JP2004215050A - マイクロストリップ線路−導波管変換器 - Google Patents
マイクロストリップ線路−導波管変換器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004215050A JP2004215050A JP2003000829A JP2003000829A JP2004215050A JP 2004215050 A JP2004215050 A JP 2004215050A JP 2003000829 A JP2003000829 A JP 2003000829A JP 2003000829 A JP2003000829 A JP 2003000829A JP 2004215050 A JP2004215050 A JP 2004215050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- pseudo
- line
- microstrip line
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
【解決手段】誘電体多層基板1の最上層に形成されたマイクロストリップ線路5と、誘電体多層基板1中に形成された擬似同軸トリプレート線路6と、誘電体多層基板1中に形成された擬似導波管7とを備え、擬似同軸トリプレート線路6の中心導体3bの一端がマイクロストリップ線路5の中心導体3aに接続され、他端が擬似導波管7の地導体2bに接続され、誘電体多層基板1の側面に導波管開口8を設けた構成とした。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、マイクロ波帯およびミリ波帯で用いるマイクロストリップ線路−導波管変換器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のマイクロストリップ線路−導波管変換器は、マイクロストリップ線路を形成した誘電体基板を導波管と短絡導波管ブロックとで挟み込むように固定して構成される。短絡導波管ブロックの短絡面とマイクロストリップ線路のストリップ導体パターンとの距離を導波管管内波長の約1/4に設定すると、導波管内の磁界がストリップ導体パターンを挿入した位置において最大となるため、マイクロストリップ線路の伝搬モードと導波管の伝搬モードがよく結合する。したがって、導波管を伝搬してきた高周波信号は、大きな反射を生じることなくマイクロストリップ線路に伝搬することができる。(例えば、特許文献1参照)
【0003】
また、他の従来のマイクロストリップ線路−導波管変換器は、誘電体多層基板に形成されたマイクロストリップ線路のストリップ導体パターンの先端にアンテナプローブを設け、その直下に最上層の地導体と最下層の地導体を接続するビアおよび最上層の地導体と内層の地導体を接続するビアにより形成される第1の擬似導波管を設け、さらにその直下に最上層の地導体と最下層の地導体を接続するビアおよび内層の地導体と最下層の地導体を接続するビアにより形成される第2の擬似導波管を設け、誘電体多層基板の下に設けられた導波管に接続される。誘電体多層基板上には、これらの領域をシールドするように導体キャップが取り付けられる。マイクロストリップ線路に伝送された高周波信号は、アンテナプローブで励振され、周囲に放射される。放射された高周波信号はアンテナプローブ直下の第1および第2の擬似導波管を伝送路として導波管へ伝送することができる。なお、アンテナプローブの上部の空間に放射された成分は、導体キャップによりシールドされているため、外部へ漏洩することはない。(例えば、特許文献2参照)
【0004】
【特許文献1】
特開2000−244212号公報(第12頁、第13図、第14図)
【特許文献2】
特開平11−41010号公報(第5頁、第1図)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来のマイクロストリップ線路−導波管変換器は、ストリップ導体パターンから短絡導波管ブロックの短絡面までの長さが導波管管内波長の約1/4程度必要であり、導波管ブロックが誘電体基板から突き出す形となり、マイクロ波帯においては変換器の小形化が難しいという構造上の問題があった。
【0006】
また、導波管、短絡導波管ブロックおよびストリップ導体パターンとの間で位置ずれが生じると変換器の特性が劣化するため、各部品の組み立てを高い位置精度で行う必要があるが、マイクロ波帯およびミリ波帯においては各部品の大きさが非常に小さくなるので高い精度で組み立てることは難しく、量産が困難であるという製造上の問題があった。
【0007】
さらに、高周波素子を実装するパッケージの入出力部に従来のマイクロストリップ線路−導波管変換器を設ける場合、導波管とマイクロストリップ線路の接続部に空間があるため、パッケージ内部を気密封止できないという信頼性上の問題があった。
【0008】
一方、他の従来のマイクロストリップ線路−導波管変換器では、マイクロストリップ線路および導波管の開口面に対向する領域をシールドするための導体キャップを設ける必要があるため、回路が十分に小型化できない問題があった。
【0009】
この発明は、係る課題を解決するために成されたものであり、低コストかつ小形の変換器でマイクロストリップ線路と導波管との接続を簡単に行うことができるようにしたことを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器は、誘電体多層基板の最上層に形成されたマイクロストリップ線路と、誘電体多層基板中に形成された擬似同軸トリプレート線路と、誘電体多層基板中に形成された擬似導波管とを備え、擬似同軸トリプレート線路の中心導体の一端がマイクロストリップ線路の中心導体に接続され、他端が擬似導波管の地導体に接続され、誘電体多層基板の側面に導波管開口を設けた構成とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1の断面構造図である。また、図2は、この発明の実施の形態1の上面透視図である。
この実施の形態1は、図中の左から順に、誘電体多層基板1に設けられた地導体2aと中心導体3aにより構成されるマイクロストリップ線路5、地導体2aおよび2bと層間ビア4bと中心導体3bにより構成される擬似同軸トリプレート線路6、地導体2aおよび2bと層間ビア4bにより構成される擬似導波管7が接続されている。擬似導波管7側の誘電体多層基板1の端面には導波管開口8が設けられる。マイクロストリップ線路5から擬似同軸トリプレート線路6への変換点Aにおいて、中心導体3aと3bは層間ビア4aで接続される。擬似同軸トリプレート線路6から擬似導波管7への変換点Bにおいて、中心導体3bと地導体2bは層間ビア4cにて接続される。また、擬似同軸トリプレート線路6および擬似導波管7の領域では地導体2aと2bは層間ビア4bにて接続される。中心導体3bをはさんだ層間ビア4b同士の間隔と地導体2aと2bの間隔は同程度の寸法である。層間ビア4a〜4cは、層ごとのずれによる断線が起きる可能性があるため、確実に接続できるよう各層の層間ビア4(4a〜4c)の周囲にパターンを設ける。変換点A−Bの間隔は中心周波数における概略1/4波長に相当する。
【0012】
次に動作について説明する。図3は、この発明の実施の形態1の電界分布図である。なお、説明に不要な構成要素の記載は省略している。まず、マイクロストリップ線路5を伝送してきた信号は、中心導体3aから地導体2aに向かう電気力線9を有する電界を構成する。これが変換点Aで擬似同軸トリプレート線路6に変換される際に、中心導体3bと地導体2aの間に入り込んで伝送される。その後、変換点Bで擬似導波管7に変換される際には、中心導体3bが層間ビア4cにより地導体2bに接続されるため、電界は地導体2bと地導体2aの間に広がる。そして、そのまま擬似導波管7を伝送して導波管開口8に到達する。ここで、変換点A−B間はバランを構成している。
すなわち、擬似同軸トリプレート線路6の領域において、中心導体3bから地導体2bに向かう電界が存在するが、変換点Bから左側を見たとき、地導体2bは先端が地導体2aに接続された1/4波長の長さの導体であるため開放と見なすことができ、擬似導波管7への変換には影響を与えない。その上、インピーダンス変換器として働くため、一般的に特性インピーダンス50Ωのマイクロストリップ線路5から擬似導波管7へのインピーダンス変換がスムーズに行われる。
【0013】
よって、この実施の形態によれば、マイクロストリップ線路から導波管までの部分を比較的製造が容易な誘電体多層基板を用いて一体形成で製造できるため、低コストで量産性の良いマイクロストリップ線路−導波管変換器を実現できる。また、シールド用の導体キャップ等は不要なため、薄型構造のマイクロストリップ線路−導波管変換器を実現できる。
【0014】
実施の形態2.
図4は、この発明の実施の形態2の断面構造図である。
この実施の形態2は、図中の左から順に、誘電体多層基板1に設けられた地導体2aと中心導体3aにより構成されるマイクロストリップ線路5、地導体2aおよび2bと層間ビア4bと中心導体3bにより構成される擬似同軸トリプレート線路6、地導体2aおよび2bと層間ビア4bにより構成される擬似導波管7、金属体10中に設けられた導波管11が接続されている。誘電体多層基板1は金属体10中に固定されおり、地導体2aおよび2bがそれぞれ金属体10に接している。マイクロストリップ線路5から擬似同軸トリプレート線路6への変換点Aにおいて、中心導体3aと3bは層間ビア4aで接続される。擬似同軸トリプレート線路6から擬似導波管7への変換点Bにおいて、中心導体3bと地導体2bは層間ビア4cにて接続される。また、擬似同軸トリプレート線路6および擬似導波管7の領域では、地導体2aと2bは層間ビア4bにて接続される。層間ビア4a〜4cは、層ごとのずれによる断線が起きる可能性があるため、確実に接続できるよう各層の層間ビア4(4a〜4c)の周囲にパターンを設ける。変換点A−BおよびB−Cの間隔は、それぞれ中心周波数における概略1/4波長に相当する。
【0015】
次に動作について説明する。図5はこの発明の実施の形態2の電界分布図である。なお、説明に不要な構成要素の記載は省略している。実施の形態1に対して導波管11を形成する金属体10を設けた構成なので、基本的な動作は同様である。マイクロストリップ線路5を伝送してきた信号は、中心導体3aから地導体2aに向かう電気力線9を有する電界を構成する。これが変換点Aで擬似同軸トリプレート線路6に変換される際に、中心導体3bと地導体2aの間に入り込んで伝送される。その後、変換点Bで擬似導波管7に変換される際には、中心導体3bが層間ビア4cにより地導体2bに接続されるため、電界は地導体2bと地導体2aの間に広がる。さらに、変換点Cで導波管11に変換される際には、金属体10内全体に電界は広がり、信号は伝送される。ここで、変換点A−B間はバランを構成している。すなわち、擬似同軸トリプレート線路6の領域において、中心導体3bから地導体2bに向かう電界が存在するが、変換点Bから図中左側を見たとき、地導体2bは先端が地導体2aに接続された1/4波長の長さの導体であるため開放と見なすことができ、擬似導波管7への変換には影響を与えない。その上、インピーダンス変換器として働くため、一般的に特性インピーダンス50Ωのマイクロストリップ線路5から擬似導波管7へのインピーダンス変換がスムーズに行われる。さらに、擬似導波管7の領域である変換点B−Cの間隔が1/4波長の長さに相当するため、擬似導波管7の特性インピーダンスを擬似同軸トリプレート線路6および導波管11の特性インピーダンスの間の適正な値にすることにより、インピーダンス変成器として作用する。したがって、マイクロストリップ線路5から導波管11までのインピーダンス変換がスムーズに行われる。
【0016】
よって、この実施の形態によれば、マイクロストリップ線路から擬似導波管までの部分を比較的製造が容易な誘電体多層基板を用いて一体形成で製造し、導波管を形成する金属体に容易に実装できるため、低コストで量産性の良いマイクロストリップ線路−導波管変換器を実現できる。また、シールド用の導体キャップ等は不要なため、薄型構造のマイクロストリップ線路−導波管変換器を実現できる。さらに、導波管を金属体中に作り込んでいるため、他の導波管との接続が容易に行える。
【0017】
実施の形態3.
図6は、この発明の実施の形態3の断面構造図である。基本的に実施の形態1を垂直方向に変換するように構成したものである。
この実施の形態3は、誘電体多層基板1に上から順に、地導体2aと中心導体3aにより構成されるマイクロストリップ線路5、層間ビア4aおよび4bにより構成される擬似同軸トリプレート線路6、層間ビア4bにより構成される擬似導波管7が設けられている。マイクロストリップ線路5から擬似同軸トリプレート線路6への変換点Aにおいて、中心導体3aが層間ビア4aに接続され、地導体2aが層間ビア4bに接続される。擬似同軸トリプレート線路6から擬似導波管7への変換点Bにおいて、層間ビア4aは地導体2bに接続される。導波管開口8の周囲において、層間ビア4bは地導体2cに接続される。擬似同軸トリプレート線路6の領域において層間ビア4bにより形成される矩形は、各辺の長さが同程度の形状である。層間ビア4a〜4cは、層ごとのずれによる断線が起きる可能性があるため、確実に接続できるよう各層の層間ビア4(4a〜4c)の周囲にパターンを設ける。変換点A−Bの間隔は、中心周波数における概略1/4波長に相当する。
【0018】
次に動作について説明する。実施の形態1を垂直方向に変換するよう構成したものであり、擬似同軸トリプレート線路6における中心導体を層間ビア4aにて構成している点、および擬似同軸トリプレート線路6および擬似導波管7の地導体を全て層間ビア4bにて形成している点が異なる。まず、マイクロストリップ線路5の領域にて中心導体3aと地導体2aの間に存在する電界が、変換点Aにおいて垂直方向に変換されて層間ビア4aと4bの間に伝送される。そのまま擬似同軸トリプレート線路6を伝送して、変換点Bにおいて層間ビア4b間に広がる。そして、擬似導波管7を伝送して導波管開口8に到達する。ここで、実施の形態1と同様に、変換点A−B間がバランを構成している。
すなわち、擬似同軸トリプレート線路6の領域において、層間ビア4aから層間ビア4bに向かう電界が存在するが、変換点Bから上側を見たとき、中心導体として作用する層間ビア4aが地導体2bに接続される側は先端が地導体2aに接続された1/4波長の長さの導体であるため開放と見なすことができ、擬似導波管7への変換には影響を与えない。その上、インピーダンス変換器として働くため、一般的に特性インピーダンス50Ωのマイクロストリップ線路5から擬似導波管7へのインピーダンス変換がスムーズに行われる。
【0019】
よって、この実施の形態によれば、垂直方向の変換においても、マイクロストリップ線路から導波管までの部分を比較的製造が容易な誘電体多層基板を用いることができるうえ、シールド用の導体キャップ等が不要なため、低コストで薄型のマイクロストリップ線路−導波管変換器を実現できる。
【0020】
実施の形態4.
図7は、この発明の実施の形態4の断面構造図である。
この実施の形態4は、導波管11を形成する金属体10の上に誘電体多層基板1が設けられ、その中に上から順に、地導体2aと中心導体3aにより構成されるマイクロストリップ線路5、層間ビア4aおよび4bにより構成される擬似同軸トリプレート線路6、層間ビア4bにより構成される擬似導波管7が設けられている。マイクロストリップ線路5から擬似同軸トリプレート線路6への変換点Aにおいて、中心導体3aが層間ビア4aに接続され、地導体2aが層間ビア4bに接続される。擬似同軸トリプレート線路6から擬似導波管7への変換点Bにおいて、層間ビア4aは地導体2bに接続される。擬似導波管7から導波管11への変換点Cにおいて、層間ビア4bは地導体2cに接続され、地導体2cは金属体10に接する。変換点A−BおよびB−Cの間隔はそれぞれ中心周波数における概略1/4波長に相当する。
【0021】
次に動作について説明する。実施の形態3の誘電体多層基板1の下に導波管11を形成した金属体10を設けて、導波管開口8から放射される電界を導波管11で伝送するよう構成したものであり、異なる点は擬似導波管7の長さが1/4波長に相当する点のみである。したがって、マイクロストリップ線路5から擬似導波管7に至るまでの動作については、実施の形態3と同様である。擬似導波管7に伝送された信号は、層間ビア4bの間に広がる電界を有して導波管開口8に到達する。さらに、電界は導波管開口8から放射され、金属体10に設けられた導波管11内に広がり伝送される。
【0022】
よって、この実施の形態3によれば、マイクロストリップ線路から導波管までの部分を比較的製造が容易な誘電体多層基板を用いることができ、シールド用の導体キャップ等が不要なため、低コストで薄型のマイクロストリップ線路−導波管変換器を実現できる。さらに、導波管を金属体中に作り込んでいるため、他の導波管との接続が容易に行える。
【0023】
【発明の効果】
この発明に係るマイクロストリップ線路−導波管変換器によれば、マイクロストリップ線路と導波管との接続を簡単に行うことができると共に、マイクロストリップ線路から導波管までの部分を比較的製造が容易な誘電体多層基板を用いることができ、シールド用の導体キャップ等が不要なため、低コストで薄型のマイクロストリップ線路−導波管変換器を実現できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1におけるマイクロストリップ線路−導波管変換器の断面構造図である。
【図2】この発明の実施の形態1におけるマイクロストリップ線路−導波管変換器の上面透視図である。
【図3】この発明の実施の形態1におけるマイクロストリップ線路−導波管変換器の電界分布図である。
【図4】この発明の実施の形態2におけるマイクロストリップ線路−導波管変換器の断面構造図である。
【図5】この発明の実施の形態2におけるマイクロストリップ線路−導波管変換器の電界分布図である。
【図6】この発明の実施の形態3におけるマイクロストリップ線路−導波管変換器の断面構造図である。
【図7】この発明の実施の形態4におけるマイクロストリップ線路−導波管変換器の断面構造図である。
【符号の説明】
1 誘電体多層基板、2 地導体、3 中心導体、4 層間ビア、5 マイクロストリップ線路、6 擬似同軸トリプレート線路、7 擬似導波管、8 導波管開口、9 電気力線、10 金属体、11 導波管。
Claims (4)
- 誘電体多層基板の最上層に形成されたマイクロストリップ線路と、上記誘電体多層基板中に形成された擬似同軸トリプレート線路と、上記誘電体多層基板中に形成された擬似導波管とを備え、
上記擬似同軸トリプレート線路の中心導体の一端が上記マイクロストリップ線路の中心導体に接続され、他端が上記擬似導波管の地導体に接続され、上記誘電体多層基板の側面に導波管開口を設けたことを特徴とするマイクロストリップ線路−導波管変換器。 - 誘電体多層基板の最上層に形成されたマイクロストリップ線路と、上記誘電体多層基板中に形成された擬似同軸トリプレート線路と、上記誘電体多層基板中に形成された擬似導波管と、金属体中に形成された導波管とを備え、
上記擬似同軸トリプレート線路の中心導体の一端が上記マイクロストリップ線路の中心導体に接続され、他端が上記擬似導波管の地導体に接続され、上記金属体が上記擬似導波管の上下を覆う形状であることを特徴とするマイクロストリップ線路−導波管変換器。 - 誘電体多層基板の最上層に形成されたマイクロストリップ線路と、上記誘電体多層基板中に層間ビアにより中心導体と地導体が上記マイクロストリップ線路と直交する方向で形成された擬似同軸トリプレート線路と、上記誘電体多層基板中の上記擬似同軸トリプレート線路の下層に層間ビアにより地導体が形成された擬似導波管とを備え、
上記擬似同軸トリプレート線路の中心導体の一端が上記マイクロストリップ線路の中心導体に接続され、他端が上記擬似導波管の地導体に接続され、上記誘電体多層基板の最下面に導波管開口を設けたことを特徴とするマイクロストリップ線路−導波管変換器。 - 誘電体多層基板の最上層に形成されたマイクロストリップ線路と、上記誘電体多層基板中に層間ビアにより中心導体と地導体が上記マイクロストリップ線路と直交する方向で形成された擬似同軸トリプレート線路と、上記誘電体多層基板中の上記擬似同軸トリプレート線路の下層に層間ビアにより地導体が形成された擬似導波管と、上記誘電体多層基板の下に設けた金属体に形成された導波管とを備え、
上記擬似同軸トリプレート線路の中心導体の一端が上記マイクロストリップ線路の中心導体に接続され、他端が上記擬似導波管の地導体に接続されたことを特徴とするマイクロストリップ線路−導波管変換器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003000829A JP3959544B2 (ja) | 2003-01-07 | 2003-01-07 | マイクロストリップ線路−導波管変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003000829A JP3959544B2 (ja) | 2003-01-07 | 2003-01-07 | マイクロストリップ線路−導波管変換器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004215050A true JP2004215050A (ja) | 2004-07-29 |
JP3959544B2 JP3959544B2 (ja) | 2007-08-15 |
Family
ID=32819003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003000829A Expired - Fee Related JP3959544B2 (ja) | 2003-01-07 | 2003-01-07 | マイクロストリップ線路−導波管変換器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3959544B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7411553B2 (en) | 2005-03-16 | 2008-08-12 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Planar antenna module, triple plate planar, array antenna, and triple plate feeder-waveguide converter |
WO2008114580A1 (ja) | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | トリプレート線路-導波管変換器 |
JP2011505093A (ja) * | 2007-11-30 | 2011-02-17 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) | マイクロストリップ‐導波管変換構成 |
WO2024009339A1 (ja) * | 2022-07-04 | 2024-01-11 | 三菱電機株式会社 | マイクロストリップ線路-導波管変換器 |
-
2003
- 2003-01-07 JP JP2003000829A patent/JP3959544B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7411553B2 (en) | 2005-03-16 | 2008-08-12 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Planar antenna module, triple plate planar, array antenna, and triple plate feeder-waveguide converter |
EP2190066A2 (en) | 2005-03-16 | 2010-05-26 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Planar antenna module, triple plate planar array antenna, and triple plate feeder - waveguide converter |
US8253511B2 (en) | 2005-03-16 | 2012-08-28 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Triple plate feeder—waveguide converter having a square resonance patch pattern |
WO2008114580A1 (ja) | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | トリプレート線路-導波管変換器 |
US8188805B2 (en) | 2007-03-22 | 2012-05-29 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Triplate line-to-waveguide transducer having spacer dimensions which are larger than waveguide dimensions |
JP2011505093A (ja) * | 2007-11-30 | 2011-02-17 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) | マイクロストリップ‐導波管変換構成 |
WO2024009339A1 (ja) * | 2022-07-04 | 2024-01-11 | 三菱電機株式会社 | マイクロストリップ線路-導波管変換器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3959544B2 (ja) | 2007-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3068575B2 (ja) | ミリメートル波ltccパッケージ | |
JP4980306B2 (ja) | 無線通信装置 | |
US8159316B2 (en) | High-frequency transmission line connection structure, circuit board, high-frequency module, and radar device | |
JP2005045815A (ja) | ミリ波信号変換デバイス | |
TW201140937A (en) | Microwave transition device between a microstrip line and a rectangular waveguide | |
US20130214981A1 (en) | Antenna device and transformer | |
CN114188686B (zh) | H面波导/微带探针转换装置 | |
JP2012213146A (ja) | 高周波変換回路 | |
JP2004153415A (ja) | 高周波線路−導波管変換器 | |
WO2019142314A1 (ja) | 変換器およびアンテナ装置 | |
JP2004215050A (ja) | マイクロストリップ線路−導波管変換器 | |
JP3631667B2 (ja) | 配線基板およびその導波管との接続構造 | |
JPH08148913A (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 | |
JP2005039414A (ja) | 導波管平面線路変換装置 | |
JP2006279199A (ja) | 高周波線路−導波管変換器 | |
JP4601573B2 (ja) | 導波管変換器 | |
JP2010098609A (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器、及び、その製造方法 | |
JP4821391B2 (ja) | 回路基板の接続構造 | |
WO2024009339A1 (ja) | マイクロストリップ線路-導波管変換器 | |
JP7077137B2 (ja) | 伝送線路およびコネクタ | |
JP4606351B2 (ja) | 高周波線路−導波管変換器 | |
CN117293650A (zh) | 一种用于高速直调激光器to封装的射频结构 | |
JP2006262138A (ja) | 高周波線路−導波管変換器 | |
JPS5926650Y2 (ja) | マイクロ波ミキサ−装置 | |
JP2006197479A (ja) | 高周波線路−導波管変換器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040709 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061226 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070417 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070430 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100525 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |