JP2004146852A - p型III族ナイトライド化合物半導体およびその製造方法 - Google Patents
p型III族ナイトライド化合物半導体およびその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 AlGaN混晶よりなる厚さ1〜100nm程度の第1の層11と、Mgが添加されたp型GaNよりなる厚さ1〜100nm程度の第2の層12とを交互に複数積層し、その後、熱処理を施すことにより、第1の層11と第2の層12との間に、アルミニウムを第1の層よりも低濃度に含むと共にp型不純物を第2の層よりも低濃度に含む第3の層が形成される。アルミニウムの含有量とp型不純物濃度とが互いに異なる第1の層11と第2の層12とをそれぞれ別工程で形成し、その後の熱処理により第3の層を形成することができ、全体としてはp型AlGaN混晶としての性質を持つ良好なp型III族ナイトライド化合物半導体を容易に製造することができる。
【選択図】 図1
Description
Claims (4)
- ガリウム,アルミニウム,ホウ素およびインジウムからなる群のうちの少なくとも1種のIII族元素と、窒素と、マグネシウム,亜鉛および炭素からなる群のうちの少なくとも1種のp型不純物とを含むp型III族ナイトライド化合物半導体であって、
III族元素のうちの少なくともアルミニウムを含むと共にp型不純物を含まない第1の層と、p型不純物のうちの少なくとも1種を含むと共にアルミニウムを含まない第2の層とを交互に複数層それぞれ備えると共に、前記第1の層と第2の層との間に、アルミニウムを前記第1の層よりも低濃度に含むと共にp型不純物を前記第2の層よりも低濃度に含む第3の層が介在している
ことを特徴とするp型III族ナイトライド化合物半導体。 - 前記第2の層はp型不純物としてマグネシウムを含む
ことを特徴とする請求項1記載のp型III族ナイトライド化合物半導体。 - ガリウム,アルミニウム,ホウ素およびインジウムからなる群のうちの少なくとも1種のIII族元素と、窒素と、マグネシウム,亜鉛および炭素からなる群のうちの少なくとも1種のp型不純物とを含むp型III族ナイトライド化合物半導体を製造する方法であって、
III族元素のうちの少なくともアルミニウムを含むと共にp型不純物を含まない第1の層と、p型不純物のうちの少なくとも1種を含むと共にアルミニウムを含まない第2の層とを交互にそれぞれ複数積層する積層工程と、
熱処理を施し、前記第1の層に含まれるアルミニウムと第2の層に含まれるp型不純物とをそれぞれ他方の層に拡散させて前記第1の層と第2との間に第3の層を形成する拡散工程と
を含むことを特徴とするp型III族ナイトライド化合物半導体の製造方法。 - 前記第2の層はp型不純物としてマグネシウムを含む
ことを特徴とする請求項3記載のp型III族ナイトライド化合物半導体の製造方法。
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