JP2004119488A - Vacuum suction apparatus, substrate transport plate, and substrate processing equipment - Google Patents

Vacuum suction apparatus, substrate transport plate, and substrate processing equipment Download PDF

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JP2004119488A
JP2004119488A JP2002277683A JP2002277683A JP2004119488A JP 2004119488 A JP2004119488 A JP 2004119488A JP 2002277683 A JP2002277683 A JP 2002277683A JP 2002277683 A JP2002277683 A JP 2002277683A JP 2004119488 A JP2004119488 A JP 2004119488A
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suction
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cleaning
cleaning gas
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Hiroshi Igari
猪狩 浩
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum suction apparatus which can eliminate particles adhered to a placing part or the like of a vacuum suction apparatus without needing manual cleaning work or the like, and can restrain complication of device structure and increase of manufacturing cost by realizing elimination of particles with simple constitution, and to provide a substrate transport plate and substrate processing equipment. <P>SOLUTION: When a semiconductor wafer W is sucked and held and it is conveyed, a changeover value 5 is switched to suction source 4 side, Suction of a suction opening 2c is performed through a suction lateral 1a, and the semiconductor wafer W is sucked and held on the placing part 2. When cleaning of the changeover 2 is performed, the changeover valve 5 is switched to cleaning gas supply source 6 side, and gas for cleaning (e.g. air, nitrogen gas, etc.) is supplied from the cleaning gas supply source 6, through a suction lateral 3 and the suction lateral 1a. The gas is spouted from the suction opening 2c. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハやLCD用基板等の基板の真空吸着装置、基板搬送装置及び基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体ウエハやLCD用基板等の基板を搬送したり、処理したりする際には、かかる基板を固定するための機構として、真空吸着装置が使用されている。
【0003】
すなわち、このような真空吸着装置では、基板が載置される載置部に、吸引路によって真空ポンプ等の吸引源に接続された吸引口が設けられている。そして、吸引源から吸引路を介して吸引口の吸引を行うことにより、載置部上に載置された基板を真空吸着するようになっている。
【0004】
上記のような真空吸着装置では、吸引を行うことによって、吸引口が設けられた載置部等に周囲の塵埃(所謂パーティクル)が引き付けられて付着することがある。このように載置部等にパーティクルが付着すると、真空漏れを起こして吸着力の低下を招いたり、パーティクルが基板に付着して汚染の原因となるという問題が発生する。
【0005】
このため、真空吸着装置では、従来から載置部等を定期的に手作業でクリーニングすることが行われている。
【0006】
また、真空吸着装置が設けられた基板搬送装置を有する基板処理装置では、基板処理装置中に、気体供給方式や、スクラブ方式の専用の洗浄機構を設け、基板搬送装置の洗浄部分をこの洗浄機構内に移動させて洗浄するよう構成されたものもある(例えば、特許文献1参照。)。
【0007】
【特許文献1】
特開平10−256345号公報(第4−5頁、第2−6図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、従来においては、真空吸着装置の載置部等に付着したパーティクルを除去するため、定期的に手作業でクリーニングすることが行われており、装置の稼働率の低下を招くという問題があった。また、専用の洗浄機構を設けた場合、手作業によるクリーニングは必要ないものの、専用の洗浄機構を設けるために、装置全体の部品点数も多くなり、装置の構造が複雑となるとともに、装置の製造コストが増大するという問題が発生する。
【0009】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、手作業によるクリーニング作業等を必要とすることなく、真空吸着装置の載置部等に付着したパーティクルを除去することができ、かつ、簡易な構成でかかるパーティクルの除去を実現することにより装置構造の複雑化や製造コストの増大化を抑制することのできる真空吸着装置、基板搬送装置及び基板処理装置を提供しようとするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1の真空吸着装置は、基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部に設けられた吸引口及びこの吸引口に接続された吸引路とを有し、前記吸引路を介して真空引きすることにより、前記基板載置部に前記基板を真空吸着する真空吸着装置であって、前記吸引路を介して前記吸引口から清浄用気体を噴出させ、前記基板載置部に付着した塵埃を除去するクリーニング機構を具備したことを特徴とする。
【0011】
請求項2の真空吸着装置は、請求項1記載の真空吸着装置において、前記クリーニング機構は、前記吸引路の途中に介挿された切換バルブによって、吸引源と清浄用気体供給源とを切り換えるよう構成されたことを特徴とする。
【0012】
請求項3の真空吸着装置は、請求項1又は2記載の真空吸着装置において、前記基板載置部が、アモルファスカーボン又はSiC又はSiから構成されたことを特徴とする。
【0013】
請求項4の基板搬送装置は、基板を搬送するためのアームと、前記アームの先端部に設けられ、基板を載置する基板載置部が設けられたピックと、前記基板載置部に設けられた吸引口及びこの吸引口に接続された吸引路とを有し、前記吸引路を介して真空引きすることにより、前記基板載置部に前記基板を真空吸着するよう構成された基板搬送装置であって、前記吸引路を介して前記吸引口から清浄用気体を噴出させ、前記基板載置部に付着した塵埃を除去するクリーニング機構を具備したことを特徴とする。
【0014】
請求項5の基板搬送装置は、請求項4記載の基板搬送装置において、前記クリーニング機構は、前記吸引路の途中に介挿された切換バルブによって、吸引源と清浄用気体供給源とを切り換えるよう構成されたことを特徴とする。
【0015】
請求項6の基板搬送装置は、請求項4又は5記載の基板搬送装置において、前記基板載置部が、アモルファスカーボン又はSiC又はSiから構成されたことを特徴とする。
【0016】
請求項7の基板搬送装置は、請求項4〜6いずれか1項記載の基板搬送装置において、前記クリーニング機構によって、前記吸引口から清浄用気体を噴出させる際に、前記吸引口を対向させて配置可能とされた清浄用気体反射用部材を有することを特徴とする。
【0017】
請求項8の基板搬送装置は、請求項7記載の基板搬送装置において、前記ピックが上下方向に間隔を設けて複数設けられ、これらのピックに対応して前記清浄用気体反射用部材が複数設けられていることを特徴とする。
【0018】
請求項9の基板搬送装置は、請求項7又は8記載の基板搬送装置において、前記基板を、前記清浄用気体反射用部材として用いるよう構成されたことを特徴とする。
【0019】
請求項10の基板処理装置は、請求項4〜9いずれか1項記載の基板搬送装置と、前記基板搬送装置によって搬送された基板に所定の処理を施す基板処理機構とを具備したことを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施の形態について説明する。
【0021】
図1は、本発明を半導体ウエハWの搬送を行う基板搬送装置に適用した実施形態の要部構成を示すもので、同図において、1は半導体ウエハW(図1には図示せず。)を保持するためのピックを示している。このピック1は、後述するローダアームLA1、LA2の先端部に配設されており、ローダアームLA1、LA2を回転、伸縮、水平動及び上下動させることによって、ピック1上に保持された半導体ウエハWを搬送するようになっている。
【0022】
上記ピック1は、薄板状の部材から構成されており、先端側が二股に分かれ、二本の指を有するフォーク状の形状とされている。そして、ピック1の上側面には、二本の指に相当する部分の先端部と、これらの指の根元部分の合計3箇所に、それぞれ載置部2が設けられている。
【0023】
上記載置部2は、導電性の材料であって、かつ、ある程度の硬度を有する材料、例えば、アモルファスカーボン、SiC、Si等から構成されている。
【0024】
上記のように、載置部2を導電性の材料から構成するのは、静電気によって載置部2にパーティクルが吸着してしまうことを防止するためである。また、載置部2をある程度の硬度を有する材料から構成するのは、載置部2を硬度の低い柔らかい材料から構成すると、パーティクルが載置部2の表面に埋め込まれたような状態となって、パーティクルを除去するのが困難になることがあり、このような状態となることを防止するためである。
【0025】
上記載置部2の形状は、図2,3に示すような形状に限定されるものではなく、適宜変更することが可能であるが、半導体ウエハWとの接触面積が少ない方が好ましく、かつ、半導体ウエハWを確実に吸着できる形状とすることが好ましい。図2,3に示す載置部2の場合、外径が略円板状とされており、その外周側載置面2aと、この外周側載置面2aの内側部に間隔を設けて配設された内周側載置面2bとからなる同心円状に2重に設けられた載置面によって半導体ウエハWを保持するように構成されている。
【0026】
また、載置部2の中心部には、吸引口2cが設けられており、この吸引口2cは、ピック1の本体内に設けられた吸引路1aと連通されている。吸引路1aは、図1に示すように、各載置部2に対応して夫々設けられており、これらの吸引路1aは、マニホールド1bにおいて、連通されている。そして、マニホールド1bと、真空ポンプ等から構成された吸引源4との間は、一本の吸引路3によって接続されている。
【0027】
また、吸引路3の途中には、切換バルブ5が設けられており、この切換バルブ5によって、吸引源4と清浄用気体供給源6とを切り換えることができるようになっている。
【0028】
そして、半導体ウエハWを吸着保持して搬送する際には、図1に示した切換バルブ5を吸引源4側に切り換えて、吸引路3、吸引路1aを介して吸引口2cの吸引を行い、図4に矢印で示すように、載置部2上に半導体ウエハWを吸着保持する。
【0029】
一方、載置部2のクリーニングを行う場合は、図1に示した切換バルブ5を清浄用気体供給源6側に切り換えて、清浄用気体供給源6から、吸引路3、吸引路1aを介して清浄用気体(例えば、空気、窒素ガス等)を供給し、吸引口2cから噴出させる。そして、吸引口2cから噴出した清浄用気体の気流により、載置部2に付着したパーティクルを除去する。
【0030】
上記のような載置部2のクリーニングを行う場合、図5に示すように、ピック1を、清浄用気体反射用部材10に近接対向させ、図中矢印で示すように、吸引口2cから噴出させた清浄用気体が、この清浄用気体反射用部材10で反射して載置部2に当たるようにすることにより、載置部2に付着したパーティクルをより効率良く確実に除去することができる。
【0031】
なお、図5に示した清浄用気体反射用部材10は、平板状となっているが、清浄用気体反射用部材10の形状は、かかる平板状のものに限定されるものではなく、適宜凹凸を設けたものや、傾斜面を設けたものを使用することができる。このように、清浄用気体反射用部材10の反射面の形状を変更することによって、載置部2に当たる気流を制御することができる。
【0032】
また、清浄用気体反射用部材10として、ピック1に保持された半導体ウエハWを用いることもできる。すなわち、ピック1に半導体ウエハWを吸着保持した状態で、切換バルブ5を清浄用気体供給源6側に切り換えて、清浄用気体供給源6からの清浄用気体を半導体ウエハWの裏面に向けて噴出させる。このとき、清浄用気体の供給圧は、半導体ウエハWがピック1から離脱しない程度に制御する必要がある。
【0033】
また、清浄用気体の供給方法として、たとえば、3箇所ある載置部2のうちの2箇所を吸引源4に接続して、これらの2つの載置部2で半導体ウエハWを吸着保持し、他方、残りの載置部2を清浄用気体供給源6に接続して、1箇所の載置部2に付着したパーティクルを清浄し、このような工程を繰り返すことによって、それぞれの載置部2を選択的に清浄するように構成してもよい。
【0034】
次に、上記のように構成された基板搬送装置が設けられた基板処理装置の構成について説明する。
【0035】
図6に示すように、基板処理装置は、半導体ウエハWに所定の処理を施す処理部を構成する複数(図6の装置では2つ)のプロセスシップPS1、PS2と、これらに半導体ウエハWを搬送するローダモジュールLMとを組合わせて構成されている。
【0036】
ローダモジュールLMは、半導体ウエハWを収容する複数(図6の装置では3つ)のロードポートLP1〜LP3と、半導体ウエハWを搬送する搬送室TRと、半導体ウエハWの位置決めを行う基板位置決め装置(オリエンタ)ORとから構成されている。
【0037】
搬送室TRには、オリエンタORが連結されるとともに、ロードロックドアLG1、LG2を介してプロセスシップPS1、PS2が連結され、さらに、ロードポートドアCG1〜CG3を介してロードポートLP1〜LP3が連結されている。このロードポートLP1〜LP3には、未処理の半導体ウエハWおよび処理済みの半導体ウエハWを収容するカセット又はフープ(FOUP)CS1〜CS3(以下ではカセットの場合について説明する。)が設置される。
【0038】
搬送室TR内には、前述した構成の基板搬送装置が設けられており、この基板搬送装置には、2段構成のローダアームLA1、LA2が設けられている。そして、これらのローダアームLA1、LA2の先端部に、前述したピック1が配設されている。
【0039】
また、搬送室TR内の端部には、前述した清浄用気体反射用部材10が配置されている。本実施形態では、上述したように、ローダアームLA1、LA2が2段構成となっており、ピック1もこれらのローダアームLA1、LA2に夫々設けられているため、2段構成となっている。このため、図7に示すように、清浄用気体反射用部材10も上下に2段設けられており、ローダアームLA1、LA2の2つのピック1のクリーニングを同時に行えるよう構成されている。
【0040】
ローダアームLA1、LA2は、ロードポートLP1〜LP3とプロセスシップPS1、PS2(ロードロック室LL1、LL2)との間や、オリエンタORとの間での半導体ウエハWの搬送を行う(図6の▲1▼▲2▼▲6▼の搬送)。なお、ローダアームLA1、LA2を2段構成とすることにより、一方のローダアームLA1(LA2)で半導体ウエハWの搬入を行いつつ、他方のローダアームLA2(LA1)で半導体ウエハWの搬出を行うことが可能となり、半導体ウエハWの入れ替えを効率よく行うことが可能となる。
【0041】
プロセスシップPS1、PS2には、ロードロック室LL1、LL2およびプロセス室PM1、PM2が設けられ、ロードロック室LL1、LL2とプロセス室PM1、PM2とは、プロセスゲートPG1、PG2を介して互いに連結されている。
【0042】
ロードロック室LL1、LL2には、ウエハ載置台B11、B12、B21、B22およびロードロックアームLR1、LR2がそれぞれ設けられ、ウエハ載置台B11、B21には、ローダモジュールLMから搬入された半導体ウエハWが載置されるとともに、ロードロック室LL1、LL2から搬出される半導体ウエハWが載置される。
【0043】
また、ウエハ載置台B12、B22には、プロセス室PM1、PM2に搬入される半導体ウエハWが載置される。また、ロードロックアームLR1、LR2は、ロードロック室LL1、LL2とプロセス室PM1、PM2との間での半導体ウエハWの搬送を行う(図6の▲3▼▲4▼▲5▼の搬送)。
【0044】
上記搬送室TRは大気開放されるとともに、ロードポートドアCG1〜CG3は、開放された状態に維持される。また、コンタミネーションを防止するため、プロセス室PM1、PM2は所定の真空度に維持される。このため、ロードロック室LL1、LL2では、搬送室TRとの間での搬送、またはプロセス室PM1、PM2との間での搬送に応じ、それぞれの真空度に対応させるための給排気が行われる。
【0045】
以下、ロードポートLP1とプロセスシップPS1との間での搬送を行う場合を例に取って、基板処理装置の動作について説明する。
【0046】
まず、ローダアームLA1、LA2は、ロードポートLP1に載置されているカセットCS1から半導体ウエハWを取り出し、オリエンタORに搬入する(▲1▼)。
【0047】
オリエンタORにおける半導体ウエハWの位置決め等の工程が終わると、ローダアームLA1、LA2は、半導体ウエハWをオリエンタORから取り出す。そして、ロードロック室LL1のロードロックドアLG1が開かれ、ローダアームLA1、LA2は、その半導体ウエハWをロードロック室LL1内に搬入し、ウエハ載置台B11上に載置する(▲2▼)。
【0048】
ウエハ載置台B11上に半導体ウエハWが載置されると、ロードロックドアLG1が閉じられ、ロードロック室LL1内の排気が行われるとともに、ロードロックアームLR1が、ウエハ載置台B11上の半導体ウエハWをウエハ載置台B12に搬送する(▲3▼)。
【0049】
半導体ウエハWがウエハ載置台B12に搬送され、プロセス室PM1へ半導体ウエハWを搬入可能な状態になると、プロセス室PM1のプロセスゲートPG1が開かれ、ロードロックアームLR1は、ウエハ載置台B12上の半導体ウエハWをプロセス室PM1内に搬入する(▲4▼)。
【0050】
半導体ウエハWがプロセス室PM1内に搬入されると、プロセスゲートPG1が閉じれられ、半導体ウエハWにプロセス室PM1内で所定の処理が施される。この所定の処理は、例えば、エッチング、成膜等の処理である。
【0051】
プロセス室PM1内での半導体ウエハWの処理が終了し、ロードロック室LL1へ半導体ウエハWを搬出可能な状態になると、プロセスゲートPG1が開かれ、ロードロックアームLR1は、プロセス室PM1内の半導体ウエハWをウエハ載置台B11に搬送する(▲5▼)。
【0052】
そして、プロセスゲートPG1が閉じられ、ロードロック室LL1内の大気開放が行われる。ロードロック室LL1内の大気開放が終了すると、次の半導体ウエハWの搬入タイミングに従って、ロードロックドアLG1が開かれ、一方のローダアームLA1、LA2が、ウエハ載置台B11上の半導体ウエハWをロードポートLP1に搬出するとともに(▲6▼)、他方のローダアームLA1、LA2が、オリエンタORで位置決めされた次の半導体ウエハWをロードロック室LL1内に搬入する(▲2▼)。
【0053】
また、ピック1の載置部2のクリーニングを行う場合は、図7に示すように、ローダアームLA1、LA2のピック1を搬送室TRの端部に設けられた2段構成の清浄用気体反射用部材10の下方に移動させる。
【0054】
そして、図1に示した切換バルブ5を清浄用気体供給源6側に切り換えて、清浄用気体供給源6からの清浄用気体(例えば、空気、窒素ガス等)を、図5に示すように、吸引口2cから噴出させ、ローダアームLA1、LA2の2つのピック1の載置部2のクリーニングを同時に行う。
【0055】
なお、このようにしてピック1の載置部2から除去されたパーティクルは、搬送室TR内に形成されたダウンフローによって、直ちに搬送室TR内から排出され、他の部位に再付着することは防止される。
【0056】
上記のクリーニングは、予め設定した所定のタイミングで、自動的に行うように構成することが好ましいが、また、作業員によるボタン操作等によって、任意のタイミングでも行うことができるよう構成することが好ましい。
【0057】
また、上記の所定のタイミングは、一定の処理時間毎や、一定の半導体ウエハWの処理枚数毎に設定することが好ましく、また、スループットの観点からは、例えば、1ロットの処理が終了し、次のロットの処理開始までの空き時間や、プロセス室PM1、PM2内で半導体ウエハWを処理していて半導体ウエハWの搬送を行う必要のない空き時間等に行うよう設定することが好ましい。
【0058】
上記のような載置部2のクリーニングを行うことによって、載置部2にパーティクルが付着することによる真空吸着の吸着力の低下が発生することを防止することができるとともに、半導体ウエハWにパーティクルが付着して不良発生の原因等になることを防止することができる。また、手作業によるクリーニング作業等を必要としないので、労力の削減と稼働率の向上を図ることが可能となる。
【0059】
また、真空吸着のための吸引路を利用することによって、簡易な構成とすることができるので、装置構造の複雑化や製造コストの増大化を抑制することができる。
【0060】
なお、上記の実施形態では、本発明を半導体ウエハWを真空吸着して搬送する場合に適用した例について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、あらゆる真空吸着装置に適用することが可能である。また、基板処理、基板搬送に適用する場合の基板についても、半導体ウエハWに限定されるものではなく、例えば、LCD用基板等あるゆる基板について適用することができる。
【0061】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、手作業によるクリーニング作業等を必要とすることなく、真空吸着装置の載置部等に付着したパーティクルを除去することができ、かつ、簡易な構成でかかるパーティクルの除去を実現することにより装置構造の複雑化や製造コストの増大化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の基板搬送装置の要部概略構成を模式的に示す図。
【図2】図1の基板搬送装置の要部を拡大して示す図。
【図3】図2の縦断面構成を示す図。
【図4】図1の基板搬送装置の吸着動作を説明するための図。
【図5】図1の基板搬送装置のクリーニング動作を説明するための図。
【図6】図1の基板搬送装置が配設された基板処理装置の構成を模式的に示す図。
【図7】図6の基板処理装置の要部構成を模式的に示す図。
【符号の説明】
W……半導体ウエハ、1……ピック、1a……吸引路、2……載置部、2c……吸引口、3……吸引路、4……吸引源、5……切換バルブ、6……清浄用気体供給源。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a vacuum suction device for a substrate such as a semiconductor wafer or an LCD substrate, a substrate transfer device, and a substrate processing device.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, when a substrate such as a semiconductor wafer or an LCD substrate is transferred or processed, a vacuum suction device is used as a mechanism for fixing the substrate.
[0003]
That is, in such a vacuum suction device, a suction port connected to a suction source such as a vacuum pump by a suction path is provided in a mounting portion on which a substrate is mounted. Then, by suctioning the suction port from the suction source via the suction path, the substrate mounted on the mounting portion is vacuum-sucked.
[0004]
In the vacuum suction device as described above, by performing suction, surrounding dust (so-called particles) may be attracted to and adhere to a mounting portion provided with a suction port. If the particles adhere to the mounting portion or the like in this manner, a problem occurs in which a vacuum leak occurs to lower the attraction force, or the particles adhere to the substrate to cause contamination.
[0005]
For this reason, in the vacuum suction apparatus, the mounting portion and the like have conventionally been regularly cleaned manually.
[0006]
Further, in a substrate processing apparatus having a substrate transfer apparatus provided with a vacuum suction device, a dedicated cleaning mechanism of a gas supply system or a scrub system is provided in the substrate processing apparatus, and a cleaning portion of the substrate transfer apparatus is cleaned by the cleaning mechanism. There is also one configured to be moved inside and washed (for example, see Patent Document 1).
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-10-256345 (page 4-5, FIG. 2-6)
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in the related art, in order to remove particles attached to a mounting portion of a vacuum suction device or the like, cleaning has been performed manually manually on a regular basis, which causes a reduction in the operation rate of the device. was there. If a dedicated cleaning mechanism is provided, manual cleaning is not required. However, the provision of the dedicated cleaning mechanism increases the number of parts in the entire apparatus, complicates the structure of the apparatus, and increases the manufacturing cost of the apparatus. The problem that cost increases arises.
[0009]
The present invention has been made in view of such a conventional situation, and can remove particles attached to a mounting portion or the like of a vacuum suction device without requiring manual cleaning work or the like, and Another object of the present invention is to provide a vacuum suction device, a substrate transfer device, and a substrate processing device capable of suppressing the complexity of the device structure and the increase in manufacturing cost by realizing the removal of such particles with a simple configuration. .
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The vacuum suction device according to claim 1 includes a substrate mounting portion on which a substrate is mounted, a suction port provided in the substrate mounting portion, and a suction path connected to the suction port. A vacuum suction device for vacuum-sucking the substrate on the substrate mounting portion by evacuating the substrate through the suction port, wherein a cleaning gas is ejected from the suction port through the suction path, and A cleaning mechanism for removing the attached dust is provided.
[0011]
According to a second aspect of the present invention, in the vacuum suction apparatus of the first aspect, the cleaning mechanism switches between a suction source and a cleaning gas supply source by a switching valve inserted in the middle of the suction path. It is characterized by comprising.
[0012]
According to a third aspect of the present invention, in the vacuum suction apparatus of the first or second aspect, the substrate mounting portion is made of amorphous carbon, SiC, or Si.
[0013]
5. The substrate transfer device according to claim 4, wherein the arm for transferring the substrate, a pick provided at a distal end of the arm and provided with a substrate mounting portion for mounting the substrate, and provided on the substrate mounting portion. A substrate transfer device having a suction port provided and a suction path connected to the suction port, and configured to vacuum-suction the substrate on the substrate mounting portion by evacuating through the suction path. And a cleaning mechanism for ejecting a cleaning gas from the suction port through the suction path to remove dust attached to the substrate mounting portion.
[0014]
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate transfer apparatus of the fourth aspect, the cleaning mechanism switches between a suction source and a cleaning gas supply source by a switching valve inserted in the middle of the suction path. It is characterized by comprising.
[0015]
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate transfer apparatus of the fourth or fifth aspect, the substrate mounting portion is made of amorphous carbon, SiC, or Si.
[0016]
According to a seventh aspect of the present invention, in the substrate transfer apparatus according to any one of the fourth to sixth aspects, when the cleaning mechanism causes the cleaning gas to be ejected from the suction port, the suction port faces the suction port. It has a cleaning gas reflecting member that can be arranged.
[0017]
In the substrate transfer apparatus according to claim 8, in the substrate transfer apparatus according to claim 7, a plurality of the picks are provided at intervals in a vertical direction, and a plurality of the members for reflecting the cleaning gas are provided corresponding to the picks. It is characterized by having been done.
[0018]
According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate transporting apparatus of the seventh or eighth aspect, the substrate is used as the cleaning gas reflecting member.
[0019]
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: the substrate transporting device according to any one of the fourth to ninth aspects; and a substrate processing mechanism configured to perform a predetermined process on the substrate transported by the substrate transporting device. And
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0021]
FIG. 1 shows a main configuration of an embodiment in which the present invention is applied to a substrate transfer apparatus for transferring a semiconductor wafer W. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor wafer W (not shown in FIG. 1). Shows a pick for holding. The pick 1 is disposed at the tip of loader arms LA1 and LA2, which will be described later. The semiconductor wafer held on the pick 1 by rotating, expanding and contracting, moving horizontally and vertically moving the loader arms LA1 and LA2. W is transported.
[0022]
The pick 1 is made of a thin plate-like member, and has a fork-like shape having two fingers at the tip end side. On the upper side surface of the pick 1, mounting portions 2 are provided at a total of three places, namely, a tip portion of a portion corresponding to two fingers and a root portion of these fingers.
[0023]
The mounting portion 2 is made of a conductive material and has a certain degree of hardness, for example, amorphous carbon, SiC, Si, or the like.
[0024]
The placement section 2 is made of a conductive material as described above in order to prevent particles from adsorbing to the placement section 2 due to static electricity. In addition, the mounting portion 2 is made of a material having a certain degree of hardness. When the mounting portion 2 is made of a soft material having a low hardness, a state in which particles are embedded in the surface of the mounting portion 2 is obtained. Therefore, it may be difficult to remove particles, and this is to prevent such a state.
[0025]
The shape of the mounting portion 2 is not limited to the shape shown in FIGS. 2 and 3 and can be changed as appropriate. However, it is preferable that the contact area with the semiconductor wafer W is small, and It is preferable that the semiconductor wafer W has a shape that can reliably attract the semiconductor wafer W. In the case of the mounting portion 2 shown in FIGS. 2 and 3, the outer diameter is substantially disc-shaped, and the outer circumferential mounting surface 2a and the inner portion of the outer circumferential mounting surface 2a are spaced from each other. The semiconductor wafer W is configured to be held by a concentrically double mounting surface including the provided inner peripheral mounting surface 2b.
[0026]
In addition, a suction port 2c is provided at the center of the mounting portion 2, and the suction port 2c is connected to a suction path 1a provided in the main body of the pick 1. As shown in FIG. 1, the suction passages 1a are provided corresponding to the respective mounting portions 2, and these suction passages 1a are communicated with each other in the manifold 1b. The manifold 1b and the suction source 4 including a vacuum pump and the like are connected by one suction path 3.
[0027]
A switching valve 5 is provided in the middle of the suction path 3, and the switching valve 5 can switch between the suction source 4 and the cleaning gas supply source 6.
[0028]
When the semiconductor wafer W is suction-held and transferred, the switching valve 5 shown in FIG. 1 is switched to the suction source 4 side, and the suction port 2c is suctioned through the suction path 3 and the suction path 1a. As shown by arrows in FIG. 4, the semiconductor wafer W is suction-held on the mounting portion 2.
[0029]
On the other hand, when cleaning the mounting section 2, the switching valve 5 shown in FIG. 1 is switched to the cleaning gas supply source 6 side, and the cleaning gas supply source 6 is switched to the cleaning gas supply source 6 via the suction path 3 and the suction path 1a. To supply a cleaning gas (for example, air, nitrogen gas, etc.), and eject the gas from the suction port 2c. Then, particles adhering to the mounting portion 2 are removed by an air flow of the cleaning gas ejected from the suction port 2c.
[0030]
When performing the cleaning of the mounting section 2 as described above, as shown in FIG. 5, the pick 1 is brought into close proximity to the cleaning gas reflecting member 10 and ejected from the suction port 2c as shown by the arrow in the figure. By causing the cleaning gas thus reflected to be reflected by the cleaning gas reflecting member 10 and impinge on the receiver 2, particles attached to the receiver 2 can be more efficiently and reliably removed.
[0031]
Although the cleaning gas reflection member 10 shown in FIG. 5 has a flat plate shape, the shape of the cleaning gas reflection member 10 is not limited to the flat plate shape, but may be appropriately uneven. And those provided with an inclined surface can be used. As described above, by changing the shape of the reflecting surface of the cleaning gas reflecting member 10, the airflow hitting the mounting portion 2 can be controlled.
[0032]
Further, the semiconductor wafer W held by the pick 1 can be used as the cleaning gas reflecting member 10. In other words, the switching valve 5 is switched to the cleaning gas supply source 6 in a state where the semiconductor wafer W is sucked and held by the pick 1, and the cleaning gas from the cleaning gas supply source 6 is directed to the back surface of the semiconductor wafer W. Let it squirt. At this time, the supply pressure of the cleaning gas needs to be controlled to such an extent that the semiconductor wafer W does not separate from the pick 1.
[0033]
Further, as a method of supplying the cleaning gas, for example, two of the three mounting portions 2 are connected to the suction source 4, and the semiconductor wafer W is sucked and held by these two mounting portions 2. On the other hand, the remaining mounting sections 2 are connected to the cleaning gas supply source 6 to clean particles adhering to one mounting section 2, and by repeating such a process, each mounting section 2 is cleaned. May be selectively cleaned.
[0034]
Next, a configuration of a substrate processing apparatus provided with the substrate transport device configured as described above will be described.
[0035]
As shown in FIG. 6, the substrate processing apparatus includes a plurality of (two in the apparatus shown in FIG. 6) process ships PS1 and PS2 constituting a processing unit for performing a predetermined process on the semiconductor wafer W, and the semiconductor wafer W is transferred to these. It is configured in combination with a loader module LM to be transported.
[0036]
The loader module LM includes a plurality (three in the apparatus of FIG. 6) of load ports LP1 to LP3 for accommodating the semiconductor wafer W, a transfer chamber TR for transferring the semiconductor wafer W, and a substrate positioning device for positioning the semiconductor wafer W. (Orienter) OR.
[0037]
An orienter OR is connected to the transfer chamber TR, process ships PS1 and PS2 are connected via load lock doors LG1 and LG2, and load ports LP1 to LP3 are connected via load port doors CG1 to CG3. Have been. In the load ports LP1 to LP3, cassettes or FOUPs CS1 to CS3 (hereinafter, the case of cassettes) for storing unprocessed semiconductor wafers W and processed semiconductor wafers W are installed.
[0038]
In the transfer chamber TR, the substrate transfer device having the above-described configuration is provided, and the substrate transfer device is provided with two-stage loader arms LA1 and LA2. The pick 1 described above is disposed at the distal ends of the loader arms LA1 and LA2.
[0039]
The cleaning gas reflecting member 10 described above is disposed at an end in the transfer chamber TR. In the present embodiment, as described above, the loader arms LA1 and LA2 have a two-stage configuration, and the pick 1 is also provided in each of the loader arms LA1 and LA2, so that the pick-up arm has a two-stage configuration. For this reason, as shown in FIG. 7, the cleaning gas reflecting member 10 is also provided in two upper and lower stages, so that the two picks 1 of the loader arms LA1 and LA2 can be cleaned simultaneously.
[0040]
The loader arms LA1 and LA2 carry the semiconductor wafer W between the load ports LP1 to LP3 and the process ships PS1 and PS2 (load lock chambers LL1 and LL2) and between the load ports LP1 and LP2 and the orienter OR (FIG. 6). (1) (2) (6) transport). The loader arms LA1 and LA2 have a two-stage configuration, so that one loader arm LA1 (LA2) carries in the semiconductor wafer W and the other loader arm LA2 (LA1) carries out the semiconductor wafer W. This allows the semiconductor wafer W to be exchanged efficiently.
[0041]
The process ships PS1 and PS2 are provided with load lock chambers LL1 and LL2 and process chambers PM1 and PM2. The load lock chambers LL1 and LL2 and the process chambers PM1 and PM2 are connected to each other via process gates PG1 and PG2. ing.
[0042]
The load lock chambers LL1 and LL2 are provided with wafer mounting tables B11, B12, B21 and B22 and load lock arms LR1 and LR2, respectively. The semiconductor wafer W loaded from the loader module LM is loaded into the wafer mounting tables B11 and B21. Is placed, and the semiconductor wafer W carried out from the load lock chambers LL1 and LL2 is placed.
[0043]
Further, the semiconductor wafer W carried into the process chambers PM1 and PM2 is mounted on the wafer mounting tables B12 and B22. The load lock arms LR1 and LR2 transfer the semiconductor wafer W between the load lock chambers LL1 and LL2 and the process chambers PM1 and PM2 (transfer of (3), (4) and (5) in FIG. 6). .
[0044]
The transfer chamber TR is opened to the atmosphere, and the load port doors CG1 to CG3 are kept open. Further, in order to prevent contamination, the process chambers PM1 and PM2 are maintained at a predetermined degree of vacuum. For this reason, in the load lock chambers LL1 and LL2, supply and exhaust are performed to correspond to the respective degrees of vacuum according to the transfer between the transfer chamber TR and the transfer between the process chambers PM1 and PM2. .
[0045]
Hereinafter, the operation of the substrate processing apparatus will be described by taking, as an example, a case where the transfer is performed between the load port LP1 and the process ship PS1.
[0046]
First, the loader arms LA1 and LA2 take out the semiconductor wafer W from the cassette CS1 placed on the load port LP1 and carry it into the orienter OR ((1)).
[0047]
When the steps such as the positioning of the semiconductor wafer W in the orienter OR are completed, the loader arms LA1 and LA2 take out the semiconductor wafer W from the orienter OR. Then, the load lock door LG1 of the load lock chamber LL1 is opened, and the loader arms LA1 and LA2 carry the semiconductor wafer W into the load lock chamber LL1 and mount the semiconductor wafer W on the wafer mounting table B11 ((2)). .
[0048]
When the semiconductor wafer W is mounted on the wafer mounting table B11, the load lock door LG1 is closed, the interior of the load lock chamber LL1 is evacuated, and the load lock arm LR1 moves the semiconductor wafer on the wafer mounting table B11. W is transferred to the wafer mounting table B12 ((3)).
[0049]
When the semiconductor wafer W is transferred to the wafer mounting table B12 and the semiconductor wafer W can be carried into the process chamber PM1, the process gate PG1 of the process chamber PM1 is opened, and the load lock arm LR1 is moved to the position above the wafer mounting table B12. The semiconductor wafer W is carried into the process chamber PM1 ([4]).
[0050]
When the semiconductor wafer W is carried into the process chamber PM1, the process gate PG1 is closed, and a predetermined process is performed on the semiconductor wafer W in the process chamber PM1. The predetermined processing is, for example, processing such as etching and film formation.
[0051]
When the processing of the semiconductor wafer W in the process chamber PM1 is completed and the semiconductor wafer W can be carried out to the load lock chamber LL1, the process gate PG1 is opened, and the load lock arm LR1 moves the semiconductor lock in the process chamber PM1. The wafer W is transferred to the wafer mounting table B11 ([5]).
[0052]
Then, the process gate PG1 is closed, and the atmosphere in the load lock chamber LL1 is opened. When the opening of the load lock chamber LL1 to the atmosphere is completed, the load lock door LG1 is opened according to the next loading timing of the semiconductor wafer W, and one of the loader arms LA1 and LA2 loads the semiconductor wafer W on the wafer mounting table B11. While being carried out to the port LP1 ([6]), the other loader arms LA1 and LA2 carry in the next semiconductor wafer W positioned by the orienter OR into the load lock chamber LL1 ([2]).
[0053]
When cleaning the mounting portion 2 of the pick 1, as shown in FIG. 7, the pick 1 of the loader arms LA1 and LA2 is connected to the two-stage cleaning gas reflection provided at the end of the transfer chamber TR. Is moved below the use member 10.
[0054]
Then, by switching the switching valve 5 shown in FIG. 1 to the cleaning gas supply source 6 side, the cleaning gas (for example, air, nitrogen gas, etc.) from the cleaning gas supply source 6 is changed as shown in FIG. Then, the mounting portion 2 of the two picks 1 of the loader arms LA1 and LA2 is cleaned at the same time by being ejected from the suction port 2c.
[0055]
Note that the particles removed from the mounting portion 2 of the pick 1 in this manner are immediately discharged from the transfer chamber TR due to the downflow formed in the transfer chamber TR, and may not be reattached to other parts. Is prevented.
[0056]
The above-described cleaning is preferably configured to be automatically performed at a predetermined timing set in advance, but is preferably configured to be performed at an arbitrary timing by a button operation or the like by an operator. .
[0057]
Further, the above-mentioned predetermined timing is preferably set for every fixed processing time or every fixed number of processed semiconductor wafers W. From the viewpoint of throughput, for example, processing of one lot is completed, It is preferable that the setting is made such that the processing is performed in a vacant time until the start of the processing of the next lot or in a vacant time in which the semiconductor wafer W is processed in the process chambers PM1 and PM2 and the transfer of the semiconductor wafer W is not required.
[0058]
By performing the cleaning of the mounting portion 2 as described above, it is possible to prevent a decrease in the suction force of vacuum suction due to the particles adhering to the mounting portion 2 and to prevent the particles from being attached to the semiconductor wafer W. Can be prevented from adhering and causing a defect. In addition, since a manual cleaning operation or the like is not required, it is possible to reduce labor and improve an operation rate.
[0059]
In addition, since a simple configuration can be achieved by using a suction path for vacuum suction, it is possible to suppress the complexity of the device structure and the increase in manufacturing cost.
[0060]
In the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to the case where the semiconductor wafer W is vacuum-sucked and transferred is described. However, the present invention is not limited to such an embodiment, and may be applied to any vacuum suction device. It is possible to apply. Further, the substrate used in substrate processing and substrate transport is not limited to the semiconductor wafer W, but may be applied to any substrate such as an LCD substrate.
[0061]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to remove particles adhered to the mounting portion of the vacuum suction device without the need for manual cleaning work and the like, and to achieve a simple By realizing such particle removal by the configuration, it is possible to suppress the complexity of the device structure and the increase in manufacturing cost.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view schematically showing a schematic configuration of a main part of a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view showing a main part of the substrate transfer device of FIG. 1;
FIG. 3 is a view showing a vertical sectional configuration of FIG. 2;
FIG. 4 is a diagram for explaining a suction operation of the substrate transfer device of FIG. 1;
FIG. 5 is a view for explaining a cleaning operation of the substrate transfer device of FIG. 1;
FIG. 6 is a diagram schematically illustrating a configuration of a substrate processing apparatus provided with the substrate transfer apparatus of FIG. 1;
FIG. 7 is a diagram schematically illustrating a main configuration of the substrate processing apparatus of FIG. 6;
[Explanation of symbols]
W ... Semiconductor wafer, 1 ... Pick, 1a ... Suction path, 2 ... Placement section, 2c ... Suction port, 3 ... Suction path, 4 ... Suction source, 5 ... Switching valve, 6 ... ... Purifying gas supply source.

Claims (10)

基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部に設けられた吸引口及びこの吸引口に接続された吸引路とを有し、前記吸引路を介して真空引きすることにより、前記基板載置部に前記基板を真空吸着する真空吸着装置であって、
前記吸引路を介して前記吸引口から清浄用気体を噴出させ、前記基板載置部に付着した塵埃を除去するクリーニング機構を具備したことを特徴とする真空吸着装置。
A substrate mounting portion on which the substrate is mounted, a suction port provided in the substrate mounting portion, and a suction path connected to the suction port, and by evacuating through the suction path, A vacuum suction device for vacuum suctioning the substrate on a substrate mounting portion,
A vacuum suction device, comprising: a cleaning mechanism for ejecting a cleaning gas from the suction port through the suction path to remove dust adhered to the substrate mounting portion.
請求項1記載の真空吸着装置において、
前記クリーニング機構は、前記吸引路の途中に介挿された切換バルブによって、吸引源と清浄用気体供給源とを切り換えるよう構成されたことを特徴とする真空吸着装置。
The vacuum suction device according to claim 1,
The vacuum suction device, wherein the cleaning mechanism is configured to switch between a suction source and a cleaning gas supply source by a switching valve inserted in the middle of the suction path.
請求項1又は2記載の真空吸着装置において、
前記基板載置部が、アモルファスカーボン又はSiC又はSiから構成されたことを特徴とする真空吸着装置。
The vacuum suction device according to claim 1 or 2,
A vacuum suction device, wherein the substrate mounting portion is made of amorphous carbon, SiC, or Si.
基板を搬送するためのアームと、前記アームの先端部に設けられ、基板を載置する基板載置部が設けられたピックと、前記基板載置部に設けられた吸引口及びこの吸引口に接続された吸引路とを有し、前記吸引路を介して真空引きすることにより、前記基板載置部に前記基板を真空吸着するよう構成された基板搬送装置であって、
前記吸引路を介して前記吸引口から清浄用気体を噴出させ、前記基板載置部に付着した塵埃を除去するクリーニング機構を具備したことを特徴とする基板搬送装置。
An arm for transporting the substrate, a pick provided at the distal end of the arm and provided with a substrate mounting portion for mounting the substrate, a suction port provided on the substrate mounting portion, and a suction port provided on the substrate mounting portion. A suction path connected thereto, and a substrate transfer device configured to vacuum-suction the substrate on the substrate mounting portion by evacuating through the suction path,
A substrate transport device, comprising: a cleaning mechanism for ejecting a cleaning gas from the suction port through the suction path to remove dust adhered to the substrate mounting portion.
請求項4記載の基板搬送装置において、
前記クリーニング機構は、前記吸引路の途中に介挿された切換バルブによって、吸引源と清浄用気体供給源とを切り換えるよう構成されたことを特徴とする基板搬送装置。
The substrate transfer device according to claim 4,
The substrate transport apparatus, wherein the cleaning mechanism is configured to switch between a suction source and a cleaning gas supply source by a switching valve inserted in the middle of the suction path.
請求項4又は5記載の基板搬送装置において、
前記基板載置部が、アモルファスカーボン又はSiC又はSiから構成されたことを特徴とする基板搬送装置。
The substrate transfer device according to claim 4 or 5,
The substrate transfer device, wherein the substrate mounting portion is made of amorphous carbon, SiC, or Si.
請求項4〜6いずれか1項記載の基板搬送装置において、
前記クリーニング機構によって、前記吸引口から清浄用気体を噴出させる際に、前記吸引口を対向させて配置可能とされた清浄用気体反射用部材を有することを特徴とする基板搬送装置。
The substrate transfer device according to any one of claims 4 to 6,
A substrate transport device, comprising: a cleaning gas reflecting member that can be disposed so that the suction ports are opposed to each other when the cleaning gas is ejected from the suction ports by the cleaning mechanism.
請求項7記載の基板搬送装置において、
前記ピックが上下方向に間隔を設けて複数設けられ、これらのピックに対応して前記清浄用気体反射用部材が複数設けられていることを特徴とする基板搬送装置。
The substrate transfer device according to claim 7,
A substrate transport apparatus, wherein a plurality of the picks are provided at intervals in a vertical direction, and a plurality of the cleaning gas reflecting members are provided corresponding to the picks.
請求項7又は8記載の基板搬送装置において、
前記基板を、前記清浄用気体反射用部材として用いるよう構成されたことを特徴とする基板搬送装置。
The substrate transfer device according to claim 7, wherein
A substrate transport device, wherein the substrate is used as the cleaning gas reflecting member.
請求項4〜9いずれか1項記載の基板搬送装置と、前記基板搬送装置によって搬送された基板に所定の処理を施す基板処理機構とを具備したことを特徴とする基板処理装置。10. A substrate processing apparatus, comprising: the substrate transfer device according to claim 4; and a substrate processing mechanism configured to perform a predetermined process on a substrate transferred by the substrate transfer device.
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