JP2004167569A - 無鉛はんだペースト組成物およびはんだ付け方法 - Google Patents

無鉛はんだペースト組成物およびはんだ付け方法 Download PDF

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Abstract

【課題】リフローはんだ付け方法においてチップ立ち現象の発生を低減し、かつリフロー後のボイドの発生をも低減することができる、鉛を含まないはんだペースト組成物およびはんだ付け方法を提供することである。
を提供することである。
【解決手段】少なくとも2種のはんだ合金粉末とフラックス用樹脂とを含有するSn−Ag−In−Bi系はんだペースト組成物であって、前記少なくとも2種のはんだ合金粉末が、Snと、Ag、InおよびBiから選ばれる少なくとも1種とを含有した相互に組成または配合比の異なる合金粉末であり、これらの合金粉末が溶融して形成されるはんだがAg0.5〜5重量%、In0.5〜20重量%、Bi0.1〜3重量%および残部Snの金属組成からなる。
【選択図】 図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無鉛はんだペースト組成物、特にSn−Ag−In−Bi系はんだペースト組成物およびこれを用いたリフローはんだ付け方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
回路基板にコンデンサー、抵抗体などの各種電子部品を搭載するには、回路配線パターンの銅箔ランド(はんだ付けランド)にこれらの電子部品をはんだ付けによって接続することが行われている。このようなはんだ付け方法の1つとして、リフローはんだ付け方法が広く用いられている。
【0003】
このはんだ付け方法では、図1に示すように、まず、積層板に貼り付けた銅箔をエッチングして電子回路配線のパターンを形成したプリント基板1の銅箔ランド2,2の上にはんだペーストをメタルマスクを用いて印刷することによって塗布し、はんだペースト膜3,3を形成する(図1(a))。ついで、チップ状電子部品4をこれらのはんだペースト膜3,3上に載置し(図1(b))、リフローはんだ装置により加熱してはんだペースト膜3,3を溶融させ、冷却固化させることによりはんだ層5,5が形成され、はんだ付けが行われる(図1(c))。はんだペーストとしては、はんだ合金粉末をフラックス樹脂等と混合してペースト状に調製したものが使用される。
【0004】
ところが、チップ状電子部品4をはんだペースト膜3,3上に載置しリフローはんだ装置内で加熱する場合に、熱源から供給される熱の供給は、例えば熱源に近いほど熱が早く供給されるというように、必ずしも全てのはんだペースト膜3,3に均一ではない。このため、銅箔ランド2,2の上に形成されたはんだペースト膜3,3の一方が先に溶融し、これにより図2に示すように、まだ溶融していない他方のはんだペースト膜に接触しているチップ状電子部品4の他方の側が持ち上げられる、いわゆるチップ立ちと呼ばれる現象が起こる(これをマンハッタン現象と呼ぶこともある)。
【0005】
このようなチップ立ちは、電子部品4を載せている一方のはんだペースト膜が他方のはんだペースト膜より先に溶融することに起因しているが、その原因は先に溶融したはんだペースト膜がこれに接触している一方の側の電極に濡れ広がって上昇するので、その表面張力によりモーメントが発生するためと推測されている。
このようなチップ立ち現象は、発生率こそ少ないものの、わずかな浮きの場合には目視や検査機器でも発見が困難である。特に流れ作業で大量生産される場合には、目視等の検査は非能率的である。
【0006】
このような問題を解決するために、従来より融点の異なる2種類の合金粉末を含有するはんだペーストを使用してはんだ付けすることが提案されている。例えば特許文献1には、Sn63/Pb37の高融点のはんだ合金粉末と、Sn62/Pb36/Ag2の低融点のはんだ合金粉末とを混合したはんだペーストを使用することにより、チップ立ち現象の発生率を低減化し得ることが開示されている。その他にもチップ立ちを低減するために提案された従来のはんだペーストは、いずれもSn−Pb系である。
【0007】
しかしながら、近時、鉛の有害性から、鉛を含まないはんだ合金が要望されている。このため、鉛を含まない錫系はんだ合金、例えばSn−Ag−Cu系、Sn−Ag−Bi系等のはんだ合金が種々提案されている(特許文献2および3)。しかし、これらのはんだ合金は機械的な強度や伸び、引張り強度などが十分でない等、問題点も多い。はんだの機械的強度等を向上させるためにはInの使用が有効であることから、Sn−Ag−In系はんだ合金も提案されている(特許文献4,5および6)。
ところが、本発明者らが調べたところ、このような錫系はんだ合金においても、前記したと同様なチップ立ち現象が発生することを確認した。
【0008】
一方、前記したリフローはんだ付け方法では、リフローはんだ付けの加熱時に、はんだペースト内のフラックスに含まれる溶剤、フラックスに含まれる活性剤とはんだ合金粉の反応により生成する水分、及び基板上のランド部の銅、金などのメッキ部分へのはんだの不ヌレなどが原因で、溶融金属中に空洞が残る、所謂ボイドと呼ばれる現象が起こることが知られている。はんだ接合部に空洞部が存在すると、冷熱サイクル試験、落下試験などの加速試験において、空洞部からはんだ接合部に亀裂が起こりやすい。この亀裂発生により電極間の非接触状態が発生し、製品の信頼性問題に大きく悪影響を及ぼす。
【0009】
このようなボイドの発生率は、部品、加熱状態等により異なるが、その発生状態は目視で確認することは不可能で、X線透過装置などの検査機を用い初めて接合部の不良が確認される。このため、流れ作業など大量生産されるものについてそのような検査は非効率であり、またボイド発生部の修正も困難である。そのためリフローはんだ付け方法ではボイドの発生をなくすことが大きな課題とされている。
【0010】
【特許文献1】特開平9−168887号公報
【特許文献2】特開平8−215880号公報
【特許文献3】特開平7−88680号公報
【特許文献4】特許第2634553号公報
【特許文献5】特許第2805595号公報
【特許文献6】特許第3040929号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の主たる目的は、リフローはんだ付け方法においてチップ立ち現象の発生を低減することができる、鉛を含まないはんだペースト組成物およびはんだ付け方法を提供することである。
【0012】
本発明の他の目的は、リフロー後のボイドの発生を低減することができる、鉛を含まないはんだペースト組成物およびはんだ付け方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、Sn−Ag−In−Bi系無鉛はんだペーストにおいて、少なくとも2種の無鉛はんだ合金粉末を混合して使用する場合には、チップ立ち現象の発生を低減することができ、さらにリフロー後のボイドの発生をも低減することができるという新たな事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【0014】
すなわち、本発明のはんだペースト組成物およびこれを用いるはんだ付け方法は、以下の構成からなる。
【0015】
(1)少なくとも2種のはんだ合金粉末とフラックス用樹脂とを含有するはんだペースト組成物であって、
前記少なくとも2種のはんだ合金粉末が、Snと、Ag、InおよびBiから選ばれる少なくとも1種とを含有した相互に組成または配合比の異なる合金粉末であり、これらの合金粉末が溶融して形成されるはんだがAg0.5〜5重量%、In0.5〜20重量%、Bi0.1〜3重量%および残部Snの均一な金属組成からなることを特徴とするSn−Ag−In−Bi系はんだペースト組成物。
【0016】
(2)前記少なくとも2種のはんだ合金粉末が、Snと、Ag、In、BiおよびCuから選ばれる少なくとも1種とを含有した相互に組成または配合比の異なる合金粉末であり、これらの合金粉末が溶融して形成されるはんだがAg0.5〜5重量%、In0.5〜20重量%、Bi0.1〜3重量%、Cu2重量%以下および残部Snからなる(1)記載のはんだペースト組成物。
【0017】
(3)前記少なくとも2種のはんだ合金粉末は、相互に融点が異なる(1)または(2)記載のはんだペースト組成物。
【0018】
(4)前記(1)〜(3)のいずれかに記載のはんだペースト組成物をプリント基板のはんだ付け部に塗布してはんだペースト膜を形成し、ついでこのはんだペースト膜を加熱溶融させて、前記はんだ付け部に電子部品をはんだ付けすることを特徴とするはんだ付け方法。
【0019】
本発明において、チップ立ち現象の発生を低減することができる理由としては、上記した2種またはそれ以上のはんだ合金粉末を使用することにより、単一の合金粉末を使用した場合と比べ、リフローはんだ付け加熱時における金属の溶融状態が長くなるため、チップ状電子部品を載せている両端のはんだペースト膜の一方が他方よりも先に溶融するのが防止されているためであると推測される。
【0020】
また、リフローはんだ付け時、加熱後のはんだ接合部のボイド発生量が減少するのは、リフローはんだ付け加熱時における金属の溶融状態が長くなるため、はんだペースト中のフラックスに含まれる溶剤、及びフラックス中の活性剤と金属粉の反応により生成した水分が接合はんだ部から抜けやすくなるためであると推測される。
【0021】
本発明において、2種以上のはんだ合金粉末が溶融して形成されるはんだの組成中、Inの含有量は0.5〜20重量%であり、好ましくは1〜10重量%である。Inの含有量が0.5重量%未満であると、はんだ合金の融点が低下せず使用しにくいものとなり、はんだの機械的強度も不十分なものとなり、逆に20重量%を越えるとはんだ合金が脆いものとなる。
【0022】
またBiの含有量は0.1〜3重量%であり、好ましくは0.1〜1重量%である。Biの含有量が0.1重量%未満であると、はんだの機械的強度が不十分なものとなり、逆に3重量%を越えるとはんだ合金が脆いものとなる。
【0023】
はんだの金属組織を緻密にして機械的特性を改善するために、さらにCuを加えることもできる。この場合Cuの含有量は2重量%以下であり、好ましくは0.1〜1.5重量%である。Cuの含有量が2重量%を越えるとはんだ合金の融点が高くなりすぎ、かつ脆くなるおそれがある。
【0024】
前記2種以上のはんだ合金粉末の融点差(最大融点−最小融点)は、リフロー条件などによって変わりうるが、通常、約5℃以下、特に1〜3℃程度であればよい。
また、各はんだ合金粉末は、粒径が約5〜40μm、好ましくは20〜30μm程度であればよい。
【0025】
前記2種以上のはんだ合金粉末の混合比率は特に限定されるものではなく、任意な割合で混合可能である。例えば2種のはんだ合金粉末を混合する場合には、重量比で1:9〜9:1で混合可能である。
【0026】
前記フラックス用樹脂としては、従来より使用されているものが使用可能であり、例えばロジン、ロジン誘導体、テルペン系樹脂などの天然樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂などの合成樹脂をベースとして使用される。このフラックス用樹脂には、粘度を調整するためのワックス樹脂、またはアルコール系、テルペン系などの溶剤を併用して使用できる。また、金属の酸化膜を取り除きヌレ性を良くする有機酸・ハロゲン化水素酸アミン塩等の活性剤の併用も行える。これらのフラックス用樹脂、ワックス樹脂、溶剤、活性剤を混ぜ合わせてフラックスを作成し、前記合金粉末と混ぜ合わせることにより、本発明のはんだペーストを製造する。この際、フラックスを8〜16重量%、合金粉末総量を92〜84重量%で混ぜ合わせ粘度を調整する。
【0027】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0028】
実施例1〜4、比較例1
下記表1に示す2種の合金粉末▲1▼、▲2▼(いずれも粒径20〜30μm)を同表に示す割合でフラックスと混合して、溶融後の金属組成がAg3.5重量%、In8.0重量%、Bi0.5重量%、残部SnであるSn−Ag−In−Bi系はんだペーストを作製した(実施例1〜4)。
一方、2種の合金粉末を混合することなく、単一組成であって、金属組成がAg3.5重量%、In8.0重量%、Bi0.5重量%、残部SnであるSn−Ag−In−Bi系のはんだ合金を用いてはんだペーストを作製した(比較例1)。
なお、表1において、例えば「Sn−3.5Ag−16In」とは、Ag3.5重量%、In16重量%、残部Snの合金粉末であることを示している。
【表1】
Figure 2004167569
【0029】
実施例5〜8、比較例2
下記表2に示す2種の合金粉末▲1▼、▲2▼(いずれも粒径20〜30μm)を同表に示す割合でフラックスと混合して、溶融後の金属組成がAg3.5重量%、In3.0重量%、Bi0.5重量%、残部SnであるSn−Ag−In−Bi系はんだペーストを作製した(実施例5〜8)。
一方、2種の合金粉末を混合することなく、単一組成であって、金属組成がAg3.5重量%、In3.0重量%、Bi0.5重量%、残部SnであるSn−Ag−In−Bi系のはんだ合金を用いてはんだペーストを作製した(比較例2)。
なお、表2において、例えば「Sn−3.5Ag−6In」とは、Ag3.5重量%、In6重量%、残部Snの合金粉末であることを示している。
【表2】
Figure 2004167569
【0030】
実施例9〜12、比較例3
下記表3に示す2種の合金粉末▲1▼、▲2▼(いずれも粒径20〜30μm)を同表に示す割合でフラックスと混合して、溶融後の金属組成がAg3.5重量%、In8.0重量%、Bi0.5重量%、Cu0.5重量%、残部SnであるSn−Ag−In−Bi−Cu系はんだペーストを作製した(実施例9〜12)。
一方、2種の合金粉末を混合することなく、単一組成であって、金属組成がAg3.5重量%、In8.0重量%、Bi0.5重量%、Cu0.5重量%、残部SnであるSn−Ag−In−Bi−Cu系のはんだ合金を用いてはんだペーストを作製した(比較例3)。
なお、表3において、例えば「Sn−3.5Ag−16In」とは、Ag3.5重量%、In16重量%、残部Snの合金粉末であることを示している。
【表3】
Figure 2004167569
【0031】
実施例13〜16、比較例4
下記表4に示す2種の合金粉末▲1▼、▲2▼(いずれも粒径20〜30μm)を同表に示す割合でフラックスと混合して、溶融後の金属組成がAg3.5重量%、In3.0重量%、Bi0.5重量%、Cu0.5重量%、残部SnであるSn−Ag−In−Bi−Cu系はんだペーストを作製した(実施例13〜16)。
一方、2種の合金粉末を混合することなく、単一組成であって、金属組成がAg3.5重量%、In3.0重量%、Bi0.5重量%、Cu0.5重量%、残部SnであるSn−Ag−In−Bi−Cu系のはんだ合金を用いてはんだペーストを作製した(比較例4)。
なお、表2において、例えば「Sn−3.5Ag−6In」とは、Ag3.5重量%、In6重量%、残部Snの合金粉末であることを示している。
【表4】
Figure 2004167569
【0032】
以上の各実施例で得たはんだペーストを用いて、チップ状電子部品の銅箔ランドへのリフローはんだ付けを行い、目視にて検査したところ、チップ立ち現象は殆ど発生していなかった。また、X線透過装置での検査の結果、ボイドの発生も認められなかった。
一方、各比較例で得たはんだペーストを用いて、チップ状電子部品の銅箔ランドへのリフローはんだ付けを行ったところ、チップ立ち現象が確認された。また、X線透過装置での検査の結果、ボイドの発生も認められた。
【0033】
【発明の効果】
本発明によれば、Sn−Ag−In−Bi系はんだペーストにおいて、少なくとも2種のはんだ合金粉末を混合して使用することにより、有害な鉛を含まず、かつチップ立ち現象の発生を低減することができ、さらにリフロー後のボイドの発生をも低減することができるため、はんだ付けの信頼性が向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】リフローはんだ付け工程の説明図である。
【図2】チップ立ち現象を示す説明図である。
【符号の説明】
1 プリント基板
2 銅箔ランド
3 はんだペースト膜
4 電子部品
5 はんだ膜

Claims (4)

  1. 少なくとも2種のはんだ合金粉末とフラックス用樹脂とを含有するはんだペースト組成物であって、
    前記少なくとも2種のはんだ合金粉末が、Snと、Ag、InおよびBiから選ばれる少なくとも1種とを含有した相互に組成または配合比の異なる合金粉末であり、これらの合金粉末が溶融して形成されるはんだがAg0.5〜5重量%、In0.5〜20重量%、Bi0.1〜3重量%および残部Snの金属組成からなることを特徴とするSn−Ag−In−Bi系はんだペースト組成物。
  2. 前記少なくとも2種のはんだ合金粉末が、Snと、Ag、In、BiおよびCuから選ばれる少なくとも1種とを含有した相互に組成または配合比の異なる合金粉末であり、これらの合金粉末が溶融して形成されるはんだがAg0.5〜5重量%、In0.5〜20重量%、Bi0.1〜3重量%、Cu2重量%以下および残部Snからなる請求項1記載のはんだペースト組成物。
  3. 前記少なくとも2種のはんだ合金粉末は、相互に融点が異なる請求項1または2記載のはんだペースト組成物。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載のはんだペースト組成物をプリント基板のはんだ付け部に塗布してはんだペースト膜を形成し、ついでこのはんだペースト膜を加熱溶融させて、前記はんだ付け部に電子部品をはんだ付けすることを特徴とするはんだ付け方法。
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