JP2004187129A - マルチバンドアンテナスイッチ回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1から第3のポートを有するダイプレクサ11と、第1のポートを第2、第3のポートのいずれかに切り換える第1の高周波スイッチ12と、高周波スイッチの第3のポート側に配置した帯域通過フィルタ14と、ダイプレクサ11の第1のポートとアンテナとの間に配置し、少なくともシャントインダクタを備えた第1の静電サージ保護回路10と、高周波スイッチ12の第3のポートと帯域通過フィルタ14の第1のポートとの間に配置し、高域通過フィルタ14を有する第2の静電サージ保護回路13とを具備し、第1の高周波スイッチ12の第2のポート側に第1の通信システムの送信部を接続し、帯域通過フィルタ14の第2のポート側に第1の通信システムの受信部を接続した。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波帯などの高周波帯域で用いられるマルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール等の複合高周波部品における静電サージ対策に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
携帯無線通信システムには、例えば主に欧州で盛んなEGSM(Extended Global System for Mobile Communications)方式およびDCS(Digital Cellular System)方式、米国で盛んなPCS(Personal Communication Service)方式、日本で採用されているPDC(Personal Digital Cellular)方式などの様々なシステムがあるが、昨今の携帯電話の急激な普及に伴い、特に先進国の主要な大都市部においては各システムに割り当てられた周波数帯域ではシステム利用者を賄いきれず、接続が困難であったり、通話途中で接続が切断するなどの問題が生じている。そこで、利用者が複数のシステムを利用できるようにして、実質的に利用可能な周波数の増加を図り、さらにサービス区域の拡充や各システムの通信インフラを有効活用することが提唱されている。
【0003】
前記利用者が複数のシステムを利用したい場合には、各システムに対応した携帯通信機を必要な分だけ持つか、あるいは複数のシステムで通信できる小型軽量の携帯通信機を持つ必要がある。後者の場合、1台の携帯通信機で複数のシステムを利用可能とするには、システム毎の部品を用いて携帯通信機を構成すればよいが、信号の送信系においては、例えば希望の送信周波数の送信信号を通過させるフィルタ、送受信回路を切り換える高周波スイッチや送受信信号を入放射するアンテナ、また信号の受信系では、前記高周波スイッチを通過した受信信号の希望の周波数を通過させるフィルタ等の高周波回路部品が各々のシステム毎に必要となる。このため、携帯通信機が高価になるとともに、体積および重量ともに増加してしまい携帯用としては不適であった。そこで複数のシステムに対応した小型軽量の高周波回路部品が必要になってきた。例えば、EGSM、DCSに対応したデュアルバンド対応のアンテナスイッチモジュールあるいはEGSM、DCS、PCSの3つのシステムに対応した携帯通信機に用いられるトリプルバンド対応のアンテナスイッチモジュール、EGSM、D−AMPS、DCS、PCSの4つのシステムに対応した携帯通信機に用いられるクワッドバンド対応のアンテナスイッチモジュールがある。
【0004】
一例としてEGSM、DCS、PCSに対応したトリプルバンドアンテナスイッチモジュールのブロック図を図16に示す。ダイプレクサDipは0.9GHz帯のEGSMの信号と1.8GHz帯のDCS/PCSの信号を分波し、高周波スイッチSW1はEGSMの送受信を切り換え、高周波スイッチSW2はDCS、PCSの送受信を切り換える。低域通過フィルタLPF1、LPF2は送信側のパワーアンプで発生する高調波歪発生量を低減する。SAWフィルタSAW1、SAW2、SAW3は受信信号に含まれる受信帯域外のノイズを低減する役割を担う。この場合SW1、SW2にはPINダイオードを用いたPINダイオードスイッチ、あるいはGaAs FETスイッチなどが用いられる。
【0005】
上述のアンテナスイッチモジュールで使用されるPINダイオード、GaAsFET、SAWフィルタなどの高周波部品は静電サージに弱く、特に携帯電話の場合、人体からの静電サージがアンテナに入力された場合に上記の高周波部品が破壊されるという問題があった。前記高周波部品の耐電圧は、PINダイオードで4kV程度、GaAs FETで100V〜1kV程度、SAWフィルタでは50V程度であり、特にSAWフィルタは静電サージに対して他の高周波部品と比較して極めて弱い。
また、前記高周波部品の破壊まで至らないまでも、送信端子に接続されるパワーアンプや、受信端子に接続されるローノイズアンプなどのアンテナスイッチモジュールの後段に接続される回路を破壊する可能性もあり、静電サージに対する対策を講じることが重要である。
【0006】
静電サージ対策に係る従来技術として図15に静電サージ対策回路を備えたデュアルバンドアンテナスイッチモジュールの等価回路を示す。この等価回路において静電サージ対策回路は、ダイプレクサの内側の点線で囲まれた部分であって、低周波数帯側のフィルタにグランドに接続したインダクタンス素子L3を挿入したものである(特許文献1)。つまり静電サージ対策として、ダイプレクサを構成するフィルタの一部にインダクタンス素子を追加したものであるが、本願発明者等が、前記回路を検証したところ300MHz付近での減衰量は5dB以下と僅かなものしか得られず静電サージを対策するには不十分であることがわかった。
【0007】
【特許文献1】特開2001−186047号(図1)
【0008】
また、バリスタやツェナーダイオードを静電サージ対策部品として使用できるが、この場合は端子間容量を大きくとる必要あり、高周波信号の伝送線路で使用すると挿入損失の劣化が避けられないため、高周波スイッチにおける静電サージ対策として使用することができなかった。
【0009】
以上のことから、本発明は上述した従来技術での問題を解決し、広帯域で整合が取れると共に、挿入損失の劣化が少ないマルチバンドアンテナスイッチ回路とこれをセラミック多層基板に形成した複合高周波部品を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1から第3のポートを有するとともに第1のインダクタンス素子、及び第1のキャパシタンス素子を備えたダイプレクサと、第1から第3のポートを有し、前記ダイプレクサの第2のポート側に配置されるとともに、第1のスイッチング素子、第2のインダクタンス素子、及び第2のキャパシタンス素子を備え、該第1のポートを該第2、第3のポートのいずれかに切り換える第1の高周波スイッチと、第1と第2のポートを有し、前記高周波スイッチの第3のポート側に配置される帯域通過フィルタと、 前記ダイプレクサの第1のポートとアンテナとの間に配置される少なくともシャントインダクタを備えた第1の静電サージ保護回路と、前記高周波スイッチの第3のポートと前記帯域通過フィルタの第1のポートとの間に配置される、第1のポートと第2のポートを備え第3のインダクタンス素子及び第3のキャパシタンス素子で構成された高域通過フィルタを有する第2の静電サージ保護回路とを具備し、前記第1の高周波スイッチの第2のポート側に第1の通信システムの送信部が接続され、前記帯域通過フィルタの第2のポート側に前記第1の通信システムの受信部が接続されるマルチバンドアンテナスイッチ回路である。
【0011】
本発明においては、前記高周波スイッチの第1のスイッチング素子を比較的高い耐電力を有するPINダイオードとするのが好ましい。
また、本発明においては、前記第2の静電サージ保護回路と前記帯域通過フィルタとの間に、第1から第3のポートを有し第2のスイッチング素子を備え該第1のポートを該第2、第3のポートのいずれかに切り換える第2の高周波スイッチを配置し、前記第2のスイッチング素子を電界効果トランジスタとしても良い。
そして、前記ダイプレクサは第1のポートと第2のポートとの間に配置される低域通過フィルタと、第1のポートと第3のポートとの間に配置される高域通過フィルタとを有するように構成するのが好ましい。
前記第2の静電サージ保護回路の高域通過フィルタを、前記第1のポートとグランドとの間に接続されたインダクタンス素子、前記第1のポートと前記第2のポートとの間に接続されたキャパシタンス素子、前記第2のポートとグランド間に接続された他のインダクタンス素子と他のキャパシタンス素子とからなる直列共振回路を有するように構成するのが好ましく、前記他のインダクタンス素子と前記第2のポートとの間に更に他のインダクタンス素子および他のキャパシタンス素子からなる並列共振回路を設けるのがより好ましい。
【0012】
第2の発明は、第1の発明において前記第1及び第2のスイッチング素子、前記第1乃至第3のインダクタンス素子、及び前記第1乃至第3のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続される複合高周波部品である。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る静電サージ対策を施したマルチバンドアンテナスイッチ回路の実施形態について図面を参照して説明する。
(実施例1)
図1は本発明の一実施例にかかる静電サージ対策を施し複数の携帯無線通信システムに対応したマルチバンドアンテナスイッチ回路である。以下説明の簡略化のため複数の携帯無線通信システムの一つf1をEGSM(送信周波数Tx880〜915MHz、受信周波数Rx925〜960MHz)とし、また他の一つf2をDCS(送信周波数Tx1710〜1785MHz、受信周波数Rx1805〜1880MHz)として、また他のもう1つf3をPCS(送信周波数Tx1850〜1910MHz、受信周波数Rx1930〜1990MHz)として説明する。
【0014】
アンテナANTの後段には、EGSMの送受信信号を通過させるがDCSとPCSの送受信信号を減衰させて遮断する第1のフィルタ回路(例えば低域通過フィルタ)11aと、DCSとPCSの送受信信号を通過させるがEGSMの送受信信号を減衰させて遮断する第2のフィルタ回路(例えば高域通過フィルタ)11bとが配置される。これら第1のフィルタ回路11aと第2のフィルタ回路11bはアンテナを共用することによりダイプレクサ11として機能する。アンテナとダイプレクサ11との間には、シャントインダクタを備えた第1の静電サージ保護回路10が配置される。図2及び図3に第1の静電サージ保護回路10を例示する。図2のものは、グランドに落ちるインダクタンス素子(シャントインダクタ50)のみで構成し静電サージをグランドに逃がす例であり、図3のものは、更に高周波信号の伝送経路に対して直列にキャパシタンス素子65を配置したものである。ここで、前記第1の静電サージ保護回路が900MHz帯域〜1.8GHz帯域までの広帯域での整合を取るには、シャントインダクタのインダクタンス値を5nH超とする必要がある。そして、第1の静電サージ保護回路の300MHzにおける減衰量が5〜10dBとなるように、かつ通過させるべき900MHz帯域〜1.8GHz帯域までの高周波信号を実質的に減衰させないように構成され、後段に配置される高周波スイッチ12のPINダイオードなどのスイッチング素子が静電破壊しないようにしている。
【0015】
図6〜図8にダイプレクサ10の等価回路の一例を示す。
図6のダイプレクサは、第1のポート100aから第2のポート100bの間にインダクタンス素子、キャパシタンス素子として、伝送線路70とキャパシタンス75とからなる並列共振回路と、その第2のポート100b側でグランドとの間に配置されるキャパシタンス76を備えた低域通過フィルタを有し、第1のポート100aから第3のポート100cの間に直列に接続されるキャパシタンス77、78と、前記キャパシタンスの間でグランドと間に配置される伝送線路71とキャパシタンス79の直列共振回路を備えた高域通過フィルタを有する。また図7のダイプレクサは、第1のポート100aから第2のポート100bの間に伝送線路80とキャパシタンス85とからなる並列共振回路と、その第2のポート100b側でグランドとの間に配置されるキャパシタンス86を備えた低域通過フィルタを有し、第1のポート100aから第3のポート100cの間に伝送線路81とキャパシタンス87とからなる並列共振回路と、その第3のポート100c側でグランドとの間に配置される伝送線路82と、前記並列共振回路と直列に接続するキャパシタンス88を備えた高域通過フィルタを有する。
また、図8のダイプレクサでは、第1のポート100aから第2のポート100bの間に伝送線路90が接続され、その第2のポート100b側でグランドとの間に接続される伝送遠路91とキャパシタンス96との直列共振回路を備えた低域通過フィルタを有し、第1のポート100aから第2のポート100cの間に直列に接続されるキャパシタンス97、98と、前記キャパシタンスの間でグランドと間に配置される伝送線路92とキャパシタンス99の直列共振回路を備えた高域通過フィルタを有する。
前記したダイプレクサは好ましい一例であって、等価回路を限定するものでなく本発明の範囲内で適宜構成されるが、第2のフィルタ回路11bは高域通過フィルタとするのが好ましい。静電サージは500MHz以下の周波数成分の電圧値が高いが、前記の様に第2のフィルタ回路11bを高域通過フィルタとすれば、前記帯域において20dB程度の減衰量が得られるので、DCSとPCS側の高周波回路において前記第1の静電サージ保護回路10と協同して静電サージを遮断することが出来る。
【0016】
前記伝送線路やキャパシタンスはチップ部品で構成してもよいが、伝送線路を分布定数線路で構成し、低温焼成が可能なセラミック誘電体のグリーンシートにAgやCuを主体とする導伝ペーストを印刷して、所望の電極パターンを形成し、前記分布定数線路やキャパシタンス、グランドパターン、接続用の線路等となる電極パターンを有する複数のグリーンシートを適宜一体的に積層し、焼結することでセラミック多層基板として構成するのが好ましい。
【0017】
ダイプレクサ11の前記第1のフィルタ回路11aにはEGSMの送信信号の信号経路と受信信号の信号経路を切り換える第1の高周波スイッチ12が接続される。この第1の高周波スイッチ12の一例を図9から図12に示す。
図9の高周波スイッチ12はインダクタンス素子、スイッチング素子、キャパシタンス素子として、伝送線路とダイオードを主構成とし、第1のポート102aと第2のポート102bの間には伝送線路150と、この伝送線路150の第2のポート102b側でグランド間に配置されるダイオード155とDCカット用のキャパシタンス157と、その間に形成されるコントロール端子VC1を有し、前記キャパシタンス157はダイオード155動作時のインダクタンス成分と直列共振回路を構成し、ダイオード155動作時にショート状態となるようにし、アイソレーション特性を改善している。また第1のポート102aと第3のポート102cの間には前記ダイオード155と伝送線路150を介して直列に接続されるダイオード156と、その第3のポート102c側でグランドとの間に伝送線路151が配置されている。前記コントロール端子VC1から供給される制御電圧によりダイオード155,156をON/OFFして、第1のポート102a−第2のポート102b間、第1のポート102a−第3のポート102c間の接続を切り替える。なお、第1乃至第3のポート102a、102b、102cにはDCカット用のキャパシタンスが適宜配置される。
【0018】
図10の高周波スイッチ12も、伝送線路とダイオードを主構成とするダイオードスイッチであって、第1のポート102aと第2のポート102bの間には伝送線路160と、この伝送線路160の第2のポート102b側でグランド間に配置されるダイオード165とDCカット用のキャパシタンス167と、このキャパシタンス167と並列接続される抵抗168が配置される。また第1のポート102aと第3のポート102cの間には前記ダイオード165と伝送線路160を介して直列に接続されるダイオード166と、その第3のポート102c側でグランドとの間に伝送線路161とDCカット用のキャパシタンス168と、前記伝送線路161とDCカット用のキャパシタンス168との間には、コントロール端子VC2が配置される。前記コントロール端子VC2から供給される制御電圧によりダイオード165,166をON/OFFして、第1のポート102a−第2のポート102b間、第1のポート102a−第3のポート102c間の接続を切り替える。なお、第1乃至第3のポート102a、102b、102cにはDCカット用のキャパシタンスが適宜配置される。また、高周波スイッチ12は図11、図12に一例を示すようなGaAS FETを用いて構成してもよいが、この場合には、耐電圧の高いGaAS FETを選択する必要がある。
【0019】
前記伝送線路やキャパシタンスはチップ部品で構成してもよいが、前記ダイプレクサとともに伝送線路を分布定数線路で構成し、低温焼成が可能なセラミック誘電体のグリーンシートにAgやCuを主体とする導伝ペーストを印刷して、所望の電極パターンを形成し、前記分布定数線路やキャパシタンス、グランドパターン、接続用の線路等となる電極パターンを有する複数のグリーンシートを適宜一体的に積層し、焼結することでセラミック多層基板として構成するのが好ましい。ダイオードやFETはセラミック多層基板に実装される。このときダイオードやFETをベア状態として、前記セラミック多層基板に樹脂封止や管封止すれば小型化できて好ましい。
そして、ダイプレクサや他の高周波部品と一体の複合高周波部品として構成すれば、さらに小型化が可能であり好ましい。前記低温焼結が可能なセラミック誘電体材料としては、例えばAl2O3を主成分として、SiO2、SrO、CaO、PbO、Na2O及びK2Oの少なくとも1種を複成分として含むものや、Al2O3を主成分としMgO,SiO2及びGdOの少なくとも一種を複成分として含むものや、Al2O3、SiO2、SrO、Bi2O3、TiO2を主成分として含むものである。
【0020】
前記高周波スイッチ12の後段側で、EGSMの受信部(図示せず)との間には、高域通過フィルタを備えた第2の静電サージ保護回路13と帯域通過フィルタ14とが配置される。前記受信部はローノイズアンプを含み受信信号を信号処理部で処理可能な信号に変換する機能を有するものである。また、前記帯域通過フィルタ14はSAWフィルタ、FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)やスイッチング素子を用いた中心周波数可変フィルタ等である。
図4及び図5は第2の静電サージ保護回路13の一例である。図4において、インダクタンス素子、キャパシタンス素子として、インダクタンス51が第2のポート103bとグランドとの間に接続され、キャパシタンス60が第2のポート103bと第2のポート103bとの間に挿入され、インダクタンス52とキャパシタンス61からなる直列共振回路が第1のポート103aとグランドとの間に接続される。この場合、インダクタ51とキャパシタンス60の値を適宜選択することによって静電サージをグランドへ逃がし、高周波信号は低損失で伝達するような高域通過フィルタが構成される。ここでインダクタンス52およびキャパシタンス61からなる直列共振回路は、その共振周波数が100MHz〜500MHzの間に設定されるようにL、Cの値を設定する。この場合キャパシタンス61は10pF以上、インダクタ52は50nH以下が望ましい。これにより静電破壊で問題となる前記共振周波数帯での静電サージをグランドへ吸収することができ、静電サージ対策をより効率的に行うことが出来る。また、通過すべきEGSMの周波数帯域において、反射特性V.S.W.Rが1.5以下となるように設定した。その結果、第2の静電サージ保護回路の300MHz以下の周波数帯での減衰量を30dB以上とし、通過すべきEGSMの周波数帯域における挿入損失は0.2dB程度とすることが出来た。
このように構成することで静電サージは、予め第1の静電サージ保護回路により減衰され、更に第2の静電サージ保護回路により減衰されるので、帯域通過フィルタに入力する静電サージを実質的に遮断することが出来、また、第2の静電サージ保護回路によりアンテナからEGSM受信回路間の挿入損失がわずかに劣化するが、他の信号経路の挿入損失の増加は実質的に無くマルチバンドアンテナスイッチ回路を構成できるので、マルチバンドアンテナスイッチ回路として優れた電気的特性を発揮させることが出来た。
なお帯域通過フィルタは前記ダイオードやFETとともにセラミック多層基板に実装するのが好ましい。例えば、SAWフィルタをベア状態として、前記セラミック多層基板に樹脂封止や管封止すればマルチバンドアンテナスイッチ回路を小型化できて好ましい。
【0021】
図5は第2の静電サージ保護回路13の他の例であって、インダクタンス51、52、キャパシタンス60、61の役割は前記したものと同じであるが、キャパシタンス60と第1のポート103aの間にキャパシタンス62およびインダクタンス53から構成される並列共振回路が挿入されている点が異なる。この並列共振回路は500MHz以下の周波数帯の高周波信号を除去する働きを有するとともに、前記インダクタンス53、キャパシタンス62の値を調整することで静電サージ回路全体の整合を調整することが可能となり、より効果的である。
【0022】
前記高周波スイッチ12の後段側で、EGSMの送信部(図示せず)との間には、必要に応じて低域通過フィルタ15が配置される。前記送信部はパワーアンプを含み、信号処理部で符号化された信号を送信信号に変換するものである。この送信部と高周波スイッチ12との間に送信信号を一方向にのみ伝送させるアイソレータ(図示せず)を配置してもよい。
図13に前記低域通過フィルタの一例を示す。図13の低域通過フィルタは、第1のポート105aから第2のポート105bの間にインダクタンス素子、キャパシタンス素子として伝送線路190とキャパシタンス196とからなる並列共振回路と、その第1のポート105a側でグランドとの間に配置されるキャパシタンス197と、その第2のポート105b側でグランドとの間に配置されるキャパシタンス195で構成されている。このような低域通過フィルタは、前記ダイプレクサ11と高周波スイッチ12との間に配置される場合もある。
【0023】
EGSMでの受信を行うときには、制御部(図示せず)により第1の高周波スイッチ12をEGSM受信部への接続となるようにし、EGSMの受信部を動作するように制御して、アンテナANTから入射した受信信号を第1のフィルタ回路を介して信号処理部へ伝える。EGSMで送信を行うときには第1の高周波スイッチ12をEGSMの送信部への接続となるようにしEGSMの送信部を動作するように制御し、送信信号を第1のフィルタ回路を介してアンテナANTから放射する。
【0024】
ダイプレクサ11の前記第2のフィルタ回路11bにはDCSとPCSの送信信号の信号経路と受信信号の信号経路を切り換える第2の高周波スイッチ16が接続され、前記高周波スイッチ16の後段側で、DCSの送信部(図示せず)との間には適宜低域通過フィルタ17が配置される。そして、DCSとPCSの受信部(図示せず)との間には、DCSの受信信号の信号経路とPCSの受信信号の信号経路を切り換える第3の高周波スイッチ20が接続され、第3の高周波スイッチの後段側で、DCSの受信部との間には帯域通過フィルタ18が配置され、PCSの受信部との間には帯域通過フィルタ19が配置される。
ここで用いられる高周波スイッチ16および20や、SAWフィルタ18および19、低域通過フィルタ17は、DCSあるいはPCSの周波数帯で利用可能なように構成されるが、等価回路としては前記したものと実質的に相違無く構成できるので、その説明を省く。
前記第1の静電サージ保護回路13とダイプレクサ11の高域通過フィルタ11bにより、高周波スイッチ16に入力する静電サージはわずかなものとなるので、図11、図12に示すGaAS FETスイッチを採用することも出来る。なお、CDMAなどのシステムを扱う場合には、前記第2の高周波スイッチ16などに換えて、2つのフィルタ回路からなる共振器を配置することもある。
【0025】
(実施例2)
図14に、第1の高周波スイッチ12の後段に配置される高周波回路の他の例を示す。
実施例1と異なる点は、第2の静電サージ保護回路13とSAWフィルタ14との間に図11や図12に示すGaAS FETを用いた第4の高周波スイッチを配置したもので、EGSMの送受信周波数に近しい更に他のシステムf4、例えばD−AMPSを扱う場合の高周波回路例である。
前記第4の高周波スイッチとして、実施例1に開示したPINダイオードを採用することも可能である。挿入損失、低消費電力の観点からGaAS FETスイッチを、コストの観点からはPINダイオードスイッチを用いるのが好ましい。この場合も、第1及び第2の静電サージ保護回路により、第4の高周波スイッチに入力する静電サージを実質的に遮断することが出来、耐電力があまり大きくないGaAS FETを用いた場合でも、静電破壊が生じることがない。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、複数の静電サージ対策回路を用いることにより、アンテナからの静電サージをグランドに逃がし、かつ広範囲の周波数帯に対して静電サージを吸収し、より完全に静電破壊対策ができる。そして、マルチバンドアンテナスイッチ回路を構成するPINダイオードスイッチ、あるいはGaAs FETスイッチ、受信の帯域通過フィルタ、送信端子に接続されるパワーアンプ、受信端子に接続されるローノイズアンプなどの回路を静電サージから保護することが可能となり、これら後段の高周波電子部品を破壊することがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るマルチバンドアンテナスイッチ回路の回路ブロック図である。
【図2】本発明に用いる第1の静電サージ保護回路の等価回路である。
【図3】本発明に用いる第1の静電サージ保護回路の他の等価回路である。
【図4】本発明に用いる第2の静電サージ保護回路の等価回路である。
【図5】本発明に用いる第2の静電サージ保護回路の他の等価回路である。
【図6】本発明に用いるダイプレクサの等価回路である。
【図7】本発明に用いるダイプレクサの他の等価回路である。
【図8】本発明に用いるダイプレクサの他の等価回路である。
【図9】本発明に用いる高周波スイッチの等価回路である。
【図10】本発明に用いる高周波スイッチの他の等価回路である。
【図11】本発明に用いる高周波スイッチの他の等価回路である。
【図12】本発明に用いる高周波スイッチの他の等価回路である。
【図13】本発明に用いる低域通過フィルタの等価回路である。
【図14】本発明の他の実施例に係るマルチバンドアンテナスイッチ回路の回路ブロック図である。
【図15】従来の静電サージ対策回路の一例を示す等価回路である。
【図16】従来のマルチバンドアンテナスイッチ回路の一例を示す回路ブロック図である。
【符号の説明】
10 第1の静電サージ保護回路
11 ダイプレクサ
12、16、20、21 高周波スイッチ
13 第2の静電サージ保護回路
14、18、19、22 SAWフィルタ
15、17 低域通過フィルタ
Claims (8)
- 第1から第3のポートを有するとともに第1のインダクタンス素子、及び第1のキャパシタンス素子を備えたダイプレクサと、
第1から第3のポートを有し、前記ダイプレクサの第2のポート側に配置されるとともに、第1のスイッチング素子、第2のインダクタンス素子、及び第2のキャパシタンス素子を備え、該第1のポートを該第2、第3のポートのいずれかに切り換える第1の高周波スイッチと、
第1と第2のポートを有し、前記高周波スイッチの第3のポート側に配置される帯域通過フィルタと、
前記ダイプレクサの第1のポートとアンテナとの間に配置される少なくともシャントインダクタを備えた第1の静電サージ保護回路と、
前記高周波スイッチの第3のポートと前記帯域通過フィルタの第1のポートとの間に配置される、第1のポートと第2のポートを備え第3のインダクタンス素子及び第3のキャパシタンス素子で構成された高域通過フィルタを有する第2の静電サージ保護回路とを具備し、
前記第1の高周波スイッチの第2のポート側に第1の通信システムの送信部が接続され、
前記帯域通過フィルタの第2のポート側に前記第1の通信システムの受信部が接続されることを特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ回路。 - 前記高周波スイッチの第1のスイッチング素子がPINダイオードであることを特徴とする請求項1に記載のマルチバンドアンテナスイッチ回路。
- 前記第2の静電サージ保護回路と前記帯域通過フィルタとの間に、第1から第3のポートを有し第2のスイッチング素子を備え該第1のポートを該第2、第3のポートのいずれかに切り換える第2の高周波スイッチを具備し、前記第2のスイッチング素子が電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項1又は2に記載のマルチバンドアンテナスイッチ回路。
- 前記第2の静電サージ保護回路と前記帯域通過フィルタとの間に、第1から第3のポートを有し第2のスイッチング素子を備え該第1のポートを該第2、第3のポートのいずれかに切り換える第2の高周波スイッチを具備し、前記第2のスイッチング素子がPINダイオードであることを特徴とする請求項1又は2に記載のマルチバンドアンテナスイッチ回路。
- 前記ダイプレクサは第1のポートと第2のポートとの間に配置される低域通過フィルタと、第1のポートと第3のポートとの間に配置される高域通過フィルタとを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のマルチバンドアンテナスイッチ回路。
- 前記第2の静電サージ保護回路の高域通過フィルタが、前記第1のポートとグランドとの間に接続されたインダクタンス素子、前記第1のポートと前記第2のポートとの間に接続されたキャパシタンス素子、前記第2のポートとグランド間に接続された他のインダクタンス素子と他のキャパシタンス素子とからなる直列共振回路を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のマルチバンドアンテナスイッチ回路。
- 前記他のインダクタンス素子と前記第2のポートとの間に更に他のインダクタンス素子および他のキャパシタンス素子からなる並列共振回路を設けたことを特徴とする請求項7記載の高域通過フィルタ。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載のマルチバンドアンテナスイッチ回路において、前記第1及び第2のスイッチング素子、前記第1乃至第3のインダクタンス素子、及び前記第1乃至第3のキャパシタンス素子が、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、前記セラミック多層基板に形成される接続手段によって接続されることを特徴とする複合高周波部品。
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