JP2004128295A - Substrate processor and substrate processing system - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processor and a substrate processing system capable of effectively preventing the mist generated in processing from sticking to the other main surface of a substrate and excellently processing the substrate. <P>SOLUTION: The outer shape of an atmosphere shielding member 2 is made a circle of a radius satisfying the following inequality, that is (radius r)≤(distance Wsb from the center of the substrate S to notch NT). Also, the atmosphere shielding member 2 is arranged such that the center axis 112 of the atmosphere shielding member 2 matches the center axis 11S of the substrate S. Thus, the peripheral edge of the atmosphere shielding member 2 is not projected from the substrate S in a horizontal direction, and is positioned on the center axis side relatively to the notch NT. That is, no matter what position the notch NT is, the exposure of the atmosphere shielding member 2 to the atmosphere where the mist scatters is prevented. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板（以下、単に「基板」という）の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置および該装置を装備する基板処理システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の基板処理装置として、例えば基板が載置される回転台の表面から少し浮かせた状態で基板を水平保持し、その基板の両主面のうち上方を向いた一方主面（上面）にフォトレジスト液、洗浄液、リンス液、エッチング液などの処理液を供給して上面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置が知られている。この基板処理装置では、基板が載置される回転台の上に複数個の基板支持ピンを立設し、これらの基板支持ピンで基板の端縁を位置決め保持している。そして、処理液の供給を受けた基板を回転させることで、その処理液が上面全体に広がり均一な表面処理が実行される。
【０００３】
このように従来装置では、基板が回転台の表面から少し浮いた状態で保持されるので、基板が回転台に当接して載置された場合に生じる基板の他方主面（下面）の損傷や汚染を避けることができる。しかしながら、その一方において、基板処理中に飛散した処理液のミストが基板の下面に回り込んで付着し、基板の下面が汚染されるという別異の問題が生じる。そこで、基板と回転台との間に上下移動部材を配設することで上記問題の解決を図る技術が提案されている（例えば、特許文献１　参照）。
【０００４】
この特許文献１に記載された基板処理装置では、ミストが発生する基板処理中においては、基板と回転台との間に配設されている上下移動部材が駆動手段によって上方（上昇位置）に駆動される。これによって、基板の下面と上下移動部材の上面の間隔が狭くなるので、発生したミストが基板の下面に回り込むのを防止する。また、ミストが発生しない状態、すなわち基板の搬入／搬出のために回転台が停止しているときには、上下移動部材が下方（下降位置）に駆動され、基板の下面と回転台との間隔が広くなる。その結果、搬送アーム等を使って容易に基板を搬送することができる。
【０００５】
【特許文献１　】
特許第２８４５７３８号公報（第２−４　頁、図２）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に記載の装置では、上下移動部材の外形は完全な円形となっており、しかも上下移動部材は基板よりも若干大きめに形成されている。このため、上下移動部材の周縁部が基板からはみ出てしまい、ミストの飛散している雰囲気（基板の周囲）に露出することとなる。その結果、基板処理中に発生するミストが周縁部で跳ね返り、基板の下面側に飛散してしまうことがあった。
【０００７】
また、特許文献１では上下移動部材を基板と同程度の大きさに設定することも記載されているが、この場合にも、次のような問題が生じることがあった。すなわち、この種の基板処理装置が処理対象としている基板には、特殊形状が施されている場合が多い。例えば基板としての半導体ウエハでは、ウエハ面内の結晶学的基準方位を示すために、ノッチやオリエンテーションフラットなどの切欠部が形成されている。つまり、半導体ウエハは、円盤形状を有した半導体基体の周縁部に切欠部を形成してなるものであり、その外形は完全な円盤形状ではなく、略円盤形状となっている。これに対し、特許文献１に記載の装置では、上下移動部材の外形は完全な円形となっており、しかも上下移動部材は基板と同程度の大きさに設定されている。このため、上下移動部材の一部が切欠部を介してミストの飛散している雰囲気（基板の周囲）に露出することとなる。その結果、基板処理中に発生するミストが露出部で跳ね返り、基板の下面側に飛散してしまうことがあった。
【０００８】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、処理中に発生したミストが基板の他方主面に付着することを効果的に防止して基板処理を良好に行うことができる基板処理装置および基板処理システムを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明は、その周縁部に基板切欠部が形成された略円盤状基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、基板を支持する基板支持手段と、基板支持手段により支持されている基板の他方主面に対向させながら基板に近設された雰囲気遮断部材とを備えるとともに、雰囲気遮断部材を以下のように構成している。
【００１０】
この発明の第１の態様では、その外形が基板と同一あるいは基板より小径の円形となっている部材により雰囲気遮断部材が構成されている。したがって、基板の他方主面に対向させながら基板に近設された雰囲気遮断部材については、基板からはみ出すことがなくなる。また、該部材の周縁部に基板切欠部に対応させて遮断部材切欠部が設けられているため、基板切欠部を通過したミストはさらに遮断部材切欠部を通過することとなる。このように、雰囲気遮断部材へのミストの衝突がなくなり、基板の他方主面側へのミスト侵入が防止され、その結果、基板の他方主面へのミスト付着が防止される。
【００１１】
ここで、処理液が供給された基板を回転手段により回転させると、基板の一方主面上の処理液に対して遠心力が加わり、処理液を該一方主面全体に広げて均一な基板処理を行うことができる。このとき、基板切欠部が雰囲気遮断部材の周縁部と対向するのを防止するために、基板切欠部および遮断切欠部を対向させた状態のまま、基板と雰囲気遮断部材とを回転させるのが望ましい。
【００１２】
また、この発明の第２の態様では、雰囲気遮断部材の外形は次の不等式、つまり、
（半径）≦（基板の中心から基板切欠部までの距離）
を満足する半径の円形であり、しかも、雰囲気遮断部材は、その中心軸が基板の中心軸と一致するように配置されている。したがって、雰囲気遮断部材の周縁部は基板からはみ出すことなく、しかも基板切欠部よりも中心軸側に位置している。すなわち、基板切欠部が如何なる位置にあったとしても、ミストの飛散する雰囲気への雰囲気遮断部材の露出が防止される。このため、雰囲気遮断部材へのミストの衝突がなくなり、基板の他方主面側へのミスト侵入が防止され、その結果、基板の他方主面へのミスト付着が防止される。
【００１３】
ここで、処理液が供給された基板を回転手段により回転させると、基板の一方主面上の処理液に対して遠心力が加わり、処理液を該一方主面全体に広げて均一な基板処理を行うことができる。このように基板を回転させる際、基板とともに雰囲気遮断部材を回転させるのが望ましい。特に、基板と雰囲気遮断部材とを同一回転数で回転させると、基板に対して余分な外力が作用するのを防止することができ、より良好な基板処理を行うことができる。
【００１４】
なお、上記した発明では、その周縁部に基板切欠部が形成された略円盤状基板を処理対象としているが、種々の形状を有する基板に対しても本発明を適用することができる。すなわち、本発明は、所定形状を有する板状部材の周縁部に基板切欠部を設けてなる基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、基板を支持する基板支持手段と、基板支持手段により支持されている基板の他方主面に対向させながら基板に近設された雰囲気遮断部材とを備えるとともに、雰囲気遮断部材を以下のように構成している。
【００１５】
この発明の第３の態様では、雰囲気遮断部材は、その外形が板状部材と同一または板状部材よりも小さな略相似形となっている部材で構成されるとともに、該部材の周縁部に基板切欠部に対応させて遮断部材切欠部を設けたものである。したがって、第１の態様と同様に、雰囲気遮断部材の周縁部が基板からはみ出すことなく、また基板切欠部を通過したミストはさらに遮断部材切欠部を通過することとなる。このため、雰囲気遮断部材へのミストの衝突がなくなり、基板の他方主面側へのミスト侵入が防止され、その結果、基板の他方主面へのミスト付着が防止される。
【００１６】
また、この発明の第４の態様では、雰囲気遮断部材の外形が板状部材に対して下記の不等式で示される相似比、つまり
（相似比）≦Ｗｓｂ／（Ｗｓｂ＋Ｗｎｔ）
ただし、
Ｗｓｂ…基板の中心から切欠部までの距離、
Ｗｎｔ…基板の中心から切欠部に向かう切込形成方向における切込部の切込深さ、
の略相似形となっており、しかも、雰囲気遮断部材は、その中心軸が基板の中心軸と一致するように配置されている。このように構成された雰囲気遮断部材も、第２の態様と同様に、雰囲気遮断部材の周縁部は基板からはみ出すことなく、しかも基板切欠部よりも中心軸側に位置しているので、ミストの飛散する雰囲気への雰囲気遮断部材の露出が防止される。したがって、雰囲気遮断部材へのミストの衝突がなくなり、基板の他方主面側へのミスト侵入が防止され、その結果、基板の他方主面へのミスト付着が防止される。
【００１７】
また、この発明にかかる基板処理システムは、上記目的を達成するため、請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、処理ユニットに対して基板を搬送する搬送ユニットとを備えている。これによって基板の他方主面へのミスト付着を効果的に防止しながら、基板の一方主面に対して処理液による基板処理を確実に実行することができる。
【００１８】
さらに、基板を反転させる反転ユニットをさらに備えると、必要に応じて基板を反転位置決めすることができ、基板処理システムの汎用性を高めることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図２は、図１の基板処理装置を上方から見た部分平面図である。この基板処理装置では、半導体ウエハなどの基板Ｓの両主面のうち一方主面Ｓ１に対して純水や薬液などのリンス液が本発明の「処理液」として供給されて一方主面Ｓ１についてリンス処理が施される一方、他方主面Ｓ２についてはリンス処理中に発生するミストが付着するのを以下のようにして防止している。すなわち、この基板処理装置は、基板Ｓの一方主面Ｓ１のみに対して本発明の「基板処理」としてリンス処理を実行する装置である。
【００２０】
この基板処理装置は、基板Ｓよりも若干大きな平面サイズを有するスピンベース１を有している。このスピンベース１の上面には、基板Ｓよりも若干小さな平面サイズを有する雰囲気遮断部材２が固着されている。また、この雰囲気遮断部材２の周縁には、図２に示すように、８個の支持ピン３がほぼ等角度間隔で配置されている。そして、各支持ピン３が基板Ｓの端部と当接可能となっており、これら８個の支持ピン３によって基板Ｓを一方主面Ｓ１を上方に向けた状態で、かつ略水平状態で支持される。このように、この実施形態では、８個の支持ピン３が本発明の「基板支持手段」として機能しているが、基板支持手段の構成はこれに限定されるものではなく、基板をスピンベースから少し浮いた状態で支持するものであれば、如何なる構成のものを採用してもよい。
【００２１】
また、支持ピン３により支持された基板Ｓが水平方向に移動するのを防止するために、４つの保持部材４ａ〜４ｄがスピンベース１の周縁部に設けられている。これら４つの保持部材４ａ〜４ｄのうち保持部材４ａ、４ｂは基板Ｓと当接して保持する保持ピン４１Ａが固定された固定保持部材であるのに対し、保持部材４ｃ、４ｄは保持ピン４１Ｂが可動する可動保持部材である。
【００２２】
図３は保持部材の構成を示す図である。固定保持部材４ａ、４ｂでは、同図（ａ）に示すように、スピンベース１に対してウエイト４２が固定されるとともに、そのウエイト４２の上面に固定ピンホルダ４３が取り付けられている。そして、その固定ピンホルダ４３により固定保持ピン４１Ａが固定的に保持されている。
【００２３】
一方、可動保持部材４ｃ、４ｄでは、同図（ｂ）に示すように、スピンベース１に対してシャフト４４が軸受４５により回動軸心４６回りに回動自在に軸支されている。また、このシャフト４４の上端部に可動ピンホルダ４７が取り付けられるとともに、この可動ピンホルダ４７に可動保持ピン４１Ｂが回動軸心４６から偏心して取り付けられている。このため、装置全体を制御する制御ユニット（図示省略）からの動作信号に応じてマグネット４８が作動すると、このマグネット４８の電磁力を受けてシャフト４４と可動ピンホルダ４７が回動軸心４６回りに回動駆動される。その結果、保持ピン４１が回動軸心４６に対して偏心移動して基板Ｓの端面に対して離当接する。なお、同図（ｂ）は可動保持ピン４１Ｂが離間した状態を示しており、この状態で支持ピン３に対する基板Ｓの搬入出を行う。そして、基板Ｓが支持ピン３に載置された後、マグネット４８の作動により可動保持ピン４１Ｂを偏心移動させることで基板Ｓの側面と当接する基板保持位置まで位置決めする。これによって、可動保持ピン４１Ｂは基板Ｓを固定保持ピン４１Ａとで挟み込んで水平方向に保持する。このように、この実施形態では、８つの支持ピン３で基板Ｓを略水平状態に支持するとともに、４つの保持ピン４１Ａ、４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｂで基板Ｓの水平方向の移動を規制している。
【００２４】
また、スピンベース１には、図１に示すように、本発明の「回転手段」に相当するモータ５１の出力回転軸５２が連結されており、モータ５１の作動に伴って回転する。これによって、スピンベース１の上方で支持ピン３および保持ピン４１Ａ、４１Ｂにより保持されている基板Ｓはスピンベース１および雰囲気遮断部材２とともに回転軸心１１回りに回転する。
【００２５】
こうして回転駆動される基板Ｓの一方主面Ｓ１に対してリンス液を供給すべく、リンス液供給ノズル６が雰囲気遮断部材２の斜め上方位置に配置されている。このリンス液供給ノズル６には、図示を省略するリンス液圧送ユニットが接続されている。そして、後述するようなタイミングでリンス液圧送ユニットからリンス液が圧送されてくると、リンス液供給ノズル６から支持ピン３により支持された基板Ｓの一方主面Ｓ１に向けて吐出される。また、こうしてリンス液が供給された基板Ｓを回転駆動すると、リンス液が遠心力により基板Ｓの一方主面Ｓ１の全体に広がり、リンス処理が実行される。このとき、基板Ｓから振り切られる液体を回収するために、スピンベース１を取り囲むようにカップ部７が設けられている。ここでは、基板Ｓからリンス液を振り切るためには、基板Ｓの回転数を下限回転数よりも高く設定する必要があり、この実施形態では基板Ｓたる半導体ウエハとリンス液たる純水との濡れ性を考慮して基板Ｓの回転数を３００ｒｐｍ以上に設定している。なお、「下限回転数」とは基板から処理液を振り切るために要する最低限の回転数を意味しており、基板の大きさや、基板の一方主面と処理液との濡れ性などに基づき定まる値である。
【００２６】
また、この実施形態では、支持ピン３により基板Ｓを支持しているため、基板Ｓと雰囲気遮断部材２との間隔が狭くなっている。このため、その隙間に搬送ロボットのアームなどを挿入することができない。そこで、リフト機構８を設け、以下の基板搬送、つまり、
・未処理基板Ｓの搬送ロボットからの受け取り、
・受け取った未処理基板Ｓの支持ピン３への載置、
・リンス処理を受けた処理済基板Ｓの支持ピン３からの受け取り、
・受け取った処理済基板Ｓの搬送ロボットへの引渡し
を行う。この実施形態では、リフト機構８は、上下方向に延びる６本のリフタピンスタンド８１と、各リフタピンスタンド８１の上端部に取り付けられた支持部８２と、それらのリフタピンスタンド８１の下端側でリフタピンスタンド８１を相互に連結する連結プレート８３と、連結プレート８３を上下方向に移動させるエアシリンダなどのアクチュエータ８４とを備えている。
【００２７】
そして、制御ユニットからの動作指令に応じてアクチュエータ８４が作動するのに応じて連結プレート８３が上方に移動すると、６本のリフタピンスタンド８１が一体的に上昇する。ここで、支持部８２が支持ピン３よりも高い位置まで移動すると、支持ピン３から基板Ｓを受け取る。このとき、支持部８２は支持ピン３に代わり基板Ｓの周縁部を支持する。また、その上限位置まで移動すると、図１に示すように、支持部８２が処理済基板Ｓを保持したまま、雰囲気遮断部材２から上方に離れた基板受渡し位置Ｐ８１まで移動し、搬送ロボットに処理済基板Ｓの引渡しが可能となる。
【００２８】
また、この基板受渡し位置Ｐ８１では、搬送ロボットから未処理基板Ｓを受け取ることが可能となっている。そして、未処理基板Ｓを受け取った後、制御ユニットからの動作指令に応じてアクチュエータ８４が逆方向に作動するのに応じて連結プレート８３が下方に移動すると、６本のリフタピンスタンド８１が一体的に下降する。ここで、支持部８２が支持ピン３よりも低い位置まで移動すると、支持ピン３に未処理基板Ｓが載置される。また、その下限位置Ｐ８２まで移動すると、カップ部７よりも低い位置に収まり、リンス処理が可能となる。
【００２９】
この実施形態では、リフタピンスタンド８１および支持部８２がカップ部７と干渉するのを防止するために、カップ部７にはリフタピンスタンド８１および支持部８２が通過するための通過孔７１が設けられている。これに対応して通過孔７１の開閉を制御するシャッター８５が設けられている。すなわち、各通過孔７１の近傍にシャッター８５がカップ部７に対して回動軸心８６回りに回動自在に軸支されている。そして、図示を省略するシャッター用アクチュエータの作動に連動してシャッター８５が制御ユニットにより開閉制御される。このため、リンス処理中では、リフタピンスタンド８１および支持部８２がカップ部７よりも低い位置に収まるとともに、各通過孔７１はシャッター８５で塞がれて、カップ部７の内部雰囲気がリフト機構８に流れ込むのを確実に防止することができる。ここで、シャッター８５を開閉駆動するシャッター用アクチュエータとしては、エアシリンダ、ソレノイド、モータなどを用いていることができる。
【００３０】
さらに、この実施形態では、昇降機構９が設けられてカップ部７およびリフト機構８を一体的に昇降可能となっている。この昇降機構９は、リフト機構８のアクチュエータ８４とカップ部７とに連結された昇降テーブル９１を有している。また、この昇降テーブル９１には、複数本のエアシリンダなどのアクチュエータ９２が接続されている。このため、制御ユニットからの昇降指令に応じてアクチュエータ９２が作動すると、昇降テーブル９１が昇降駆動され、カップ部７およびリフト機構８が一体的に昇降移動する。例えば、図１はアクチュエータ９２により昇降テーブル９１が下限位置Ｐ９２に移動した状態を示しており、基板Ｓの搬入出が可能となっている。また、アクチュエータ９２により昇降テーブル９１が同図中の１点鎖線で示す上限位置Ｐ９１に移動すると、この昇降テーブル９１の上昇移動に伴ってカップ部７およびリフト機構８が一体的に上昇してリンス処理が可能となる。図４は、そのリンス処理が可能な状態を示している。
【００３１】
このように構成された基板処理装置では、制御ユニットのメモリに予め記憶されているプログラムにしたがって制御ユニットが装置各部を制御して、未処理基板の搬入、リンス処理、および処理済基板の搬出を行う。
【００３２】
まず、昇降テーブル９１が下限位置Ｐ９２に位置決めされた状態（図１）で、未処理基板Ｓの搬入が行われる（未処理基板の搬入）。具体的には、図示を省略するシャッター用アクチュエータの作動によりシャッター８５が開いた後、リフタ用アクチュエータ８４の作動によりリフタピンスタンド８１が上昇する。そして、基板受渡し位置Ｐ８１で搬送ロボットから未処理基板Ｓを受け取ると、アクチュエータ８４が逆方向に作動して未処理基板Ｓの周縁部を支持部８２で支持しながらリフタピンスタンド８１が一体的に下降する。このため、支持部８２が支持ピン３よりも低い位置まで移動した時点で支持ピン３に未処理基板Ｓが載置される。これに続いて、可動保持部材４ｃ、４ｄの保持ピン４１Ｂが基板保持位置に移動して基板Ｓをしっかりと保持する。なお、リフタピンスタンド８１が下限位置Ｐ８２まで移動すると、カップ部７よりも低い位置に収まると、シャッター８５を閉じる。
【００３３】
このシャッター８５の閉成から適当な時間が経過すると、カップ部７をリンス位置まで上昇させた後、リンス処理を実行する。すなわち、図４に示すように、アクチュエータ９２により昇降テーブル９１を上限位置Ｐ９１に移動させた後、リンス液供給ノズル６から支持ピン３により支持された基板Ｓの一方主面Ｓ１に向けてリンス液を吐出するとともに、モータ５１を作動させて基板Ｓを回転軸心１１回りに回転させる。これによってリンス処理が実行される（リンス処理）。
【００３４】
このリンス処理が完了すると、基板Ｓを回転させたままリンス液供給ノズル６からのリンス液の供給を停止して基板Ｓに付着する液体を振り切り、乾燥させる。そして、この回転乾燥処理が完了すると、モータ５１を停止させて基板Ｓを静止させる。さらに、アクチュエータ９２により昇降テーブル９１を下限位置Ｐ９２に移動させた後、シャッター８５の開成とともに、リフタ用アクチュエータ８４の作動によりリフタピンスタンド８１を上昇させる。これにより、支持部８２が支持ピン３よりも高い位置まで移動した時点で、支持ピン３から支持部８２に処理済基板Ｓが移載され、基板受渡位置Ｐ８１に位置決めされる。そして、処理済基板Ｓが搬送ロボットに引渡され、装置から搬出される（処理済基板の搬出）。なお、基板搬出が行われると、上記と同様にして、リフタピンスタンド８１をカップ部７よりも低い位置に収めるとともに、シャッター８５を閉じる。
【００３５】
このような一連の動作を繰り返すことで複数の基板Ｓについて、一方主面Ｓ１に対するリンス処理を連続的に行うことができる。
【００３６】
次に、雰囲気遮断部材２の構成について、図１、図２および図５を参照しつつ詳述する。図５は雰囲気遮断部材の周縁付近の構成を示す図であり、同図（ａ）は支持ピン装着部位の近傍を示し、同図（ｂ）は支持ピン未装着部位の近傍を示している。雰囲気遮断部材２はスピンベース１の上面に設けられており、その上面２４を基板対向面として支持ピン３に支持された基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ２に対向させながら基板Ｓから離間配置されている。つまり、雰囲気遮断部材２は基板２に近設されている。そして、この雰囲気遮断部材２は、円盤状の平板部材２１と、この平板部材２１の周囲を取り囲むように配置されたドーナツ状の円環部材２２とをボルト・ナットなどの締結部材２３で締結してなるものであり、既に上述したように全体の平面サイズは基板Ｓよりも若干小さくなっている。なお、このように平面サイズを設定している理由については後で詳述する。
【００３７】
また、この雰囲気遮断部材２の両主面のうち基板Ｓと対向する基板対向面２４では、基板Ｓの略中央部と対向する中央領域２４１は平面であり、基板Ｓの周縁部と対向する周縁領域２４２は基板対向面２４の周縁に向かうにしたがって基板Ｓに近接する傾斜面となっている。このため、基板Ｓと雰囲気遮断部材２とで挟まれた微小空間ＳＰは中央部で比較的広がっているものの、基板Ｓの周縁に向かう方向Ｒにしたがって徐々に狭まっており、雰囲気遮断部材２の周縁では基板Ｓと雰囲気遮断部材２との微小隙間ＣＬは微小間隔Ｄｈ、例えば０．３ｍｍ〜１ｍｍ、好ましくは０．３ｍｍ〜０．８ｍｍとなっている。
【００３８】
以上のように、この実施形態では、雰囲気遮断部材２により基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ２を基板Ｓの周囲、つまりミスト飛散雰囲気から遮断しており、リンス処理中に発生したミストが基板Ｓの他方主面Ｓ２側に侵入するのを防止することができる。
【００３９】
また、次に説明するように微小空間ＳＰをミスト飛散雰囲気（基板Ｓの周囲）よりも陽圧にすることでミスト侵入をさらに効果的に防止している。すなわち、この雰囲気遮断部材２の略中央部には、図１および図２に示すように、貫通孔２５が設けられている。この貫通孔２５は出力回転軸５２の中空部に配置された配管５３と接続されており、ガス供給ユニット１０から圧送されてくる窒素ガスや不活性ガスなどの雰囲気ガスが配管５３および貫通孔２５を介して微小空間ＳＰに送られる。しかも、基板対向面２４はその周縁に向かう方向Ｒに進むにしたがって基板Ｓに近接しているため、貫通孔２５を介して圧送されてきた雰囲気ガスは微小空間ＳＰの周縁付近で圧縮されて圧力が上昇する。その結果、微小空間ＳＰはミスト飛散雰囲気よりも陽圧となり、基板Ｓの他方主面Ｓ２側へのミスト侵入が効果的に防止される。
【００４０】
ここで、微小隙間ＣＬを例えば０．３ｍｍ〜０．５ｍｍに設定した場合、種々の実験やコンピュータ・シミュレーションなどによりミスト侵入を防止するために必要な雰囲気ガスの流量を求めたところ、その必要流量は２０（リットル／ｍｉｎ）以上であった。また、微小隙間ＣＬを例えば０．５ｍｍ〜１ｍｍに設定した場合、同流量は１００（リットル／ｍｉｎ）以上であった。このように、微小隙間ＣＬが広がるのにつれて、雰囲気ガスの流量を高めればよいのであるが、２００（リットル／ｍｉｎ）以上の雰囲気ガスを供給した場合、基板Ｓが支持ピン３から浮き上がり、基板姿勢が不安定となってしまう。したがって、最大流量としては２００（リットル／ｍｉｎ）程度に止める必要があり、それに対応して微小隙間ＣＬを１ｍｍ以下に設定する必要がある。
【００４１】
一方、微小隙間ＣＬが狭くなると、雰囲気ガスの必要流量は少なくなるのであるが、０．３ｍｍ未満に設定すると、毛細管現象によりリンス液が空間ＳＰ内に侵入してしまう。したがって、微小隙間ＣＬを０．３ｍｍ以上に設定する必要がある。
【００４２】
さらに、基板対向面２４を上記のように形成したことで微小隙間ＣＬから噴出する雰囲気ガスの流速は高まり、ミストの飛散速度より速くなる。このことはミスト侵入の防止に有利に作用することとなり、基板Ｓの他方主面Ｓ２へのミスト付着の防止をより確実なものとすることができる。
【００４３】
ここで、雰囲気遮断部材２の平面サイズを基板Ｓよりも若干小さく設定している理由について図６を参照しつつ説明する。まず第１には、雰囲気遮断部材２が基板Ｓよりも大きな平面サイズを有している場合には、水平方向において雰囲気遮断部材２の周縁部が基板Ｓよりもはみ出してしまい、雰囲気遮断部材２の基板対向面２４の一部（傾斜面である周縁領域２４２）がミスト飛散雰囲気（基板の周囲）に露出することとなる。そのため、リンス処理中に発生するミストが周縁領域２４２で跳ね返り、基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ２側に飛散してしまう。これに対し、雰囲気遮断部材２の平面サイズを基板Ｓと同一またはそれよりも小さく設定することでミスト飛散雰囲気への基板対向面２４の露出がなくなり、上記問題を解消することができる。この観点のみからいえば、雰囲気遮断部材２を基板Ｓと同一サイズに設定してもよい。
【００４４】
しかしながら、既に「発明が解決しようとする課題」の項で詳述したように、基板Ｓにはノッチやオリエンテーションフラットなどの基板切欠部が施されている場合が多く、これを考慮して雰囲気遮断部材２の平面サイズを設定するのが望ましい。ここでは、図６に示すように基板Ｓとしての半導体ウエハにウエハ面内の結晶学的基準方位を示すためのノッチＮＴが形成されている場合について検討する。
【００４５】
まず、雰囲気遮断部材２を基板Ｓと同一サイズに設定した場合、同図（ａ）に示すように、ノッチＮＴを介して雰囲気遮断部材２の基板対向面２４の一部（周縁領域２４２）がミスト飛散雰囲気（基板の周囲）に露出することとなる。そのため、リンス処理中に発生するミストが周縁領域２４２で跳ね返り、基板Ｓの他方主面（下面）Ｓ２側に飛散してしまう。これに対し、同図（ｂ）に示すように径方向ＲにおけるノッチＮＴの幅Ｗｎｔだけ雰囲気遮断部材２の平面サイズを小さくすると、ミスト飛散雰囲気への基板対向面２４の露出がなくなり、上記問題を解消することができる。したがって、この点を考慮すると、雰囲気遮断部材２の平面サイズをノッチＮＴの幅Ｗｎｔ以上分だけ基板Ｓよりも小さく設定するのが好ましい。この点について、図７を参照してさらに詳しく説明する。
【００４６】
図７は基板のノッチと雰囲気遮断部材との関係を示す斜視図である。ここでは、本発明の「基板切欠部」に相当するノッチＮＴと雰囲気遮断部材２との関係を明確にするため、ノッチＮＴを拡大するとともに基板Ｓと雰囲気遮断部材２との離間距離を広げて図示している。基板Ｓは所定形状（ここでは、円盤形状）を有する板状部材の周縁部にノッチＮＴを形成してなるものである。ここでは、基板Ｓの中心からノッチＮＴに向かう切込形成方向ＲにおけるノッチＮＴの切込深さは上記した幅Ｗｎｔに相当している。また、基板Ｓの中心からノッチＮＴまでの距離は板状部材の半径から切込深さＷｎｔを引いた値、つまり距離Ｗｓｂとなっている。
【００４７】
そこで、この実施形態では、雰囲気遮断部材２の外形を、次の不等式、つまり、
（半径ｒ）≦（基板Ｓの中心からノッチＮＴまでの距離Ｗｓｂ）
を満足する半径の円形に設定している。しかも、雰囲気遮断部材２の中心軸１１２が基板Ｓの中心軸１１Ｓと一致するように雰囲気遮断部材２は配置されている。したがって、雰囲気遮断部材２の周縁部は水平方向において基板Ｓからはみ出すことなく、しかもノッチＮＴよりも中心軸側に位置している。すなわち、ノッチＮＴが如何なる位置にあったとしても、ミストの飛散する雰囲気への雰囲気遮断部材２の露出が防止される。このため、雰囲気遮断部材２へのミストの衝突がなくなり、基板Ｓの他方主面Ｓ２側へのミスト侵入が防止され、その結果、基板Ｓの他方主面Ｓ２へのミスト付着を効果的に防止することができる。
【００４８】
なお、雰囲気遮断部材２の平面サイズ（半径ｒ）の下限値については、基板Ｓの他方主面Ｓ２の表面状態に応じて設定すればよい。すなわち、他方主面Ｓ２のうちミスト付着を確実に防止しなければならない被保護領域は基板中央部分であるため、雰囲気遮断部材２の周縁が被保護領域の外側に位置するという条件を満足する範囲内で平面サイズの下限値を設定することができる。
【００４９】
また、基板ＳのノッチＮＴの影響を防止するためには、図６（ｃ）や図８に示すように、基板ＳのノッチＮＴに対応して雰囲気遮断部材２の周縁にノッチ２６を形成するとともに、基板ＳのノッチＮＴと雰囲気遮断部材２のノッチ２６とが対向するように配置した状態のままリンス処理を実行するように構成してもよい。こうすることで、図６（ｂ）および図７の場合と同様に、ミスト飛散雰囲気への基板対向面２４の露出がなくなり、上記問題を解消することができる。以下、図８を参照しつつ詳述する。
【００５０】
図８は基板のノッチと雰囲気遮断部材のノッチとの関係を示す斜視図である。ここでは、本発明の「基板切欠部」に相当するノッチＮＴと本発明の「遮断部材切欠部」に相当するノッチ２６との関係を明確にするため、両ノッチＮＴ、２６を拡大するとともに基板Ｓと雰囲気遮断部材２との離間距離を広げて図示している。基板Ｓは上記したように所定形状（ここでは、円盤形状）を有する板状部材の周縁部にノッチＮＴを形成してなるものである。
【００５１】
そこで、この実施形態では、雰囲気遮断部材２の外形を板状部材と同一または板状部材よりも小さな略相似形となっている部材２７で構成されるとともに、該部材２７の周縁部にノッチＮＴに対応させてノッチ（遮断部材切欠部）２６を設けたものである。したがって、基板Ｓの他方主面Ｓ２に対向させながら基板Ｓに近設された雰囲気遮断部材２については、水平方向において基板Ｓからはみ出すことがなくなる。また、該部材２７の周縁部にノッチＮＴに対応させてノッチ２６が設けられているため、ノッチＮＴを通過したミストはさらにノッチ（遮断部材切欠部）２６を通過することとなる。このように、雰囲気遮断部材２へのミストの衝突がなくなり、基板Ｓの他方主面Ｓ２側へのミスト侵入が防止され、その結果、基板Ｓの他方主面Ｓ２へのミスト付着を効果的に防止することができる。
【００５２】
さらに、上記したようにリフト機構８のリフタピンスタンド８１および支持部８２が雰囲気遮断部材２を通過して上昇するため、これを考慮して雰囲気遮断部材２の平面サイズを設定するのが望ましい。例えば雰囲気遮断部材２がリフタピンスタンド８１および支持部８２の移動経路と干渉しないように、雰囲気遮断部材２の平面サイズを小さく設定することができる。また、一部を切り欠くように形成することができる。
【００５３】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、中央領域２４１と周縁領域２４２とからなる基板対向面２４を有する雰囲気遮断部材２を用いているが、雰囲気遮断部材２の外形が上記実施形態のように形成されている限り、基板対向面の形状はこれに限定されるものではない。
【００５４】
また、上記実施形態では、平板部材２１と円環部材２２とを締結部材２３で締結することで雰囲気遮断部材２を構成しているが、３つ以上の部材により雰囲気遮断部材を構成したり、逆に一の部材により雰囲気遮断部材を構成するようにしてもよい。
【００５５】
また、上記実施形態では、その周縁部にノッチＮＴが形成された略円盤状基板Ｓを処理対象としているが、種々の形状を有する基板に対しても本発明を適用することができる。すなわち、本発明は、所定形状を有する板状部材の周縁部に基板切欠部を設けてなる基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置に適用することができ、基板を支持する基板支持手段と、基板支持手段により支持されている基板の他方主面に対向させながら基板に近設された雰囲気遮断部材とを備えるとともに、雰囲気遮断部材を以下のように構成することで上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００５６】
他の実施形態として、雰囲気遮断部材の外形が板状部材に対して下記の不等式で示される相似比、つまり
（相似比）≦Ｗｓｂ／（Ｗｓｂ＋Ｗｎｔ）
の略相似形となっており、しかも、雰囲気遮断部材が、その中心軸が基板の中心軸と一致するように配置されるように構成してもよい。このように構成された雰囲気遮断部材も、図７に示す実施形態と同様に、雰囲気遮断部材の周縁部は基板からはみ出すことなく、しかも基板切欠部よりも中心軸側に位置しているので、ミストの飛散する雰囲気への雰囲気遮断部材の露出が防止される。したがって、雰囲気遮断部材へのミストの衝突がなくなり、基板の他方主面側へのミスト侵入が防止されるため、基板の他方主面へのミスト付着を効果的に防止することができる。
【００５７】
また、別の実施形態として、雰囲気遮断部材として、その外形が板状部材と同一または板状部材よりも小さな略相似形となっている部材で構成されるとともに、該部材の周縁部に基板切欠部に対応させて遮断部材切欠部を設けたものを用いることができる。このように構成された雰囲気遮断部材も、図８に示す実施形態と同様に、雰囲気遮断部材は基板からはみ出すことなくなり、また基板切欠部を通過したミストはさらに遮断部材切欠部を通過することとなる。したがって、雰囲気遮断部材へのミストの衝突がなくなり、基板の他方主面側へのミスト侵入が防止されるため、基板の他方主面へのミスト付着を効果的に防止することができる。
【００５８】
また、上記実施形態では、スピンベース１上に雰囲気遮断部材２を設けているが、スピンベース１を本発明の「雰囲気遮断部材」として機能するように構成してもよい。この場合、スピンベース１の外形を上記実施形態と同様に構成すればよい。
【００５９】
また、上記実施形態では、基板にリンス液を供給してリンス処理する基板処理装置に対して本発明を適用しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、基板の一方主面に処理液を供給して所定の基板処理を行う基板処理装置全般に適用することができる。そして、本発明を適用することで基板処理中に発生したミストが基板の他方主面に付着することを効果的に防止して基板処理を良好に行うことができる。特に、超音波振動を印加した処理液を用いる基板処理装置、気体と液体との混合物を処理液として用いる基板処理装置、あるいは高圧処理液を基板の一方主面に供給する基板処理装置などではミスト発生量が比較的多いため、これらの基板処理装置に本発明を適用することは、基板の他方主面へのミスト付着を防止する上で非常に効果的である。
【００６０】
また、この発明にかかる基板処理装置を単体で使用してもよいが、他の基板処理を実行する基板処理装置、基板を搬送する搬送ユニットやインデクサ部などと組み合わせて基板処理システムを構築してもよい。その一例として、例えば図９に示す基板処理システムがある。以下、図９および図１０を参照しつつ、この発明にかかる基板処理システムの一実施形態について説明する。
【００６１】
図９はこの発明にかかる基板処理システムの一実施形態を示す図である。この基板処理システムは、収容容器１１０に収容されている基板Ｓを取出し、その基板の裏面（回路が形成されていない面）に対してリンス処理を施した後、再び収容容器１１０に戻すシステムである。
【００６２】
この基板処理システムでは、図９に示すように上手側（図９の左側）にインデクサ部ＩＤが設けられる一方、インデクサ部ＩＤの下手側（図９の右手側）に基板Ｓの裏面（本発明の「一方主面」に相当）に対してリンス処理を施すプロセス部ＰＰが設けられている。
【００６３】
このインデクサ部ＩＤでは、基板Ｓを収容するための収容容器１１０が４個Ｘ方向に一列で配置されるとともに、その配列方向Ｘに沿って従来より多用されている基板搬送ロボット１２０が移動し、一の収容容器１１０に収容されているリンス処理前の基板Ｓを取り出してプロセス部ＰＰに搬送したり、プロセス部ＰＰからリンス処理済の基板Ｓを受け取って収容容器１１０に収容する。なお以下の説明便宜のために、各図には、上下方向Ｚと、収容容器１１０の配列方向Ｘとに直交する方向を「Ｙ方向」とするＸＹＺ直角座標軸が示されている。
【００６４】
インデクサ部ＩＤの（＋Ｙ）側に配置されたプロセス部ＰＰでは、その略中央部にセンターロボット２００が配置されている。このセンターロボット２００については従来より多用されている基板搬送ロボットと同一構成を有するものを用いることができ、本発明の「搬送ユニット」として機能する。また、このセンターロボット２００の周囲に、上記実施形態にかかる基板処理装置と同一構成を有する裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄおよび反転ユニット４００が配設されている。なお、ここでは、本発明の「処理ユニット」に相当する裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄについての説明は省略する。
【００６５】
図１０は、図９の基板処理システムに設けられた反転ユニットの構成を示す図であり、同図（ａ）は反転ユニットを上方より見た平面図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。この反転ユニット４００はセンターロボット２００との間で基板Ｓを受渡すための一対の基板チャック４０１、４０１を有している。この基板チャック対４０１、４０１は互いに対向して離間配置されている。また、各基板チャック４０１はロータリーシリンダ４０２のロッド４０３の先端部に取付けられており、ロッド４０３のＸ方向移動に伴いＸ方向に移動し、またロッド４０３の回転動作に伴いロッド４０３回りに１８０゜回転する。
【００６６】
このため、相互に離間している基板チャック対４０１、４０１の間に未処理の基板Ｓがインデクサ部ＩＤの基板搬送ロボット１２０とセンターロボット２００によって搬送されてくると、両ロッド４０３が伸長して同図に示すように基板チャック対４０１、４０１が基板Ｓを挟持した後、センターロボット２００が退避する。そして、両ロッド４０３が１８０゜回転する。これによって、収容容器１１０からそのままローディングされた状態、つまり回路などが形成された表面（本発明の「他方主面」に相当）Ｓ２を上方に向けた状態で搬送されてきた基板Ｓは反転されてフェースダウン状態となり、基板Ｓの裏面Ｓ１が上方を向いた状態となる。そして、このフェースダウン状態のまま反転ユニット４００は基板Ｓをセンターロボット２００に受け渡す。
【００６７】
一方、裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄからフェースダウン状態のままセンターロボット２００により、リンス処理済の基板Ｓが反転ユニット４００に搬送されてくると、未処理基板Ｓに対する反転動作と同様にして、リンス処理済基板Ｓを反転させる。これによって、基板Ｓはフェースアップ状態、つまり回路などが形成された表面Ｓ２を上方に向けた状態に戻る。そして、反転ユニット４００はこの基板Ｓを基板搬送ロボット１２０に受け渡す。
【００６８】
このように構成された基板処理システムに対して、基板表面Ｓ２を上方に向けた状態で複数枚の基板Ｓを収容した収容容器１１０がＡＧＶ（ａｕｔｏｍａｔｅｄ　ｇｕｉｄｅｄ　ｖｅｈｉｃｌｅ）等の運搬装置によりインデクサ部ＩＤに搬送されてくると、以下のようにして各基板Ｓに対して裏面洗浄を行う。ここでは、１枚の基板Ｓに着目して該システムの動作について説明する。
【００６９】
まず、基板搬送ロボット１２０が収容容器１１０からフェースアップ状態のまま基板Ｓを取出し、センターロボット２００に受け渡した後、このセンターロボット２００が基板Ｓを反転ユニット４００に搬送する（ローディング）。そして、この基板Ｓを受けた反転ユニット４００は、基板Ｓを反転させた後、フェースダウン状態でセンターロボット２００に受け渡す。このセンターロボット２００は４つの裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄの一に搬入する。
【００７０】
センターロボット２００から未処理基板Ｓを受け取った裏面洗浄ユニットは、上記した実施形態にかかる基板処理装置と同一動作を実行して基板Ｓの裏面Ｓ１をリンス処理する（裏面洗浄）。このとき、上記基板処理装置と同様に、雰囲気遮断部材２により基板Ｓの表面（他方主面）Ｓ２をミスト飛散雰囲気から遮断するとともに、微小空間ＳＰをミスト飛散雰囲気（基板Ｓの周囲）よりも陽圧にし、しかも微小隙間ＣＬから噴出する雰囲気ガスの流速を高めているので、リンス処理中に発生したミストが基板Ｓの表面Ｓ２に付着するのを効果的に防止することができる。また、基板Ｓの周縁部にノッチＮＴが設けられていることに対応して雰囲気遮断部材２を上記実施形態と同様に構成しているので、ノッチＮＴを通過したミストが雰囲気遮断部材２に衝突するのを防止することができ、基板Ｓの表面Ｓ２側へのミスト侵入を防止することができる。つまり、基板Ｓの表面Ｓ２へのミスト付着を確実に防止しながら、基板Ｓの裏面Ｓ１のみをリンス処理することができ、良好な裏面洗浄を行うことができる。
【００７１】
裏面洗浄が完了すると、センターロボット２００が処理済の基板Ｓを受け取り、反転ユニット４００に搬送する。そして、この反転ユニット４００により基板Ｓをフェースアップ状態にした後、この基板Ｓをセンターロボット２００が受け取り、さらに基板搬送ロボット１２０に受け渡した後、この基板搬送ロボット１２０が収容容器１１０に戻す（アンローディング）。
【００７２】
なお、この実施形態にかかる基板処理システムでは、「処理ユニット」として４つの裏面洗浄ユニット３００Ａ〜３００Ｄを装備しているが、その個数や配置などについては任意である。また、基板処理システムとしては、上記実施形態にかかる基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、該処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットとを少なくとも設けているものであれば、上記作用効果が得られる。したがって、処理ユニットおよび搬送ユニット以外に、他のユニットを追加して基板処理システムを構築するようにしてもよい。
【００７３】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、基板の周縁部に切欠部が設けられていることに対応した形状を有する雰囲気遮断部材を用いているので、雰囲気遮断部材へのミストの衝突がなくなり、基板の他方主面側へのミスト侵入を防止することができる。その結果、基板の他方主面へのミスト付着を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置を上方から見た部分平面図である。
【図３】保持部材の構成を示す図である。
【図４】図１の基板処理装置のリンス動作を示す図である。
【図５】雰囲気遮断部材の周縁付近の構成を示す図である。
【図６】基板のノッチと雰囲気遮断部材との関係を示す図である。
【図７】基板のノッチと雰囲気遮断部材との関係を示す斜視図である。
【図８】基板のノッチと雰囲気遮断部材のノッチとの関係を示す斜視図である。
【図９】この発明にかかる基板処理システムの一実施形態を示す図である。
【図１０】図９の基板処理システムに設けられた反転ユニットの構成を示す図である。
【符号の説明】
２，２７…雰囲気遮断部材
２１…平板部材（雰囲気遮断部材）
２２…円環部材（雰囲気遮断部材）
２６…ノッチ（遮断部材切欠部）
５１…モータ（回転手段）
２００…センターロボット（搬送ユニット）
３００Ａ〜３００Ｄ…裏面洗浄ユニット（処理ユニット）
４００…反転ユニット
ＮＴ…ノッチ（基板切欠部）
Ｓ１…（基板の）一方主面
Ｓ２…（基板の）他方主面
Ｓ…基板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention supplies a processing liquid to one main surface of various substrates (hereinafter, simply referred to as “substrate”) such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, and a substrate for an optical disk. The present invention also relates to a substrate processing apparatus for performing a predetermined substrate processing on the one main surface and a substrate processing system equipped with the apparatus.
[0002]
[Prior art]
As this type of substrate processing apparatus, for example, a substrate is horizontally held while slightly floating from the surface of a turntable on which the substrate is mounted, and one main surface (upper surface) of one of both main surfaces of the substrate facing upward is facing upward. 2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus that supplies a processing liquid such as a photoresist liquid, a cleaning liquid, a rinsing liquid, and an etching liquid to perform predetermined substrate processing on an upper surface is known. In this substrate processing apparatus, a plurality of substrate support pins are erected on a turntable on which a substrate is placed, and the edge of the substrate is positioned and held by these substrate support pins. Then, by rotating the substrate to which the processing liquid is supplied, the processing liquid spreads over the entire upper surface, and uniform surface processing is performed.
[0003]
As described above, in the conventional apparatus, the substrate is held while slightly floating from the surface of the turntable, so that the other main surface (lower surface) of the substrate may be damaged when the substrate is placed in contact with the turntable. Pollution can be avoided. However, on the other hand, there is another problem that the mist of the processing liquid scattered during the processing of the substrate goes around and adheres to the lower surface of the substrate, thereby contaminating the lower surface of the substrate. Therefore, a technique has been proposed that solves the above problem by disposing a vertically moving member between the substrate and the turntable (for example, see Patent Document 1).
[0004]
In the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, during processing of a substrate in which mist is generated, a vertically moving member disposed between the substrate and the turntable is driven upward (up position) by a driving unit. Is done. As a result, the distance between the lower surface of the substrate and the upper surface of the vertically moving member is reduced, so that the generated mist is prevented from wrapping around the lower surface of the substrate. When no mist is generated, that is, when the turntable is stopped for loading / unloading the substrate, the vertical moving member is driven downward (downward position), and the distance between the lower surface of the substrate and the turntable is wide. Become. As a result, the substrate can be easily transferred using the transfer arm or the like.
[0005]
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 2845738 (pages 2-4, FIG. 2)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the device described in Patent Literature 1, the outer shape of the vertically moving member is a perfect circle, and the vertically moving member is formed slightly larger than the substrate. For this reason, the peripheral portion of the vertically moving member protrudes from the substrate and is exposed to the atmosphere in which the mist is scattered (around the substrate). As a result, mist generated during the processing of the substrate may rebound at the peripheral portion and scatter on the lower surface side of the substrate.
[0007]
Further, Patent Document 1 describes that the vertical moving member is set to be substantially the same size as the substrate, but in this case, the following problem may occur. That is, a substrate to be processed by this type of substrate processing apparatus is often provided with a special shape. For example, in a semiconductor wafer as a substrate, a notch such as a notch or an orientation flat is formed to indicate a crystallographic reference orientation in a wafer plane. In other words, the semiconductor wafer is formed by forming a notch in the peripheral portion of a semiconductor substrate having a disk shape, and its outer shape is not a perfect disk shape but a substantially disk shape. On the other hand, in the device described in Patent Literature 1, the outer shape of the up-down moving member is a perfect circle, and the up-down moving member is set to the same size as the substrate. For this reason, a part of the vertically moving member is exposed to the atmosphere in which the mist is scattered (around the substrate) via the notch. As a result, the mist generated during the substrate processing may rebound at the exposed portion and scatter on the lower surface side of the substrate.
[0008]
The present invention has been made in view of the above problems, and a substrate processing apparatus and a substrate that can effectively prevent a mist generated during processing from adhering to the other main surface of the substrate and perform substrate processing satisfactorily. It is an object to provide a processing system.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is a substrate processing apparatus that supplies a processing liquid to one main surface of a substantially disc-shaped substrate having a substrate notch formed in a peripheral portion thereof and performs predetermined substrate processing on the one main surface, In order to achieve the above object, a substrate supporting means for supporting a substrate, and an atmosphere blocking member provided close to the substrate while being opposed to the other main surface of the substrate supported by the substrate supporting means, are provided. Is configured as follows.
[0010]
In the first aspect of the present invention, the atmosphere shielding member is constituted by a member having the same outer shape as the substrate or a circle having a smaller diameter than the substrate. Therefore, the atmosphere blocking member provided near the substrate while facing the other main surface of the substrate does not protrude from the substrate. In addition, since the cutout member cutout is provided at the peripheral edge of the member corresponding to the substrate cutout, the mist that has passed through the substrate cutout further passes through the cutout member cutout. In this manner, the mist does not collide with the atmosphere blocking member, and the mist is prevented from entering the other main surface of the substrate. As a result, the mist is prevented from adhering to the other main surface of the substrate.
[0011]
Here, when the substrate to which the processing liquid is supplied is rotated by the rotating means, a centrifugal force is applied to the processing liquid on one main surface of the substrate, and the processing liquid spreads over the one main surface to provide uniform substrate processing. It can be performed. At this time, in order to prevent the substrate cutout from facing the peripheral edge of the atmosphere blocking member, it is desirable to rotate the substrate and the atmosphere blocking member with the substrate cutout and the cutout notch facing each other. .
[0012]
According to the second aspect of the present invention, the outer shape of the atmosphere blocking member has the following inequality:
(Radius) ≤ (distance from substrate center to substrate notch)
And the atmosphere shielding member is arranged such that the central axis thereof coincides with the central axis of the substrate. Therefore, the peripheral portion of the atmosphere shielding member does not protrude from the substrate, and is located closer to the central axis than the substrate notch. That is, regardless of the position of the substrate cutout, the exposure of the atmosphere blocking member to the atmosphere in which the mist is scattered is prevented. Therefore, the mist does not collide with the atmosphere blocking member, and the mist is prevented from entering the other main surface of the substrate. As a result, the mist is prevented from adhering to the other main surface of the substrate.
[0013]
Here, when the substrate to which the processing liquid is supplied is rotated by the rotating means, a centrifugal force is applied to the processing liquid on one main surface of the substrate, and the processing liquid spreads over the one main surface to provide uniform substrate processing. It can be performed. When the substrate is rotated in this manner, it is desirable to rotate the atmosphere blocking member together with the substrate. In particular, when the substrate and the atmosphere blocking member are rotated at the same rotation speed, it is possible to prevent an extra external force from acting on the substrate, and to perform better substrate processing.
[0014]
In the above-described invention, a substantially disk-shaped substrate having a substrate notch formed in a peripheral portion thereof is to be processed, but the present invention can be applied to substrates having various shapes. That is, the present invention provides a substrate in which a processing liquid is supplied to one main surface of a substrate formed by providing a substrate notch in a peripheral portion of a plate-like member having a predetermined shape and a predetermined substrate processing is performed on the one main surface. In the processing apparatus, in order to achieve the above object, a substrate supporting means for supporting a substrate, and an atmosphere blocking member provided near the substrate while being opposed to the other main surface of the substrate supported by the substrate supporting means. In addition, the atmosphere blocking member is configured as follows.
[0015]
According to a third aspect of the present invention, the atmosphere blocking member is constituted by a member having the same outer shape as the plate-shaped member or having a substantially similar shape smaller than the plate-shaped member, and a peripheral portion of the member is provided with a substrate. The cutout is provided with a cutoff member corresponding to the cutout. Therefore, similarly to the first aspect, the peripheral portion of the atmosphere blocking member does not protrude from the substrate, and the mist that has passed through the cutout portion of the substrate further passes through the cutout portion of the blocking member. Therefore, the mist does not collide with the atmosphere blocking member, and the mist is prevented from entering the other main surface of the substrate. As a result, the mist is prevented from adhering to the other main surface of the substrate.
[0016]
Further, in the fourth aspect of the present invention, the outer shape of the atmosphere blocking member is similar to the plate-like member by the following inequality: (similarity ratio) ≦ Wsb / (Wsb + Wnt)
However,
Wsb: distance from the center of the substrate to the notch,
Wnt: the cut depth of the cut portion in the cut forming direction from the center of the substrate to the cut portion,
, And the atmosphere shielding member is arranged such that the central axis thereof coincides with the central axis of the substrate. Similarly to the second embodiment, since the peripheral portion of the atmosphere blocking member does not protrude from the substrate and is located closer to the center axis than the cutout portion of the substrate, the mist of the mist is also reduced. The exposure of the atmosphere blocking member to the scattered atmosphere is prevented. Therefore, the mist does not collide with the atmosphere blocking member, and the mist is prevented from entering the other main surface of the substrate. As a result, the mist is prevented from adhering to the other main surface of the substrate.
[0017]
In order to achieve the above object, a substrate processing system according to the present invention transports a substrate to a processing unit having the same configuration as the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8 and a processing unit. And a transport unit. Thus, the mist can be effectively prevented from adhering to the other main surface of the substrate, and the substrate processing using the processing liquid can be reliably performed on the one main surface of the substrate.
[0018]
Furthermore, if a reversing unit for reversing the substrate is further provided, the substrate can be reversed and positioned as needed, and the versatility of the substrate processing system can be enhanced.
[0019]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a partial plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 as viewed from above. In this substrate processing apparatus, a rinsing liquid such as pure water or a chemical solution is supplied to one of the two main surfaces S1 of the substrate S such as a semiconductor wafer as the “processing liquid” of the present invention, and the other one of the main surfaces S1 While the rinsing process is performed, the mist generated during the rinsing process is prevented from adhering to the other main surface S2 in the following manner. That is, the substrate processing apparatus is an apparatus that performs a rinsing process on only one main surface S1 of the substrate S as “substrate processing” of the present invention.
[0020]
This substrate processing apparatus has a spin base 1 having a plane size slightly larger than the substrate S. An atmosphere blocking member 2 having a plane size slightly smaller than the substrate S is fixed to the upper surface of the spin base 1. As shown in FIG. 2, eight support pins 3 are arranged at substantially equal angular intervals on the periphery of the atmosphere shielding member 2. Each of the support pins 3 can be brought into contact with the end of the substrate S, and the eight support pins 3 support the substrate S in a state where one main surface S1 is directed upward and in a substantially horizontal state. Is done. Thus, in this embodiment, the eight support pins 3 function as the “substrate support means” of the present invention, but the configuration of the substrate support means is not limited to this, and the substrate Any configuration may be employed as long as it is supported in a slightly floating state from the surface.
[0021]
Further, in order to prevent the substrate S supported by the support pins 3 from moving in the horizontal direction, four holding members 4a to 4d are provided on the periphery of the spin base 1. Of the four holding members 4a to 4d, the holding members 4a and 4b are fixed holding members to which holding pins 41A that abut on and hold the substrate S are fixed, whereas the holding members 4c and 4d have the holding pins 41B. It is a movable holding member that is movable.
[0022]
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of the holding member. In the fixed holding members 4a and 4b, a weight 42 is fixed to the spin base 1, and a fixed pin holder 43 is attached to the upper surface of the weight 42, as shown in FIG. The fixed pin 41A is fixedly held by the fixed pin holder 43.
[0023]
On the other hand, in the movable holding members 4c and 4d, as shown in FIG. 3B, the shaft 44 is rotatably supported on the spin base 1 by a bearing 45 around a rotation axis 46. A movable pin holder 47 is attached to the upper end of the shaft 44, and a movable holding pin 41B is attached to the movable pin holder 47 eccentrically from the rotation axis 46. Therefore, when the magnet 48 operates in response to an operation signal from a control unit (not shown) for controlling the entire apparatus, the shaft 44 and the movable pin holder 47 receive the electromagnetic force of the magnet 48 and rotate around the rotation axis 46. It is driven to rotate. As a result, the holding pin 41 moves eccentrically with respect to the rotation axis 46 and separates from and contacts the end face of the substrate S. FIG. 4B shows a state in which the movable holding pins 41B are separated from each other. In this state, the substrate S is carried in and out of the support pins 3. After the substrate S is placed on the support pins 3, the movable holding pins 41 </ b> B are eccentrically moved by the operation of the magnet 48, thereby positioning the movable holding pins 41 </ b> B to the substrate holding position in contact with the side surface of the substrate S. Accordingly, the movable holding pins 41B hold the substrate S between the fixed holding pins 41A and hold the board S in the horizontal direction. As described above, in this embodiment, the substrate S is supported in a substantially horizontal state by the eight support pins 3, and the horizontal movement of the substrate S is restricted by the four holding pins 41A, 41A, 41B, and 41B. .
[0024]
As shown in FIG. 1, an output rotation shaft 52 of a motor 51 corresponding to a “rotating unit” of the present invention is connected to the spin base 1, and rotates with the operation of the motor 51. As a result, the substrate S held by the support pins 3 and the holding pins 41A and 41B above the spin base 1 rotates around the rotation axis 11 together with the spin base 1 and the atmosphere shielding member 2.
[0025]
In order to supply the rinsing liquid to the one main surface S1 of the substrate S which is rotationally driven in this way, the rinsing liquid supply nozzle 6 is disposed obliquely above the atmosphere blocking member 2. The rinsing liquid supply nozzle 6 is connected to a rinsing liquid pressure feeding unit (not shown). Then, when the rinsing liquid is pressure-fed from the rinsing liquid pressure-feeding unit at a timing described later, it is discharged from the rinsing liquid supply nozzle 6 toward one main surface S1 of the substrate S supported by the support pins 3. When the substrate S to which the rinsing liquid is supplied is rotationally driven, the rinsing liquid spreads over the entire one main surface S1 of the substrate S by centrifugal force, and the rinsing process is performed. At this time, a cup part 7 is provided so as to surround the spin base 1 in order to collect the liquid shaken off from the substrate S. Here, in order to shake off the rinsing liquid from the substrate S, it is necessary to set the rotation speed of the substrate S higher than the lower limit rotation speed. In this embodiment, the wetness between the semiconductor wafer as the substrate S and the pure water as the rinsing liquid is required. The rotation speed of the substrate S is set to 300 rpm or more in consideration of the performance. The “lower limit rotation speed” means the minimum rotation speed required to shake off the processing liquid from the substrate, and is determined based on the size of the substrate, wettability between one main surface of the substrate and the processing liquid, and the like. Value.
[0026]
In this embodiment, since the substrate S is supported by the support pins 3, the distance between the substrate S and the atmosphere blocking member 2 is reduced. Therefore, it is impossible to insert a transfer robot arm or the like into the gap. Therefore, a lift mechanism 8 is provided, and the following substrate transfer, that is,
Receiving the unprocessed substrate S from the transfer robot,
Placing the received unprocessed substrate S on the support pins 3;
Receiving the rinsed substrate S from the support pins 3;
Transfer of the received processed substrate S to the transfer robot. In this embodiment, the lift mechanism 8 includes six lifter pin stands 81 extending in the vertical direction, a support portion 82 attached to the upper end of each lifter pin stand 81, and lower end sides of the lifter pin stands 81. A connection plate 83 for connecting the lifter pin stands 81 to each other and an actuator 84 such as an air cylinder for moving the connection plate 83 in the vertical direction are provided.
[0027]
When the connecting plate 83 moves upward in response to the operation of the actuator 84 in response to an operation command from the control unit, the six lifter pin stands 81 move up integrally. Here, when the support portion 82 moves to a position higher than the support pins 3, the substrate S is received from the support pins 3. At this time, the support portion 82 supports the peripheral edge of the substrate S instead of the support pins 3. Further, when the transfer unit reaches the upper limit position, as shown in FIG. 1, the support unit 82 moves to the substrate transfer position P81 which is separated from the atmosphere blocking member 2 upward while holding the processed substrate S, and is transferred to the transfer robot. The completed substrate S can be delivered.
[0028]
At the substrate transfer position P81, an unprocessed substrate S can be received from the transfer robot. Then, after receiving the unprocessed substrate S, when the connecting plate 83 moves downward according to the operation of the actuator 84 in the reverse direction in response to an operation command from the control unit, the six lifter pin stands 81 are integrated. Descends. Here, when the support portion 82 moves to a position lower than the support pins 3, the unprocessed substrate S is placed on the support pins 3. Further, when it moves to the lower limit position P82, it is located at a position lower than the cup portion 7, and the rinsing process can be performed.
[0029]
In this embodiment, in order to prevent the lifter pin stand 81 and the support part 82 from interfering with the cup part 7, the cup part 7 is provided with a passage hole 71 through which the lifter pin stand 81 and the support part 82 pass. Have been. Correspondingly, a shutter 85 for controlling opening and closing of the passage hole 71 is provided. That is, a shutter 85 is rotatably supported in the vicinity of each passage hole 71 so as to be rotatable around the rotation axis 86 with respect to the cup portion 7. Then, the shutter 85 is controlled by the control unit to open and close in conjunction with the operation of a shutter actuator not shown. For this reason, during the rinsing process, the lifter pin stand 81 and the support portion 82 are located at a position lower than the cup portion 7, and the respective passage holes 71 are closed by the shutter 85, and the internal atmosphere of the cup portion 7 is lifted by the lift mechanism. 8 can be reliably prevented from flowing. Here, as a shutter actuator for opening and closing the shutter 85, an air cylinder, a solenoid, a motor, or the like can be used.
[0030]
Further, in this embodiment, a lifting mechanism 9 is provided so that the cup 7 and the lifting mechanism 8 can be moved up and down integrally. The elevating mechanism 9 has an elevating table 91 connected to the actuator 84 of the lift mechanism 8 and the cup part 7. Further, an actuator 92 such as a plurality of air cylinders is connected to the lifting table 91. For this reason, when the actuator 92 is operated in response to an elevating command from the control unit, the elevating table 91 is driven up and down, and the cup part 7 and the lift mechanism 8 move up and down integrally. For example, FIG. 1 shows a state in which the lifting table 91 has been moved to the lower limit position P92 by the actuator 92, and the loading and unloading of the substrate S is possible. When the lift table 91 is moved to the upper limit position P91 indicated by the alternate long and short dash line in the drawing by the actuator 92, the cup unit 7 and the lift mechanism 8 are integrally moved with the rise movement of the lift table 91, and the rinse is performed. Processing becomes possible. FIG. 4 shows a state in which the rinsing process can be performed.
[0031]
In the substrate processing apparatus configured as described above, the control unit controls each unit of the apparatus in accordance with a program stored in advance in the memory of the control unit to carry in the unprocessed substrate, perform the rinsing process, and unload the processed substrate. Do.
[0032]
First, the unprocessed substrate S is loaded (loading of an unprocessed substrate) in a state where the lifting table 91 is positioned at the lower limit position P92 (FIG. 1). Specifically, after the shutter 85 is opened by the operation of a shutter actuator (not shown), the lifter pin stand 81 is raised by the operation of the lifter actuator 84. Then, when the unprocessed substrate S is received from the transfer robot at the substrate transfer position P81, the actuator 84 operates in the reverse direction to support the peripheral portion of the unprocessed substrate S with the support portion 82, and the lifter pin stand 81 is integrally formed. Descend. Therefore, the unprocessed substrate S is placed on the support pins 3 when the support section 82 moves to a position lower than the support pins 3. Subsequently, the holding pins 41B of the movable holding members 4c and 4d move to the substrate holding position and hold the substrate S firmly. When the lifter pin stand 81 moves to the lower limit position P82, when the lifter pin stand is located at a position lower than the cup section 7, the shutter 85 is closed.
[0033]
When an appropriate time has passed since the closing of the shutter 85, the rinsing process is executed after the cup portion 7 is raised to the rinsing position. That is, as shown in FIG. 4, after the elevation table 91 is moved to the upper limit position P91 by the actuator 92, the rinsing liquid is supplied from the rinsing liquid supply nozzle 6 toward one main surface S1 of the substrate S supported by the support pins 3. And the motor 51 is operated to rotate the substrate S around the rotation axis 11. As a result, a rinsing process is performed (rinsing process).
[0034]
When the rinsing process is completed, the supply of the rinsing liquid from the rinsing liquid supply nozzle 6 is stopped while rotating the substrate S, and the liquid adhering to the substrate S is shaken off and dried. Then, when the spin drying process is completed, the motor 51 is stopped and the substrate S is stopped. Further, after the lifting table 91 is moved to the lower limit position P92 by the actuator 92, the shutter 85 is opened and the lifter pin stand 81 is raised by the operation of the lifter actuator 84. As a result, at the point in time when the support portion 82 has moved to a position higher than the support pins 3, the processed substrate S is transferred from the support pins 3 to the support portion 82, and is positioned at the substrate delivery position P81. Then, the processed substrate S is delivered to the transfer robot and is unloaded from the apparatus (unloading of the processed substrate). When the substrate is unloaded, the lifter pin stand 81 is set at a position lower than the cup 7 and the shutter 85 is closed in the same manner as described above.
[0035]
By repeating such a series of operations, the rinsing process on one main surface S1 can be continuously performed on the plurality of substrates S.
[0036]
Next, the configuration of the atmosphere blocking member 2 will be described in detail with reference to FIGS. 1, 2, and 5. FIG. 5A and 5B are views showing the configuration near the periphery of the atmosphere shielding member. FIG. 5A shows the vicinity of the support pin mounting portion, and FIG. 5B shows the vicinity of the support pin non-mounting portion. The atmosphere blocking member 2 is provided on the upper surface of the spin base 1 and is spaced apart from the substrate S while the upper surface 24 is opposed to the other main surface (lower surface) S2 of the substrate S supported by the support pins 3 with the substrate facing surface. Have been. That is, the atmosphere blocking member 2 is provided near the substrate 2. The atmosphere blocking member 2 fastens a disc-shaped flat plate member 21 and a donut-shaped annular member 22 arranged so as to surround the flat plate member 21 with a fastening member 23 such as a bolt and a nut. As described above, the entire plane size is slightly smaller than the substrate S. The reason for setting the plane size in this manner will be described later in detail.
[0037]
In the substrate facing surface 24 facing the substrate S among the two main surfaces of the atmosphere shielding member 2, a central region 241 facing the substantially central portion of the substrate S is a flat surface, and a peripheral edge facing the peripheral portion of the substrate S. The region 242 is an inclined surface closer to the substrate S as it goes toward the periphery of the substrate facing surface 24. For this reason, the minute space SP sandwiched between the substrate S and the atmosphere shielding member 2 is relatively wide at the center, but gradually narrows in the direction R toward the periphery of the substrate S. At the periphery, the minute gap CL between the substrate S and the atmosphere shielding member 2 is a minute interval Dh, for example, 0.3 mm to 1 mm, preferably 0.3 mm to 0.8 mm.
[0038]
As described above, in this embodiment, the other main surface (lower surface) S2 of the substrate S is shielded from the surroundings of the substrate S, that is, the mist scattering atmosphere by the atmosphere blocking member 2, and the mist generated during the rinsing process is removed. It is possible to prevent S from entering the other main surface S2 side of S.
[0039]
Further, as described below, the micro space SP is made more positive than the mist scattering atmosphere (around the substrate S) to further effectively prevent the mist from entering. That is, as shown in FIGS. 1 and 2, a through hole 25 is provided substantially at the center of the atmosphere shielding member 2. The through hole 25 is connected to a pipe 53 disposed in a hollow portion of the output rotary shaft 52, and an atmospheric gas such as a nitrogen gas or an inert gas fed from the gas supply unit 10 is supplied to the pipe 53 and the through hole 25. To the minute space SP. Moreover, since the substrate facing surface 24 is closer to the substrate S in the direction R toward the periphery thereof, the atmospheric gas sent through the through-hole 25 is compressed near the periphery of the minute space SP and the pressure is reduced. Rises. As a result, the minute space SP has a more positive pressure than the mist scattering atmosphere, and mist intrusion into the other main surface S2 side of the substrate S is effectively prevented.
[0040]
Here, when the minute gap CL is set to, for example, 0.3 mm to 0.5 mm, the flow rate of the atmospheric gas necessary to prevent the mist from entering by various experiments and computer simulations was obtained. Was 20 (liter / min) or more. When the minute gap CL was set to, for example, 0.5 mm to 1 mm, the flow rate was 100 (liter / min) or more. As described above, the flow rate of the atmospheric gas may be increased as the minute gap CL is widened. However, when the atmospheric gas of 200 (liter / min) or more is supplied, the substrate S rises from the support pins 3 and the substrate posture is raised. Becomes unstable. Therefore, the maximum flow rate needs to be stopped at about 200 (liter / min), and the minute gap CL needs to be set to 1 mm or less correspondingly.
[0041]
On the other hand, if the minute gap CL is narrowed, the required flow rate of the atmosphere gas is reduced. However, if it is set to less than 0.3 mm, the rinsing liquid enters the space SP due to a capillary phenomenon. Therefore, it is necessary to set the minute gap CL to 0.3 mm or more.
[0042]
Further, by forming the substrate facing surface 24 as described above, the flow velocity of the atmosphere gas ejected from the minute gap CL is increased, and is higher than the mist scattering velocity. This has an advantageous effect on the prevention of mist intrusion, and the mist can be more reliably prevented from adhering to the other main surface S2 of the substrate S.
[0043]
Here, the reason why the plane size of the atmosphere shielding member 2 is set slightly smaller than the substrate S will be described with reference to FIG. First, when the atmosphere shielding member 2 has a plane size larger than the substrate S, the periphery of the atmosphere shielding member 2 protrudes beyond the substrate S in the horizontal direction, and Of the substrate facing surface 24 (the peripheral region 242 that is an inclined surface) is exposed to the mist scattering atmosphere (around the substrate). Therefore, mist generated during the rinsing process rebounds in the peripheral region 242 and scatters on the other main surface (lower surface) S2 side of the substrate S. On the other hand, by setting the plane size of the atmosphere blocking member 2 equal to or smaller than the substrate S, the substrate facing surface 24 is not exposed to the mist scattering atmosphere, and the above problem can be solved. From this viewpoint alone, the atmosphere blocking member 2 may be set to the same size as the substrate S.
[0044]
However, as already described in detail in the section “Problems to be Solved by the Invention”, the substrate S is often provided with a notch such as a notch or an orientation flat. It is desirable to set the plane size of the member 2. Here, a case where a notch NT for indicating a crystallographic reference orientation in a wafer surface is formed on a semiconductor wafer as a substrate S as shown in FIG. 6 will be considered.
[0045]
First, when the atmosphere shielding member 2 is set to the same size as the substrate S, as shown in FIG. 3A, a part (peripheral region 242) of the substrate facing surface 24 of the atmosphere shielding member 2 is notched NT. It is exposed to the mist scattering atmosphere (around the substrate). Therefore, mist generated during the rinsing process rebounds in the peripheral region 242 and scatters on the other main surface (lower surface) S2 side of the substrate S. On the other hand, when the plane size of the atmosphere blocking member 2 is reduced by the width Wnt of the notch NT in the radial direction R as shown in FIG. Can be eliminated. Therefore, in consideration of this point, it is preferable to set the plane size of the atmosphere blocking member 2 to be smaller than the substrate S by the width Wnt of the notch NT or more. This will be described in more detail with reference to FIG.
[0046]
FIG. 7 is a perspective view showing the relationship between the notch of the substrate and the atmosphere blocking member. Here, in order to clarify the relationship between the notch NT corresponding to the “substrate cutout” of the present invention and the atmosphere blocking member 2, the notch NT is enlarged and the separation distance between the substrate S and the atmosphere blocking member 2 is increased. FIG. The substrate S is formed by forming a notch NT on the periphery of a plate-shaped member having a predetermined shape (here, a disk shape). Here, the cut depth of the notch NT in the cut forming direction R from the center of the substrate S toward the notch NT corresponds to the width Wnt. The distance from the center of the substrate S to the notch NT is a value obtained by subtracting the cutting depth Wnt from the radius of the plate member, that is, the distance Wsb.
[0047]
Therefore, in this embodiment, the outer shape of the atmosphere blocking member 2 is represented by the following inequality, that is,
(Radius r) ≦ (Distance Wsb from center of substrate S to notch NT)
Is set to a circle with a radius that satisfies. Moreover, the atmosphere shielding member 2 is arranged such that the central axis 112 of the atmosphere shielding member 2 coincides with the central axis 11S of the substrate S. Therefore, the peripheral portion of the atmosphere shielding member 2 does not protrude from the substrate S in the horizontal direction, and is located closer to the center axis than the notch NT. That is, regardless of the position of the notch NT, the exposure of the atmosphere blocking member 2 to the atmosphere in which the mist scatters is prevented. Therefore, the mist does not collide with the atmosphere blocking member 2 and the mist is prevented from entering the other main surface S2 of the substrate S. As a result, the mist is effectively prevented from adhering to the other main surface S2 of the substrate S. can do.
[0048]
The lower limit of the plane size (radius r) of the atmosphere blocking member 2 may be set according to the surface condition of the other main surface S2 of the substrate S. That is, since the protected area of the other main surface S2 in which mist adhesion must be reliably prevented is the central part of the substrate, the area satisfying the condition that the peripheral edge of the atmosphere shielding member 2 is located outside the protected area. Can set the lower limit of the plane size.
[0049]
In order to prevent the influence of the notch NT of the substrate S, a notch 26 is formed on the periphery of the atmosphere shielding member 2 corresponding to the notch NT of the substrate S, as shown in FIGS. At the same time, the rinsing process may be performed with the notch NT of the substrate S and the notch 26 of the atmosphere blocking member 2 facing each other. This eliminates the exposure of the substrate facing surface 24 to the mist scattering atmosphere as in the case of FIGS. 6B and 7, and can solve the above problem. Hereinafter, this will be described in detail with reference to FIG.
[0050]
FIG. 8 is a perspective view showing the relationship between the notch of the substrate and the notch of the atmosphere blocking member. Here, in order to clarify the relationship between the notch NT corresponding to the “substrate cutout portion” of the present invention and the notch 26 corresponding to the “cutoff member cutout portion” of the present invention, both the notches NT and 26 are enlarged The distance between S and the atmosphere blocking member 2 is shown in an enlarged manner. As described above, the substrate S is formed by forming a notch NT on a peripheral portion of a plate-like member having a predetermined shape (here, a disk shape).
[0051]
Therefore, in this embodiment, the outer shape of the atmosphere shielding member 2 is constituted by a member 27 having the same outer shape as the plate-shaped member or having a substantially similar shape smaller than the plate-shaped member, and a notch NT is formed on a peripheral portion of the member 27. The notch (cut-off member cutout) 26 is provided in correspondence with the above. Therefore, the atmosphere blocking member 2 provided near the substrate S while facing the other main surface S2 of the substrate S does not protrude from the substrate S in the horizontal direction. Further, since the notch 26 is provided in the peripheral portion of the member 27 so as to correspond to the notch NT, the mist that has passed through the notch NT further passes through the notch (cutoff member cutout) 26. In this way, the mist does not collide with the atmosphere blocking member 2 and the mist is prevented from entering the other main surface S2 of the substrate S. As a result, the mist adheres to the other main surface S2 of the substrate S effectively. Can be prevented.
[0052]
Further, as described above, the lifter pin stand 81 and the support portion 82 of the lift mechanism 8 rise through the atmosphere blocking member 2. Therefore, it is desirable to set the plane size of the atmosphere blocking member 2 in consideration of this. For example, the plane size of the atmosphere blocking member 2 can be set small so that the atmosphere blocking member 2 does not interfere with the movement path of the lifter pin stand 81 and the support portion 82. Further, it can be formed so as to partially cut out.
[0053]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes other than those described above can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the above embodiment, the atmosphere blocking member 2 having the substrate facing surface 24 including the central region 241 and the peripheral region 242 is used, but the outer shape of the atmosphere blocking member 2 is formed as in the above embodiment. However, the shape of the substrate facing surface is not limited to this.
[0054]
Further, in the above embodiment, the atmosphere blocking member 2 is configured by fastening the flat plate member 21 and the annular member 22 with the fastening member 23. However, the atmosphere blocking member may be configured by three or more members, Conversely, the atmosphere blocking member may be constituted by one member.
[0055]
Further, in the above-described embodiment, the substantially disc-shaped substrate S having the notch NT formed at the peripheral edge is targeted for processing, but the present invention can be applied to substrates having various shapes. That is, the present invention provides a substrate in which a processing liquid is supplied to one main surface of a substrate formed by providing a substrate notch in a peripheral portion of a plate-like member having a predetermined shape and a predetermined substrate processing is performed on the one main surface. The method can be applied to a processing apparatus, and includes a substrate supporting means for supporting the substrate, and an atmosphere blocking member provided near the substrate while being opposed to the other main surface of the substrate supported by the substrate supporting means, and By configuring the blocking member as described below, it is possible to obtain the same operation and effect as in the above embodiment.
[0056]
In another embodiment, the external appearance of the atmosphere blocking member is similar to the plate-like member by the following inequality: (similarity ratio) ≦ Wsb / (Wsb + Wnt)
And the atmosphere blocking member may be arranged so that its central axis coincides with the central axis of the substrate. Also in the atmosphere blocking member configured as described above, similarly to the embodiment shown in FIG. 7, the peripheral portion of the atmosphere blocking member does not protrude from the substrate, and is located closer to the central axis than the substrate cutout. The exposure of the atmosphere blocking member to the atmosphere in which the mist is scattered is prevented. Therefore, the mist does not collide with the atmosphere blocking member and the mist is prevented from entering the other main surface of the substrate, so that the mist can be effectively prevented from adhering to the other main surface of the substrate.
[0057]
In another embodiment, the atmosphere blocking member is formed of a member having the same outer shape as the plate-shaped member or having a substantially similar shape smaller than the plate-shaped member, and a substrate notch is formed at a peripheral portion of the member. It is possible to use a member provided with a cut-off member cutout portion corresponding to the portion. The atmosphere blocking member configured as described above does not protrude from the substrate similarly to the embodiment shown in FIG. 8, and the mist that has passed through the substrate notch further passes through the blocking member notch. Become. Therefore, the mist does not collide with the atmosphere blocking member and the mist is prevented from entering the other main surface of the substrate, so that the mist can be effectively prevented from adhering to the other main surface of the substrate.
[0058]
In the above embodiment, the atmosphere blocking member 2 is provided on the spin base 1. However, the spin base 1 may be configured to function as the "atmosphere blocking member" of the present invention. In this case, the outer shape of the spin base 1 may be configured in the same manner as in the above embodiment.
[0059]
Further, in the above embodiment, the present invention is applied to the substrate processing apparatus that supplies a rinsing liquid to the substrate and performs a rinsing process. However, the application target of the present invention is not limited to this, and the present invention is not limited thereto. On the other hand, the present invention can be applied to all substrate processing apparatuses that perform a predetermined substrate processing by supplying a processing liquid to the main surface. By applying the present invention, mist generated during substrate processing can be effectively prevented from adhering to the other main surface of the substrate, and substrate processing can be performed well. In particular, mist is generated in a substrate processing apparatus using a processing liquid to which ultrasonic vibration is applied, a substrate processing apparatus using a mixture of gas and liquid as a processing liquid, or a substrate processing apparatus supplying a high-pressure processing liquid to one main surface of a substrate. Since the generation amount is relatively large, applying the present invention to these substrate processing apparatuses is extremely effective in preventing mist from adhering to the other main surface of the substrate.
[0060]
Further, the substrate processing apparatus according to the present invention may be used alone, but a substrate processing system may be constructed in combination with a substrate processing apparatus that performs other substrate processing, a transport unit that transports a substrate, an indexer unit, and the like. Is also good. One example is a substrate processing system shown in FIG. Hereinafter, an embodiment of a substrate processing system according to the present invention will be described with reference to FIGS. 9 and 10.
[0061]
FIG. 9 is a diagram showing one embodiment of a substrate processing system according to the present invention. This substrate processing system is a system that takes out a substrate S stored in a storage container 110, performs a rinsing process on a back surface (a surface on which a circuit is not formed) of the substrate, and then returns the substrate S to the storage container 110 again. is there.
[0062]
In this substrate processing system, the indexer unit ID is provided on the upper side (left side in FIG. 9) as shown in FIG. 9, while the back surface of the substrate S (the present invention) is provided on the lower side (right hand side in FIG. 9) of the indexer unit ID. Is provided with a process section PP for performing a rinsing process on the “one main surface”.
[0063]
In the indexer unit ID, four storage containers 110 for storing the substrates S are arranged in a line in the X direction, and the substrate transfer robot 120, which has been frequently used, moves along the arrangement direction X. The substrate S before rinsing stored in one storage container 110 is taken out and transported to the processing unit PP, or the rinsed substrate S is received from the processing unit PP and stored in the storage container 110. For convenience of the following description, each drawing shows an XYZ rectangular coordinate axis in which a direction orthogonal to the vertical direction Z and the arrangement direction X of the storage containers 110 is a “Y direction”.
[0064]
In the process section PP arranged on the (+ Y) side of the indexer section ID, the center robot 200 is arranged substantially at the center. As the center robot 200, a robot having the same configuration as that of a conventionally used substrate transfer robot can be used, and functions as the "transfer unit" of the present invention. Further, around the center robot 200, the back surface cleaning units 300A to 300D and the reversing unit 400 having the same configuration as the substrate processing apparatus according to the above embodiment are arranged. Here, description of the back surface cleaning units 300A to 300D corresponding to the “processing unit” of the present invention will be omitted.
[0065]
10A and 10B are diagrams showing a configuration of a reversing unit provided in the substrate processing system of FIG. 9, wherein FIG. 10A is a plan view of the reversing unit as viewed from above, and FIG. It is a DD sectional view taken on the line of (a). The reversing unit 400 has a pair of substrate chucks 401 for transferring the substrate S to and from the center robot 200. The substrate chuck pairs 401 and 401 are spaced apart from each other. Each substrate chuck 401 is attached to the tip of a rod 403 of a rotary cylinder 402, moves in the X direction as the rod 403 moves in the X direction, and rotates 180 ° around the rod 403 as the rod 403 rotates. Rotate.
[0066]
For this reason, when the unprocessed substrate S is transported between the substrate chuck pairs 401 and 401 separated from each other by the substrate transport robot 120 and the center robot 200 of the indexer unit ID, both rods 403 are extended. As shown in the figure, after the substrate chuck pair 401 and 401 sandwich the substrate S, the center robot 200 retreats. Then, both rods 403 rotate 180 °. As a result, the substrate S transported from the container 110 as it is loaded as it is, that is, with the surface (corresponding to the “other main surface” of the present invention) S2 on which the circuits and the like are formed facing upward, is inverted. To a face-down state, and the rear surface S1 of the substrate S faces upward. Then, the reversing unit 400 transfers the substrate S to the center robot 200 in the face-down state.
[0067]
On the other hand, when the rinsed substrate S is transferred from the back surface cleaning units 300A to 300D to the reversing unit 400 by the center robot 200 in the face-down state, the rinsing process is performed in the same manner as the reversing operation for the unprocessed substrate S. The completed substrate S is inverted. As a result, the substrate S returns to the face-up state, that is, the state in which the surface S2 on which the circuits and the like are formed faces upward. Then, the reversing unit 400 transfers the substrate S to the substrate transfer robot 120.
[0068]
With respect to the substrate processing system configured as described above, the storage container 110 that stores a plurality of substrates S with the substrate surface S2 facing upward is transferred to the indexer unit ID by a transportation device such as an automated guided vehicle (AGV). When transported, the back surface cleaning is performed on each substrate S as follows. Here, the operation of the system will be described focusing on one substrate S.
[0069]
First, the substrate transfer robot 120 takes out the substrate S from the storage container 110 in a face-up state and transfers the substrate S to the center robot 200, and then the center robot 200 transfers the substrate S to the reversing unit 400 (loading). Then, after receiving the substrate S, the reversing unit 400 reverses the substrate S and transfers it to the center robot 200 in a face-down state. The center robot 200 is loaded into one of the four back surface cleaning units 300A to 300D.
[0070]
The back surface cleaning unit that has received the unprocessed substrate S from the center robot 200 performs the same operation as the substrate processing apparatus according to the above-described embodiment to rinse the back surface S1 of the substrate S (back surface cleaning). At this time, similarly to the above-mentioned substrate processing apparatus, the surface (the other main surface) S2 of the substrate S is shielded from the mist scattering atmosphere by the atmosphere blocking member 2, and the minute space SP is set to be lower than the mist scattering atmosphere (around the substrate S). Since the positive pressure is applied and the flow rate of the atmosphere gas ejected from the minute gap CL is increased, it is possible to effectively prevent the mist generated during the rinsing process from adhering to the surface S2 of the substrate S. Further, since the atmosphere blocking member 2 is configured in the same manner as in the above-described embodiment corresponding to the notch NT being provided at the peripheral portion of the substrate S, the mist passing through the notch NT collides with the atmosphere blocking member 2. Can be prevented, and mist can be prevented from entering the surface S2 side of the substrate S. That is, only the back surface S1 of the substrate S can be rinsed while reliably preventing mist from adhering to the front surface S2 of the substrate S, and good back surface cleaning can be performed.
[0071]
When the back surface cleaning is completed, the center robot 200 receives the processed substrate S and transports it to the reversing unit 400. Then, after the substrate S is brought into the face-up state by the reversing unit 400, the substrate S is received by the center robot 200, and further transferred to the substrate transport robot 120, and then the substrate transport robot 120 returns the substrate S to the storage container 110 (unlocked). Loading).
[0072]
In the substrate processing system according to this embodiment, four back surface cleaning units 300A to 300D are provided as "processing units", but the number and arrangement thereof are arbitrary. In addition, as long as the substrate processing system is provided with at least a processing unit having the same configuration as the substrate processing apparatus according to the above-described embodiment and a transport unit that transports a substrate to the processing unit, the above-described effects are obtained. can get. Therefore, a substrate processing system may be constructed by adding other units other than the processing unit and the transport unit.
[0073]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, since the atmosphere blocking member having a shape corresponding to the notch provided in the peripheral portion of the substrate is used, the mist does not collide with the atmosphere blocking member, Mist can be prevented from entering the other main surface side of the substrate. As a result, mist can be prevented from adhering to the other main surface of the substrate.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a partial plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 as viewed from above.
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a holding member.
FIG. 4 is a diagram illustrating a rinsing operation of the substrate processing apparatus of FIG. 1;
FIG. 5 is a diagram showing a configuration near a peripheral edge of an atmosphere blocking member.
FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between a notch of a substrate and an atmosphere blocking member.
FIG. 7 is a perspective view showing a relationship between a notch of a substrate and an atmosphere blocking member.
FIG. 8 is a perspective view showing a relationship between a notch of a substrate and a notch of an atmosphere blocking member.
FIG. 9 is a diagram showing one embodiment of a substrate processing system according to the present invention.
FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of a reversing unit provided in the substrate processing system of FIG. 9;
[Explanation of symbols]
2, 27 ... Atmosphere blocking member 21 ... Flat plate member (Atmosphere blocking member)
22 ... Circular member (atmosphere blocking member)
26 ... notch (cut-off part of blocking member)
51 ... motor (rotating means)
200 ... Center robot (transport unit)
300A to 300D: Back surface cleaning unit (processing unit)
400: reversing unit NT: notch (board cutout)
S1 one main surface (of the substrate) S2 ... other main surface S (of the substrate) substrate

Claims (10)

その周縁部に基板切欠部が形成された略円盤状基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置において、
前記基板を支持する基板支持手段と、
前記基板支持手段により支持されている前記基板の他方主面に対向させながら前記基板に近設された雰囲気遮断部材とを備え、
前記雰囲気遮断部材は、その外形が前記基板と同一あるいは前記基板より小径の円形となっている部材で構成されるとともに、該部材の周縁部に前記基板切欠部に対応させて遮断部材切欠部を設けたものであることを特徴する基板処理装置。In a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to one main surface of a substantially disc-shaped substrate having a substrate notch formed at a peripheral portion thereof and performing predetermined substrate processing on the one main surface,
Substrate supporting means for supporting the substrate,
An atmosphere blocking member provided near the substrate while being opposed to the other main surface of the substrate supported by the substrate supporting means,
The atmosphere blocking member is formed of a member whose outer shape is the same as the substrate or a circle having a smaller diameter than the substrate, and a cutout member cutout corresponding to the substrate cutout at a peripheral portion of the member. A substrate processing apparatus characterized by being provided. 前記処理液が供給された前記基板とともに前記雰囲気遮断部材を、前記基板切欠部および前記遮断切欠部を対向させた状態のまま、回転させる回転手段をさらに備えた請求項１記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a rotation unit configured to rotate the atmosphere blocking member together with the substrate to which the processing liquid is supplied, with the substrate notch and the cutout notch facing each other. その周縁部に基板切欠部が形成された略円盤状基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置において、
前記基板を支持する基板支持手段と、
前記基板支持手段により支持されている前記基板の他方主面に対向させながら前記基板に近設された雰囲気遮断部材とを備え、
前記雰囲気遮断部材の外形は下記半径の円形であり、しかも、
前記雰囲気遮断部材は、その中心軸が前記基板の中心軸と一致するように配置されていることを特徴する基板処理装置。
（半径）≦（前記基板の中心から前記基板切欠部までの距離）In a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to one main surface of a substantially disc-shaped substrate having a substrate notch formed at a peripheral portion thereof and performing predetermined substrate processing on the one main surface,
Substrate supporting means for supporting the substrate,
An atmosphere blocking member provided near the substrate while being opposed to the other main surface of the substrate supported by the substrate supporting means,
The outer shape of the atmosphere blocking member is a circle having the following radius, and
The substrate processing apparatus, wherein the atmosphere shielding member is arranged such that a central axis thereof is coincident with a central axis of the substrate.
(Radius) ≦ (distance from the center of the substrate to the cutout of the substrate) 前記処理液が供給された前記基板を回転させる回転手段をさらに備えた請求項３記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 3, further comprising a rotation unit configured to rotate the substrate supplied with the processing liquid. 前記回転手段は、前記基板とともに前記雰囲気遮断部材を回転させる請求項４記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the rotating unit rotates the atmosphere blocking member together with the substrate. 前記基板切欠部はノッチまたはオリエンテーションフラットである請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate notch is a notch or an orientation flat. 所定形状を有する板状部材の周縁部に基板切欠部を設けてなる基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置において、
前記基板を支持する基板支持手段と、
前記基板支持手段により支持されている前記基板の他方主面に対向させながら前記基板に近設された雰囲気遮断部材とを備え、
前記雰囲気遮断部材は、その外形が前記板状部材と同一または前記板状部材よりも小さな略相似形となっている部材で構成されるとともに、該部材の周縁部に前記基板切欠部に対応させて遮断部材切欠部を設けたものであることを特徴する基板処理装置。In a substrate processing apparatus that supplies a processing liquid to one main surface of a substrate formed by providing a substrate notch in a peripheral portion of a plate-shaped member having a predetermined shape and performs predetermined substrate processing on the one main surface,
Substrate supporting means for supporting the substrate,
An atmosphere blocking member provided near the substrate while being opposed to the other main surface of the substrate supported by the substrate supporting means,
The atmosphere blocking member is formed of a member having the same outer shape as the plate member or having a substantially similar shape smaller than the plate member, and has a peripheral portion corresponding to the substrate cutout portion. A substrate processing apparatus, wherein a cutout member cutout is provided. 所定形状を有する板状部材の周縁部に切欠部を設けてなる基板の一方主面に処理液を供給して該一方主面に対して所定の基板処理を施す基板処理装置において、
前記基板を支持する基板支持手段と、
前記基板支持手段により支持されている前記基板の他方主面に対向させながら前記基板に近設された雰囲気遮断部材とを備え、
前記雰囲気遮断部材の外形が前記板状部材に対して下記の相似比の略相似形となっており、しかも、
前記雰囲気遮断部材は、その中心軸が前記基板の中心軸と一致するように配置されていることを特徴する基板処理装置。
（相似比）≦Ｗｓｂ／（Ｗｓｂ＋Ｗｎｔ）
ただし、
Ｗｓｂ…前記基板の中心から前記切欠部までの距離、
Ｗｎｔ…前記基板の中心から前記切欠部に向かう切込形成方向における前記切込部の切込深さIn a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to one main surface of a substrate having a notch formed in a peripheral portion of a plate-shaped member having a predetermined shape and performing predetermined substrate processing on the one main surface,
Substrate supporting means for supporting the substrate,
An atmosphere blocking member provided near the substrate while being opposed to the other main surface of the substrate supported by the substrate supporting means,
The outer shape of the atmosphere blocking member is substantially similar to the plate-like member with the following similar ratio, and
The substrate processing apparatus, wherein the atmosphere shielding member is arranged such that a central axis thereof is coincident with a central axis of the substrate.
(Similarity ratio) ≦ Wsb / (Wsb + Wnt)
However,
Wsb: distance from the center of the substrate to the notch;
Wnt: depth of cut of the cut portion in a cut forming direction from the center of the substrate to the cut portion 請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、
前記処理ユニットに対して基板を搬送する搬送ユニットと
を備えることを特徴とする基板処理システム。A processing unit having the same configuration as the substrate processing apparatus according to claim 1,
A substrate processing system, comprising: a transport unit that transports a substrate to the processing unit. 基板を反転させる反転ユニットをさらに備える請求項９記載の基板処理システム。10. The substrate processing system according to claim 9, further comprising a reversing unit for reversing the substrate.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130155398A1 (en) * 2010-09-13 2013-06-20 Orc Manufacturing Co., Ltd. Projection aligner
JP2013229552A (en) * 2011-12-19 2013-11-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate holding rotary device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49105472A (en) * 1973-02-07 1974-10-05
JPS60136226A (en) * 1983-12-23 1985-07-19 Nec Corp Photoresist coating device
JPH07249559A (en) * 1994-03-09 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd Rotary processor
JPH09167751A (en) * 1995-12-14 1997-06-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Rotary substrate treatment device
JPH10199852A (en) * 1997-01-13 1998-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Rotary substrate treatment device
JP2845738B2 (en) * 1993-10-28 1999-01-13 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate rotation holder for rotary substrate processing equipment
JP2001321713A (en) * 2000-05-15 2001-11-20 Canon Inc Method and apparatus for rotary coating

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49105472A (en) * 1973-02-07 1974-10-05
JPS60136226A (en) * 1983-12-23 1985-07-19 Nec Corp Photoresist coating device
JP2845738B2 (en) * 1993-10-28 1999-01-13 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate rotation holder for rotary substrate processing equipment
JPH07249559A (en) * 1994-03-09 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd Rotary processor
JPH09167751A (en) * 1995-12-14 1997-06-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Rotary substrate treatment device
JPH10199852A (en) * 1997-01-13 1998-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Rotary substrate treatment device
JP2001321713A (en) * 2000-05-15 2001-11-20 Canon Inc Method and apparatus for rotary coating

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130155398A1 (en) * 2010-09-13 2013-06-20 Orc Manufacturing Co., Ltd. Projection aligner
US9013695B2 (en) * 2010-09-13 2015-04-21 Orc Manufacturing Co., Ltd. Projection aligner
JP2013229552A (en) * 2011-12-19 2013-11-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate holding rotary device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
US9385020B2 (en) 2011-12-19 2016-07-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding and rotating device, substrate treatment apparatus including the device, and substrate treatment method

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