JP2004211110A - Crucible for vapor deposition, vapor deposition system, and vapor deposition method - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 121
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 111
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 abstract description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高性能で信頼性の高い有機ＥＬ素子の実現に向けた有機材料の薄膜作製方法、より詳細には、少なくとも２枚の遮蔽板を備えた蒸着用るつぼ、ならびにそのような蒸着用るつぼを使用する蒸着装置および蒸着方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報通信の高速化とその応用範囲の拡大が急速に進んでいる。情報通信に関する様々な技術が開発されている中、表示デバイスに向けられた携帯性や動画表示機能などの要求に対して、低消費電力、高速応答性、および高精細表示を可能とする高性能な表示デバイスが考案されている。
【０００３】
表示デバイスに適用される発光素子の一例として、有機化合物の薄膜積層構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と称する）が知られている。有機ＥＬ素子については、１９８７年、イーストマンコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって、高効率の発光を実現する２層積層構造の有機ＥＬ素子が発表され（非特許文献１参照）、それ以来、現在に至るまで、様々な有機ＥＬ素子が開発されている。そして、今日ではそれらを適用した高性能な表示デバイスが一部実用化され始めている。
【０００４】
有機ＥＬ素子に代表される、有機材料の薄膜を有する素子の薄膜作製方法としては、一般に加熱蒸着方法が採用されている。加熱蒸着方法では、通常、るつぼなどの容器に蒸着用有機材料を収容し、その容器を外側からヒーターなどで加熱し、有機材料を気化または昇華させる間接加熱方法が取られている。このような間接加熱方法に用いられる従来型のるつぼの概略的構造を図１に示す。図中、参照符号１０はるつぼを示し、２０は蒸着材料を示す。このような従来型のるつぼでは、るつぼを介して加熱され気化または昇華された有機材料が被蒸着基板まで直接飛来し、被蒸着基板の表面に付着した有機材料によって薄膜が形成される。
【０００５】
有機ＥＬ素子に使用される有機材料としては、近年、有機ＥＬ素子の耐熱性を向上させる目的で、ガラス転移温度を８０℃あるいはそれ以上に向上させた有機化合物が各材料メーカーによって開発されている。このような有機化合物の蒸着時における材料特性としては、殆どが昇華性であると言われている。
【０００６】
昇華性有機材料を使用して薄膜を作製する場合、材料は固体から液体状態を経ずに蒸気へと変化するため、材料の一部が固相のまま飛散する、いわゆるスプラッシングまたはスピッティング現象を生ずることがある。また、昇華性有機材料の蒸着においては、その材料の蒸発特性に起因して薄膜表面にクラスター形状の蒸着不純物が付着する可能性がある。このような膜特性の低下は、有機ＥＬ素子自体の信頼性を大きく損なう陽極−陰極間の短絡を引き起こす原因となることがあるため望ましくない。
【０００７】
また、昇華性有機材料の蒸着においては、作製された薄膜の膜厚分布が有機材料の形状および特性、ならびにるつぼの形状などに依存して変化し、蒸着時に有機材料が消費されるのに伴って膜厚の再現性が低下することが知られている。したがって、従来型のるつぼを使用し、加熱蒸着方法によって昇華性有機材料の薄膜を作製することは困難であるとされている。
【０００８】
このような状況に鑑み、製膜効率を高めた、昇華性有機材料の蒸着方法が報告されている。例えば、るつぼなどの容器内にセラミックス、金属などの粉体または粉砕体と混合して有機材料を収容し、容器を加熱することにより、容器内の熱伝達を向上させ、材料の消費に伴う蒸着速度の低下や昇華効率の低下を改善する蒸着方法が報告されている（特許文献１参照）。また、穴が設けられた蓋を備えた容器に有機材料を収容し、そのような容器を電子線によって加熱することによる蒸着方法が報告されている（特許文献２参照）。
【０００９】
しかし、上述のいずれの蒸着方法を用いた場合であっても、蒸着の進行に伴う容器内部の有機材料量の減少、および粉体や粉砕品である有機材料の形状の崩れなどによって、材料の蒸気流の密度分布が変化し、さらには基板上に形成される有機薄膜の膜厚分布に影響を及ぼす可能性がある。
【００１０】
さらに、近年では、昇華性材料の蒸発速度の制御を可能とする、連通孔が設けられた仕切板と、小孔が設けられた蓋とを備えたボートタイプの蒸着源が報告されている（非特許文献２参照）。しかし、ボートタイプの蒸着源は、るつぼタイプの蒸着源と比較して材料を収容する容器の底が浅い（縦方向の断面が横長となる）ため、材料の充填量を増やすためにはボートの面積を大きくしなければならない。その結果、るつぼタイプの蒸着源と比較してボート内部に収容された材料に温度勾配が生じやすくなる。温度勾配は、材料の蒸気流密度に影響を及ぼし、温度勾配が大きいほど面内における蒸気流の密度分布が生じやすくなるため、過剰な加熱が必要となるだけでなく、不純物のない均一な膜厚を得ることが困難である。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００１−３２３３６７号公報
【００１２】
【特許文献２】
特開平６−２２３９７０号公報
【００１３】
【非特許文献１】
C.W.Tang, S.A.VanSlyke, Appl.Phys.Lett.51,913(1987)
【００１４】
【非特許文献２】
応用物理学会有機バイオエレクトロニクス分科会第６回講習会「有機ＥＬ素子の基礎から実用化技術まで」（１９９７年）の講演要旨集、第６３頁〜７３頁。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、有機材料の蒸着に関する様々な検討がなされているが、高性能で信頼性の高い有機ＥＬ素子の実現に向けて、均一な膜質分布を有し、不純物の付着がない良好な有機薄膜を、容易かつ効率的に作製可能とする技術に対する要望が未だ存在する。したがって、本発明の課題は、昇華性または溶融性である有機材料の形態に依存することなく、良好な有機薄膜を効率的に作製し得る、再現性に優れた蒸着方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために、本発明者らは、蒸着材料の蒸着方法について鋭意検討した結果、蒸着材料の加熱および蒸発に使用する蒸着用るつぼに少なくとも２枚の遮蔽板を設けることによって蒸気流密度をより均一に分布させ、そのことにより、均一な膜厚分布を有する良好な薄膜を作製することが可能となることを見出した。
【００１７】
本発明にもとづく蒸着用るつぼは、蒸着材料を加熱および蒸発させるものであって、上記るつぼは、蒸着材料の蒸気流を制御するための第１および第２の遮蔽板を少なくとも有し、上記第１の遮蔽板は上記るつぼの内部であってかつ上記るつぼの底部に収容される蒸着材料の蒸発面よりも上に設けられ、上記第２の遮蔽板は上記第１の遮蔽板よりも上に設けられることを特徴とする。
【００１８】
ここで、上記蒸着用るつぼにおいて、上記第１の遮蔽板は上記るつぼの内壁との間に少なくとも１つの空隙を形成する形状を有し、および前記第２の遮蔽板は少なくとも１つの開口が設けられた蓋体であることが好ましい。
【００１９】
上記蒸着用るつぼは、セラミックおよび金属からなる群から選択される材料から構成されることが好ましい。上記セラミックは、金属酸化物、金属窒化物、炭化物、炭素からなる群から選択されることが好ましく、上記金属は、モリブデン、タンタル、タングステンからなる群から選択されることが好ましい。上記セラミックまたは金属は、上記蒸着材料の融点および熱伝導性よりも高いそれらの値を有することが好ましい。
【００２０】
上記蒸着材料は、有機化合物であることが好ましい。
【００２１】
本発明にもとづく蒸着装置は、蒸着材料を加熱および蒸発させて被蒸着基板に蒸着させるためのものであって、蒸着材料を収容するるつぼと、上記るつぼを加熱する加熱手段と、被蒸着基板を支持する手段とを少なくとも備え、上記るつぼが、先に説明した本発明にもとづく蒸着用るつぼであることを特徴とする。
【００２２】
ここで、上記加熱手段は、上記るつぼの底部から上記第１の遮蔽板までを加熱する第１のフィラメントと、上記第１の遮蔽板から上記第２の遮蔽板までを加熱する第２のフィラメントとを少なくとも備えることが好ましい。
【００２３】
本発明にもとづく蒸着方法は、蒸着材料を加熱および蒸発させて被蒸着基板に蒸着させるためのものであり、
（ａ）先に説明した本発明にもとづく蒸着用るつぼの底部に蒸着材料を収容すること、
（ｂ）上記蒸着用るつぼを加熱し、蒸着材料の蒸気流を発生させること、
（ｃ）上記蒸気流の一部を前記第１の遮蔽板によって遮蔽し、その残部を上方に上昇させること、
（ｄ）上記上昇させた蒸気流の一部を前記第２の遮蔽板によって遮断し、その残部を上方に上昇させること、
（ｅ）蒸着用るつぼから最終的に噴出される蒸気流を、上記被蒸着基板に蒸着させることによって蒸着材料からなる薄膜を形成すること、
を含み、上記蒸着用るつぼの加熱によって発生する上記蒸着材料の蒸気流を、少なくとも２枚の遮蔽板によって制御することを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明にもとづく第１の態様は、蒸着用るつぼに関する。すなわち、本発明のるつぼは、蒸着材料を加熱および蒸発させて被蒸着基板に蒸着させる蒸着装置において使用されるものであって、上記るつぼは、蒸着材料の蒸気流を制御するための第１および第２の遮蔽板を少なくとも有し、上記第１の遮蔽板は上記るつぼの内部であってかつ上記るつぼの底部に収容される蒸着材料の蒸発面よりも上に設けられ、上記第２の遮蔽板は上記第１の遮蔽板よりも上に設けられることを特徴とする。なお、るつぼに設置される遮蔽板の枚数は、２枚以上であれば特に限定されるものではない。しかし、遮蔽板の枚数が多くなると加熱温度を制御することが難しくなるため、実質的には遮蔽板は２枚とすることが好ましい。
【００２５】
ここで、「遮蔽板」とは、蒸着材料が加熱され蒸発する際に発生する蒸気流を制御するためのものであって、蒸気流の一連の流れを確保し、最終的に蒸気流をるつぼから被蒸着基板に向けて噴出させることができるように、るつぼを密閉しない形状を有する。例えば、第１および第２の遮蔽板は、各遮蔽板の外壁とるつぼの内壁との間に空隙が形成されるような形状を有するか、遮蔽板自体にそれぞれ少なくとも１つの開口を有するか、またはそのような形状と開口との組み合わせを有する。本発明の好ましい実施態様では、第１の遮蔽板はるつぼの内壁との間に少なくとも１つの空隙を形成する形状を有し、および第２の遮蔽板はるつぼの開口部を覆う蓋体であって、少なくとも１つの開口を有する。
【００２６】
るつぼの内壁との間に空隙が形成されるような遮蔽板の形状としては、例えば横断面が円または楕円となるるつぼの場合、るつぼの内径よりも小さい円形あるいは楕円形、またはるつぼの形状に合わせた多角形（例えば六角形）とすることが可能である。また、遮蔽板自体に設けられる開口の形状は、例えば円形または楕円形である。遮蔽板自体に開口が存在する場合は、遮蔽板はるつぼの内径と同じ寸法を有してもよい。遮蔽板の形状および遮蔽板自体に設けられる開口の形状は、るつぼを密閉しない範囲において特に限定されるものではない。但し、るつぼ内の蒸気圧分布として、蒸着材料が収容される下層部での蒸気圧が、その上に形成される上層部での蒸気圧よりも大きくなるように遮蔽板の形状および開口を設定することが好ましい。より具体的には、第２の遮蔽板による開口および空隙の面積が、第１の遮蔽板による開口および空隙の面積と同程度またはそれ以上となるように設定することが好ましい。このようにそれぞれの空隙および開口を適宜設定することによって、蒸気流の密度分布を均一に制御することおよび蒸気流の上昇速度を適切に制御することが可能となる。
【００２７】
るつぼ容器への遮蔽板の固定方法は、それらの機能を妨げない範囲において、任意に選択することが可能である。固定方法としては、例えば、支持棒による固定、またはねじ止めなどが挙げられる。なお、遮蔽板の設置位置は、上述のようにるつぼ内の蒸気圧分布が下層部の方で大きくなるように考慮されることが望ましい。
【００２８】
るつぼを構成する材料は、るつぼに収容される蒸着材料よりも熱伝導率が高く、および蒸着材料が蒸発する温度で、蒸発または分解しない程度に高い融点を有する必要がある。るつぼの材料は、セラミック、金属およびそれらの組み合わせ（例えば、セラミックを金属で被覆したもの）から選択される、熱伝導性に優れた材料から構成されることが好ましい。るつぼの材料として使用可能なセラミックの一例としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭素（例えば、活性炭、カーボンブラック、グラファイトなど）のような、金属酸化物、金属窒化物、炭化物、炭素が挙げられる。るつぼの材料として使用可能な金属の一例としては、モリブデン、タンタル、タングステンが挙げられる。特に限定されるものではないが、るつぼ材料としては熱伝導率の高い、窒化アルミニウムまたはモリブデンが好ましい。なお、本発明のるつぼは、市販の蒸着用るつぼ容器に、上述の材料からなる遮蔽板を設置することによって構成することも可能である。
【００２９】
るつぼの底部に収容される蒸着材料は、特に限定されるものではなく、無機材料であっても有機材料であってもよい。さらに、有機材料としては、加熱によって直ぐに蒸発する昇華性材料であっても、加熱によって溶解した後に蒸発する溶融性材料であってもよい。本発明のるつぼでは、昇華性または溶融性といった材料の形態に依存することなく、従来型のるつぼの場合と比較して良好な薄膜を得ることが可能となる。
【００３０】
本発明のるつぼでは、有機ＥＬ素子を構成する昇華性有機材料、すなわち、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、および電子輸送層の材料、ならびに発光材料およびドープ材料を良好に使用することが可能である。その結果、上述の昇華性有機材料を使用した場合であっても蒸着を良好に実施することが可能となり、高品質で信頼性の高い有機ＥＬ素子を作製することが可能となる。
【００３１】
本発明の蒸着用るつぼの構成を図２〜４に沿ってより詳細に説明する。図２は、本発明の蒸着用るつぼの一例を示す縦方向断面図である。図３は、本発明の蒸着用るつぼの一例を示す横方向断面図である。図４は、本発明の蒸着用るつぼの一例を示す上面図である（第２の遮蔽板として設置された蓋体の上面図に相当する）。なお、図２〜４は本発明の例示であり、本発明の態様はこれらの図面に限定されるものではない。
【００３２】
図２から分かるように、本発明のるつぼ１０は、少なくともるつぼ容器１０ａ内に配置される第１の遮蔽板１０ｂおよび第２の遮蔽板１０ｃを備えることにより、蒸着材料２０を収容する下層部と、被蒸着基板へ蒸気流を噴出させる部分を有する上層部との少なくとも２層構造を有する。
【００３３】
また、図３から分かるように、第１の遮蔽板１０ｂの外壁と上記るつぼ容器１０ａの内壁との間には、少なくとも１つの空隙３０が存在する。加熱によって発生する蒸着材料の蒸気流の一部は遮蔽板によって遮蔽され、その残部が空隙３０からるつぼの上層部へと上昇することになる。
【００３４】
さらに、図４から分かるように、るつぼ容器１０の開口部を覆うように設けられた第２の遮蔽板（蓋体）１０ｃは、少なくとも１つの開口４０を有する。
【００３５】
以上、図２〜４から分かるように、本発明のるつぼでは、るつぼに少なくとも２枚の遮蔽板が存在することによって、るつぼの加熱によって発生する蒸着材料の蒸気流が被蒸着基板に直接到着しない、すなわち、被蒸着基板から蒸着材料を直視することができない構造となっている。また、本発明のるつぼでは、横断面積が小さくても容器の深さ方向に材料を充填できるため、ボートタイプと比較して十分な量の材料をより効率的に充填させることが可能である。
【００３６】
次に、るつぼ内の蒸気流の流れを図２に沿って詳細に説明する。先ず、るつぼ１０が加熱されると、るつぼ１０の底部に収容された蒸着材料２０から蒸気流が発生する。この蒸気流は、るつぼ内に設置された第１の遮蔽板１０ｂによって遮られ、その一部が空隙（図３を参照）を通って上層部に上昇し、遮られた蒸気流は第１の遮蔽板１０ｂの裏面に付着する。その後、第１の遮蔽板１０ｂの裏面に付着した蒸着材料は、遮蔽板１０ｂの温度が上昇するのに従って再蒸発する。上層部に上昇した蒸気流は、第２の遮蔽板１０ｃの開口（図４を参照）からるつぼの外部へと噴出される。噴出された蒸気流は被蒸着基板へと付着し、薄膜を形成することになる。
【００３７】
以上説明したように、るつぼの底部で発生した蒸気流が、少なくとも２枚の遮蔽板で形成される空間（バッファー）を介して、るつぼ外部へ噴出されるため、蒸着材料の形状に依存することなく安定した蒸気流を確保することが可能となる。また、蒸着材料からの蒸気流中に存在するクラスター化した材料が被蒸着基板へ付着し、膜表面の凹凸を促進することを抑制することが可能となる。したがって、蒸着材料として昇華性または溶融性のいずれの有機化合物を使用した場合であっても、蒸着材料の形状の変化に伴う蒸気流密度の変化、および薄膜表面への不純物の付着といった問題を著しく改善することが可能となる。
【００３８】
以上説明したように、本発明の蒸着用るつぼを使用することによって、膜厚分布に優れ、より純度の高い薄膜を作製することが可能となる。特に、高品質の薄膜が要求される有機ＥＬ素子の作製では、製膜時の蒸気流の偏りおよび不純物の混入に起因する、素子に於ける陽極−陰極間の短絡という不具合の発生率が著しく減少され、大きな歩留まり向上を達成することが可能となる。
【００３９】
本発明の第２の態様は、本発明の第１の態様である蒸着用るつぼを備えた蒸着装置に関する。すなわち、本発明の蒸着装置は、蒸着材料を加熱および蒸発させて被蒸着基板に蒸着させる蒸着装置であって、蒸着材料を収容するるつぼと、上記るつぼを加熱する加熱手段と、被蒸着基板を支持する手段とを少なくとも備え、上記るつぼが、本発明の第１の態様として先に説明した蒸着用るつぼであることを特徴とする。
【００４０】
上述のように、少なくとも２枚の遮蔽板で下層部と上層部とに分離され、かつ開口部を狭くした本発明のるつぼでは、縦方向の温度分布が重要となる。その理由は、底部の広い面積から蒸発した材料が、上部遮蔽板に設けられた狭い面積の開口部から外部に飛び出す時に、局部的に温度の低い箇所が存在すると、その箇所に蒸発した材料の一部が付着し、次いで析出する恐れがあるためである。このように、一旦、有機材料のような熱導電率の低い材料が析出すると、連鎖的に材料の堆積が始まり、そしてそのような析出物が開口部を塞ぐ可能性がある。したがって、このような不具合を防ぐためにも、上部開口部の温度制御は非常に重要である。
【００４１】
るつぼ内での材料の堆積を効果的に防止するためには、上層部の温度は、少なくとも材料温度と同等もしくはそれ以上である必要がある。したがって、本発明の蒸着装置は、加熱手段として、上記るつぼの底部から上記第１の遮蔽板までを加熱する第１のフィラメントと、上記第１の遮蔽板から上記第２の遮蔽板までを加熱する第２のフィラメントとを少なくとも備え、それぞれ上下で個別に温度制御を実施することが好ましい。
【００４２】
図５は、本発明の蒸着装置の一例を示す模式的概略図である。蒸着装置５０は、蒸着容器５１の内部に装備される、蒸着材料を収容する蒸着用るつぼ１０、るつぼ１０を収容する加熱用蒸発源５２、被蒸着基板５３を支持する支持部材（基板ホルダー）５４、蒸着材料が蒸着容器５１の壁を汚染することを防ぐための防着板５５、および蒸着容器５１の外部に装備される、真空ポンプ５６、加熱用電源５７ａ，５７ｂを備えている。なお、蒸着容器５１の内部は、蒸着を実施する際、真空ポンプ５６によって真空に保たれる。るつぼ１０の外周部には、加熱用電源５７ａ，５７ｂに接続された加熱用フィラメント（電熱線）５８ａ，５８ｂが巻かれていて、加熱用フィラメント５８ａ，５８ｂは通電されると発熱し、るつぼ１０を加熱する。この場合、加熱手段となるフィラメント５８ａ，５８ｂは、図示したように少なくとも蒸着用るつぼの底部から第１の遮蔽板までを加熱する第１のフィラメント５８ａと、第１の遮蔽板よりも上方を加熱する第２のフィラメント５８ｂとに分けて、るつぼの上下で温度制御を個別に実施することが好ましい。なお、るつぼは、蒸着材料をるつぼの底部に収容した後で、蒸着装置内の蒸着源に設置される。
【００４３】
本発明の蒸着装置を用いて、蒸着材料を被蒸着基板に蒸着させるためには、先ず、最初に、真空ポンプ５６を稼動して蒸着装置５０の内部を真空に保ち、加熱用フィラメント５８ａ，５８ｂを通電させ、るつぼ１０を加熱する。るつぼの加熱によって、るつぼ内では蒸着材料の蒸気流が発生する。蒸気流の流れは先に説明した通りである。すなわち、図２を参照すると、るつぼ１０が加熱され、るつぼの内壁部から熱が伝搬すると、るつぼの底部に収容された蒸着材料２０が加熱される。蒸着材料２０が一定温度に達すると、蒸着材料２０は昇華（気化）し、その一部の蒸気は遮蔽板１０ｂを介して、るつぼの上層部を満たす。その他の蒸気は遮蔽板１０ｂの裏面に付着するが、遮蔽板１０ｂの温度の上昇とともに再蒸発する。これらの過程が繰り返し生じて、最終的にるつぼの開口から蒸着流が噴出し、被蒸着基板に付着し、蒸着材料の薄膜が形成される。
【００４４】
以上のように、本実施形態では、少なくとも２枚の遮蔽板を有する本発明に特有の蒸着用るつぼに蒸着材料を収容しているため、蒸着材料の形状に影響されることなく、蒸気流の密度分布を制御することができ、膜厚の再現性を向上させることが可能となる。また、蒸着材料の蒸発面から基板へと直接に蒸気流が到達しないので、昇華性材料の蒸着時に観察されるような不均一なクラスターの基板への到達を抑制することが可能となる。したがって、蒸着材料として昇華性の有機材料を使用した場合であっても、被製膜基板へのクラスターの付着がない良好な薄膜を得ることが可能となる。さらに、るつぼの加熱を複数のフィラメントに分けて実施するため、るつぼを適切に加熱することができ、その結果、るつぼ内の蒸気流の密度分布を厳密に制御することが可能となる。また、本発明の蒸着装置に適用されるるつぼは、容器の底が深い円筒形（縦方向の断面が縦長となる）であるため、容器の底が浅い（縦方向の断面が横長となる）ボートタイプの場合と比較して温度勾配が生じにくく、蒸気流の密度分布をより精密に制御することができ、より均一な膜厚を有する薄膜を得ることが可能となる。
【００４５】
本発明の第３の態様は、蒸着材料の蒸着方法に関し、先に説明した本発明の蒸着用るつぼを使用することを特徴とする。すなわち、本発明の蒸着方法は、蒸着材料を加熱および蒸発させて被蒸着基板に蒸着させる蒸着方法であって、（ａ）本発明の蒸着用るつぼの底部に蒸着材料を収容すること、（ｂ）上記るつぼを加熱し、蒸着材料の蒸気流を発生させること、（ｃ）上記蒸気流の一部を上記第１の遮蔽板によって遮蔽し、その残部を上方に上昇させること、（ｄ）上記上昇させた蒸気流の一部を上記第２の遮蔽板によって遮断し、その残部を上方に上昇させること、（ｅ）るつぼから最終的に噴出される蒸気流を、上記被蒸着基板に蒸着させることによって蒸着材料からなる薄膜を形成すること、を含み、上記るつぼの加熱によって発生する上記蒸着材料の蒸気流を、少なくとも２枚の遮蔽板によって制御することを特徴とする。なお、上述の蒸着方法では、本発明に特有の構造を有する蒸着用るつぼを使用することを特徴としているため、蒸着材料の形状に依存することなく、均一な膜厚分布を有し、クラスター付着物などの不純物のない良好な薄膜を再現性良く得ることが可能となる。また、このような蒸着方法は、昇華性有機化合物の蒸着にも良好に適用できるため、高性能かつ信頼性の高い有機ＥＬ素子を再現性良く作製することが可能となる。
【００４６】
【実施例】
以下、本発明について実施例にしたがってさらに詳細に説明する。しかし、本発明は以下の実施例によって限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００４７】
（実施例１）
真空蒸着装置において、本発明のるつぼ（図２を参照、材料はモリブデンである）を備える蒸着源を使用して、ガラス基板上に有機材料の薄膜を作製した。
【００４８】
薄膜を構成する有機材料としては、有機ＥＬ素子の代表的な電子輸送性材料であり、下式で示されるアルミキレート（Ａｌｑ）体を使用した。このＡｌｑは、約２００℃から昇華が始まり、約３１０℃で分解が始まるため、蒸着時の真空容器内温度は約２００℃から約３１０℃の範囲に制御する必要がある。
【００４９】
【化１】
Ａｌｑの製膜は、真空容器内温度２５０℃、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃ、真空容器内圧力２．０×１０-5Ｐａで実施し、膜厚１００ｎｍの有機薄膜を得た。なお、被蒸着基板として使用したガラス基板の厚さは５０ｍｍであった。また、るつぼを加熱するフィラメントの設定温度は、下部フィラメントを２８０℃、および上部フィラメントを３００℃とした。
【００５１】
上述のようにして得られた有機薄膜の表面形状について、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope，ＡＦＭ）を用いて観察し、平均表面粗さ、Peak to Valleyピークについて検討した。なお、「Peak to Valley」とは、薄膜の最大高低差を示すものであり、一般的にＲmaxで定義され、薄膜の均一性を示す１つの尺度となる。これらの結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
表１から明らかなように、Ｒmaxで１０数ｎｍレベルという、非常に凹凸の少ない薄膜を形成できることが分かった。
【００５４】
さらに、本発明による蒸発源を用いて、各製膜時に得られた薄膜の膜厚を検討することによって、製膜回数に伴う膜厚の再現性についても検討を行った。その結果、２０回までの連続製膜回数で、高い膜厚再現性を有することが分かった。
【００５５】
（比較例１）
遮蔽板を持たない従来型のるつぼ（図１を参照、材料はモリブデンである）を備えた蒸着源を使用することを除き、実施例１と同様にして、ガラス基板上に有機材料の薄膜を形成した。
【００５６】
Ａｌｑの製膜条件は、実施例１と同様に、真空容器内温度２５０℃、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃ、真空容器内圧力２．０×１０-5Ｐａであり、得られた有機薄膜の膜厚は１００ｎｍであった。なお、被蒸着基板として用いられたガラス基板の厚さは５０ｍｍであった。また、るつぼを加熱するフィラメントの設定温度は２８０℃とした。
【００５７】
上述のようにして得られた有機薄膜の表面形状を、実施例１と同様にＡＦＭによって観察した。その結果を表２に示す。
【００５８】
【表２】
表２から明らかなように、本発明による蒸発源を使用した場合（実施例１）と比較して、Ｒmaxレベルが著しく大きくなることが分かった。これらの結果より、従来の蒸発源による薄膜は、かなり凹凸の激しい表面を有することが分かった。
【００６０】
さらに、従来型のるつぼを使用する蒸発源を用いて、製膜回数による膜厚再現性についても検討を行った。その結果、連続製膜回数で５回程度までしか高い膜厚再現性が得られないことが分かった。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によると、蒸着材料の形状に依存することなく膜厚分布に優れ、クラスター付着物の不純物がない良好な薄膜を再現性よく作製することが可能となる。特に、蒸着材料として昇華性または溶融性有機材料を使用した場合であっても、良好な有機薄膜を再現性よく得ることができ、その結果として有機ＥＬ素子の特性再現性の向上を図ることが可能となる。また、有機ＥＬ素子における陽極−陰極間の短絡という不具合の発生確率を減少させることができ、有機ＥＬ素子の作製において大きな歩留まり向上を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来型の蒸着用るつぼの一例を示す縦方向断面図である。
【図２】本発明の蒸着用るつぼの一例を示す縦方向断面図である。
【図３】本発明の蒸着用るつぼの一例を示す横方向断面図である。
【図４】本発明の蒸着用るつぼの一例を示す上面図である。
【図５】本発明の蒸着装置の一例を示す模式的概略図である。
【符号の説明】
１０ るつぼ
１０ａ るつぼ容器
１０ｂ 第１の遮蔽板
１０ｃ 第２の遮蔽板
２０ 蒸着材料
３０ 空隙
４０ 開口
５０ 蒸着装置
５１ 蒸着容器
５２ 加熱用蒸発源
５３ 被蒸着基板
５４ 支持部材（基板ホルダー）
５５ 防着板
５６ 真空ポンプ
５７ａ，５７ｂ 加熱用電源
５８ａ，５８ｂ 加熱用フィラメント[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for producing a thin film of an organic material for realizing a high-performance and highly reliable organic EL device, and more particularly, to a crucible for vapor deposition provided with at least two shielding plates, The present invention relates to an evaporation apparatus and an evaporation method using a crucible.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, speeding up of information communication and expansion of its application range are rapidly progressing. While various technologies related to information communication are being developed, high performance that enables low power consumption, high-speed response, and high-definition display in response to demands for portability and moving image display function for display devices Display devices have been devised.
[0003]
As one example of a light emitting element applied to a display device, an organic electroluminescent element (hereinafter, referred to as an “organic EL element”) having a thin film structure of an organic compound is known. In 1987, Eastman Kodak Co., Ltd. W. Tang et al. Have published a two-layer stacked organic EL device that achieves high-efficiency light emission (see Non-Patent Document 1). Since then, various organic EL devices have been developed to date. And today, some high-performance display devices to which they are applied have begun to be put into practical use.
[0004]
As a method for manufacturing a thin film of an element having a thin film of an organic material, such as an organic EL element, a heat evaporation method is generally employed. In the heating vapor deposition method, an indirect heating method is generally employed in which an organic material for vapor deposition is housed in a container such as a crucible and the container is heated from the outside with a heater or the like to vaporize or sublimate the organic material. FIG. 1 shows a schematic structure of a conventional crucible used in such an indirect heating method. In the figure,
[0005]
As an organic material used for the organic EL device, in recent years, for the purpose of improving the heat resistance of the organic EL device, an organic compound having a glass transition temperature improved to 80 ° C. or more has been developed by each material maker. . It is said that most of the material properties of such organic compounds at the time of vapor deposition are sublimable.
[0006]
When a sublimable organic material is used to form a thin film, the material changes from a solid to a vapor without passing through a liquid state, so that a part of the material scatters as a solid phase, a so-called splashing or spitting phenomenon. May occur. Further, in the deposition of a sublimable organic material, cluster-shaped deposition impurities may adhere to the surface of the thin film due to the evaporation characteristics of the material. Such a decrease in film characteristics is not desirable because it may cause a short circuit between the anode and the cathode, which greatly impairs the reliability of the organic EL element itself.
[0007]
In addition, in the deposition of a sublimable organic material, the thickness distribution of the formed thin film changes depending on the shape and characteristics of the organic material, the shape of the crucible, and the like. It is known that the reproducibility of the film thickness decreases. Therefore, it is said that it is difficult to use a conventional crucible and produce a thin film of a sublimable organic material by a heat evaporation method.
[0008]
In view of such a situation, there has been reported a deposition method of a sublimable organic material having improved film forming efficiency. For example, an organic material is contained in a container such as a crucible by mixing with a powder or a pulverized body such as a ceramic or a metal, and by heating the container, heat transfer in the container is improved, and vapor deposition accompanying consumption of the material is performed. A vapor deposition method has been reported to improve the reduction in speed and the reduction in sublimation efficiency (see Patent Document 1). Further, a vapor deposition method has been reported in which an organic material is accommodated in a container having a lid provided with a hole, and such a container is heated by an electron beam (see Patent Document 2).
[0009]
However, even when any of the above-described vapor deposition methods is used, the amount of the organic material in the container is reduced due to the progress of the vapor deposition, and the shape of the organic material that is a powder or a crushed product is deformed. The density distribution of the vapor flow may change, and further affect the thickness distribution of the organic thin film formed on the substrate.
[0010]
Furthermore, in recent years, a boat-type evaporation source provided with a partition plate provided with a communication hole and a lid provided with a small hole, which enables control of the evaporation rate of the sublimable material, has been reported ( Non-Patent Document 2). However, since the bottom of the container for storing the material is shallower (the cross section in the vertical direction is longer horizontally) than the crucible type evaporation source, the boat type evaporation source requires The area must be increased. As a result, a temperature gradient is more likely to occur in the material stored inside the boat than in a crucible type evaporation source. The temperature gradient affects the vapor flow density of the material, and the larger the temperature gradient, the more likely the vapor flow density distribution to occur in the plane, which requires not only excessive heating but also a uniform film without impurities. It is difficult to obtain the thickness.
[0011]
[Patent Document 1]
JP 2001-32367 A
[0012]
[Patent Document 2]
JP-A-6-223970
[0013]
[Non-patent document 1]
CWTang, SAVanSlyke, Appl.Phys.Lett. 51, 913 (1987)
[0014]
[Non-patent document 2]
Collection of abstracts of the 6th workshop of the Society of Applied Physics, Organic Bioelectronics Subcommittee "From Basics of Organic EL Devices to Practical Use Technologies" (1997), pp. 63-73.
[0015]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, various studies have been made on the deposition of organic materials. To achieve a high-performance and highly reliable organic EL element, a favorable film having a uniform film quality distribution and free of impurities is used. There is still a need for a technique that enables easy and efficient production of organic thin films. Therefore, an object of the present invention is to provide a vapor deposition method that can efficiently produce a good organic thin film without depending on the form of an organic material that is sublimable or meltable, and that is excellent in reproducibility. .
[0016]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, the present inventors have conducted intensive studies on a method for depositing an evaporation material. As a result, by providing at least two shielding plates on an evaporation crucible used for heating and evaporation of the evaporation material, It has been found that the flow density can be more uniformly distributed, thereby making it possible to produce a good thin film having a uniform film thickness distribution.
[0017]
The crucible for vapor deposition according to the present invention heats and vaporizes a vapor deposition material, and the crucible has at least first and second shielding plates for controlling a vapor flow of the vapor deposition material, and The first shielding plate is provided inside the crucible and above the evaporation surface of the vapor deposition material accommodated in the bottom of the crucible, and the second shielding plate is provided above the first shielding plate. It is characterized by being provided.
[0018]
Here, in the crucible for vapor deposition, the first shielding plate has a shape forming at least one gap between the first shielding plate and an inner wall of the crucible, and the second shielding plate has at least one opening. It is preferable that the lid is provided.
[0019]
Preferably, the evaporation crucible is made of a material selected from the group consisting of ceramic and metal. The ceramic is preferably selected from the group consisting of metal oxides, metal nitrides, carbides, and carbon, and the metal is preferably selected from the group consisting of molybdenum, tantalum, and tungsten. The ceramic or metal preferably has a higher melting point and higher thermal conductivity of the vapor deposition material.
[0020]
The deposition material is preferably an organic compound.
[0021]
The vapor deposition apparatus according to the present invention is for heating and vaporizing the vapor deposition material to vapor-deposit the vapor-deposited material on the substrate to be vapor-deposited, and includes a crucible containing the vapor-deposited material, heating means for heating the crucible, and a substrate to be vapor-deposited. A crucible for vapor deposition according to the present invention described above.
[0022]
Here, the heating means comprises a first filament for heating from the bottom of the crucible to the first shielding plate, and a second filament for heating from the first shielding plate to the second shielding plate. It is preferable to include at least
[0023]
The vapor deposition method according to the present invention is for heating and vaporizing a vapor deposition material to vapor-deposit on a substrate to be vapor-deposited,
(A) storing a vapor deposition material at the bottom of the crucible for vapor deposition according to the present invention described above;
(B) heating the evaporation crucible to generate a vapor flow of the evaporation material;
(C) shielding a part of the vapor flow with the first shielding plate, and raising the remainder upward.
(D) blocking a part of the raised steam flow by the second shield plate, and raising the remaining portion upward;
(E) forming a thin film made of a vapor-deposited material by vapor-depositing a vapor flow finally ejected from a vapor-deposition crucible on the substrate to be vapor-deposited;
Wherein the vapor flow of the vapor deposition material generated by heating the vapor deposition crucible is controlled by at least two shielding plates.
[0024]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
A first aspect based on the present invention relates to a crucible for vapor deposition. That is, the crucible of the present invention is used in a vapor deposition apparatus that heats and evaporates a vapor deposition material and vapor-deposits the vapor on a substrate to be vapor-deposited, wherein the crucible is a first and a second crucible for controlling a vapor flow of the vapor deposition material. At least a second shielding plate, wherein the first shielding plate is provided inside the crucible and above an evaporation surface of a deposition material accommodated in the bottom of the crucible, and the second shielding plate is provided. The plate is provided above the first shielding plate. The number of shielding plates provided in the crucible is not particularly limited as long as it is two or more. However, it becomes difficult to control the heating temperature when the number of shielding plates increases, so that it is preferable to substantially use two shielding plates.
[0025]
Here, the “shielding plate” is for controlling a vapor flow generated when the vapor deposition material is heated and evaporated, and secures a continuous flow of the vapor flow, and finally crucibles the vapor flow. The crucible has a shape that is not hermetically sealed so that the crucible can be ejected toward the substrate to be vapor-deposited. For example, the first and second shielding plates have a shape such that a gap is formed between the outer wall of each shielding plate and the inner wall of the crucible, or each of the shielding plates themselves has at least one opening, Or it has a combination of such a shape and an opening. In a preferred embodiment of the present invention, the first shielding plate has a shape forming at least one gap with an inner wall of the crucible, and the second shielding plate is a lid covering an opening of the crucible. And at least one opening.
[0026]
As the shape of the shielding plate such that a gap is formed between the inner wall of the crucible and, for example, in the case of a crucible having a circular or elliptical cross section, a circular or elliptical shape smaller than the inner diameter of the crucible, or a crucible shape It is possible to form a combined polygon (for example, a hexagon). The shape of the opening provided in the shielding plate itself is, for example, a circle or an ellipse. If there is an opening in the shield itself, the shield may have the same dimensions as the inner diameter of the crucible. The shape of the shielding plate and the shape of the opening provided in the shielding plate itself are not particularly limited as long as the crucible is not closed. However, as the vapor pressure distribution in the crucible, the shape and opening of the shielding plate are set so that the vapor pressure in the lower layer where the vapor deposition material is stored is higher than the vapor pressure in the upper layer formed thereon. Is preferred. More specifically, it is preferable that the area of the opening and the gap formed by the second shielding plate is set to be equal to or larger than the area of the opening and the gap formed by the first shielding plate. By appropriately setting the gaps and openings in this manner, it is possible to uniformly control the density distribution of the steam flow and appropriately control the rising speed of the steam flow.
[0027]
The method of fixing the shielding plate to the crucible container can be arbitrarily selected as long as the function is not hindered. Examples of the fixing method include fixing with a support rod or screwing. It is desirable that the installation position of the shielding plate be considered so that the vapor pressure distribution in the crucible becomes larger in the lower layer as described above.
[0028]
The material forming the crucible needs to have a higher thermal conductivity than the vapor deposition material contained in the crucible, and have a melting point high enough to prevent evaporation or decomposition at the temperature at which the vapor deposition material evaporates. The material of the crucible is preferably composed of a material having excellent thermal conductivity, selected from ceramics, metals and combinations thereof (for example, ceramics coated with metal). Examples of ceramics that can be used as crucible materials include metal oxides, metal nitrides, carbides, such as aluminum nitride (AlN), silicon carbide (SiC), carbon (eg, activated carbon, carbon black, graphite, etc.). , Carbon. Examples of metals that can be used as crucible materials include molybdenum, tantalum, and tungsten. Although not particularly limited, as a crucible material, aluminum nitride or molybdenum having high thermal conductivity is preferable. In addition, the crucible of the present invention can be configured by installing a shielding plate made of the above-mentioned material in a commercially available crucible container for vapor deposition.
[0029]
The deposition material accommodated in the bottom of the crucible is not particularly limited, and may be an inorganic material or an organic material. Further, the organic material may be a sublimable material that evaporates immediately by heating, or a fusible material that evaporates after being dissolved by heating. According to the crucible of the present invention, a good thin film can be obtained as compared with a conventional crucible without depending on the form of the material such as sublimation or melting.
[0030]
In the crucible of the present invention, a sublimable organic material constituting an organic EL element, that is, a material for a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer, and a light emitting material and a doped material are preferably used. It is possible to do. As a result, even when the above-described sublimable organic material is used, it is possible to perform the vapor deposition satisfactorily, and it is possible to manufacture a high-quality and highly reliable organic EL element.
[0031]
The configuration of the crucible for vapor deposition of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing an example of the crucible for vapor deposition of the present invention. FIG. 3 is a lateral sectional view showing an example of the crucible for vapor deposition of the present invention. FIG. 4 is a top view showing an example of the evaporation crucible of the present invention (corresponding to a top view of a lid provided as a second shielding plate). 2 to 4 are examples of the present invention, and aspects of the present invention are not limited to these drawings.
[0032]
As can be seen from FIG. 2, the
[0033]
Further, as can be seen from FIG. 3, at least one
[0034]
Further, as can be seen from FIG. 4, the second shielding plate (lid) 10 c provided so as to cover the opening of the
[0035]
As described above, as can be seen from FIGS. 2 to 4, in the crucible of the present invention, since at least two shielding plates are present in the crucible, the vapor flow of the vapor deposition material generated by heating the crucible does not directly reach the substrate to be vapor-deposited. That is, the structure is such that the vapor deposition material cannot be directly seen from the substrate to be vapor deposited. Further, in the crucible of the present invention, since the material can be filled in the depth direction of the container even if the cross-sectional area is small, a sufficient amount of the material can be more efficiently filled as compared with the boat type.
[0036]
Next, the flow of the steam flow in the crucible will be described in detail with reference to FIG. First, when the
[0037]
As described above, since the vapor flow generated at the bottom of the crucible is ejected to the outside of the crucible through the space (buffer) formed by at least two shielding plates, the vapor flow depends on the shape of the evaporation material. And a stable steam flow can be secured. Further, it is possible to suppress the clustered material present in the vapor flow from the vapor deposition material from adhering to the substrate to be vaporized and promoting the unevenness of the film surface. Therefore, even when a sublimable or fusible organic compound is used as a vapor deposition material, problems such as a change in vapor flow density due to a change in the shape of the vapor deposition material and adhesion of impurities to the thin film surface are remarkable. It can be improved.
[0038]
As described above, by using the crucible for vapor deposition of the present invention, a thin film having excellent film thickness distribution and higher purity can be manufactured. In particular, in the production of an organic EL device that requires a high-quality thin film, the incidence of short-circuiting between the anode and the cathode in the device due to the unevenness of the vapor flow and the incorporation of impurities during the film formation is remarkable. Therefore, it is possible to achieve a large yield improvement.
[0039]
The second aspect of the present invention relates to a vapor deposition apparatus including the crucible for vapor deposition according to the first aspect of the present invention. That is, the vapor deposition apparatus of the present invention is a vapor deposition apparatus that heats and vaporizes a vapor deposition material and vapor-deposits the vapor-deposited material on a substrate to be vapor-deposited, and includes a crucible containing the vapor-deposited material, a heating unit that heats the crucible, and a substrate to be vapor-deposited. And a supporting means, wherein the crucible is the crucible for vapor deposition described above as the first aspect of the present invention.
[0040]
As described above, in the crucible of the present invention in which the lower layer and the upper layer are separated by at least two shielding plates and the opening is narrowed, the temperature distribution in the vertical direction is important. The reason is that when the material evaporated from the large area at the bottom jumps out of the opening with the small area provided in the upper shielding plate, if there is a locally low temperature part, the material evaporated at that part This is because there is a possibility that a part will adhere and then precipitate. Thus, once a low thermal conductivity material, such as an organic material, is deposited, the deposition of the material begins in a chain and such deposits can block the openings. Therefore, in order to prevent such a problem, the temperature control of the upper opening is very important.
[0041]
In order to effectively prevent the deposition of material in the crucible, the temperature of the upper layer needs to be at least equal to or higher than the material temperature. Therefore, the vapor deposition apparatus of the present invention, as heating means, heats the first filament that heats from the bottom of the crucible to the first shielding plate, and heats the first shielding plate to the second shielding plate. It is preferable that at least a second filament be provided, and that temperature control be performed individually on the upper and lower sides.
[0042]
FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of the vapor deposition apparatus of the present invention. The
[0043]
In order to deposit a deposition material on a deposition target substrate using the deposition apparatus of the present invention, first, the
[0044]
As described above, in the present embodiment, the vapor deposition material is housed in the vapor deposition crucible unique to the present invention having at least two shielding plates, so that the vapor flow is not affected by the shape of the vapor deposition material. The density distribution can be controlled, and the reproducibility of the film thickness can be improved. In addition, since the vapor flow does not directly reach the substrate from the evaporation surface of the evaporation material, it is possible to prevent uneven clusters from reaching the substrate as observed during evaporation of the sublimable material. Therefore, even when a sublimable organic material is used as a vapor deposition material, it is possible to obtain a good thin film without adhesion of clusters to a film formation substrate. Further, since the heating of the crucible is performed by dividing the filament into a plurality of filaments, the crucible can be appropriately heated, and as a result, the density distribution of the steam flow in the crucible can be strictly controlled. In addition, the crucible applied to the vapor deposition apparatus of the present invention has a deep cylindrical bottom (a vertical cross section is vertically long), so the bottom of the container is shallow (a vertical cross section is horizontally long). As compared to the boat type, a temperature gradient is less likely to occur, the density distribution of the vapor flow can be controlled more precisely, and a thin film having a more uniform film thickness can be obtained.
[0045]
A third aspect of the present invention relates to a method for vapor-depositing a vapor deposition material, characterized by using the above-described vapor deposition crucible of the present invention. That is, the vapor deposition method of the present invention is a vapor deposition method in which a vapor deposition material is heated and vaporized to vapor-deposit on a substrate to be vapor-deposited, and (a) accommodating the vapor deposition material at the bottom of the vapor deposition crucible of the present invention; (C) heating the crucible to generate a vapor flow of the vapor deposition material; (c) shielding a part of the vapor flow by the first shielding plate and raising the remainder upward; A part of the raised steam flow is blocked by the second shield plate, and the remaining portion is lifted upward. (E) The steam flow finally ejected from the crucible is deposited on the substrate to be deposited. Forming a thin film made of a vapor deposition material by heating the crucible, wherein the vapor flow of the vapor deposition material generated by heating the crucible is controlled by at least two shielding plates. Note that the above-described vapor deposition method is characterized by using a crucible for vapor deposition having a structure unique to the present invention, so that the vapor deposition method has a uniform film thickness distribution without depending on the shape of the vapor deposition material, A good thin film without impurities such as a kimono can be obtained with good reproducibility. In addition, since such a vapor deposition method can be favorably applied to vapor deposition of a sublimable organic compound, a high-performance and highly reliable organic EL element can be manufactured with good reproducibility.
[0046]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited by the following examples, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
[0047]
(Example 1)
In a vacuum evaporation apparatus, a thin film of an organic material was formed on a glass substrate using an evaporation source provided with the crucible of the present invention (see FIG. 2, the material is molybdenum).
[0048]
As the organic material constituting the thin film, an aluminum chelate (Alq) body represented by the following formula, which is a typical electron transporting material of an organic EL device, was used. Sublimation of Alq starts at about 200 ° C. and decomposition starts at about 310 ° C. Therefore, it is necessary to control the temperature in the vacuum vessel at the time of vapor deposition in the range of about 200 ° C. to about 310 ° C.
[0049]
Embedded image
The film formation of Alq is performed at a temperature of 250 ° C. in a vacuum vessel, a deposition rate of 0.1 nm / sec, and a pressure of 2.0 × 10 2 in a vacuum vessel. -Five The operation was performed at Pa to obtain an organic thin film having a thickness of 100 nm. The thickness of the glass substrate used as the substrate to be deposited was 50 mm. The set temperature of the filament for heating the crucible was 280 ° C. for the lower filament and 300 ° C. for the upper filament.
[0051]
The surface shape of the organic thin film obtained as described above was observed with an atomic force microscope (AFM), and the average surface roughness and the Peak to Valley peak were examined. In addition, “Peak to Valley” indicates the maximum height difference of a thin film, and is generally R max And is a measure of the uniformity of the thin film. Table 1 shows the results.
[0052]
[Table 1]
As is clear from Table 1, R max It was found that a thin film having very few irregularities of the order of several tens nm could be formed.
[0054]
Further, by using the evaporation source according to the present invention to examine the thickness of the thin film obtained at each film formation, the reproducibility of the film thickness with the number of film formation was also examined. As a result, it was found that high film thickness reproducibility was obtained even when the film was continuously formed up to 20 times.
[0055]
(Comparative Example 1)
A thin film of an organic material was formed on a glass substrate in the same manner as in Example 1 except that a deposition source provided with a conventional crucible without a shielding plate (see FIG. 1, the material was molybdenum) was used. Formed.
[0056]
The conditions for forming the Alq film were the same as in Example 1, except that the temperature inside the vacuum vessel was 250 ° C., the deposition rate was 0.1 nm / sec, and the pressure inside the vacuum vessel was 2.0 × 10 5. -Five Pa, and the thickness of the obtained organic thin film was 100 nm. Note that the thickness of the glass substrate used as the substrate to be deposited was 50 mm. The set temperature of the filament for heating the crucible was 280 ° C.
[0057]
The surface shape of the organic thin film obtained as described above was observed by AFM in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the results.
[0058]
[Table 2]
As is clear from Table 2, compared with the case where the evaporation source according to the present invention was used (Example 1), R max The level was found to be significantly larger. From these results, it was found that the thin film formed by the conventional evaporation source had a surface with considerably unevenness.
[0060]
Furthermore, using an evaporation source using a conventional crucible, the reproducibility of film thickness by the number of film formation was also examined. As a result, it was found that high film thickness reproducibility was obtained only up to about 5 times in continuous film formation.
[0061]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to produce a favorable thin film excellent in film thickness distribution and without impurities of cluster deposits with good reproducibility without depending on the shape of the vapor deposition material. In particular, even when a sublimable or fusible organic material is used as a vapor deposition material, a good organic thin film can be obtained with good reproducibility, and as a result, the reproducibility of characteristics of an organic EL element can be improved. It becomes possible. In addition, the probability of occurrence of a defect such as a short circuit between the anode and the cathode in the organic EL element can be reduced, and a large improvement in the yield of the organic EL element can be achieved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a conventional evaporation crucible.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing one example of a crucible for vapor deposition of the present invention.
FIG. 3 is a transverse sectional view showing an example of the crucible for vapor deposition of the present invention.
FIG. 4 is a top view showing an example of the crucible for vapor deposition of the present invention.
FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of the vapor deposition apparatus of the present invention.
[Explanation of symbols]
10 Crucible
10a crucible container
10b First shielding plate
10c Second shielding plate
20 evaporation materials
30 void
40 opening
50 Evaporation equipment
51 Deposition container
52 Evaporation source for heating
53 Deposition substrate
54 Supporting Member (Substrate Holder)
55 Deposition plate
56 vacuum pump
57a, 57b heating power supply
58a, 58b Filament for heating
Claims (9)
前記るつぼは、蒸着材料の蒸気流を制御するための第１および第２の遮蔽板を少なくとも有し、
前記第１の遮蔽板は前記るつぼの内部であってかつ前記るつぼの底部に収容される蒸着材料の蒸発面よりも上に設けられ、前記第２の遮蔽板は前記第１の遮蔽板よりも上に設けられることを特徴とする蒸着用るつぼ。A deposition crucible for heating and evaporating the deposition material,
The crucible has at least first and second shielding plates for controlling a vapor flow of a deposition material,
The first shielding plate is provided inside the crucible and above the evaporation surface of the vapor deposition material accommodated in the bottom of the crucible, and the second shielding plate is provided above the first shielding plate. A crucible for vapor deposition characterized by being provided on the top.
蒸着材料を収容するるつぼと、前記るつぼを加熱する加熱手段と、被蒸着基板を支持する手段とを少なくとも備え、
前記るつぼが、請求項１〜６のいずれかに記載の蒸着用るつぼであることを特徴とする蒸着装置。A vapor deposition device that heats and vaporizes a vapor deposition material to vapor-deposit on a substrate to be vapor-deposited,
A crucible containing a deposition material, heating means for heating the crucible, and at least means for supporting a substrate to be deposited,
A vapor deposition apparatus, wherein the crucible is the crucible for vapor deposition according to claim 1.
（ａ）請求項１〜６のいずれかに記載の蒸着用るつぼの底部に蒸着材料を収容すること、
（ｂ）前記蒸着用るつぼを加熱し、蒸着材料の蒸気流を発生させること、
（ｃ）前記蒸気流の一部を前記第１の遮蔽板によって遮蔽し、その残部を上方に上昇させること、
（ｄ）前記上昇させた蒸気流の一部を前記第２の遮蔽板によって遮断し、その残部を上方に上昇させること、
（ｅ）蒸着用るつぼから最終的に噴出される蒸気流を、前記被蒸着基板に蒸着させることによって蒸着材料からなる薄膜を形成すること、
を含み、前記蒸着用るつぼの加熱によって発生する前記蒸着材料の蒸気流を、少なくとも２枚の遮蔽板によって制御することを特徴とする蒸着方法。A deposition method of heating and evaporating a deposition material to deposit on a deposition target substrate,
(A) accommodating an evaporation material at the bottom of the evaporation crucible according to any one of claims 1 to 6,
(B) heating the deposition crucible to generate a vapor flow of the deposition material;
(C) shielding a part of the vapor flow by the first shielding plate, and raising the remainder upward.
(D) blocking a part of the raised steam flow by the second shielding plate, and raising the remainder upward.
(E) forming a thin film made of a vapor-deposited material by vapor-depositing a vapor flow finally ejected from a vapor-deposition crucible on the substrate to be vapor-deposited;
A vapor flow of the vapor deposition material generated by heating the vapor deposition crucible is controlled by at least two shielding plates.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002378476A JP4110966B2 (en) | 2002-12-26 | 2002-12-26 | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002378476A JP4110966B2 (en) | 2002-12-26 | 2002-12-26 | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004211110A true JP2004211110A (en) | 2004-07-29 |
| JP4110966B2 JP4110966B2 (en) | 2008-07-02 |
Family
ID=32815313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002378476A Expired - Lifetime JP4110966B2 (en) | 2002-12-26 | 2002-12-26 | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4110966B2 (en) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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