JP2004219089A - 回路素子の定数及び定数差検出回路及びそれを用いた位置検出装置及び導体の欠陥或いは有無の識別検査装置及びトルクセンサ - Google Patents

Abstract

【課題】コイル，コンデンサの微小定数，二つのコイル或いは二つのコンデンサの微小定数差を検出出来る回路を提案し，それを用いた位置検出装置，導体の欠陥或いは有無の識別検査装置，トルクセンサ等を実現提供する。
【解決手段】抵抗とコイル或いはコンデンサを含むＲＬＣ回路へのステップ状通電と，コイル，コンデンサ両端に現れる検出電位差或いは二つのコイル，コンデンサの定数差に対応する検出電位差の積分加算との過程を一以上の回数で繰り返し，コイル或いはコンデンサの定数或いは二つのコイル或いは二つのコンデンサ間の定数差を識別する。積分過程によるので微小定数差の増幅でもノイズ混入に強く，高感度の位置検出装置，導体の欠陥或いは有無の識別検査装置，トルクセンサ等を実現できる。
【選択図】 図３

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は，コイル或いはコンデンサ等の回路素子の定数及び定数差検出回路に拘わり，特にコイル，コンデンサの微小な定数及び二つのコイル，二つのコンデンサの微少な定数差を十分な分解能で識別検出する回路，その検出回路を用いた磁性体或いは導体の位置を検知する位置検出装置及び導体の欠陥或いは有無の識別検査装置及びトルクセンサ等に拘わる。
【０００２】
【従来の技術】
コイル或いはコンデンサの定数，二つのコイル或いは二つのコンデンサの定数差等の測定は交流抵抗を測定し，或いはパルス入力に対する過度応答を検出する方法が一般的である。前者はディジタル化に際して整流回路を必要として関連する素子の多さと精度低下の課題を有し，後者は更に瞬時現象を扱うことで困難さを有していた。特にそれらの定数或いは定数差をディジタル値として得るには高精度のＡＤ変換器を要して低コスト化は困難であった。
【０００３】
実際の応用面ではコイルの各定数の微小な変化検知を要請されることは多々存在する。例えば，渦電流式の近接センサでは可能な限り遠距離から対象の接近を検知しようとすると，インダクタンスの微小な変化検知が重要である。また，位置制御系において，対象の位置をそれぞれ二つのコイルで検知平衡させている例では平衡位置からの微小な変化を十分な分解能で知ることが重要となる。またさらに金属体の傷，欠陥の探知或いは食品及び衣料品等での金属異物検知等は何れもコイルの微小インダクタンス変化を探知しており，それらの装置に於いて，二つの検出コイルを相互に参照コイルとして差動的に用いれば二つのコイルの微小インダクタンス差を高分解能で検知することが重要となる。
【０００４】
また，コンデンサに関しても静電容量式の近接センサでは静電容量の微小な変化の検出が必須であるし，磁気軸受け等で必要とする軸変位検出では差動的に変化する二つのコンデンサの微小静電容量変化を精度良く得る必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明の目的は，コイル，コンデンサの微小定数変化，二つのコイル或いは二つのコンデンサの微小定数差変化を低コストで検出出来る回路を提案し，それを用いた位置検出装置，導体の欠陥或いは有無の識別検査装置，トルクセンサ等を実現提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明による回路素子の定数及び定数差検出回路は，請求項１に規定するように抵抗とコイル或いはコンデンサを含むＲＬＣ回路へのステップ状通電と識別対象とするコイル，コンデンサ両端に現れる検出電位差或いは二つのコイル，コンデンサの定数差に対応する検出電位差を積分する過程を一以上の回数で繰り返してコイル或いはコンデンサの定数或いは二つのコイル或いは二つのコンデンサ間の定数差を識別する。
【０００７】
コイル，コンデンサを含む回路にステップ状通電し，過度応答電圧を積分して得た検出定数電圧はコイル，コンデンサの定数或いは二つのコイル，コンデンサの定数差に比例することを利用し，ステップ状通電及び検出電位差積分を複数回繰り返すことで微小の定数或いは微小定数差であっても識別検出を容易にする。これらの過程は積分動作が主であって通常の増幅作用に比してノイズ混入が少ない利点もある。
【０００８】
ステップ状通電は原理的に立ち上がり端を有するステップ状通電，立ち下がり端を有するステップ状通電の対で構成され，それらのステップ状通電に対して検出電位差には正負の応答波形が現れる。請求項２及び３に規定する本発明はそれら正負の検出電位差の異なる処理方法を規定する。
【０００９】
請求項２に規定する本発明の回路素子の定数及び定数差検出回路は，ステップ状通電に同期して開閉するアナログゲートを用いて一方の符号の応答波形のみ，或いは一方の符号を変えて積分加算をすることにより回路素子の定数或いは定数差に比例する検出定数電圧を得る。
【００１０】
請求項３に規定する本発明の回路素子の定数及び定数差検出回路は，正負の検出電位差の一方のみ或いは双方を積分加算する積分検波回路を用いて積分加算して回路素子の定数或いは定数差に比例する検出定数電圧を得る。
【００１１】
請求項４に規定する本発明の回路素子の定数及び定数差検出回路は，請求項３に於ける積分検波回路の具体例を規定する。すなわち，電圧電流変換回路からダイオードを介して積分コンデンサを充電する構成或いは互いに逆極性の検出電位差を入力とする二つの電圧電流変換回路の出力を同じ方向のダイオードを介して積分コンデンサを充電せしめる構成とする。
【００１２】
請求項５に規定する本発明の回路素子の定数及び定数差検出回路は請求項１から４に規定する検出回路において，検出定数電圧を所定の電圧と比較して出力する事でコイル或いはコンデンサの定数或いは二つのコイル或いは二つのコンデンサ間の定数差が所定の範囲内にあるか否かを識別する。
【００１３】
請求項６に規定する本発明の回路素子の定数及び定数差検出回路は，請求項１から４に規定する検出回路において，検出定数電圧をサンプルホールド回路により保持して出力する。
【００１４】
請求項７に規定する本発明の回路素子の定数及び定数差検出回路は，請求項１から４に規定する検出回路において，検出定数電圧をディジタル値に変換して出力する。
【００１５】
請求項８に規定する本発明の回路素子の定数及び定数差検出回路は，請求項７に於いて，検出定数電圧が常にディジタル変換するに最適な範囲となるように変換結果を監視して通電及び積分加算の繰り返し回数を制御する。適応的なゲイン制御機能を規定している。
【００１６】
請求項９に規定する本発明の回路素子の定数及び定数差検出回路は，請求項７或いは８に規定する検出回路において，通電及び積分加算の繰り返しに加えて通電を所定の時間継続するモードを有してその前後の検出定数電圧の差からコイルの直流抵抗或いは二つのコイルの直流抵抗差を識別する。
【００１７】
コイルの直流抵抗は温度変動の影響の現れやすいパラメータであり，コイルの直流抵抗を識別してその寄与分を除去することにより正確なインダクタンス，インダクタンス差の識別が出来る。また直流抵抗或いは直流抵抗差の変化はコイル部分の温度情報を示すパラメータとして更に識別したインダクタンス或いはインダクタンス差の補正に使用する事が出来る。
【００１８】
請求項１０から１２までは本発明の回路素子の定数及び定数差検出回路に使用可能なＲＬＣ回路の構成例を示している。請求項１０ではコイル或いはコンデンサ単体の定数を対象とする場合で抵抗と直列接続してコイル或いはコンデンサ両端間の電位差を検出電位差とすることを示している。
【００１９】
請求項１１は二つのコイルの定数差を対象とするＲＬＣ回路を示し，請求項１１では抵抗とコイルの直列回路を二つ並列に接続し，検出電位差はそれぞれ抵抗とコイルの接続点間から得るとする。
【００２０】
請求項１２は二つのコンデンサの定数差を対象とするＲＬＣ回路を示し，請求項１２では抵抗とコンデンサの直列回路を二つ並列に接続し，検出電位差はそれぞれ抵抗とコンデンサの接続点間から得るとする。
【００２１】
請求項１３に規定する本発明による位置検出装置は，可動体の位置によりインダクタンスの変わる検出コイルを少なくとも一つ有して請求項１から１１記載の何れかの回路素子の定数及び定数差検出回路を有し，一つのコイルのインダクタンス変化或いは二つのコイルのインダクタンス差変化を検出して可動体の位置を検出することを特徴とする。
【００２２】
請求項１４に規定する本発明による位置検出装置は，可動体の位置によりインダクタンスの変わる一つの検出コイルを有して請求項９記載の回路素子の定数及び定数差検出回路を有し，コイルのインダクタンス変化及び直流抵抗を識別して検出された可動体位置を温度補正する。
【００２３】
請求項１５に規定する本発明による導体の欠陥或いは有無の識別検査装置は，ＲＬＣ回路を構成する二つのコイルを含む検出部と，磁性体或いは導体を含む被検体と検出部とを相対的に移動走査せしめる走査手段と，請求項１から１１記載の何れかの回路素子の定数及び定数差検出回路を有し，走査手段は被検体を二つのコイルの発生磁界内に置きながら検出部と相対的に移動走査させ，二つのコイルを相互に参照コイルとしてコイル間のインダクタンス差の変化を検知する事により磁性体或いは導体の欠陥或いは有無を高感度で識別検知することを特徴とする。
【００２４】
請求項１６に規定する本発明によるトルクセンサは，回転軸に印可されるトルクによりインダクタンスの変わる検出コイルを少なくとも一つ有して請求項１から１１記載の何れかの回路素子の定数及び定数差検出回路を有し，一つのコイルのインダクタンス変化或いは二つのコイルのインダクタンス差変化を検出してトルクの大きさを検出することを特徴とする。
【００２５】
請求項１７に規定する本発明によるトルクセンサは，回転軸に印可されるトルクにより差動的にインダクタンスの変わる二つの検出コイルを有して請求項９記載の回路素子の定数及び定数差検出回路を有し，ＲＬＣ回路へのステップ状通電後に所定時間継続して得た検出定数電圧の差から二つの検出コイルの直流抵抗差を知り，二つの検出コイル間の温度勾配を知って予め記憶されていたテーブルを参照して識別したトルクデータを補正する。
【００２６】
自動車のパワーステアリング或いはドライブシャフト等にトルクセンサは使用されるが，通常は一方に高温部があって二つの検出コイル間に温度差のある環境を作り易いので識別したトルクデータに誤差を生じやすい。請求項１７に規定するトルクセンサは検出コイルの直流抵抗差を検知して温度勾配を知り，トルクデータを補正して精度を向上させる。
【００２７】
【作用】
以上に説明した本発明は概略的には請求項１から１２項で規定する第一の本発明グループである回路素子の定数及び定数差検出回路，請求項１３，１４項で規定する第二の本発明グループである位置検出装置，請求項１５項で規定する第三の本発明グループである導体の欠陥或いは有無の識別検査装置，請求項１６，１７項で規定する第四の本発明グループであるトルクセンサで構成される。
【００２８】
第一の本発明グループの回路素子の定数及び定数差検出回路は，抵抗とコイル或いはコンデンサを含むＲＬＣ回路にステップ状通電し，検出対象とするコイル，コンデンサ両端に現れる検出電位差或いは二つのコイル，コンデンサの定数差に対応する検出電位差を積分回路により積分するとして，ステップ状通電及び積分加算の過程を一以上繰り返し，コイル，コンデンサの定数或いは二つのコイル，コンデンサの定数差を識別する事を基本にする。
【００２９】
従来，コイル，コンデンサの定数，定数差等は交流抵抗或いは過度現象での瞬時的な変化から計測していたが，第一の本発明のグループである回路素子の定数及び定数差検出回路はコイル，コンデンサの定数或いは定数差に比例する電圧をシンプルな回路手段で得ることでインダクタンス，静電容量等の計測を精密に行う手段を提供している。特にステップ状通電及び積分加算を所望の回数行うことで微小定数或いは微小定数差であっても識別可能な電圧レベルとすることで精度の良い識別を可能とする。
【００３０】
第二の本発明のグループの位置検出装置は，第一の本発明グループのインダクタンス検出回路を用い，少なくとも一方のコイルは可動体の位置によってインダクタンスを変えるとし，近接センサとした場合には微小なインダクタンス変化を検出できるので遠距離から可動体位置を検出できる。
【００３１】
第三の本発明グループである導体の欠陥或いは有無の識別検査装置は，二つのコイルを相互に参照コイルとしてコイル間のインダクタンス差の変化を検知する事により磁性体或いは導体の欠陥或いは有無を識別検知出来る。特に二つのコイルの微小インダクタンス差を識別可能にするので高感度の識別検査装置を実現できる。
【００３２】
第四の本発明グループであるトルクセンサは，回転軸に印可されたトルクによって変化するコイルのインダクタンスを検知してトルクを識別する。特に二つのコイルの微小インダクタンス差を識別可能にするので高感度のトルクセンサを実現でき，更に検出コイルの温度勾配をも検出可能であるのでトルク検出の精度を向上できる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下に本発明による回路素子の定数及び定数差検出回路及びそれを用いた位置検出装置及び導体の欠陥或いは有無の識別検査装置及びトルクセンサについて，その実施例及び原理作用等を図面を参照しながら説明する。
【００３４】
図１は，本発明の第一の実施例を示し，回路素子の定数及び定数差検出回路の具体例としてコイルのインダクタンス差が所定の値より大か小かの比較検出をする回路とそれを用いた近接センサの例を示す。同図に於いて，検出部は磁気コア１ｆにコイル１１が巻回されて構成され，コイル１１は左方から磁性体が近づくとそのインダクタンスが増大する。コイル１１と直列に接続される抵抗１３とよりなるＲＬＣ回路に通電手段としてスイッチング回路１５が接続され，コイル１１両端間の電位差はアナログゲート１７を介して積分回路１８に入力される。積分回路１８は電圧電流変換回路と積分コンデンサ１９とより構成され，積分回路１８の出力１ｅは電圧比較器１ｂに入力される。番号１ｃは識別制御部を構成するマイクロコンピュータを示し，番号１６はコイル１１に蓄えられる磁気エネルギーを速やかに解放させるためのアナログスイッチを示している。アナログゲート１７，アナログスイッチ１６は種々の方法で実現可能であるが，通常はＦＥＴで構成する。
【００３５】
図１の実施例の動作は図２を参照して説明する。マイクロコンピュータ１ｃは第一，第二，第三の時間区分に分けて検出回路を制御する。図２（ａ）は出力１ｄの波形を示し，番号２１，２２，２３がそれぞれ第一，第二，第三の時間区分を示す。第一の時間区分において，マイクロコンピュータ１ｃはスイッチング回路１５を介して抵抗１３とコイル１１の直列回路に通電する。その際にアナログスイッチ１６はオフ，アナログゲート１７はオンとするのでコイル１１両端間の電位差は積分回路１８により積分される。
【００３６】
スイッチング回路１５により通電しても，コイル１１のインダクタンスによりコイル１１と抵抗１３の直列回路に直ちに電流は流れないが，徐々に電流は増大して一定値に至る過度現象は良く知られた事実である。抵抗１３を流れる電流をＩとするとコイル１１の両端間の検出電位差ΔＶはコイル１１での電圧降下となるのでそのインダクタンスをＬで表すと，ΔＶはＬ＊Ｉ’で表される。ここでＩ’は電流Ｉを時間微分したことを示す。抵抗１３はＲで表すと，電流はＩ＝（Ｅ／Ｒ）（１−ｅｘｐ（−Ｒｔ／Ｌ））と表される。ｔは時間，ｅｘｐは指数関数をそれぞれ示している。
【００３７】
積分回路１８により検出電位差ΔＶは積分されて積分コンデンサ１９に充電されるので積分コンデンサ１９に現れる検出定数電圧，つまり出力１ｅは図２（ｂ）の番号２４に示すようにＬ＊Ｉ＝Ｌ＊（Ｅ／Ｒ）＊（１−ｅｘｐ（−Ｒｔ／Ｌ））に比例する値となる。これは時間と共にＬ＊（Ｅ／Ｒ）に漸近する。すなわち，コイル１１のインダクタンスＬに比例する電圧が得られる。
【００３８】
第二の時間区分２２でマイクロコンピュータ１ｃはアナログゲート１７をオフ，アナログスイッチ１６をオンとしてスイッチング回路１５によるコイル１１と抵抗１３との直列回路への通電を停止する。コイル１１の両端間には通電を停止したことにより逆起電圧が現れるが，アナログゲート１７をオフにして積分回路１８への入力を阻止し，アナログスイッチ１６をオンとしてコイル１１に蓄えられた磁気エネルギーを速やかに解放する。アナログスイッチ１６の替わりに検出電位差に影響を与えないほどの大きさの抵抗をコイル１１と並列に接続してその抵抗を介して磁気エネルギーの解放を図ることも出来るが，時間を要するのでアナログスイッチ１６を用いている。
【００３９】
第二の時間区分２２に続く第一の時間区分２１では再びマイクロコンピュータ１ｃはスイッチング回路１５を介して抵抗１３とコイル１１の直列回路を通電させ，アナログスイッチ１６はオフ，アナログゲート１７はオンとするのでコイル１１両端間の電位差は積分回路１８により積分されて図２（ｂ）の番号２５に示すように加算される。
【００４０】
図２（ａ）に示すように二回目の第一の時間区間の後には第三の時間区分２３が配置され，マイクロコンピュータ１ｃはスイッチング回路１５を介して抵抗１３とコイル１１の直列回路への通電を停止させ，アナログスイッチ１６はオン，アナログゲート１７はオフとすると共にアナログスイッチ１ａにより積分コンデンサ１９の電荷を放電させる。図２（ｂ）の番号２６は積分コンデンサ１９の放電による出力１ｅの変化の様子を示す。
【００４１】
電圧比較器１ｂは出力１ｅが所定の電圧２７に達するか否かを監視し，所定の電圧２７を越えた時点で図２（ｃ）の番号２８で示すような出力をマイクロコンピュータ１ｃに出し，それによりマイクロコンピュータ１ｃはコイル１１のインダクタンスが所定のレベルを越えたことを検知し，磁性体が一定の距離内に存在することを検知する。図２に於いては二つの第一の時間区分として通電と検出電位差の積分加算を二回繰り返す例としたが，これは使用条件により一以上何回でも実施できる。
【００４２】
図３は，本発明の第二の実施例を示し，回路素子の定数及び定数差検出回路の具体例として二つのコイルのインダクタンス差を識別検出する回路を示す。同図に於いて，二つのコイル１１，１２はそれぞれ同じ定数の抵抗１３，１４と直列接続としてスイッチング回路１５に接続され，アナログスイッチ１６がコイル１１，１２と並列に接続され，アナログゲート１７を介してコイル１１，１２間の検出電位差を積分回路１８に入力する。アナログゲート３１は積分回路１８に参照電圧を入力させるために配置してある。積分回路１８の出力１ｅは電圧比較器３２に入力し，電圧比較器３２の出力は識別制御部であるマイクロコンピュータ１ｃに入力する。
【００４３】
図３に示す第二の実施例の動作は図４を参照して説明する。マイクロコンピュータ１ｃは第一，第二，第三の時間区分に区分して検出回路を制御する。図４（ａ）は出力１ｄの波形を示し，番号２１，２２，４１がそれぞれ第一，第二，第三の時間区分を示す。第一の時間区分において，マイクロコンピュータ１ｃはスイッチング回路１５を介して抵抗１３，１４とコイル１１，１２で構成されるＲＬＣ回路にステップ状通電する。その際にアナログスイッチ１６はオフ，アナログゲート１７はオン，アナログゲート３１はオフとするのでコイル１１，１２間の検出電位差は積分回路１８により積分される。
【００４４】
スイッチング回路１５により通電しても，コイル１１，１２のインダクタンスによりＲＬＣ回路に直ちに電流は流れないが，徐々に電流は増大して一定値に至る。抵抗１３，１４を流れる電流をそれぞれＩ１，Ｉ２とするとコイル１１，１２間の検出電位差ΔＶはコイル１１，１２での電圧降下の差となるのでそれらのインダクタンスをＬ１，Ｌ２で表すと，ΔＶはＬ１＊Ｉ１’−Ｌ２＊Ｉ２’で表される。ここでＩ’は電流Ｉを時間微分したことを示す。抵抗１３，１４は同じとしてＲで表すと，それぞれの電流はＩ１＝（Ｅ／Ｒ）（１−ｅｘｐ（−Ｒｔ／Ｌ１）），Ｉ２＝（Ｅ／Ｒ）（１−ｅｘｐ（−Ｒｔ／Ｌ２））と表される。ｔは時間，ｅｘｐは指数関数をそれぞれ示し，抵抗１３，１４とコイル１１，１２にはＥの電圧が加わるとしている。
【００４５】
積分回路１８により検出電位差ΔＶは積分されて積分コンデンサ１９に充電されるので積分コンデンサ１９に現れる検出定数電圧，つまり出力１ｅは図４（ｂ）の番号４２に示すようにＬ１＊Ｉ１−Ｌ２＊Ｉ２に比例する値となる。これは時間と共に（Ｌ１−Ｌ２）＊（Ｅ／Ｒ）に漸近する。すなわち，コイル１１，１２のインダクタンス差（Ｌ１−Ｌ２）に比例する電圧が得られる。
【００４６】
第二の時間区分２２でマイクロコンピュータ１ｃはアナログゲート１７，３１をオフ，アナログスイッチ１６をオンとしてスイッチング回路１５によりＲＬＣ回路への通電を停止する。コイル１１，１２の両端間には通電を停止したことにより逆起電圧が現れるが，アナログゲート１７をオフにして積分回路１８への入力を阻止し，アナログスイッチ１６をオンとしてコイル１１，１２に蓄えられた磁気エネルギーを速やかに解放する。
【００４７】
第二の時間区分２２に続く第一の時間区分２１では再びマイクロコンピュータ１ｃはスイッチング回路１５を介してＲＬＣ回路を通電させ，アナログスイッチ１６はオフ，アナログゲート１７はオン，アナログゲート３１はオフとするのでコイル１１，１２間の検出電位差は積分回路１８により積分されて図４（ｂ）の番号４３に示すように加算される。
【００４８】
図４（ａ）に示すように二回目の第一の時間区分の後には第三の時間区分４１が配置され，マイクロコンピュータ１ｃはスイッチング回路１５を介してＲＬＣ回路への通電を停止させ，アナログスイッチ１６はオン，アナログゲート１７はオフとすると共にアナログゲート３１をオンとして積分回路１８に参照電圧を入力させ参照電圧を積分加算させる。
【００４９】
参照電圧は予め定められた正負の電圧が用意され，電圧比較器３２の出力から判明する出力１ｅの電圧を減算する極性の参照電圧をマイクロコンピュータ１ｃは選択し，アナログゲート３１を介して積分回路１８に入力させる。したがってその出力１ｅは図４（ｂ）の番号４４で示すように基準電位（図３，４の場合は接地電位とする）に漸近するが，電圧比較器３２は出力１ｅが基準電位に達した時点でその出力極性を変え，マイクロコンピュータ１ｃはその時点で第三の時間区分４１を終了させて再び第一の時間区分２１に移行させる。第三の時間区分４１は上記で説明したようにコイル１１，１２のインダクタンス差に比例する可変長の時間幅Ｔを有するが，マイクロコンピュータ１ｃはその時間幅Ｔを内蔵するカウンターで微小間隔パルス４５を計数し，第一の時間区分２１に移行した時点で計数結果をディジタル出力とする。
【００５０】
図３に示す第二の実施例では積分コンデンサ１９の電荷は第三の時間区分で検出定数電圧をディジタル変換する過程で放電させられたので特に積分コンデンサ１９を放電させる手段は必要としなかった。しかし，検出定数電圧をディジタル化する手段としてＡＤ変換器を用いた場合には積分コンデンサ１９の電荷を放電させるための手段（例えば図１の番号１ａで示す）が必要となる。
【００５１】
図５は，本発明の第三の実施例を示し，回路素子の定数及び定数差検出回路の具体例として二つのコンデンサの静電容量差を識別検出する回路を示す。同図に於いて，二つのコンデンサ５１，５２はそれぞれ同じ定数の抵抗１３，１４と直列接続してスイッチング回路１５に接続され，アナログスイッチ１６がコンデンサ５１，５２と並列に接続され，アナログゲート１７を介してコンデンサ５１，５２間の検出電位差を積分回路１８に入力する。積分回路１８の出力１ｅはＡＤ変換器５３に入力し，ＡＤ変換器５３の出力は識別制御部であるマイクロコンピュータ１ｃに入力する。アナログスイッチ１ａは積分コンデンサ１９と並列に接続され，マイクロコンピュータ１ｃの制御により積分コンデンサ１９の電荷を放電する。
【００５２】
図５に示す第三の実施例の動作は図６を参照して説明する。マイクロコンピュータ１ｃは第一，第二，第三の時間区分に分けて検出回路を制御する。図６（ａ）は出力１ｄの波形を示し，番号２１，２２，２３がそれぞれ第一，第二，第三の時間区分を示す。第一の時間区分において，マイクロコンピュータ１ｃはスイッチング回路１５を介して抵抗１３，１４とコンデンサ５１，５２で構成されるＲＬＣ回路にステップ状通電する。その際にアナログスイッチ１６はオフ，アナログゲート１７はオンとするのでコイル１１，１２間の検出電位差は積分回路１８により積分される。
【００５３】
スイッチング回路１５により通電すると，ＲＬＣ回路には直ちに電流が流れ始め，コンデンサ５１，５２に電荷が溜まると徐々に電流は減少して一定値に至る過度現象は良く知られた事実である。コンデンサ５１，５２間の検出電位差ΔＶはコンデンサ５１，５２に現れる電圧の差となるのでそれらの静電容量をＣ１，Ｃ２で表すと，ΔＶ＝（ｅｘｐ（−ｔ／ＲＣ２）−ｅｘｐ（−ｔ／ＲＣ１））で表される。ここで抵抗１３，１４は同じとしてＲで表し，ｔは時間，ｅｘｐは指数関数をそれぞれ示し，抵抗１３，１４とコイル１１，１２にはＥの電圧が加わるとしている。
【００５４】
積分回路１８により検出電位差ΔＶは積分されて積分コンデンサ１９に充電されるので積分コンデンサ１９に現れる検出定数電圧，つまり出力１ｅは図６（ｂ）の番号６１に示すようにＥＲ（Ｃ１−Ｃ２）に比例する値に漸近する。すなわち，コンデンサ５１，５２の静電容量差（Ｃ１−Ｃ２）に比例する電圧が得られる。
【００５５】
第二の時間区分２２でマイクロコンピュータ１ｃはアナログゲート１７をオフ，アナログスイッチ１６をオンとしてスイッチング回路１５によりＲＬＣ回路への通電を停止する。アナログスイッチ１６をオンとしてコンデンサ５１，５２に蓄積された電荷を放電させるが，アナログゲート１７をオフにして積分回路１８への入力を阻止したので出力１ｅには影響しない。
【００５６】
第二の時間区分２２に続く第一の時間区分２１では再びマイクロコンピュータ１ｃはスイッチング回路１５を介してＲＬＣ回路を通電させ，アナログスイッチ１６はオフ，アナログゲート１７はオンとするのでコンデンサ５１，５２間の検出電位差は積分回路１８により積分されて図６（ｂ）の番号６２に示すように加算される。
【００５７】
図６（ａ）に示すように二回目の第一の時間区分の後には第三の時間区分２３が配置され，マイクロコンピュータ１ｃはスイッチング回路１５を介してＲＬＣ回路への通電を停止させ，アナログスイッチ１６はオン，アナログゲート１７はオフとすると共にＡＤ変換器５３により出力１ｅをディジタル変換し，その後にアナログスイッチ１ａをオンとして積分コンデンサ１９の電荷を放電させる。
【００５８】
図７は本発明の第四の実施例である位置検出装置を示す。検出部７３内に斜線部で示す磁気コア７４に巻回された検出コイル７１と参照コイル７２とは同一仕様で構成し，導体或いは磁性体で構成される可動体が検出コイル７１に左方から近接して検出コイル７１のインダクタンスに変化が生じたことを検知して可動体の位置を知る。検出コイル７１には抵抗１３を直列に接続し，参照コイル７２には抵抗１４を直列に接続する。
【００５９】
インダクタンス差の検出回路は，同じ定数の抵抗１３，１４と検出コイル７１，参照コイル７２とからなるＲＬＣ回路に通電手段７ａによりステップ状に電圧を加え，検出コイル７１，参照コイル７２間に現れる検出電位差は積分検波回路７５に入力する。積分検波回路７５は二つの電圧電流変換回路とダイオード７６，７７，積分コンデンサ１９とより構成され，二つの電圧電流変換回路に入力される検出電位差は互いに逆極性となるように接続され，二つの電圧電流変換回路出力はそれぞれ同じ向きのダイオード７６，７７を介して積分コンデンサ１９を充電するよう構成される。積分検波回路７５の出力１ｅは電圧比較器３２に入力して基準電位と比較され，比較結果は識別制御部を構成するマイクロコンピュータ１ｃに入力する。電圧比較器７ｂは積分検波回路７５を構成する二つの電圧電流変換回路の出力を入力として大小比較した結果をマイクロコンピュータ１ｃに入力する。また参照電圧生成回路７９が電圧電流変換回路７８に入力して電圧電流変換回路７８の出力は積分コンデンサ１９に接続されている。
【００６０】
この図７に示す検出回路の動作は図８を参照しながら説明する。この検出回路は二種の第一の時間区分及び第三の時間区分に分けて制御され，図８（ａ）に出力１ｄの波形を示すように第一の時間区分は番号８１，番号８２，第三の時間区分８３となる。通電手段７ａがＲＬＣ回路を駆動する電圧もこの出力１ｄに対応して第一の時間区分８１では高レベルの電圧，第一の時間区分６２，第三の時間区分８３では基準電位としている。第一の時間区分８１で高レベルの電圧がＲＬＣ回路に印可されて現れる検出電位差を積分すると，図３に示した第二の実施例で説明したように検出コイル７１，参照コイル７２のインダクタンス差に比例した検出定数電圧に漸近する。二つの電圧電流変換回路出力は互いに逆極性の電流が流れようとするが，ダイオード７６或いは７７により積分コンデンサ１９を充電する側の電流のみが流れ込む。
【００６１】
引き続く第一の時間区分８２では通電手段７ａは印加電圧を基準電位に変えるので検出コイル７１，参照コイル７２には逆起電圧が現れ，抵抗１３，１４，通電手段７ａを介して蓄えられた磁気エネルギーが放出される。検出電位差として現れる波形の極性は先の第一の時間区分８１で現れた場合とは逆であり，積分すると検出コイル７１，参照コイル７２のインダクタンス差に比例した逆極性の電圧に漸近し，ダイオード７６或いは７７の何れかを介して電流は積分コンデンサ１９に充電される。それらの過程で出力１ｅに現れる電圧波形はそれぞれ８４，８５が対応している。
【００６２】
図８にはそれぞれ一回の第一の時間区分８１，第一の時間区分８２のみを示すが，必要な増幅度に従ってこの過程を任意回数繰り返す。番号８３は第三の時間区分を示し，識別制御部であるマイクロコンピュータ１ｃは参照電位生成回路７９から所定の参照電位を電圧電流変換回路７８に加え，電圧電流変換回路７８は参照電位を対応する電流に変換して積分コンデンサ１９を放電させる。それに対応する出力１ｅの波形は番号８６で示す。電圧比較器３２は出力１ｅが基準電位（図７，８では接地電位を基準電位とする）に到達する時点を検出し，マイクロコンピュータ１ｃに出力し，その時点で第三の時間区分８３は終了する。第三の時間区分８３で通電手段７ａは基準電位の電圧を印可し，積分検波回路７５に入力する検出電位差は０である。
【００６３】
第三の時間区分８３の時間幅Ｔは出力１ｅに現れた検出定数電圧に比例し，第三の時間区分８３内でマイクロコンピュータ１ｃは内蔵するカウンターで微小間隔パルス４５を計数してディジタル出力とする。
【００６４】
電圧比較器７ｂは積分検波回路７５を構成する電圧電流変換回路の出力の大小を比較し，マイクロコンピュータ１ｃに入力するが，マイクロコンピュータ１ｃは出力１ｄのレベルと電圧比較器７ｂが検出した結果から検出コイル７１，参照コイル７２の何れが大であるかを識別する。電圧比較器７ｂは直接に検出電位差を入力しても結果は同じであるが，図７の構成ほ方が比較する信号レベルが大である。
【００６５】
図７に示したインダクタンス差の検出回路の機能は図３に説明した第二の実施例の場合と同じである。図７の場合はアナログスイッチが使用されないが，電圧電流変換回路を３個使用して回路量は多い。しかしながら微小信号レベルでの切り替え操作が無いことでノイズの混入が避けられ，マイクロコンピュータ１ｃの制御する手順が簡略である利点がある。
【００６６】
図７に示した実施例は，位置検出装置の一つの種類である近接センサである。近接する物体を出来るだけ遠距離から検知することが望ましいが，従来は温度変化による検出コイル７１の定数変動，或いは回路定数変動等により制限を受けていた。図７に示す構成では検出コイル７１と参照コイル７２とを同一仕様で構成して同じ温度環境に置き，その差の有無を識別検知しているので温度変動の影響を受け難い。
【００６７】
検出コイル７１と参照コイル７２とはほぼ同じインダクタンスを有するよう構成され，検出コイル７１にアルミニウム，銅等の導体，或いは鉄，フェライト等の磁性体が近接すると，そのインダクタンスは変化する。導体が検出コイル７１に近接すると渦電流効果によりそのインダクタンスを低下させ，逆に磁性体が近接するとインダクタンスを増加させる。インダクタンス増減の方向は逆であるので識別した結果が参照コイル７２のインダクタンスより増減した方向でディジタル的な閾値を変え，可動体の近接度合いを判断識別する事で導体及び磁性体双方何れの近接検知にも使用できる。
【００６８】
またディジタル的な閾値を変える他に積分検波回路７５の変換ゲインを適応的に変える手段，或いは積分検波回路７５による積分加算の繰り返し回数を変える手段もある。即ち，検出コイル７１のインダクタンスが参照コイル７２のそれより大であるか小であるかは電圧比較器７ｂの出力レベルで判明し，検出コイル７１のインダクタンスが大と識別している間は検出電位差から出力１ｅを得るゲインを小に変える構成としても良い。
【００６９】
図９はただひとつのコイルで構成した位置検出器を第五の実施例としてその検出部及び検出回路の概要を示す。同図に於いて，検出部は，構造例を断面図で示すように磁性の支持体９２に巻回された検出コイル９１とその外側の導体円筒９３とで構成され，両者の位置が相対的に変化すると，円筒９３とコイル９１とのオーバーラップ部分の長さＤが変化し，コイル９１のインダクタンスが変化する。円筒９３を導体以外にフェライト，パーマロイ等の磁性体で構成しても良く，導体の場合には導体表面での渦電流効果により磁気抵抗が増大するので重なり合う長さにコイルのインダクタンスは反比例し，磁性体の場合には磁性体の透磁率により磁気抵抗は減少するのでオーバラップ部の長さＤにコイルのインダクタンスは比例する。
【００７０】
検出コイル９１は抵抗１３と直列に接続され，スイッチング回路１５により通電される。検出コイル９１両端の電位差は積分回路１８に入力され，その出力１ｅはＡＤ変換器５３に入力されている。この積分回路１８は電圧電流変換回路と積分コンデンサ１９とで構成されており，積分コンデンサ１９の電荷はアナログスイッチ１ａにより放電される構成としてある。番号１ｃはマイクロコンピュータで構成する識別制御部である。スイッチング回路１５及びアナログスイッチ１ａはブロックとして示したが，トランジスタ或いはＦＥＴ等で構成する。
【００７１】
図９に示す第五の実施例の動作は図１０に示す各部の波形を参照しながら説明する。マイクロコンピュータ１ｃは予め定められた第一の時間区分２１と第三の時間区分２３とを示す制御信号１ｄを出力し，第一の時間区分２１でスイッチング回路１５は抵抗１３と検出コイル９１に通電する。図１に示した第一の実施例と同様に検出コイル９１両端の電位差を積分回路１８に入力して積分した結果は検出コイル９１のインダクタンスに比例する検出定数電圧に漸近する。図１０（ａ）は出力１ｄの信号波形を示し，図１０（ｂ）は積分回路１８の出力１ｅに現れる波形を示して番号１０１は第一の時間区分２１に対応する波形を示す。
【００７２】
この第一の時間区分２１の長さは想定される検出コイル９１と抵抗１３とで決まる時定数より大として設定する。したがって，第一の時間区分２１の終端で出力１ｅはほぼ一定値となるので出力１ｄの立ち下がり端でＡＤ変換器５３は出力１ｅを読み込んでディジタル値に変換して第一のディジタル出力とし，一方アナログスイッチ１ａは第三の時間区分２３で積分コンデンサ１９の電荷を放電する。番号１０２はその放電波形を示す。
【００７３】
検出コイル９１のインダクタンス計測の通常シーケンスでは上記第一の時間区分２１及び第三の時間区分２３のシーケンスを繰り返すが，識別制御部を構成するマイクロコンピュータ１ｃの指示により適宜検出コイル９１の直流抵抗を測定するモードを挿入する。図１０（ｃ），（ｄ）を用いてこのモードの動作を説明する。
【００７４】
番号図１０（ａ）と同様に図１０（ｃ）は出力１ｄの波形を示し，第一の時間区分２１の後に第四の時間区分１０３を挿入し，第四の時間区分１０３においてはスイッチング回路１５は通電を継続し，アナログスイッチ１ａは積分コンデンサ１９の電荷を放電しない。検出コイル９１の両端の電位差はコイルの直流抵抗と抵抗１３とで分圧された電圧が残っているのみであるが，これが積分されて番号１０４に示すように第四の時間区分１０３で直線的に増大する。第四の時間区分１０３の終端でＡＤ変換器５３は出力１ｅの電圧をディジタル変換して第二のディジタル出力とし，その後の第三の時間区間２３でアナログスイッチ１ａは積分コンデンサ１９の電荷を放電する。
【００７５】
第二のディジタル出力と第一のディジタル出力の差からは検出コイル９１の直流抵抗が算出され，また第一のディジタル出力に含まれている検出コイル９１の直流抵抗寄与分を差し引くことが出来る。検出コイル９１の温度による変動の大部分は直流抵抗の変動分であり，上記のように直流抵抗寄与分を正確に除去することにより検出コイル９１のインダクタンス，すなわち可動体９３の位置を精度良く識別できるが，直流抵抗は検出コイル９１の温度情報を有するのでこの点を利用して更に温度補償を完全に実施することが出来る。以下にこの点も含めて更に実施例を説明する。
【００７６】
図１１は本発明による位置検出器で初期設定を行うための機能ブロック図を示す。同図に於いて，位置検出器は図９に示した検出コイル９１，導体円筒９３よりなる検出部と，検出回路部１１２とで構成され，製造後の初期設定を行うために初期設定制御部１１１，アクチュエータ１１３が接続されている。検出回路１１２は図９に示した回路を示す。
【００７７】
初期設定制御部１１１の指示でアクチュエータ１１３は連結棒１１４を介して円筒９３を所定の基準位置に位置決めさせ，検出回路１１２のマイクロコンピュータ１ｃはＡＤ変換器５３のディジタル変換した第一のディジタル出力を受けて基準ディジタル位置として内蔵する不揮発メモリに記憶させる。
【００７８】
図１２は図１１に示した初期設定システムにおける動作フローの概略を示して初期設定システムの説明を補足するための図である。同図に示すように製造後の初期設定プロセスでは，［１．］でＮを基準位置の指標として初期値Ｎ＝１とし，［２．］で初期設定制御部１１１の指示でアクチュエータ１１３が連結棒１１４を介して円筒９３を予め定めたＮ番目の基準位置ｐＮに移動させる。［３．］でＡＤ変換器５３で得られた第一のディジタル出力をマイクロコンピュータ１ｃは基準ディジタル位置ＱＮとして不揮発性のメモリに記憶させる。さらに［４．］で所定個数の基準位置での設定を終了したか否か確認し，未だで有ればＮを１増加させて［２．］へ，終了で有れば［５．］へ進む。
【００７９】
［５．］では異なった検出部温度に対する各ＱＮの変動量は既知として検出部の温度情報を示す出力パルス周期及び各基準位置ｐＮに対して割り当てた基準位置情報ＰＮを指標として基準ディジタル位置ＱＮの二次元テーブルを作成する。これで位置検出器製造後の初期設定は終了であり，この過程では検出部も検出回路部１１２も調整作業は不要である。
【００８０】
位置検出器の通常の計測時では，［６．］で未知の可動体位置ｐＸに対応してマイクロコンピュータ１ｃは第一のディジタル出力をディジタル位置ＱＸとし，［７．］でメモリに記憶した基準ディジタル位置ＱＮの二次元テーブル，検出部の温度情報を元に位置情報ＰＸを補間，算出する。第一の実施例で検出部温度情報は第二のディジタル出力と第一のディジタル出力の差である。
【００８１】
図１３は上記説明で用いた用語を整理するために示してある。すなわち本発明の位置検出器に於いて可動体９３の位置を示す量は物理層の値として「位置」として示し，位置検出器内で「位置」に対応して算出された第一のディジタル出力を論理層の値として「ディジタル位置」とする。この「ディジタル位置」は「位置」に対応する値であるが，位置検出器の於ける基準位置，変換ゲイン等を考慮していないので個々の位置検出器によって異なる値となる。「位置情報」は表示層の値で「位置」に対応して基準位置，変換ゲイン等を考慮して外部に出力する値である。「ディジタル位置」は図１４で説明される二次元テーブルを用いて「位置情報」に変換される。
【００８２】
物理層に於ける「基準位置」は論理層では「基準ディジタル位置」，表示層では「基準位置情報」として示している。
【００８３】
Ｐ１，Ｐ２，，ＰＮは円筒１１の各基準位置ｐ１，ｐ２，，ｐＮに対応して出力すべき基準位置情報である。すなわち，８ビットで表示するとして１６進表示でＰ１はゼロ点で「００」，ＰＮは「ＦＦ」とするように設定する。ｐ１，ｐ２，，ｐＮは物理層の値，Ｐ１，Ｐ２，，ＰＮは表示層の値となる。
【００８４】
図１４は図１２の［５．］で作成した基準ディジタル位置ＱＮの二次元テーブルについて説明を補足するための図である。図１４に於いて，Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は基準位置ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４に対して出力すべき基準位置情報であり，ＴＰ１，ＴＰ２，ＴＰ３，ＴＰ４は検出部の温度指標を示す。第五の実施例での温度指標は第二のディジタル出力と第一のディジタル出力の差である。
【００８５】
図１１及び図１２で示した初期設定プロセスでは図１４（ａ）に示すＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４を求めてメモリに記憶し，図１４（ｂ）に示すディジタル位置の温度偏差テーブルを参照して図１４（ａ）に示す二次元テーブルを完成させる。すなわち，図１４（ｂ）に示すディジタル位置の温度偏差テーブルは各基準位置情報Ｐｊでの基準ディジタル位置Ｑｊが検出部温度指標ＴＰ１，ＴＰｉ間で変化する量はｄＱｉｊであることを示すもので，同種の位置検出器から予め統計的に求めておく。
【００８６】
基準位置情報，検出部の温度情報を指標とする基準ディジタル位置の標準二次元テーブルをメモリ内に記憶することも出来るが，図１４（ｂ）に示したように基準温度ＴＰ１における基準ディジタル位置よりの偏差を示す二次元の温度偏差テーブルとして記憶することで図１４（ａ）に示す二次元テーブル作成を容易に出来る。
【００８７】
第五の実施例に於いて，図１１から図１４までを用いて説明した位置検出器の初期設定システムは他の実施例でも当然に使用する。その場合，検出部及び検出回路により検出部の温度情報を示す指標は異なる。
【００８８】
図１５は，マイクロコンピュータ１ｃによってインダクタンス差を検出して位置を検知するプログラム例をフローチャートで示した例であり，図１２に示した通常の使用時のステップ［６．］，［７．］をさらに詳しく説明する。
【００８９】
［１．］のステップにおいて，第一の時間区分処理として検出コイル９１，抵抗１３へ通電し，積分回路１８により検出コイル９１両端の検出電位差を積分する。
【００９０】
［２．］のステップでは第一の時間区分終端でＡＤ変換器５３により第一のディジタル出力ＱＸを得，［３．］のステップでＱＸを前回の値と比較検証し，その差が所定の範囲内で有れば正常として［４．］のステップに進み，その差が大で所定の範囲外で有れば［１０．］のステップで更にＱＸの妥当性について比較検証する。
【００９１】
［４．］のステップでは検出コイル９１の温度情報ＱＴを計測するかの選択をし，ＱＴの計測をする場合は［５．］のステップへ，ＱＴの計測をしない場合は［８．］のステップへ進む。
【００９２】
［５．］のステップでは検出コイル９１の温度情報を得るプロセスとして第一の時間区分に続いて第四の時間区分を挿入し，ＲＬＣ回路への通電は継続する。
［６．］のステップでは第四の時間区分終端でＡＤ変換器５３から第二のディジタル出力ＱＴを得，［７．］のステップでＱＴを前回の値と比較検証しＱＸの場合と同様に差が大で所定の範囲外で有れば［１０．］の異常処理ルーチンへ進み，所定の範囲内で有れば正常として［８．］のステップに進む。
［８．］のステップでマイクロコンピュータ１ｃは第二のディジタル出力ＱＴ，第一のディジタル出力ＱＸの差から検出コイル１１の直流抵抗を算出し，これを温度情報としてメモリ内の二次元テーブルを参照してディジタル位置ＱＸを位置情報ＰＸに変換して出力して［９．］のステップに進む。
【００９３】
［９．］のステップでは第三の時間区分としてＲＬＣ回路への通電を停止させると共にアナログスイッチ１ａにより積分コンデンサ１９の電荷を放電させ，ステップ［１．］に進む。
【００９４】
［１０．］のステップは異常処理ルーティンであり，ＱＸ或いはＱＴをそれぞれ過去の履歴と比較検証して過去の変動履歴から異常状態の頻度，連続性等を調べて偶発的な誤りか，固定的な誤りかを判断する。誤りが確率的であり，頻度も少なければ偶発性と判断して［９．］に進んで計測を繰り返す。誤りの頻度が高く，連続性が高いと判断すれば固定障害と見なして［１１．］で上位システムに警告し，計測作業を停止する。
【００９５】
図１５に示したフローチャートにおいて，［５．］のステップでは検出部温度情報の演算及び［８．］のステップでは二次元テーブルの参照が含まれている。検出部の温度変化は一般に緩やかであるので予め定めた一定時間毎，或いは一定測定回数毎に検出部温度情報の参照を行うことにする。
【００９６】
図９から図１５までを用いて示したように本発明の第五の実施例によれば，検出部，検出回路等はほぼ無調整で機能し，特別のセンサ，回路を追加することなく検出コイルの直流抵抗を検出して検出部の温度補償等を可能として精度を向上できる。
【００９７】
図１６は本発明の第六の実施例を導体の欠陥或いは有無の識別検査装置の具体的な例として磁気探傷装置の概略構成を示す。図１６（ａ）は検出部概略を，図１６（ｂ）は出力のダイパルス（ｄｉｐｕｌｓｅ）波形をそれぞれ示す。同図に於いて，磁気探傷装置は２つの検出コイル１６１，１６２と，検出回路１６０と，図示していない走査機構手段と等から構成され，２つの検出コイル１６１，１６２は検査対象となる金属の被検体１６３に近接して配置され，被検体１６３は走査機構手段により矢印１６４に沿って移動させられる。検出回路１６０は図３に示すと同じ検出回路としているので検出回路１６０の具体的な内容と動作原理の説明は省略する。
【００９８】
検出回路１６０は検出コイル１６１，１６２をパルス的に断続通電してパルス状磁束１６５を発生させる。パルス状磁束１６５は金属である被検体１６３の表面から内部に浸透しようとするが，被検体１６３表面には磁束の変化を妨げるような方向に渦電流が流れ，検出コイル１６１，１６２のインダクタンスを見かけ上減少させる。ここで被検体１６３表面に傷が存在すると前記渦電流は流れにくくなり，検出コイル１６１，１６２のインダクタンスの減少傾向は弱められ，見かけ上のインダクタンスは増大する。そして被検体１６３表面の傷が検出コイル１６１の磁界分布内に有れば検出コイル１６１のインダクタンスが通常より大となる。
【００９９】
磁気探傷装置では本来有ってはならない傷或いは欠陥等の有無を確認する装置であるから当然に傷或いは欠陥の密度は低く，仮に検出コイル１６１の真下に傷が存在しても検出コイル１６２の真下の被検体１６３面にも傷が存在する確率は非常に小さい筈である。逆もまた同様である。図１６（ａ）に示す検出回路１６０は検出コイル１６１，１６２のインダクタンス差の検出回路を基本にしているので互いに他方の検出コイル側を基準としながら被検体１６３の傷，欠陥有無を検査することになる。留意すべきは検出コイル１６１，１６２と被検体１６３との関係を出来るだけ同一条件に維持しながら相対的に移動させる走査機構手段とすることである。
【０１００】
本実施例で検出コイル１６１，１６２の配列は被検体１６３の移動方向１６４に沿っている。したがって，もし被検体１６３表面に傷があり，検出コイル１６１のインダクタンス変化として検知された場合，被検体１６３の移動時間，検出コイル１６１，１６２間の距離によって決まる時間の後には検出コイル１６２にもインダクタンスの変化として現れる筈である。図１６（ｂ）は検出回路１６０で検知されたインダクタンス差の変化の様子を示している。横軸１６６は時間を，縦軸１６７はインダクタンス差を示す。番号１６８は被検体１６３表面に傷が無く，検出コイル１６１，１６２のインダクタンスが平衡な場合の出力レベルを示している。番号１６９，１６ａはそれぞれ被検体１６３表面の傷が検出コイル１６１のインダクタンスを変化させ，次に検出コイル１６２のインダクタンスを変化させた事を示す。傷のサイズ，検出コイル１６１，１６２のサイズ，相対位置関係にも依存するが，インダクタンス差の変化は図１６（ｂ）のように２つのパルスが連続したダイパルス（ｄｉｐｕｌｓｅ）波形として現れる。
【０１０１】
本発明の磁気探傷装置に於いて，２つの検出コイル１６１，１６２と被検体１６３との配置条件は同一とすべきであるが，上に示したようにダイパルス波形が現れることを前提として磁気探傷装置を構成すれば，２つの検出コイル１６１，１６２と被検体１６３との配列条件を緩和できるし，またノイズ等妨害信号に対して検出確認の精度を向上できる。
【０１０２】
図１７は本発明の第七の実施例として回転軸に加えられたトルク量を識別するトルクセンサを示す。同図において，回転軸１７４外周に斜交して取り付けられた磁気異方性部材１７３と、この磁気異方性部材１７３を取り巻く検出コイル１７１，１７２と検出回路とによって構成され，回転軸１７４に加えられるトルクに応じて生じる微小な捩れを磁気異方性部材１７３の透磁率の変化，コイル１７１，１７２の差動的なインダクタンス変化として検出することにより，回転軸１７４に作用するトルクの大きさを検知する。
【０１０３】
検出回路は図３に示した第二の実施例と同じであり，図４を用いてその動作原理をも説明したので検出回路の構成及び動作原理の説明は省略する。本実施例のトルクセンサは自動車のパワステアリング，或いはドライブシャフト等に用いられる場合が多いが，高温のエンジン部からの熱伝達で回転軸に温度勾配を生じ，磁気異方性部材１７３の磁気特性変化，或いはコイル１７１，１７２の直流抵抗変化，更には形状寸法の変化を生じて識別したトルク量に誤差を招くことが往々にして生じる。本実施例では図３に説明した第二の実施例の検出回路に何らの追加回路を要することなく，検出コイル１７１，１７２の温度勾配を検知し，それにより識別したトルク量を補正することが出来るのでその点を中心にして以下に説明をする。
【０１０４】
図１８は図１７に示すトルクセンサ各点の波形を示す。図１８の（ａ），（ｂ），（ｃ）は図４の（ａ），（ｂ），（ｃ）と同一で，通常のプロセスでトルク量を検知識別する場合の波形を示す。図１８（ｄ），（ｅ）は検出コイル１７１，１７２の直流抵抗差を検知するために設けたプロセスに伴う図１７各点の波形である。更に図１９は識別制御部であるマイクロコンピュータ１ｃ内のプログラム要部のフローを示しており，これら図１７及び図１８，図１９を用いて図１７に示すトルクセンサの動作と原理とを説明する。
【０１０５】
［１．］のステップではトルク検出を行うか，温度勾配検出を行うかの選択を行う。識別制御部であるマイクロコンピュータ１ｃは一定時間毎或いは別途必要を検知した場合に温度勾配検出を行う。一般に温度の変化は緩やかであり，システムが定常状態で熱平衡に達した後は温度変化は特に緩やかであるのでシステム状態を検知しながら適応的に温度勾配検出のプロセスを挿入する。
【０１０６】
トルク検出のプロセスが指示されると，［２．］に進む。［２．］のステップで第一の時間区分処理として抵抗１３，１４及び検出コイル１７１，１７２とで構成されるＲＬＣ回路にスイッチング回路１５によりステップ状通電し，検出コイル１７１，１７２間の検出電位差を積分回路１８により積分加算する。図１８に於いて，番号２１は出力１ｄでの第一の時間区分を示し，番号４２は出力１ｅに現れる波形を示す。
【０１０７】
［３．］のステップでは第二の時間区分処理として，ＲＬＣ回路への通電を停止，アナログスイッチ１６をオン，アナログゲート１７，３１をオフとして検出コイル１７１，１７２に蓄えられた磁気エネルギーを解放する。図１８での番号２２は出力１ｄでの第二の時間区分波形を示す。積分回路１８の出力１ｅの検出定数電圧はそのまま保持される。
【０１０８】
［４．］のステップでは［２．］，［３．］のステップの繰り返し回数をチェックし，所定回数に満たなければ［２．］のステップから繰り返し，所定の回数の繰り返しを終了すれば，［５．］のステップに進む。
【０１０９】
［５．］ステップでは第三の時間区分処理として，ＲＬＣ回路への通電を停止，アナログスイッチ１６をオン，アナログゲート１７をオフとし，電圧比較器３２のレベルにより出力１ｅを積分減算する極性の参照電圧を選びアナログゲート３１をオンとして積分回路１８により積分減算する。出力１ｅが基準電位に至って電圧比較器３２がその出力を変える時点を検出して第三の時間区分を終了させる。さらに第三の時間区分でマイクロコンピュータ１ｃに内蔵するカウンタで微小間隔パルス４５を計数してディジタル出力を得る。図１８に於ける番号４１は出力１ｄでの第三の時間区分に相当する部分の波形を示し，番号４４は積分減算される過程の出力１ｅの波形を示している。
【０１１０】
［６．］のステップでは［５．］のステップで得たディジタル出力を前回の値と比較検証し，それらの差が所定の値以内で有れば正常として［７．］のステップに進む。ディジタル出力が異常と判断された場合は［１４．］の異常処理ルーチンに進む。
【０１１１】
［７．］のステップでは，予め作成してメモリに記憶させて於いた温度勾配情報，ディジタル出力の二つをパラメータとする二次元テーブルを参照してディジタル出力をトルク情報に変換出力し，［１．］のステップに戻り，計測を継続する。検出コイル１７１，１７２の温度勾配情報の取得は［８．］から［１３．］のステップで説明する。
【０１１２】
［１．］のステップで温度勾配検出の指示が出されると［８．］のステップに進み，先ず第一の時間区分処理を行う。その内容は［２．］のステップで示したと同じであり，図１８（ｄ）の番号２１で出力１ｄでの相当部分の波形を，図１８（ｅ）の番号４２で出力１ｅでの相当部分の波形を示す。
【０１１３】
［９．］のステップは第三の時間区分処理であり，内容は［５．］のステップと同じであり，このステップで得たディジタル出力を第一のディジタル出力とする。図１８（ｅ）において時間幅Ｔ１に相当するディジタル値である。図１８（ｄ）の番号１８１で出力１ｄでの相当部分の波形を，図１８（ｅ）の番号１８４で出力１ｅが積分減算されている波形を示している。
【０１１４】
［１０．］は第一の時間区分処理のステップで内容は［８．］のステップと同じである。［１１．］のステップは第四の時間区分処理のステップでＲＬＣ回路への通電を継続し，アナログスイッチ１６をオフ，アナログゲート１７をオン，アナログゲート３１をオフとし，検出コイル１７１，１７２の直流抵抗差に基づく検出電位差を所定の時間積分加算する。図１８での番号１８２が出力１ｄでの相当部分の波形を示し，番号１８５が出力１ｅに現れる検出コイル１７１，１７２の直流抵抗差に基いて加算されている波形を示す。番号１８５は漸増しているが，検出コイル１７１，１７２の直流抵抗差が逆の場合には減少する波形となる。
【０１１５】
［１２．］のステップは［９．］のステップと同じ第三の時間区分処理である。得られたディジタル出力は第二のディジタル出力とする。これは図１８（ｅ）において時間幅Ｔ２に相当するディジタル値である。図１８（ｄ）の番号１８３で出力１ｄでの相当部分の波形を，図１８（ｅ）の番号１８６で出力１ｅが積分減算されている波形を示している。第一のディジタル出力と第二のディジタル出力の差は検出コイル１７１，１７２の直流抵抗の差により，それらの温度勾配に対応している。予め同種装置で採取した検出コイル１７１，１７２の直流抵抗差と温度勾配との統計データと対比して温度勾配情報とする。
【０１１６】
［１３．］のステップでは［１２．］のステップで得たディジタル出力を前回の値と比較検証し，それらの差が所定の値以内で有れば正常として［１．］のステップに進む。ディジタル出力が異常と判断された場合は［１４．］の異常処理ルーチンに進む。
【０１１７】
［１４．］はディジタル出力の異常処理ルーチンであり，それらを過去の履歴と比較検証して過去の変動履歴から異常状態の頻度，連続性等を調べて偶発的な誤りか，固定的な誤りかを判断する。誤りが確率的であり，頻度も少なければ偶発性と判断して［１．］に進んで計測を繰り返す。誤りの頻度が高く，連続性が高いと判断すれば固定障害と見なして［１５．］で上位システムに警告し，計測作業を停止する。
【０１１８】
上記説明によれば，図１７に示すトルクセンサはトルクの検出に加えて検出コイル１７１，１７２の直流抵抗差を検出できるのでこれを温度勾配を示すパラメータとして識別したトルク量を補正できることを示した。何らの追加回路或いはセンサを要することが無いので低コストのトルクセンサを実現できる。もちろん，検出された検出コイル１７１，１７２の直流抵抗差の値には等しく設定したはずの抵抗１３，１４の設定誤差分，或いは配線の過程で生じた各種の抵抗分の差等が含まれる。したがって，検出コイル１７１，１７２の直流抵抗差識別に際しては等温時に於ける同上プロセスによる測定値を記憶し，常に変化分を監視する事が望ましい。
【０１１９】
図２０は図１，図３，図５で示したＲＬＣ回路及びスイッチング回路の接続回路とは異なる構成のＲＬＣ回路例を示す。図２０（ａ）に示す第八の実施例はコンデンサ５１の静電容量を測定する場合の回路を示し，抵抗１３とコンデンサ５１の直列回路をＲＬＣ回路とする。検出電位差はコンデンサ５１の両端の２０１，２０２間に現れる電位差である。
【０１２０】
図１３（ｂ）に示す第九の実施例はコイル１１，１２に並列にスイッチング回路１５，１５’を接続した例で電源電圧が小さく限定されている場合に適している。検出電位差はコイル１１と抵抗１３の接続点２０５と及びコイル１２と抵抗１４の接続点２０６との間の電位差である。抵抗２０３とコンデンサ２０４はスイッチング回路１５，１５’の差による通電開始時のインパルス的な検出電位差を吸収するために配置してある。
【０１２１】
図１３（ｃ）に示す第十の実施例はコイル１１，１２と抵抗１３，１４の並列回路にそれぞれスイッチング回路１５，１５’を接続した例でこれも電源電圧が小さく限定されている場合に適している。検出電位差はコイル１１と抵抗１３とスイッチング回路１５の接続点２０７と及びコイル１２と抵抗１４とスイッチング回路１５’の接続点２０８との間の電位差である。
【０１２２】
上記実施例の説明においてはパルス通電なる語の使用を意識的に避け，ステップ状通電なる語で統一した。両者は非常に近い意味を有するが，パルス通電は立ち上がり端と立ち下がり端とを有して，立ち上がり端を有するステップ状通電及び立ち下がり端を有するステップ状通電と定義される二つのステップ状通電の複合であるとして使い分けている。立ち上がり端を有するステップ状通電及び立ち下がり端を有するステップ状通電に対応する検出電位差は正負逆の符号を持ち，パルス通電に対応する検出電位差をそのまま積分すると出力は元のレベルに戻ってしまうが，それぞれのステップ状通電に対応する積分値をそれぞれ加算保持するとの意味を明確にしようと意図した。
【０１２３】
正負の検出電位差は一方のみを積分加算，或いは絶対値を積分加算する方法が考えられ，上記実施例の説明では具体的には積分回路の入力段に通電と同期するアナログスイッチを配置して正負の検出電位差を選択し，或いは検出電位差の電圧電流変換後に検波して積分コンデンサに加算する方法等を説明した。
【０１２４】
また，特にＲＬＣ回路へのステップ状通電の持続時間については言及しなかったが，必要な持続時間は原則として必要とする精度に依存して決めなければならない。大凡の目安を述べると，抵抗とコイル或いは抵抗とコンデンサとで決まる時定数の数倍の持続時間が必要で特にコイル，コンデンサ単体の定数を識別する場合には長くする必要がある。
【０１２５】
以上に実施例を用いて本発明の原理動作等を説明したが，実施例で説明した以外の素子，材料等の使用はもちろんであり，コイル，コンデンサの定数，二つのコイル，コンデンサ間の定数差の検出回路も実施例で説明した以外の構成でも本発明の趣旨に基づいて具現化は可能である。特に上記説明で積分回路を電圧電流変換回路と電位差積分コンデンサとで構成したが，回路構成上の便宜によるもので他の構成による積分回路としても何等支障は無い。また，インダクタンス検出を利用して位置検出装置，導体の欠陥或いは有無の識別検査装置，トルクセンサについて説明したが，それら以外の応用装置にも適用は可能である。以上に述べたように本発明の趣旨を変えない範囲で材料，回路素子，構成の変更等が可能なことは当然であって上記の説明が本発明の範囲を限定するわけではない。
【０１２６】
【発明の効果】
本発明の回路素子の定数及び定数差検出回路はシンプルな回路でコイルのインダクタンス或いはインダクタンス差，コンデンサの静電容量或いは静電容量差に比例する電圧を得ることでそれらの定数，定数差を容易に検出できる。特にパルス通電と積分加算の過程を繰り返すことにより検出電位差を増幅でき，しかもそれらは積分作用によるのでノイズの影響を受け難く，微小定数或いは微小定数差の検出に適している。それらは位置検出装置，導体の欠陥或いは有無の識別検査装置，トルクセンサへの適用が特に有効であり，高感度で信頼性有る装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一の実施例であるコイルのインダクタンス検出回路を示す。
【図２】第一の実施例各点の信号波形を示す。
【図３】第二の実施例である二つのコイルのインダクタンス差検出回路を示す。
【図４】第二の実施例各点の信号波形を示す。
【図５】第三の実施例である二つのコンデンサの静電容量差検出回路を示す。
【図６】第三の実施例各点の信号波形を示す。
【図７】第四の実施例である二つのコイルを有する位置検出装置を示す。
【図８】第四の実施例各点の信号波形を示す。
【図９】第五の実施例である一つのコイルよりなる位置検出装置を示す。
【図１０】第五の実施例各点の信号波形を示す。
【図１１】初期設定システムの構成を示す。
【図１２】図１１の初期設定システム説明の概略フローを示す。
【図１３】用語の説明
【図１４】位置及び温度の二次元テーブル例を示す。
【図１５】第五の実施例のプログラムフローを示す。
【図１６】第六の実施例として金属探傷装置を示す
【図１７】第七の実施例としてトルクセンサを示す
【図１８】第七の実施例各点の信号波形を示す
【図１９】第七の実施例でマイクロコンピュータ内のプログラムフロー例を示す。
【図２０】第八，第九，第十の実施例としてＲＬＣ回路例を示す。
【符号の説明】
１１，１２・・コイル， １３，１４・・抵抗，
１５・・・スイッチング回路， １６・・・アナログスイッチ，
１７・・・アナログゲート， １８・・・積分回路，
１９・・・積分コンデンサ， １ａ・・・アナログスイッチ，
１ｂ・・・電圧比較器， １ｃ・・・マイクロコンピュータ，
１ｄ・・・マイクロコンピュータ出力， １ｅ・・・積分回路出力，
２１・・・第一時間区分， ２２・・・第二時間区分，
２３・・・第三時間区分， ２４，２５，２６・・出力１ｅの波形，
２７・・・所定の電圧， ２８・・・電圧比較器出力，
３１・・・アナログゲート， ３２・・・電圧比較器，
４１・・・第三の時間区分， ４２，４３，４４・・出力１ｅの波形，
４５・・・微小間隔パルス，
５１，５２・・コンデンサ， ５３・・・ＡＤ変換器，
６１，６２，６３・・出力１ｅの波形，
７１・・・検出コイル， ７２・・・参照コイル，
７３・・・検出部， ７４・・・磁気コア，
７５・・・積分検波回路， ７６，７７・・ダイオード，
７８・・・電圧電流変換回路， ７９・・・参照電位生成回路，
７ａ・・・通電手段，
９１・・・検出コイル， ９２・・・磁性体，
９３・・・導体円筒，
１０１，１０２，１０４，１０５・・出力１ｅの波形，
１０３・・・第四の時間区分，
１１１・・・初期設定制御部， １１２・・・検出回路部，
１１３・・・アクチュエータ， １１４・・・連結棒，
１６０・・・検出回路， １６１，１６２・・検出コイル，
１６３・・・被検体， １６４・・・移動方向，
１６５・・・磁束， １６６・・・時間，
１６７・・・インダクタンス差，
１６８，１６９，１６ａ・・インダクタンス差波形，
１７１，１７２・・検出コイル， １７３・・・磁気異方性部材，
１７４・・・回転軸，
１８１，１８３・・第三時間区分， １８２・・・第四時間区分，
１８４，１８５，１８６・・出力１ｅの波形，
２０１，２０２・・接続点， ２０３・・・抵抗，
２０４・・・コンデンサ， ２０５，２０６・・接続点，
２０７，２０８・・・接続点，

Claims (17)

1. 抵抗と識別対象の一つ或いは二つのコイル或いは一つ或いは二つのコンデンサを含みステップ状通電に対応して識別対象のコイル或いはコンデンサの定数或いは二つのコイル或いは二つのコンデンサ間の定数差に対応する検出電位差を出力するＲＬＣ回路と，通電手段と，検出電位差を入力とする積分回路と，識別制御部とより構成し，識別制御部は通電手段を介してＲＬＣ回路にステップ状通電させると共にステップ状通電に応じて現れる前記検出電位差を積分回路により積分加算させる過程を一以上繰り返し，前記コイル或いはコンデンサの定数或いは二つのコイル或いは二つのコンデンサ間の定数差に比例する検出定数電圧を出力として得，この検出定数電圧からコイル或いはコンデンサの定数或いは二つのコイル或いは二つのコンデンサ間の定数差を識別する事を特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
2. 請求項１記載の回路素子の定数及び定数差検出回路に於いて，更にアナログゲートを有して検出電位差はアナログゲートを介して積分回路に入力するとし，識別制御部はＲＬＣ回路へのステップ状通電に同期してアナログゲートのオン及びオフを制御し，ＲＬＣ回路への通電は立ち上がり端を有するステップ状通電及び立ち下がり端を有するステップ状通電の対で構成されるとし，二つのステップ状通電に対応して現れる検出電位差を一方の検出電位差のみを積分加算する或いは一方の検出電位差を積分加算及び他方の検出電位差は符号を変えて積分加算するよう制御する事を特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
3. 請求項１記載の回路素子の定数及び定数差検出回路に於いて，ＲＬＣ回路への通電は立ち上がり端を有するステップ状通電及び立ち下がり端を有するステップ状通電の対で構成されるとし，積分回路はＲＬＣ回路へのステップ状通電の立ち上がり時或いは立ち下がり時の二つの時点で現れる検出電位差の一方のみ或いは双方を積分加算する積分検波回路である事を特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
4. 請求項３記載の回路素子の定数及び定数差検出回路に於いて，積分検波回路は電圧電流変換回路からダイオードを介して積分コンデンサを充電する構成或いは互いに逆極性の検出電位差を入力とする二つの電圧電流変換回路から電流方向を同じくするダイオードをそれぞれ介して共通の積分コンデンサを充電する構成とする事を特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
5. 請求項１から４記載の何れかの回路素子の定数及び定数差検出回路に於いて，更に電圧比較器を有して構成され，識別制御部はＲＬＣ回路へのステップ状通電及び検出電位差の積分加算を所定回数行った後に検出定数電圧を基準電位にリセットする過程を繰り返すとし，前記過程で検出定数電圧が所定の値に到達することを電圧比較器が検知出力することでコイル或いはコンデンサの定数或いは二つのコイル或いは二つのコンデンサ間の定数差を識別する事を特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
6. 請求項１から４記載の何れかの回路素子の定数及び定数差検出回路に於いて，更にサンプルホールド回路を有して構成され，識別制御部はＲＬＣ回路へのステップ状通電及び検出電位差の積分加算を所定回数行った後に検出定数電圧を基準電位にリセットする過程を繰り返すとし，前記過程で積分加算された検出定数電圧をサンプルホールド回路は保持して出力することでコイル或いはコンデンサの定数或いは二つのコイル或いは二つのコンデンサ間の定数差を識別する事を特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
7. 請求項１から４記載の何れかの回路素子の定数及び定数差検出回路に於いて，更に検出定数電圧のディジタル変換手段を有して構成され，識別制御部はＲＬＣ回路へのステップ状通電及び検出電位差の積分加算を所定回数行った後に検出定数電圧をディジタル変換すると共に基準電位にリセットする過程を繰り返すとし，ディジタル変換された検出定数電圧を出力することでコイル或いはコンデンサの定数或いは二つのコイル或いは二つのコンデンサ間の定数差を識別する事を特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
8. 請求項７記載の回路素子の定数及び定数差検出回路に於いて，識別制御部は前記検出定数電圧が前記ディジタル変換手段に最適となる範囲に留まるよう検出定数電圧のディジタル変換された値を確認してＲＬＣ回路へのステップ状通電及び検出電位差の積分加算の過程の繰り返し回数を制御することを特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
9. コイルの定数或いは二つのコイル間の定数差を対象とする請求項７或いは８記載の回路素子の定数及び定数差検出回路に於いて，直流抵抗識別の動作モードを有して識別制御部はＲＬＣ回路へのステップ状通電及び検出電位差の積分を第一の所定時間行った後に検出定数電圧をディジタル変換して第一のディジタル出力を得，第一の所定時間ＲＬＣ回路へのステップ状通電後に更に通電を継続すると共に検出電位差を積分加算して第二の所定時間経過後に検出定数電圧をディジタル変換して第二のディジタル出力とし，第一及び第二のディジタル出力の差からコイルの直流抵抗或いは二つのコイルの直流抵抗差を算出することを特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
10. 請求項１から９記載の回路素子の定数及び定数差検出回路に於いて，コイル或いはコンデンサを識別対象とするＲＬＣ回路は抵抗とコイル或いはコンデンサを直列に接続し，コイル或いはコンデンサ両端間の電位差を検出電位差とすることを特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
11. 請求項１から９記載の回路素子の定数及び定数差検出回路に於いて，二つのコイルを比較対象とするＲＬＣ回路は抵抗とコイルとの直列回路を二つ並列に接続して構成し，それぞれの抵抗とコイルとの接続点間の電位差を検出電位差とした事を特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
12. 請求項１から８記載の回路素子の定数及び定数差検出回路に於いて，二つのコンデンサを比較対象とするＲＬＣ回路は抵抗とコンデンサとの直列回路を二つ並列に接続して構成し，それぞれの抵抗とコンデンサとの接続点間の電位差を検出電位差とした事を特徴とする回路素子の定数及び定数差検出回路
13. 可動体の位置によりインダクタンスの変わる検出コイルを少なくとも一つ有して請求項１から１１記載の何れかの回路素子の定数及び定数差検出回路を有し，一つのコイルのインダクタンス変化或いは二つのコイルのインダクタンス差変化を検出して可動体の位置を検出することを特徴とする位置検出装置
14. 可動体の位置によりインダクタンスの変わる一つの検出コイルを有して請求項９記載の回路素子の定数及び定数差検出回路を有し，検出コイルのインダクタンス変化を検出して可動体の位置を識別すると共に検出コイルの直流抵抗変化から検出コイルの温度情報を得て予め記憶されていた検出コイルの温度情報と検出位置の関係を示すテーブルを参照して識別された可動体の位置を補正することを特徴とする位置検出装置
15. 二つのコイルを含む検出部と，磁性体或いは導体を含む被検体と検出部とを相対的に移動走査せしめる走査手段と，請求項１から１１記載の何れかの回路素子の定数及び定数差検出回路を有し，走査手段は被検体を二つのコイルの発生磁界内に置きながら検出部と相対的に移動走査させ，二つのコイルを相互に参照コイルとしてコイル間のインダクタンス差の変化を検知する事により磁性体或いは導体の欠陥或いは有無を高感度で識別検知することを特徴とする導体の欠陥或いは有無の識別検査装置
16. 回転軸に印可されるトルクによりインダクタンスの変わる検出コイルを少なくとも一つ有して請求項１から１１記載の何れかの回路素子の定数及び定数差検出回路を有し，一つのコイルのインダクタンス変化或いは二つのコイルのインダクタンス差変化を検出してトルクの大きさを識別することを特徴とするトルクセンサ
17. 回転軸に印可されるトルクにより差動的にインダクタンスの変わる二つの検出コイルを有して請求項９記載の回路素子の定数及び定数差検出回路を有し，二つの検出コイルのインダクタンス差変化を検出してトルクの大きさを識別すると共に二つの検出コイルの直流抵抗差変化から二つの検出コイル間の温度差情報を得て予め記憶されていたテーブルを参照して識別されたトルクの大きさを補正することを特徴とするトルクセンサ

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