JP2004200356A - 半導体集積回路及びその設計方法 - Google Patents

Abstract

【課題】例えばバス配線のクロストークノイズの低減や同バス配線を伝搬する信号の伝搬速度の確保といったトレードオフを含む各種制約の中で、より適切な動作特性を確保することのできる半導体集積回路及びその設計方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路８０は、アナログ回路部８２と、自動配線ツールにて形成される論理回路部８１との２つの領域を備えている（図１（ａ））。論理回路部８１の第ｎ層目の配線層において、実質的に平行に設けられている配線（Ｌａ１〜Ｌａ７）のうち、配線Ｌａ２〜Ｌａ５は、バス配線である（図１（ｂ））。一方、論理回路部８１の第（ｎ＋１）層目の配線層には、配線Ｌａ２〜Ｌａ５と斜めに交差する配線Ｌｂ１４〜Ｌｂ１６が設けられている（図１（ｃ））。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路及びその設計方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、集積回路、特に半導体集積回路にあっては、その微細加工技術の急激な進歩によって、その大規模化、高速化が進んでいる。この半導体集積回路の大規模化とともに、同集積回路内にあって機能単位でモジュール化された機能ブロックについてそれらの間を結線するバスのバンド幅も１６ビット、３２ビット、６４ビットと増大する方向にある。
【０００３】
一方、このように大規模化された半導体集積回路について、確実な動作を保証するためには、（イ）上記バス配線へ混入するノイズを低減する、（ロ）同バス配線への信号の入力タイミングや同バス配線からの信号の出力タイミングをバス配線間で揃える、等の必要がある。
【０００４】
また一方では、上述した半導体集積回路の微細化によってもたらされる配線の寄生抵抗や配線間の寄生容量（カップリング容量）の増大が、信号の伝搬に多大な影響を与えるようになってきている。そして、こうした配線の寄生抵抗や配線間のカップリング容量の増大が、上記ノイズを低減する上で、また上記バス配線の各配線を伝搬する信号の伝搬速度を揃える上で大きな障害となってきている。すなわち、例えば配線間のカップリング容量の増大は、一方の配線の電位変化が他方の配線の電位を変化させるクロストークノイズの増大を招きやすくする。そして、このクロストークノイズの増大は、半導体集積回路の誤動作の原因となるなど、様々な不都合を生じることにもなりかねない。
【０００５】
そこで従来は、下記特許文献１に見られるように、信号の伝搬に用いられる配線の上下に、電位が接地電位に固定された配線であるグランドプレーンを形成することも提案されている。このように、グランドプレーンを用いると、信号の伝搬に用いられる配線の寄生容量には、この配線とグランドプレーンとのカップリング容量が加わることとなる。このため、信号の伝搬に用いられる配線の寄生容量に対し、信号の伝搬に用いられる配線とノイズの原因となる配線とのカップリング容量の占める割合が低下することとなる。そしてこれにより、クロストークノイズを低減させることができるようになる。
【０００６】
また、近年では、上記半導体集積回路の高集積化と設計期間の短縮との両立を図るべく、汎用の自動配置配線ツールを用いて半導体集積回路のレイアウト設計を行うことが主流となってきている。こうした自動配置配線ツールでは、いわゆるデザインルール等、当該半導体集積回路の製造工程における制約を満たすように定義されたグリッドが、配線の敷設可能領域として設定されている。
【０００７】
詳しくは、このグリッドは、Ｘ軸方向及び、これと垂直なＹ軸方向に設定されており、各配線層毎に交互にＸ軸方向又はＹ軸方向が指定されている。このため、各配線層において、上記グリッドは、互いに平行に走るストライプ状に設定されることとなる。そして、これらグリッド間隔は、デザインルールを満たす配線ピッチに対応するように設定される。このため、上記グランドプレーンであれ、これを自動配線ツールにて形成することで、高集積化と設計時間の短縮との両立を図ることができる。
【０００８】
なお、上述した不都合への対処を目的とした従来技術としては他に、下記特許文献２〜５などもある。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２―１００６２９号公報
【特許文献２】
特開２００２―１５１６５１号公報
【特許文献３】
特開２００１―６８６３１号公報
【特許文献４】
特開平１０―３２６８７０号公報
【特許文献５】
特開平９−６４１８６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記グランドプレーンと上記バス配線とのカップリング容量を確保することで、バス配線において隣接する各配線間のクロストークノイズは確かに低減する。ただし、クロストークノイズの低減と信号伝搬速度の上昇とはトレードオフの関係にあり、上記グランドプレーンと上記バス配線とのカップリング容量の増大は併せて、バス配線における信号伝搬速度の低下を招くことともなる。したがって、上記グランドプレーンと上記バス配線とのカップリング容量については、これを適切な容量とすべく微調整できることが望まれる。
【００１１】
しかし、例えば上述した自動配線ツールを使用する場合、上記グランドプレーンの形成箇所は上記グリッドによって制限されているために、上記バス配線とのカップリング容量も、このグリッドによって自ずと規定されることとなる。そしてこのため、バス配線のクロストークノイズの低減と、同バス配線を伝搬する信号の伝搬速度の確保との両立も自ずと困難なものとなっている。
【００１２】
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、上述したトレードオフを含む各種制約の中で、より適切な動作特性を確保することのできる半導体集積回路及びその設計方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
以下、上記目的を達成するための手段及びその作用効果について記載する。
請求項１記載の発明は、多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、絶縁層を介して上下関係にある少なくとも２層の配線層間で、電位固定される配線である電位固定配線と、信号の伝搬に用いられる配線とが斜めに交差して設けられてなることをその要旨とする。
【００１４】
上記構成では、電位固定される、例えば接地線（グランドプレーン）を含む給電線等からなる電位固定配線と、信号の伝搬に用いられる配線とが斜めに交差して設けられている。このため、信号の伝搬に用いられる配線と電位固定配線との間には、カップリング容量を有することとなる。そして、このカップリング容量により、信号の伝搬に用いられる配線へのノイズの低減や、同信号の伝搬に用いられる配線での信号伝搬速度の調整をすることができる。しかも、電位固定配線と、信号の伝搬に用いられる配線とが斜めに交差して設けられているために、この交差角度によって上記カップリング容量を微調整することができる。したがって、上記構成によれば、より適切な動作特性を確保することができるようになる。
【００１５】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記信号の伝搬に用いられる配線がバス配線であることをその要旨とする。
一般に、バス配線は、その各配線が同層の配線層にて平行に引き回される場合には、それらの間のカップリング容量が大きくなりやすい。したがって、これら配線間に生じるクロストークノイズは、大きなものとなりやすい。
【００１６】
また、バス配線は、その各配線の信号伝搬速度を揃えることが望まれる。しかし、これら各配線が異なる配線層を経由したり、各配線と隣接する配線とのカップリング容量に差が生じたりする場合などには、各配線の寄生抵抗や寄生容量が異なることとなりやすい。
【００１７】
この点、上記構成では、上記電位固定配線とのカップリング容量によってこれら各配線の寄生容量を調整することができる。このため、隣接する配線間のクロストークノイズを低減したり、各配線の信号伝搬速度を揃えたりすることができるようになる。
【００１８】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記信号の伝搬に用いられる配線がクロック配線であることをその要旨とする。
上記構成によれば、上記電位固定配線とのカップリング容量によってクロック配線の寄生容量を調整することができる。このため、クロック配線へのクロストークノイズの影響を低減したり、クロック配線での信号伝搬速度を調整したりすることができるようになる。
【００１９】
請求項４記載の発明は、多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、絶縁層を介して上下関係にある少なくとも２層の配線層間で、一方では、所定の領域に複数の配線が互いに実質的に平行に設けられてなり、他方ではそれら複数の配線のうちの少なくとも一本の配線と斜めに交差する態様で電位固定される配線である電位固定配線が設けられてなることをその要旨とする。
【００２０】
上記構成では、平行に設けられている配線のうちの少なくとも一本の配線と斜めに交差する態様で電位固定される配線である電位固定配線が設けられている。このため、平行に設けられている配線のうちの少なくとも一本の配線と電位固定配線との間には、カップリング容量を有することとなる。そして、このカップリング容量により、平行に設けられている配線のうちの少なくとも一本の配線へのノイズの低減や、同少なくとも一本の配線での信号伝搬速度の調整をすることができる。しかも、電位固定配線が平行に設けられている配線のうちの少なくとも一本の配線と斜めに交差する態様で設けられているために、この交差角度によって上記カップリング容量を微調整することができる。したがって、上記構成によれば、より適切な動作特性を確保することができるようになる。
【００２１】
また、上記平行に設けられている配線は、その規則的なパターンのために当該集積回路の設計時における結線を簡易に行うことを可能とするものである。このため、上記所定の領域の結線を自動配線ツールにて行う場合においては、同ツールのプログラミングの簡易化や、同ツールによる結線時の処理の簡易化を図ることもできる。この際、これら互いに平行に設けられている配線は、その線幅に対する中心線の間隔が、所定の最小間隔の整数倍となるように設定されることが望ましい。これにより、上記自動配線ツールによる結線処理をいっそう簡易に行うことができる。
【００２２】
なお、上記電位固定配線の設けられている配線層においても、該電位固定配線の設けられている領域の周囲の領域では、上記所定の領域において平行に設けられている配線と平行又は直交する態様にて配線が互いに平行に設けられていることが望ましい。更に、この際、これら互いに平行に設けられている配線は、その線幅に対する中心線の間隔が、所定の最小間隔の整数倍となるように設定されることが望ましい。これにより、上記自動配線ツールによる結線処理をいっそう簡易に行うことができる。
【００２３】
請求項５記載の発明は、請求項４記載の発明において、前記少なくとも一本の配線には、バス配線を構成する配線が含まれてなることをその要旨とする。
一般に、バス配線は、その各配線が同層の配線層にて平行に引き回される場合には、それらの間のカップリング容量が大きくなりやすい。したがって、これら配線間に生じるクロストークノイズは、大きなものとなりやすい。
【００２４】
また、バス配線は、その各配線の信号伝搬速度を揃えることが望まれる。しかし、これら各配線が異なる配線層を経由したり、各配線と隣接する配線とのカップリング容量に差が生じたりする場合などには、各配線の寄生抵抗や寄生容量が異なることとなりやすい。
【００２５】
この点、上記構成では、上記電位固定配線とのカップリング容量によってこれらバス配線の寄生容量を調整することができる。このため、隣接する配線間のクロストークノイズを低減したり、各配線の信号伝搬速度を揃えたりすることができるようになる。
【００２６】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の発明において、前記少なくとも一本の配線には、クロック配線が含まれてなることをその要旨とする。
上記構成によれば、上記電位固定配線とのカップリング容量によってクロック配線の寄生容量を調整することができる。このため、クロック配線へのクロストークノイズの影響を低減したり、クロック配線での信号伝搬速度を調整したりすることができるようになる。
【００２７】
請求項７記載の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の発明において、前記電位固定配線は、互いに並列接続された複数の配線からなるとともに、これら各配線が互いに実質的に平行に設けられてなることをその要旨とする。
【００２８】
上記構成では、電位固定配線が、互いに並列接続された複数の配線からなるために、これら配線間隔を調整することによっても、平行に設けられている配線のうちの少なくとも一本の配線と電位固定配線とのカップリング容量を調整することができる。
【００２９】
また、上記互いに並列接続された複数の配線は、平行に設けられている。したがって、その規則的なパターンのために当該集積回路の設計時における結線を簡易に行うことを可能とするものである。このため、上記所定の領域の結線を自動配線ツールにて行う場合においては、同ツールのプログラミングの簡易化や、同ツールによる結線時の処理の簡易化を図ることもできる。なお、この際、これら互いに平行に設けられている配線は、その線幅に対する中心線の間隔が、所定の最小間隔の整数倍となるように設定されることが望ましい。これにより、上記自動配線ツールによる結線処理をいっそう簡易に行うことができる。
【００３０】
請求項８記載の発明は、多層配線構造を有する集積回路の各所望とされる箇所を自動配線ツールにて結線する半導体集積回路の設計方法において、前記多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、絶縁層を介して上下関係にある少なくとも２層の配線層間で、電位固定される配線である電位固定配線と信号の伝搬に用いられる所定の配線とを交差させ、それら上下関係にある各配線の交差角度を通じて、前記信号の伝搬速度及びノイズの影響の度合いの少なくとも一方を調整することをその要旨とする。
【００３１】
上記設計方法では、上下関係にある各配線の交差角度を通じて、前記信号の伝搬速度及びノイズの影響の度合いの少なくとも一方を調整するようにしている。このため、上記所定の配線と電位固定配線とのカップリング容量を調整することができる。そしてこのカップリング容量の調整により、上記所定の配線について、その信号伝搬速度やノイズの影響の度合いの調整を行うことができる。したがって、上記設計方法によれば、設計対象とする半導体集積回路の動作特性をより適切に確保することができるようになる。
【００３２】
請求項９記載の発明は、多層配線構造を有する集積回路の各所望とされる箇所を自動配線ツールにて結線する半導体集積回路の設計方法において、信号伝搬速度及びノイズの影響の度合いの少なくとも一方を調整することを所望する所定の配線の設けられる配線層の上層及び下層の少なくとも一方の配線層に、電位固定された配線である電位固定配線を設ける条件で前記結線を行う工程と、前記所定の配線に対するクロストークノイズの解析及び同所定の配線の信号伝搬速度の解析の少なくとも一方を行う工程と、前記解析の結果に基づき、前記所定の配線に対する前記電位固定配線の交差角度を調整する工程とを備えることをその要旨とする。
【００３３】
上記設計方法では、上記解析の結果に基づいて、所定の配線に対する電位固定配線の交差角度を調整するようにしている。このため、上記解析の結果に基づいて、上記所定の配線と電位固定配線とのカップリング容量を調整することができる。そしてこのカップリング容量の調整により、上記所定の配線について、その信号伝搬速度やノイズの影響の度合いの調整を行うことができる。したがって、上記設計方法によれば、設計対象とする半導体集積回路の動作特性をより適切に確保ことができるようになる。
【００３４】
請求項１０記載の発明は、多層配線構造を有する集積回路の各所望とされる箇所を自動配線ツールにて結線する半導体集積回路の設計方法において、信号伝搬速度及びノイズの影響の度合いの少なくとも一方を調整することを所望する所定の配線の設けられる配線層の上層及び下層の少なくとも一方の配線層に、前記所定の配線と斜めに交差する態様で、電位固定された配線である電位固定配線を設ける条件の下で前記結線を行うに際し、前記電位固定配線に対応した結線に先立って前記所定の配線を用いた結線を行い、該所定の配線を用いた結線の状態から推定される信号伝搬速度及びノイズの影響の少なくとも一方に基づき、前記電位固定配線の交差角度を設定することをその要旨とする。
【００３５】
上記設計方法では、所定の配線を用いて行われた結線の状態から、所定の配線の信号伝搬速度やクロストークノイズについて推定する。そして、上記推定される信号伝搬速度やクロストークノイズに基づき、上記所定の配線に対する電位固定配線の交差角度を調整するようにしている。このため、上記推定される信号伝搬速度やクロストークノイズに基づき、上記所定の配線と電位固定配線とのカップリング容量を調整することができる。そしてこのカップリング容量の調整により、上記所定の配線について、その信号伝搬速度やノイズの影響の度合いの調整を行うことができる。したがって、上記設計方法によれば、設計対象とする半導体集積回路の動作特性をより適切に確保ことができるようになる。
【００３６】
請求項１１記載の発明は、多層配線構造を有する集積回路の各所望とする箇所を自動配線ツールにて結線する半導体集積回路の設計方法において、前記多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、絶縁層を介して上下関係にある少なくとも２層の配線層間で、電位固定される配線である電位固定配線と信号の伝搬に用いられる所定の配線とをオーバーラップさせ、それら上下関係にある各配線のオーバーラップ面積を通じて前記信号の伝搬速度及びノイズの影響の度合いの少なくとも一方を調整することをその要旨とする。
【００３７】
上記設計方法では、上記所定の配線と同電位固定配線とのオーバーラップ面積を調整するようにしている。このため、上記所定の配線と電位固定配線とのカップリング容量を調整することができる。そして、このカップリング容量の調整により、上記所定の配線について、その信号伝搬速度やノイズの影響の度合いの調整を行うことができる。したがって、上記設計方法によれば、設計対象とする半導体集積回路の動作特性をより適切に確保ことができるようになる。
【００３８】
請求項１２記載の発明は、請求項８〜１１のいずれかに記載の発明において、前記所定の配線がバス配線であることをその要旨とする。
一般に、バス配線は、その各配線が同層の配線層にて平行に引き回される場合には、それらの間のカップリング容量が大きくなりやすい。したがって、これら配線間に生じるクロストークノイズは、大きなものとなりやすい。
【００３９】
また、バス配線は、その各配線の信号伝搬速度を揃えることが望まれる。しかし、これら各配線が異なる配線層を経由したり、各配線と隣接する配線とのカップリング容量に差が生じたりする場合などには、各配線の寄生抵抗や寄生容量が異なることとなりやすい。
【００４０】
この点、上記設計方法では、上記電位固定配線とのカップリング容量によってこれら各配線の寄生容量を調整することができる。このため、隣接する配線間のクロストークノイズを低減したり、各配線の信号伝搬速度を揃えたりすることができるようになる。
【００４１】
請求項１３記載の発明は、請求項８〜１１のいずれかに記載の発明において、前記所定の配線がクロック配線であることをその要旨とする。
上記設計方法によれば、上記電位固定配線とのカップリング容量によってクロック配線の寄生容量を調整することができる。このため、クロック配線へのクロストークノイズの影響を低減したり、クロック配線での信号伝搬速度を調整したりすることができるようになる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる半導体集積回路及びその設計方法をスタンダードセル方式の半導体集積回路及びその設計方法に適用した一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００４３】
図１に、本実施形態にかかる半導体集積回路を示す。
図１（ａ）は、本実施形態にかかる半導体集積回路の上面図である。同図１（ａ）に例示するように、当該半導体集積回路８０は、論理回路の形成されている論理回路部８１とアナログ回路の形成されているアナログ回路部８２との２つの領域を備えている。そして、論理回路部８１は、スタンダードセル方式によって、自動配線ツールを用いて形成されている。
【００４４】
図１（ｂ）に、この論理回路部８１の第ｎ層目（ここではｎは、３以上の整数を想定）の配線層の配線を、また、図１（ｃ）に、同論理回路部８１の第（ｎ＋１）層目の配線層の配線を模式的に示す。
【００４５】
図１（ｂ）に模式的に示すように、第ｎ層目の配線層において実質的に平行に設けられている配線（Ｌａ１〜Ｌａ７）は、その線幅に対する中心線の間隔が所定の最小間隔Ｐａの整数倍に設定されている。すなわち、配線Ｌａ２及び配線Ｌａ３間、配線Ｌａ３及び配線Ｌａ４間、配線Ｌａ４及び配線Ｌａ５間の間隔はいずれも「Ｐａ」であり、これは最小間隔Ｐａの「１」倍である。また、配線Ｌａ１及び配線Ｌａ２間、配線Ｌａ５及び配線Ｌａ６間、配線Ｌａ６及び配線Ｌａ７間の間隔は「２Ｐａ」であり、これは最小間隔「Ｐａ」の「２」倍である。
【００４６】
一方、図１（ｃ）に例示するように、第（ｎ＋１）層目の配線層において実質的に平行に設けられている配線（Ｌｂ１〜Ｌｂ１３）は、その線幅に対する中心線の間隔が所定の最小間隔Ｐｂの整数倍に設定されている。すなわち、配線Ｌｂ９及び配線Ｌｂ１０間、配線Ｌｂ１０及びＬｂ１１間等の間隔は「Ｐｂ」であり、これは最小間隔「Ｐｂ」の「１」倍である。また、配線Ｌａ８及び配線Ｌａ９間、配線Ｌｂ１１及びＬｂ１２間等の間隔は「２Ｐｂ」であり、これは最小間隔「Ｐｂ」の「２」倍である。
【００４７】
また、この図１（ｃ）に例示する第（ｎ＋１）層目の配線層において実質的に平行に設けられている配線（Ｌｂ１〜Ｌｂ１３）は、第ｎ層目の配線層の配線（その線幅方向に直交する方向をＹ方向とする）と直交する方向（Ｘ方向）に沿って設けられている。
【００４８】
更に、図１（ｃ）に例示するように、第（ｎ＋１）層目の配線層においては、これら平行に設けられている配線（Ｌｂ１〜Ｌｂ１３）に加えて、これに対して斜めに設けられている配線（Ｌｂ１４〜Ｌｂ１６）を備えている。ここで、上記第ｎ層目の配線Ｌａ２〜Ｌａ５の第（ｎ＋１）層目の配線層への垂直投影図は、配線Ｌｂ１４〜Ｌｂ１６と斜めに交差することとなる。
【００４９】
そして、上記斜めに敷設されている配線Ｌｂ１４〜Ｌｂ１６は、配線Ｌｂ１、Ｌｂ２、Ｌｂ４、Ｌｂ９、Ｌｂ１１、Ｌｂ１２を介して接地されている。このため、これら配線Ｌｂ１４〜Ｌｂ１６は、電位固定された電位固定配線となっている。
【００５０】
なお、本実施形態においては、第（ｎ−１）層目の配線層についても、第（ｎ＋１）層目の配線層の配線同様、第ｎ層目の配線層の配線Ｌａ〜Ｌａ７等と直交する態様にて配線が互いに実質的に平行に設けられている。更に、この第（ｎ−１）層目の配線層についても、第ｎ層の配線Ｌａ２〜Ｌａ５の投影図と斜めに交差する配線を有するとともに、これら配線は接地されることで電位固定される電位固定配線となっている。
【００５１】
そして、上記第（ｎ＋１）層目及び第（ｎ−１）層目の配線層の電位固定配線は、互いに平行に設けられていると共に、それらの線幅に対する中心線の間隔が所定の最小単位の整数倍となっている。
【００５２】
図２に、本実施形態にかかる半導体集積回路の多層配線構造について示す。図２において、配線Ｌａ２〜Ｌａ５の設けられている第ｎ層目の配線層の絶縁層を介した上層及び下層には、電位固定配線としての配線Ｌｂ１４やＬｃ１が設けられている。更に、第（ｎ−２）層目の配線層や第（ｎ＋２）層目の配線層には、信号の伝搬にかかる配線Ｌｄ１、Ｌｄ２やＬｅ１が設けられている。ちなみに、本実施形態では、上記配線Ｌａ２〜Ｌａ５は、バス配線となっている。
【００５３】
すなわち、本実施形態では、基本的に隣接する配線層毎に交互にＸ方向、Ｙ方向に沿ったかたちで所定の最小間隔の整数倍の配線間隔にて配線が設けられている。そして、バス配線を構成する上記配線Ｌａ２〜Ｌａ５の設けられている第ｎ層目の配線層と隣接する層である第（ｎ＋１）層目及び第（ｎ−１）層目の配線層には、これらへの上記配線Ｌａ２〜Ｌａ５と斜めに交差するようにして電位固定配線が設けられている。
【００５４】
このため、バス配線を構成する上記配線Ｌａ２〜Ｌａ５の寄生容量は、これら配線Ｌａ２〜Ｌａ５と第（ｎ＋１）層目の配線層の電位固定配線との間のカップリング容量や、これら配線Ｌａ２〜Ｌａ５と第（ｎ−１）層目の電位固定配線との間のカップリング容量を含んだものとなっている。そして、上記配線Ｌａ２〜Ｌａ５は、上記カップリング容量によって同配線Ｌａ２〜Ｌａ５の寄生容量が調整されることで、その信号伝搬速度や、隣接する配線によるクロストークノイズの影響が調整されたものとなっている。
【００５５】
すなわち、上記配線Ｌａ２〜Ｌａ５と上記電位固定配線とのカップリング容量は、第（ｎ＋１）層目や第（ｎ−１）層目への上記配線Ｌａ２〜Ｌａ５の鉛直投影図と電位固定配線とのオーバーラップ面積でほぼ決まると見てよい。そして、このオーバーラップ面積によって、上記カップリング容量が調整されている。
【００５６】
次に、上記半導体集積回路の設計のうち、特に上記論理回路部８１の設計について説明する。
ここでは、まず上記設計を支援する設計支援装置について説明する。図３は、本実施形態にかかる設計支援装置の構成を示すブロック図である。なお、この支援装置はスタンダードセル方式の設計を支援する装置として構成されている。
【００５７】
図３において、ライブラリ１０は、半導体集積回路を構成すべき各種機能セルのセル情報や、それら機能セルの遅延情報、セットアップ及びホールドタイムに関する制約情報等、それら機能セルの性能情報が格納される部分である。ここで、各種機能セルは、論理演算素子（論理積、論理和、排他的論理和、排他的論理積、否定等）やフリップフロップ、ＲＡＭ等のメモリ、Ａ／Ｄ等のアナログ素子等又はそれらを用いて形成される回路である。更に、ライブラリ１０は、上記各機能セルの面積情報等、同機能セルのレイアウトに関する情報が格納される部分でもある。このライブラリ１０は、ハードディスク装置等の記憶装置によって構成されている。
【００５８】
また、設計仕様格納部１２は、例えばハードウェア記述言語（ＨＤＬ）で記述された半導体集積回路の機能及び構造に関する情報が格納される部分である。詳しくは、この設計仕様格納部１２は、ゲートレベルの回路情報、すなわち、上記ライブラリ１０で定義されるセルのうち、使用されるセルの種類や数並びにこれらの結線情報が格納される部分である。この設計仕様格納部１２も、ハードディスク装置等の記憶装置によって構成されている。
【００５９】
更に、プロセスパラメータ１４は、指定されたデザインルール（製造工程における最小加工精度に関する規定、素子サイズや最小配線間隔等を規定するルール）に応じた素子特性や、材質毎の配線特性等に関する情報が格納される部分である。このプロセスパラメータ１４も、ハードディスク装置等の記憶装置によって構成されている。
【００６０】
これに対し、自動配置部２０と、自動配線部２２とは、レイアウト設計を行う部分である。すなわち、自動配置部２０は、上記機能セルの自動配置を行う部分であり、自動配線部２２は、それら配置された機能セル間の結線を行う部分である。これら上記機能セルの自動配置、及びそれら配置された機能セル間の結線は、上記機能セルに対応する上記ライブラリ１０の有するレイアウトデータや上記設計仕様格納部１２の有する情報を用いて行なわれる。なお、上記自動配置部２０や自動配線部２２は、ハードディスク装置、あるいはＲＯＭやＲＡＭ等の半導体メモリに、セル配置の実行手順や結線実行手順に関するプログラムが記録された記憶装置と、同プログラムによって稼働する中央処理装置とによって構成されている。
【００６１】
上記自動配線部２２で生成された回路のネットリストは、クロストークノイズ・タイミング解析部３０に供給される。このネットリストは、階層構造を保持しており、各機能セルから構成される機能ブロック内のネットリストと機能ブロック間のネットリストとからなる。
【００６２】
ここで、クロストークノイズ・タイミング解析部３０では、上記ネットリストとプロセスパラメータ１４とに基づき、クロストークノイズの解析を行う。また、クロストークノイズ・タイミング解析部３０は、上記ネットリストに表される全ての論理回路の構造（ネットリスト情報）と各論理回路間の全ての接続情報（ファンアウト数）とを解析して、当該回路各部のタイミング解析を行う。このタイミング解析に際しては、上記プロセスパラメータ１４の有する情報も用いられる。
【００６３】
なお、上記クロストークノイズ・タイミング解析部３０は、ハードディスク装置、あるいはＲＯＭやＲＡＭ等の半導体メモリに、セル配置の実行手順や結線実行手順に関するプログラムが記録された記憶装置と、同プログラムによって稼働する中央処理装置とによって構成されている。
【００６４】
電位固定配線用グリッド設定部４０は、上記電位固定配線を敷設する際に用いるグリッドを設定する部分である。この電位固定配線用グリッド設定部４０も、ハードディスク装置、あるいはＲＯＭやＲＡＭ等の半導体メモリに、セル配置の実行手順や結線実行手順に関するプログラムが記録された記憶装置と、同プログラムによって稼働する中央処理装置とによって構成されている。
【００６５】
その他、入力部５０は、タッチペンやキーボード、マウス等の入力装置からなって、レイアウト設計のための各種情報や命令を入力する部分である。また、フロア表示部５２は、上記入力情報やレイアウト図等を可視表示する部分である。一方、制御部５４は、このフロア表示部５２をはじめ、上述した自動配置部２０、自動配線部２２、クロストークノイズ・タイミング解析部３０、電位固定配線用グリッド設定部４０等の動作を統轄する部分である。
【００６６】
上記構成を有する設計支援装置を用いて、半導体集積回路の設計が行われる。特に、本実施形態では、バス配線の各配線の寄生容量を調整しつつ半導体集積回路の設計を行う。
【００６７】
ここで、こうした設計支援装置を用いて行われる本実施形態にかかる半導体集積回路の結線にかかる処理手順について図４を用いて説明する。
この一連の手順においては、まずステップ１００において、上記設計仕様格納部１２に格納されたゲートレベルの回路情報が自動配置部２０に入力される。そして、自動配置部２０では、このゲートレベルの回路情報に基づき機能セルの自動配置が行われる。
【００６８】
次に、ステップ１１０では、各機能セルを結線するバス配線についてそれらが設けられる配線層及び同配線層内における領域が上記自動配線部２２において指定される。ここでは、例えば上記設計仕様格納部１２の回路情報等を用いてバス配線が特定されるとともに、上記自動配置部２０の配置結果等に基づき各バス配線の設けられる配線層及び同配線層内の領域が指定される。ここで、バス配線の設けられる所定の領域が複数の層に跨る場合は、バス配線の設けられる配線層が隣接する２層となって且つ互いに垂直方向への投影領域がオーバーラップするようなことがないように指定がなされる。すなわち、例えば第ｎ層目の配線層の所定の領域をバス配線の設けられる領域として指定する場合、それに隣接する配線層である第（ｎ＋１）層目の配線層と第（ｎ−１）層目の配線層における上記所定の領域に対応する領域は、バス配線の設けられる領域とはならないように設定がなされる。
【００６９】
また、本実施形態では、バス配線の設けられる配線層は、その上層及び下層に電位固定配線を設けるべく、中間の配線層としている。
次に、ステップ１２０においては、上記自動配線部２２により、上記バス配線を用いた機能ブロック間の結線が行われる。ちなみに、この自動配線部２２は、図５に示す配線用グリッドを用いて結線処理を行う。これは、同図５（ａ）に示すように、配線Ｗの線幅（２δ）に対する中心線を規定するものである。また、上記配線用グリッドは、所定の間隔Δ毎に設定されている。
【００７０】
更に、上記半導体集積回路は、多層配線構造を有しているため、同図５（ｂ）に示すように、破線で示されるグリッドは、各層においては所定の間隔毎に平行に設定され、また、隣接する層間では互いに直交するように設定されている。
【００７１】
このため、こうした配線用グリッドを用いることで、先の図１に示したように、各配線層の配線は互いに平行に設けられるとともに、隣接する配線層の配線は互いに直交するようにして設けられることとなる。更に、これら各配線層の配線は、その線幅に対する中心線の間隔が、上記グリッドの所定の間隔Δに対応する所定の最小間隔Ｐａ、Ｐｂの整数倍となる。
【００７２】
ちなみに、この所定の間隔Δは、リソグラフィ技術等、製造工程における最小加工精度に基づき設定される。そして、この所定の間隔Δは、配線層毎に各別に設定することも可能となっている。
【００７３】
こうしてバス配線を用いた機能ブロック間の結線が行われると、ステップ１３０に移行する。
ステップ１３０では、結線に用いられた配線であるバス配線を構成する各配線の寄生抵抗や、各配線間のカップリング容量を抽出する。
【００７４】
ここで、各配線間のカップリング容量は、バス配線を構成する配線が同バス配線を構成する他の配線から受けるクロストークノイズの影響を推定するためのパラメータとなる。また、このカップリング容量や、配線の寄生抵抗は、バス配線を構成する各配線の信号伝搬速度を推定するためのパラメータとなる。
【００７５】
更に、ステップ１４０では、上記ステップ１２０にてバス配線の敷設された配線層の上層及び下層において、これら各層へのバス配線の投影図と斜めに交差する態様にて上述した電位固定配線を敷設する。そして、このステップ１４０では、上記ステップ１３０からの引き続きの処理である場合には、電位固定配線の敷設態様を、上記ステップ１３０において抽出されたカップリング容量や寄生抵抗に基づいて行う。以下、これについて更に説明する。
【００７６】
ここでは、まず、電位固定配線用グリッド設定部４０において、図６に２点鎖線にて囲われた電位固定配線の形成領域ＶＨＡ内において、電位固定配線の敷設状態を規定するためのグリッドＳＧを選択する。このグリッドＳＧは、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、電位固定配線の形成領域ＶＨＡの端部において、Ｘ方向に平行に設定されているグリッドＸＧと一致するように設定されている。ちなみに、図６（ａ）に示す電位固定配線用のグリッドＳＧは、Ｘ方向に平行に設定されているグリッドＸＧと２つおきにつながることで、交差角度が規定されている。また、図６（ｂ）に示す電位固定配線用のグリッドＳＧは、Ｘ方向に平行に設定されているグリッドＸＧと３つおきにつながることで、交差角度が規定されている。
【００７７】
このように、電位固定配線の形成領域ＶＨＡの端部におけるグリッドＸＧとの接続態様によって、図６（ａ）や図６（ｂ）に示すようにその交差角度が複数に設定可能なグリッドＳＧの中から１つのグリッドを選択することで、電位固定配線の交差角度が決定されることとなる。
【００７８】
ちなみに、この交差角度によって、バス配線の垂直投影図との交差角度θ（０°＜θ＜９０°）も決定される。そして、これにより、バス配線と電位固定配線とのカップリング容量が決定されることとなる。すなわち、これらバス配線と電位固定配線とのカップリング容量は、電位固定配線の設けられる層へのバス配線の垂直投影図と電位固定配線とのオーバーラップ面積によってほぼ決定される。そして、このオーバーラップ面積は、バス配線に対する電位固定配線の上記交差角度θによって決定されることとなる。
【００７９】
ここでは、例えばバス配線と電位固定配線とのカップリング容量を小さくしたい場合には、図７（ａ）に示すように、バス配線を構成する配線Ｌａ２〜Ｌａ４に対して電位固定配線を構成する配線Ｌｂ１４〜Ｌｂ１６を極力垂直となるようにする。換言すれば、バス配線を構成する配線Ｌａ２〜Ｌａ４に対する電位固定配線を構成する配線Ｌｂ１４〜Ｌｂ１６の交差角度θを「９０°」に近づけるようにする。
【００８０】
また、バス配線と電位固定配線とのカップリング容量を大きくしたい場合には、図７（ｂ）に示すように、バス配線を構成する配線Ｌａ２〜Ｌａ４に対して電位固定配線を構成する配線Ｌｂ１４〜Ｌｂ１６を極力平行となるようにする。換言すれば、バス配線を構成する配線Ｌａ２〜Ｌａ４に対する電位固定配線を構成する配線Ｌｂ１４〜Ｌｂ１６の交差角度θを「０°」に近づけるようにする。
【００８１】
このように、バス配線に対する電位固定配線の交差角度を調整することで、図７にハッチングにて示すバス配線の垂直投影図と電位固定配線とのオーバーラップ面積を調整することができる。
【００８２】
更に、これら電位固定配線の配線間隔を調整することで、バス配線と電位固定配線とのカップリング容量を調整するようにしてもよい。すなわち、バス配線と電位固定配線とのカップリング容量を小さくしたい場合には、図８（ａ）に示すように、電位固定配線を構成する配線Ｌｂ１４、Ｌｂ１５の配線間隔を大きくする。これに対し、例えばバス配線と電位固定配線とのカップリング容量を大きくしたい場合には、図８（ｂ）に示すように、電位固定配線を構成する配線Ｌｂ１４、Ｌｂ１５、Ｌｂ１６の配線間隔を小さくする。
【００８３】
なお、ここでは、バス配線へのクロストークノイズを低減したいほど、上記バス配線と電位固定配線とのカップリング容量を大きくする。また、バス配線の信号伝搬速度を早めたいときほど、上記バス配線と電位固定配線とのカップリング容量を小さくする。
【００８４】
こうしてグリッドが決定されると、同ステップ１４０において、上記自動配線部２２により、このグリッドを使用した電位固定配線の敷設が行われる。
続いて、ステップ１５０においては、半導体集積回路内の全ての結線を行う。すなわち、例えば電位固定配線と接地との結線等が行われることとなる。ちなみに、この結線にかかる処理は、先の図５に示したものと同様、Ｘ方向及びＹ方向に規定されたグリッドを用いて行う。
【００８５】
こうしてステップ１５０において、全ての結線が終了すると、ステップ１６０に移行する。ステップ１６０では、上記クロストークノイズ・タイミング解析部３０によって、クロストークノイズ解析やタイミング解析が行われる。
【００８６】
ここで、クロストークノイズ解析は、例えば次のようにして行う。すなわち、クロストークノイズの解析の対象となる配線について、図９に示す基板とのカップリング容量Ｃ０や、これと隣接配線とのカップリング容量Ｃｍをそれぞれピックアップする。更に、クロストークノイズの解析の対象となる配線について、図９に示す配線抵抗Ｒ１、Ｒ２、隣接配線を駆動するドライバＤ１の駆動能力、対象となる配線を駆動するドライバＤ２の駆動能力、及び各ドライバを駆動するタイミング等をそれぞれピックアップする。そして、これらから対象となる配線に生じるクロストークノイズを、電圧値又は当該半導体集積回路のシステム電圧に対するノイズ電圧の割合として算出する。
【００８７】
また、タイミング解析については、基本的には、クロストークノイズを考慮しつつ、設計対象となる半導体集積回路内の各順序回路間の信号の伝搬時間（信号伝搬速度）を算出するなどして行う。以下、これについて更に詳述する。
【００８８】
このタイミング解析は、基本的には、隣接する配線の一方と他方とでの電位遷移について、それらが互いに同一方向であるときと反対方向にあるときとの双方にて算出される遅延変動量に基づいて行う。すなわち、隣接する配線の一方と他方とでの電位遷移が互いに同一方向であるときには、クロストークノイズがない場合と比較して信号遷移時間が短くなる。これに対し、隣接する配線の一方と他方とでの電位遷移が互いに逆方向であるときには、クロストークノイズがない場合と比較して信号遷移時間が長くなる。そこで、隣接する配線の一方と他方とでの様々な電位遷移によって生じる遅延変動を反映させるために、上記双方にて算出される遅延変動量に基づいてタイミング解析を行うようにする。
【００８９】
こうしてクロストークノイズ解析及びタイミング解析が行われると、ステップ１７０ではこれら解析結果が許容範囲にあるか否かを判断する。ここでは、クロストークノイズ解析によって解析されるクロストークノイズの値が所定の上限値以下にあるか否かを判断するとともに、タイミング解析の結果、信号伝搬速度が許容値であるか否かを判断する。ちなみに、クロストークノイズの上限値は、例えば順序回路の出力論理信号が論理反転を引き起こしたりすることのないような値に設定される。また、信号伝搬速度についての許容値とは、当該集積回路の所望とする動作周波数に対する実際の動作周波数のずれが許容範囲を超えることがないような値に設定される。
【００９０】
そして、ステップ１７０において、上記解析結果が許容範囲にないと判断されたときには、先のステップ１４０〜ステップ１７０の処理を繰り返すこととなる。なお、この際、ステップ１４０では、電位固定配線のためのグリッドの変更がなされる。
【００９１】
こうして、上記態様にてバス配線に対する電位固定配線の交差角度を調整することで、バス配線と電位固定配線とのカップリング容量を適切な値に調整することができる。ちなみに、バス配線等の信号の伝搬にかかる配線と電位固定配線とのカップリング容量と、配線遅延、クロストークノイズとの関係は、図１０に示されるごとくである。すなわち、図１０に実線で示す信号伝搬にかかる遅延量は、カップリング容量が大きくなるほど増大する。一方、図１０に破線にて示すクロストークノイズは、カップリング容量が大きくなるほど小さくなる。
【００９２】
したがって、上記ステップ１４０〜１７０の処理によって、クロストークノイズを低減しつつも、信号伝搬速度を極力低下させないような調整を行う。
そして、ステップ１７０において、上記解析結果が許容範囲であると判断されるとこの一連の処理を終了する。
【００９３】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。
（１）バス配線と斜めに交差するようにして電位固定配線を設けた。このため、バス配線と電位固定配線とのカップリング容量を微調整することができるようになる。
【００９４】
（２）バス配線を用いた結線の行われた後に、バス配線の寄生抵抗やバス配線間のカップリング容量を抽出するようにした。このため、バス配線の信号伝搬速度やクロストークノイズについて推定することができるようになる。
【００９５】
（３）バス配線を用いた結線の後、バス配線の寄生抵抗やバス配線間のカップリング容量の抽出結果に基づき、電位固定配線の敷設態様を決定した。これにより、電位固定配線を、これとバス配線とのカップリング容量が適切な値となるようにして敷設することができる。したがって、その後の詳細配線の後、クロストークノイズや信号伝搬速度が許容範囲から外れる可能性を低減することができるようになる。
【００９６】
（４）詳細配線後、クロストークノイズ解析やタイミング解析の解析結果が許容範囲にないと判断されると、バス配線に対する電位固定配線の交差角度θを変更するようにした。これにより、バス配線についてクロストークノイズが上限値を上回ったり、信号伝搬速度が許容値から外れたりした場合であれ、これを簡易に補正することができるようになる。
【００９７】
（５）電位固定配線とバス配線とのカップリング容量の設定に際し、電位固定配線間の配線間隔の変更を併用した。これにより、上記カップリング容量の調整にかかる自由度を向上させることができる。
【００９８】
（６）電位固定配線を所定の間隔にて互いに平行に設けられた配線とした。これにより、電位固定配線の設計が容易となると共に、同電位固定配線とバス配線とのカップリング容量の算出も簡易に行うことができるようになる。
【００９９】
（７）論理回路部８１を、基本的には、所定の最小間隔の整数倍に設定されたストライプ状のグリッドを用いて設計すると共に、このグリッドをＸ軸方向及びＹ軸方向という互いに直交する２方向に設定することとした。これにより、自動配線部２２の演算負荷やプログラム容量を低減しつつ、簡易に自動配線を行うことができるようになる。
【０１００】
なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・必ずしも電位固定配線の敷設前に、敷設されたバス配線からカップリング容量や寄生抵抗を抽出する処理を行わなくてもよい。この場合であれ、詳細配線後、クロストークノイズ解析やタイミング解析の結果に基づいて、バス配線に対する電位固定配線の交差角度を調整することで、バス配線と電位固定配線とのカップリング容量を適切な値とすることはできる。
【０１０１】
・電位固定配線の敷設前に敷設する配線は、必ずしもバス配線のみとするものでなくてもよい。電位固定配線の敷設領域を確保しておくとの条件の下、電位固定配線及びこれと接地間を結線する配線以外の任意の配線を敷設してよい。
【０１０２】
・電位固定配線用のグリッドＳＧは、必ずしもＸ方向（Ｙ方向）に沿ったグリッドＸＧと形成領域ＶＨＡの端部で一致するものに限らない。この場合、例えば先の図６において、形成領域ＶＨＡの端部にＹ方向のグリッドを設けることで、電位固定配線用のグリッドＳＧと上記グリッドＸＧとを連結することができる。
【０１０３】
・電位固定配線の敷設とバス配線を用いた結線とを同時に行ってもよい。すなわち、例えば自動配置後、電位固定配線及びバス配線の形成領域を指定すると共に、全ての結線を同時に行ってもよい。これによっても、その後、クロストークノイズ解析やタイミング解析の解析結果に基づいて、バス配線と電位固定配線とのカップリング容量を調整することは有効である。
【０１０４】
・電位固定配線としては、接地電位に固定されるものに限らない。例えば電源電位の高電位側の電位に固定されるものであってもよい。また、複数の電位固定配線を備える場合、これら各配線の電位は必ずしも同一としなくてもよい。
【０１０５】
・複数の電位固定配線は、必ずしも互いに所定の最小間隔の整数倍の配線間隔で互いに平行に設けられるものに限らない。
・信号伝搬速度及びノイズの影響の度合いの少なくとも一方を調整することを所望する所定の配線としては、バス配線に限らない。例えばクロック配線でもよい。
【０１０６】
・上記電位固定配線とバス配線等、信号の伝搬に用いられる配線とのカップリング容量の調整は、必ずしもバス配線に対する電位固定配線の交差角度によるものに限らない。要は、バス配線に対する電位固定配線のオーバーラップ面積を調整することができればよい。このオーバーラップ面積の調整は、例えば、電位固定配線の配線幅の調整によっても行うことができる。
【０１０７】
・電位固定配線は、必ずしも複数備える必要はなく一本でもよい。
・半導体集積回路のうち、自動配線ツールにて結線のなされるのは、論理回路に限らない。また、自動配線ツールを用いない回路としては、アナログ回路に限らず、入出力回路や、メモリ回路等でもよい。
【０１０８】
・更に、半導体集積回路の設計手法としては、上記スタンダードセルを用いたものに限らない。この場合であれ、信号の伝搬に用いられる配線に対する電位固定配線の交差角度を調整することで、同信号の伝搬に用いられる配線と電位固定配線とのカップリング容量を調整することは有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる半導体集積回路の一実施形態の構成を模式的に示す図。
【図２】同実施形態の多層配線構造を示す断面図。
【図３】同実施形態にかかる半導体集積回路の設計を支援する装置の全体構成を示すブロック図。
【図４】同実施形態にかかる半導体集積回路の設計手順を示すフローチャート。
【図５】同実施形態にかかる自動配線に用いられるグリッドを示す図。
【図６】同実施形態における電位固定配線用のグリッドを示す図。
【図７】バス配線と電位固定配線との敷設例を示す図。
【図８】バス配線と電位固定配線との敷設例を示す図。
【図９】同実施形態のクロストークノイズ解析手法を説明するための図。
【図１０】カップリング容量と、遅延時間及びクロストークノイズとの関係を示す図。
【符号の説明】
１０…ライブラリ、１２…設計仕様格納部、１４…プロセスパラメータ、２０…自動配置部、２２…自動配線部、３０…クロストークノイズ・タイミング解析部、４０…電位固定配線用グリッド設定部、５０…入力部、５２…フロア表示部、５４…制御部、８０…半導体集積回路、８１…論理回路部、８２…アナログ回路部。

Claims (13)

1. 多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、絶縁層を介して上下関係にある少なくとも２層の配線層間で、電位固定される配線である電位固定配線と、信号の伝搬に用いられる配線とが斜めに交差して設けられてなることを特徴とする半導体集積回路。
2. 前記信号の伝搬に用いられる配線がバス配線である
   請求項１記載の半導体集積回路。
3. 前記信号の伝搬に用いられる配線がクロック配線である
   請求項１記載の半導体集積回路。
4. 多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、絶縁層を介して上下関係にある少なくとも２層の配線層間で、一方では、所定の領域に複数の配線が互いに実質的に平行に設けられてなり、他方ではそれら複数の配線のうちの少なくとも一本の配線と斜めに交差する態様で電位固定される配線である電位固定配線が設けられてなることを特徴とする半導体集積回路。
5. 前記少なくとも一本の配線には、バス配線を構成する配線が含まれてなる
   請求項４記載の半導体集積回路。
6. 前記少なくとも一本の配線には、クロック配線が含まれてなる
   請求項５記載の半導体集積回路。
7. 前記電位固定配線は、互いに並列接続された複数の配線からなるとともに、これら各配線が互いに実質的に平行に設けられてなる
   請求項１〜６のいずれかに記載の半導体集積回路。
8. 多層配線構造を有する集積回路の各所望とされる箇所を自動配線ツールにて結線する半導体集積回路の設計方法において、
   前記多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、絶縁層を介して上下関係にある少なくとも２層の配線層間で、電位固定される配線である電位固定配線と信号の伝搬に用いられる所定の配線とを交差させ、それら上下関係にある各配線の交差角度を通じて、前記信号の伝搬速度及びノイズの影響の度合いの少なくとも一方を調整する
   ことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
9. 多層配線構造を有する集積回路の各所望とされる箇所を自動配線ツールにて結線する半導体集積回路の設計方法において、
   信号伝搬速度及びノイズの影響の度合いの少なくとも一方を調整することを所望する所定の配線の設けられる配線層の上層及び下層の少なくとも一方の配線層に、電位固定された配線である電位固定配線を設ける条件で前記結線を行う工程と、
   前記所定の配線に対するクロストークノイズの解析及び同所定の配線の信号伝搬速度の解析の少なくとも一方を行う工程と、
   前記解析の結果に基づき、前記所定の配線に対する前記電位固定配線の交差角度を調整する工程とを備える
   ことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
10. 多層配線構造を有する集積回路の各所望とされる箇所を自動配線ツールにて結線する半導体集積回路の設計方法において、
    信号伝搬速度及びノイズの影響の度合いの少なくとも一方を調整することを所望する所定の配線の設けられる配線層の上層及び下層の少なくとも一方の配線層に、前記所定の配線と斜めに交差する態様で、電位固定された配線である電位固定配線を設ける条件の下で前記結線を行うに際し、前記電位固定配線に対応した結線に先立って前記所定の配線を用いた結線を行い、該所定の配線を用いた結線の状態から推定される信号伝搬速度及びノイズの影響の少なくとも一方に基づき、前記電位固定配線の交差角度を設定する
    ことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
11. 多層配線構造を有する集積回路の各所望とする箇所を自動配線ツールにて結線する半導体集積回路の設計方法において、
    前記多層配線構造を構成する複数の配線層のうち、絶縁層を介して上下関係にある少なくとも２層の配線層間で、電位固定される配線である電位固定配線と信号の伝搬に用いられる所定の配線とをオーバーラップさせ、それら上下関係にある各配線のオーバーラップ面積を通じて前記信号の伝搬速度及びノイズの影響の度合いの少なくとも一方を調整する
    ことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
12. 前記所定の配線がバス配線である
    請求項８〜１１のいずれかに記載の半導体集積回路の設計方法。
13. 前記所定の配線がクロック配線である
    請求項８〜１１のいずれかに記載の半導体集積回路の設計方法。

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