【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被加工体の保護または補強などの目的で粘着テープを被加工体に貼り付けてその裏面を研削し加工体を製造する方法に係り、特に半導体ウエハの研削による半導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、半導体ウエハなどの裏面研削の工程では、カセットから取り出したウエハの表面をチャックテーブルで吸着保持してウエハの裏面を砥石で用途に応じた厚みに研削する。洗浄、乾燥等の処理が終了すると、吸着保持されてカセット内に収納される。このため、ウエハ等の被加工体の表面側に形成されている回路等が破損したり汚れたりするおそれがある。そこで、研削加工装置でウエハを加工する場合には、ウエハ表面に基材フィルム上に粘着材層を設けた保護テープを１枚貼り付け、ウエハの外形とほぼ同じ大きさにカットして固定し、研削するのが一般的である。
【０００３】
従来の保護テープは、弾性材料で形成し、加工時における局部的な応力の集中を避け、ウエハに生じる割れや欠けを防ぐものである。しかし、ウエハ厚が１５０μｍ以下といったような薄くなった場合には、１枚の表面保護テープでは充分な強度がなく、ウエハに反りが生じ、カセットへの収納が困難になるなど、ハンドリングに支障を来たすことがある。そこで、保護テープ自体の強度を上げる試みが行われている（例えば、特許文献１参照）が、充分なクッション性と強度アップの両立を図ることが難しく、研削の際にクッション性の欠乏によりウエハが割れたり、強度不足によりウエハが反ったりすることがしばしばある。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−１５０４３２公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような問題点に着目してなされたもので、その目的は半導体ウエハ等の被加工体の裏面を、例えば１５０μｍ以下といったような厚さに研削する際に、被加工体の割れや反りを抑え、カセットへの収納などのハンドリング性の向上を図る加工体の製造方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討した結果、研削に当り、被加工体の表面に２枚以上の保護テープを貼り合わせることにより、被加工体の裏面研削をして所定の厚さになった際に、被加工体が割れたり、反ったりすることなく加工体を製造できることがわかった。
すなわち本発明は、
（１）被加工体の裏面を研削して加工体を製造するに当り、被加工体の表面に保護テープを貼り付け、その保護テープ上にさらに保護テープを少なくとも１枚重ねて貼り付けることを特徴とする加工体の製造方法、
（２）半導体ウエハの裏面を研削して半導体を製造するに当り、半導体ウエハの回路パターン表面に保護テープを貼り付け、その保護テープ上にさらに保護テープを少なくとも１枚重ねて貼り付けた後に、半導体ウエハの大きさに合わせてすべてのテープを同時に同じ大きさに切断することを特徴とする半導体の製造方法、
（３）前記保護テープの弾性率が０．１から１０ＧＰａであることを特徴とする（１）に記載の加工体または（２）に記載の半導体の製造方法、
（４）前記保護テープ及び当該保護テープ上に貼り付けられる保護テープの少なくとも一方のテープが、放射線硬化型テープであることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の加工体または半導体の製造方法、及び、
（５）被加工体が半導体ウエハであることを特徴とする（１）、（３）または（４）に記載の加工体の製造方法、
を提供するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の被加工体を研削して加工体を製造する方法の好ましい実施の態様について、詳細に説明する。
本発明の被加工体には、半導体ウエハ、ガラス、基板、樹脂等があり、ここでは代表的な被加工体として半導体ウエハについて述べるが、他の被加工体も同様である。
本発明は、図１に示すように被加工体である半導体ウエハ１の裏面研削を行う際に、ウエハ表面に第１層の保護テープ２を貼り、さらにそのテープの上に第２層の保護テープ３を貼り付けることによって、裏面研削後にウエハが割れたり、反ったりすることを防ぎ、半導体製品を製造することができる。必要により、第２層の保護テープ３の上にさらに第３層、第４層と保護テープを重ねて貼り付けても良い。
【０００８】
第１層及び第２層、さらにその上に使用する保護テープは特に制限されるものではないが、第１層にクッション性を持たせるための表面保護テープを、第２層に強度を補強するためのサポートテープを貼り合わせることが好ましい。
特に反りを防ぐため、第２層以上には第１層より弾性率の高い保護テープを使用するのが好ましい。そして、第２層には好ましくは、弾性率が０．１から１０ＧＰａ、より好ましくは弾性率が０．３から６ＧＰａの範囲にある保護テープを使用する。これよりも弾性率が小さいと、ウエハ加工後の反りを防ぐのが難しくなり、これよりも弾性率が大きいとテープの剥離が難しくなる。
なお、弾性率は引張試験器を用いて引張り試験を行い、得られた引張強度と伸びのチャートから算出することができる。本明細書に記載の弾性率の値はＪＩＳＢ ７７２１に適合する引張試験器を用いて３００ｍｍ／分の速度で引張強度を測定し算出した値である。
【０００９】
ウエハに直接貼り付ける第１層の保護テープは裏面研削の際に一般的に使用されている感圧型保護テープや放射線硬化型保護テープを用いる。ウエハが研削により所定の厚さになった場合、粘着力が大きいと剥離する際にウエハが割れることがあるので、剥離性を考慮した場合には、第１層の保護テープの粘着力が最も小さいのが好ましい。具体的には、第１層テープの粘着力と第２層以降のテープのシリコンウエハミラー面での粘着力の比が１：１．４以上となるような組み合わせで用いると２つの層のテープを同時に剥離することが可能となる。２枚のテープを貼る場合、剥がす手間が２倍になると言った問題も解消できる。
【００１０】
そのため、放射線照射によって粘着力を小さくでき剥離が容易な放射線硬化型保護テープを使用するのが好ましいが、特に第１層に使用するのがより好ましい。第１層の保護テープは、放射線１０００ｍＪ／ｃｍ２照射後のシリコンウエハミラー面に対する粘着力が０．０１から２．５（Ｎ／２５ｍｍ）の範囲にあるものを用いるのが好ましい。これより粘着力が低いと意図せずに自己剥離する可能性があり保護機能を持たなくなり、これより粘着力が高いとウエハからの剥離が容易にできなくなり、ウエハの割れを招くことになる。なお、粘着力は、２５ｍｍ幅の短冊状に切断した保護テープをシリコンウエハ鏡面に貼着し、ＪＩＳ Ｚ０２３７（１９９１）に準拠し、９０°引き剥がし法、剥離速度５０ｍｍ／分で測定した値である。
【００１１】
保護テープの貼り付け工程は、専用機で貼り付ける場合と手作業で貼り付ける場合が考えられるが、ウエハに貼り付けたテープは、研削処理に先立ち切断する必要がある。貼り付けたテープの大きさがウエハに対しわずかでも異なると、研削砥石がテープに引っかかりウエハに割れが生じる問題がある。そのため第１層の保護テープをウエハに貼り付けた後、カットしない、もしくはウエハの外形よりも大きくカットし、２層目の保護テープを貼り付け、その後でウエハに見合う外形で２枚のテープを同時に切断するのが良い。
切断する治具は特に制限はなく、一般的に使用されているレーザー又は刃物などでよい。
【００１２】
本発明の保護テープとして使用する放射線硬化型テープに適用可能な放射線硬化型粘着剤としては、特に制限は無く、一般的には、アクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなる。
アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系共重合体及び硬化剤を必須成分とするものである。
（メタ）アクリル系共重合体は、例えば（メタ）アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体、及び（メタ）アクリル酸エステル系共重合体の（メタ）アクリル系重合体、或いは官能性単量体との共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の分子量としては重量平均分子量が５０万〜１００万程度の高分子量のものが一般的に適用される。
【００１３】
また、硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ′−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の添加量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。
【００１４】
更に、前記の放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。
【００１５】
また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
【００１６】
放射線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物との配合比としては、アクリル系粘着剤１００質量部に対して放射線重合性化合物を５０〜２００質量部、好ましくは５０〜１５０質量部の範囲で配合されるのが望ましい。この配合比の範囲である場合、放射線照射後に粘着剤層の粘着力は大きく低下する。
更には、放射線硬化型粘着剤は、上記の様にアクリル系粘着剤に放射線重合性化合物を配合する替わりに、アクリル系粘着剤自体を放射線重合性アクリル酸エステル共重合体とすることも可能である。
また、放射線により粘着剤層を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用することができる。これらのうち少なくとも１種類を粘着剤層に添加することにより、効率よく重合反応を進行させることができる。
【００１７】
本発明に適用する保護テープの基材フィルムの材質としては放射線を透過するものであれば特に制限されるものではなく、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィンや、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ナイロン、ポリイミド、ポリエーテル等の種々の材料が適用可能である。
本発明における粘着テープの基材フィルム厚は、特に制限されるものでは無いが２０〜４００μｍの範囲にあるのが望ましい。２０μｍより薄いと貼り合わせ時のハンドリング性を損なう可能性があり、又、４００μｍ厚を超えると、高強度のためテープの剥離がしにくくなる。
また、上記の放射線硬化型テープの他に、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等の感圧型粘着剤を用いた感圧型テープでも良い。
【００１８】
第２層以上の保護テープの材質も特に制限されるものではないが、第１層に放射線硬化型テープを用いる場合には、基材フィルムの材質として放射線を透過するものでなければならないものの、材質を制限されるものではなく、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィンや、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ナイロン、ポリイミド、ポリエーテル等の種々の材料が適用可能である。
【００１９】
【実施例】
次に、本発明の加工体の製造方法を実施例によりさらに詳細に説明し、比較例を示しその効果を明瞭にする。
表面に回路を形成したサイズ２０．３２ｃｍ×２０．３２ｃｍ（８インチ×８インチ）、厚さ約６００μｍのシリコンウエハ表面に表示の各種の保護テープを２枚貼り合わせ又は従来通り１枚貼り、テープをウエハの大きさに合わせてカットしたものを、株式会社岡本工作機械製作所製の平面研削機で研削を行った。研削はそれぞれ６枚ずつ表示の加工厚まで実施した。
研削後、ウエハを床面に平置きし、床面からウエハ端部までの距離を定規で測定し、その値を反りとした。反りの測定箇所は目視で最も大きいと思われる数点を測定しその最大値とした。
また、研削後テープを剥ぎ取り、ウエハを顕微鏡で観察し、ウエハ端部に長手方向が１ｍｍ以上、幅０．１ｍｍ以上の亀裂が認められたもの及び割れたものを割れ枚数として数えた。
剥離実験は一般的に使用されている自動剥離機によって行い、剥離可能な割合が１００％を○、３０％以上、１００％未満を△、３０％未満を×と評価した。使用したテープ、加工厚及び得られた結果を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
実施例１、実施例２は加工厚を変えたものであるが、５０μｍおよび１００μｍに関して、保護テープを２枚貼り合わせることによって、反りおよび割れがなく研削することができ、テープの剥離も容易であった。実施例３は第１層、第２層とも同じ保護テープを２枚貼り付けて実験したものであるが、反りが大きくなるものの何とか実用可能なレベルである。実施例４については、ウエハ割れは生じなかったもののテープの剥離が困難であった。これは第２層の保護テープが硬すぎるのが原因であると推定できる。
比較例１では一般的に使用されている放射線硬化型表面保護テープのみで研削したものであるが、反りが大きくなりハンドリングできないことにより剥離も不能となった。比較例２は、比較的硬い保護テープを１枚貼り付けたものであるが、研削時にウエハ割れが生じるものがあり、ウエハ割れが生じなかったものについて剥離を試みたが、剥離は困難であった。
【００２２】
【発明の効果】
本発明の方法によると、被加工体を１５０μｍ以下の厚さに研削する時でも割れが殆ど無く、反りも少なくなり、ハンドリングが向上することによって、製品の製造歩留まりが向上する。また、弾性率が０．１〜１０ＧＰａのテープを、特に第１層に放射線硬化型粘着テープを用いることによって、テープ剥離の際の被加工体の割れを防止することができ、加工体、特に半導体製品の生産性が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施態様を示すもので、半導体ウエハ表面上に２枚のテープを貼り付けた断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体ウエハ
２ 第１層保護テープ
３ 第２層保護テープ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a processed body by attaching an adhesive tape to the processed object for the purpose of protecting or reinforcing the processed object and grinding the back surface thereof, and particularly to a method of manufacturing a semiconductor by grinding a semiconductor wafer. .
[0002]
[Prior art]
For example, in the step of grinding the back surface of a semiconductor wafer or the like, the front surface of the wafer taken out of the cassette is suction-held by a chuck table, and the back surface of the wafer is ground with a grindstone to a thickness suitable for the application. When the processing such as washing and drying is completed, it is held by suction and stored in the cassette. For this reason, a circuit or the like formed on the surface side of the workpiece such as a wafer may be damaged or stained. Therefore, when processing a wafer with a grinding machine, one protective tape provided with an adhesive layer on a base film on the surface of the wafer is attached, cut into a size substantially equal to the outer shape of the wafer, and fixed. It is common to grind.
[0003]
The conventional protective tape is formed of an elastic material, avoids local concentration of stress during processing, and prevents cracking and chipping occurring on the wafer. However, when the wafer thickness is as thin as 150 μm or less, a single surface protection tape does not have sufficient strength, and the wafer is warped, which makes it difficult to store in a cassette. May come. Attempts have been made to increase the strength of the protective tape itself (see, for example, Patent Document 1). However, it is difficult to achieve both sufficient cushioning properties and increased strength. Often, the wafer is warped due to lack of strength.
[0004]
[Patent Document 1]
JP 2000-150432 A
[Problems to be solved by the invention]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to grind the back surface of a workpiece such as a semiconductor wafer to a thickness of, for example, 150 μm or less. It is intended to provide a method for manufacturing a processed body which suppresses cracks and warpage of the workpiece and improves handling properties such as storage in a cassette.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted intensive studies in order to solve the above-mentioned problems. As a result, in grinding, two or more protective tapes are attached to the surface of the workpiece to grind the back surface of the workpiece and perform a predetermined grinding. It was found that when the thickness was increased, the processed body could be manufactured without cracking or warping of the processed body.
That is, the present invention
(1) In manufacturing a processed object by grinding the back surface of the processed object, a protective tape is attached to the surface of the processed object, and at least one protective tape is further laminated and adhered on the protective tape. A method of manufacturing a processed body,
(2) In manufacturing the semiconductor by grinding the back surface of the semiconductor wafer, a protective tape is attached to the surface of the circuit pattern of the semiconductor wafer, and at least one protective tape is further laminated and attached on the protective tape. A method for manufacturing a semiconductor, characterized in that all tapes are cut into the same size simultaneously according to the size of the semiconductor wafer,
(3) The method for manufacturing a processed product according to (1) or the semiconductor according to (2), wherein the elastic modulus of the protective tape is 0.1 to 10 GPa;
(4) The tape according to any one of (1) to (3), wherein at least one of the protective tape and the protective tape attached to the protective tape is a radiation-curable tape. A method for manufacturing a processed body or a semiconductor, and
(5) The method according to (1), (3) or (4), wherein the workpiece is a semiconductor wafer;
Is provided.
[0007]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
A preferred embodiment of the method for manufacturing a workpiece by grinding a workpiece according to the present invention will be described in detail.
The object to be processed of the present invention includes a semiconductor wafer, glass, a substrate, a resin, and the like. Here, a semiconductor wafer will be described as a typical object to be processed, but the same applies to other objects to be processed.
According to the present invention, when grinding the back surface of a semiconductor wafer 1, which is a workpiece, as shown in FIG. 1, a first-layer protective tape 2 is attached to the wafer surface, and a second-layer protective tape is further placed on the tape. By attaching the tape 3, the wafer can be prevented from cracking or warping after the back surface grinding, and a semiconductor product can be manufactured. If necessary, a third layer, a fourth layer, and a protective tape may be further laminated and attached on the second layer of the protective tape 3.
[0008]
The first layer, the second layer, and the protective tape used thereon are not particularly limited, but a surface protective tape for giving the first layer a cushioning property is used to reinforce the strength for the second layer. It is preferable to attach a support tape for this purpose.
In particular, in order to prevent warpage, it is preferable to use a protective tape having a higher elastic modulus than the first layer for the second layer and above. For the second layer, a protective tape having an elastic modulus of preferably from 0.1 to 10 GPa, more preferably from 0.3 to 6 GPa is used. If the elastic modulus is smaller than this, it becomes difficult to prevent warpage after wafer processing, and if the elastic modulus is larger than this, it becomes difficult to peel off the tape.
The elastic modulus can be calculated from a chart of tensile strength and elongation obtained by performing a tensile test using a tensile tester. The value of the elastic modulus described in this specification is a value calculated by measuring the tensile strength at a speed of 300 mm / min using a tensile tester conforming to JIS B 7721.
[0009]
As the first layer of protective tape to be directly adhered to the wafer, a pressure-sensitive protective tape or a radiation-curable protective tape generally used at the time of back surface grinding is used. When the wafer has a predetermined thickness by grinding, if the adhesive strength is large, the wafer may be broken at the time of peeling. Therefore, when the peeling property is considered, the adhesive strength of the protective tape of the first layer is the most. Preferably, it is small. Specifically, when used in such a combination that the ratio of the adhesive force of the first layer tape to the adhesive force of the second and subsequent layers on the silicon wafer mirror surface is 1: 1.4 or more, the two-layer tape is used. At the same time. When two tapes are applied, the problem that the trouble of removing the tape is doubled can be solved.
[0010]
For this reason, it is preferable to use a radiation-curable protective tape that can be easily peeled by reducing the adhesive force by irradiation with radiation, but is more preferably used for the first layer. As the protective tape of the first layer, it is preferable to use a protective tape having an adhesive force to the silicon wafer mirror surface after irradiation of radiation of 1000 mJ / cm 2 in the range of 0.01 to 2.5 (N / 25 mm). If the adhesive strength is lower than this, there is a possibility of unintentional self-peeling and the protective function will not be provided. If the adhesive strength is higher than this, peeling from the wafer will not be easy and the wafer will be cracked. The adhesive strength is a value obtained by sticking a protective tape cut into a strip having a width of 25 mm on a mirror surface of a silicon wafer and measuring a 90 ° peeling method at a peeling speed of 50 mm / min in accordance with JIS Z0237 (1991). is there.
[0011]
The process of attaching the protective tape may be performed by using a dedicated machine or manually, but the tape attached to the wafer needs to be cut prior to the grinding process. If the size of the attached tape is slightly different from the wafer, there is a problem that the grinding wheel is caught on the tape and the wafer is cracked. Therefore, after attaching the first layer of protective tape to the wafer, do not cut it or cut it larger than the outer shape of the wafer, attach the second layer of protective tape, and then apply two tapes with an outer shape that matches the wafer. It is good to cut at the same time.
The jig to be cut is not particularly limited, and may be a commonly used laser or blade.
[0012]
The radiation-curable pressure-sensitive adhesive applicable to the radiation-curable tape used as the protective tape of the present invention is not particularly limited, and generally contains an acrylic pressure-sensitive adhesive and a radiation-polymerizable compound as main components.
The acrylic pressure-sensitive adhesive contains a (meth) acrylic copolymer and a curing agent as essential components.
The (meth) acrylic copolymer is, for example, a polymer having (meth) acrylic acid ester as a polymer constituent unit, a (meth) acrylic polymer of (meth) acrylic acid ester copolymer, or a functional compound. A copolymer with a monomer, a mixture of these polymers, and the like are included. As the molecular weight of these polymers, those having a high molecular weight of about 500,000 to 1,000,000 are generally applied.
[0013]
Further, the curing agent is used for adjusting the adhesive force and the cohesive force by reacting with the functional group of the (meth) acrylic copolymer. For example, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) toluene, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) ) Epoxy compounds having two or more epoxy groups in a molecule such as benzene, N, N, N, N'-tetraglycidyl-m-xylenediamine, 2,4-tolylenediisocyanate, 2,6-tolylenediisocyanate Compounds having two or more isocyanate groups in a molecule, such as 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, tetramethylol-tri-β-aziridini Rupropionate, trimethylol-tri-β-aziridinyl propionate, Aziridine compounds having two or more aziridinyl groups in a molecule such as rimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, trimethylolpropane-tri-β- (2-methylaziridine) propionate, and the like. . The amount of the curing agent to be added may be adjusted according to the desired adhesive strength, and is suitably 0.1 to 5.0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic copolymer.
[0014]
Further, as the radiation polymerizable compound, for example, a low-molecular-weight compound having at least two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally reticulated by light irradiation is widely used, and specifically, Trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6 hexanediol Diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate and the like are widely applicable.
[0015]
In addition to the above-mentioned acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene). Isocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) and a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by the reaction with acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl). Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained by the reaction.
[0016]
As the compounding ratio of the acrylic pressure-sensitive adhesive and the radiation-polymerizable compound in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the radiation-polymerizable compound is 50 to 200 parts by mass, preferably 50 to 150 parts by mass, based on 100 parts by mass of the acrylic pressure-sensitive adhesive. It is desirable to mix in the range of parts. When the mixing ratio is within this range, the adhesive strength of the adhesive layer is significantly reduced after irradiation.
Further, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive can be a radiation-polymerizable acrylic ester copolymer itself, instead of blending a radiation-polymerizable compound with the acrylic pressure-sensitive adhesive as described above. is there.
When the pressure-sensitive adhesive layer is polymerized by radiation, a photopolymerizable initiator such as isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, benzyl methyl ketal, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy Methylphenylpropane and the like can be used in combination. By adding at least one of these to the pressure-sensitive adhesive layer, the polymerization reaction can proceed efficiently.
[0017]
The material of the base film of the protective tape applied to the present invention is not particularly limited as long as it can transmit radiation. Polyolefin such as polyethylene and polypropylene, PET (polyethylene terephthalate), nylon, polyimide, poly Various materials such as ether are applicable.
The thickness of the base film of the pressure-sensitive adhesive tape in the present invention is not particularly limited, but is preferably in the range of 20 to 400 μm. If the thickness is less than 20 μm, the handleability at the time of bonding may be impaired. If the thickness exceeds 400 μm, the tape is difficult to peel off due to high strength.
A pressure-sensitive tape using a pressure-sensitive adhesive such as an acrylic pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, or a silicone-based pressure-sensitive adhesive other than the radiation-curable tape may be used.
[0018]
Although the material of the protective tape of the second layer or more is not particularly limited, if a radiation-curable tape is used for the first layer, the material of the base film must be transparent to radiation, The material is not limited, and various materials such as polyolefin such as polyethylene and polypropylene, PET (polyethylene terephthalate), nylon, polyimide and polyether can be applied.
[0019]
【Example】
Next, the method of manufacturing a processed body of the present invention will be described in more detail with reference to examples, and comparative examples will be described to clarify the effects.
Attaching two protective tapes of the indicated type to the surface of a silicon wafer with a size of 20.32 cm x 20.32 cm (8 inches x 8 inches) and a thickness of about 600 µm with a circuit formed on the surface Was cut in accordance with the size of the wafer, and ground with a surface grinder manufactured by Okamoto Machine Tool Works, Ltd. Grinding was performed for each of the six pieces to the indicated processing thickness.
After grinding, the wafer was placed flat on the floor, and the distance from the floor to the edge of the wafer was measured with a ruler, and the value was used as warpage. At the measurement point of the warpage, several points considered to be the largest visually were measured, and the maximum value was obtained.
Further, after grinding, the tape was peeled off, and the wafer was observed with a microscope, and a crack having a length of 1 mm or more and a width of 0.1 mm or more at the wafer edge and a crack having a width of 0.1 mm or more were counted as the number of cracks.
The peeling test was carried out by a generally used automatic peeling machine, and the peelable ratio was evaluated as ％, 100% or more, less than 100%, Δ, and less than 30%, ×. Table 1 shows the tape used, the processed thickness and the obtained results.
[0020]
[Table 1]
[0021]
In Examples 1 and 2, the processing thickness was changed. However, with respect to 50 μm and 100 μm, by bonding two protective tapes, it was possible to grind without warping and cracking, and the tape was easily peeled. there were. In Example 3, an experiment was conducted by attaching two identical protective tapes to the first layer and the second layer. However, although the warp was large, it was at a practically usable level. In Example 4, although the wafer did not crack, it was difficult to peel off the tape. This can be presumed to be due to the second layer of the protective tape being too hard.
In Comparative Example 1, grinding was performed only with a generally used radiation-curable surface protection tape. However, peeling was impossible due to large warpage and inability to handle. In Comparative Example 2, one piece of relatively hard protective tape was stuck. Some wafers cracked during grinding, and peeling was attempted on wafers that did not crack, but peeling was difficult. Was.
[0022]
【The invention's effect】
According to the method of the present invention, even when the workpiece is ground to a thickness of 150 μm or less, there is almost no crack, the warpage is reduced, and the handling is improved, so that the production yield of the product is improved. Further, by using a tape having an elastic modulus of 0.1 to 10 GPa, in particular, a radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape for the first layer, it is possible to prevent cracking of the workpiece when peeling off the tape, The productivity of semiconductor products increases.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of the present invention, in which two tapes are stuck on a surface of a semiconductor wafer.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 2 First layer protective tape 3 Second layer protective tape
