JP2004119624A

JP2004119624A - 回路基板

Info

Publication number: JP2004119624A
Application number: JP2002279772A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Nohara; 野原　一也; Masami Hori; 堀　正美; Naohiro Taniguchi; 谷口　直博; Yasushi Arikawa; 有川　泰史; Motohide Okada; 岡田　素英
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2002-09-25
Filing date: 2002-09-25
Publication date: 2004-04-15

Abstract

【課題】新たに部品を設けることなく、落下などの過大な衝撃が加わっても、実装した半導体部品の破損を防ぐことができる回路基板を提供する。
【解決手段】回路基板Ａは、回路基板Ａの長手方向に沿った２辺から夫々対向する辺の手前まで、重ならないようにして直線状に切り欠かれた２つの切欠き部１１，１１を有し、両切欠き部１１，１１の間の基材で半導体部品１が実装される半導体実装部１３を形成している。半導体実装部１３は、切欠き部１１の閉鎖側の端部から対向する辺までの基材で形成された撓み部１２，１２によって、対角線上の２ヶ所の部位を回路基板Ａに支持されており、外部からの過大な衝撃が加わると、撓み部１２，１２が撓んで衝撃を吸収する。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体部品が実装されハウジング内に支持固定される回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の回路基板は、薄い板状の基材に半導体加速度センサや半導体圧力センサなどの半導体部品が実装され、ハウジング内に支持固定されていた。
【０００３】
半導体加速度や半導体圧力センサなどの半導体部品は、マイクロマシニング技術を用いてシリコンウエハ上にマイクロオーダーの小さな機構部を形成しており、衝撃には非常に弱い構造となっている。そこで、回路基板を支持固定するハウジングに弾性を有する衝撃吸収支持体を設け、この衝撃吸収支持体に回路基板を支持させ、落下などの過大な衝撃をこの衝撃吸収支持体で吸収し、過大な衝撃から実装した半導体部品を保護するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−２２５２４１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１では、新たに衝撃吸収支持体が必要となるという問題があった。
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑みて為されたものであって、その目的とするところは、新たに部品を設けることなく、落下などの過大な衝撃が加わっても、実装した半導体部品の破損を防ぐことができる回路基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、半導体部品が実装され、ハウジング内に支持固定される回路基板であって、前記半導体部品を実装する周囲の基材を部分的に切り欠いて、可撓性を有する半導体実装部を形成したものとした。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１記載の発明において、一辺が基材に支持された片持ち梁形状の半導体実装部を形成したものとした。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項２記載の発明において、片持ち梁形状の半導体実装部の根元部の梁幅を狭くする切り欠きを設けたものとした。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項２又は３記載の発明において、片持ち梁形状の半導体実装部の根元部を薄肉に形成したものとした。
【００１１】
請求項５の発明は、請求項１記載の発明において、半導体部品を実装する周囲の基材を渦巻き状に切り欠いて、一端が基材に支持された渦巻き状の撓み部を形成し、この撓み部の他端によって支持された半導体実装部を形成したものとした。
【００１２】
請求項６の発明は、請求項１記載の発明において、一端が基材に支持された複数の撓み部によって、複数の方向が基材に支持された半導体実装部を形成したものとした。
【００１３】
請求項７の発明は、請求項６記載の発明において、撓み部は、半導体実装部を中心として卍字形に形成されたものとした。
【００１４】
請求項８の発明は、請求項５乃至７の何れか記載の発明において、撓み部を薄肉に形成したものとした。
【００１５】
請求項９の発明は、請求項１乃至８の何れか記載の発明において、半導体実装部に重りを付加したものとした。
【００１６】
請求項１０の発明は、請求項１乃至９の何れか記載の発明において、基材がガラスエポキシよりなるものとした。
【００１７】
請求項１１の発明は、請求項１記載の発明において、半導体部品は、半導体加速度センサであるものとした。
【００１８】
請求項１２の発明は、請求項１１記載の発明において、半導体加速度センサは片持ち梁構造の加速度センサであり、回路基板は、前記加速度センサのセンシング方向と直交する角度から、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向に所定の角度傾けた状態でハウジング内に支持固定され、半導体実装部は、一辺が基材に支持され、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向と並行する方向に梁が形成された片持ち梁形状に形成されたものとした。
【００１９】
請求項１３の発明は、請求項１１記載の発明において、半導体加速度センサは片持ち梁構造の加速度センサであり、回路基板は、前記加速度センサのセンシング方向と直交する角度から、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向に所定の角度傾けた状態でハウジング内に支持固定され、半導体実装部は、一辺が基材に支持され、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向と直交する方向に梁が形成された片持ち梁形状に形成されたものとした。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施形態１から実施形態９によって説明する。
【００２１】
（実施形態１）
図１に、本実施形態の回路基板Ａを示す。この回路基板Ａは、図２に示すように、半導体加速度センサや半導体圧力センサ、半導体マイクロフローセンサ、半導体マイクロバルブ、半導体マイクロリレー等の半導体素子、またはそれら半導体素子をパッケージングしたパッケージからなる半導体部品１が実装され、合成樹脂製のハウジング２内に支持固定される。また、回路基板Ａには、半導体部品１に加えて、半導体部品１の出力信号を処理するＡＳＩＣ等の電子部品（図示せず）が実装されており、半導体部品１および前記電子部品の入出力端子４が、ハウジング２に被着されるカバー３から外部に突出した状態に設けられている。
【００２２】
回路基板Ａは、基材がガラスエポキシよりなり、図１に示したように、回路基板の周縁にハウジング２に固定するための取りつけ穴１０を複数（本実施形態では３箇所）設けると共に、回路基板Ａの長手方向に並行する２辺から夫々対向する辺の手前まで、重ならないようにして直線状に切り欠かれた２つの切欠き部１１，１１を有し、両切欠き部１１，１１の間の基材で半導体部品１が実装される半導体実装部１３を形成している。
【００２３】
半導体実装部１３は、切欠き部１１の閉鎖側の端部から対向する辺までの基材で形成された撓み部１２，１２によって、対角線上の２ヶ所の部位を回路基板Ａに支持されており、外部からの衝撃が加わると、撓み部１２，１２が撓んで可撓性を有するように形成されている。
【００２４】
かかる回路基板Ａにおいては、半導体実装部１３が可撓性を有するように形成されているため、落下などによる過大な衝撃が回路基板Ａに加わっても、半導体実装部１３に加わる衝撃が吸収され、半導体実装部１３に実装された半導体部品１の破損を防ぐことができる。
【００２５】
また、半導体実装部１３の形成に新たな部品を必要としないので、コストがかさむこともない。
【００２６】
また、基材にガラスエポキシを用いたことで、セラミック基板などと比較して、基板材料が柔らかく可撓性が大きいため、大きな衝撃緩和効果を得ることができる。
【００２７】
（実施形態２）
本実施形態における基本構成は実施形態１と共通するために共通する部分については同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴となる部分についてのみ詳細に説明する。
【００２８】
則ち本実施形態の回路基板Ｂは、実施形態１に対して、図３に示すように、回路基板Ｂの略中央にコ字形の切欠き部２０を設けて、切欠き部２０の内側に、一辺が基材に支持された片持ち梁形状の半導体実装部２１を形成した点に特徴がある。
【００２９】
かかる回路基板Ｂにおいては、落下などによる過大な衝撃が回路基板Ｂに加わっても、半導体実装部２１全体が片持ち梁として撓み、半導体実装部２１に加わる衝撃が吸収され、半導体実装部２１に実装された半導体部品１の破損を防ぐことができる。
【００３０】
尚、図４に示すように、回路基板Ｃの長手方向の一端部から、回路基板Ｃの長手方向と並行する２つの直線状の切欠き部２２，２２を設け、切欠き部２２，２２の間に挟まれた片持ち梁形状の半導体実装部２１を形成してもよい。
【００３１】
かかる回路基板Ｃにおいては、少ない切り欠き量で可撓性を有する半導体実装部２１を形成することができ、切欠き部２２を設けたことによる回路基板上の電子部品配置やパターン配置へ及ぼす制約が少なくて済み、回路基板の大型化を防げる。
【００３２】
また、半導体実装部２１が回路基板Ｃの一端部に位置しているため、電子部品配置やパターン配置のための基材面積が有効に使える。
【００３３】
（実施形態３）
本実施形態における基本構成は実施形態２と共通するために共通する部分については同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴となる部分についてのみ詳細に説明する。
【００３４】
則ち本実施形態の回路基板Ｄは、実施形態２に対して、図５に示すように、片持ち梁形状に形成された半導体実装部２１の根元部２１ａの両側から梁の内側へ向けて切欠き部３０，３０を設けて、根元部２１ａの梁幅を狭くした点に特徴がある。
【００３５】
かかる回路基板Ｄにおいては、実施形態２より半導体実装部２１が撓みやすくなり、落下などによる過大な衝撃が回路基板Ｄに加わった際の緩衝効果が増大する。また、緩衝効果が同等で良い場合は、コ字形の切欠き部２０の梁の長さ方向の切り欠き量を少なくして、片持ち梁形状の梁の長さを短くすることができ、少ない切り欠き量で同等の緩衝効果を得ることもできる。
【００３６】
尚、根元部２１ａの梁幅を狭くする切欠き部の形状は、切欠き部３０，３０のように梁の両側から内側へ向けて切り欠く形状に限定されるものではなく、図６の回路基板Ｅの切欠き部３１のように、半導体実装部２１の根元部２１ａの中央部を切り欠く形状でもよい。
【００３７】
また、図７に示すように、片持ち梁形状に形成された半導体実装部２１の根元部２１ａを薄肉に形成してもよい。根元部２１ａを薄肉に形成することで、半導体実装部２１がさらに撓みやすくなり、落下などによる過大な衝撃が加わった際の緩衝効果が増大する。また、緩衝効果が同等で良い場合は、切欠き部２０の梁の長さ方向の切り欠き量をさらに少なくすることができる。
【００３８】
また、図８に示すように、半導体実装部２１に電子部品や金属などの重り３２を付加してもよい。重り３２を付加することで、半導体実装部２１がさらに撓みやすくなり、緩衝効果が増大する。
【００３９】
（実施形態４）
本実施形態における基本構成は実施形態１と共通するために共通する部分については同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴となる部分についてのみ詳細に説明する。
【００４０】
則ち本実施形態の回路基板Ｆは実施形態１に対して、図９に示すように、半導体部品１を実装する周囲の基材に渦巻き状の切欠き部４０を設け、一端が基材に支持された渦巻き状の撓み部４１を形成し、撓み部４１の他端によって支持された基材で半導体実装部４２を形成した点に特徴がある。
【００４１】
かかる回路基板Ｆにおいては、落下などによる過大な衝撃が回路基板Ｆに加わっても、渦巻き状の撓み部４１が撓んで半導体実装部４２に加わる衝撃が吸収され、半導体実装部４２に実装された半導体部品１の破損を防ぐことができる。
【００４２】
また撓み部４１を渦巻き状に形成したことにより、撓み部４１の長さが長く取れ緩衝効果が増大すると共に、回路基板Ｆに対し垂直方向に加わる衝撃以外に、回路基板Ｆに対し水平な方向からの衝撃に対しても撓み部４１が撓んで、緩衝効果を得ることができる。
【００４３】
尚、実施形態３と同様に、撓み部４１を薄肉に形成したり、半導体実装部４２に重りを付加したりして、緩衝効果を増大させてもよい。
【００４４】
（実施形態５）
本実施形態における基本構成は実施形態１と共通するために共通する部分については同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴となる部分についてのみ詳細に説明する。
【００４５】
則ち本実施形態の回路基板Ｇは実施形態１に対して、図１０に示すように、回路基板Ｇに一対のコ字形の切欠き部５０，５０を、互いに開放側が向き合う方向で所定の間隔をおいて形成し、コ字形の両切欠き部５０，５０の内側の基材で半導体実装部５１を形成した点に特徴がある。
【００４６】
半導体実装部５１は、一方の切欠き部５０の並行する切欠き部位５０ａ，５０ａの先端と、対向する他方の切欠き部５０の並行する切欠き部位５０ａ，５０ａの先端との間に挟まれた基材によって形成された撓み部５２，５２によって、対向する２辺が基材に支持された両持ち梁形状に形成されている。
【００４７】
かかる回路基板Ｇにおいては、落下などによる過大な衝撃が回路基板Ｇに加わっても、撓み部５２，５２が撓んで半導体実装部５１に加わる衝撃が吸収され、半導体実装部５１に実装された半導体部品１の破損を防ぐことができる。
【００４８】
また回路基板Ｇに対し垂直方向に加わる衝撃以外に、回路基板Ｇに対し水平な方向から加わる衝撃に対しても、撓み部５２，５２が撓んで緩衝効果を得ることができる。
【００４９】
尚、実施形態３と同様に、撓み部５２，５２を薄肉に形成したり、半導体実装部５１に重りを付加したりして、緩衝効果を増大させてもよい。
【００５０】
（実施形態６）
本実施形態における基本構成は実施形態１と共通するために共通する部分については同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴となる部分についてのみ詳細に説明する。
【００５１】
則ち本実施形態の回路基板Ｈは実施形態１に対して、図１１に示すように、回路基板Ｈに４つの略Ｌ形の切欠き部６０を、各切欠き部６０で略四角形を形成するように設け、各切欠き部６０の内側に挟まれた基材で半導体実装部６１を形成した点に特徴がある。
【００５２】
各切欠き部６０は、各辺が重ならないように所定の間隔をおいて設けられ、切欠き部６０の先端と隣接する別の切欠き部６０の先端との間の基材によって形成された４つの撓み部６２によって、半導体実装部６１は、４方向を回路基板Ｈに支持されている。
【００５３】
かかる回路基板Ｈにおいては、落下などによる過大な衝撃が回路基板Ｈに加わっても、各撓み部６２が撓んで半導体実装部６１に加わる衝撃が吸収され、半導体実装部６１に実装された半導体部品１の破損を防ぐことができる。
【００５４】
また回路基板Ｈに対し垂直方向に加わる衝撃以外に、回路基板Ｈに対し水平な方向から加わる衝撃に対しても、各撓み部６２が撓んで緩衝効果を得ることができる。
【００５５】
尚、実施形態３と同様に、各撓み部６２を薄肉に形成したり、半導体実装部６１に重りを付加したりして、緩衝効果を増大させてもよい。
【００５６】
（実施形態７）
本実施形態における基本構成は実施形態１と共通するために共通する部分については同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴となる部分についてのみ詳細に説明する。
【００５７】
則ち本実施形態の回路基板Ｉは実施形態１に対して、図１２に示すように、回路基板Ｉに４つの略Ｌ形の切欠き部７０を、９０°づつ回転させた方向で、そのＬ形の短辺が常に回路基板Ｉの内側を向くと共にＬ形の長辺で略四角形を形成するようにして、さらに長辺と隣接する別の切欠き部７０の短辺とが所定の間隔を有して並行するように形成した点に特徴がある。
【００５８】
上記のように切欠き部７０を設けることで、各切欠き部７０の長辺と隣接する別の切欠き部７０の短辺との間の基材によって撓み部７２を形成することができ、撓み部７２は一端が基材に支持され各切欠き部７０の間の基材によって形成された半導体実装部７１を中心として卍字形に形成され、半導体実装部７１は、各撓み部７２によって４方向を回路基板Ｉに支持されている。
【００５９】
かかる回路基板Ｉにおいては、落下などによる過大な衝撃が回路基板Ｉに加わっても、各撓み部７２が撓んで半導体実装部７１に加わる衝撃が吸収され、半導体実装部７１に実装された半導体部品１の破損を防ぐことができる。
【００６０】
また、撓み部７２が半導体実装部７１を中心に卍字形に延伸されているため、撓み部７２の長さを長く取ることができ、緩衝効果が増大する。
【００６１】
尚、実施形態３と同様に、各撓み部７２を薄肉に形成したり、半導体実装部７１に重りを付加したりして、緩衝効果を増大させてもよい。
【００６２】
（実施形態８）
本実施形態の回路基板Ｊを図１３に示す。この回路基板Ｊは、片持ち梁構造の加速度センサチップ８０をパッケージングした半導体加速度センサ８１（外観図を図１４に示す）が実装され、ボディ８３とカバー８４とからなる合成樹脂製のハウジング内に支持固定される。また、回路基板Ｊには、半導体加速度センサ８１に加えて、半導体加速度センサ８１の入出力端子８１ａから出力される信号を処理するＡＳＩＣ８２などの電子部品が実装されており、半導体加速度センサ８１および前記電子部品の入出力端子８５が、ボディ８３と一体で立設されたコネクタ部８３ａに突出した状態に設けられている。図１５にハウジング８３，８４の外観図を示す。
【００６３】
加速度センサチップ８０は、従来周知の片持ち梁構造の加速度センサチップであり、図１６に示すように、厚肉の重り部８６と、重り部８６を一方向から揺動自在に支持する薄肉の撓み部８７と、撓み部８７を支持する支持部８８とが半導体基板を加工して形成され、撓み部８７に形成されたピエゾ抵抗素子の機械的な歪みによる抵抗値の変化に基づいて加速度を検出する。
【００６４】
半導体加速度センサ８１は、図１７の回路基板Ｊの模式図に示すように、回路基板Ｊの長手方向と加速度センサチップ８０の梁長さ方向が並行となるように回路基板Ｊに実装される。ここで、片持ち梁構造の加速度センサチップ８０は、センシング方向とは異なる他軸の感度の低減のため、重り部８６の重心と、撓み部８７に形成されたピエゾ抵抗素子を同一の水平面上に位置させなければならず、そのため、回路基板Ｊは、図１３に示したように加速度センサのセンシング方向（矢印ｘ方向）と直交する方向から、加速度センサチップ８０の片持ち梁構造の梁の長さ方向に所定の角度傾けた状態で、ボディ８３の支持台８３ｂに支持固定される。
【００６５】
また回路基板Ｊは、図１７に示したように、半導体加速度センサ８１を挟むようにして、回路基板Ｊの長手方向の一端部から、回路基板Ｊの長手方向と並行する２つの直線上の切欠き部８９，８９が設けられ、切欠き部８９，８９の間の基材で、加速度センサチップ８０の片持ち梁の長さ方向と並行する方向に梁が形成された片持ち梁形状の可撓性を有する半導体実装部９０を形成している。
【００６６】
かかる回路基板Ｊにおいては、回路基板Ｊが加速度センサチップ８０の片持ち梁構造の梁の長さ方向に所定の角度傾けた状態でハウジング８３，８４内に支持固定されると、半導体加速度センサ８１のセンシング方向である図１３の矢印ｘ方向から加わる過大な衝撃に加えて、矢印ｘ方向と直交する矢印ｙ方向から回路基板Ｊの基板面に加わる過大な衝撃に対しても、片持ち梁形状の半導体実装部９０が撓んで緩衝効果を得ることができ、半導体実装部９０に実装された半導体加速度センサ８１の破損を防ぐことができる。
【００６７】
尚、片持ち梁形状に形成された半導体実装部９０の根元部９０ａの梁幅を狭くしたり、根元部９０ａを薄肉に形成したり、半導体実装部９０に重りを付加したりして、緩衝効果を増大させてもよい。
【００６８】
（実施形態９）
本実施形態における基本構成は実施形態８と共通するために共通する部分については同一の符号を付して説明を省略し、本実施形態の特徴となる部分についてのみ詳細に説明する。
【００６９】
則ち本実施形態の回路基板Ｋは実施形態８に対して、図１８の模式図に示すように、回路基板Ｋの長手方向と加速度センサチップ８０の梁長さ方向が並行となるように半導体加速度センサ８１を回路基板Ｋに実装し、半導体加速度センサ８１を挟むようにして、回路基板Ｋの短幅方向の一端部から、回路基板Ｋの短幅方向と並行する２つの直線上の切欠き部９１，９１を設けて、切欠き部９１，９１の間の基材で、加速度センサチップ８０の片持ち梁の長さ方向と直交する方向に梁が形成された片持ち梁形状の可撓性を有する半導体実装部９２を形成している点に特徴がある。
【００７０】
かかる回路基板Ｋにおいては、回路基板Ｋが、加速度センサのセンシング方向と直交する方向から加速度センサチップ８０の片持ち梁構造の梁の長さ方向に所定の角度傾けた状態でハウジング８３，８４内に支持固定されると、実施形態８と同様に、半導体加速度センサ８１のセンシング方向である図１３の矢印ｘ方向および矢印ｘ方向と直交する矢印ｙ方向から加わる過大な衝撃に対して片持ち梁形状の半導体実装部８７が撓んで緩衝効果を得ることができると共に、矢印ｘ方向と直交する方向から回路基板Ｋの短幅方向の側面に加わる過大な衝撃に対しても、片持ち梁形状の半導体実装部９１が撓みやすくなり、落下などによる過大な衝撃が回路基板Ｋに加わっても、半導体実装部９１に実装された半導体部品１の破損を防ぐことができる。
【００７１】
尚、片持ち梁形状に形成された半導体実装部９２の根元部９２ａの梁幅を狭くしたり、根元部９２ａを薄肉に形成したり、半導体実装部９２に重りを付加したりして、緩衝効果を増大させてもよい。
【００７２】
【発明の効果】
請求項１の発明は、半導体部品が実装され、ハウジング内に支持固定される回路基板であって、前記半導体部品を実装する周囲の基材を部分的に切り欠いて、可撓性を有する半導体実装部を形成したので、落下などの過大な衝撃が回路基板に加わっても、前記半導体実装部が撓んで衝撃を吸収し、新たに部品を設けることなく、半導体実装部に実装した半導体部品の破損を防ぐことができるという効果がある。
【００７３】
請求項２の発明は、請求項１記載の発明において、一辺が基材に支持された片持ち梁形状の半導体実装部を形成したので、少ない切り欠き量で請求項１記載の可撓性を有する半導体実装部を形成でき、切り欠きを設けたことによる回路基板上の電子部品の配置やパターン配線へ及ぼす制約が少なくて済み、回路基板が大型化するのを防ぐことができるという効果がある。
【００７４】
請求項３の発明は、請求項２記載の発明において、片持ち梁形状の半導体実装部の根元部の梁幅を狭くする切り欠きを設けたので、前記半導体実装部が撓みやすくなり、過大な衝撃が加わった際の緩衝効果が増大すると共に、緩衝効果が同等でよい場合は、片持ち梁形状の半導体実装部の梁の長さを短くすることができ、切り欠き量を減らすことができるという効果がある。
【００７５】
請求項４の発明は、請求項２又は３記載の発明において、片持ち梁形状の半導体実装部の根元部を薄肉に形成したので、請求項３の発明と同様に、前記半導体実装部が撓みやすくなり、過大な衝撃が加わった際の緩衝効果が増大すると共に、緩衝効果が同等でよい場合は、片持ち梁形状の半導体実装部の梁の長さを短くすることができ、切り欠き量を減らすことができるという効果がある。
【００７６】
請求項５の発明は、請求項１記載の発明において、半導体部品を実装する周囲の基材を渦巻き状に切り欠いて、一端が基材に支持された渦巻き状の撓み部を形成し、この撓み部の他端によって支持された半導体実装部を形成したので、撓み部が渦巻き状に形成されているため撓み部の長さを長くとることができ、過大な衝撃が加わった際の緩衝効果が増大すると共に、回路基板に対し垂直方向から加わる衝撃以外に、回路基板に対し水平方向からの衝撃に対しても撓み部が撓んで、緩衝効果を得ることができるという効果がある。
【００７７】
請求項６の発明は、請求項１記載の発明において、一端が基材に支持された複数の撓み部によって、複数の方向が基材に支持された半導体実装部を形成したので、回路基板に対し垂直方向から加わる衝撃以外に、回路基板に対し水平方向からの衝撃に対しても前記撓み部が撓んで、緩衝効果を得ることができるという効果がある。
【００７８】
請求項７の発明は、請求項６記載の発明において、撓み部は、半導体実装部を中心として卍字形に形成されたので、撓み部が卍字形に形成されているため撓み部の長さを長くとれ過大な衝撃が加わった際の緩衝効果が増大するという効果がある。
【００７９】
請求項８の発明は、請求項５乃至７の何れか記載の発明において、撓み部を薄肉に形成したので、撓み部が撓みやすくなり過大な衝撃が加わった際の緩衝効果が増大するという効果がある。
【００８０】
請求項９の発明は、請求項１乃至８の何れか記載の発明において、半導体実装部に重りを付加したので、半導体実装部が撓みやすくなり過大な衝撃が加わった際の緩衝効果が増大するという効果がある。
【００８１】
請求項１０の発明は、請求項１乃至９の何れか記載の発明において、基材がガラスエポキシよりなるので、セラミック基板などと比較して基板材料が柔らかく可撓性が大きいため、過大な衝撃が加わった際に大きな緩衝効果が得られるという効果がある。
【００８２】
請求項１１の発明は、請求項１記載の発明において、半導体部品は、半導体加速度センサであるので、半導体加速度センサを、可撓性を有する半導体実装部に実装することにより、落下などの衝撃から前記半導体加速度センサの破損を防げるという効果がある。
【００８３】
請求項１２の発明は、請求項１１記載の発明において、半導体加速度センサは片持ち梁構造の加速度センサであり、回路基板は、前記加速度センサのセンシング方向と直交する角度から、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向に所定の角度傾けた状態でハウジング内に支持固定され、半導体実装部は、一辺が基材に支持され、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向と並行する方向に梁が形成された片持ち梁形状に形成されたので、センシング方向からの過大な衝撃に加えて、センシング方向と直交する方向から前記回路基板の基板面に加わる過大な衝撃に対しても、前記半導体実装部が撓んで衝撃を緩和し、半導体実装部に実装された半導体加速度センサの破損を防ぐことができるという効果がある。
【００８４】
請求項１３の発明は、請求項１１記載の発明において、半導体加速度センサは片持ち梁構造の加速度センサであり、回路基板は、前記加速度センサのセンシング方向と直交する角度から、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向に所定の角度傾けた状態でハウジング内に支持固定され、半導体実装部は、一辺が基材に支持され、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向と直交する方向に梁が形成された片持ち梁形状に形成されたので、センシング方向からの衝撃およびセンシング方向と直交する方向から前記回路基板の基板面に加わる過大な衝撃に加えて、センシング方向と直交する方向から前記回路基板の側面に加わる過大な衝撃に対しても、前記半導体実装部が撓みやすくなり、衝撃を緩和して前記半導体実装部に実装された半導体加速度センサの破損を防ぐことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１の回路基板を示す図である。
【図２】同上の回路基板がハウジング内に支持固定された状態を示す断面図である。
【図３】実施形態２の回路基板を示す図である。
【図４】同上の別の形体の回路基板を示す図である。
【図５】実施形態３の回路基板を示す図である。
【図６】同上の別の形体の回路基板を示す図である。
【図７】図５の回路基板のａ−ａ線断面矢視図である。
【図８】同上の別の形体の回路基板を示す図である。
【図９】実施形態４の回路基板を示す図である。
【図１０】実施形態５の回路基板を示す図である。
【図１１】実施形態６の回路基板を示す図である。
【図１２】実施形態７の回路基板を示す図である。
【図１３】（ａ）実施形態８の回路基板がハウジング内に支持固定された状態を示す断面図である。
（ｂ）同上のハウジングを構成するボディの、カバー側から見た図である。
【図１４】（ａ）同上の半導体加速度センサの平面図である。
（ｂ）同上の側面図である。
（ｃ）同上の下面図である。
【図１５】（ａ）同上のハウジングの平面図である。
（ｂ）同上の正面図である。
（ｃ）同上の下面図である。
（ｄ）同上の側面図である。
（ｅ）同上の背面図である。
【図１６】（ａ）同上の加速度センサチップの平面図である。
（ｂ）同上のｂ−ｂ線断面矢視図である。
【図１７】同上の回路基板の模式図である。
【図１８】実施形態９の回路基板の模式図である。
【符号の説明】
１　半導体部品
２　ハウジング
３　カバー
４　入出力端子
１１　切欠き部
１２　撓み部
１３　半導体実装部
Ａ〜Ｋ　回路基板

Claims

半導体部品が実装され、ハウジング内に支持固定される回路基板であって、前記半導体部品を実装する周囲の基材を部分的に切り欠いて、可撓性を有する半導体実装部を形成したことを特徴とする回路基板。
一辺が基材に支持された片持ち梁形状の半導体実装部を形成したことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
片持ち梁形状の半導体実装部の根元部の梁幅を狭くする切り欠きを設けたことを特徴とする請求項２記載の回路基板。
片持ち梁形状の半導体実装部の根元部を薄肉に形成したことを特徴とする請求項２又は３記載の回路基板。
半導体部品を実装する周囲の基材を渦巻き状に切り欠いて、一端が基材に支持された渦巻き状の撓み部を形成し、この撓み部の他端によって支持された半導体実装部を形成したことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
一端が基材に支持された複数の撓み部によって、複数の方向が基材に支持された半導体実装部を形成したことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
撓み部は、半導体実装部を中心として卍字形に形成されたことを特徴とする請求項６記載の回路基板。
撓み部を薄肉に形成したことを特徴とする請求項５乃至７の何れか記載の回路基板。
半導体実装部に重りを付加したことを特徴とする請求項１乃至８の何れか記載の回路基板。
基材がガラスエポキシよりなることを特徴とする請求項１乃至９の何れか記載の回路基板。
半導体部品は、半導体加速度センサであることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
半導体加速度センサは片持ち梁構造の加速度センサであり、回路基板は、前記加速度センサのセンシング方向と直交する角度から、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向に所定の角度傾けた状態でハウジング内に支持固定され、半導体実装部は、一辺が基材に支持され、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向と並行する方向に梁が形成された片持ち梁形状に形成されたことを特徴とする請求項１１記載の回路基板。
半導体加速度センサは片持ち梁構造の加速度センサであり、回路基板は、前記加速度センサのセンシング方向と直交する角度から、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向に所定の角度傾けた状態でハウジング内に支持固定され、半導体実装部は、一辺が基材に支持され、前記半導体加速度センサの片持ち梁の長さ方向と直交する方向に梁が形成された片持ち梁形状に形成されたことを特徴とする請求項１１記載の回路基板。