JP2004214498A - 光結合素子 - Google Patents
光結合素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004214498A JP2004214498A JP2003001256A JP2003001256A JP2004214498A JP 2004214498 A JP2004214498 A JP 2004214498A JP 2003001256 A JP2003001256 A JP 2003001256A JP 2003001256 A JP2003001256 A JP 2003001256A JP 2004214498 A JP2004214498 A JP 2004214498A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- optical coupling
- organic
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】組立工程の簡易化とデバイスの小型化を図ることができる光結合素子を提供する。
【解決手段】入力側に発光素子2を備え、出力側に発光素子2からの光を受けてオンする受光素子3を備える光結合素子1において、発光素子2は、柔軟な透明樹脂基板と、該柔軟な透明樹脂基板に形成された有機EL素子と、から構成され、柔軟な透明樹脂基板が受光素子3側に対向して配置されている。また、有機EL素子が、リードフレーム4にダイボンドされることにより搭載される。
【選択図】図1
【解決手段】入力側に発光素子2を備え、出力側に発光素子2からの光を受けてオンする受光素子3を備える光結合素子1において、発光素子2は、柔軟な透明樹脂基板と、該柔軟な透明樹脂基板に形成された有機EL素子と、から構成され、柔軟な透明樹脂基板が受光素子3側に対向して配置されている。また、有機EL素子が、リードフレーム4にダイボンドされることにより搭載される。
【選択図】図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光結合素子に関する。詳しくは、電源フィードバックやスイッチング素子として各種電子機器に設けられるフォトカプラ、フォトトライアックカプラ、ソリッドステートリレーのような光結合素子に関するものであり、特に入出力間を絶縁して信号伝達を行う回路を備えたDVD、TV、VTR、CD、MD、電源機器、家電機器、インバータ制御機器等の電子機器に好適に用いられる光結合素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、フォトカプラ等の光結合素子100は、図11に示すように、発光素子102と受光素子103とがそれぞれリードフレーム30、40に搭載され、互いに対向するように設置されている。
【0003】
発光素子102としては、発光ダイオード101が用いられており、この発光ダイオード101が、銀ペースト等を介してリードフレーム30に搭載されている。そして、発光素子102には、発光素子102自体や受光素子103からの発熱により生じる熱応力から保護するために、透明シリコン樹脂50が塗布されている。
【0004】
また、受光素子103としては、フォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトトライアック等が用いられており、この受光素子103が、銀ペースト、ポリイミド樹脂を用いた絶縁ペースト等を介してリードフレーム40に搭載されている。これらの発光素子102と受光素子103とは、白色の半透明樹脂8とともに黒色の外部樹脂9の内部に封入されている(例えば、特許文献1参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開平5−267714号公報(第2頁、第4図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来のフォトカプラ等の光結合素子100は、発光素子102と受光素子103をリードフレーム30、40にそれぞれダイボンドおよびワイヤボンドし、さらに熱応力から保護するため、発光素子102にシリコン樹脂50を塗布し、白色半透明樹脂8および遮光性黒色樹脂9で二回モールドを行うという複雑な工程を経て製造されていた。
【0007】
また、その特性上、電気的絶縁を確保するための発光素子102と受光素子103間の絶縁距離を規定しなければならないにもかかわらず、二枚のリードフレーム30、40を対向させているため、リードフレームの製造精度やフォトカプラ生産段階でのリードフレームの歪みにより、絶縁距離を精度良く規定した生産が困難であった。このため、設計段階において絶縁距離に対して必要以上のマージンを取り、デバイスのパッケージ厚が大きくなっていた。
【0008】
さらに、図12に示すように、発光素子102から受光方向にワイヤaが突出しているために、その分だけ発光素子102と受光素子103との間隔を大きく設計しなければならず、この点でもデバイスのパッケージ厚が大きくなっていた。
【0009】
本発明は、このような事情に鑑み創作されたものであって、組立工程の簡易化とデバイスの小型化を図ることができる光結合素子を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、入力側に発光素子を備え、出力側に前記発光素子からの光を受けてオンする受光素子を備える光結合素子において、前記発光素子は、柔軟な透明樹脂基板と、該柔軟な透明樹脂基板に形成された有機EL素子と、から構成され、柔軟な透明樹脂基板が受光素子側に対向して配置されていることを特徴とする。
【0011】
この発明によれば、発光素子が柔軟な透明樹脂基板に形成された有機EL素子で構成されているので、有機EL素子にシリコン樹脂を塗布しなくても、柔軟な透明樹脂基板によって、有機EL素子の電極部や発光層を有機EL素子自体や受光素子の発熱によって生じる熱応力から保護することができ、熱応力破壊を防止することができる。その結果、従来必要であったシリコン樹脂コーティング工程を削除することができ、光結合素子の組立工程の簡素化を図ることができる。また、柔軟な透明樹脂基板が有機EL素子の保護層と絶縁層とを兼ねることができるので、デバイスの小型化を図ることができる。
【0012】
本発明は、前記有機EL素子の透明電極は、この透明電極上に積層される正孔輸送層、発光層、電子輸送層、金属電極よりも平面形状が大きく形成され、有機EL素子を搭載する入力側リードフレームには、少なくとも二本のリードが備えられ、一方のリードに金属電極がダイボンドされ、他方のリードに透明電極がダイボンドされたことを特徴とする。
【0013】
この発明によれば、発光素子の二つの電極を各リードにそれぞれダイボンドするので、発光素子をワイヤボンドする必要がなくなる。したがって、発光素子から受光方向にワイヤが突出しないので、発光・受光素子間距離をワイヤ突出分だけ大きく設計しなくても、発光・受光素子間の絶縁距離を十分確保でき、デバイスの小型化を図ることができる。また、ワイヤボンド工程を省くことができるので、光結合素子の組立工程の簡素化を図ることができる。
【0014】
本発明は、前記柔軟な透明樹脂基板の受光素子側には、0.15mm以上の厚さを有するSiO2 透明ガラス基板が設置されたことを特徴とする。
【0015】
この発明によれば、柔軟な透明樹脂基板の受光素子側に設置するSiO2 ガラス基板は、剛性が高いので、発光素子と受光素子間の絶縁距離を確実に規定できる。したがって、設計時に必要以上の絶縁距離マージンを取る必要性がなく、入力側と出力側の相対向するリードフレーム間距離を短くすることができ、デバイスの小型化を図ることができる。
【0016】
本発明は、前記有機EL素子の透明電極に発光層が複数箇所積層されたことを特徴とする。
【0017】
この発明によれば、一度に複数個の発光素子を搭載することができるので、製造工程を大幅に簡略化できる。
【0018】
本発明は、前記発光素子が、受光素子に直接搭載されたことを特徴とする。
【0019】
この発明によれば、透明樹脂基板を例えば0.5mmと十分な厚さを持たせることにより、適切な絶縁距離を保持しながら発光素子を受光素子に直接搭載することができる。また、光学的に直接連結されるため、半透明樹脂を用いたモールド工程を削除することができる。
【0020】
さらに、発光素子の透明樹脂基板は柔軟性を有するので、発光素子を受光素子にダイボンドする際、受光素子に対して力学的ストレスを緩和することができる。
【0021】
本発明は、前記受光素子には、素子チップ生産段階で光硬化性樹脂が塗布され、紫外線等の光により硬化させた樹脂が有機EL素子の透明樹脂基板として用いられ、この樹脂上に有機EL素子が形成されて一体型受発光素子が構成され、この一体型受発光素子が入力側と出力側の各リードフレームに搭載されたことを特徴とする。
【0022】
この発明によれば、チップ生産段階にウエハ状態の受光素子に発光素子を作成するため、一回のダイシングで受発光素子のウエハからチップ状態への切り分けが可能となり、光結合素子の組立工程の簡素化を図ることができる。
【0023】
本発明は、前記発光素子は、受光素子の受光部位にのみ対応した発光層が透明電極または正孔輸送層に積層されてなることを特徴とする。
【0024】
この発明によれば、有機EL素子は発光面から均一に光が照射されることから、受光素子の受光部位にのみ対応した効率的な発光層を形成することにより、発光層に用いる化合物の量を軽減でき、発光素子の縮小化を図ることができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光結合素子の実施の形態について、図を参照しながら説明する。
【0026】
なお、上記した従来技術と同一のものについては、同一の付号を付している。
【0027】
本発明の第1実施形態に係る光結合素子1は、図1に示すように、フォトカプラであって、入力側に発光素子2を備える一方、出力側に発光素子2からの光を受けてオンする受光素子3を備えており、発光素子2と受光素子3が相対向するようにそれぞれリードフレーム4、5に搭載されている。そして、発光素子2は、柔軟な透明樹脂基板10と、柔軟な透明樹脂基板10に形成された有機EL素子11とから構成されている。
【0028】
ここで、有機EL素子11は、透明樹脂基板10上に透明電極12、正孔輸送層13、発光層14、電子輸送層15、金属電極16を順に積層して形成されている(図2参照)。また、有機EL素子11としては、受光素子3の受光感度のある波長帯を発光できるものが用いられ、シリコンフォトダイオードでは800nmを中心に600から1100nmの波長の光に感度があるため、赤外発光有機EL素子が望ましい。
【0029】
例えば、有機EL素子11としては、透明樹脂基板10上に透明電極12(indium−tin−oxide)を作成し、正孔輸送層13としてN,N’−diphenyl−N,N’−di(m−tolyl)−benzidine[TPD] を50nm,発光層14としてtris(dibenzoylmethanato)(monobathophenanthoroline)neodymium(III)complex[Nd(DBM)3bath] を25nm,電子輸送層15としてtris(8−quinolinolato)aluminum(III)complex[Alq3] を50nm,金属電極16としてマグネシウム− 銀(10:1 )合金を100nmをそれぞれ積層したものでもよい(Applied Physics Letters Vol. 74, No.22, 31 May 1999 でKawamuraらが作成)。
【0030】
透明樹脂基板10は、電気的絶縁性を有し、柔軟性を有するシリコン樹脂等の透明樹脂で構成されており、有機EL素子11の電極部12、16や発光層14を発光素子2自体や受光素子3からの発熱による熱応力から保護することができる。
【0031】
次に、本発明の光結合素子1の第2実施形態について、図3に基づいて説明する。
【0032】
この実施形態に係る光結合素子1の発光素子2は、柔軟な透明樹脂基板10上に積層される透明電極12が、この透明電極12上に積層される正孔輸送層13、発光層14、電子輸送層15、金属電極16よりも平面形状が大きく形成されている。
【0033】
また、受光素子3を搭載する出力側リードフレーム5と相対向して設けられた発光素子2を搭載する入力側リードフレーム4は、二本のリード41、42から構成されている(図3(b)参照)。
【0034】
そして、有機EL素子11の金属電極16は、銀ペースト7を介してリード41に直接ダイボンドされ、透明電極12は、銀ペースト7を介してリード42に直接ダイボンドされている(図3(a)参照)。
【0035】
このように発光素子2は、リードフレーム4に直接ダイボンドすることにより電気的に接合されるため、ワイヤボンディングする必要がなく、絶縁距離を確保することができる。
【0036】
また、透明樹脂基板10が柔軟性を有するので、発光素子2をリードフレーム4にダイボンドする際、ダイボンド性を向上させるために透明電極12、金属電極16とリードフレーム4との間の距離に対応させてリードフレーム4を微調整したり、接合の際に用いる銀ペースト7の量を微調整する必要がない。
【0037】
次に、本発明の光結合素子1の第3実施形態について、図4に基づいて説明する。
【0038】
この実施形態に係る発光素子2は、柔軟な透明樹脂基板10の受光素子3側に0.15mm以上の厚さを有するSiO2 透明ガラス基板17が設置されたものである。
【0039】
従来のように発光素子として発光ダイオードを用いた場合には、受光素子側に直接ガラス基板を設置することは、発光ダイオードの電極の形状により困難であったが、本実施形態のように柔軟な透明樹脂基板10に形成された有機EL素子11を発光素子2とした場合では可能である。
【0040】
SiO2 ガラス基板17は剛性が高いので、このようにSiO2 ガラス基板17を透明樹脂基板10に直接設置することにより、発光素子2と受光素子3間の絶縁距離を確実に規定できる。このため、設計時に必要以上の絶縁距離マージンを取る必要性がなく、二つの対向するリードフレーム4、5間距離を短くすることができ、デバイスの小型化を図ることができる。
【0041】
次に、本発明の光結合素子1の第4実施形態について、図5および図6に基づいて説明する。
【0042】
この実施形態に係る発光素子2は、一枚の透明樹脂基板10に透明電極12を積層し、独立した発光層14を複数箇所に積層したものであり、一つの基板10に複数の発光部位を有する発光素子2を形成することができる。
【0043】
なお、発光部位間の光の干渉を防ぐため、内部に遮光性樹脂18を拡散させた透明樹脂基板10を用いてもよい。
【0044】
この結果、従来の複数チャンネルの光結合素子では複数個の受光素子に対してそれぞれ独立した発光素子を対向させて形成する必要があるが、本実施形態により、例えば、図6に示すように、タイバーにより一時的につながっているリードフレーム4aを用いると、一度に複数個の発光素子2の搭載が可能となり、製造工程を大幅に簡略化できる。また、この場合、第2実施形態で説明した形状のリードフレーム4を用いると、発光素子2は、リードフレーム4に直接ダイボンドすることにより電気的に接合され、ワイヤボンディングする必要がない。
【0045】
次に、本発明の光結合素子1の第5実施形態について、図7に基づいて説明する。
【0046】
この実施形態に係る発光素子2は、受光素子3に直接搭載されている。すなわち、受光素子3を出力側リードフレーム5に設置し、受光素子3の電気的接合のためにワイヤボンドを行った後、柔軟な透明樹脂基板10上に形成された有機EL素子11を、絶縁ペースト8等を介して受光素子3にダイボンドしている(図7(a),(b)参照)。
【0047】
例えば、0.5mmと十分な厚さを有する透明樹脂基板10を用いることにより、適切な絶縁距離を保持しながら発光素子2は受光素子3に固定される。したがって、図7(a)、(c)に示すような平面的な形状のリードフレーム5を用いた場合、受光素子3の裏面31(発光素子2側の背面)をリードフレーム5に電気的・物理的接合のためにダイボンドすれば、発光素子2と受光素子3とを個々のリードフレーム4、5にダイボンドしなくても対向させることができ、一枚のリードフレーム5のみで発光素子2と受光素子3とを搭載することができる。また、光学的に直接連結されるため、半透明樹脂を用いたモールド工程を削除することができる。さらに、発光素子2の透明樹脂基板10は柔軟性を有するので、発光素子2を受光素子3にダイボンドする際、受光素子3に対して力学的ストレスを緩和することができる。
【0048】
次に、本発明の光結合素子1の第6実施形態について、図8および図9に基づいて説明する。
【0049】
この実施形態に係る受光素子3には、素子チップ生産段階で光硬化性樹脂19が塗布され、紫外線等の光により硬化された前記樹脂19が有機EL素子11の透明樹脂基板10として用いられ、この樹脂19上に有機EL素子11が形成されて一体型受発光素子6が構成されている。そして、この一体型受発光素子6が入力側と出力側の各リードフレーム4、5に搭載されている(図9参照)。
【0050】
ここでいう光硬化性樹脂19は、紫外・可視光等により硬化するが、硬化物硬度は柔軟であり、電気的絶縁性をもつものを指している。
【0051】
従来では、ウェハ状態の発光素子、受光素子のそれぞれに対してダイシングを行なっていたが、本実施形態では、素子チップ生産段階でウェハ状態の受光素子3に発光素子2を作成するので、一回のダイシングで、ウェハ状態の受発光素子6からチップ状態へ切り分けることができる。
【0052】
また、受光素子3の裏面31を出力側リードフレーム5にダイボンドすれば、発光素子2、受光素子3をリードフレーム4、5に搭載することができ、ダイボンド工程を一回で済ませることができる。
【0053】
さらに、受発光素子6は、発光素子2が受光素子3に直接搭載されている構成において、上記した第5実施形態と同様である。したがって、適切な絶縁距離を保持しながら発光素子2が受光素子3に固定されること、一枚のリードフレーム5のみで受発光素子6を搭載することができること、光学的に直接連結されるためモールド工程を削除できること、といった優位性も第5実施形態と同様に有している。
【0054】
さらにまた、第2実施形態で説明した形状のリードフレーム4および有機EL素子11を用い、図9に示すように、受光素子3の裏面31を出力側リードフレーム5に電気的・物理的接合のためにダイボンドした後に、発光素子2の透明電極12と金属電極16のそれぞれに対して電気的接合のためのペースト材を塗布し、発光素子2を入力側リードフレーム4に搭載してもよい。
【0055】
この場合、ダイボンドのみで発光素子2をリードフレーム4に電気的接合することができ、発光素子2に関してワイヤボンド工程の削除が可能となる。
【0056】
次に、本発明の光結合素子1の第7実施形態について、図10に基づいて説明する。
【0057】
この実施形態に係る発光素子2は、受光素子3の受光部位にのみ対応した発光層14を透明電極12または正孔輸送層13に積層して作成されている。
【0058】
発光ダイオード等の点発光素子と異なり、有機EL素子は面発光で光るために発光面Aから均一に光が照射される。したがって、発光面Aは受光素子の受光部分Bの面積分だけあれば十分であり、本実施形態では、受光部分Bにのみ対応した発光層14が形成されている。この場合、発光層14に用いる化合物の量を軽減でき、発光素子2の縮小化を図ることができる。
【0059】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明の光結合素子によれば、組立工程の簡易化とデバイスの小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光結合素子の第1実施形態を示す断面図である。
【図2】図1の光結合素子を構成する発光素子の構造を模式的に示す構成図である。
【図3】本発明の光結合素子の第2実施形態のリードフレームと発光素子の接合部を模式的に示す構成図(a)、および(a)のリードフレーム側からみた平面図(b)である。
【図4】本発明の光結合素子を構成する発光素子の第3実施形態の構造を模式的に示す構成図である。
【図5】本発明の光結合素子を構成する発光素子の第4実施形態を示す平面図である。
【図6】図5における発光素子をリードフレームに搭載した際の平面図である。
【図7】本発明の光結合素子の第5実施形態を示す断面図(a)、発光素子と受光素子部分の拡大図(b)、および(a)の光結合素子上面からみた平面図(c)である。
【図8】本発明の光結合素子を構成する一体型受発光素子の第6実施形態の構造を模式的に示す構成図である。
【図9】図8における一体型受発光素子をリードフレームに搭載した光結合素子を示す断面図である。
【図10】本発明の光結合素子の第7実施形態に係る発光層を受光部位と同形状に積層して作成した発光素子を示す斜視図である。
【図11】従来の光結合素子の一例を示す断面図である。
【図12】従来の光結合素子の発光素子部分拡大図である。
【符号の説明】
1 光結合素子
2 発光素子
3 受光素子
4 入力側リードフレーム
5 出力側リードフレーム
6 一体型受発光素子
7 銀ペースト
8 絶縁ペースト
10 柔軟な透明樹脂基板
11 有機EL素子
12 透明電極
13 正孔輸送層
14 発光層
15 電子輸送層
16 金属電極
17 SiO2 ガラス基板
19 光硬化性樹脂
41、42 リード
【発明の属する技術分野】
本発明は、光結合素子に関する。詳しくは、電源フィードバックやスイッチング素子として各種電子機器に設けられるフォトカプラ、フォトトライアックカプラ、ソリッドステートリレーのような光結合素子に関するものであり、特に入出力間を絶縁して信号伝達を行う回路を備えたDVD、TV、VTR、CD、MD、電源機器、家電機器、インバータ制御機器等の電子機器に好適に用いられる光結合素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、フォトカプラ等の光結合素子100は、図11に示すように、発光素子102と受光素子103とがそれぞれリードフレーム30、40に搭載され、互いに対向するように設置されている。
【0003】
発光素子102としては、発光ダイオード101が用いられており、この発光ダイオード101が、銀ペースト等を介してリードフレーム30に搭載されている。そして、発光素子102には、発光素子102自体や受光素子103からの発熱により生じる熱応力から保護するために、透明シリコン樹脂50が塗布されている。
【0004】
また、受光素子103としては、フォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトトライアック等が用いられており、この受光素子103が、銀ペースト、ポリイミド樹脂を用いた絶縁ペースト等を介してリードフレーム40に搭載されている。これらの発光素子102と受光素子103とは、白色の半透明樹脂8とともに黒色の外部樹脂9の内部に封入されている(例えば、特許文献1参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開平5−267714号公報(第2頁、第4図)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来のフォトカプラ等の光結合素子100は、発光素子102と受光素子103をリードフレーム30、40にそれぞれダイボンドおよびワイヤボンドし、さらに熱応力から保護するため、発光素子102にシリコン樹脂50を塗布し、白色半透明樹脂8および遮光性黒色樹脂9で二回モールドを行うという複雑な工程を経て製造されていた。
【0007】
また、その特性上、電気的絶縁を確保するための発光素子102と受光素子103間の絶縁距離を規定しなければならないにもかかわらず、二枚のリードフレーム30、40を対向させているため、リードフレームの製造精度やフォトカプラ生産段階でのリードフレームの歪みにより、絶縁距離を精度良く規定した生産が困難であった。このため、設計段階において絶縁距離に対して必要以上のマージンを取り、デバイスのパッケージ厚が大きくなっていた。
【0008】
さらに、図12に示すように、発光素子102から受光方向にワイヤaが突出しているために、その分だけ発光素子102と受光素子103との間隔を大きく設計しなければならず、この点でもデバイスのパッケージ厚が大きくなっていた。
【0009】
本発明は、このような事情に鑑み創作されたものであって、組立工程の簡易化とデバイスの小型化を図ることができる光結合素子を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、入力側に発光素子を備え、出力側に前記発光素子からの光を受けてオンする受光素子を備える光結合素子において、前記発光素子は、柔軟な透明樹脂基板と、該柔軟な透明樹脂基板に形成された有機EL素子と、から構成され、柔軟な透明樹脂基板が受光素子側に対向して配置されていることを特徴とする。
【0011】
この発明によれば、発光素子が柔軟な透明樹脂基板に形成された有機EL素子で構成されているので、有機EL素子にシリコン樹脂を塗布しなくても、柔軟な透明樹脂基板によって、有機EL素子の電極部や発光層を有機EL素子自体や受光素子の発熱によって生じる熱応力から保護することができ、熱応力破壊を防止することができる。その結果、従来必要であったシリコン樹脂コーティング工程を削除することができ、光結合素子の組立工程の簡素化を図ることができる。また、柔軟な透明樹脂基板が有機EL素子の保護層と絶縁層とを兼ねることができるので、デバイスの小型化を図ることができる。
【0012】
本発明は、前記有機EL素子の透明電極は、この透明電極上に積層される正孔輸送層、発光層、電子輸送層、金属電極よりも平面形状が大きく形成され、有機EL素子を搭載する入力側リードフレームには、少なくとも二本のリードが備えられ、一方のリードに金属電極がダイボンドされ、他方のリードに透明電極がダイボンドされたことを特徴とする。
【0013】
この発明によれば、発光素子の二つの電極を各リードにそれぞれダイボンドするので、発光素子をワイヤボンドする必要がなくなる。したがって、発光素子から受光方向にワイヤが突出しないので、発光・受光素子間距離をワイヤ突出分だけ大きく設計しなくても、発光・受光素子間の絶縁距離を十分確保でき、デバイスの小型化を図ることができる。また、ワイヤボンド工程を省くことができるので、光結合素子の組立工程の簡素化を図ることができる。
【0014】
本発明は、前記柔軟な透明樹脂基板の受光素子側には、0.15mm以上の厚さを有するSiO2 透明ガラス基板が設置されたことを特徴とする。
【0015】
この発明によれば、柔軟な透明樹脂基板の受光素子側に設置するSiO2 ガラス基板は、剛性が高いので、発光素子と受光素子間の絶縁距離を確実に規定できる。したがって、設計時に必要以上の絶縁距離マージンを取る必要性がなく、入力側と出力側の相対向するリードフレーム間距離を短くすることができ、デバイスの小型化を図ることができる。
【0016】
本発明は、前記有機EL素子の透明電極に発光層が複数箇所積層されたことを特徴とする。
【0017】
この発明によれば、一度に複数個の発光素子を搭載することができるので、製造工程を大幅に簡略化できる。
【0018】
本発明は、前記発光素子が、受光素子に直接搭載されたことを特徴とする。
【0019】
この発明によれば、透明樹脂基板を例えば0.5mmと十分な厚さを持たせることにより、適切な絶縁距離を保持しながら発光素子を受光素子に直接搭載することができる。また、光学的に直接連結されるため、半透明樹脂を用いたモールド工程を削除することができる。
【0020】
さらに、発光素子の透明樹脂基板は柔軟性を有するので、発光素子を受光素子にダイボンドする際、受光素子に対して力学的ストレスを緩和することができる。
【0021】
本発明は、前記受光素子には、素子チップ生産段階で光硬化性樹脂が塗布され、紫外線等の光により硬化させた樹脂が有機EL素子の透明樹脂基板として用いられ、この樹脂上に有機EL素子が形成されて一体型受発光素子が構成され、この一体型受発光素子が入力側と出力側の各リードフレームに搭載されたことを特徴とする。
【0022】
この発明によれば、チップ生産段階にウエハ状態の受光素子に発光素子を作成するため、一回のダイシングで受発光素子のウエハからチップ状態への切り分けが可能となり、光結合素子の組立工程の簡素化を図ることができる。
【0023】
本発明は、前記発光素子は、受光素子の受光部位にのみ対応した発光層が透明電極または正孔輸送層に積層されてなることを特徴とする。
【0024】
この発明によれば、有機EL素子は発光面から均一に光が照射されることから、受光素子の受光部位にのみ対応した効率的な発光層を形成することにより、発光層に用いる化合物の量を軽減でき、発光素子の縮小化を図ることができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光結合素子の実施の形態について、図を参照しながら説明する。
【0026】
なお、上記した従来技術と同一のものについては、同一の付号を付している。
【0027】
本発明の第1実施形態に係る光結合素子1は、図1に示すように、フォトカプラであって、入力側に発光素子2を備える一方、出力側に発光素子2からの光を受けてオンする受光素子3を備えており、発光素子2と受光素子3が相対向するようにそれぞれリードフレーム4、5に搭載されている。そして、発光素子2は、柔軟な透明樹脂基板10と、柔軟な透明樹脂基板10に形成された有機EL素子11とから構成されている。
【0028】
ここで、有機EL素子11は、透明樹脂基板10上に透明電極12、正孔輸送層13、発光層14、電子輸送層15、金属電極16を順に積層して形成されている(図2参照)。また、有機EL素子11としては、受光素子3の受光感度のある波長帯を発光できるものが用いられ、シリコンフォトダイオードでは800nmを中心に600から1100nmの波長の光に感度があるため、赤外発光有機EL素子が望ましい。
【0029】
例えば、有機EL素子11としては、透明樹脂基板10上に透明電極12(indium−tin−oxide)を作成し、正孔輸送層13としてN,N’−diphenyl−N,N’−di(m−tolyl)−benzidine[TPD] を50nm,発光層14としてtris(dibenzoylmethanato)(monobathophenanthoroline)neodymium(III)complex[Nd(DBM)3bath] を25nm,電子輸送層15としてtris(8−quinolinolato)aluminum(III)complex[Alq3] を50nm,金属電極16としてマグネシウム− 銀(10:1 )合金を100nmをそれぞれ積層したものでもよい(Applied Physics Letters Vol. 74, No.22, 31 May 1999 でKawamuraらが作成)。
【0030】
透明樹脂基板10は、電気的絶縁性を有し、柔軟性を有するシリコン樹脂等の透明樹脂で構成されており、有機EL素子11の電極部12、16や発光層14を発光素子2自体や受光素子3からの発熱による熱応力から保護することができる。
【0031】
次に、本発明の光結合素子1の第2実施形態について、図3に基づいて説明する。
【0032】
この実施形態に係る光結合素子1の発光素子2は、柔軟な透明樹脂基板10上に積層される透明電極12が、この透明電極12上に積層される正孔輸送層13、発光層14、電子輸送層15、金属電極16よりも平面形状が大きく形成されている。
【0033】
また、受光素子3を搭載する出力側リードフレーム5と相対向して設けられた発光素子2を搭載する入力側リードフレーム4は、二本のリード41、42から構成されている(図3(b)参照)。
【0034】
そして、有機EL素子11の金属電極16は、銀ペースト7を介してリード41に直接ダイボンドされ、透明電極12は、銀ペースト7を介してリード42に直接ダイボンドされている(図3(a)参照)。
【0035】
このように発光素子2は、リードフレーム4に直接ダイボンドすることにより電気的に接合されるため、ワイヤボンディングする必要がなく、絶縁距離を確保することができる。
【0036】
また、透明樹脂基板10が柔軟性を有するので、発光素子2をリードフレーム4にダイボンドする際、ダイボンド性を向上させるために透明電極12、金属電極16とリードフレーム4との間の距離に対応させてリードフレーム4を微調整したり、接合の際に用いる銀ペースト7の量を微調整する必要がない。
【0037】
次に、本発明の光結合素子1の第3実施形態について、図4に基づいて説明する。
【0038】
この実施形態に係る発光素子2は、柔軟な透明樹脂基板10の受光素子3側に0.15mm以上の厚さを有するSiO2 透明ガラス基板17が設置されたものである。
【0039】
従来のように発光素子として発光ダイオードを用いた場合には、受光素子側に直接ガラス基板を設置することは、発光ダイオードの電極の形状により困難であったが、本実施形態のように柔軟な透明樹脂基板10に形成された有機EL素子11を発光素子2とした場合では可能である。
【0040】
SiO2 ガラス基板17は剛性が高いので、このようにSiO2 ガラス基板17を透明樹脂基板10に直接設置することにより、発光素子2と受光素子3間の絶縁距離を確実に規定できる。このため、設計時に必要以上の絶縁距離マージンを取る必要性がなく、二つの対向するリードフレーム4、5間距離を短くすることができ、デバイスの小型化を図ることができる。
【0041】
次に、本発明の光結合素子1の第4実施形態について、図5および図6に基づいて説明する。
【0042】
この実施形態に係る発光素子2は、一枚の透明樹脂基板10に透明電極12を積層し、独立した発光層14を複数箇所に積層したものであり、一つの基板10に複数の発光部位を有する発光素子2を形成することができる。
【0043】
なお、発光部位間の光の干渉を防ぐため、内部に遮光性樹脂18を拡散させた透明樹脂基板10を用いてもよい。
【0044】
この結果、従来の複数チャンネルの光結合素子では複数個の受光素子に対してそれぞれ独立した発光素子を対向させて形成する必要があるが、本実施形態により、例えば、図6に示すように、タイバーにより一時的につながっているリードフレーム4aを用いると、一度に複数個の発光素子2の搭載が可能となり、製造工程を大幅に簡略化できる。また、この場合、第2実施形態で説明した形状のリードフレーム4を用いると、発光素子2は、リードフレーム4に直接ダイボンドすることにより電気的に接合され、ワイヤボンディングする必要がない。
【0045】
次に、本発明の光結合素子1の第5実施形態について、図7に基づいて説明する。
【0046】
この実施形態に係る発光素子2は、受光素子3に直接搭載されている。すなわち、受光素子3を出力側リードフレーム5に設置し、受光素子3の電気的接合のためにワイヤボンドを行った後、柔軟な透明樹脂基板10上に形成された有機EL素子11を、絶縁ペースト8等を介して受光素子3にダイボンドしている(図7(a),(b)参照)。
【0047】
例えば、0.5mmと十分な厚さを有する透明樹脂基板10を用いることにより、適切な絶縁距離を保持しながら発光素子2は受光素子3に固定される。したがって、図7(a)、(c)に示すような平面的な形状のリードフレーム5を用いた場合、受光素子3の裏面31(発光素子2側の背面)をリードフレーム5に電気的・物理的接合のためにダイボンドすれば、発光素子2と受光素子3とを個々のリードフレーム4、5にダイボンドしなくても対向させることができ、一枚のリードフレーム5のみで発光素子2と受光素子3とを搭載することができる。また、光学的に直接連結されるため、半透明樹脂を用いたモールド工程を削除することができる。さらに、発光素子2の透明樹脂基板10は柔軟性を有するので、発光素子2を受光素子3にダイボンドする際、受光素子3に対して力学的ストレスを緩和することができる。
【0048】
次に、本発明の光結合素子1の第6実施形態について、図8および図9に基づいて説明する。
【0049】
この実施形態に係る受光素子3には、素子チップ生産段階で光硬化性樹脂19が塗布され、紫外線等の光により硬化された前記樹脂19が有機EL素子11の透明樹脂基板10として用いられ、この樹脂19上に有機EL素子11が形成されて一体型受発光素子6が構成されている。そして、この一体型受発光素子6が入力側と出力側の各リードフレーム4、5に搭載されている(図9参照)。
【0050】
ここでいう光硬化性樹脂19は、紫外・可視光等により硬化するが、硬化物硬度は柔軟であり、電気的絶縁性をもつものを指している。
【0051】
従来では、ウェハ状態の発光素子、受光素子のそれぞれに対してダイシングを行なっていたが、本実施形態では、素子チップ生産段階でウェハ状態の受光素子3に発光素子2を作成するので、一回のダイシングで、ウェハ状態の受発光素子6からチップ状態へ切り分けることができる。
【0052】
また、受光素子3の裏面31を出力側リードフレーム5にダイボンドすれば、発光素子2、受光素子3をリードフレーム4、5に搭載することができ、ダイボンド工程を一回で済ませることができる。
【0053】
さらに、受発光素子6は、発光素子2が受光素子3に直接搭載されている構成において、上記した第5実施形態と同様である。したがって、適切な絶縁距離を保持しながら発光素子2が受光素子3に固定されること、一枚のリードフレーム5のみで受発光素子6を搭載することができること、光学的に直接連結されるためモールド工程を削除できること、といった優位性も第5実施形態と同様に有している。
【0054】
さらにまた、第2実施形態で説明した形状のリードフレーム4および有機EL素子11を用い、図9に示すように、受光素子3の裏面31を出力側リードフレーム5に電気的・物理的接合のためにダイボンドした後に、発光素子2の透明電極12と金属電極16のそれぞれに対して電気的接合のためのペースト材を塗布し、発光素子2を入力側リードフレーム4に搭載してもよい。
【0055】
この場合、ダイボンドのみで発光素子2をリードフレーム4に電気的接合することができ、発光素子2に関してワイヤボンド工程の削除が可能となる。
【0056】
次に、本発明の光結合素子1の第7実施形態について、図10に基づいて説明する。
【0057】
この実施形態に係る発光素子2は、受光素子3の受光部位にのみ対応した発光層14を透明電極12または正孔輸送層13に積層して作成されている。
【0058】
発光ダイオード等の点発光素子と異なり、有機EL素子は面発光で光るために発光面Aから均一に光が照射される。したがって、発光面Aは受光素子の受光部分Bの面積分だけあれば十分であり、本実施形態では、受光部分Bにのみ対応した発光層14が形成されている。この場合、発光層14に用いる化合物の量を軽減でき、発光素子2の縮小化を図ることができる。
【0059】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明の光結合素子によれば、組立工程の簡易化とデバイスの小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光結合素子の第1実施形態を示す断面図である。
【図2】図1の光結合素子を構成する発光素子の構造を模式的に示す構成図である。
【図3】本発明の光結合素子の第2実施形態のリードフレームと発光素子の接合部を模式的に示す構成図(a)、および(a)のリードフレーム側からみた平面図(b)である。
【図4】本発明の光結合素子を構成する発光素子の第3実施形態の構造を模式的に示す構成図である。
【図5】本発明の光結合素子を構成する発光素子の第4実施形態を示す平面図である。
【図6】図5における発光素子をリードフレームに搭載した際の平面図である。
【図7】本発明の光結合素子の第5実施形態を示す断面図(a)、発光素子と受光素子部分の拡大図(b)、および(a)の光結合素子上面からみた平面図(c)である。
【図8】本発明の光結合素子を構成する一体型受発光素子の第6実施形態の構造を模式的に示す構成図である。
【図9】図8における一体型受発光素子をリードフレームに搭載した光結合素子を示す断面図である。
【図10】本発明の光結合素子の第7実施形態に係る発光層を受光部位と同形状に積層して作成した発光素子を示す斜視図である。
【図11】従来の光結合素子の一例を示す断面図である。
【図12】従来の光結合素子の発光素子部分拡大図である。
【符号の説明】
1 光結合素子
2 発光素子
3 受光素子
4 入力側リードフレーム
5 出力側リードフレーム
6 一体型受発光素子
7 銀ペースト
8 絶縁ペースト
10 柔軟な透明樹脂基板
11 有機EL素子
12 透明電極
13 正孔輸送層
14 発光層
15 電子輸送層
16 金属電極
17 SiO2 ガラス基板
19 光硬化性樹脂
41、42 リード
Claims (7)
- 入力側に発光素子を備え、出力側に前記発光素子からの光を受けてオンする受光素子を備える光結合素子において、
前記発光素子は、柔軟な透明樹脂基板と、該柔軟な透明樹脂基板に形成された有機EL素子と、から構成され、柔軟な透明樹脂基板が受光素子側に対向して配置されていることを特徴とする光結合素子。 - 前記有機EL素子の透明電極は、この透明電極上に積層される正孔輸送層、発光層、電子輸送層、金属電極よりも平面形状が大きく形成され、有機EL素子を搭載する入力側リードフレームには、少なくとも二本のリードが備えられ、一方のリードに金属電極がダイボンドされ、他方のリードに透明電極がダイボンドされたことを特徴とする請求項1記載の光結合素子。
- 前記柔軟な透明樹脂基板の受光素子側には、0.15mm以上の厚さを有するSiO2 透明ガラス基板が設置されたことを特徴とする請求項1または2記載の光結合素子。
- 前記有機EL素子の透明電極に発光層が複数箇所積層されたことを特徴とする請求項1または2記載の光結合素子。
- 前記発光素子が、受光素子に直接搭載されたことを特徴とする請求項1または2記載の光結合素子。
- 前記受光素子には、素子チップ生産段階で光硬化性樹脂が塗布され、紫外線等の光により硬化させた樹脂が有機EL素子の透明樹脂基板として用いられ、この樹脂上に有機EL素子が形成されて一体型受発光素子が構成され、この一体型受発光素子が入力側と出力側の各リードフレームに搭載されたことを特徴とする請求項5記載の光結合素子。
- 前記発光素子は、受光素子の受光部位にのみ対応した発光層が透明電極または正孔輸送層に積層されてなることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の光結合素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003001256A JP2004214498A (ja) | 2003-01-07 | 2003-01-07 | 光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003001256A JP2004214498A (ja) | 2003-01-07 | 2003-01-07 | 光結合素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004214498A true JP2004214498A (ja) | 2004-07-29 |
Family
ID=32819326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003001256A Pending JP2004214498A (ja) | 2003-01-07 | 2003-01-07 | 光結合素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004214498A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008098617A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-24 | Fraunhofer Ges | 集積有機発光素子を備えるリフレックスカプラ |
CN105513975A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-04-20 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 易扩展的集成式光电耦合器及其制作方法 |
-
2003
- 2003-01-07 JP JP2003001256A patent/JP2004214498A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008098617A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-24 | Fraunhofer Ges | 集積有機発光素子を備えるリフレックスカプラ |
CN105513975A (zh) * | 2016-01-29 | 2016-04-20 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 易扩展的集成式光电耦合器及其制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI587537B (zh) | Optocoupler | |
KR100631521B1 (ko) | 발광 장치 와 그의 제조방법 | |
JP5806994B2 (ja) | 光結合装置 | |
JP2007531310A (ja) | 表面実装多重チャネル光結合素子 | |
JP2004031508A (ja) | 光電気複合モジュールおよびそのモジュールを構成要素とする光入出力装置 | |
JP2004079760A (ja) | 半導体装置及びその組立方法 | |
JPH10144965A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP3604108B2 (ja) | チップ型光半導体の製造方法 | |
US8981399B2 (en) | Method of fabricating light emitting diode package with surface treated resin encapsulant and the package fabricated by the method | |
KR20120085085A (ko) | 칩 온 보드형 발광 모듈 및 상기 발광 모듈의 제조 방법 | |
JP2006269783A (ja) | 光半導体パッケージ | |
JP2011114181A (ja) | 原子発振器 | |
JP2004214498A (ja) | 光結合素子 | |
JPH08107167A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007035779A (ja) | リードレス中空パッケージ及びその製造方法 | |
JP3816114B2 (ja) | 光結合装置 | |
JP2008091671A (ja) | 光結合装置 | |
JP2015195401A (ja) | 光結合装置 | |
JPS63111682A (ja) | 光半導体素子用サブマウント | |
JP3415369B2 (ja) | 光結合型リレー装置 | |
JP4409074B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3699783B2 (ja) | チップ型半導体及びその製造方法 | |
JP2008047818A (ja) | 光結合装置及びその製造方法 | |
JPH08125216A (ja) | 光結合装置の製造方法 | |
JPH0216778A (ja) | 光結合型半導体リレー装置 |