JP2004152898A

JP2004152898A - パターン形成方法、マスクセット、及び露光装置

Info

Publication number: JP2004152898A
Application number: JP2002314823A
Authority: JP
Inventors: Keiji Horioka; 啓治堀岡
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 2002-10-29
Filing date: 2002-10-29
Publication date: 2004-05-27

Abstract

【課題】マスクの欠陥を補償して基板上に信頼性の高いパターンを効率よく形成することが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】このパターン形成方法は、マスク１０を介して露光することにより、基板１２上に所望パターンを形成するパターン形成方法である。この方法は、マスク１０の欠陥Ｄを含む一部領域を遮光した状態で、マスク１０を介して基板１２に対して露光を行う第１の露光工程と、第１の露光工程において遮光された一部領域に対応する基板１２上の領域に、直接露光により描画を行う第２の露光工程と、を備える。
【選択図】図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィ技術を用いて基板上に所定のパターンを形成するパターン形成方法、それに用いるマスクセット及び露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の製造におけるリソグラフィにおいては、可視光線、紫外線、極端紫外線などの光線や電子線などを、所定パターンを有するマスクを介して照射し、シリコン基板上に所望の回路パターンを形成する。回路パターンを形成する際に要求される最小寸法は、２，３年毎に約７０％の比率で縮小しつつあり、近年においては０．１ミクロン以下に迫ろうとしている。このような加工要求の高度化に伴い、リソグラフィに用いるマスク構造も変化し、伝統的に用いられてきたクロム遮光体マスクに変わって、位相シフトマスクやステンシルマスク、あるいはメンブレンマスクが用いられてきている。
【０００３】
しかしながら、このような新規構造のマスクはその製造工程が複雑になり、欠陥が生じるおそれが大きく、しかもその修正が非常に難しいため、マスクの製造歩留まりの低下が懸念される。図２２は、マスク上の修復不可能な致命的欠陥密度と歩留まりとの関係を示すグラフである。図２２に示すように、例えば致命的欠陥密度を２個と仮定したとき、偶然に完全良品のマスクが得られる確率は１３％程度に過ぎない。従って、このときは平均して８枚程度のマスク製作を繰り返す必要がある。また、例えば致命的欠陥密度を１０個と仮定したとき、偶然に完全良品のマスクが得られる確率は０．０１％以下であり、良品のマスクを得ることは事実上不可能である。
【０００４】
そこで、従来より、欠陥を有するマスクについてその欠陥を補償し、マスクの有効利用を図る技術が種々提案されている。例えば、特許文献１には、本来のレジスト膜としての下層レジスト膜の上に、マスクの欠陥を補償するための上層レジスト膜を設け、上層レジスト膜にマスクの欠陥を補償するためのパターンを形成した後、実際にそのマスクを介して下層レジスト膜に所望のパターンを形成する技術が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、同一パターンを形成するために用意された複数のマスクを用いて多重露光を行い、各マスクに生じた欠陥の影響を希釈化する技術が開示されている。
【０００６】
また、特許文献３及び４には、第１のマスクの欠陥部分を含む領域の上を遮光膜で覆うと共に、相補的な第２のマスクを作成し、双方のマスクの多重露光によって、完全なパターンを形成する技術が開示されている。
【０００７】
さらに、特許文献５には、マスキングブレードと呼ばれる遮光手段により欠陥部分のパターン転写を防止する技術が開示されている。
【０００８】
【特許文献１】
特開平６−１３２９０号公報
【特許文献２】
特開２００２−１４１２７５号公報
【特許文献３】
特開平１０−２０７０４０号公報
【特許文献４】
特開２０００−２２１６６２号公報
【特許文献５】
特開２００２−１８４６６９号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した特許文献１に開示の技術では、パターンの形成工程が非常に複雑になり、また上層レジスト膜と下層レジスト膜との間のミキシングに伴う現像残りやピンホールなど新たな欠陥を誘発するおそれがあり、パターン形成の信頼性が低いという問題があった。
【００１０】
また、上記した特許文献２に開示の多重露光を利用した技術では、欠陥部分のパターンの不完全性は多重露光を行うマスクの枚数に反比例するため、無欠陥のパターンを得るには露光時間とマスク枚数が限りなく増大するという問題があった。
【００１１】
また、上記した特許文献３及び４に開示の技術では、第１のマスクの遮光領域と第２のマスクの遮光領域の合わせ目が厳密に相補的でないと、その境界領域のパターンに不良が生じるおそれがあるという問題があった。
【００１２】
さらに、上記した特許文献５に開示の技術では、第１の露光時と第２の露光時とでマスキングブレードが厳密にアライメントされて相補的でないと、境界領域のパターンが不完全になるおそれがあるという問題があった。
【００１３】
本発明は、上記した問題点を解決するためになされたものであり、マスクの欠陥を補償して基板上に信頼性の高いパターンを効率よく形成することが可能なパターン形成方法、それに用いるマスクセット及び露光装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るパターン形成方法は、マスクを介して露光することにより、基板上に所望パターンを形成するパターン形成方法であって、マスクの欠陥を含む一部領域を遮光した状態で、マスクを介して基板に対して露光を行う第１の露光工程と、第１の露光工程において遮光された一部領域に対応する基板上の領域に、直接露光により描画を行う第２の露光工程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
この方法によれば、第１の露光工程において、マスクの欠陥を含む一部領域以外の遮光されていない領域により、その一部領域に対応する基板上の領域を除いてパターンが形成される。そして、第２の露光工程において、基板上の未露光の領域に、マスクを介することなく直接露光によりパターンが描画されて形成される。このように、欠陥を含まない領域はマスクを用いて露光し、欠陥を含む領域は直接露光によりパターンを描画することにより、マスクの欠陥を補償して、基板上に信頼性の高いパターンを効率よく形成することができる。
【００１６】
本発明に係るパターン形成方法は、マスクを介して露光することにより、基板上に所望パターンを形成するパターン形成方法であって、実質的に同一のパターンが形成された複数のマスクからなり、各マスク上の領域を区画してなる複数のブロックのうち、欠陥を含むブロックが全てのマスクについては重なり合うことがないマスクセットを用意し、マスクセットの各マスクを介して基板に対して順次露光を行うときに、各マスクで欠陥を含むブロックを遮光した状態で、かつ既に露光を行った基板上の領域に対応するブロックを遮光した状態で露光を行うことを特徴とする。
【００１７】
この方法によれば、マスクセットに含まれる複数のマスクで、欠陥を含むブロックが全てのマスクについては重なり合うことがないため、各マスクを介して基板に対して順次露光を行うときに、各マスクで欠陥を含むブロックを遮光した状態で、かつ既に露光を行った基板上の領域に対応するブロックを遮光した状態で露光を行うことで、マスクの欠陥を補償して、基板上に信頼性の高いパターンを効率よく形成することができる。
【００１８】
本発明に係るマスクセットは、露光により基板上に所望パターンを形成するための複数のマスクからなるマスクセットであって、複数のマスクの各々には実質的に同一のパターンが形成されており、各マスク上の領域を区画してなる複数のブロックのうち、欠陥を含むブロックが全てのマスクについては重なり合うことがないことを特徴とする。
【００１９】
このとき、複数のマスクの各々は、パターンとして密度の低い疎な領域と、疎な領域よりも密度の高い密な領域とを有し、複数のブロックの境界は疎な領域に含まれることを特徴としてもよい。このようにすれば、多重露光を行う複数のマスクでブロックの合わせずれに伴うパターン劣化の影響を低減することができる。
【００２０】
本発明に係る露光装置は、上記したパターン形成方法に利用される露光装置であって、マスクを保持する第１の保持部と、マスクの欠陥を含む一部領域を遮光するための遮光パターンが形成された遮光用マスクを保持する第２の保持部と、を備えることを特徴とする。
【００２１】
この露光装置では、パターン形成のためのマスクを保持する第１の保持部の他に、遮光用マスクを保持する第２の保持部を備えているため、この第２の保持部に保持された遮光用マスクの遮光パターンにより第１の保持部に保持されたマスクの欠陥を含む一部領域を遮光した状態で露光することができる。
【００２２】
このとき、第２の保持部は、第１の保持部に保持されたマスクと近接した状態で、遮光用マスクを保持することを特徴としてもよく、あるいは第２の保持部は、第１の保持部に保持されたマスクにより形成されるパターンの像面において、遮光用マスクを保持することを特徴としてもよい。
【００２３】
本発明に係る露光装置は、上記したパターン形成方法に利用される露光装置であって、露光ビームを出射する光源部と、露光ビームによるマスク上の走査時において、マスクの欠陥を含む一部領域を遮光するように、ブランキング信号を生成して光源部からの露光ビームの出射を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。このように、露光ビームによりマスク上を走査して露光を行う露光装置においては、制御部によりブランキング信号を生成して光源部からの露光ビームの出射を制御することにより、マスクの欠陥を含む一部領域を遮光することができる。
【００２４】
本発明に係る露光装置は、上記したパターン形成方法に利用される露光装置であって、複数のマスクのいずれかを保持する第１の保持部と、複数のマスクの各々に対応して設けられた、各マスクの所定のブロックを遮光するための遮光パターンが形成された複数の遮光用マスクのいずれかを保持する第２の保持部と、を備えることを特徴とする。
【００２５】
この露光装置では、パターン形成のための複数のマスクのいずれかを保持する第１の保持部の他に、複数の遮光用マスクのいずれかを保持する第２の保持部を備えているため、この第２の保持部に保持された遮光用マスクの遮光パターンにより第１の保持部に保持されたマスクの所定のブロックを遮光した状態で露光することができる。
【００２６】
このとき、第２の保持部は、第１の保持部に保持されたマスクと近接した状態で、遮光用マスクを保持することを特徴としてもよく、あるいは第２の保持部は、第１の保持部に保持されたマスクにより形成されるパターンの像面において、遮光用マスクを保持することを特徴としてもよい。
【００２７】
本発明に係る露光装置は、上記したパターン形成方法に利用される露光装置であって、露光ビームを出射する光源部と、露光ビームによる複数のマスクの各々の走査時において、各マスクの所定のブロックを遮光するように、ブランキング信号を生成して光源部からの露光ビームの出射を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。このように、露光ビームによりマスク上を走査して露光を行う露光装置においては、制御部によりブランキング信号を生成して光源部からの露光ビームの出射を制御することにより、所定のブロックを遮光することができる。
【００２８】
本発明に係る半導体集積回路装置の製造方法は、上記したパターン形成方法を用いることを特徴とする。このように、上記したパターン形成方法を用いることで、信頼性の高い回路パターンを有する半導体集積回路装置を効率的に製造することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００３０】
本発明の具体的な実施形態について説明する前に、まず本発明に係るパターン形成方法の原理について説明する。
【００３１】
本発明に係るパターン形成方法は、リソグラフィ技術を用い、マスクを介して露光ビームを基板上に照射することで、基板上に所定のパターンを形成する。リソグラフィ技術に用いられるマスク構造は、前述したように、加工要求の高度化に伴って変化し、伝統的に用いられてきたクロム遮光体マスクに変わって、位相シフトマスクやステンシルマスク、あるいはメンブレンマスクが用いられてきている。しかしながら、このような新規構造のマスクはその製造工程が複雑になり、欠陥が生じるおそれが大きく、しかもその修正が非常に難しいため、マスクの製造歩留まりの低下が懸念される。ここで、欠陥とは、マスクパターンの余剰や欠け、異物の存在等、露光ビームの強度や位相に変調をきたすものをいう。そこで、本発明は、欠陥を有するマスクについてその欠陥を補償し、マスクの有効利用を図るものである。
【００３２】
そのための手段として、本明細書においては大別して２つの手法を提案する。一つ目の手法は、第１の露光工程と第２の露光工程とを備えている。図１に示すような欠陥Ｄを有するマスク１０があるとき、このマスク１０の欠陥Ｄを補償するため、第１の露光工程では、図２において斜線で示すように、マスク１０の欠陥Ｄを含む一部領域Ｓを遮光した状態で、マスク１０を介して基板１２に対して露光を行う。図３は、第１の露光工程により、マスク１０を介して基板１２上に同一のパターンを縮小転写してなる複数のチップ領域１４を示す図である。また図４は、図３に示す複数のチップ領域１４のうち一のチップ領域の露光状態を示す図である。図４において、第１の露光工程で露光された領域を斜線で示し、未露光の領域を空白で示す。図３及び図４に示すように、基板１２上の各チップ領域１４は、第１の露光工程において遮光されたマスク１０の一部領域Ｓに対応する領域を除いて、全て露光される。そして、第１の露光工程で未露光の領域に対しては、第２の露光工程においてマスク１０を介することなく直接露光により描画が行われる。
【００３３】
この一つ目の手法によれば、欠陥Ｄを含まない領域のパターンはマスク１０を用いて露光して転写し、欠陥Ｄを含む領域のパターンは直接露光により描画することにより、マスク１０の欠陥Ｄを補償して、基板１２上に信頼性の高いパターンを効率よく形成することができる。なお、第１の露光工程で、マスク１０の欠陥Ｄを含む一部領域Ｓを遮光する方法には様々な方法があり、それぞれ異なる遮光方法を利用した３通りのパターン形成方法について、以下に説明する第１〜第３実施形態において具体的に説明する。
【００３４】
また二つ目の手法では、実質的に同一のパターンが形成された複数のマスクからなり、各マスク上の領域を区画してなる複数のブロックのうち、欠陥を含むブロックが全てのマスクについては重なり合うことがないマスクセットを用意する。このようなマスクセット２０として、例えば図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すものが挙げられる。これらのマスク２２，２４を介し基板１２に対して順次露光を行うのであるが、各マスク２２，２４を介して順次露光を行うときに、各マスク２２，２４で欠陥Ｄを含むブロックＳを遮光した状態で、かつ既に露光を行った基板１２上の領域に対応するブロックＳを遮光した状態で露光を行う。
【００３５】
まず、図５（ａ）に示す１枚目のマスク２２を介し基板１２に対して露光するときは、図６（ａ）において斜線で示すように、マスク２２の欠陥Ｄを含むブロックＳを遮光した状態で行う。これにより、図３及び図４に示したのと同様に、基板１２上の各チップ領域１４には、遮光されたマスク２２のブロックＳに対応する領域を除いて全て露光が行われる。次に、一つ目の手法では、未露光の領域に、マスクを介することなく直接露光により描画を行っていたが、二つ目の手法では、直接描画を行うことなく、マスクセットの残りのマスクを利用して順次露光を行う。すなわち、露光のためのマスクを図５（ａ）に示すマスク２２から図５（ｂ）に示すマスク２４に交換する。そして、図６（ｂ）に示すように、斜線で示すブロックＳを遮光した状態で、露光を行う。図６（ｂ）に示すように、２枚目のマスク２４を利用して露光を行う際には、欠陥Ｄを含むブロック、及び既に露光を行った基板１２上の領域に対応するブロックを遮光する。
【００３６】
なお、図５及び図６では、２枚のマスク２２，２４からなるマスクセット２０を用いる場合について説明したが、マスクセットは３枚以上により構成されることもある。図７及び図８は、３枚のマスクからマスクセット３０が構成される場合について示している。図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、１枚目のマスク３２と２枚目のマスク３４とで欠陥Ｄを含むブロックＳ１が一つ重なるが、３枚目のマスク３６にはそのブロックＳ１に対応するブロックに欠陥Ｄが存在しない。このように、２枚のマスク３２，３４で欠陥Ｄを有するブロックが重なり合う場合には、３枚目のマスク３６を利用してその欠陥Ｄを補償する。これにより、このマスクセット３０では、各マスク３２，３４，３６上の領域を区画してなる複数のブロックＳのうち、欠陥Ｄを含むブロックＳが全てのマスクについては重なり合うことがない。
【００３７】
このマスクセット３０を用いて露光を行うに際しても、まず、図７（ａ）に示す１枚目のマスク３２を介し基板１２に対して露光するときは、図８（ａ）に示すように、欠陥Ｄを含むブロックＳを遮光した状態で行う。これにより、図３及び図４に示したのと同様に、基板１２上の各チップ領域１４には、遮光されたマスク３２のブロックＳに対応する領域を除いて露光が行われる。次に、露光のためのマスクを１枚目のマスク３２から図７（ｂ）に示す２枚目のマスク３４に交換する。そして、図８（ｂ）に示すように、斜線で示すブロックを遮光した状態で、露光を行う。図８（ｂ）に示すように、２枚目のマスク３４を利用して露光を行う際には、欠陥Ｄを含むブロック、及び既に露光を行った基板１２上の領域に対応するブロックを遮光する。従って、この状態では、１枚目のマスク３２と２枚目のマスク３４とで重なり合う欠陥Ｄを含むブロックＳ１に対応する基板１２上の領域は、未露光でパターンが形成されていない。そこで、露光のためのマスクを２枚目のマスク３４から図７（ｃ）に示す３枚目のマスク３６に交換し、図８（ｃ）に示すように、斜線で示すブロックを遮光した状態で、露光を行う。図８（ｃ）に示すように、３枚目のマスク３６を利用して露光を行う際にも、欠陥Ｄを含むブロック、及び既に露光を行った基板１２上の領域に対応するブロックを遮光する。これにより、未露光であった基板１２上の領域が露光され、完全なパターンが形成される。
【００３８】
この二つ目の手法によれば、マスクセット２０，３０に含まれる複数のマスクで、欠陥Ｄを含むブロックＳが全てのマスクについては重なり合うことがないため、各マスクを介して基板１２に対して順次露光を行うときに、各マスクで欠陥を含むブロックを遮光した状態で、かつ既に露光を行った基板上の領域に対応するブロックを遮光した状態で露光を行うことで、マスクの欠陥Ｄを補償して、基板１２上に信頼性の高いパターンを効率よく形成することができる。
【００３９】
なお、このようなマスクセット２０，３０の各マスクを介して露光を行うときに、マスクの欠陥Ｄを含むブロックを遮光する方法には様々な方法があり、それぞれ異なる遮光方法を利用した３通りのパターン形成方法について、以下に説明する第４〜第６実施形態において具体的に説明する。
【００４０】
（第１実施形態）
まず、第１実施形態に係るパターン形成方法について説明する。図９は、本実施形態に係るパターン形成方法を実施するための露光装置を模式的に示す図である。
【００４１】
図９に示すように、露光装置４０は光源部４２、ステージ４４、保持部４６、及び制御部４８を備えている。光源部４２は、リソグラフィに必要な露光ビームを出射する。露光ビームとしては、例えば可視光線、紫外線、極端紫外線などの光線や電子線、Ｘ線などが挙げられる。このように、露光ビームとしては電子線やＸ線を用いることがあるため、これら露光ビームを遮蔽することを広く「遮光」ということにする。ステージ４４は、パターン形成のためのレジストが塗布された基板１２を位置決めして保持する。保持部４６は、光源部４２とステージ４４の間に設けられており、所望のパターンが形成されたマスク１０を保持する。制御部４８は、光源部４２からの露光ビームの出射を制御する。また制御部４８は、ステージ４４及び保持部４６の位置を制御する。
【００４２】
次に、かかる構成の露光装置４０を用いたパターン形成方法について説明する。
【００４３】
図１に示すような欠陥Ｄを有するマスク１０を用いて露光を行う際には、図１０に示すように、まず欠陥Ｄを含む一部領域（ブロックＳともいう）上を、直接遮光膜５０で覆う。遮光膜５０としては、クロム膜、カーボン膜等が挙げられるが、露光ビームとして電子線を使用するときにはＳｉ，ＳｉＮ，Ｗ膜等、Ｘ線を使用するときにはＡｕ，Ｔａ膜等を設けると好ましい。
【００４４】
このように欠陥Ｄを含むブロックＳに遮光膜５０を堆積したマスク１０を、図９に示す露光装置４０の保持部４６に保持させて、第１の露光を行う（第１の露光工程）。第１の露光に用いる露光ビームは、ＡｒＦレーザやＦ_２レーザなどの紫外線や、極端紫外線、電子線が好適である。この第１の露光では、マスク１０の欠陥Ｄを含むブロックＳが遮光された状態で露光が行われ、図３及び図４に示すように、基板１２上の各チップ領域１４は、第１の露光により遮光されたマスク１０のブロックＳに対応する領域を除いて、全て露光される。
【００４５】
次に、図１１に示すように、露光装置４０の保持部４６からマスク１０を取り除き、第１の露光で未露光の領域に対して直接露光により描画して第２の露光を行う（第２の露光工程）。この第２の露光では、露光ビームとして直接描画の可能な電子ビームが好適である。なお、第１の露光と第２の露光とにおけるドーズ量は、同一時間で最適現像パターンを実現するように調節する。
【００４６】
これにより、基板１２上のレジストに完全なパターンが転写され、これを現像しエッチング等の処理を施すことで、基板１２上に所望パターンが形成される。
【００４７】
なお、本実施形態に係るパターン形成方法では、第１の露光工程では紫外線を用いて露光し、第２の露光工程では電子線を用いて露光を行うというように、第１及び第２の露光工程で異なる露光ビームを利用することがあるため、露光装置４０の光源部４２が露光ビームを切り替えて出射することができない構成であるときは、第１の露光工程と第２の露光工程とで別体の装置を用いて露光を行うようにしてもよい。
【００４８】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係るパターン形成方法について説明する。図１２は、本実施形態に係るパターン形成方法を実施するための露光装置を模式的に示す図である。
【００４９】
図１２に示すように、露光装置６０は光源部４２、ステージ４４、第１の保持部６２、第２の保持部６４、及び制御部４８を備えている。光源部４２、ステージ４４、及び制御部４８は、第１実施形態で説明した露光装置４０と同様である。第１及び第２の保持部６２，６４は、光源部４２とステージ４４の間に設けられており、所望のパターンが形成されたマスクを近接した状態でそれぞれ保持する。これら第１及び第２の保持部６２，６４は、制御部４８により位置が制御される。
【００５０】
次に、かかる構成の露光装置６０を用いたパターン形成方法について説明する。
【００５１】
図１に示すような欠陥Ｄを有するマスク１０を用いて露光を行う際には、図１３に示すように、露光用のマスク１０とは別に、新たに遮光用のパターンが形成された遮光用マスク６６を用意する。この遮光用マスク６６では、露光用のマスク１０の欠陥Ｄを含む一部領域（ブロックともいう）Ｓに対応するブロックＳが遮光膜５０で覆われている。遮光膜５０としては、第１実施形態で説明したのと同様のものを利用することができる。
【００５２】
このように、欠陥Ｄを含む露光用のマスク１０及び遮光用マスク６６を、それぞれ図１２に示す露光装置６０の第１の保持部６２及び第２の保持部６４にそれぞれ保持させ、第１の露光を行う（第１の露光工程）。このとき、第１及び第２の保持部６２，６４を一体で設け、遮光用マスク６６を露光用のマスク１０上に位置合わせして重ね合わした状態で保持すると好ましい。第１の露光に用いる露光ビームは、ＡｒＦレーザやＦ_２レーザなどの紫外線や、極端紫外線、電子線が好適である。この第１の露光において、露光用のマスク１０の欠陥Ｄを含むブロックＳが遮光された状態で露光が行われ、図３及び図４に示すように、基板１２上の各チップ領域１４は、第１の露光により遮光されたマスク１０のブロックＳに対応する領域を除いて、全て露光される。
【００５３】
次に、第１実施形態において図１１を用いて説明したと同様に、露光装置６０の第１及び第２の保持部６２，６４の双方からマスク１０，６６を取り除き、第１の露光で未露光の基板１２上の領域に対して直接露光により描画して第２の露光を行う（第２の露光工程）。この第２の露光では、露光ビームとして直接描画の可能な電子ビームが好適である。
【００５４】
これにより、基板１２上のレジストに完全なパターンが転写され、これを現像しエッチング等の処理を施すことで、基板１２上に所望パターンが形成される。
【００５５】
なお、図１２に示す露光装置６０では、露光用のマスク１０と遮光用マスク６６を近接した状態で保持していたが、第２の保持部６４は、図１４に示すように、第１の保持部６２に保持された露光用のマスク１０により形成されるパターンの照明光学系の像面において、遮光用マスク６６を保持するようにしてもよい。ただし、この場合は第１の露光工程で電子ビーム以外のビームを露光ビームとして利用する必要がある。
【００５６】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係るパターン形成方法について説明する。図１５は、本実施形態に係るパターン形成方法を実施するための露光装置７０を模式的に示す図である。
【００５７】
図１５に示すように、露光装置７０は第１実施形態で説明した露光装置４０と基本構成が同一であるため、異なる部分についてのみ説明する。この露光装置７０においては、制御部４８は光源部４２からの露光ビームの出射を制御し、図１６に示すように、マスク１０上の各ブロックＳを走査しながら露光する。このとき、図１７に示すように、マスク１０の欠陥Ｄを含むブロックＳでは露光ビームの出射を停止して遮光するように、ブランキング信号を生成して光源部４２からの露光ビームの出射を制御する。なお、図１７（ａ）〜（ｈ）に示す各図は、図１６においてＬ１〜Ｌ８に示す走査線にそれぞれ対応しており、これら走査線Ｌ１〜Ｌ８に沿ってマスク１０上を走査するときの、光源部４２からの露光ビームの出射を制御するための信号（ブランキング信号）を示している。ただし、この露光装置７０では、ブランキング信号により露光ビームの制御を行うため、Ｘ線以外のビームを露光ビームとして利用する必要がある。
【００５８】
次に、かかる構成の露光装置７０を用いたパターン形成方法について説明する。
【００５９】
図１に示すような欠陥Ｄを有するマスク１０を用いて露光を行う際には、図１５に示すように、このマスク１０を露光装置７０の保持部４６に保持させて、第１の露光を行う（第１の露光工程）。第１の露光に用いる露光ビームは、ＡｒＦレーザやＦ_２レーザなどの紫外線や、極端紫外線、電子線が好適である。このとき、図１６に示すように、マスク１０の各ブロックを順に走査しながら露光するのであるが、欠陥Ｄを含むブロック上を走査するに際しては、図１７に示すように、ブランキング信号により光源部４２からの露光ビームの出射が停止され遮光される。これにより、図３及び図４に示すように、第１の露光において基板１２上の各チップ領域１４は、第１の露光により遮光されたマスク１０のブロックＳに対応する領域を除いて、全て露光される。
【００６０】
次に、第１実施形態において図１１を用いて説明したのと同様に、露光装置７０の保持部４６からマスク１０を取り除き、第１の露光で未露光の領域に対して直接露光により描画して第２の露光を行う（第２の露光工程）。この第２の露光では、露光ビームとして直接描画の可能な電子ビームが好適である。
【００６１】
これにより、基板１２上のレジストに完全なパターンが転写され、これを現像しエッチング等の処理を施すことで、基板１２上に所望パターンが形成される。
【００６２】
以上、第１〜第３実施形態に係るパターン形成方法によれば、欠陥Ｄを含まないブロックＳのパターンはマスク１０を用いて露光して転写し、欠陥Ｄを含むブロックＳのパターンは直接露光により描画することにより、全てのブロックを直接露光により描画する場合に比べて、効率良くパターンを形成することができる。すなわち、電子ビーム等による直接描画は処理効率の低下を招くおそれがあるが、欠陥Ｄを含むブロックＳのみを描画することで、処理効率を高く維持することができる。このようにして、マスク１０の欠陥Ｄを補償して、基板１２上に信頼性の高いパターンを効率よく形成することが可能となる。
【００６３】
また、上記した実施形態に係るパターン形成方法は半導体回路装置の製造に好適であり、これにより信頼性の高い回路パターンを有する半導体集積回路装置を効率的に製造することができる。
【００６４】
なお、上記した実施形態では、マスク１０上に欠陥Ｄがある場合、その欠陥Ｄを含む一部領域（ブロック）Ｓを遮光するようにしていたが、このブロックＳの大きさはマスク１０上の典型的な欠陥密度と直接描画による処理効率を考慮して決定すると好ましい。また、パターン設計時にパターンを碁盤の目状に予めブロック分けしておき、マスク１０上でこのブロック分けされた一のブロックＳに欠陥Ｄが存在する場合は、そのブロックＳ全てを遮光するようにすると好ましい。特に、パターン設計時にブロック分けする各ブロックの境界領域ではデザインルールを緩め、形成するパターンを疎な領域と密な領域とに分けておき、この疎な領域に各ブロックの境界がくるように設計すれば、第１の露光と第２の露光とで形成するパターンのアライメント精度を高く維持したり、近接効果の補正を容易にしたりすることが可能となるため好ましい。
【００６５】
典型的には、このデザインルールに従い、（１）ブロックの境界領域には微細なパターンを配置せず、ブロックを跨ぐ配線は極力設けない、（２）配線がブロックを跨ぐ場合は後でパターンの修正を容易にするため配線を太くする、ようにしてパターンを設計する。理想的には、予めマスクレイヤごとの配線パターンをローカルレイヤとグローバルレイヤに分けて設計する。ローカルレイヤは極微細パターンを含み、一定の大きさ以下のローカル部分ごとに分割し、各ローカル部分を完全な露光領域かあるいは完全な未露光領域で取り囲むように設計を行う。したがって、各ローカル部分を繋ぐ配線はこの層には配置しない。そして、前記した完全未露光領域または完全露光領域をブロック同士の境界とする。また各ローカル部分同士を接続するために、グローバルレイヤの配線層を設ける。グローバルレイヤの最小寸法は、比較的マスクの修正が容易な遮光マスクで露光できる寸法以上に設定する。これにより、基板１２上により精度の高いパターンを形成することが容易に実現可能になる。
【００６６】
（第４実施形態）
次に、第４実施形態に係るパターン形成方法について説明する。以下、第４〜第６実施形態に係るパターン形成方法は、冒頭で説明した二つ目の手法を具現化したものである。
【００６７】
本実施形態に係るパターン形成方法は、図９に示すように、第１実施形態に係るパターン形成方法と同一の露光装置４０を使って実施する。以下に、かかる構成の露光装置４０を用いたパターン形成方法について説明する。
【００６８】
まず、マスクセットを用意する。このマスクセットは、冒頭で説明した通り、実質的に同一のパターンが形成された複数のマスクからなり、各マスク上の領域を区画してなる複数のブロックのうち、欠陥を含むブロックが全てのマスクについては重なり合うことがない。
【００６９】
このマスクセットは、例えば次にようにして準備される。すなわち、まず、所定パターンを有する１枚目のマスクを作製し、このマスク上の領域を区画してなる複数のブロックについて、ブロック単位で内部の欠陥の有無を検査して欠陥を発見したとき、実質的に同一のパターンを有する２枚目のマスクを作製する。そして、２枚目のマスク上の領域を区画してなる複数のブロックについて、ブロック単位で内部の欠陥の有無を検査して欠陥を見つけ出す。これらマスクの複数のブロックのうち、欠陥を含むブロックが１枚目のマスクと２枚目のマスクとで重なり合うことがないときは、これら２枚のマスクをマスクセットとする。一方、欠陥を含むブロックが１枚目のマスクと２枚目のマスクとで１つ以上重なり合うときは、実質的に同一のパターンを有する３枚目のマスクを作製する。そして、３枚目のマスク上の領域を区画してなる複数のブロックについて、ブロック単位で内部の欠陥の有無を検査して欠陥を見つけ出す。そして、複数のブロックのうち、欠陥を含むブロックが３枚の全てのマスクについては重なり合うことがないときは、これら３枚のマスクをマスクセットとする。一方、欠陥を含むブロックが３枚のマスクで重なり合うときは、次のマスクを作製する。このように、実質的に同一のパターンを有する複数のマスクを順次作製し、各マスク上の領域を区画してなる複数のブロックのうち、欠陥を含むブロックが全てのマスクについては重なり合うことがなくなるまでマスクの作製を繰り返し、この条件が満たされたときまでに作製されたマスクをマスクセットとする。なお、各マスクのブロック分けについては、第１〜第３実施形態の説明の終わりに説明したのと同様に行う。本実施形態では、図５に示すように、２枚のマスク２２，２４でマスクセット２０が構成される場合について説明する。
【００７０】
このようにして準備されたマスクセット２０を用いて露光するに際し、各マスク２２，２４で欠陥Ｄを含むブロックＳを遮光した状態で、かつ既に露光を行った基板１２上の領域に対応するブロックＳを遮光した状態で露光を行うため、本実施形態では、図１０で説明したのと同様にして、各マスク２２，２４の所定ブロックＳを直接遮光膜５０で覆う。
【００７１】
すなわち、１枚目のマスク２２は、これを用いて露光する前には基板１２上には露光されていないため、図６（ａ）に示すように、欠陥Ｄを含むブロック上のみ遮光膜５０で覆う。これに対し、２枚目のマスク２４では、これを用いて露光する前には１枚目のマスク２２を用いて基板１２上に露光されていることとなるため、図６（ｂ）に示すように、欠陥Ｄを含むブロック、及び１枚目のマスク２２で遮光膜５０に覆われていないブロックに対応するブロックを遮光膜５０で覆う。
【００７２】
このように所定のブロックに遮光膜５０を堆積した各マスク２２，２４を、露光装置４０の保持部４６に順次保持させて（図９参照）、順次露光を行う。露光に用いる露光ビームは、ＡｒＦレーザやＦ_２レーザなどの紫外線や、極端紫外線、電子線が好適である。１枚目のマスク２２を用いた第１の露光では、マスク２２の欠陥Ｄを含むブロックが遮光された状態で露光が行われ、図３及び図４に示すように、基板１２上の各チップ領域１４は、第１の露光により遮光されたマスク２２のブロックに対応する領域を除いて、全て露光される。
【００７３】
次に、露光装置４０の保持部４６から１枚目のマスク２２を取り除き、２枚目のマスク２４を保持部４６に保持させて、第２の露光を行う。なお、第１の露光と第２の露光とにおけるドーズ量は、同一時間で最適現像パターンを実現するように調節する。
【００７４】
これにより、基板１２上のレジストに完全なパターンが転写され、これを現像しエッチング等の処理を施すことで、基板１２上に所望パターンが形成される。
【００７５】
（第５実施形態）
次に、第５実施形態に係るパターン形成方法について説明する。本実施形態に係るパターン形成方法は、図１２に示すように、第２実施形態に係るパターン形成方法と同一の露光装置６０を使って実施する。以下に、かかる構成の露光装置６０を用いたパターン形成方法について説明する。
【００７６】
まず、図５に示すように、第４実施形態で説明したのと同一のマスクセット２０を用意する。このマスクセット２０を用いて露光するに際し、各マスク２２，２４で欠陥Ｄを含むブロックを遮光した状態で、かつ既に露光を行った基板１２上の領域に対応するブロックを遮光した状態で露光を行うため、図１３に示したのと同様にして、図１８に示すように、１枚目のマスク２２に対応する遮光用マスク８２と、２枚目のマスク２４に対応する遮光用マスク８４を用意する。
【００７７】
そして、露光用のマスクセット２０のうち一のマスクを露光装置６０（図１２参照）の第１の保持部６２に保持させ、このマスクに対応する遮光用マスクを第２の保持部６４に保持させて、順次露光を行う。このとき、第１及び第２の保持部６２，６４を一体で設け、遮光用マスクが露光用のマスク上に位置合わせされて重ねあわされた状態で保持すると好ましい。露光に用いる露光ビームは、ＡｒＦレーザやＦ_２レーザなどの紫外線や、極端紫外線、電子線が好適である。１枚目のマスク２２を用いた第１の露光では、マスク２２の欠陥Ｄを含むブロックが遮光された状態で露光が行われ、図３及び図４に示すように、基板１２上の各チップ領域１４は、第１の露光により遮光されたマスク２２のブロックに対応する領域を除いて、全て露光される。
【００７８】
次に、露光装置６０の第１の保持部６２から１枚目のマスク２２を、第２の保持部６４からこれに対応する遮光用マスク８２を取り除き、代わりに２枚目のマスク２４を第１の保持部６２に保持させ、これに対応する遮光用マスク８４を第２の保持部６４に保持させて、第２の露光を行う。
【００７９】
これにより、基板１２上のレジストに完全なパターンが転写され、これを現像しエッチング等の処理を施すことで、基板１２上に所望パターンが形成される。
【００８０】
なお、本実施形態で利用した図１２に示す露光装置６０では、露光用のマスク２２，２４と遮光用マスク８２，８４を近接した状態で保持していたが、第２の保持部６４は、図１４に示すように、第１の保持部６２に保持された露光用のマスク２２，２４により形成されるパターンの照明光学系の像面において、遮光用マスク８２，８４を保持するようにしてもよい。
【００８１】
（第６実施形態）
次に、第６実施形態に係るパターン形成方法について説明する。本実施形態に係るパターン形成方法は、図１５に示すように、第３実施形態に係るパターン形成方法と同一の露光装置７０を使って実施する。以下に、かかる構成の露光装置７０を用いたパターン形成方法について説明する。
【００８２】
まず、図５に示すように、第４実施形態で説明したのと同一のマスクセット２０を準備する。このマスクセット２０の各マスク２２，２４を利用して順次露光を行うのであるが、図５に示す１枚目のマスク２２を用いて露光を行う際には、このマスク２２を露光装置（図１５参照）の保持部４６に保持させて、第１の露光を行う。露光に用いる露光ビームは、ＡｒＦレーザやＦ_２レーザなどの紫外線や、極端紫外線、電子線が好適である。このとき、図１６に示したのと同様に、マスク２２の各ブロックを順に走査しながら露光するのであるが、欠陥Ｄを含むブロックを走査するに際しては、図１７に示したのと同様に、ブランキング信号により光源部４２からの露光ビームの出射が停止され遮光される。これにより、図３及び図４に示すように、第１の露光において基板１２上の各チップ領域１４は、第１の露光により遮光されたマスク２２のブロックに対応する領域を除いて、全て露光される。
【００８３】
次に、露光装置４０の保持部４６から１枚目のマスク２２を取り除き、２枚目のマスク２２を保持部４６に保持させて、第２の露光を行う。このとき、図１９に示すように、マスク２４の各ブロックを順に走査しながら露光するのであるが、欠陥Ｄを含むブロック及び１枚目のマスクで既に露光された基板１２上の領域に対応するブロックを走査するに際しては、図２０に示すように、ブランキング信号により光源部４２からの露光ビームの出射が停止され遮光される。なお、図２０（ａ）〜（ｈ）に示す各図は、図１９においてＬ１〜Ｌ８に示す走査線にそれぞれ対応しており、これら走査線Ｌ１〜Ｌ８に沿って２枚目のマスク２４上を走査するときの、光源部４２からの露光ビームの出射を制御するための信号（ブランキング信号）を示している。
【００８４】
これにより、基板１２上のレジストに完全なパターンが転写され、これを現像しエッチング等の処理を施すことで、基板１２上に所望パターンが形成される。
【００８５】
以上、第４〜第６実施形態に係るパターン形成方法によれば、マスクセット２０に含まれる複数のマスク２２，２４で、欠陥Ｄを含むブロックが全てのマスクについては重なり合うことがないため、各マスク２２，２４を介して基板１２に対して順次露光を行うときに、各マスク２２，２４で欠陥Ｄを含むブロックを遮光した状態で、かつ既に露光を行った基板１２上の領域に対応するブロックを遮光した状態で露光を行うことで、マスク２２，２４の欠陥Ｄを補償して、基板１２上に信頼性の高いパターンを効率よく形成することが可能となる。
【００８６】
また、上記した実施形態に係るパターン形成方法は半導体回路装置の製造に好適であり、これにより信頼性の高い回路パターンを有する半導体集積回路装置を効率的に製造することができる。
【００８７】
図２１は、実質的に同一のパターンが形成された２枚のマスクを独立に作製したとき、各マスク上の領域を区画してなる複数のブロックのうち、欠陥を含むブロックが全てのマスクについては重なり合うことがなくなる確率、すなわちマスクセットの良品取得率を示すグラフである。このとき、致命的欠陥密度を１０としている。なお、図２１において横軸は、各マスク上の領域を区画してなるブロック数を示している。例えば、ブロック数を２００とすれば、１枚のマスクから１９０の良品のブロックを確保することができる。
【００８８】
図２１に示すように、分割するブロック数を２００としたとき、良品のマスクセットが得られる確率は６０％程度であり、図２２に示すように、１枚のマスクで完全な良品が得られる０．０１％以下の確率よりも良品取得率が格段に上昇する。特に、分割するブロック数を５００まで増大すると、９０％程度の確率で良品のマスクセットが得られる。なお、図示はしないが致命的欠陥密度を５とすれば、分割するブロック数を５０としたときでも６０％程度の確率で２枚のマスクからなく良品のマスクセットを取得することができる。
【００８９】
このように、１枚のマスクでは欠陥を有するため利用できない場合であっても、２枚以上を組み合わせてマスクセットとすることにより、良品としてマスクを利用できる確率が格段に高まる。そして、上記した第４〜第６実施形態に係るパターン形成方法によれば、このように良品として取得されたマスクセットを利用することで、マスクの欠陥を補償して、基板上に信頼性の高いパターンを効率よく形成することが可能となる。この方法は、マスクのコスト寄与分の大きい少量多品種ＬＳＩの製造や、開発試作に要するコスト低減に極めて有効である。
【００９０】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されることなく、種々の変更が可能である。
【００９１】
例えば、マスクの所定ブロックを遮光する方法については、上記した各実施形態で説明されたものに限定されず、これ以外の公知の方法を使用することも可能である。
【００９２】
また、第４〜第６実施形態では、マスクセットが２枚で構成される場合について説明したが、マスクセットが３枚以上で構成される場合についても、同様にして実施することができる。
【００９３】
【発明の効果】
本発明によれば、マスクの欠陥を補償して基板上に信頼性の高いパターンを効率よく形成することが可能なパターン形成方法、それに用いるマスクセット及び露光装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１〜第３実施形態で用いる欠陥を有する露光用のマスクを示す図である。
【図２】図１に示すマスクについて、欠陥を含む一部領域（ブロック）を遮光した状態を示す図である。
【図３】１回目の露光により、マスクを介して基板上に同一のパターンを縮小転写してなる複数のチップ領域を示す図である。
【図４】図３に示す複数のチップ領域のうち一のチップ領域の露光状態を示す図である。
【図５】第４〜第６実施形態で用いる欠陥を有する２枚の露光用のマスクからなるマスクセットを示す図である。
【図６】図５に示すマスクセットの各マスクで遮光するブロックを示す図である。
【図７】欠陥を有する３枚の露光用のマスクからなるマスクセットを示す図である。
【図８】図７に示すマスクセットの各マスクで遮光するブロックを示す図である。
【図９】第１実施形態で利用する露光装置を模式的に示す図である。
【図１０】図１０（ａ）は、図１に示す露光用のマスクで欠陥を有するブロックを遮光膜で覆った様子を示す平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＸＢ−ＸＢ線断面図である。
【図１１】図９に示す露光装置を利用して、マスクを取り除いた状態で基板上に直接露光により描画する様子を示す図である。
【図１２】第２実施形態で利用する露光装置を模式的に示す図である。
【図１３】図１３（ａ）は、図１に示す露光用のマスクの欠陥を有するブロックに対応するブロックを遮光膜で覆って形成された遮光用マスクを示す平面図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線断面図である。
【図１４】図１２に示す露光装置の変形例を示す図である。
【図１５】第３実施形態で利用する露光装置を模式的に示す図である。
【図１６】図１に示すマスクの各ブロックを走査しながら露光する様子を説明する図である。
【図１７】図１７（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ図１６に示す各走査線Ｌ１〜Ｌ８に沿うマスクの走査時に、露光ビームの出射を制御するためのブランキング信号を示す図である。
【図１８】図５に示す露光用のマスクセットの各マスクに対する遮光用マスであって、所定のブロックを遮光膜で覆った遮光用マスクを示す平面図である。
【図１９】図５に示す２枚目のマスクの各ブロックを走査しながら露光する様子を説明する図である。
【図２０】図２０（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ図１９に示す各走査線Ｌ１〜Ｌ８に沿うマスクの走査時に、露光ビームの出射を制御するためのブランキング信号を示す図である。
【図２１】実質的に同一のパターンが形成された２枚のマスクを独立に作製したときの良品取得率を示すグラフである。
【図２２】マスク上の修復不可能な致命的欠陥密度と歩留まりとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０…マスク、１２…基板、２０，３０…マスクセット、２２，３２…１枚目のマスク、２４，３４…２枚目のマスク、３６…３枚目のマスク、４０，６０，７０…露光装置、４２…光源部、４４…ステージ、４６…保持部、４８…制御部、５０…遮光膜、６２…第１の保持部、６４…第２の保持部、６６，８２，８４…遮光用マスク、Ｓ…ブロック、Ｄ…欠陥。

Claims

マスクを介して露光することにより、基板上に所望パターンを形成するパターン形成方法であって、
前記マスクの欠陥を含む一部領域を遮光した状態で、該マスクを介して前記基板に対して露光を行う第１の露光工程と、
前記第１の露光工程において遮光された前記一部領域に対応する前記基板上の領域に、直接露光により描画を行う第２の露光工程と、
を備えることを特徴とするパターン形成方法。
マスクを介して露光することにより、基板上に所望パターンを形成するパターン形成方法であって、
実質的に同一のパターンが形成された複数のマスクからなり、各マスク上の領域を区画してなる複数のブロックのうち、欠陥を含むブロックが全てのマスクについては重なり合うことがないマスクセットを用意し、
前記マスクセットの各マスクを介して前記基板に対して順次露光を行うときに、各マスクで欠陥を含むブロックを遮光した状態で、かつ既に露光を行った該基板上の領域に対応するブロックを遮光した状態で露光を行うことを特徴とするパターン形成方法。
露光により基板上に所望パターンを形成するための複数のマスクからなるマスクセットであって、
前記複数のマスクの各々には実質的に同一のパターンが形成されており、各マスク上の領域を区画してなる複数のブロックのうち、欠陥を含むブロックが全てのマスクについては重なり合うことがないことを特徴とするマスクセット。
前記複数のマスクの各々は、前記パターンとして密度の低い疎な領域と、該疎な領域よりも密度の高い密な領域とを有し、前記複数のブロックの境界は該疎な領域に含まれることを特徴とする請求項３に記載のマスクセット。
請求項１に記載のパターン形成方法に利用される露光装置であって、
前記マスクを保持する第１の保持部と、
前記マスクの欠陥を含む一部領域を遮光するための遮光パターンが形成された遮光用マスクを保持する第２の保持部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
前記第２の保持部は、前記第１の保持部に保持された前記マスクと近接した状態で、前記遮光用マスクを保持することを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
前記第２の保持部は、前記第１の保持部に保持された前記マスクにより形成されるパターンの像面において、前記遮光用マスクを保持することを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
請求項１に記載のパターン形成方法に利用される露光装置であって、
露光ビームを出射する光源部と、
前記露光ビームによる前記マスク上の走査時において、該マスクの欠陥を含む一部領域を遮光するように、ブランキング信号を生成して前記光源部からの前記露光ビームの出射を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
請求項２に記載のパターン形成方法に利用される露光装置であって、
前記複数のマスクのいずれかを保持する第１の保持部と、
前記複数のマスクの各々に対応して設けられた、各マスクの所定のブロックを遮光するための遮光パターンが形成された複数の遮光用マスクのいずれかを保持する第２の保持部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
前記第２の保持部は、前記第１の保持部に保持された前記マスクと近接した状態で、前記遮光用マスクを保持することを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
前記第２の保持部は、前記第１の保持部に保持された前記マスクにより形成されるパターンの像面において、前記遮光用マスクを保持することを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
請求項２に記載のパターン形成方法に利用される露光装置であって、
露光ビームを出射する光源部と、
前記露光ビームによる前記複数のマスクの各々の走査時において、各マスクの所定のブロックを遮光するように、ブランキング信号を生成して前記光源部からの前記露光ビームの出射を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
請求項１に記載のパターン形成方法を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
請求項２に記載のパターン形成方法を用いることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。