JP2004208467A - 多相交流回転電機搭載インバータ - Google Patents

Abstract

【課題】優れた冷却集電構造を確保しつつ簡素な構造を有してコンパクト化が可能な多相交流回転電機搭載インバータを提供すること。
【解決手段】インバータ５の各相の下アーム素子５４〜５６の交流側主電極（ｎチャンネルMOSトランジスタでは半導体チップの基板側の主電極）が、各相の交流冷却フィン１０２〜１０４に個別に固定され、各相の下アーム素子５４〜５６の直流側主電極（ｎチャンネルＭＯＳトランジスタでは半導体チップの表面側の主電極）が−冷却フィン１００にそれぞれ接続される。このようにすれば、各下アーム素子を良好に冷却することができ、優れた冷却集電構造を確保しつつ簡素な構造を有してコンパクト化が可能な多相交流回転電機搭載インバータを実現することができる。
【選択図】図８

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多相交流回転電機搭載インバータに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、直流電源と多相交流回転電機の電機子巻線との間に電力授受可能に介設されて、この電機子巻線に多相交流電圧を印加するインバータを交流回転電機に一体化することにより、小型軽量化や配線損失の低減を図った多相交流回転電機搭載インバータが提案されている。
【０００３】
このインバータは、通常では、それぞれトランジスタからなる相数分の上アーム素子（ハイサイド素子）と、それぞれトランジスタからなる相数分の下アーム素子（ローサイド素子）を有し、同一相の上アーム素子と下アーム素子の交流側主電極は直列接続されて電機子巻線の各端子に接続され、上アーム素子の直流側主電極は正側ライン（高位直流ラインをいう）を通じて直流電源の高位電極端子（以下、正側端子ともいう）に接続され、下アーム素子の直流側主電極は負側ライン（低位直流ラインをいう）を通じて直流電源の低位電極端子（以下、負側端子ともいう）に接続されている。インバータの各トランジスタは、コントローラからの制御信号によりスイッチングされて多相交流電圧を発生させ、多相交流回転電機を駆動したり（以下、電動駆動ともいう）、あるいは多相交流回転電機が発生する多相交流電圧を同期整流したり（以下、同期整流駆動ともいう）する。
【０００４】
上アーム素子及び下アーム素子は、MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ、IGBTなどにより構成されるが、逆並列接続ダイオードを持たないバイポーラトランジスタ、IGBTを採用する場合には、接合ダイオードをそれらと逆並列接続するのが通常である。
【０００５】
これら上アーム素子及び下アーム素子を構成するこれらのトランジスタとしては、多数キャリヤ電荷が電子であるタイプのものが、抵抗損失低減及び素子コスト低減の点で採用される。すなわち、MOSトランジスタにおいてはｎチャンネルMOSトランジスタを、バイポーラトランジスタにおいてはｎｐｎトランジスタを、IGBTにおいては絶縁ゲート付きのｎｐｎトランジスタを採用する以外の選択は現状ではありえない。
【０００６】
上記した多相交流回転電機搭載インバータに関連する技術として、従来の従来の車両用交流発電機に搭載される三相全波整流回路（レクチファイア）がある。このレクチファイアは、三相交流回転電機の後端面に位置して互いに軸方向に所定間隔を隔てて配置され、それぞれ径方向かつ周方向に延在する略円弧状の正側プレート及び負側プレートを有し、各相の上アーム側のダイオードは、正側ラインをなす放熱部材兼用共通電極板である正側プレートに共通固定され、各相の下アーム側のダイオードは、負側ラインをなす放熱部材兼用共通電極板である負側プレートに共通固定されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記した多相交流回転電機搭載インバータにおいて、上記車両用交流発電機のレクチファイアと同様に、冷却機能及び集電機能（配線機能）を兼ねる円弧状の放熱部材兼用共通電極板（以下、冷却フィンともいう）により正側プレートと負側プレート（直流電源の低位電極端子に接続されるならば実際に接地されていなくてもよい）を構成し、これら二枚の冷却フィンをを軸方向にずらせて多相交流回転電機のハウジング端面近傍に配置すれば、多相交流回転電機搭載インバータの冷却機能及び集電機能を従来の車両用交流発電機と同様に良好に確保しつつ、その装置体格を従来の車両用交流発電機と同程度にコンパクト化できることが期待される。
【０００８】
しかしながら、多相交流回転電機のインバータの上アーム素子を正側プレートに共通搭載し、その下アーム素子を負側プレートに共通搭載することは、現状では以下の理由により困難である。
【０００９】
つまり、下アーム素子を構成するトランジスタは内部に耐圧層（いわゆるコレクタ耐圧層又はドレイン耐圧層）を有する半導体チップにより構成され、この耐圧層は半導体チップの基板の直上に形成される。したがって、トランジスタの多数キャリヤを電子とする場合、言い換えれば、ｎチャンネルMOSトランジスタ、ｎｐｎトランジスタ、ｎ型のエミッタ、コレクタを有するIGBT（ｎ型のIGBT)を採用する場合、半導体チップの基板側の電極は下アーム素子の交流側主電極を構成するので、半導体チップの表面側の主電極が直流側主電極として負側プレートに接続されることになる。トランジスタの制御電極（ゲート電極又はベース電極）は半導体製造プロセス上、半導体チップの表面に形成する他はないので、結局、各相の下アーム素子を構成するトランジスタの直流側主電極を負側プレートに密着接合すると、この直流側主電極に隣接して半導体チップの表面に形成される制御電極も負側プレートに密着接合されてしまい、外部に取り出すことが困難になってしまうため、各相の下アーム素子をなすトランジスタを良好な放熱を確保しつつ負側プレートに共通固定することが困難となる。つまり、多相交流回転電機搭載インバータでは、車両用交流発電機のレクチファイアのように２枚の冷却フィンの一方に各相の上アーム素子を、他方に各相の下アーム素子を固定するという冷却集電構造を採用することができない。
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、優れた冷却集電構造を確保しつつ簡素な構造を有してコンパクト化が可能な多相交流回転電機搭載インバータを提供することをその目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の多相交流回転電機搭載インバータは、相数の整数倍の上アーム素子と、相数の整数倍の下アーム素子とを有し、同一相の前記上アーム素子と前記下アーム素子の交流側主電極は、接続されて多相交流回転電機の電機子巻線の相端子に接続され、前記上アーム素子の直流側主電極は、正側ラインを通じて直流電源の正側端子に接続され、前記下アーム素子の直流側主電極は、負側ラインを通じて前記直流電源の負側端子に接続され、前記上アーム素子及び下アーム素子はそれぞれ、電子を主要なキャリア電荷とするトランジスタをなす半導体チップ又は半導体モジュールを含む多相交流回転電機搭載インバータにおいて、
前記正側ラインは、前記多相交流回転電機のハウジングの端壁近傍に位置して略径方向及び略周方向に延在して放熱部材兼用共通電極板を構成する＋冷却フィンからなり、前記負側ラインは、前記＋冷却フィンから軸方向に所定間隔離れるとともに略径方向及び略周方向に延在して放熱部材兼用共通電極板を構成する−冷却フィンからなり、前記各相の上アーム素子の直流側主電極は、上アーム素子用の前記半導体チップ又は半導体モジュールの半導体基板側の主面に設けられて、前記＋冷却フィンの表面に互いに周方向へ所定間隔を隔てて共通固定され、前記各相の下アーム素子の交流側主電極は、下アーム素子用の半導体チップ又は半導体モジュールの基板側の主面に設けられて、前記−冷却フィンに沿いつつ前記−冷却フィン及び＋冷却フィンから軸方向又は径方向に所定間隔離れるとともに略径方向及び略周方向に円弧状に延在する相数分の交流冷却フィンに個別に固定され、前記各交流冷却フィンは、ロータ軸心を中心として径方向に略等しく、かつ、周方向に所定ピッチ離れた位置に配置され、前記各相の下アーム素子の直流側主電極は、下アーム素子用の前記半導体チップ又は半導体モジュールの表面側の主面に設けられて前記−冷却フィンに接続され、前記各相の上アーム素子及び下アーム素子の制御電極は、前記半導体チップ又は半導体モジュールの表面側の主面に形成されていることを特徴としている。
【００１２】
すなわち、この発明によれば、各相の下アーム素子の交流側主電極（ｎチャンネルMOSトランジスタでは半導体チップの基板側の主電極）が、各相の交流冷却フィンに個別に固定され、各相の下アーム素子の直流側主電極（ｎチャンネルＭＯＳトランジスタでは半導体チップの表面側の主電極）が、−冷却フィンにそれぞれ接続されている。
【００１３】
このようにすれば、各下アーム素子を良好に冷却することができ、優れた冷却集電構造を確保しつつ簡素な構造を有してコンパクト化が可能な多相交流回転電機搭載インバータを実現することができる。
【００１４】
好適な態様において、前記各交流冷却フィンは、径方向又は軸方向において前記＋冷却フィンと−冷却フィンとの間に配置されることを特徴とする。これにより、優れた冷却構造を確保しつつコンパクト化を実現することができる。
【００１５】
好適な態様において、前記−冷却フィン及び＋冷却フィンは、円弧状に形成されて、界磁コイル型の前記多相交流回転電機のブラシと軸方向に重なり、周方向に重ならない位置に配置されていることを特徴とする。このようにすれば、界磁コイル型の多相交流回転電機の軸長を短縮することができる。
【００１６】
好適な態様において、前記各相の下アーム素子の直流側主電極は、下アーム素子用の前記半導体チップ又は半導体モジュールの表面側の主面に設けられて前記−冷却フィンに共通固定され、前記各相の上アーム素子の交流側主電極は、上アーム素子用の前記半導体チップ又は半導体モジュールの表面側の主面に設けられて前記各交流冷却フィンに個別に固定されていることを特徴とする。このようにすれば、各上アーム素子及び各下アーム素子の両主面を、冷却フィンに接合しているので、各上アーム素子及び各下アーム素子を良好に冷却することができる。
【００１７】
好適態様において、前記各交流冷却フィンは、前記上アーム素子用の前記半導体チップ又は前記半導体モジュールの前記表面側の主面に前記交流側主電極に隣接して設けられた前記各相の上アーム素子の制御電極を露出させる制御電極配線背面側取り出し用窓を有することを特徴とする。このようにすれば、制御電極への配線を確保しつつ、前記上アーム素子を＋冷却フィンと交流冷却フィンとにより両面冷却することができるので、上アーム素子の冷却性を向上することができる。
【００１８】
好適な態様において、前記−冷却フィンは、前記下アーム素子用の前記半導体チップ又は前記半導体モジュールの前記表面側の主面に前記直流側主電極に隣接して設けられた前記各相の下アーム素子の制御電極を露出させる複数の制御電極配線背面側取り出し用窓を有することを特徴とする。このようにすれば、制御電極への配線を確保しつつ、前記下アーム素子を−冷却フィンと交流冷却フィンとにより両面冷却することができるので、下アーム素子の冷却性を向上することができる。
【００１９】
好適な態様において、前記制御電極配線背面側取り出し用窓において前記上アーム素子又は下アーム素子の前記制御電極に接合される制御信号線と、前記制御信号線に密着する樹脂テープとを有するフレキシブル配線を有し、前記フレキシブル配線は、前記冷却フィンの主面に沿いつつ延設されることを特徴とする。このようにすれば、バンプなどを熱圧接するなどして、制御信号線と制御電極との接続を容易に実現できる。また、このフレキシブル配線にその他の通信線を設けることにより、各線を一括して接続することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の多相交流回転電機搭載インバータの好適な態様を図面を参照して以下に説明する。
（車両用交流発電機１）
図１において、車両用発電電動機１は、三相界磁コイル型同期機であって、ロータ２、ステータ３、ハウジング４、電源端子６、回転軸７、ブラシ８、スリップリング９、コネクタと一体のレギュレータ１１を有し、インバータ５を搭載している。レギュレータ１１は界磁電流を断続制御するが周知のため説明は省略する。
【００２１】
ステータ３は、ステータコイル３１と、ハウジング４の周壁内周面に固定されたステータコア３２とを有し、ステータコイル３１はステータコア３２の各スロットに巻装されている。この種の同期機自体は周知である。なお、本発明は、その他の種類の同期機に採用されることができることはもちろんである。
【００２２】
ロータ３は、ハウジング４に回転自在に支持された回転軸７に固定されたロータコア７１と、ロータコア７１に巻装された界磁コイル７２とを有し、ステータ３の径内側に配置されている。ステータコイル３１は三相電機子巻線であって、その三つの交流端子は、インバータ５の各交流端子に接続されている。界磁コイル７２は、ブラシ８およびスリップリング９を通じて給電された界磁電流により磁化されて界磁磁界を発生する。界磁電流は、図示しないレギュレータにより調整される。
（インバータ５）
インバータ５は、図２に示すように、バッテリ１０から給電されて、車両用発電電動機１のステータコイル３１の各交流端子に三相交流電圧を印加する。
【００２３】
５１はＵ相上アーム素子、５２はＶ相上アーム素子、５３はＷ相上アーム素子、５４はＵ相下アーム素子、５５はＶ相下アーム素子、５６はＷ相下アーム素子であり、それぞれＭＯＳトランジスタにより構成されているが、ダイオード付きのバイポーラトランジスタ又はＩＧＢＴによっても構成できることはもちろんである。各トランジスタ５１〜５６は、直流側主電極と交流側主電極と制御電極（ゲート電極）とを有している。上アーム素子５１〜５３は、交流側主電極の電位Ｖ１〜Ｖ３を出力する端子（通信用電極）を有し、下アーム素子５４〜５６は、直流側主電極の電位Ｖ４〜Ｖ６を出力する端子（通信用電極）を有している。その他、ミラー電流検出、温度検出のための端子を追加してもよい。
【００２４】
５７は、ゲートコントローラであり、回転角センサ５８からの信号や上記通信端子からの信号に基づいて各トランジスタのゲート電圧Ｇ１〜Ｇ６を作成して各トランジスタ５１〜５６のゲート電極すなわち制御電極に送る。なお、各相の交流電流を検出する電流センサを追加してもよい。５９は平滑コンデンサである。この種のインバータ５自体はよく知られているため、これ以上の説明は省略する。
（インバータ５の構造）
インバータ５、特にそのトランジスタ５１〜５６の構造について以下に説明する。
【００２５】
図１において、１００は−冷却フィン、１０１は＋冷却フィン、１０２はＵ相冷却フィン、１０６はステータコイル３１から突出するその相端子（実際には３本であるが１本のみ図示）である。＋冷却フィン１０１の一端には、電源端子６が固定され、−冷却フィン１００の一端はモータハウジング４を通じて接地されている。
【００２６】
−冷却フィン１００は、モータハウジング４の後端壁に近接して径方向及び周方向に延設される円弧状の銅輪板からなり、＋冷却フィン１０１は、−冷却フィン１００から軸方向に所定間隔離れて径方向及び周方向に延設される円弧状の銅輪板からなり、Ｕ相冷却フィン１０２は、−冷却フィン１００と＋冷却フィン１０１との間に配置されて径方向及び周方向に延設される円弧状の銅輪板からなる。Ｕ相冷却フィン１０２の周方向長は、−冷却フィン１００、＋冷却フィン１０１の周方向長の１／３以下とされている。その他、Ｕ相冷却フィン１０２と略同一形状をもつＶ相冷却フィン、Ｗ相冷却フィンが、Ｕ相冷却フィン１０２と軸方向同位置にて、互いに周方向異なる位置に順番に配置されている。Ｕ相冷却フィン１０２は、図１に示すように、Ｕ相端子１０６に接合され、同様に、Ｖ相冷却フィン、Ｗ相冷却フィンも、ステータコイル３１から軸方向に突出する図示しないＶ相端子、Ｗ相端子に接合されている。
【００２７】
−冷却フィン１００及び＋冷却フィン１０１は、ブラシ８と軸方向に重なる位置に設けられているが、円弧状に形成された冷却フィン１００、１０１及び各相の冷却フィンは、ブラシ８及びその径方向外側に配置されたレギュレータ１１と干渉しない周方向位置に配置されている。
【００２８】
図１に示すように、ＭＯＳトランジスタチップからなるＵ相の上アーム素子５１は、＋冷却フィン１０１とＵ相冷却フィン１０２との間に配置されている。上アーム素子５１の直流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の基板側の主面に形成されて＋冷却フィン１０１に接合されている。上アーム素子５１の交流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の表面側の主面に形成されてＵ相冷却フィン１０２に接合されている。後述するように、Ｕ相冷却フィン１０２には上アーム素子５１を構成するＭＯＳトランジスタチップの表面側の主面に形成されるその制御電極（ゲート電極Ｇ１）に制御信号線を接続するために、孔（図１では図示省略）が設けられている。
【００２９】
同様に、ＭＯＳトランジスタチップからなるＶ相の上アーム素子５２も、＋冷却フィン１０１とＶ相冷却フィン（図１では図示せず）との間に配置されている。上アーム素子５２の直流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の基板側の主面に形成されて＋冷却フィン１０１に接合されている。上アーム素子５２の交流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の表面側の主面に形成されてＶ相冷却フィン（図１では図示せず）に接合されている。後述するように、Ｖ相冷却フィン（図１では図示せず）には上アーム素子５２を構成するＭＯＳトランジスタチップの表面側の主面に形成されるその制御電極（ゲート電極Ｇ２）に制御信号線を接続するために、孔（図１では図示省略）が設けられている。
【００３０】
同様に、ＭＯＳトランジスタチップからなるＷ相の上アーム素子５３も、＋冷却フィン１０１とＷ相冷却フィン（図１では図示せず）との間に配置されている。上アーム素子５３の直流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の基板側の主面に形成されて＋冷却フィン１０１に接合されている。上アーム素子５３の交流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の表面側の主面に形成されてＷ相冷却フィン（図１では図示せず）に接合されている。後述するように、Ｗ相冷却フィン（図１では図示せず）には上アーム素子５３を構成するＭＯＳトランジスタチップの表面側の主面に形成されるその制御電極（ゲート電極Ｇ３）に制御信号線を接続するために、孔（図１では図示省略）が設けられている。
【００３１】
図１に示すように、ＭＯＳトランジスタチップからなるＵ相の下アーム素子５４は、−冷却フィン１００とＵ相冷却フィン１０２との間に配置されている。下アーム素子５４の直流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の表面側の主面に形成されて−冷却フィン１００に接合されている。下アーム素子５４の交流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の基板側の主面に形成されてＵ相冷却フィン１０２に接合されている。後述するように、−冷却フィン１００には下アーム素子５４を構成するＭＯＳトランジスタチップの表面側の主面に形成されるその制御電極（ゲート電極Ｇ４）に制御信号線を接続するために、孔（図１では図示省略）が設けられている。
【００３２】
同様に、ＭＯＳトランジスタチップからなるＶ相の下アーム素子５５は、−冷却フィン１００とＶ相冷却フィン（図１では図示せず）との間に配置されている。下アーム素子５５の直流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の表面側の主面に形成されて−冷却フィン１００に接合されている。下アーム素子５５の交流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の基板側の主面に形成されてＶ相冷却フィン（図１では図示せず）に接合されている。後述するように、−冷却フィン１００には下アーム素子５５を構成するＭＯＳトランジスタチップの表面側の主面に形成されるその制御電極（ゲート電極Ｇ５）に制御信号線を接続するために、孔（図１では図示省略）が設けられている。
【００３３】
同様に、ＭＯＳトランジスタチップからなるＷ相の下アーム素子５６は、−冷却フィン１００とＷ相冷却フィン（図１では図示せず）との間に配置されている。下アーム素子５６の直流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の表面側の主面に形成されて−冷却フィン１００に接合されている。下アーム素子５６の交流側主電極はＭＯＳトランジスタチップ（半導体チップ）の基板側の主面に形成されてＷ相冷却フィン（図１では図示せず）に接合されている。後述するように、−冷却フィン１００には下アーム素子５６を構成するＭＯＳトランジスタチップの表面側の主面に形成されるその制御電極（ゲート電極Ｇ６）に制御信号線を接続するために、孔（図１では図示省略）が設けられている。
【００３４】
上記各ＭＯＳトランジスタチップ５１〜５６はＮチャンネルＭＯＳトランジスタが形成された半導体チップである。
【００３５】
−冷却フィン１００は直接又はスペーサ（図１では図示せず）を介してモータハウジング４の後端壁に固定されている。各交流端子としてのＵ相冷却フィン１０２、Ｖ相冷却フィン、Ｗ相冷却フィン、＋冷却フィン１０１は、電気絶縁性のスペーサ（図１では図示せず）を介して−冷却フィン１００に固定されている。各ＭＯＳトランジスタチップ５１〜５６は、上記接合の後、エポキシ樹脂などにより封止されている。
【００３６】
結局、この実施例では、インバータ５の正側ラインを＋冷却フィン１０１により構成している。すなわち、＋冷却フィン１０１は、放熱部材兼用共通電極板となっている。また、インバータ５の負側ラインを−冷却フィン１００により構成している。すなわち、−冷却フィン１００は、放熱部材兼用共通電極板となっている。更に、インバータ５のＵ相配線の一部をＵ相冷却フィン１０２により構成し、同様に、Ｖ相配線、Ｗ相配線の各一部をＶ相冷却フィン、Ｗ相冷却フィンにより構成している。すなわち、各相の冷却フィンは放熱部材兼用共通電極板となっている。更に、これらの冷却フィンを、軸方向に互いに離れて３カ所に分置して、それぞれ径方向及び周方向に延設している。このような冷却フィン群の配置により、カバー１２に設けた外気吸入孔（図示省略）からカバー１２内に軸方向又は径内方向へ導入された外気は良好に各冷却フィンを冷却することができ、各冷却フィンを通じて各ＭＯＳトランジスタチップを冷却することができる。各冷却フィンを冷却した外気はモータハウジング４の後壁面に設けた外気流入孔からモータハウジング４内に導入される。この外気の流れはロータ２に設けたファン１３により形成され、モータハウジング４の周壁に設けた排気孔から外部に排出される。
【００３７】
このような開放冷却モータ構造の代わりにモータ及びインバータ５を密閉型とすることも可能である。この場合には、インバータ５の各冷却フィンは、水冷されるモータハウジング４に密着することができる。もちろん、この場合、−冷却フィン１００を除く他の冷却フィンは絶縁フィルムを介してモータハウジング４に密着される。その他、水冷パイプやヒートパイプなどをこれら冷却フィンに直接密着することもできる。
【００３８】
また、磁石式の同期機においては、レギュレータ１１やブラシ８を省略することができるので、インバータ５の−冷却フィン１００や＋冷却フィン１０１は輪板状に形成することができる。
【００３９】
（ＭＯＳトランジスタチップの配置）
上アーム素子５１の配置を図３に示す。２０１は、上アーム素子５１をなすＭＯＳトランジスタチップの表面側の主面に形成される交流側主電極の領域であり、Ｕ相冷却フィン１０２に半田付けされている。２０２は、上アーム素子５１をなすＭＯＳトランジスタチップの基板側の主面に形成される直流側主電極の領域であり、＋冷却フィン１０１に半田付けされている。２０３は、上アーム素子５１をなすＭＯＳトランジスタチップの表面側の主面に形成される制御電極の領域であり、ボンディングワイヤ２０４に接続されている。ボンディングワイヤ２０４は、Ｕ相冷却フィン１０２の溝部１０２１を貫通してＵ相冷却フィン１０２の裏側に取り出され、図示しないフレキシブルテープなどの配線によりコントローラ５７に達している。この溝部１０２１には通信線をなすボンディングワイヤ（図３では図示せず）も貫通しており、この通信線をなすボンディングワイヤは、ＭＯＳトランジスタチップ５１の制御電極の領域に隣接する電位Ｖ１検出領域に接合されている。ボンディングワイヤ以外にたとえば図４に示す窓貫通端子を用いてもよい。
【００４０】
下アーム素子５４の配置を図４に示す。２０１は、下アーム素子５４をなすＭＯＳトランジスタチップの表面側の主面に形成される直流側主電極の領域であり、−冷却フィン１００に半田付けされている。２０２は、下アーム素子５４をなすＭＯＳトランジスタチップの基板側の主面に形成される交流側主電極の領域であり、Ｕ相冷却フィン１０２にに半田付けされている。２０３は、上アーム素子５１をなすＭＯＳトランジスタチップの表面側の主面に形成される制御電極の領域であり、窓貫通端子２０５に半田付けされている。窓貫通端子２０５は、−冷却フィン１００の孔部１０２２を貫通して−冷却フィン１００の裏側に取り出され、図示しないバスバーなどの配線によりコントローラ５７に達している。この孔部１０２２には通信線をなす窓貫通端子（図４では図示せず）も貫通しており、この通信線をなす窓貫通端子は、ＭＯＳトランジスタチップ５１の制御電極の領域に隣接する電位Ｖ４を検出領域に接合されている。
【００４１】
Ｕ相の上アーム素子５１と下アーム素子５４との配置を図５に示す。ただし、図５では、下アーム素子５４の制御電極に接続される制御信号線２０５はボンディングワイヤとされている。各冷却フィン１００〜１０２は同軸配置された円弧状の銅板により形成されている。
【００４２】
図６に、下アーム素子をなすＭＯＳトランジスタチップ５４と−冷却フィン１００との接合状態の一例を示す。窓部１０２２から、制御信号線をなすボンディングワイヤ２０５と、通信線をなすボンディングワイヤ２０６とが取り出されている。ボンディングワイヤ２０６は電位Ｖ４を伝送する。
【００４３】
図７に、上アーム素子をなすＭＯＳトランジスタチップ５１とＵ相冷却フィン１０２との接合状態の一例を示す。溝部１０２１から、制御信号線をなすボンディングワイヤ２０４と、通信線をなすボンディングワイヤ２０７とが取り出されている。ボンディングワイヤ２０７は電位Ｖ１を伝送する。
【００４４】
図８に、各冷却フィンの配置を示す。図８において、１０３はＶ相冷却フィン（交流冷却フィン）、１０４はＷ相冷却フィン（交流冷却フィン）であり、Ｕ相冷却フィン（交流冷却フィン）１０２とともに、軸方向等位置、周方向異なる位置に配置されている。
（変形態様）
なお、上記実施例の変形態様として、各下アーム素子の直流側主電極をなす半導体チップの表面電極を配線３００により−冷却フィン１００に接続しても良い（図９参照）。
【００４５】
また、上記実施例では、上アーム素子５１〜５３と下アーム素子５４〜５６を半導体チップで構成したが、半導体チップの両主面に形成された一対の主電極にそれぞれ導体板を接合し、半導体チップの側面を樹脂モールドしてなる半導体モジュールとしてもよいことは当然であり、更に、半導体チップの表面側の主面に、上記導体板に隣接して制御電極用の導体板を接合してもよいことは当然である。
【００４６】
コントローラ５７やレギュレータ１１をなす回路部品は−冷却フィン１００上に実装することができ、レギュレータ１１をこれら冷却フィンとインサート整形などにより一体形成することも可能である。更に、平滑コンデンサ５９を扁平に形成し、その側面をモータハウジング４に固定するとともに、−冷却フィン１００に固定することも可能である。
（変形態様）
上記した制御信号線や通信線を、ボンディングワイヤや端子を用いる代わりに、フレキシブル配線を用いて交流冷却フィンの窓から上アーム素子用の半導体チップの表面側の制御電極や通信電極に配線し、同様に、フレキシブル配線を用いて−冷却フィンの窓から下アーム素子用の半導体チップの表面側の制御電極や通信電極に配線することができる。
【００４７】
−冷却フィンの窓にフレキシブル配線の先端を接続する態様を図１０に示す。図１０において、−冷却フィン１００は窓をなす溝部１６１をもち、−冷却フィン１００の一主面には下アーム素子をなす半導体チップ１０００が接合されている。半導体チップ１０００の制御電極領域１００１には制御電極をなす導電パッド（図示せず）が露出している。２０００はフレキシブル配線であり、樹脂テープ２００１上には銅箔をパターニングして形成された多数の信号線が互いに並行に延設されている。２００２は、これら信号線の一つである制御信号線であり、その先端部はハンダバンプ３０００を介して半導体チップ１０００の制御電極領域１００１に存在する制御電極に熱圧接されている。他の信号線も同様に、半導体チップ１０００の通信電極に熱圧接されている。フレキシブル配線２０００は−冷却フィン１００の主面（どちらがわでもよい）に沿いつつコントローラまで延設されている。このようにすれば、配線作業を簡素化することができる。なお、フレキシブル配線２０００を−冷却フィン１００の主面に接着してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のインバータを搭載する多相交流回転電機の一例を示す軸方向断面図である。
【図２】図１のインバータの回路図である。
【図３】図１の上アーム素子を示す径方向部分断面図である。
【図４】図１の下アーム素子を示す径方向部分断面図である。
【図５】図１の上アーム素子及び下アーム素子を示す径方向部分断面図である。
【図６】図１の下アーム素子を示す部分径方向部分正面図である。
【図７】図１の上アーム素子を示す部分径方向部分正面図である。
【図８】各冷却フィンの配置を示す正面図である。
【図９】冷却フィン配置の変形態様を示す正面図である。
【図１０】制御電極配線構造の変形例を示す部分断面図である。
【符号の説明】
５１〜５３ 上アーム素子
５４〜５６ 下アーム素子
１ 車両用発電電動機（多相交流回転電機）
１００ −冷却フィン
１０１ ＋冷却フィン
１０２ Ｕ相冷却フィン
２０４ ボンディングワイヤ（制御信号線）
２０５ 端子（制御信号線）
２０６ ボンディングワイヤ（通信線）
１０２１ 溝部（制御電極配線背面側取り出し用窓）
１０２２ 孔部（制御電極配線背面側取り出し用窓）

Claims (8)

1. 相数の整数倍の上アーム素子と、相数の整数倍の下アーム素子とを有し、
   同一相の前記上アーム素子と前記下アーム素子の交流側主電極は、接続されて多相交流回転電機の電機子巻線の相端子に接続され、
   前記上アーム素子の直流側主電極は、正側ラインを通じて直流電源の正側端子に接続され、
   前記下アーム素子の直流側主電極は、負側ラインを通じて前記直流電源の負側端子に接続され、
   前記上アーム素子及び下アーム素子はそれぞれ、電子を主要なキャリア電荷とするトランジスタをなす半導体チップ又は半導体モジュールを含む多相交流回転電機搭載インバータにおいて、
   前記正側ラインは、前記多相交流回転電機のハウジングの端壁近傍に位置して略径方向及び略周方向に延在して放熱部材兼用共通電極板を構成する＋冷却フィンからなり、
   前記負側ラインは、前記＋冷却フィンから軸方向に所定間隔離れるとともに略径方向及び略周方向に延在して放熱部材兼用共通電極板を構成する−冷却フィンからなり、
   前記各相の上アーム素子の直流側主電極は、上アーム素子用の前記半導体チップ又は半導体モジュールの半導体基板側の主面に設けられて、前記＋冷却フィンの表面に互いに周方向へ所定間隔を隔てて共通固定され、
   前記各相の下アーム素子の交流側主電極は、下アーム素子用の半導体チップ又は半導体モジュールの基板側の主面に設けられて、前記−冷却フィンに沿いつつ前記−冷却フィン及び＋冷却フィンから軸方向又は径方向に所定間隔離れるとともに略径方向及び略周方向に円弧状に延在する相数分の交流冷却フィンに個別に固定され、
   前記各交流冷却フィンは、ロータ軸心を中心として径方向に略等しく、かつ、周方向に所定ピッチ離れた位置に配置され、
   前記各相の下アーム素子の直流側主電極は、下アーム素子用の前記半導体チップ又は半導体モジュールの表面側の主面に設けられて前記−冷却フィンに接続され、
   前記各相の上アーム素子及び下アーム素子の制御電極は、前記半導体チップ又は半導体モジュールの表面側の主面に形成されていることを特徴とする多相交流回転電機搭載インバータ。
2. 請求項１記載の多相交流回転電機搭載インバータにおいて、
   前記各交流冷却フィンは、径方向又は軸方向において前記＋冷却フィンと−冷却フィンとの間に配置されることを特徴とする多相交流回転電機搭載インバータ。
3. 請求項１記載の多相交流回転電機搭載インバータにおいて、
   前記−冷却フィン及び＋冷却フィンは、円弧状に形成されて、界磁コイル型の前記多相交流回転電機のブラシと軸方向に重なり、周方向に重ならない位置に配置されていることを特徴とする多相交流回転電機搭載インバータ。
4. 請求項１記載の多相交流回転電機搭載インバータにおいて、
   前記各相の下アーム素子の直流側主電極は、下アーム素子用の前記半導体チップ又は半導体モジュールの表面側の主面に設けられて前記−冷却フィンに共通固定され、
   前記各相の上アーム素子の交流側主電極は、上アーム素子用の前記半導体チップ又は半導体モジュールの表面側の主面に設けられて前記各交流冷却フィンに個別に固定されていることを特徴とする多相交流回転電機搭載インバータ。
5. 請求項４記載の多相交流回転電機搭載インバータにおいて、
   前記各交流冷却フィンは、前記上アーム素子用の前記半導体チップ又は前記半導体モジュールの前記表面側の主面に前記交流側主電極に隣接して設けられた前記各相の上アーム素子の制御電極を露出させる制御電極配線背面側取り出し用窓を有することを特徴とする多相交流回転電機搭載インバータ。
6. 請求項４記載の多相交流回転電機搭載インバータにおいて、
   前記−冷却フィンは、前記下アーム素子用の前記半導体チップ又は前記半導体モジュールの前記表面側の主面に前記直流側主電極に隣接して設けられた前記各相の下アーム素子の制御電極を露出させる複数の制御電極配線背面側取り出し用窓を有することを特徴とする多相交流回転電機搭載インバータ。
7. 請求項５又は６記載の多相交流回転電機搭載インバータにおいて、
   前記制御電極配線背面側取り出し用窓において前記上アーム素子又は下アーム素子の前記制御電極に接合される制御信号線と、前記制御信号線に密着する樹脂テープとを有するフレキシブル配線を有し、
   前記フレキシブル配線は、前記冷却フィンの主面に沿いつつ延設されることを特徴とする多相交流回転電機搭載インバータ。
8. 請求項１記載の多相交流回転電機搭載インバータにおいて、
   前記＋冷却フィン及び−冷却フィンの少なくとも一方は、平板状に形成されていることを特徴とする多相交流回転電機搭載インバータ。

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