JP2004192802A - 光ピックアップ - Google Patents

Abstract

【課題】数ｍＷ程度の短波長光源を用いて、記録再生可能な高密度・高転送レートの光ディスクシステムに必要な光ピックアップを実現する。
【解決手段】ＳＨＧブルーレーザ１から出射されたブルー光は、コリメートレンズ２により平行光に変換される。平行化されたブルー光は、偏光ビームスプリッタ３及びλ／４板４を透過後、対物レンズ５により光ディスク６上に導かれる。光ディスク６上での反射した信号光は、偏光ビームスプリッタ３で９０度曲げられ、検出レンズ７とシリンドリカルレンズ８を透過し、アバランシェ・フォト・ダイオード（ＡＰＤ）から構成される受光素子９に導かれる。受光素子９は４分割構造になっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、情報を記録再生する高密度光ディスクシステムに関するものである。

波長７８０ｎｍ帯の近赤外半導体レーザを用いた相変化型光ディスクシステム（以下、ＰＣ光ディスクと記す）や光磁気ディスクシステム（以下、ＭＯ光ディスクと記す）が広く普及している。また最近では、波長６７０ｎｍの赤色半導体レーザを用いたディジタルビデオディスクシステム（以下、ＤＶＤと記す）の開発も活発であり、５Ｇバイトの記録容量を有するＲＯＭ（読み出し専用）システムが今後普及すると思われる。

今後のマルチメディア時代に対して要望されていることは、光ディスクの高転送レート化及び高密度化である。高密度化を実現するためには、さらなる光源の短波長化が必要となる。短波長化技術として、近赤外半導体レーザと擬位相整合（以下、ＱＰＭと記す）方式の分極反転型導波路（非特許文献２参照））デバイスを用いた第２高調波発生（以下、ＳＨＧと記す）がある。

分極反転型導波路デバイスを用いたブルー光源の概略構成図をそれぞれ図８に示す。概略構成図８において１５は０．８５μｍ帯の１００ｍＷ級ＡｌＧａＡｓ系ＤＢＲ（分布ブラッグ反射型）半導体レーザ、１６はＮ.Ａ.＝０.５のコリメートレンズ、１７はλ／２板、１８はＮ.Ａ.＝０.５のフォーカシングレンズである。ＬｉＴａＯ_３基板１９上には光導波路２０と周期的に分極反転領域２１が形成されている。コリメートレンズ１６で平行になったレーザ光は、λ／２板１７で偏向方向を回転され、フォーカシングレンズ１８で分極反転型導波路デバイス２２の光導波路２０の端面に集光され、分極反転領域２１をもつ光導波路２０を伝パンし、光導波路２０の出射端面より高調波と変換されなかった基本波が出射される。ＤＢＲ半導体レーザ１５のＤＢＲ部を制御し、ＤＢＲ半導体レーザ１５の波長は分極反転型導波路デバイス２２の位相整合波長許容度内に固定される。ＤＢＲ半導体レーザ１５の光導波路６内への入射光強度７０ｍＷに対し、波長４２５ｎｍのブルー光が３ｍＷ程度得られている。
１９９４年、秋期応用物理学会、１９ａ−Ｓ−７ 山本他、Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ.１６， Ｎｏ.１５， １１５６（１９９１）

現在、普及している５インチのＰＣやＭＯ光ディスクの記録容量は６４０Ｍバイト程度で、今後マルチメディア時代を迎えるにあたり、大容量の記録密度、高い転送レートを有する記録再生装置が必要不可欠になると思われる。記録密度を向上させる手段として、光源の短波長化、集光レンズの高ＮＡ（開口数）化などがある。高ＮＡの集光レンズは量産化が難しく、またシステムの安定性の面においても不利である。それに対し、波長４００ｎｍ帯の短波長ブルー光源を用いると、波長だけで現行の４倍の記録密度を達成できる。今後、さらなる高密度化が期待される。

波長４００ｎｍ帯のブルー光源を実現できる手段として、半導体レーザを用いたＳＨＧ技術がある。現在のところ、出力数ｍＷの波長４３０ｎｍのブルー光が得られている。ＳＨＧ技術の課題は、ブルー光への変換効率が数％程度と小さいことである。再生専用（ＲＯＭ）光ディスクの再生では、光ディスク上で数百μＷ必要であり、１ｍＷ程度の光源出力で十分再生可能である。しかしながら、ＰＣ及びＭＯ光ディスクの再生や、さらに高転送レートでの再生を行うためには、数ｍＷ〜１０ｍＷ程度のブルー光出力が必要となる。また、受光素子の感度は量子効率の関係から、波長に比例して短波長光に対する感度は悪くなる。そのため、ＳＨＧ光源において、基本波である半導体レーザの高出力動作や、波長変換素子の高効率化が必要となる。一方、光ディスクシステムの低コスト化や高い信頼性を図るためには、半導体レーザの出力をできるだけ低くすることが望まれる。

本発明は以上示した、高密度で高転送レートで作動する記録再生システムの課題を克服し、高密度・高転送レートの光ディスクシステムを提供するものである。

上記課題を解決するため本発明は、少なくとも光源と、光ディスクに光源からの光を導くための集光光学系と、光ディスクからの再生信号光を検出するための受光素子を有し、受光素子がアバランシェ・フォト・ダイオード（ＡＰＤ）から構成された光ピックアップを提供するものである。

以上のように、本発明は少なくとも光源と、光ディスクに光源からの光を導くための集光光学系と、光ディスクからの再生信号光を検出するための受光素子を有し、受光素子がアバランシェ・フォト・ダイオード（ＡＰＤ）から構成されることにより、高密度・高転送レートの光ディスク再生に必要な光ピックアップを実現するものである。

また、本発明は少なくとも光源と、光ディスクに光源からの光を導くための集光光学系と、光ディスクからの再生信号光を検出するためのＡＰＤから構成される受光素子を有する光ピックアップにおいて、受光素子が多分割されていて、受光素子の印加電圧が異なることで、高密度の光ディスク再生に必要な光ピックアップを提供するものである。

また、本発明は少なくとも光源と、光ディスクに光源からの光を導くための集光光学系と、光ディスクからの再生信号光を検出するための受光素子を有し、受光素子の受光面積を再生信号光の受光素子上集光ビーム径よりも小さくすることで、高密度の光ディスク再生に必要な光ピックアップを提供するものである。

また、本発明は少なくとも光源と、光ディスクに光源からの光を導くための集光光学系と、光ディスクからの再生信号光を検出するための受光素子を有し、受光素子を１００分割以上に多分割することで、調整の簡便な光ピックアップを実現するものである。

また、本発明は少なくとも光源と、光ディスクに光源からの光を導くための集光光学系と、光ディスクからの再生信号光を検出するための受光素子を有し、受光素子の感度特性が受光する再生信号光の強度に対して非線形を有することで、高密度の光ディスクシステムに必要な光ピックアップを実現するものである。

さらに、本発明は少なくとも光源と、光ディスクに光源からの光を導くための集光光学系と、光ディスクからの再生信号光を検出するための受光素子を有し、受光素子の感度特性が受光場所により異なることにより超解像を起こし、高密度の光ディスク再生に必要な光ピックアップを実現するものである。

（実施の形態１）
本実施の形態では、光ディスクからの再生信号光を検出するための受光素子が、アバランシェ・フォト・ダイオード（ＡＰＤ）から構成されている光ピックアップについて説明する。概略構成図を図１に示す。

図１では、光源としてＳＨＧブルーレーザ、光ディスクとしてＰＣ光ディスクが用いられた。ＳＨＧブルーレーザ１は、５０ｍＷ級の半導体レーザと、ＬｉＴａＯ_３基板上に作製した擬似位相整合方式の分極反転型導波路デバイスから構成される。ブルー出力０.３ｍＷのＳＨＧブルーレーザ１から出射されたブルー光は、コリメートレンズ２により平行光に変換される。平行化されたブルー光は、偏光ビームスプリッタ３及びλ／４板４を透過後、ＮＡ＝０.６の対物レンズ５により光ディスク６上に導かれる。光ディスク６上でのブルー出力は０.１ｍＷであった。光ディスク６上での反射した信号光は、偏光ビームスプリッタ３で９０度曲げられ、検出レンズ７とシリンドリカルレンズ８を透過し、受光素子９に導かれる。受光素子９は４分割構造になっており、光ディスク６からのフォーカスおよびトラッキング信号をサーボ検出し、制御を行っている。本実施の形態では、受光素子９として、アバランシェ・フォト・ダイオード（ＡＰＤ）から構成されている。ＡＰＤは、ＰＮ接合に逆バイアスを加え、空乏層内に高電界を形成したものであり、これにより光キャリアが加速され、物質内の原子に次々と衝突し、２次キャリア生成を利用するものである。そのため、内部増幅機能と同時にＰＩＮフォトダイオードの高速性を有する受光素子である。

ＡＰＤの逆印加電圧に対する出力感度特性を図２に示す。印加電圧１００Ｖに対して、増倍率は１０であり、受光感度として５Ａ／Ｗが得られる。ＰＩＮフォトダイオードの受光感度に対して（波長４３０ｎｍに対して０.３Ａ／Ｗ）、約１桁以上向上することができる。そのため、本実施の形態のように、光ディスク上のパワーが０.１ｍＷ程度の光ピックアップで、ＰＣ光ディスクを再生することができる。

本実施の形態では、光ディスク６として再生専用のディスクが用いられたが、記録・再生可能なＰＣ光ディスクを用いても同様の効果が得られる。特に、ＰＣ光ディスクでは、記録層であるＧｅＳｂＦｅの組成比を変化させることで、ディスクの受光感度が異なる。しかしながら、ブルー光に対する記録感度を向上させると、低パワーの光で記録マークが消去されるため、再生パワーも低くする必要がある。例えば、光ディスク上のパワーが２ｍＷ程度の光に対し、記録マークが形成される場合、０.２ｍＷ程度の光で再生することが要求される。本実施の形態のように、受光素子としてＡＰＤを用いた場合、再生専用ディスクを０.１ｍＷ程度の光ディスク上パワーで再生できるため、２ｍＷ程度のＳＨＧブルーレーザによりＰＣ光ディスクを用いた記録・再生システムを実現することができる。

また、本実施の形態のようにＡＰＤを受光素子として用いた光ピックアップの場合、図２に示すように印加電圧により増倍率すなわち受光感度を調整することができるので、ＳＨＧブルーレーザの出力変化に対して、感度調整を行うことが可能であり、半導体レーザ自身のオート・パワー・コントロール（ＡＰＣ）などを必要とせず、光ピックアップを簡素化することができる。

本実施の形態のように、ＡＰＤを受光素子として用いた場合、ＡＰＤの印加電圧を高くすることで、受光感度をさらに向上することができる。この場合、ブルー出力をもう少し小さくすることができる。ＳＨＧブルー光源において、分極反転型導波路デバイスを用いた場合、半導体レーザ光を導波路に導くための光学調整が困難である。分極反転型導波路デバイスの代わりに、分極反転型のバルク型デバイスを用いた場合、得られるブルー光出力は数十μＷであるが、光学調整は極端に簡便化される。本実施の形態のように受光素子としてＡＰＤを用いた光ピックアップにおいては、印加電圧により受光感度を調整できるため、バルク型デバイスにより構成されるブルー光源を用いても、容易に光ディスクを再生することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、光ディスクからの再生信号光を検出するための受光素子が、ＡＰＤから構成されていて、ＡＰＤが電子冷却素子上に固定されている光ピックアップについて説明する。

光ピックアップの温度は、使用環境の違いにより、０℃〜６０℃まで変化する。ＡＰＤの受光感度は、１桁程度大きく変化する。本実施の形態では、環境温度が変化しても受光素子であるＡＰＤの温度が一定であるため、感度も一定に保たれている。図３に示すように、受光素子であるＡＰＤ１０が電子冷却素子１１上に固定されている。ＡＰＤ１０にはサーミスタ１２が取り付けられていて、ＡＰＤ１０の温度が常にモニターされている。電子冷却素子１１に電気的にフィードバックし、ＡＰＤ１０の温度が一定に保持される。これにより、環境温度変化に対しても、一定の受光感度を維持できる。

図３では、ＡＰＤのみを電子冷却素子上に固定したが、光ピックアップを電子冷却素子上に固定して、温度コントロールしても同様の効果が得られる。この場合、冷却容量の大きな電子冷却素子が必要となるが、光ピックアップ全体が温度一定であるため、環境温度変化による光学軸のずれなども生じないため、その効果は大きい。

また、図９に示すように、ＳＨＧブルーレーザとＡＰＤを一体モジュール化し、そのモジュールを電子冷却素子により温度コントロールすることにより、電子冷却素子の容量の低減および光学調整の簡素化を行うことができる。図９では、半導体レーザチップ２３と分極反転型導波路デバイス２４が直接結合されている。分極反転型導波路デバイス２４から得られたブルー光は、Ｓｉサブマウント２６をエッチングして得られたミラーにより反射する。Ｓｉサブマウント上には、ＡＰＤ２５も一体化されている。Ｓｉサブマウント２６は電子冷却素子２７上に固定されている。図９に示すモジュールを用いた光ピックアップにより、環境温度変化に対しても一定の受光感度が維持され、安定な再生特性が得られる。またこの場合、ＳＨＧブルーレーザの温度コントロールも同時に行えるため、さらに安定した再生特性を得ることが可能となる。

（実施の形態３）
実施の形態２では、電子冷却素子によりＡＰＤの温度が一定に保持され、その受光感度が環境温度変化に対して一定であった。本実施の形態では、ＳＨＧブルーレーザより得られるブルー出力に対して、ＡＰＤの受光感度を変化させ、一定の再生信号強度が得られる光ピックアップについて説明する。

ＳＨＧブルーレーザは、基本波となるＤＢＲ半導体レーザ光と波長変換素子である分極反転型導波路デバイスから構成される。半導体レーザの波長は、ＤＢＲ部により分極反転型導波路デバイスの位相整合波長内に常にコントロールされているため、ＳＨＧブルーレーザからは常にピークのブルー出力が得られる。しかしながら、基本波であるＤＢＲ半導体レーザの出力は、環境温度変化に対して変化する。環境温度が高くなると、ＤＢＲ半導体レーザの出力は低下し、これの２乗に比例してブルー出力も低下する。このとき、ＤＢＲ半導体レーザの出力が一定になるように、ＤＢＲ半導体レーザに電気的フィードバックを行うとＤＢＲ半導体レーザの波長が変化するため、安定な制御が困難となる。本実施の形態では、ＳＨＧブルーレーザから得られるピークのブルー出力を検出し、ＡＰＤにフィードバックし、その印加電圧または温度をコントロールすることで、一定の再生信号強度が得られるようになっている。

図４は、図１とほぼ同じ構成になっている。コリメートレンズ２により平行光に変換されたブルー光は、反射率５％程度のミラー１３により分離され、検出器１４に導かれる。検出器１４は、ＳＨＧブルーレーザのブルー光出力をモニターするものであり、ＰＩＮフォトダイオードからなる。このブルー出力がピークになるように、ＳＨＧブルーレーザの半導体レーザのＤＢＲ部を制御する。次に、ブルー光のピーク出力の変化に対して、一定の信号強度が得られるようにＡＰＤ１０の出力感度を電子冷却素子１１により制御する。

本実施の形態のように受光素子の受光感度を制御することにより、ＳＨＧブルーレーザの出力安定化も半導体レーザの発振波長を制御するだけで行えるため、より安定な光ピックアップを実現することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、受光素子の受光面積を検出レンズにより集光された再生信号光の集光スポットサイズよりも小さくすることで、より高密度に記録された信号を再生できる光ピックアップについて説明する。

従来、色素を受光素子上に付加し、光強度に対する透過率の非線形性を利用した超解像による光ディスクを高密度化は提案されていた（非特許文献１参照）。この現象は、受光素子の受光面積を小さくしても同等の現象が得られる。この構成の課題は、受光面積が小さくなることによる信号強度の低下と、色素の信頼性である。実施の形態１のように、受光素子としてＡＰＤを用いることにより、この課題は解決できる。

実施の形態１の光ピックアップにおいて、受光素子上での再生信号光のスポットは半値全幅で２０μｍ程度である。本実施の形態では、４分割されたＡＰＤの受光面積を図５に示すように、１０μｍ角とした。

動作原理について説明する。光ピックアップにおいて、光ディスク面と受光素子面は共焦点になっているため、光ディスク面上の強度分布が対物レンズと検出レンズの焦点距離の比だけ拡大されて、受光素子上に結像される。図１では、対物レンズにＮＡ＝０.６を用いていて、光ディスク上の集光スポットサイズは半値全幅で０.４μｍである。この光ピックアップを用いた場合、通常ではビット長０.２５μｍ程度の記録マークを再生することは可能である。しかしながら、０.２μｍ以下の記録マークを再生する場合、レーザ光のスポット径よりも記録マークが小さいため、再生信号の振幅が小さくなる。本実施の形態のような１０μｍ角の４分割フォトディテクタを用いると、記録マークのある部分のレーザ光だけ（図５（ａ））が、図５に示す受光素子上に結像するため、大きな振幅を得ることができる。このように、受光素子上での再生信号光のスポットサイズよりも小さな受光素子を用いることにより、より高密度の光ディスクを再生することが可能な光ピックアップを実現できる。受光素子に受光素子としてＡＰＤを用いているため、感度的にも問題はなく、実用的な再生信号を得ることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、１６分割以上に多分割された受光素子を用いた光ピックアップについて説明する。

本実施の形態で用いられた受光素子を図６に示す。一つの受光素子の大きさは２μｍ角であり、縦横１００個ずつ並んでいて、各受光素子の印加電圧は独立している。始めに調整方法について説明する。各受光素子の電圧を同じにしておき、再生信号光を受光する。このとき、信号強度がピークを示す受光素子の位置が、検出レンズにより集光された再生信号光のピークである。ここで、図６の受光素子ａが最大の信号強度を示したとすると、ａ点が境界となるようにＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４つの領域に分割し、４分割の受光素子が形成できるように結線すればよいことになる。本実施の形態では、受光素子を機械的に調整するのではなく、電気的に調整できるため、調整時間が大幅に短縮でき、量産性の高い光ピックアップが実現できる。

（実施の形態６）
受光素子としてＡＰＤを用いた場合、実施の形態１で説明したように、ＡＰＤは印加電圧により受光感度が異なる。また、ＳｉのＰＩＮフォトダイオードにおいても、印加電圧により受光感度が多少変化する。そのため、実施の形態５で説明した各受光素子の印加電圧を調整することで、実施の形態４のように超解像により、高密度光ディスクを再生することができる。

本実施の形態においても、実施の形態５と同様の受光素子が用いられた。一つの受光素子の大きさは２μｍ角であり、縦横１００個ずつ並んでいて、各受光素子の印加電圧は独立している。信号強度がピークを示す受光素子の位置が、検出レンズにより集光された再生信号光のピークである。図６の受光素子ａが最大の信号強度を示したとすると、ａ点が境界となるようにＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４つの領域に分割し、４分割の受光素子が形成できるように結線する。本実施の形態では、受光素子の大きさを再生信号光のスポットサイズよりも小さくするため、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの各領域は４つの素子から構成され、全部で１６の受光素子から４分割の受光素子が構成され、大きさは１０μｍ角である。それ以外の受光素子には電圧が印加されていないので、受光感度が小さい。実施の形態４と同様に、０.２μｍ程度の記録マークを再生することができ、より高密度の光ディスクを再生できる光ピックアップを実現できた。

（実施の形態７）
本実施の形態では、光強度に対して、非線形な出力感度を有する受光素子を用いた光ピックアップについて説明する。

Ｓｉのバンドギャップ（１.３μｍ）に対して、不純物レベル（０.６５μｍ）を作ることにより、ある光強度までは受光感度をもたず、ある強度以上の光に対して受光感度を有するフォトディテクタを作製する。Ｎ型Ｓｉ基板にＧｅを注入し、Ｐ層を作製する。次に、Ｐ（リン）をＰ層とＮ型基板の間の空乏層に注入し、Ｐの不純物レベルを形成する。光が照射されると電子が伝導体に励起される。通常のフォトダイオードでは、励起された電子はＮ型基板の方向に移動するため、電圧が発生する。本実施の形態のフォトダイオードでは、空乏層内の不純物レベルに電子がトラップされる。光の強度が増加し、励起される電子の数が多くなると、不純物レベルがいっぱいになるため、電子がＮ型基板の方向に移動するようになる。図７に、受光する光の強度とフォトダイオードで発生する電圧の関係を示す。ある光強度までは発生する電圧が小さいが、不純物レベルがいっぱいになる光強度以上では、光強度に比例して発生する電圧も増加する。本実施の形態のフォトダイオードを光ピックアップに用いることにより超解像特性を得ることができ、さらに高密度の光ディスクを再生できる。ガウス分布の光が、フォトディテクタに受光されると、光の中央部分は光強度が強いため光を受光することができるが、周辺部分の光は光強度が弱いため受光感度がほとんどない。そのため、実施の形態４と同様の効果により、小さなピットを再生しても、隣のピットの再生信号と重なることなく良好な再生特性を得ることができる。

なお、実施の形態１から８において、ＳＨＧブルーレーザを用いた光ピックアップについて説明したが、ＧａＮ系の半導体レーザを用いた光ピックアップにおいても発振波長が４５０ｎｍ以下であり、受光素子感度が低下しているため、本実施の形態のようにＡＰＤを受光素子として用いることにより同様の効果が得られ、実用的な高密度光ディスクシステムが実現できる。

光ディスクシステムにおいて、現状では波長４５０ｎｍ以下において受光感度が小さいため、短波長光源を用いた高密度・高転送レートなシステムを実現することは困難である。しかしながら、本実施の形態のように、受光素子としてＡＰＤを用いることにより、ＰＩＮフォトダイオードよりも１桁以上の感度向上を図ることができ、現状の赤色半導体レーザ用の受光素子よりも高い受光感度を達成できる。これにより、数ｍＷの短波長光源を用いて高密度・高転送レートの記録再生システムが実現できる。特に、波長変換素子を用いたブルー光源では、変換効率が小さいため、現状数ｍＷ程度の出力が限界である。そのため、ＡＰＤを用いた光ピックアップは、特に実用的効果が大きい。また、波長変換素子を用いたブルー光源において、導波路型の波長変換素子よりもバルク型の波長変換素子は、光学調整などにおいて有利である。しかしながら、変換効率が小さいため、数十μＷしか得ることができない。受光素子としてＡＰＤを用いることにより、バルク型の波長変換素子を用いたブルー光源でも、光ディスクを再生することができる。

また、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を用いた光ディスクシステムをさらに高密度化するためには、超解像による高密度化が有利である。本実施の形態のように、受光素子上の再生信号光のスポットサイズよりも受光面積を小さくすることで、より高密度の光ディスクを再生できる光ピックアップを実現できる。

また、今後高密度だけでなく、さらに低コストの光ピックアップを実現するためには、簡便な調整方法が必要となる。本実施の形態のように、電気的に受光素子の調整を行うことで、短時間の調整が可能であり、低コストの光ピックアップを実現できる。

本発明にかかる光ピックアップは、高密度の光ディスク再生に必要な光ピックアップを実現し、情報を記録再生する高密度光ディスクシステムとして有用である。

本発明の光ピックアップの概略図 アバランシェ・フォト・ダイオードの印加電圧に対する感度を表す図 本発明の光ピックアップの概略図 本発明の光ピックアップの概略図 本発明の受光素子の概略図 本発明の多分割された受光素子の概略図 本発明の非線形な感度特性を示す受光素子の感度特性を表す図 分極反転型導波路デバイスを用いたブルー光源の概略構成図 本発明の光ピックアップの概略図

符号の説明

１ ＳＨＧブルーレーザ
２ コリメートレンズ
３ 偏光ビームスプリッタ
４ λ／４板
５ 対物レンズ
６ 光ディスク
７ 検出レンズ
８ シリンドリカルレンズ
９ 受光素子
１０ ＡＰＤ
１１ 電子冷却素子
１２ サーミスタ
１３ フィン
１４ 検出器
１５ ＤＢＲ半導体レーザ
１６ コリメートレンズ
１７ λ／２板
１８ フォーカシングレンズ
１９ ＬｉＴａＯ_３基板
２０ 光導波路
２１ 分極反転領域
２２ 分極反転型導波路デバイス
２３ 半導体レーザチップ
２４ 分極反転型導波路デバイス
２５ ＡＰＤ
２６ Ｓｉサブマウント
２７ 電子冷却素子
２８ フィン

Claims (3)

1. 光源と、光ディスクに前記光源からの光を導くための集光光学系と、前記光ディスクからの再生信号光を検出するための受光素子を有し、
   前記受光素子がアバランシェ・フォト・ダイオード（ＡＰＤ）から構成され、
   前記光源と、前記受光素子が一体モジュール化されており、
   一体モジュール化されたモジュールが、電子冷却素子上に固定されていることを特徴とする光ピックアップ。
2. 前記光源から得られる光の波長が４５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。
3. 前記光源から得られる光が、記録再生可能な光ディスク上に集光されることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。

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