JP2004131837A - 連続被覆装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一方の貫通路5が、シールインサート7に設けられており、該シールインサート7が、それぞれ同一の側から、第1の支持面9で一方の処理チャンバ1の壁3に支持されていて、第2の支持面10で、隣接した処理チャンバ2の壁4に支持されており、両支持面9,10と各壁3,4との間に、各支持面9,10と壁3,4とに接触する全周にわたって延びるそれぞれ1つのシール部材13,14が設けられており、該シール部材13,14が、支持面9,10と壁3,4とに支持されているようにした。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、連続被覆装置であって、別個の複数の処理チャンバが設けられており、該処理チャンバが連続して配置されており、それぞれ一方の処理チャンバの、貫通路を有する壁が、隣接した処理チャンバの、同じく貫通路を有する壁に接触しており、当該連続被覆装置において、両貫通路が、壁の間に配置されたシール部材によって外部に対してシールされている形式のものに関する。
【0002】
【従来の技術】
このような連続被覆装置は、たとえばスパッタリング装置として形成され、層スタックを基板に形成するために一般的に知られていて慣用である。連続被覆装置は、現在、連続して配置された30以上の処理チャンバを有していてよく、全体的に100m以上の長さを有していてよい。処理チャンバの端面側の壁に設けられた貫通路は、基板を一方の処理チャンバから他方の処理チャンバに搬送することができるようにするために使用される。個々の処理チャンバを大気圧に対してシールするためには、現在、それぞれ個々の処理チャンバの壁の間に、貫通孔を取り囲むシール部材が配置されており、これによって、処理チャンバの個々の壁の結合後、完全な真空密な装置全体が形成される。
【0003】
このような連続被覆装置には、隣接した処理チャンバの両壁の間の各シール部材を交換するために大きな手間が必要となるという欠点がある。たとえば、このような装置の中間の領域でシール部が不密である場合には、故障したシール部に到達することができるようにするために、一方の側から、前置された全ての処理チャンバが取り外されなければならない。このことは、装置が大きい場合には、しばしば長期にわたる生産不足を生ぜしめるので、このようにシール部が不密となることは経済的に高い損害を招く。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、冒頭で述べた形式の連続被覆装置を改良して、個々の処理チャンバの間に配置されたシール部材の交換を可能な限り簡単にかつ迅速に行うことができるようにすることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明の構成では、一方の貫通路が、シールインサートに設けられており、該シールインサートが、それぞれ同一の側から、第1の支持面で一方の処理チャンバの壁に支持されていて、第2の支持面で、隣接した処理チャンバの壁に支持されており、両支持面と各壁との間に、各支持面と壁とに接触する全周にわたって延びるそれぞれ1つのシール部材が設けられており、該シール部材が、支持面と壁とに支持されているようにした。
【0006】
【発明の効果】
このようなシールインサートは、シールインサートによってシールされる処理チャンバの分離なしに取り外すことができる。なぜならば、シールインサートは処理チャンバの間に配置されておらず、処理チャンバに配置されていて、したがって、シールインサートを保持する固定手段の解離後、各壁から処理チャンバの内部の方向に運動することができるからである。したがって、シールインサートを個々の処理チャンバから取り外すことができ、その後、各シール部材を交換することができる。
【0007】
シールインサートが環状板状に形成されており、一方の支持面が、シールインサートの一方の端面によって形成されており、他方の支持面が、シールインサートの段付け部によって形成されていると、シールインサートは特に単純に形成されている。
【0008】
本発明の別の改良形によれば、シールインサートが、その両方の各支持面に、全周にわたって延びるそれぞれ1つの溝を有しており、該溝が、シール部材としてのOリングを備えていると、シール部材を処理チャンバの外部で容易に取り外すことができると共に組み付けることができる。これによって、シール部材は処理チャンバの壁に挿入される必要がなく、むしろ、容易に取り扱うことができる個々のシールインサートにシール部材を設けることができる。
【0009】
シールインサートが、段付け部によって形成された支持面で載置面に接触しており、該載置面が、シールインサートを収容した処理チャンバの壁に設けられた切欠きによって形成されていると、シールインサートを、このシールインサートを収容する処理チャンバの壁に同一平面を成して配置することができる。
【0010】
シールインサートが、ねじによって壁に保持されており、ねじが、シールインサートを備えた処理チャンバに隣接した処理チャンバの壁から、他方の処理チャンバの、隣接した処理チャンバに接触するシール部材によって取り囲まれた領域の内側でシールインサートのねじ山付き孔内に案内されていることによって、シールインサートの固定が容易に可能となる。このような構成では、ねじを介して処理チャンバの内部が大気に接続されないことが確保されている。なぜならば、ねじが、各シール部材によって取り囲まれた領域の内側で一方の処理チャンバの壁から他方の処理チャンバの壁に到達しているからである。
【0011】
個々の処理チャンバは、装置全体を形成するために、処理チャンバの端面側の壁で互いにねじ締結される。より小さな装置では、シールインサートが、隣接した処理チャンバからシールインサート内に導入されたねじと共に、互いに隣接した両処理チャンバのための結合エレメントを形成していると、個々の処理チャンバのための別個の結合手段を省略することができる。
【0012】
種々異なる時点で種々異なる圧力を生ぜしめることができるように、個々の処理チャンバを互いに遮断することができるようにするためには、フラップ弁を配置することが慣用である。このフラップ弁は、それぞれ他方の処理チャンバに通じる、処理チャンバに設けられた貫通路を閉鎖することができる。フラップ弁は閉鎖状態でシール部材によって、処理チャンバの、貫通孔を取り囲む壁領域に載置している。基板搬送時の誤機能によって、実際には、弁座を形成する壁領域に掻き傷が生ぜしめられる。この掻き傷は、閉鎖されたフラップ弁のシール性を阻害している。このような事例では、これまで、このような掻き傷を除去するためにシール面を研削しかつ研磨することが必要であった。このことには極めて手間がかかった。なぜならば、処理チャンバの内部のシール面に接近しにくいからである。この手間は、本発明の別の改良形によれば、処理チャンバによって収容されたシールインサートが、処理チャンバ内に配置された、貫通路を閉鎖するために設けられたフラップ弁の閉鎖部材のための、貫通路を取り囲むシール面であることによって回避することができる。
【0013】
シールインサートが、ステンレス製の特殊鋼から成っていると、装置全体を廉価な材料、たとえば構造用鋼から製作することができる。これによって、永続的な良好な表面性質が考慮される箇所に高価な材料が使用されさえすればよい。
【0014】
本発明は、種々異なる構成を許容している。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面につき詳しく説明する。
【0016】
図1には、連続被覆装置のうち、2つの処理チャンバ1,2の互いに隣接した2つの領域が示してある。両処理チャンバ1,2はそれぞれ1つの壁3,4で互いに突き合わされている。貫通路5が処理チャンバ1から、壁4に設けられた貫通路6に通じており、これによって、処理チャンバ1,2が貫通路5,6によって互いに接続されている。両貫通路5,6によって、基板(図示せず)を一方の処理チャンバ1;2から他方の処理チャンバ2;1に搬送することが可能となる。
【0017】
両壁3,4の間で両処理チャンバ1,2が大気に接続されることを阻止するためには、処理チャンバ1に環状のシールインサート7が設けられている。段付け部8に基づきシールインサート7は、同じ側に向けられた2つの支持面9,10を有している。両支持面9,10はそれぞれ1つの溝11,12を備えている。両溝11,12内には、Oリングとして形成されたシール部材13,14が位置している。壁3はシールインサート7の領域に切欠き15を有しているので、載置面16が形成される。シールインサート7は支持面9で壁3の載置面16に接触していて、同時に支持面10で壁4に接触している。シールインサート7はこの位置で複数のねじ17によって保持される。これらのねじ17はそれぞれ壁4の孔18を通って案内されていて、壁3のねじ山付き孔19にねじ込まれている。この場合、シール部材14はねじ山付き孔19と孔18との外側に位置しているので、処理チャンバ2は、孔18と両壁3,4の間とを通って外部に大気接続されない。シール部材13は、シールインサート7の外側を通過して外部への処理チャンバ1の大気接続を阻止しているのに対して、シール部材14は、孔18を介した接続は別として、貫通路5,6を介した外部に対する大気への接続を阻止している。
【0018】
さらに、図1には、フラップ弁20が示してある。このフラップ弁20は、実線で図示した位置で閉鎖部材21によって貫通路5を遮断している。このためには、閉鎖部材21がシールリング22でシールインサート7の平らなシール面23に位置している。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にとって重要となる連続被覆装置の部分領域の断面図である。
【符号の説明】
1 処理チャンバ、 2 処理チャンバ、 3 壁、 4 壁、 5 貫通路、 6 貫通路、 7 シールインサート、 8 段付け部、 9 支持面、 10 支持面、 11 溝、 12 溝、 13 シール部材、 14 シール部材、 15 切欠き、 16 載置面、 17 ねじ、 18 孔、 19 ねじ山付き孔、 20 フラップ弁、 21 閉鎖部材、 22 シールリング、 23 シール面
Claims (8)
- 連続被覆装置であって、別個の複数の処理チャンバ(1,2)が設けられており、該処理チャンバ(1,2)が連続して配置されており、それぞれ一方の処理チャンバ(1)の、貫通路(5)を有する壁(3)が、隣接した処理チャンバ(2)の、同じく貫通路(6)を有する壁(4)に接触しており、当該連続被覆装置において、両貫通路(5,6)が、壁(3,4)の間に配置されたシール部材によって外部に対してシールされている形式のものにおいて、一方の貫通路(5)が、シールインサート(7)に設けられており、該シールインサート(7)が、それぞれ同一の側から、第1の支持面(9)で一方の処理チャンバ(1)の壁(3)に支持されていて、第2の支持面(10)で、隣接した処理チャンバ(2)の壁(4)に支持されており、両支持面(9,10)と各壁(3,4)との間に、各支持面(9,10)と壁(3,4)とに接触する全周にわたって延びるそれぞれ1つのシール部材(13,14)が設けられており、該シール部材(13,14)が、支持面(9,10)と壁(3,4)とに支持されていることを特徴とする、連続被覆装置。
- シールインサート(7)が環状板状に形成されており、一方の支持面(10)が、シールインサート(7)の一方の端面によって形成されており、他方の支持面(9)が、シールインサート(7)の段付け部(8)によって形成されている、請求項1記載の連続被覆装置。
- シールインサート(7)が、その両方の各支持面(9,10)に、全周にわたって延びるそれぞれ1つの溝(11,12)を有しており、該溝(11,12)が、シール部材(13,14)としてのOリングを備えている、請求項1または2記載の連続被覆装置。
- シールインサート(7)が、段付け部(8)によって形成された支持面(9)で載置面(16)に接触しており、該載置面(16)が、シールインサート(7)を収容した処理チャンバ(1)の壁(3)に設けられた切欠き(15)によって形成されている、請求項1から3までのいずれか1項記載の連続被覆装置。
- シールインサート(7)が、ねじ(17)によって壁(3,4)に保持されており、ねじ(17)が、シールインサート(7)を備えた処理チャンバ(1)に隣接した処理チャンバ(2)の壁(4)から、他方の処理チャンバ(1)の、隣接した処理チャンバ(2)に接触するシール部材(14)によって取り囲まれた領域の内側でシールインサート(7)のねじ山付き孔(19)内に案内されている、請求項1から4までのいずれか1項記載の連続被覆装置。
- シールインサート(7)が、隣接した処理チャンバ(2)からシールインサート(7)内に導入されたねじ(17)と共に、互いに隣接した両処理チャンバ(1,2)のための結合エレメントを形成している、請求項1から5までのいずれか1項記載の連続被覆装置。
- 処理チャンバ(1)によって収容されたシールインサート(7)が、処理チャンバ(1)内に配置された、貫通路(5)を閉鎖するために設けられたフラップ弁(20)の閉鎖部材(21)のための、貫通路(5)を取り囲むシール面(23)である、請求項1から6までのいずれか1項記載の連続被覆装置。
- シールインサート(7)が、ステンレス製の特殊鋼から成っている、請求項7記載の連続被覆装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6103055A (en) * | 1986-04-18 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | System for processing substrates |
US5110249A (en) * | 1986-10-23 | 1992-05-05 | Innotec Group, Inc. | Transport system for inline vacuum processing |
US4795299A (en) * | 1987-04-15 | 1989-01-03 | Genus, Inc. | Dial deposition and processing apparatus |
ATE119948T1 (de) * | 1990-03-30 | 1995-04-15 | Sony Corp | Sputteranlage. |
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Cited By (6)
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