price of information devices for storing and reproducing music and images, and digital data of computers. With the spread of the Internet, users who want to take in various kinds of external information into their devices at high speed or send them from their devices to external devices at high speed, in addition to desktop-type computers, as well as mobile devices Needs are growing.
[0002]
The present invention relates to an optical element essential for transmitting various information such as music, video, and various other data at high speed using light, and an element mounting apparatus in a circuit assembly process including the optical element. In particular, the present invention relates to a circuit assembling process and a semiconductor optical device circuit manufacturing apparatus capable of increasing the yield on site. The present invention also relates to a communication device and a system equipped with the optical element circuit.
[0003]
[Prior art]
The following various methods are known for mounting a laser chip on a stem or the like.
[0004]
In the first example, a semiconductor laser chip emits light while being energized, and the emitted light is measured by a camera, and the laser chip is mounted on a post of a stem (Patent Document 1). In the second example, a laser chip is die-bonded to a stem while detecting two or more corners of an electrode surface of an active layer in the chip and controlling the position of a light emitting unit (see Patent Document 2). 2). The third example relates to a method for inspecting an edge-emitting semiconductor laser device wafer, which is a method for inspecting device characteristics in a state where a current is applied to a laser device on the wafer to emit light (Patent Document 3). A fourth example relates to fiber optic connections and methods of using the same, providing an optical coupling assembly by directing an opto-electric die perpendicular to a fiber optic cable and the other die parallel to the fiber optic cable. It is described (Patent Document 4). The fifth example relates to a method for mounting a transmitting / receiving module for an optical link, in which an optical element is arranged in the optical axis direction of an optical fiber in an optical fiber mounting portion, while an IC is connected to the optical element via a flexible circuit board. (Patent Document 5).
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-07-202347 (page 5, FIG. 5)
[Patent Document 2]
JP-A-11-087373 (page 5, FIG. 3)
[Patent Document 3]
JP-A-11-340512 (
[Patent Document 4]
JP 2001-242358 A (page 17, FIG. 8)
[Patent Document 5]
Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-345987 (
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In one example of a conventional semiconductor laser die bonding method, a semiconductor laser chip is energized during die bonding, and the FFP (far field pattern) and NFP (near field pattern) of the semiconductor laser are measured by a camera. Therefore, a semiconductor laser chip is bonded to a post of a stem (for example, see Patent Document 1). This method is a method of mounting a semiconductor laser alone on a stem, but further does not consider the optical axis alignment when the semiconductor laser and the optical waveguide are coupled.
[0007]
Another die bonding method for an optical element describes the alignment between a chip and a stem when a laser chip is die-bonded to a stem (for example, see Patent Document 2). However, this method is also unsuitable for die bonding in consideration of the alignment of the optical axis between the laser and the optical waveguide as in
[0008]
As a related semiconductor element inspection method, an element inspection method of an edge-emitting light emitting diode in a wafer state is known (for example, see Patent Document 3). Also in this inspection method, no consideration has been given to an assembling step of coupling the light emitting diode and the optical waveguide.
[0009]
A first object of the present invention is to solve the above-described problems and to provide a bonding method and a bonding apparatus for an optical element that can be connected to an optical waveguide such as an optical fiber with high efficiency. .
[0010]
Further, in the connection of the optical fiber and the method of using the same, the surface emitting laser (VCSEL) table is vertically oriented so that the optical axis of the optical fiber cable is oriented horizontally, and the other tables are the same as the optical axis of the optical fiber. Orient horizontally (Patent Document 4). That is, this is a method of vertically connecting the surface emitting laser table and another table via a flexible circuit. A similar method is also found in US Pat.
[0011]
In these conventional methods, an optical element and an optical element drive circuit are connected via a flexible circuit (substrate). Therefore, the wiring length of the circuit is required accordingly. For high-speed signal transmission of about 5 gigabits per second or more, it is necessary to reduce the wiring length of the circuit as much as possible. The methods described in
[0012]
Another object of the present invention is to solve such a problem and to mount an optical element capable of high-efficiency connection with an optical waveguide such as an optical fiber and capable of high-speed transmission of an optical signal. A method and mounting device are provided.
[0013]
Furthermore, the present application provides a device such as a server and a system including the server using the circuit on which the optical element is mounted by the method of the present invention described above.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
An object of the present invention is to provide a chip structure and a chip mounting method capable of easily coupling light emitted from a semiconductor laser to an optical waveguide or an optical fiber with high efficiency. Means for achieving this object is a method using a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) as a semiconductor laser. That is, light is externally incident on an output portion (light output end face) of light from a light emitting portion of the surface emitting laser (VCSEL), and light induced from inside the semiconductor crystal of the surface emitting laser irradiated with the incident light. By adjusting the positional relationship between the semiconductor laser chip and the circuit board on which the chip is mounted while observing (fluorescence) as reflected light or transmitted light, highly efficient light coupling is achieved.
[0015]
Further, in mounting the surface emitting laser chip on the circuit board, the chip is mounted on a cross section of the side surface of the circuit board, and wiring for connection with the driver IC of the surface emitting laser is formed on the surface of the circuit board or inside the circuit board. By doing so, it is possible to manufacture a wiring having a shorter wiring length than the flexible wiring, and to realize a structure in which the coupling between the optical element and the optical waveguide is highly efficient.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
<Example 1>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a surface emitting laser (VCSEL) mounted on a circuit board, and FIG. 2 schematically illustrates a light spectrum from a light emitting unit with respect to incident light. FIG. 1 is a cross section of a surface emitting laser, and FIG. 2 is a diagram showing a relative change of reflected light with respect to incident light.
[0017]
As shown in FIG. 1, a
[0018]
FIG. 2 schematically shows the light intensity of the incident light 25 and the fluorescence 26 with respect to the wavelength. The horizontal axis is wavelength and the vertical axis is light intensity. As illustrated in FIG. 2, the fluorescence 26 emitted from the semiconductor laser has a narrower spectral line width than the externally incident light 25, and the light intensity change appears on the longer wavelength side than the rising edge of the spectrum of the incident light. . In the present invention, the position is set using this characteristic, in particular, using fluorescent light having a narrow spectral width. FIG. 3 shows a positioning adjustment mechanism when a semiconductor laser chip is mounted on a circuit board.
[0019]
FIG. 3 shows a state in which a
[0020]
The specific
[0021]
FIG. 4 shows a main part of a process in which the
[0022]
<Example 2>
Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining a process of mounting the semiconductor photodetector (PD: Photo-Diode) chip 14 while aligning the optical axis with the
[0023]
In the mounting of the semiconductor chip shown in FIGS. 5 and 6, a phenomenon is used in which light incident on the semiconductor chip (14, 1) passes through the semiconductor chip and reaches the photodetector. Here, the semiconductor chip shown in FIGS. 5 and 6 has a semiconductor thin film structure.
[0024]
FIG. 7 schematically shows the structure of a chip having a semiconductor thin film structure. FIG. 7A shows a structure in which an epitaxial film 62 on which an element pattern is formed is formed on a substrate 61 via a release layer 63. FIG. 7B shows a structure including the substrate 61 and the epitaxial film 62 after the release layer 63 has been removed from the state of FIG. 7A. In the drawings,
[0025]
With the epitaxial film structure shown in FIG. 7B, the thickness of the device can be reduced to a level of several microns (μm). With such a thin element structure, light incident on the element transmits light and reflects the crystal structure of the semiconductor in the process of transmission, that is, fluorescence is included in transmitted light. Therefore, the chip can be mounted on the circuit board such that the optical axis of the semiconductor laser or the semiconductor PD is aligned with the optical waveguide while observing the transmitted light.
[0026]
<Example 3>
Various modes of mounting the circuit board, the semiconductor laser element or the semiconductor PD, and the optical fiber will be described below.
[0027]
Another embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a schematic diagram illustrating two light emission modes of the semiconductor laser chip. FIG. 8A shows a structure in which light emission from the semiconductor laser is obtained from the same surface as the electrode, whereas FIG. 8B shows light emission from the semiconductor laser on the opposite surface different from the
[0028]
Each of the semiconductor lasers of FIG. 8A and FIG. 8B is mounted on the side surface of the circuit board by using the mounting method described in the first or second embodiment, and is connected to an optical waveguide or an optical fiber. FIGS. 9 and 10A and 10B show a state in which the optical axis alignment is completed.
[0029]
In the example of FIG. 9, an
[0030]
In the example of FIG. 10A, the optical waveguide 42 is embedded in the circuit board 44, and the end of the optical waveguide 42 is exposed on the side surface of the circuit board. The semiconductor laser chip 43 is mounted on a side surface of the circuit board 44 so that laser light can be incident on the optical waveguide. An IC chip 41 for driving a semiconductor laser is mounted on the circuit board 44. The IC chip 41 and the semiconductor laser chip 43 are connected over a short distance via a wiring 49 provided on a circuit board. Reference numeral 55 denotes an optical fiber provided to face the optical waveguide 42, and
[0031]
The example of FIG. 10B is an example in which the optical element chip 53 is mounted on the side surface of the circuit board 57. The circuit board 57 and the optical fiber 55 are mounted on the optical connector 54 so as to face each other. Since the optical fiber 55 is disposed close to the optical element chip 53, when the optical element chip 53 is a surface emitting laser (VCSEL), a laser beam 56 is incident on the optical fiber 55 and passes through the optical fiber. This is a structure used for propagation. In the case where the optical element chip 53 is a semiconductor PD, light transmitted through the optical fiber is incident on the optical element chip and used. In this example, the IC chip 52 and the optical element chip 53 are connected by the embedded wiring 59.
[0032]
In any structure, the IC chip 52 is used to drive the optical element chip 53. In the structure shown in FIG. 9 and FIG. 10, the optical coupling between the optical waveguide or the optical fiber and the optical element is highly efficient by using the mounting method of the present invention in which both the optical element and the IC are mounted on the circuit board in a bare chip state. Is realized.
[0033]
FIG. 11A is a perspective view of a structure in which a circuit board 57 on which an optical element and an IC are mounted is connected to an optical fiber 55 via an optical connector 54. Here, the optical fiber has a so-called multi-channel configuration in which ten optical fibers are connected in parallel. Note that the optical element is not directly illustrated in FIG. This structure is described in FIG. FIG. 11B is a perspective view of a portion where the semiconductor laser chip 48 connected to the optical connector 54 is mounted on the side surface of the circuit board 57. The semiconductor laser chip 48 forms an array of 1 × 10 channels, and laser light is emitted vertically from the surface of the chip. The multi-point emission of the semiconductor laser chip 48 is mounted facing the optical fiber of the optical connector 54. The IC chip 52 is mounted on a circuit board 57 with
[0034]
The coupling between the semiconductor laser 48 and the optical fiber is made highly efficient by the coupling structure shown in FIG. The connection between the optical element and the IC uses the embedded wiring 59 in the circuit board, and does not employ a flexible wiring structure. With such a wiring structure, the wiring length can be further reduced as compared with the flexible wiring.
[0035]
<Example 4>
An example in which the circuit board described in the third embodiment is applied to a server of an optical transmission network will be described.
[0036]
FIG. 13 illustrates a conceptual configuration diagram of the present embodiment. A server / storage cabinet 77 having both server and storage functions is installed in one of the branches of the optical transmission network 70. In this cabinet, a server mounting rack 76 on which a plurality of small servers 75 are mounted is stored. Here, the server 75 is a main board including a circuit board 71, on which elements necessary for the server such as an IC chip 72, other ICs, and LSIs are mounted. Optical signals transmitted through the optical fiber 74 via the optical connector 73 are used to exchange signals with the inside and outside of the server.
[0037]
The feature of this server 75 is that the present invention is applied, and the circuit board 71, the optical connector 73, and the optical fiber 74 have a space-saving configuration. Because of such a small and space-saving server, ten servers are housed in the server mounting rack 76. One server 75 has 10 optical input / output channels, and can communicate at a maximum transmission rate of 10 gigabits per second (Gbps) per channel. Therefore, since the single server 75 has a maximum of 100 Gbps, and ten servers are mounted on the server mounting rack 76, a processing capacity of a maximum of 1 terabit per second (Tbps) can be obtained.
[0038]
<Example 5>
In this embodiment, various examples in which the server described in the fourth embodiment is applied to an electron microscope, an electron beam lithography apparatus, an ion beam lithography apparatus, an optical observation apparatus, and the like will be described.
[0039]
FIG. 14 is an example of an apparatus for observing and forming a fine structure, for example. In this example, a microstructure observation and formation apparatus capable of forming a fine pattern while observing a semiconductor microstructure is schematically shown and connected to an information device outside the apparatus. The image data obtained by the microstructure observation and
[0040]
In addition to observation and evaluation of the semiconductor microstructure, a further specific example of this embodiment is application to evaluation and diagnosis of image data using X-rays, ultrasonic waves, and NMR in the medical field. In this case, the microstructure observation and
[0041]
<Example 6>
An embodiment of the present invention in the entertainment field will be described with reference to FIG.
[0042]
FIG. 14A shows a system in which image data stored in the storage server 80 is transferred to the video display 83 and reproduced as a still image or a moving image. Here, the data from the storage server 80, after passing through the optical fiber 81, enters the
[0043]
The storage server 80 uses the circuit board to which the optical elements and the optical connectors described in the third and fourth embodiments are connected, so that the server itself can be reduced in size, the number of channels of transmission signals can be increased, and the transmission speed can be reduced. Speeding up is done. The feature of this system is that it is not affected by electromagnetic noise because the signal output from the server is an optical signal transmitted through an optical fiber. On the other hand, the section from the photoelectric converter to the video display may be affected by electromagnetic noise as long as the electric wiring is used. Therefore, the section of the electric wiring should be as short as possible. Alternatively, the signal wiring is constituted entirely by optical fibers.
[0044]
FIG. 14B is a schematic diagram illustrating a system configuration for individually viewing an image such as a moving image at each sleeper of the sleeper train. The image data is stored in a small storage server 80, and a plurality of image data are distributed from this storage server to an individual bed in a sleeper 84. The signal distribution from the server mainly uses the optical fiber 81, and is configured to reduce the influence of electromagnetic noise from the environment on the railway line.
[0045]
As described in the above embodiments, according to the present invention, mounting of a device capable of highly efficient coupling between a semiconductor optical device and an optical waveguide is realized, so that the assembly yield of a circuit including an optical device is improved. A small, lightweight, high-performance circuit board can be realized. Further, a high-speed server having a compact and simple connection structure between the optical element and the optical waveguide is realized. Using the server, observation and evaluation of semiconductor microstructure, transmission of diagnostic images in the medical field, and video distribution in the entertainment field can be realized at high speed and with a high S / N ratio.
[0046]
In the step of mounting the semiconductor optical element on the circuit board surface or in the step of coupling the optical waveguide to the semiconductor optical element mounted on the circuit board surface,
Light from the outside is incident on the optical element, and the optical element and the optical waveguide are coupled while monitoring the spectral peak wavelength or the spectral peak intensity of the light reflected from the optical element or the light transmitted through the optical element. A method for manufacturing a semiconductor optical circuit, comprising:
[0047]
The main modes of the present invention are as follows.
(1) In the step of mounting the semiconductor optical device on the surface of the circuit board or in the step of coupling the optical waveguide to the semiconductor optical device mounted on the surface of the circuit board, light from the outside is incident on the optical device, and A method of manufacturing a semiconductor optical circuit, comprising: coupling an optical element and an optical waveguide while monitoring a spectral peak wavelength or a spectral peak intensity of reflected light or light transmitted through the optical element.
(2) In a semiconductor optical circuit manufacturing apparatus for coupling a semiconductor optical element and an optical waveguide, light from the outside is incident on the optical element, and light reflected from the optical element or light transmitted through the optical element is transmitted to the optical element. An apparatus for manufacturing a semiconductor optical circuit, comprising: a spectroscope for monitoring and a photodetector.
(3) The method for manufacturing a semiconductor optical circuit according to the above (1), wherein the semiconductor optical element mounted on the circuit board is mounted on a side surface of the circuit board and connected to an optical waveguide. Method.
(4) In a semiconductor optical circuit manufactured by using the semiconductor optical circuit manufacturing method according to the above (3), the semiconductor optical element mounted on the side surface of the circuit board comprises a surface emitting laser. A semiconductor optical circuit, wherein a direction of an optical axis of an optical fiber in coupling with an optical fiber is arranged in parallel to a surface of a circuit board.
(5) In a semiconductor optical circuit manufactured by using the semiconductor optical circuit manufacturing method according to the above (3), the semiconductor optical element mounted on the side surface of the circuit board comprises a surface light receiving type photodetector; A semiconductor optical circuit, wherein a direction of an optical axis of an optical fiber is arranged in parallel with a surface of a circuit board in coupling with the optical fiber.
(6) The semiconductor optical circuit according to the above (4) and (5), wherein the semiconductor optical circuit is formed on a circuit board constituting a server.
(7) The circuit board constituting the server described in (6) above is characterized in that the circuit board is stored in the same housing in combination with a nonvolatile memory.
(8) The circuit board described in (7) above has a configuration in which the circuit board is connected to an image processing system outside the housing in which the circuit board is stored through an optical fiber.
(9) The circuit board described in (7) above constitutes a system for distributing video via an optical fiber to a plurality of video displays outside the housing in which the circuit board is stored.
[0048]
【The invention's effect】
The present invention can provide a semiconductor optical circuit device having a high coupling efficiency between an optical element and an optical waveguide. Further, from another viewpoint of the present invention, a small and lightweight semiconductor optical system can be provided. Further, from another viewpoint of the present invention, a semiconductor optical system having a high speed and a high S / N ratio can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view showing a relationship between incident light and fluorescence in an optical element mounting step of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a relative relationship between reflected light and incident light in the example of FIG. 1;
FIG. 3 is a schematic view showing a semiconductor laser chip mounting step as an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a semiconductor laser chip mounting step as an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic view for explaining a semiconductor laser chip mounting step as an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic view for explaining a semiconductor laser chip mounting step as an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a sectional view of a chip used for mounting an optical element according to the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing the direction of the light output of the semiconductor laser according to the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view of a configuration example in which a circuit board on which an optical element is mounted and an optical waveguide are connected to the optical element.
FIG. 10 is a cross-sectional view of a configuration example in which a circuit board on which an optical element is mounted and an optical waveguide are connected to the optical element.
FIG. 11 is a perspective view of a configuration in which a circuit board is connected to an optical fiber via an optical connector and a configuration example of a circuit board on which a semiconductor laser element is mounted.
FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration example in which a server including a circuit board and a storage using the server are connected to a network;
FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration example in which a server including a circuit board and a storage using the server are connected to a microstructure observation system.
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a system in which video data is distributed from a storage using a server.
[Explanation of symbols]
1, 43: semiconductor laser chip, 2, 44, 57, 71: circuit board, 3, 42: optical waveguide, 4: film, 5: probe for chip mounting, 6, etc. Mirror surface, 7 incident light, 8 transmitted light, 9 photodetector, 10 spectroscope (filter), 11 fluorescence, 12, 55, 74, 78, 79, 81 ... optical fiber, 13 ... reflected light, 14 ... semiconductor PD chip, 21, 45, 47 ... electrode, 22, 23, 31, 32 ... light emitting unit, 41, 52 , 72: IC chip, 46, 56: laser light, 48: semiconductor laser array chip, 49: wiring, 51: light emitting unit, 53: optical element chip, 54, 73 ... Optical connector, 59 ... Embedded wiring, 61 ... Substrate, 62 ... Epitaxial , 63: release layer, 75: server, 76: server mounting rack, 77: server / storage cabinet, 80: storage server, 82: photoelectric converter, 83 ... video display, 84 ... sleeper train, 90 ... image processing system, 91 ... microstructure observation and formation device, 92 ... design / analysis system.
Claims (9)
前記光導波路より、前記半導体チップの発光もしくは吸収が可能な半導体部に光を入射する工程、
前記入射光の、前記半導体チップの発光もしくは吸収が可能な半導体部からの反射光、もしくは前記半導体チップの透過光の、スペクトルピーク波長ないしはスペクトルピーク強度を検知し、前記光導波路を有する基板と前記半導体チップとを位置合わせを行なう工程、
とを有することを特徴とする半導体光回路装置の製造方法。A substrate having an optical waveguide and a semiconductor chip mounted on a support member and having a semiconductor portion capable of emitting or absorbing light, a first end of the optical waveguide and a semiconductor portion capable of emitting or absorbing the semiconductor chip; A step of preparing a predetermined portion of the device so as to face each other,
From the optical waveguide, a step of emitting light to a semiconductor portion capable of emitting or absorbing the semiconductor chip,
The incident light, the reflected light from the semiconductor portion capable of emitting or absorbing the semiconductor chip, or the transmitted light of the semiconductor chip, detects the spectral peak wavelength or the spectral peak intensity, the substrate having the optical waveguide and A step of aligning with a semiconductor chip,
And a method for manufacturing a semiconductor optical circuit device.
前記光導波路より、前記半導体チップの発光もしくは吸収が可能な半導体部に光を入射する光部材、
前記入射光の、前記半導体チップの発光もしくは吸収が可能な半導体部からの反射光、もしくは前記半導体チップの透過光の、スペクトルピーク波長ないしはスペクトルピーク強度を検知する検知部材、
前記光導波路を有する基板と前記半導体チップとを、相互移動を可能とする部材とを、少なくとも有することを特徴とする半導体光回路装置の製造装置。A substrate having an optical waveguide and a semiconductor chip mounted on a support member and having a semiconductor portion capable of emitting or absorbing light, a first end of the optical waveguide and a semiconductor portion capable of emitting or absorbing the semiconductor chip; A preparatory member with the predetermined portions facing each other;
An optical member that, from the optical waveguide, emits light to a semiconductor portion capable of emitting or absorbing light from the semiconductor chip;
The incident light, reflected light from the semiconductor portion capable of emitting or absorbing the semiconductor chip, or transmitted light of the semiconductor chip, a spectral peak wavelength or a detecting member for detecting the spectral peak intensity,
An apparatus for manufacturing a semiconductor optical circuit device, comprising: at least a member that enables the substrate having the optical waveguide and the semiconductor chip to move relative to each other.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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ID=32897864
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060328 |